JPH0690132A - Saw device, manufacture of the same and communication equipment using the same - Google Patents
Saw device, manufacture of the same and communication equipment using the sameInfo
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- JPH0690132A JPH0690132A JP24097392A JP24097392A JPH0690132A JP H0690132 A JPH0690132 A JP H0690132A JP 24097392 A JP24097392 A JP 24097392A JP 24097392 A JP24097392 A JP 24097392A JP H0690132 A JPH0690132 A JP H0690132A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置および
その作製方法、さらにそれを用いた通信装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device, a method of manufacturing the same, and a communication device using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波の主伝搬軸方向に垂直な方向
で、すだれ状電極の電極ピッチが異なるように、電極を
斜めに配置した傾斜型（スラント）すだれ状電極の代表
的な例としては、例えば、米国アイ・イ−・イ−・イ
−、１９８３年ウルトラソニクスシンポジウム、プロシ
−ディングス１１３頁（１９８３ ＩＥＥＥ Ｕｌｔｒ
ａｓｏｎｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｐ．１１３）、
米国アイ・イ−・イ−・イ−、トランザクション、エス
ユウ３１号、４６頁（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ． ＳＵ−
３１，Ｐ．４６）等に記載されているものが挙げられ
る。これら従来の技術は、傾斜型すだれ状電極は、当該
電極の弾性表面波主伝搬軸方向における幅の中心点の集
合線である中心線（以下、対称軸とも称する）が、上記
主伝搬軸に対して垂直であるものが殆どである。このた
め、弾性表面波装置の群遅延時間特性は平坦なものであ
った。また、すだれ状電極間の伝達特性を利用したもの
が殆どであり、弾性表面波装置を１種の２端子電子回路
として構成し、使用したものはなかった。2. Description of the Related Art A typical example of a slanted interdigital transducer in which electrodes are arranged obliquely so that the interdigital electrodes have different electrode pitches in a direction perpendicular to the main propagation axis direction of surface acoustic waves. Is, for example, I-Y-A-I, USA, 1983 Ultrasonics Symposium, Proceedings, p. 113 (1983 IEEE Ultr).
asonics Symposium P. 113),
US I-A-I, Transactions, S-Yu No. 31, p. 46 (IEEE Trans. SU-
31, P.I. 46) and the like. According to these conventional techniques, in a tilted interdigital transducer, a center line (hereinafter also referred to as a symmetry axis), which is a collective line of center points of widths of the electrodes in the surface acoustic wave main propagation axis direction, is arranged on the main propagation axis. Most of them are vertical. Therefore, the group delay time characteristic of the surface acoustic wave device was flat. Further, most of them utilize the transfer characteristics between the interdigital electrodes, and none of the surface acoustic wave devices are configured and used as one type of two-terminal electronic circuit.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
傾斜型すだれ状電極を利用した弾性表面波装置は、直線
位相（すなわち、群遅延時間が一定である）のフィルタ
型デバイス（通過特性型）であった。本発明の目的は、
上述の場合以外の傾斜型（スラント）すだれ状電極を用
いた弾性表面波装置の新規な構造を提案し、所望かつ良
好な特性を有する弾性表面波装置を提供する事等にあ
る。As described above, the conventional surface acoustic wave device using the slanted interdigital transducers has a linear phase (that is, a constant group delay time) filter type device (passage characteristic). Type). The purpose of the present invention is to
Another object of the present invention is to propose a new structure of a surface acoustic wave device using a slanted interdigital transducer other than the above case, and to provide a surface acoustic wave device having desired and good characteristics.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】上記課題を課題を解決す
る手段として、以下に記載する手段が考えられる。弾性
表面波基板と、該基板上に弾性表面波主伝搬軸に垂直な
方向においてすだれ状電極の電極ピッチが異なるように
配置した傾斜型（スラント）すだれ状電極を少なくとも
１以上有して構成される弾性表面波装置において、前記
傾斜型すだれ状電極の、弾性表面波主伝搬軸方向におけ
る幅の中心点の集合からなる中心線が、前記弾性表面波
主伝搬軸に対して垂直でない部分と、垂直な部分を有す
る弾性表面波装置である。また、所望の特性を得るため
に、前記傾斜型すだれ状電極を構成する電極指のうち、
少なくとも１以上の電極指を曲線上の輪郭を呈するよう
に配置した弾性表面波装置も考えられる。さらに、いわ
ゆるアップチャープ型あるいはダウンチャープ型のフィ
ルタを構成するため以下の手段が考えられる。すなわ
ち、上記弾性表面波装置において、前記弾性表面波基板
上に、２つの傾斜型すだれ状電極を配置し、一方を入力
電極、他方を出力電極とし、入力電極の中心線と出力電
極の中心線における、弾性表面波主伝搬軸方向の両中心
線間の距離を考えたとき、電極のピッチが狭いトラック
での中心線間の距離に比べ、電極ピッチが広いトラック
での中心線間の距離が短い弾性表面波装置、あるいは、
前記弾性表面波基板上に、２つの傾斜型すだれ状電極を
配置し、一方を入力電極、他方を出力電極とし、入力電
極の中心線と出力電極の中心線における、弾性表面波主
伝搬軸方向の両中心線間の距離を考えたとき、電極のピ
ッチが広いトラックでの中心線間の距離に比べ、電極ピ
ッチが狭いトラックでの中心線間の距離が短い弾性表面
波装置である。[Means for Solving the Problems] As means for solving the above problems, the following means can be considered. A surface acoustic wave substrate and at least one slanted interdigital transducer arranged on the substrate such that the electrode pitches of the interdigital electrodes are different in the direction perpendicular to the main propagation axis of the surface acoustic wave. In the surface acoustic wave device, the center line formed of a set of width center points in the surface acoustic wave main propagation axis direction of the inclined type interdigital transducer, and a portion that is not perpendicular to the surface acoustic wave main propagation axis, It is a surface acoustic wave device having a vertical portion. In addition, in order to obtain desired characteristics, among the electrode fingers forming the slanted interdigital transducer,
A surface acoustic wave device in which at least one or more electrode fingers are arranged so as to have a curved contour is also conceivable. Furthermore, the following means can be considered in order to configure a so-called up-chirp type or down-chirp type filter. That is, in the above-described surface acoustic wave device, two inclined interdigital transducers are arranged on the surface acoustic wave substrate, one of which serves as an input electrode and the other serves as an output electrode, and the center line of the input electrode and the center line of the output electrode are arranged. Considering the distance between the centerlines in the main propagation axis direction of the surface acoustic wave in, the distance between the centerlines in the track with a wide electrode pitch is smaller than the distance between the centerlines in the track with a narrow electrode pitch. A short surface acoustic wave device, or
Two inclined interdigital transducers are arranged on the surface acoustic wave substrate, one is an input electrode and the other is an output electrode, and the surface acoustic wave main propagation axis direction is at the center line of the input electrode and the center line of the output electrode. Considering the distance between the two centerlines, the surface acoustic wave device has a shorter distance between the centerlines in a track having a narrow electrode pitch, compared to a distance between the centerlines in a track having a wider electrode pitch.
【０００５】さらに、傾斜型（スラント）すだれ状電極
を有して構成する弾性表面波装置を、２端子の電子回路
として構成し、インピ−ダンス（あるいはアドミタン
ス）素子として用いた手段も考えられる。すなわち、弾
性表面波基板と、該基板上に弾性表面波主伝搬軸に垂直
な方向においてすだれ状電極の電極ピッチが異なるよう
に配置した傾斜型（スラント）すだれ状電極を少なくと
も１個以上有して構成される弾性表面波装置において、
前記各々の傾斜型すだれ状電極を１対の電極指グループ
で構成し、該１対の電極指グループの一方における電圧
印加端子を第一の端子とし、さらに他方の電極指グルー
プにおける電圧印加端子を第二の端子として、前記第一
の端子と第二の端子の間に、パッシブ回路素子およびア
クティブ回路素子のうち少なくともいずれかを接続し、
弾性表面波装置を２端子回路として構成した弾性表面波
装置である。さらに、かかる弾性表面波装置において該
装置の小型化を図るため、傾斜型すだれ状電極を２以上
の偶数個設け、２個ずつ１対とし、各対における、一方
の傾斜型すだれ状電極における弾性表面波主伝搬軸方向
の幅の長い部分と、他方の傾斜型すだれ状極における弾
性表面波主伝搬軸方向の幅の短い部分を対向させ、同一
トラックに配置した弾性表面波装置も考えられる。Further, it is conceivable that a surface acoustic wave device having a slanted interdigital transducer is constructed as an electronic circuit having two terminals and used as an impedance (or admittance) element. That is, there is at least one surface acoustic wave substrate and at least one slanted interdigital transducer arranged on the substrate such that the electrode pitches of the interdigital electrodes are different in the direction perpendicular to the main propagation axis of the surface acoustic wave. In the surface acoustic wave device configured as
Each of the tilted interdigital transducers is composed of a pair of electrode finger groups, the voltage application terminal in one of the pair of electrode finger groups is the first terminal, and the voltage application terminals in the other electrode finger group are As the second terminal, between the first terminal and the second terminal, at least one of the passive circuit element and the active circuit element is connected,
This is a surface acoustic wave device in which the surface acoustic wave device is configured as a two-terminal circuit. Further, in order to reduce the size of the surface acoustic wave device, an even number of inclined type interdigital electrodes are provided and two pairs are provided, and the elastic surface of one inclined type interdigital electrode in each pair. A surface acoustic wave device in which a portion having a long width in the main propagation axis direction of the surface wave and a portion having a short width in the main propagation axis direction of the surface acoustic wave in the other inclined type interdigital pole are opposed to each other and arranged on the same track is also conceivable.
【０００６】また、いわゆるバルク波の散乱による特性
劣化を防止した手段として、以下に記す手段も考えられ
る。すなわち、弾性表面波基板と、該基板上に配置した
傾斜型すだれ状電極を有して構成する弾性表面波装置に
おいて、弾性表面波基板の前記すだれ状電極が配置され
た面の反対面が、弾性表面波の波長の１／５０よりも大
きな面粗さで荒らされている弾性表面波装置である。さ
らに、かかる弾性表面波装置の作製方法として、以下に
示す手段が考えられる。すなわち、弾性表面波基板に傾
斜型すだれ状電極を配置し弾性表面波装置を作成する
際、傾斜型すだれ状電極が配置された弾性表面波基板面
を表面とし、該弾性表面波基板の裏面を、弾性表面波の
波長の１／５０よりも大きな面粗さとなるように、研磨
剤を用いて前記裏面を荒らす弾性表面波装置の作製方法
である。Further, as means for preventing characteristic deterioration due to so-called bulk wave scattering, the following means can be considered. That is, in a surface acoustic wave device having a surface acoustic wave substrate and a slanting interdigital transducer arranged on the substrate, the surface of the surface acoustic wave substrate opposite to the surface on which the interdigital transducer is arranged, The surface acoustic wave device is roughened with a surface roughness larger than 1/50 of the wavelength of the surface acoustic wave. Furthermore, the following means can be considered as a method of manufacturing such a surface acoustic wave device. That is, when a tilted interdigital transducer is arranged on a surface acoustic wave substrate to create a surface acoustic wave device, the surface of the surface acoustic wave substrate on which the tilted interdigital transducer is arranged is used as the front surface, and the back surface of the surface acoustic wave substrate is A method for manufacturing a surface acoustic wave device in which an abrasive is used to roughen the back surface so that the surface roughness is greater than 1/50 of the wavelength of the surface acoustic wave.
【０００７】さらに、本発明にかかる弾性表面波装置の
応用例として、上記の弾性表面波装置を内蔵し、フィル
タとして用いた通信装置も考えられる。Further, as an application example of the surface acoustic wave device according to the present invention, a communication device in which the surface acoustic wave device described above is built in and used as a filter is also conceivable.
【０００８】[0008]
【作用】弾性表面波主伝搬軸方向における、すだれ状電
極の幅の中心点の集合線である中心線（対称軸）が、上
記主伝搬軸に対して垂直でない部分を有した構成とす
る。 このような構成により、主な周波数応答トラック
における、弾性表面波の伝搬時間を変化するため、弾性
表面波装置の周波数特性は、いわゆる分散性を呈するこ
ととなる。したがって、すだれ状電極の形状、配置間隔
等を調整し、所望の特性を有する弾性表面波装置を作製
することが可能となる。また、傾斜型すだれ状電極は、
本質的に広帯域な周波数特性を有し、しかも該特性は、
連続的に変化するため、上記電極を利用し、該電極間に
パッシブ回路素子、アクティブ回路素子等を備えた２端
子回路を構成し、弾性表面波装置をインピ−ダンス（あ
るいはアドミタンス）素子として用いる事により、広帯
域な電子回路を構成することができる。この場合傾斜型
すだれ状電極のレイアウトを考慮し弾性表面波装置の小
型化を図ることが望ましい。本発明により、いわゆるア
ップチャープ型あるいはダウンチャープ型のフィルタを
構成できる。さらに、本発明にかかる弾性表面波装置の
応用例として、弾性表面波装置をフィルタとして用い、
該弾性表面波装置を内蔵した通信装置等も考えられる。The center line (symmetry axis), which is the assembly line of the center points of the width of the interdigital transducer in the main surface acoustic wave propagation axis direction, has a portion which is not perpendicular to the main propagation axis. With such a configuration, since the propagation time of the surface acoustic wave in the main frequency response track is changed, the frequency characteristic of the surface acoustic wave device exhibits so-called dispersiveness. Therefore, it is possible to manufacture the surface acoustic wave device having desired characteristics by adjusting the shape of the interdigital electrode, the arrangement interval, and the like. In addition, the tilted interdigital transducer is
It has an essentially broadband frequency characteristic, and the characteristic is
Since it changes continuously, a two-terminal circuit including a passive circuit element, an active circuit element and the like is formed between the electrodes, and the surface acoustic wave device is used as an impedance (or admittance) element. As a result, a broadband electronic circuit can be configured. In this case, it is desirable to reduce the size of the surface acoustic wave device in consideration of the layout of the inclined interdigital transducer. According to the present invention, a so-called up-chirp type or down-chirp type filter can be constructed. Furthermore, as an application example of the surface acoustic wave device according to the present invention, the surface acoustic wave device is used as a filter,
A communication device or the like incorporating the surface acoustic wave device is also conceivable.
【０００９】また、いわゆるバルク波の散乱による特性
劣化を防止する方法としては、弾性表面波基板のすだれ
状電極が配置された面の反対面を、弾性表面波の波長の
１／５０よりも大きな面粗さで荒らす弾性表面波の作製
方法を採用すれば良い。本方法を用いることにより、弾
性表面波装置の一層の特性向上を図れる。As a method of preventing characteristic deterioration due to so-called bulk wave scattering, the surface of the surface acoustic wave substrate opposite to the surface on which the interdigital electrodes are arranged is larger than 1/50 of the wavelength of the surface acoustic wave. A method of producing a surface acoustic wave that is roughened by surface roughness may be adopted. By using this method, the characteristics of the surface acoustic wave device can be further improved.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、図１から図１７を参照して本発明の実
施例について順に説明する。図１は、本発明にかかる弾
性表面波装置の構成図を示したものである。本装置は、
弾性表面波基板１、入力傾斜型（スラント）すだれ状電
極２、出力傾斜型（スラント）すだれ状電極３、シ−ル
ド斜め電極４および吸音材５を有して構成されている。
入力傾斜型（スラント）すだれ状電極２、出力傾斜型
（スラント）すだれ状電極３、シ−ルド斜め電極４およ
び吸音材５は、弾性表面波基板１上に配置構成されてい
る。弾性表面波基板１は、例えば１２８°Ｙ−Ｘ Ｌｉ
ＮｂＯ3等により実現される。また、入力傾斜型すだれ
状電極２、出力傾斜型すだれ状電極３、およびシ−ルド
斜め電極４は、例えば膜厚１０００〜８０００（μｍ）
のアルミニウムを用いて実現される。また、本構成では
電極の対数を２対としているが、通常は１０対以上とす
る場合が多い。また、シ−ルド斜め電極４は、入力傾斜
型すだれ状電極２および出力傾斜型すだれ状電極３の電
磁的結合を抑圧するための手段であり、さらに吸音材５
は、基板端面からの反射波を抑圧するための手段であ
り、通常ゴム材等により実現できる。図２は、図１の第
１実施例の傾斜型電極を拡大し、模式的に示したもので
ある。 傾斜型すだれ状電極６は、傾斜していない交差
部７と、傾斜した交差部８を有して構成される。すだれ
状電極の中心線、すなわち弾性表面波主伝搬軸方向（図
のＣ−Ｃ’方向）における電極幅の中心点の集合線Ｂ−
Ｂ’は、弾性表面波主伝搬軸方向（図のＣ−Ｃ’方向）
に垂直でない個所が存在する。したがって、ある周波数
の弾性表面波を考えたとき、その周波数が透過しやすい
トラック（弾性表面波主伝搬軸方向に、ある幅を有する
領域を称し、その幅を開口と称する）は、他の周波数の
弾性表面波が透過しやすいトラックとは異なることを考
慮すると、周波数特性は、いわゆる分散性を有する特性
となる。また、傾斜していない交差部７での開口Ａｊ’
は、自由に選択することが可能であり、傾斜した交差部
８の各トラックでの開口Ａｊは、直線上に変化してい
る。 そのため、弾性表面波の音速をＶ、最も小さい電
極ピッチをλｈ、最も大きい電極ピッチをλｌ、斜め部
分全体の開口をＷ、各トラックの電極ピッチをλ（図示
せず）、各トラックの最大電極ピッチをλｌ’、最小電
極ピッチをλｈ’として、幾何学的パスと、弾性表面波
の音速は、弾性表面波の波長と周波数の積であることを
考慮して、以下の式が導出される。 Ａｊ＝Ｆｈ・Ｆｌ・ΔＦ・Ｗ／｛（Ｆｊ2＋Ｆｊ・ΔＦ）・Ｂ｝ （式１） Ｂ＝Ｆｈ−Ｆｌ （式２） Ｆｈ＝Ｖ／λｈ （式３） Ｆｌ＝Ｖ／λｌ （式４） Ｆｊ＝Ｖ／λ （式５） ΔＦ＝Ｖ（１／λｈ’−１／λｌ’） （式６） 以上、本実施例を用いれば、中心線が弾性表面波の主伝
搬軸に対して、垂直でない部分を有する構成にしたた
め、いわゆる分散性を有する周波数特性が得られること
になる。図３は、第２実施例の１部の構成を示したもの
である。各トラックでの開口Ａｊは、所望の周波数特性
により決定すればよく、そのため、例えば電極の形状は
曲線状となっている。すなわち、ある周波数での応答が
強い場合にはＡｊを大きくし、小さい場合は、その逆と
する構成にすれば良い。また、その応答周波数での遅延
時間により中心線のずれ量Ｌは、決定されることにな
る。すなわち、所望の遅延時間のずれ量をτとすれば、 Ｌ＝Ｖ／τ （式７） なる式でＬはほぼ決定される。図４に、第２実施例の弾
性表面波装置の周波数特性を示す。第２実施例の弾性表
面波装置は、テレビジョン受信機に内蔵するＩＦ（中間
周波数）フィルタへの適用を念頭に設計を行ったもので
ある。減衰特性９は、対数スケ−ルで示し、群遅延時間
特性１０も記載している。Embodiments of the present invention will be described below in order with reference to FIGS. FIG. 1 is a block diagram of a surface acoustic wave device according to the present invention. This device
A surface acoustic wave substrate 1, an input inclined type (slant) interdigital transducer 2, an output inclined type (slant) interdigital electrode 3, a shield diagonal electrode 4 and a sound absorbing material 5 are provided.
The input inclined type (slant) interdigital electrode 2, the output inclined type (slant) interdigital electrode 3, the shield oblique electrode 4 and the sound absorbing material 5 are arranged on the surface acoustic wave substrate 1. The surface acoustic wave substrate 1 is, for example, 128 ° Y-X Li.
It is realized by NbO 3 or the like. The input sloped interdigital transducer 2, the output sloped interdigital transducer 3, and the shield diagonal electrode 4 have a film thickness of, for example, 1000 to 8000 (μm).
It is realized by using aluminum. Further, although the number of pairs of electrodes is two in this configuration, it is usually 10 or more in many cases. The shield diagonal electrode 4 is a means for suppressing the electromagnetic coupling of the input tilted interdigital transducer 2 and the output tilted interdigital transducer 3, and further the sound absorbing material 5 is provided.
Is a means for suppressing the reflected wave from the end face of the substrate, which can be usually realized by a rubber material or the like. FIG. 2 is an enlarged schematic view of the tilted electrode of the first embodiment shown in FIG. The tilted interdigital transducer 6 has a non-tilted intersection 7 and a tilted intersection 8. The center line of the interdigital electrode, that is, the assembly line B- of the center points of the electrode width in the main surface acoustic wave propagation axis direction (CC 'direction in the figure)
B'is the surface acoustic wave main propagation axis direction (CC 'direction in the figure)
There is a part that is not vertical to. Therefore, when a surface acoustic wave of a certain frequency is considered, a track through which that frequency is easily transmitted (refers to a region having a certain width in the direction of the main propagation axis of the surface acoustic wave, and that width is referred to as an opening) is different from other frequencies. Considering that the surface acoustic wave is different from the track through which the surface acoustic wave is easily transmitted, the frequency characteristic has a so-called dispersive characteristic. In addition, the opening Aj ′ at the intersection 7 which is not inclined
Can be selected freely, and the opening Aj in each track of the inclined intersection 8 changes linearly. Therefore, the acoustic velocity of the surface acoustic wave is V, the smallest electrode pitch is λh, the largest electrode pitch is λl, the entire diagonal opening is W, the electrode pitch of each track is λ (not shown), and the maximum electrode of each track is Given that the pitch is λl ′ and the minimum electrode pitch is λh ′, the following formula is derived in consideration of the geometrical path and the sound velocity of the surface acoustic wave is the product of the wavelength and the frequency of the surface acoustic wave. . Aj = Fh · Fl · ΔF · W / {(Fj 2 + Fj · ΔF) · B} (Equation 1) B = Fh−Fl (Equation 2) Fh = V / λh (Equation 3) Fl = V / λl (Equation 4) Fj = V / λ (Equation 5) ΔF = V (1 / λh′−1 / λl ′) (Equation 6) As described above, according to the present embodiment, the center line is relative to the main propagation axis of the surface acoustic wave. As a result, a frequency characteristic having so-called dispersiveness is obtained because the configuration has a non-vertical portion. FIG. 3 shows the configuration of part of the second embodiment. The opening Aj in each track may be determined according to a desired frequency characteristic, and therefore the shape of the electrode is, for example, a curved shape. That is, when the response at a certain frequency is strong, Aj may be increased, and when the response is small, the configuration may be reversed. Further, the shift amount L of the center line is determined by the delay time at the response frequency. That is, if the desired amount of delay time shift is τ, L is almost determined by the equation L = V / τ (Equation 7). FIG. 4 shows frequency characteristics of the surface acoustic wave device of the second embodiment. The surface acoustic wave device of the second embodiment is designed in consideration of application to an IF (intermediate frequency) filter incorporated in a television receiver. The attenuation characteristic 9 is shown by a logarithmic scale, and the group delay time characteristic 10 is also described.
【００１１】図に示すとおり、高周波帯域と低周波帯域
での群遅延時間の差はτである。また、各周波数におけ
る減衰量は微妙に規定されている。したがって本実施例
では、これをＡｊを変化させ製作することにより実現し
ている。以上、本実施例を用いれば、複雑な周波数特性
を有するフィルタ装置の実現も可能となる。図５に、本
発明の第３実施例の構成図を示す。なお、図中、図１と
同一部分は、同一符号を付した。本装置は、弾性表面波
基板１、入力傾斜型（スラント）すだれ状電極１１、出
力傾斜型（スラント）すだれ状電極１２、シ−ルド斜め
電極４および吸音材５を有して構成されている。第１実
施例と同様に、入力傾斜型（スラント）すだれ状電極１
１、出力傾斜型（スラント）すだれ状電極１２、シ−ル
ド斜め電極４および吸音材５を弾性表面波基板１上に配
置して弾性表面波を構成している。入力傾斜型（スラン
ト）すだれ状電極１１の中心線Ｂ−Ｂ’は、電極全体に
渡り、弾性表面波の主伝搬軸に対して一様に傾けられて
いる。また、出力傾斜型（スラント）すだれ状電極１２
の中心線Ｂ−Ｂ’も、入力側とは対称に、弾性表面波の
主伝搬軸に対して一様に傾けられている。また、電極ピ
ッチの小さい（この部分は、高い周波数成分が透過しや
すい）トラックの入出力電極の中心線間の距離は、電極
ピッチの大きい（この部分は、低い周波数成分が透過し
やすい）トラックの入出力電極の中心線間の距離よりも
長く弾性表面波が伝搬のためかかる時間が長いため、低
周波帯域より、高周波帯域での群遅延時間が遅くなる。
図６に、第３実施例のフィルタの周波数特性を示す。フ
ィルタの減衰特性１３を対数スケ−ルで示し、フィルタ
の群遅延時間特性１４も記載している。上述したよう
に、入出力電極の中心線が、弾性表面波の主伝搬軸に対
して一様に傾けられているため、群遅延時間特性も一様
に傾いている。なお、このような特性は、「アップチャ
−プ型」と称され、一般にこのような特性を有するフィ
ルタを分散型遅延線（チャ−プフィルタ）と称する。以
上説明したように、本実施例を用いれば、アップチャ−
プ型分散型遅延線を傾斜型電極で実現することができ
る。図７に、本発明の第４実施例の構成図を示す。図
中、図１と同一部分は、同一符号を付した。本装置は、
弾性表面波基板１、入力傾斜型（スラント）すだれ状電
極１５、出力傾斜型（スラント）すだれ状電極１６、シ
−ルド斜め電極４および吸音材５を有して構成されてい
る。第３実施例と同様に、入力傾斜型（スラント）すだ
れ状電極１５、出力傾斜型（スラント）すだれ状電極１
６、シ−ルド斜め電極４および吸音材５を、弾性表面波
基板１上に配置し、弾性表面波装置を構成している。入
力傾斜型（スラント）すだれ状電極１１の中心線Ｂ−
Ｂ’は、電極全体に渡り、弾性表面波の主伝搬軸に対し
て一様に傾けられている。また、出力傾斜型（スラン
ト）すだれ状電極１２の中心線Ｂ−Ｂ’も、入力側とは
対称に、弾性表面波の主伝搬軸に対して一様に傾けられ
ている。また、電極ピッチの小さい（この部分は、高い
周波数成分が透過しやすい）トラックの入出力電極の中
心線間の距離は、電極ピッチの大きい（この部分は、低
い周波数成分が透過しやすい）トラックの入出力電極の
中心線間の距離よりも短く弾性表面波が伝搬のためかか
る時間が短いため、低周波帯域より、高周波帯域の群遅
延時間が短くなる。図８に第４実施例のフィルタの周波
数特性を示す。フィルタの減衰特性１７を対数スケ−ル
で示し、フィルタの群遅延時間特性１８も記載した。入
出力電極の中心線が、弾性表面波の主伝搬軸に対して、
一様に傾けられているため、群遅延時間特性も一様に傾
いている。この特性は、「ダウンチャ−プ型」と称さ
れ、一般にこの種のフィルタも、前述と同様、分散型遅
延線（チャ−プフィルタ）と称す。以上説明した様に、
本実施例により、ダウンチャ−プ型分散型遅延線を傾斜
型電極で実現することができる。図９は、本発明の第５
実施例の構成図を示したものである。図中図１と同一部
分は同一符号を付した。本装置は、弾性表面波基板１、
傾斜型（スラント）すだれ状電極１９、吸音材５、内部
インピ−ダンスＲｓを有する電源２０および出力インピ
−ダンスＲｌを有して構成されている。傾斜型（スラン
ト）すだれ状電極１９、吸音材５は、弾性表面波基板１
上に配置されている。内部インピ−ダンスＲｓを有する
電源２０、出力インピ−ダンスＲｌは、図中の端子Ａ、
Ｂ間に並列に接続されている。図１０に、上記実施例の
入出力伝達（周波数）特性を示す。減衰特性２１は、対
数スケ−ルで示している。傾斜型（スラント）すだれ状
電極１９の応答周波数領域が、逆に阻止帯域となってい
る。従来の多対型共振子を複数個並べた構造に比べ、す
だれ状電極の応答特性が連続的であるため、広帯域、か
つ、大きな減衰量が得られる。以上、本実施例を用いれ
ば、傾斜型（スラント）すだれ状電極を用いて、良好な
帯域阻止特性を得ることができる。なお、本実施例は端
子Ａ、Ｂを備える２端子電子回路として、取り扱うこと
ができる。図１１に、本発明の第６実施例の構成図を示
す。図中、図９と同一部分は、同一符号を付した。本装
置は、弾性表面波基板１、傾斜型（スラント）すだれ状
電極１９、吸音材５、内部インピ−ダンスＲｓを有する
電源２０、出力インピ−ダンスＲｌおよび誘導性素子Ｌ
を有して構成されている。As shown in the figure, the difference in group delay time between the high frequency band and the low frequency band is τ. Also, the amount of attenuation at each frequency is delicately defined. Therefore, in this embodiment, this is realized by changing Aj. As described above, by using this embodiment, it is possible to realize a filter device having a complicated frequency characteristic. FIG. 5 shows a block diagram of the third embodiment of the present invention. In the figure, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. The present device is configured to include a surface acoustic wave substrate 1, an input slanted interdigital transducer 11, an output slanted interdigital transducer 12, a shield diagonal electrode 4, and a sound absorbing material 5. . Similar to the first embodiment, the input inclined type (slant) interdigital transducer 1
1, the output slanted interdigital transducer 12, the shield diagonal electrode 4, and the sound absorbing material 5 are arranged on the surface acoustic wave substrate 1 to form a surface acoustic wave. The center line BB ′ of the input slanted interdigital transducer 11 is uniformly inclined with respect to the main propagation axis of the surface acoustic wave over the entire electrode. In addition, the output slanted interdigital transducer 12
The center line B-B 'of is also inclined symmetrically with respect to the input side with respect to the main propagation axis of the surface acoustic wave. Further, the distance between the center lines of the input / output electrodes of the track having a small electrode pitch (the high frequency component is easily transmitted in this portion) is the track having a large electrode pitch (the low frequency component is easily transmitted in this portion). Since the time required for the surface acoustic wave to propagate is longer than the distance between the center lines of the input and output electrodes, the group delay time in the high frequency band is longer than that in the low frequency band.
FIG. 6 shows the frequency characteristic of the filter of the third embodiment. The attenuation characteristic 13 of the filter is shown by a logarithmic scale, and the group delay time characteristic 14 of the filter is also described. As described above, since the center line of the input / output electrode is uniformly inclined with respect to the main propagation axis of the surface acoustic wave, the group delay time characteristic is also uniformly inclined. Such a characteristic is called "up-chirp type", and a filter having such a characteristic is generally called a distributed delay line (chirp filter). As described above, according to this embodiment, the upchart
It is possible to realize a distributed type delay line with a tilted electrode. FIG. 7 shows a block diagram of the fourth embodiment of the present invention. In the figure, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. This device
The surface acoustic wave substrate 1 includes an input inclined type (slant) interdigital electrode 15, an output inclined type (slanted) interdigital electrode 16, a shield oblique electrode 4 and a sound absorbing material 5. Similar to the third embodiment, the input inclined type (slant) interdigital electrode 15 and the output inclined type (slanted) interdigital electrode 1 are provided.
6, the shield diagonal electrode 4 and the sound absorbing material 5 are arranged on the surface acoustic wave substrate 1 to form a surface acoustic wave device. Center line B- of the input slanted interdigital transducer 11
B ′ is uniformly tilted with respect to the main propagation axis of the surface acoustic wave over the entire electrode. The center line BB ′ of the output slanted interdigital transducer 12 is also uniformly inclined with respect to the main propagation axis of the surface acoustic wave, symmetrically with the input side. Further, the distance between the center lines of the input / output electrodes of the track having a small electrode pitch (the high frequency component is easily transmitted in this portion) is the track having a large electrode pitch (the low frequency component is easily transmitted in this portion). Since the surface acoustic wave is shorter than the distance between the center lines of the input and output electrodes and takes a short time to propagate, the group delay time in the high frequency band is shorter than that in the low frequency band. FIG. 8 shows the frequency characteristic of the filter of the fourth embodiment. The attenuation characteristic 17 of the filter is shown by a logarithmic scale, and the group delay time characteristic 18 of the filter is also described. The center line of the input and output electrodes is the main propagation axis of the surface acoustic wave,
Since it is tilted uniformly, the group delay time characteristic is also tilted uniformly. This characteristic is called "down chirp type", and this type of filter is generally called a distributed delay line (chirp filter) as in the above. As explained above,
According to this embodiment, the down-chir type dispersion delay line can be realized by the tilt type electrode. FIG. 9 shows the fifth embodiment of the present invention.
It is a block diagram of an example. In the figure, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. This apparatus is provided with a surface acoustic wave substrate 1,
It is configured to have a slanted interdigital transducer electrode 19, a sound absorbing material 5, a power source 20 having an internal impedance Rs, and an output impedance Rl. The inclined type (slant) interdigital transducer 19 and the sound absorbing material 5 are the surface acoustic wave substrate 1
It is placed on top. The power source 20 having the internal impedance Rs and the output impedance Rl are the terminals A,
It is connected in parallel between B. FIG. 10 shows the input / output transmission (frequency) characteristics of the above embodiment. The attenuation characteristic 21 is shown by a logarithmic scale. On the contrary, the response frequency region of the slanted interdigital transducer 19 is the stop band. Compared with the conventional structure in which a plurality of multi-pair type resonators are arranged, since the interdigital transducer has continuous response characteristics, a wide band and a large amount of attenuation can be obtained. As described above, according to the present embodiment, it is possible to obtain good band stop characteristics by using the slanted interdigital transducer. The present embodiment can be handled as a two-terminal electronic circuit including terminals A and B. FIG. 11 shows a block diagram of a sixth embodiment of the present invention. In the figure, the same parts as those in FIG. 9 are designated by the same reference numerals. This device includes a surface acoustic wave substrate 1, a slanted interdigital transducer 19, a sound absorbing material 5, a power source 20 having an internal impedance Rs, an output impedance Rl, and an inductive element L.
Is configured.
【００１２】第５実施例と同様に、傾斜型（スラント）
すだれ状電極１９および吸音材５を弾性表面波基板１上
に配置している。内部インピ−ダンスＲｓを有する電源
２０、誘導性素子Ｌおよび出力インピ−ダンスＲｌが、
端子Ａ、Ｂ間に接続されている。図１２に、上記実施例
の入出力伝達（周波数）特性を示す。減衰量特性２２を
対数スケ−ルで示す。傾斜型（スラント）すだれ状電極
１９の応答周波数領域が、逆に阻止帯域と成っている。
また、並列に接続された誘導性素子Ｌにより、低周波数
成分がおとされ、低周波数帯で減衰が大きくなり、図に
示すような帯域通過特性が得られる。以上、本実施例を
用いれば、傾斜型（スラント）すだれ状電極を用いて、
良好な帯域阻止特性、および、帯域通過特性を得ること
ができる。Similar to the fifth embodiment, the slant type is used.
The interdigital transducer 19 and the sound absorbing material 5 are arranged on the surface acoustic wave substrate 1. A power supply 20 having an internal impedance Rs, an inductive element L and an output impedance Rl
It is connected between terminals A and B. FIG. 12 shows the input / output transmission (frequency) characteristics of the above embodiment. The attenuation characteristic 22 is shown by a logarithmic scale. On the contrary, the response frequency region of the slanted interdigital transducer 19 is a stop band.
Further, the inductive element L connected in parallel suppresses the low frequency component, increases the attenuation in the low frequency band, and obtains the band pass characteristic as shown in the figure. As described above, according to the present embodiment, by using the slanted interdigital transducer,
Good band stop characteristics and band pass characteristics can be obtained.
【００１３】なお、端子Ａ、Ｂ間に接続する素子は、例
えばトランジスタ等のアクティブ回路素子、コイル、抵
抗、コンデンサ等のパッシブ回路素子等でもよい。本実
施例は、弾性表面波装置の伝達関数を利用して、これを
２端子回路として利用する手段を提供するものである。
したがって、所望の特性を得るために各種回路素子を備
えた構成とし、該装置は、インピーダンス素子あるいは
アドミタンス素子としての利用に供することが可能にな
る。図１３に、本発明の第７実施例の構成図を示す。図
中、図９と同一部分は、同一符号を付した。本装置は、
弾性表面波基板１、傾斜型（スラント）すだれ状電極２
３、２４、吸音材５、内部インピ−ダンスＲｓを有する
電源２０、出力インピ−ダンスＲｌを有して構成されて
いる。傾斜型（スラント）すだれ状電極２３、２４、お
よび吸音材５は、弾性表面波基板１上に配置されてい
る。さらに、内部インピ−ダンスＲｓ、出力インピ−ダ
ンスＲｌは、端子Ａ、Ｂ間に接続されている。傾斜型
（スラント）すだれ状電極２３、２４は、第１実施例と
同様の構造で、各々中心線が、弾性表面波の主伝搬方向
に対して、傾けられた個所が存在する。例えば、それぞ
れの電極を、図１３に示すように、弾性表面波基板１上
の一点に対して、点対称となるように配置することによ
り、チップ全体の小型化を図ることができる。もちろ
ん、傾斜型（スラント）すだれ状電極２３、２４の配置
は、本例に限られないが、一般には、一方の傾斜型すだ
れ状電極における弾性表面波主伝搬軸方向の幅の長い部
分と、他方の傾斜型すだれ状極における弾性表面波主伝
搬軸方向の幅の短い部分を対向させ、同一トラックに配
置すれば、チップ全体の小型化が図れることになる。以
上、本実施例を用いれば、傾斜型（スラント）すだれ状
電極を用いた弾性表面波装置の小型化を図ることがで
き、実用性が向上する。図１４に、本発明の第８実施例
の断面図を示す。図中、図１と同一部分は、同一符号を
付した。本装置は、弾性表面波基板１、傾斜型（スラン
ト）すだれ状電極２５、２６、吸音材５を有して構成さ
れている。傾斜型（スラント）すだれ状電極２５、２６
および吸音材５を、弾性表面波基板１上に配置してい
る。傾斜型（スラント）すだれ状電極２５、２６が配置
された弾性表面波基板１の面の反対側の面２７を、弾性
表面波波長の１／５０よりも大きな面粗さで荒らしてい
る。面荒しは、粗目の研磨剤（例えば、ＪＩＳ規格ＧＣ
＃６００、ＧＣ＃２４０等）を用いて行う。このような
面荒らしを行なうのは、いわゆるバルク波の散乱による
影響を除去するためである。図１５に、第８実施例の周
波数特性と、従来（反対側の面２７を、弾性表面波波長
の１／５０よりも大きな面粗さで荒らしていない）試料
の周波数特性を比較して示す。減衰特性２８は、対数ス
ケ−ルで示し、同様に、群遅延時間特性２９も示してい
る。実線３０は、従来試料の帯域外特性、実線３１は、
本実施例の帯域外周波数特性を示している。図に示すよ
うに、従来試料に比べその帯域外特性は、格段に向上し
ていることが分かる。なお、従来試料の帯域内特性は本
実施例とほぼ同等であるため、ここでは示していない。
本実施例のように、弾性表面波基板の裏面を荒すことに
より、大幅に帯域外特性を改良することができる。The element connected between the terminals A and B may be, for example, an active circuit element such as a transistor or a passive circuit element such as a coil, a resistor or a capacitor. The present embodiment provides means for utilizing the transfer function of the surface acoustic wave device and utilizing it as a two-terminal circuit.
Therefore, in order to obtain desired characteristics, it is possible to provide the device with various circuit elements and use the apparatus as an impedance element or an admittance element. FIG. 13 shows a block diagram of the seventh embodiment of the present invention. In the figure, the same parts as those in FIG. 9 are designated by the same reference numerals. This device
Surface acoustic wave substrate 1, slanted interdigital transducer 2
3, 24, the sound absorbing material 5, the power source 20 having the internal impedance Rs, and the output impedance Rl. The inclined (slant) interdigital electrodes 23, 24 and the sound absorbing material 5 are arranged on the surface acoustic wave substrate 1. Further, the internal impedance Rs and the output impedance Rl are connected between the terminals A and B. The tilted (slant) interdigital electrodes 23 and 24 have the same structure as that of the first embodiment, and each has a center line inclined with respect to the main propagation direction of the surface acoustic wave. For example, as shown in FIG. 13, by disposing each electrode so as to be point-symmetric with respect to one point on the surface acoustic wave substrate 1, it is possible to reduce the size of the entire chip. Of course, the arrangement of the slanted interdigital transducers 23 and 24 is not limited to this example, but generally, one of the inclined interdigital transducers having a long width in the surface acoustic wave main propagation axis direction, If the portions of the other slanting interdigital pole having a short width in the main propagation axis direction of the surface acoustic wave are made to face each other and arranged on the same track, the size of the entire chip can be reduced. As described above, according to the present embodiment, it is possible to reduce the size of the surface acoustic wave device using the inclined (slant) interdigital transducer and improve the practicality. FIG. 14 shows a sectional view of the eighth embodiment of the present invention. In the figure, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. This device is configured to include a surface acoustic wave substrate 1, inclined (slant) interdigital electrodes 25 and 26, and a sound absorbing material 5. Inclined (slant) interdigital electrodes 25, 26
The sound absorbing material 5 is arranged on the surface acoustic wave substrate 1. The surface 27 opposite to the surface of the surface acoustic wave substrate 1 on which the inclined type (slant) interdigital transducers 25 and 26 are arranged is roughened with a surface roughness larger than 1/50 of the surface acoustic wave wavelength. Surface roughening is performed with a coarse abrasive (for example, JIS standard GC
# 600, GC # 240, etc.). The surface roughening is performed in order to eliminate the influence of so-called bulk wave scattering. FIG. 15 shows a comparison between the frequency characteristics of the eighth embodiment and the frequency characteristics of a conventional sample (where the opposite surface 27 is not roughened with a surface roughness larger than 1/50 of the surface acoustic wave wavelength). . The attenuation characteristic 28 is shown by a logarithmic scale, and similarly, the group delay time characteristic 29 is also shown. The solid line 30 is the out-of-band characteristic of the conventional sample, and the solid line 31 is
The out-of-band frequency characteristic of the present embodiment is shown. As shown in the figure, it can be seen that the out-of-band characteristics are significantly improved as compared with the conventional sample. Since the in-band characteristics of the conventional sample are almost the same as those of this example, they are not shown here.
By roughening the back surface of the surface acoustic wave substrate as in this embodiment, the out-of-band characteristics can be significantly improved.
【００１４】また、このような良好な特性は、弾性表面
波波長の１／５０よりも大きな面粗さで荒らしたときに
得られることを、数多く行なった実験等で入念に確認し
ている。図１６に、本発明にかかる弾性表面波装置をフ
ィルタとして用いた、テレビジョン受信機のシステムブ
ロック図を示す。本装置は、アンテナ３２、チューナ部
３３、弾性表面波装置３４および復調部３５を有して構
成される。さらに、復調部３５は、映像信号端子３６お
よび音声信号端子３７を備えている。以下、本テレビジ
ョン受信機の受信動作について説明する。Further, it has been carefully confirmed through many experiments and the like that such good characteristics can be obtained when the surface is roughened with a surface roughness larger than 1/50 of the surface acoustic wave wavelength. FIG. 16 shows a system block diagram of a television receiver using the surface acoustic wave device according to the present invention as a filter. The present device is configured to have an antenna 32, a tuner unit 33, a surface acoustic wave device 34, and a demodulation unit 35. Further, the demodulation unit 35 includes a video signal terminal 36 and an audio signal terminal 37. Hereinafter, the receiving operation of the present television receiver will be described.
【００１５】まず、アンテナ３２介して得られた受信信
号は、チュ−ナ部３３により、中間周波数信号（ＩＦ信
号）に変換される。かかる、ＩＦ信号は、本発明にかか
る弾性表面波装置３４からなるフィルタを通過し、復調
部３５により受信信号が復調される。復調信号は、映像
信号と音声信号に分離される。映像信号は、映像信号端
子３６から、音声信号は、音声信号端子３７から、それ
ぞれ出力されることとなる。以上の動作により、音声と
映像の情報が得られることになる。中間周波数信号用の
フィルタに、本発明にかかる弾性表面波装置３４を用い
ているため、周波数特性の細部まで最適化したＩＦ回路
を構成でき、良好な復調性能を有するテレビジョン受信
機が実現できる。図１７に、本発明にかかる弾性表面波
装置をフィルタとして用いた移動通信電話器のシステム
ブロック図を示す。本装置は、アンテナ３８、受信用分
波器フィルタ３９、電圧可変発振器４０、混合器４１、
中間周波数フィルタ４２、復調ロジック回路４３、制御
回路４５、変調回路４７、電圧可変発振器４８、送信用
分波器フィルタ４９を有して構成される。さらに、復調
ロジック回路４３は、音声出力端子４４および音声入力
端子４６、を備えている。以下、本移動通信電話器の動
作について説明する。まず、アンテナ３８から入力され
た受信信号は、第１段目の受信用分波器フィルタ３９を
通過し、電圧可変発振器４０から送信され信号とともに
混合器４１に入力、混合され中間周波数信号が得られ
る。該中間周波数信号は、中間周波数フィルタ４２によ
り１チャネル分の信号が選択され、復調ロジック回路４
３により音声信号へと復調処理され、音声出力端子４４
に音声信号が出力される。一方、復調ロジック回路４４
からは中間周波変換用の基準信号が、電圧可変発振器４
０の制御回路４５に送信される。同時に、音声入力端子
４６から入力された音声信号は、復調ロジック回路４３
を介して、変調回路４７に送信される。First, the received signal obtained through the antenna 32 is converted into an intermediate frequency signal (IF signal) by the tuner section 33. The IF signal passes through the filter including the surface acoustic wave device 34 according to the present invention, and the demodulation unit 35 demodulates the received signal. The demodulated signal is separated into a video signal and an audio signal. The video signal is output from the video signal terminal 36, and the audio signal is output from the audio signal terminal 37. With the above operation, audio and video information can be obtained. Since the surface acoustic wave device 34 according to the present invention is used for the filter for the intermediate frequency signal, an IF circuit can be configured in which the details of the frequency characteristics are optimized, and a television receiver having good demodulation performance can be realized. . FIG. 17 shows a system block diagram of a mobile communication telephone using the surface acoustic wave device according to the present invention as a filter. This device includes an antenna 38, a receiving duplexer filter 39, a voltage variable oscillator 40, a mixer 41,
An intermediate frequency filter 42, a demodulation logic circuit 43, a control circuit 45, a modulation circuit 47, a voltage variable oscillator 48, and a transmission duplexer filter 49 are included. Further, the demodulation logic circuit 43 includes an audio output terminal 44 and an audio input terminal 46. The operation of the mobile communication telephone will be described below. First, the reception signal input from the antenna 38 passes through the first-stage reception demultiplexer filter 39, is input from the voltage variable oscillator 40, is input to the mixer 41 together with the signal, and is mixed to obtain an intermediate frequency signal. To be As the intermediate frequency signal, a signal for one channel is selected by the intermediate frequency filter 42, and the demodulation logic circuit 4
3 is demodulated into an audio signal, and an audio output terminal 44
An audio signal is output to. On the other hand, the demodulation logic circuit 44
The reference signal for intermediate frequency conversion is from the voltage variable oscillator 4
0 to the control circuit 45. At the same time, the audio signal input from the audio input terminal 46 is transferred to the demodulation logic circuit 43.
Is transmitted to the modulation circuit 47 via the.
【００１６】変調回路４７では、電圧可変発振器４８か
ら変調用信号を混合することにより、信号の変調を行
う。さらに、変調された信号は、送信用分波器フィルタ
４９を通り、アンテナを介して出力される。また、電圧
可変発振器４８からは、受信用の制御回路４５にも制御
信号が送られ、同期をとっている。上記送信用分波器フ
ィルタ４９に、帯域外抑圧度の大きな本発明にかかる弾
性表装置をフィルタとして用いているため、良好な分波
器性能が得られ、送信・受信間の漏話の少ない高性能の
移動通信電話器が得られることになる。The modulation circuit 47 modulates the signal by mixing the modulation signal from the voltage variable oscillator 48. Further, the modulated signal passes through the transmission demultiplexer filter 49 and is output via the antenna. Further, a control signal is sent from the variable voltage oscillator 48 to the receiving control circuit 45 as well, for synchronization. Since the elastic surface device according to the present invention having a large degree of out-of-band suppression is used as the filter in the transmission demultiplexer filter 49, good demultiplexer performance can be obtained, and high transmission with little crosstalk between transmission and reception. A high performance mobile phone will be obtained.
【００１７】[0017]
【発明の効果】本発明によれば、新たな構造を有する傾
斜型（スラント）すだれ上電極の提供により、精度の高
い周波数特性の実現と、より深い帯域阻止特性の実現が
可能となるため、弾性表面波装置の性能向上および該弾
性表面波装置の応用例である通信装置等の高性能化を図
ることができる。According to the present invention, by providing a slanted upper electrode having a new structure, it is possible to realize highly accurate frequency characteristics and deeper band stop characteristics. It is possible to improve the performance of the surface acoustic wave device and to improve the performance of a communication device, which is an application example of the surface acoustic wave device.
【図１】本発明にかかる弾性表面波装置の構成図であ
る。FIG. 1 is a configuration diagram of a surface acoustic wave device according to the present invention.
【図２】本発明の第１実施例の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２実施例の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２実施例の周波数特性例である。FIG. 4 is a frequency characteristic example of the second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第３実施例の構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a third embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第３実施例の周波数特性例である。FIG. 6 is a frequency characteristic example of the third embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第４実施例の構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of a fourth embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第４実施例の周波数特性例である。FIG. 8 is a frequency characteristic example of the fourth embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第５実施例の構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram of a fifth embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第５実施例の周波数特性例である。FIG. 10 is a frequency characteristic example of the fifth embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の第６実施例の構成図である。FIG. 11 is a configuration diagram of a sixth embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の第６実施例の周波数特性例である。FIG. 12 is a frequency characteristic example of the sixth embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の第７実施例の構成図である。FIG. 13 is a configuration diagram of a seventh embodiment of the present invention.
【図１４】本発明の第８実施例の構成図である。FIG. 14 is a configuration diagram of an eighth embodiment of the present invention.
【図１５】本発明の第８実施例と従来装置の周波数特性
例である。FIG. 15 is an example of frequency characteristics of the eighth embodiment of the present invention and a conventional device.
【図１６】本発明にかかる弾性表面波装置を用いたテレ
ビジョン受信機のシステムブロック図である。FIG. 16 is a system block diagram of a television receiver using the surface acoustic wave device according to the present invention.
【図１７】本発明にかかる弾性表面波装置を用いた移動
通信電話機のシステムブロック図である。FIG. 17 is a system block diagram of a mobile communication telephone using the surface acoustic wave device according to the present invention.
１…弾性表面波基板、２…入力傾斜型（スラント）すだ
れ状電極、３…出力傾斜型（スラント）すだれ状電極、
４…シールド斜め電極、５…吸音材、６…傾斜型すだれ
状電極、７…交差部、８…交差部、９…減衰特性、１０
…群遅延時間特性、１１…入力傾斜型すだれ状電極、１
２…出力傾斜型すだれ状電極、１３…減衰特性、１４…
群遅延時間特性、１５…入力傾斜型すだれ状電極、１６
…出力傾斜型すだれ状電極、１７…減衰特性、１８…群
遅延時間特性、１９…傾斜型すだれ状電極、２０…電
源、２１…減衰特性、２２…減衰特性、２３…傾斜型す
だれ状電極、２４…傾斜型すだれ状電極、２５…傾斜型
すだれ状電極、２６…傾斜型すだれ状電極、２７…弾性
表面波基板の裏面、２８…減衰特性、２９…群遅延時間
特性、３０…従来の帯域外特性、３１…本実施例の帯域
外特性、３２…アンテナ、３３…チューナ部、３４…弾
性表面波装置、３５…復調部、３６…（映像信号）端
子、３７…（音声信号）端子、３８…アンテナ、３９…
受信用分波器フィルタ、４０…電圧可変発振器、４１…
混合器、４２…中間周波数フィルタ、４３…復調ロジッ
ク回路、４４…音声出力端子、４５…制御回路、４６…
音声入力端子、４７…変調回路、４８…電圧可変発振
器、４９…送信用分波器フィルタDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Surface acoustic wave substrate, 2 ... Input inclination type (slant) interdigital electrode, 3 ... Output inclination type (slanting) interdigital electrode,
4 ... Shield diagonal electrode, 5 ... Sound absorbing material, 6 ... Inclined interdigital electrode, 7 ... Intersection, 8 ... Intersection, 9 ... Attenuation characteristic, 10
... Group delay time characteristics, 11 ... Input gradient type interdigital transducer, 1
2 ... Output inclined type interdigital transducer, 13 ... Attenuation characteristic, 14 ...
Group delay time characteristic, 15 ... Input sloped interdigital transducer, 16
Output gradient interdigital electrodes, 17 ... Attenuation characteristics, 18 ... Group delay time characteristics, 19 ... Inclined interdigital electrodes, 20 ... Power supply, 21 ... Attenuation characteristics, 22 ... Attenuation characteristics, 23 ... Inclined interdigital electrodes, 24 ... Inclined interdigital electrode, 25 ... Inclined interdigital electrode, 26 ... Inclined interdigital electrode, 27 ... Back surface of surface acoustic wave substrate, 28 ... Attenuation characteristic, 29 ... Group delay time characteristic, 30 ... Conventional band External characteristics, 31 ... Out-of-band characteristics of this embodiment, 32 ... Antenna, 33 ... Tuner section, 34 ... Surface acoustic wave device, 35 ... Demodulation section, 36 ... (Video signal) terminal, 37 ... (Audio signal) terminal, 38 ... antenna, 39 ...
Receiving duplexer filter, 40 ... Variable voltage oscillator, 41 ...
Mixer 42 ... Intermediate frequency filter 43 ... Demodulation logic circuit 44 ... Audio output terminal 45 ... Control circuit 46 ...
Audio input terminal, 47 ... Modulation circuit, 48 ... Variable voltage oscillator, 49 ... Transmitting duplexer filter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 佳弘 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所映像メディア研究所内 (72)発明者 伊藤 克美 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所映像メディア研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Yoshihiro Yamada, inventor 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa, Ltd. Inside the Hitachi Media Visual Media Laboratory (72) Inventor Katsumi Ito 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Hitachi, Ltd. Visual Media Research Center
Claims (9)
主伝搬軸に垂直な方向においてすだれ状電極の電極ピッ
チが異なるように配置した傾斜型（スラント）すだれ状
電極を少なくとも１以上有して構成される弾性表面波装
置において、 前記傾斜型すだれ状電極の、弾性表面波主伝搬軸方向に
おける幅の中心点の集合からなる中心線が、前記弾性表
面波主伝搬軸に対して垂直でない部分と、垂直な部分を
有することを特徴とする弾性表面波装置。1. A surface acoustic wave substrate and at least one slanted interdigital transducer arranged on the substrate such that the electrode pitches of the interdigital electrodes are different in the direction perpendicular to the main propagation axis of the surface acoustic wave. In the surface acoustic wave device configured to have, a centerline formed of a set of width center points in the surface acoustic wave main propagation axis direction of the tilted interdigital transducer, with respect to the surface acoustic wave main propagation axis. A surface acoustic wave device having a non-vertical portion and a vertical portion.
状電極を構成する電極指のうち、少なくとも１以上の電
極指を曲線上の輪郭を呈するように配置したことを特徴
とする弾性表面波装置。2. The surface acoustic wave according to claim 1, wherein at least one of the electrode fingers forming the inclined interdigital transducer is arranged so as to have a curved contour. apparatus.
板上に、２つの傾斜型すだれ状電極を配置し、一方を入
力電極、他方を出力電極とし、入力電極の中心線と出力
電極の中心線における、弾性表面波主伝搬軸方向の両中
心線間の距離を考えたとき、電極のピッチが狭いトラッ
クでの中心線間の距離に比べ、電極ピッチが広いトラッ
クでの中心線間の距離が短いことを特徴とする弾性表面
波装置。3. The surface acoustic wave substrate according to claim 1, wherein two inclined interdigital transducers are arranged, one of which serves as an input electrode and the other serves as an output electrode, and a center line of the input electrode and an output electrode are provided. Considering the distance between the centerlines of the surface acoustic wave main propagation axis in the centerline, the distance between the centerlines in the track with a wide electrode pitch is larger than the distance between the centerlines in the track with a narrow electrode pitch. A surface acoustic wave device characterized by a short distance.
板上に、２つの傾斜型すだれ状電極を配置し、一方を入
力電極、他方を出力電極とし、入力電極の中心線と出力
電極の中心線における、弾性表面波主伝搬軸方向の両中
心線間の距離を考えたとき、電極のピッチが広いトラッ
クでの中心線間の距離に比べ、電極ピッチが狭いトラッ
クでの中心線間の距離が短いことを特徴とする弾性表面
波装置。4. The surface-acoustic-wave substrate according to claim 1, wherein two inclined interdigital transducers are arranged, one of which serves as an input electrode and the other of which serves as an output electrode. Considering the distance between the centerlines of the surface acoustic wave main propagation axis in the centerline, the distance between the centerlines in the track with a narrow electrode pitch is much smaller than the distance between the centerlines in the track with a wide electrode pitch. A surface acoustic wave device characterized by a short distance.
主伝搬軸に垂直な方向においてすだれ状電極の電極ピッ
チが異なるように配置した傾斜型（スラント）すだれ状
電極を少なくとも１個以上有して構成される弾性表面波
装置において、 前記各々の傾斜型すだれ状電極を１対の電極指グループ
で構成し、該１対の電極指グループの一方における電圧
印加端子を第一の端子とし、さらに他方の電極指グルー
プにおける電圧印加端子を第二の端子として、前記第一
の端子と第二の端子の間に、パッシブ回路素子およびア
クティブ回路素子のうち少なくともいずれかを接続し、
弾性表面波装置を２端子回路として構成したことを特徴
とする弾性表面波装置。5. A surface acoustic wave substrate and at least one slanted interdigital transducer arranged on the substrate such that the electrode pitches of the interdigital electrodes are different in the direction perpendicular to the main propagation axis of the surface acoustic wave. In the surface acoustic wave device configured as described above, each of the tilted interdigital transducers is composed of a pair of electrode finger groups, and a voltage application terminal in one of the pair of electrode finger groups is a first terminal. In addition, the voltage application terminal in the other electrode finger group as a second terminal, between the first terminal and the second terminal, at least one of the passive circuit element and the active circuit element is connected,
A surface acoustic wave device characterized in that the surface acoustic wave device is configured as a two-terminal circuit.
極を２以上の偶数個設け、２個ずつ１対とし、 各対における、一方の傾斜型すだれ状電極における弾性
表面波主伝搬軸方向の幅の長い部分と、他方の傾斜型す
だれ状極における弾性表面波主伝搬軸方向の幅の短い部
分を対向させ、同一トラックに配置したことを特徴とす
る弾性表面波装置。6. The main surface acoustic wave main propagation axis direction according to claim 5, wherein two or more inclined type interdigital transducers are provided and two pairs are provided, and one pair of the inclined interdigital transducers is arranged in each pair. The surface acoustic wave device is characterized in that the long width portion of the other and the short width portion of the other slanted interdigital pole are arranged on the same track so as to face each other.
斜型すだれ状電極を有して構成する弾性表面波装置にお
いて、 弾性表面波基板の前記すだれ状電極が配置された面の反
対面が、弾性表面波の波長の１／５０よりも大きな面粗
さで荒らされていることを特徴とする弾性表面波装置。7. A surface acoustic wave device comprising a surface acoustic wave substrate and a tilted interdigital transducer disposed on the substrate, wherein the surface of the surface acoustic wave substrate is opposite to the surface on which the interdigital transducer is disposed. A surface acoustic wave device, wherein a surface is roughened with a surface roughness larger than 1/50 of a wavelength of the surface acoustic wave.
置し弾性表面波装置を作成する際、傾斜型すだれ状電極
が配置された弾性表面波基板面を表面とし、該弾性表面
波基板の裏面を、弾性表面波の波長の１／５０よりも大
きな面粗さとなるように、研磨剤を用いて前記裏面を荒
らすことを特徴とする弾性表面波装置の作製方法。8. A surface acoustic wave device is produced by arranging inclined type interdigital electrodes on a surface acoustic wave substrate, and the surface of the surface acoustic wave substrate on which the inclined type interdigital electrodes are arranged is used as a surface. A method of manufacturing a surface acoustic wave device, characterized in that the back surface is roughened with an abrasive so that the back surface has a surface roughness larger than 1/50 of the wavelength of the surface acoustic wave.
装置を内蔵し、フィルタとして用いたことを特徴とする
通信装置。9. A communication device comprising the surface acoustic wave device according to claim 1 built therein and used as a filter.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24097392A JPH0690132A (en) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | Saw device, manufacture of the same and communication equipment using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24097392A JPH0690132A (en) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | Saw device, manufacture of the same and communication equipment using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0690132A true JPH0690132A (en) | 1994-03-29 |
Family
ID=17067418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24097392A Pending JPH0690132A (en) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | Saw device, manufacture of the same and communication equipment using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690132A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6023122A (en) * | 1999-04-15 | 2000-02-08 | Nortel Networks Corporation | Surface wave devices with tapered transducers |
| JP2002135082A (en) * | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Japan Radio Co Ltd | Surface acoustic wave filter |
| JP2003101386A (en) * | 2001-09-19 | 2003-04-04 | Japan Radio Co Ltd | Surface acoustic wave filter |
| JP2007306493A (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Murata Mfg Co Ltd | Surface acoustic wave filter apparatus |
-
1992
- 1992-09-09 JP JP24097392A patent/JPH0690132A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6023122A (en) * | 1999-04-15 | 2000-02-08 | Nortel Networks Corporation | Surface wave devices with tapered transducers |
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| JP4707902B2 (en) * | 2001-09-19 | 2011-06-22 | 日本無線株式会社 | Surface acoustic wave filter |
| JP2007306493A (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Murata Mfg Co Ltd | Surface acoustic wave filter apparatus |
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