JPH0683284A - El display device - Google Patents
El display deviceInfo
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- JPH0683284A JPH0683284A JP4237042A JP23704292A JPH0683284A JP H0683284 A JPH0683284 A JP H0683284A JP 4237042 A JP4237042 A JP 4237042A JP 23704292 A JP23704292 A JP 23704292A JP H0683284 A JPH0683284 A JP H0683284A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、EL(エレクトロル
ミネッセンス)表示装置に関し、より詳しくは、交流駆
動型容量性フラットマトリックスディスプレイパネルな
どの表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an EL (electroluminescence) display device, and more particularly to a display device such as an AC drive type capacitive flat matrix display panel.
【0002】[0002]
【従来の技術】この種のEL表示装置は、図13に示す
ように、二重絶縁型(または三層構造)薄膜EL素子から
なる表示パネル10と、走査側高耐圧MOSドライバI
C(インテグレーテッド・サーキット)20,30,40,
50と、データ側ドライバIC60と、ソース電位切換
え回路80,90と、データ反転回路100を備えてい
る。上記薄膜EL素子10は、図11に示すように、ガ
ラス基板1の上にIn2O3からなる帯状の透明電極2を
平行に有している。この上に、例えばY2O3、Si
3N4、SiO2、TiO3、Al2O3などからなる誘電物質
層3、Mnなどの活性剤をドープしたZnSからなるEL
層4および上述したのと同じY2O3、Si3N4、Si
O2、TiO3、Al2O3などからなる誘電物質層3aが、
蒸着法、スパッタリング法のような薄膜技術を用いて順
次500〜10,000Åの膜厚に積層されている(3層
構造)。その上に、上記透明電極2と直交する方向にAl
などからなる帯状の背面電極5が平行に設けられてい
る。上記薄膜EL素子10は、その電極2,5間に誘電
物質3,3aで挟持されたEL層4を介在させたものであ
るから、等価回路的には容量性素子と見ることができ
る。また、この薄膜EL素子10は、図12に符号loで
示すような電圧−輝度特性(L−V特性)を示し、発光し
きい電圧VthがVw(=190V)より高い電圧であるも
のとする。したがって、この薄膜EL素子は200V程
度の比較的高電圧を印加して駆動される。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 13, an EL display device of this type includes a display panel 10 composed of a double insulating type (or three-layer structure) thin film EL element and a scanning side high breakdown voltage MOS driver I.
C (Integrated Circuit) 20, 30, 40,
50, a data side driver IC 60, source potential switching circuits 80 and 90, and a data inverting circuit 100. As shown in FIG. 11, the thin film EL element 10 has a strip-shaped transparent electrode 2 made of In 2 O 3 in parallel on a glass substrate 1. On top of this, for example, Y 2 O 3 , Si
3 N 4, SiO 2, TiO 3, Al 2 O 3 and the like dielectric material layer 3, Mn EL made of ZnS which activator-doped such
Layer 4 and the same Y 2 O 3 , Si 3 N 4 , Si as described above.
The dielectric material layer 3a made of O 2 , TiO 3 , Al 2 O 3, etc.,
The layers are sequentially stacked to have a film thickness of 500 to 10,000 Å by using thin film technology such as vapor deposition and sputtering (three-layer structure). Then, in the direction orthogonal to the transparent electrode 2, Al
Strip-shaped back electrodes 5 made of, for example, are provided in parallel. Since the thin film EL element 10 has the EL layer 4 sandwiched between the dielectric materials 3 and 3a between the electrodes 2 and 5, it can be regarded as a capacitive element in terms of an equivalent circuit. Further, the thin film EL element 10 exhibits a voltage-luminance characteristic (LV characteristic) as indicated by a symbol lo in FIG. 12, and the light emission threshold voltage Vth is higher than Vw (= 190V). . Therefore, this thin film EL element is driven by applying a relatively high voltage of about 200V.
【0003】このEL表示装置では、薄膜EL素子10
の透明電極2,背面電極5の一方を走査側電極Y1〜Y
i、他方をデータ側電極X1〜Xiとする。すなわち、N
チャネル高耐圧MOSドライバIC20,30およびP
チャネル高耐圧MOSドライバIC40,50からなる
走査側駆動回路によって線順次に選択された走査側電極
Yに書込み電圧を印加すると同時に、同じくNチャネル
高耐圧MOSドライバICおよびPチャネル高耐圧MO
SドライバICからなるデータ側駆動回路60によって
データ側電極Xに発光・非発光を決める表示データに応
じた変調電圧を印加することによって表示駆動が行われ
る。その表示駆動においては、薄膜EL素子10が容量
性素子であることを考慮して走査側電極Yに正極性の書
込み電圧を印加するP駆動と、負極性の書込み電圧を印
加するN駆動とをフレーム毎に交互に行う交流駆動が採
用される。In this EL display device, the thin film EL element 10 is used.
One of the transparent electrode 2 and the back electrode 5 of the scanning side electrodes Y 1 to Y
i, the other is referred to as data-side electrodes X 1 ~xi. That is, N
Channel high voltage MOS driver IC 20, 30 and P
A write voltage is applied to the scan side electrodes Y which are line-sequentially selected by the scan side drive circuit including the channel high breakdown voltage MOS driver ICs 40 and 50, and at the same time, the N channel high breakdown voltage MOS driver IC and the P channel high breakdown voltage MO are also provided.
Display driving is performed by applying a modulation voltage according to display data for determining light emission / non-light emission to the data side electrode X by the data side drive circuit 60 including an S driver IC. In the display driving, P driving for applying a positive writing voltage to the scanning side electrode Y and N driving for applying a negative writing voltage in consideration of the thin film EL element 10 being a capacitive element. Alternating current drive is used alternately for each frame.
【0004】ソース電位切換え回路80は、制御信号P
SCによってオン,オフ制御されるMOSFET(電界効
果トランジスタ)らなる電圧切換え用スイッチSW1を有
している。このスイッチSW1の動作によって、上記走
査側Pチャネル高耐圧MOSドライバIC40,50の
全PチャネルMOSトランジスタPT1〜PTiのソース
電位を正極性の書込み電圧Vw+Vm(=250V)と0V
とに切り換えることができる。一方、ソース電位切換え
回路90は、制御信号NSCによってオン,オフ制御さ
れるMOSFETからなる電圧切換え用SW2を有して
いる。このスイッチSW2の動作によって、上記走査側
Nチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30の全N
チャネルMOSトランジスタNT1〜NTiのソース電位
を負極性の書込み電圧−Vw(=−190V)と0Vとに
切り換えることができる。スイッチSW1,SW2を、バ
イポーラ・トランジスタではなくMOSFETで構成し
ている理由は、MOSFETの方がパルス動作時の通電
能力(飽和電流)を大きくでき、この結果、薄膜EL素子
10に電圧を高速に印加して発光時間を確保できるから
である。例えば、パルス幅1msecで比較すると、バイポ
ーラ・トランジスタではコレクタ・エミッタ間電圧Vce
=100Vのとき飽和電流Ic=0.3mA程度が得られ
るのに対して、MOSFETではソースドレイン間電圧
Vds=100Vのとき飽和電流Id=12A程度が得ら
れる。The source potential switching circuit 80 has a control signal P.
It has a voltage switching switch SW 1 composed of a MOSFET (field effect transistor) controlled to be turned on and off by the SC. By the operation of the switch SW 1 , the source potentials of all the P-channel MOS transistors PT 1 to PTi of the scanning-side P-channel high breakdown voltage MOS driver ICs 40, 50 are set to the positive write voltage Vw + Vm (= 250V) and 0V.
You can switch to and. On the other hand, the source potential switching circuit 90 has a voltage switching SW 2 composed of a MOSFET which is on / off controlled by a control signal NSC. By the operation of the switch SW 2 , all N of the scanning side N channel high breakdown voltage MOS driver ICs 20 and 30 are
The source potentials of the channel MOS transistors NT 1 to NTi can be switched between the negative write voltage −Vw (= −190V) and 0V. The reason why the switches SW 1 and SW 2 are composed of MOSFETs instead of bipolar transistors is that MOSFETs can have a larger energizing ability (saturation current) during pulse operation, and as a result, a voltage is applied to the thin film EL element 10. This is because the light emission time can be secured by applying at high speed. For example, comparing with a pulse width of 1 msec, a bipolar transistor has a collector-emitter voltage Vce.
= 100V, a saturation current Ic of about 0.3 mA is obtained, whereas in the MOSFET, a saturation current Id of about 12 A is obtained when the source-drain voltage Vds = 100V.
【0005】データ反転回路100は、データ側ドライ
バIC60に入力されるデータDATAを制御信号RV
Cによって反転処理するための回路であり、排他的論理
和ゲートなどによって構成されている。The data inverting circuit 100 converts the data DATA input to the data side driver IC 60 into a control signal RV.
It is a circuit for performing inversion processing by C, and is configured by an exclusive OR gate or the like.
【0006】上記EL表示装置に適用される従来の駆動
方法では、P駆動時の書込み電圧として発光しきい電圧
より低い電圧Vw(=+190V)に一定電圧Vmを加えた
電圧Vw+Vmが設定され、N駆動時の書込み電圧として
負極性の一定電圧−Vwが設定される。また、この場合
の電圧Vmとして60Vが設定される。したがって、P
駆動時の書込み電圧は Vw+Vm=190V+60V=250V …(1) であり、N駆動時の書込み電圧は −Vw=−190V …(2) となっている。In the conventional driving method applied to the EL display device, the voltage Vw + Vm obtained by adding the constant voltage Vm to the voltage Vw (= + 190 V) lower than the light emission threshold voltage is set as the writing voltage during P driving, and N is set. A constant negative voltage −Vw is set as the write voltage during driving. Further, 60V is set as the voltage Vm in this case. Therefore, P
The write voltage during driving is Vw + Vm = 190V + 60V = 250V (1), and the write voltage during N driving is -Vw = -190V (2).
【0007】一方、変調電圧については、発光表示に相
当する変調電圧としてP駆動時には0V、N駆動時には
Vm(=60V)の電圧が設定され、また非発光表示に相
当する変調電圧としてP駆動時にはVm(=60V)、N
駆動時には0Vの電圧が設定される。したがって、絵素
には走査側電極の電位を基準にして発光表示においてP
駆動時に 0V−Vw=0V−250V=−250V …(3) の電圧が印加され、N駆動時に Vm−Vw=60V−(−190V)=−250V …(4) の電圧が印加される。また、非発光表示においてP駆動
時に Vm−(Vw+Vm)=60V−250V=−190V …(5) の電圧が印加され、N駆動時に 0V−Vw=0V−(−190V)=+190V …(6) の電圧が印加される。なお、図12では、上記各電圧V
w、Vm、(Vw+Vm)を横軸の対応する位置に記してい
る。On the other hand, regarding the modulation voltage, a voltage of 0 V is set at the time of P driving and a voltage of Vm (= 60 V) is set at the time of N driving as a modulation voltage corresponding to the light emitting display, and a modulation voltage corresponding to non-light emitting display is set at the time of P driving. Vm (= 60V), N
A voltage of 0 V is set during driving. Therefore, in the picture element, P in the light emitting display is based on the potential of the scanning side electrode.
A voltage of 0V-Vw = 0V-250V = -250V (3) is applied during driving, and a voltage of Vm-Vw = 60V-(-190V) =-250V (4) is applied during N driving. In non-emission display, a voltage of Vm- (Vw + Vm) = 60V-250V = -190V (5) is applied during P driving, and 0V-Vw = 0V-(-190V) = + 190V during N driving (6). Is applied. In FIG. 12, each of the above voltages V
w, Vm, and (Vw + Vm) are shown at corresponding positions on the horizontal axis.
【0008】このように、非発光絵素には、発光しきい
電圧Vth以下の電圧Vwが印加され、発光絵素には、Vt
hを超える電圧Vw'(=Vw+Vm)が印加される(このよう
にVwまたは(Vw+Vm)を印加するやり方については、
特開昭63−168998号公報などに詳しく述べられ
ている。)。この時、発光絵素に印加される電圧Vw'と
非発光表示に印加される電圧Vwとの差(Vw'−Vw)(=
Vm)を変調電圧Vmと称する。As described above, the voltage Vw equal to or lower than the light emission threshold voltage Vth is applied to the non-emission picture element, and Vt is applied to the light emission picture element.
A voltage Vw '(= Vw + Vm) exceeding h is applied (for the method of applying Vw or (Vw + Vm) in this way,
The details are described in JP-A-63-168998. ). At this time, the difference between the voltage Vw 'applied to the light emitting pixel and the voltage Vw applied to the non-light emitting display (Vw'-Vw) (=
Vm) is referred to as the modulation voltage Vm.
【0009】なお、従来、i番目のX電極とj番目のY電
極の交点の絵素に印加される印加電圧のパルス幅は、図
示しないクロックに基づいて、一定の幅に設定されてい
る。Conventionally, the pulse width of the applied voltage applied to the picture element at the intersection of the i-th X electrode and the j-th Y electrode is set to a constant width based on a clock (not shown).
【0010】また、一般に、薄膜EL素子のL−V特性
は、Vthを超える印加電圧(この場合は(Vw+Vm))が印
加され発光を呈した累積時間が増すにつれて、高電圧側
へシフトすることが知られている(例えば、特公昭61
−39718号公報)。つまり、図12において、初期
のL−V特性を表わす曲線loに対し、一定の累積時間発
光を呈した後のL−V特性を表わす曲線はlo'となる。
この特性シフトの結果、(Vw+Vm)なる電圧を印加した
発光絵素(初期にはLoなる輝度を呈していた)は、一定
の累積時間の後にはLo'(<Lo)なる輝度を呈すること
になり、次第に輝度が低下する。したがって、輝度の低
下を防止する観点からは、発光絵素に印加される電圧が
できるだけ高電圧側になってL−V特性曲線の傾きのゆ
るやかな領域に達するように、変調電圧を大きくとるこ
とが望ましい(輝度の値そのものが大きくなる。)。とこ
ろが、先に述べたように、薄膜EL素子10は容量性素
子という一面をもつため、変調駆動に要する消費電力
(全体の50%以上を占める)は、変調電圧Vmの自乗Vm
2に比例する。したがって、消費電力を低減する観点か
らは、変調電圧を小さくすることが望ましい。通常、上
記2つの相反する要請の折中として、変調電圧Vmは3
0〜70Vの間に設定されている(上の例では60Vで
あった)。In general, the L-V characteristic of a thin film EL element shifts to a higher voltage side as the accumulated time when an applied voltage exceeding Vth ((Vw + Vm) in this case) is applied and light emission is increased. Is known (for example, Japanese Patent Publication Sho 61
-39718). That is, in FIG. 12, the curve lo representing the initial L-V characteristic is lo ', whereas the curve representing the L-V characteristic after the light emission for a certain cumulative time is exhibited.
As a result of this characteristic shift, the light-emitting pixel to which the voltage of (Vw + Vm) is applied (which initially had the brightness of Lo) exhibits the brightness of Lo '(<Lo) after a certain cumulative time. And the brightness gradually decreases. Therefore, from the viewpoint of preventing a decrease in luminance, the modulation voltage should be set large so that the voltage applied to the light emitting pixel reaches the high voltage side as much as possible and reaches the region where the slope of the L-V characteristic curve is gentle. Is desirable (the brightness value itself becomes large). However, as described above, since the thin film EL element 10 has one side of a capacitive element, the power consumption required for modulation driving is
(Occupies 50% or more of the total) is the square of the modulation voltage Vm Vm
Proportional to 2 . Therefore, from the viewpoint of reducing power consumption, it is desirable to reduce the modulation voltage. Normally, the modulation voltage Vm is 3 when the above two contradictory requests are being made.
It is set between 0 and 70V (it was 60V in the above example).
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】ところで、図11に示
した薄膜EL素子10については、そのEL層4の材料
やドープ剤を変えたり、このEL層を挾持する誘電体層
3,3aの材料を変えたり、あるいは3層の膜厚構成を変
えるなどして、発光効率が高くかつ高輝度な特性を実現
すべく研究・改良の努力が続けられている。このような
高発光効率で高輝度特性のEL素子が実現した場合、図
6に示すように、そのL−V特性は曲線l1で表わされる
としよう。この場合、曲線l2で表わされる通常のEL素
子に比して小さい変調電圧Vm'(<Vm)で、より高い発
光輝度を得ることができ、したがって、消費電力を少な
くすることができる。しかしながら、一定累積時間後の
輝度変化(L1′−L1)は、曲線loで表わされる特性をも
つ素子の輝度変化(Lo′−Lo)に比して、はるかに大き
いという問題が生じる。By the way, in the thin film EL element 10 shown in FIG. 11, the material of the EL layer 4 or the dopant is changed, or the material of the dielectric layers 3 and 3a sandwiching the EL layer. The research and improvement efforts are being continued in order to achieve high luminous efficiency and high brightness characteristics by changing the film thickness or changing the film thickness composition of the three layers. When an EL element having such a high luminous efficiency and a high luminance characteristic is realized, its LV characteristic is represented by a curve l 1 , as shown in FIG. In this case, a small modulation voltage Vm than the conventional EL device represented by curve l 2 '(<Vm), it is possible to obtain higher luminance can therefore be reduced power consumption. However, there is a problem that the luminance change (L 1 ′ −L 1 ) after a certain accumulation time is much larger than the luminance change (Lo′−Lo) of the element having the characteristic represented by the curve lo.
【0012】そこで、この発明は、この問題点を解決
し、高発光効率で高輝度特性を有する薄膜EL素子の輝
度の低下を有効に防止して、信頼性を高めることができ
るEL表示装置を提供することにある。Therefore, the present invention provides an EL display device which solves this problem and can effectively prevent a decrease in the luminance of a thin film EL element having a high luminous efficiency and a high luminance characteristic to enhance the reliability. To provide.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第1の発明は、互いに交差する方向に配列した複数
の走査側電極と複数のデータ側電極との間に発光層を有
する薄膜EL素子と、上記データ側電極に発光表示およ
び非発光表示に対応する変調電圧を印加するデータ側駆
動回路と、電圧切換え用スイッチを有し、上記走査側電
極につながる書込み電圧供給ラインに駆動モードに応じ
て異なるレベルの書込み電圧を供給する電位切換え回路
と、上記書込み電圧供給ラインに設けられ、上記走査側
電極に書込み電圧パルスを線順次に印加する走査側駆動
回路を備えて、上記走査側電極とデータ側電極との交差
部からなる各絵素に対して発光表示時には発光層の発光
しきい電圧を超える電圧を印加して駆動し、非発光表示
時には発光しきい電圧以下の電圧を印加して駆動するよ
うにしたEL表示装置において、上記書込み電圧供給ラ
インに流れる電流の大きさを検出する電流検知部と、上
記電流検知部が検出した電流値が大きいときは、上記書
込み電圧のパルス幅を狭くする一方、上記電流検知部が
検出した電流値が小さいときは上記書き込み電圧のパル
ス幅を広くする制御を行うパルス幅調整部を備えたこと
を特徴としている。In order to achieve the above object, a first invention is a thin film having a light emitting layer between a plurality of scanning side electrodes and a plurality of data side electrodes arranged in directions intersecting with each other. An EL element, a data side drive circuit for applying a modulation voltage corresponding to light emission display and non-emission display to the data side electrode, and a voltage switching switch, and a drive mode is provided in a write voltage supply line connected to the scan side electrode. And a scanning side drive circuit which is provided in the writing voltage supply line and which applies a writing voltage pulse to the scanning side electrodes in a line-sequential manner. Each pixel composed of the intersection of the electrode and the data side electrode is driven by applying a voltage exceeding the light emission threshold voltage of the light emitting layer during light emission display, and emits light during non-light emission display. In an EL display device that is driven by applying a voltage equal to or lower than the voltage, when a current detection unit that detects the magnitude of the current flowing in the write voltage supply line and a current value detected by the current detection unit are large, A pulse width adjusting unit is provided for controlling the write voltage so that the pulse width of the write voltage is narrowed and the pulse width of the write voltage is widened when the current value detected by the current detection unit is small.
【0014】また、第2の発明は、互いに交差する方向
に配列した複数の走査側電極と複数のデータ側電極との
間に発光層を有する薄膜EL素子と、上記データ側電極
に発光表示および非発光表示に対応する変調電圧を印加
するデータ側駆動回路と、電圧切換え用スイッチを有
し、上記走査側電極につながる書込み電圧供給ラインに
駆動モードに応じて異なるレベルの書込み電圧を供給す
る電位切換え回路と、上記書込み電圧供給ラインに設け
られ、上記走査側電極に書込み電圧パルスを線順次に印
加する走査側駆動回路を備えて、上記走査側電極とデー
タ側電極との交差部からなる各絵素に対して発光表示時
には発光層の発光しきい電圧を超える電圧を印加して駆
動し、非発光表示時には発光しきい電圧以下の電圧を印
加して駆動するようにしたEL表示装置において、上記
電位切換え回路の電圧切換え用スイッチは、バイポーラ
・トランジスタからなることを特徴としている。The second invention is a thin film EL element having a light emitting layer between a plurality of scanning side electrodes and a plurality of data side electrodes arranged in a direction intersecting with each other, and a light emitting display on the data side electrode. A potential which has a data side drive circuit for applying a modulation voltage corresponding to non-emissive display and a voltage switching switch, and which supplies a write voltage of a different level depending on a drive mode to a write voltage supply line connected to the scanning side electrode A switching circuit and a scanning side driving circuit which is provided on the writing voltage supply line and applies a writing voltage pulse to the scanning side electrodes in a line-sequential manner, each of which includes an intersection of the scanning side electrode and the data side electrode. A voltage higher than the light emission threshold voltage of the light emitting layer is applied to the picture element during the light emission display, and a voltage lower than the light emission threshold voltage is applied during the non-light emission display. In the EL display device, switching voltage switching of the potential switching circuit is characterized by comprising a bipolar transistor.
【0015】[0015]
【作用】第1の発明のEL表示装置では、電流検知部が
書込み電圧供給ラインに流れる電流の大きさを検出す
る。そして、パルス幅調整部が、上記電流検知部が検出
した電流値が大きいときは、上記書込み電圧のパルス幅
を狭くする一方、上記電流検知部が検出した電流値が小
さいときは上記書き込み電圧のパルス幅を広くする制御
を行う。すなわち、書込み電圧の波高値が高い程、その
パルス幅が狭くなる。また、薄膜EL素子の発光に伴う
上記電流値が大きくなる程、パルス幅が狭くなる。した
がって、薄膜EL素子が高発光効率で高発光輝度を呈す
る程、上記パルス幅が狭くなる。この結果、高発光効率
で高発光輝度を示す薄膜EL素子の高電圧側でのL−V
特性曲線を緩慢にする事で、その発光累積時間による輝
度の低下が抑制され、信頼性が高まる。In the EL display device of the first aspect of the invention, the current detector detects the magnitude of the current flowing through the write voltage supply line. The pulse width adjusting unit narrows the pulse width of the writing voltage when the current value detected by the current detecting unit is large, while the pulse width adjusting unit reduces the pulse width of the writing voltage when the current value detected by the current detecting unit is small. Control to widen the pulse width. That is, the higher the peak value of the write voltage, the narrower the pulse width thereof. Further, the pulse width becomes narrower as the current value accompanying the light emission of the thin film EL element increases. Therefore, the pulse width becomes narrower as the thin film EL element exhibits higher luminous efficiency and higher luminous brightness. As a result, the LV on the high voltage side of the thin film EL element showing high light emission efficiency and high light emission luminance.
By making the characteristic curve slower, the decrease in luminance due to the accumulated light emission time is suppressed and the reliability is improved.
【0016】第2の発明のEL表示装置では、電位切換
え回路の電圧切換え用スイッチがバイポーラ・トランジ
スタからなるので、従来に比して、パルス動作時の飽和
電流が1桁程度小さいものを選択することが可能とな
る。この場合、書込み電圧のパルス幅を実効的に減少さ
せることができる。特に、薄膜EL素子が高発光効率で
高発光輝度を呈する程、発光電流が大きくなることか
ら、書込み電圧パルスの立ち上がり波形を有効に鈍らせ
ることができる。したがって、高発光効率で高発光輝度
を示す薄膜EL素子の高電圧側でのL−V特性曲線を緩
慢にする事で、その発光累積時間による輝度の低下が抑
制され、信頼性が高まる。In the EL display device of the second aspect of the invention, since the voltage changeover switch of the potential changeover circuit is formed of a bipolar transistor, a saturation current at the time of pulse operation is selected to be smaller by about one digit than the conventional one. It becomes possible. In this case, the pulse width of the write voltage can be effectively reduced. In particular, as the thin film EL element exhibits higher luminous efficiency and higher luminous brightness, the luminous current increases, so that the rising waveform of the write voltage pulse can be effectively blunted. Therefore, by slowing down the LV characteristic curve on the high voltage side of the thin film EL element exhibiting high light emission efficiency and high light emission luminance, the decrease in luminance due to the accumulated light emission time is suppressed and the reliability is enhanced.
【0017】以下、この発明のEL表示装置を実施例に
より詳細に説明する。図1はこの発明の一実施例のEL
表示装置を示している。このEL表示装置は、発光しき
い電圧VthがVw(=190V)より高い値をもつ薄膜E
L素子10からなる表示パネルを備えている(簡単のた
め、図13に示した従来のものと同一の構成部品は同一
符号で示している)。表示パネル10は、X方向に並ぶ
データ側電極X1〜Xiと、Y方向に並ぶ走査側電極Y1
〜Yiを有している。また、走査側高耐圧MOSドライ
バIC20,30,40,50と、データ側ドライバIC
60と、ソース電位切換え回路80,90と、データ反
転回路100を備えている。The EL display device of the present invention will be described in detail below with reference to embodiments. FIG. 1 shows an EL of an embodiment of the present invention.
The display device is shown. This EL display device is a thin film E having a light emission threshold voltage Vth higher than Vw (= 190V).
A display panel including the L element 10 is provided (for simplicity, the same components as those of the conventional one shown in FIG. 13 are denoted by the same reference numerals). Display panel 10 includes a data-side electrodes X 1 ~xi arranged in the X direction, the scanning electrode Y 1 in the Y-direction
~ Yi. Further, the scanning side high voltage MOS driver ICs 20, 30, 40, 50 and the data side driver ICs
60, source potential switching circuits 80 and 90, and a data inverting circuit 100.
【0018】走査側Nチャネル高耐圧MOSドライバI
C20,30は走査側電極の奇数ラインおよび偶数ライ
ンにそれぞれ対応付けられるプルダウン駆動回路であ
り、プルダウンスイッチング素子であるNチャネルMO
SトランジスタNT1〜NTiやシフトレジスタなどの論
理回路21,31が含まれる。Scan side N channel high voltage MOS driver I
C20 and C30 are pull-down drive circuits respectively associated with odd-numbered lines and even-numbered lines of the scanning-side electrodes, and N-channel MO that is a pull-down switching element.
It includes logic circuits 21 and 31 such as S transistors NT 1 to NTi and shift registers.
【0019】走査側Pチャネル高耐圧MOSドライバI
C40,50は走査側電極の奇数ラインおよび偶数ライ
ンにそれぞれ対応付けられるプルアップ駆動回路であっ
て、プルアップスイッチング素子であるPチャネルMO
SトランジスタPT1〜PTiやシフトレジスタなどの論
理回路41,51が含まれる。Scanning P-channel high breakdown voltage MOS driver I
C40 and C50 are pull-up drive circuits respectively associated with odd-numbered lines and even-numbered lines of the scanning side electrodes, and are P-channel MO that are pull-up switching elements.
It includes logic circuits 41 and 51 such as S transistors PT 1 to PTi and shift registers.
【0020】データ側ドライバIC60はデータ側電極
に対応付けられるプッシュプル駆動回路であって、一方
の端子を電圧がVm(=60V)の電源側に接続したプル
アップ機能を有するトランジスタUT1〜UTi、一方の
端子を接地したプルダウン機能を有するトランジスタD
T1〜DTi、これらのトランジスタと逆方向に電流を流
すためのダイオードUD1〜UDi、DD1〜DDiおよび
上記各トランジスタをオン・オフ制御するシフトレジス
タなどの論理回路70が含まれる。The data-side driver IC 60 is a push-pull driving circuit associated with the data-side electrode, and has transistors UT 1 to UTi having a pull-up function in which one terminal is connected to the power supply side with a voltage of Vm (= 60 V). , A transistor D having a pull-down function with one terminal grounded
T 1 to DTi, diodes UD 1 to UDi, DD 1 to DDi for causing current to flow in the direction opposite to these transistors, and a logic circuit 70 such as a shift register for on / off controlling each of the above transistors are included.
【0021】ソース電位切換え回路80は、上記走査側
Pチャネル高耐圧MOSドライバIC40,50の全P
チャネルMOSトランジスタPT1〜PTiのソース電位
を正極性の書込み電圧Vw+Vm(=250V)と0Vとに
切り換えるための回路であって、制御信号PSCによっ
て開閉するMOSFETからなるスイッチSW1と、、
放電用ダイオードDD80によって構成されている。The source potential switching circuit 80 is provided for all Ps of the scanning side P channel high voltage MOS driver ICs 40 and 50.
A circuit for switching the source potentials of the channel MOS transistors PT 1 to PTi between a positive polarity write voltage Vw + Vm (= 250V) and 0V, and a switch SW 1 formed of a MOSFET that opens and closes according to a control signal PSC,
It is composed of a discharging diode DD 80 .
【0022】ソース電位切換え回路90は、上記走査側
Nチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30の全N
チャネルMOSトランジスタNT1〜NTiのソース電位
を負極性の書込み電圧−Vw(=−190V)と0Vとに
切り換えるための回路であって、制御信号NSCによっ
て開閉するMOSFETからなるスイッチSW2と、放
電用ダイオードDD90によって構成されている。The source potential switching circuit 90 is provided for all N of the scanning side N channel high voltage MOS driver ICs 20 and 30.
A circuit for switching the source potentials of the channel MOS transistors NT 1 to NTi between a negative write voltage −Vw (= −190V) and 0V, a switch SW 2 formed of a MOSFET that opens and closes according to a control signal NSC, and a discharge It is constituted by a diode DD 90 for use.
【0023】データ反転回路100は、データ側ドライ
バIC70に入力されるデータDATAを制御信号RV
Cによって反転処理するための回路であり、排他的論理
和ゲートなどによって構成されている。The data inversion circuit 100 converts the data DATA input to the data side driver IC 70 into the control signal RV.
It is a circuit for performing inversion processing by C, and is configured by an exclusive OR gate or the like.
【0024】電流−パルス位相調整回路200は、書込
み電圧のライン400に流れる電流を検地する電流検知
部111と、この電流検知部111が検知した電流の大
きさに基づいて制御信号NCL′の位相を調整するパル
ス幅調整部112からなっている。詳しくは、パルス幅
調整部112は、信号PSCのタイミングを基準として
信号NCLの位相をずらした制御信号NCL′を発生す
る。検出した電流値が大きいときは、制御信号PSCが
ハイレベル(以下、「Hレベル」という。)になってから制
御信号NCL'がHレベルになるまでの時間を短くする
一方、検出した電流値が小さいときは、制御信号PSC
がHレベルになってから制御信号NCL′がHレベルに
なるまでの時間を長くする。これらの制御信号NCL,
NCL′は、AND(論理積)回路300によって合成さ
れ、トランジスタNT1〜NTiのオン,オフ制御に用い
られる。これにより、書込み電圧パルスの波高値が大き
い程、そのパルス幅が小さくなる。The current-pulse phase adjusting circuit 200 detects the current flowing in the write voltage line 400, and the phase of the control signal NCL 'based on the magnitude of the current detected by the current detecting section 111. The pulse width adjusting unit 112 for adjusting More specifically, the pulse width adjusting unit 112 generates a control signal NCL 'in which the phase of the signal NCL is shifted with reference to the timing of the signal PSC. When the detected current value is large, the time from when the control signal PSC becomes high level (hereinafter referred to as “H level”) to when the control signal NCL ′ becomes H level is shortened, while the detected current value Is small, the control signal PSC
The time from when the signal becomes H level to when the control signal NCL 'becomes H level is lengthened. These control signals NCL,
NCL 'is, the AND is synthesized by (logical product) circuit 300, the transistors NT 1 ~NTi on, used in off control. As a result, the larger the peak value of the write voltage pulse, the smaller its pulse width.
【0025】上記EL表示装置の表示パネル10におけ
る走査側電極Y1上の絵素Aおよび走査側電極Y2上の絵
素Bは、図2に示すタイミングチャートにしたがって駆
動される。なお、ここでは1走査ライン毎に絵素に印加
する電圧の極性を反転させるライン反転駆動を行うが、
以下の説明では走査側電極Yに正極性の書込み電圧Vw
+Vmを印加する1走査ラインの駆動をP駆動と呼び、
走査側電極Yに負極性の書込み電圧−Vwを印加する1
走査ラインの駆動をN駆動と呼ぶものとする。The picture element A on the scanning side electrode Y 1 and the picture element B on the scanning side electrode Y 2 in the display panel 10 of the EL display device are driven according to the timing chart shown in FIG. Note that here, line inversion drive is performed in which the polarity of the voltage applied to the picture element is inverted for each scanning line.
In the following description, the positive writing voltage Vw is applied to the scanning side electrode Y.
Driving one scanning line to apply + Vm is called P driving,
Applying a negative writing voltage −Vw to the scanning side electrode Y 1
The drive of the scanning line is called N drive.
【0026】図2のタイミングチャートにおいて、符号
H(上段に示す)は水平同期信号を示し、その波形のHレ
ベルの期間はデータ有効期間を示している。符号Vは垂
直同期信号を示し、この信号の立ち上がり時点から1フ
レームの駆動が開始される。符号DLSはデータラッチ
信号を示し、この信号は1走査ライン分のデータ転送が
終了した後に出力される。符号RVCはデータ反転信号
を示し、その波形はP駆動を行う1走査ライン分のデー
タ転送期間にHレベルとなり、この期間中のデータを全
て反転させる。符号DATAは表示データの信号を示
し、符号D1〜Diはデータ側ドライバIC60のトラン
ジスタUT1〜UTi、DT1〜DTiに入力されるデータ
を示している。その他の信号NSC〜PDADAの意味
は表1に説明している。In the timing chart of FIG. 2, the symbol H (shown in the upper part) indicates the horizontal synchronizing signal, and the H level period of the waveform indicates the data valid period. Reference numeral V indicates a vertical synchronizing signal, and driving of one frame is started at the rising time of this signal. Reference symbol DLS indicates a data latch signal, which is output after the data transfer for one scanning line is completed. Reference symbol RVC indicates a data inversion signal, the waveform of which is at the H level in the data transfer period for one scanning line for P driving, and all the data in this period is inverted. Reference numeral DATA indicates a display data signal, and reference numerals D 1 to Di indicate data input to the transistors UT 1 to UTi and DT 1 to DTi of the data side driver IC 60. The meanings of the other signals NSC to PDADA are explained in Table 1.
【表1】 [Table 1]
【0027】データ側の駆動は、基本的には表示データ
に応じて水平期間の周期で各データ側電極X1〜Xiに印
加する変調電圧を、Vm(=60V)と0Vに切り換える
ことによって行われる。なお、表示データはHレベルが
発光に、ローレベル(以下「Lレベル」という。)が非発光
に対応付けられている。The data side of the driven row by basically switching the modulation voltage to be applied in a cycle of the horizontal period according to the display data to each data-side electrodes X 1 ~xi, and the 0V Vm (= 60V) Be seen. In the display data, the H level is associated with light emission and the low level (hereinafter referred to as “L level”) is associated with non-light emission.
【0028】次に、その変調電圧の切換えタイミングを
図3(a)を参照して説明する。図3(a)は論理回路70の
内部構成を示している。この論理回路70では、ある走
査ラインの駆動が実行されている期間に、データ反転コ
ントロール回路100によってもたらされる次の走査ラ
インの表示データDATAと制御信号RVCとの排他的
論理和出力(DATA)*(RVC)が順次、1走査ライン
分の記憶容量を持つシフトレジスタ71に入力される。
シフトレジスタ71に入力されたデータは、1走査ライ
ン分のデータ転送終了後に入力される信号DLSによっ
てラッチ回路72に取り込まれ、以後、その駆動タイミ
ングの終了時までラッチ回路72に記憶される。このラ
ッチ回路72の出力によってトランジスタUT1〜UT
i、DT1〜DTiのオン・オフが制御され、その結果、
データ側電極X1〜Xiの電圧は信号DLSの入力毎に1
水平期間の周期で切り換わることになる。Next, the switching timing of the modulation voltage will be described with reference to FIG. FIG. 3A shows the internal configuration of the logic circuit 70. In the logic circuit 70, the exclusive OR output (DATA) * of the display data DATA of the next scan line and the control signal RVC, which is provided by the data inversion control circuit 100, while the drive of a scan line is being performed. (RVC) is sequentially input to the shift register 71 having a storage capacity for one scanning line.
The data input to the shift register 71 is captured by the latch circuit 72 by the signal DLS input after the end of the data transfer for one scanning line, and thereafter stored in the latch circuit 72 until the end of the drive timing. By the output of the latch circuit 72, the transistors UT 1 to UT
ON / OFF of i, DT 1 to DTi is controlled, and as a result,
The voltage of the data electrodes X 1 to Xi is 1 for each input of the signal DLS.
It will be switched in the cycle of the horizontal period.
【0029】また、データ反転コントロール回路100
に入力される制御信号RVCは、P駆動を実行する走査
ラインのデータ転送期間中にHレベルとなり、この期間
中にデータ反転コントロール回路100に入力される表
示データDATAを反転させるための信号である。この
ようにP駆動時の表示データDATAを反転させるのは
以下の理由による。すなわち、P駆動ではPチャネル高
耐圧MOSドライバIC40,50のトランジスタをオ
ンにし選択された走査側電極Yの電位をVw+Vmに引き
上げる一方、選択されたデータ側電極Xつまり発光させ
るべき絵素を含むデータ側電極Xの電位を0Vに設定す
ることによって、その選択データ側電極Xと選択走査側
電極Yとの交差部の絵素に電圧が印加され発光駆動が行
われる。このとき、絵素に印加される上記電圧は、走査
電極側を基準として 0V−(Vw+Vm)=0V−250V=−250V …(7) である。一方、非選択データ側電極X、つまり、発光さ
せない絵素を含むデータ側電極Xの電位はVm(=60
V)に設定され、この非選択データ側電極Xと上記設定
走査側電極Yの交差部の絵素には電圧Vm−(Vw+Vm)
が印加される。すなわち、絵素に印加される上記電圧は Vm−(Vw+Vm)=60V−250v=−190V …(8) と発光しきい電圧Vth以下になり、その絵素は発光し
ない。このような駆動を実行するために、選択データ側
電極Xnに接続されているトランジスタUTnはオフ、ト
ランジスタDTnはオンにそれぞれ設定される。また、
非選択データ側電極Xmに接続されているトランジスタ
UTmはオン、トランジスタDTmはオフにそれぞれ設定
される。つまり、選択データ側電極Xnに対応する入力
データDnはLレベル、非選択データ側電極Xmに対応す
る入力データDmはHレベルと設定しなければならな
い。この場合のレベルはデータ反転コントロール回路1
00に入力される表示データDATAのレベルとは逆の
関係になる。そこで、このときの表示データDATAを
反転するために制御信号RVCを必要とするのである。Further, the data inversion control circuit 100
The control signal RVC input to is at the H level during the data transfer period of the scan line that performs the P drive, and is a signal for inverting the display data DATA input to the data inversion control circuit 100 during this period. . The display data DATA during P driving is inverted in this way for the following reason. That is, in the P drive, the transistors of the P channel high voltage MOS driver ICs 40 and 50 are turned on to raise the potential of the selected scanning side electrode Y to Vw + Vm, while the selected data side electrode X, that is, the data including the pixel to be emitted. By setting the potential of the side electrode X to 0 V, a voltage is applied to the picture element at the intersection of the selected data side electrode X and the selected scanning side electrode Y, and light emission driving is performed. At this time, the voltage applied to the picture element is 0V- (Vw + Vm) = 0V-250V = -250V (7) with reference to the scanning electrode side. On the other hand, the potential of the non-selected data-side electrode X, that is, the data-side electrode X including the pixels that do not emit light is Vm (= 60).
V), and the voltage Vm- (Vw + Vm) is applied to the picture element at the intersection of the non-selected data side electrode X and the set scanning side electrode Y.
Is applied. That is, the voltage applied to the picture element is Vm- (Vw + Vm) = 60V-250v = -190V (8), which is below the light emission threshold voltage Vth, and the picture element does not emit light. In order to execute such driving, the transistor UTn connected to the selection data side electrode Xn is set to OFF and the transistor DTn is set to ON. Also,
The transistor UTm connected to the non-selected data side electrode Xm is set to ON and the transistor DTm is set to OFF. That is, the input data Dn corresponding to the selected data side electrode Xn must be set to L level and the input data Dm corresponding to the non-selected data side electrode Xm must be set to H level. In this case, the level is the data inversion control circuit 1
The relationship is inverse to the level of the display data DATA input to 00. Therefore, the control signal RVC is required to invert the display data DATA at this time.
【0030】以上の駆動によるデータ側電極X2への印
加波形を、データ側X2として図2に示している。The applied waveform to the data side electrode X 2 by the above driving is shown in FIG. 2 as the data side X 2 .
【0031】次に、走査側の駆動を図3(b),(c)を参照
して説明する。図3(b)はNチャネル高耐圧MOSドラ
イバIC20,30の内部構成を示し、同図(c)はPチャ
ネル高耐圧MOSドライバIC40,50の内部構成を
示している。また、Nチャネル高耐圧MOSドライバI
C20,30の論理回路の真理値表を表2に、Pチャネ
ル高耐圧MOSドライバIC40,50の論理回路の真
理値表を表3に示す。Next, driving on the scanning side will be described with reference to FIGS. 3 (b) and 3 (c). FIG. 3B shows the internal configuration of the N-channel high breakdown voltage MOS driver ICs 20 and 30, and FIG. 3C shows the internal configuration of the P-channel high breakdown voltage MOS driver ICs 40 and 50. In addition, the N-channel high voltage MOS driver I
Table 2 shows a truth table of the logic circuits of C20 and C30, and Table 3 shows a truth table of the logic circuits of the P channel high voltage MOS driver ICs 40 and 50.
【表2】 [Table 2]
【表3】 [Table 3]
【0032】上記Nチャネル高耐圧MOSドライバIC
20,30およびPチャネル高耐圧MOSドライバIC
40,50は相補型の回路構成からなり、論理は全て互
いに逆になるが構成は同一となっている。ここではNチ
ャネル高耐圧MOSドライバIC20,30についての
み説明する。N-channel high voltage MOS driver IC
20, 30 and P channel high voltage MOS driver IC
Reference numerals 40 and 50 have complementary circuit configurations, and the logics are all opposite to each other, but the configurations are the same. Here, only the N channel high breakdown voltage MOS driver ICs 20 and 30 will be described.
【0033】シフトレジスタ110は選択走査ラインを
記憶しておくための回路であり、クロック信号CLOC
KがHレベルの期間で転送用データNDATAを取り込
み、クロック信号CLOCKがLレベルの期間でそのデ
ータを転送する機能を持つ。転送用データNDATA
は、図2に示すように、1フレームに1回、すなわち、
垂直同期信号Vの立ち上がりの後に入力される最初のク
ロック信号NSTodd,NSTevenがHレベルの期間だけ
Lレベルとなる信号である。また、このEL表示装置で
は、クロック信号CLOCKとして、奇数側Nチャネル
高耐圧MOSドライバIC20には信号NSToddが、
偶数側Nチャネル高耐圧MOSドライバIC30には信
号NSTevenがそれぞれ入力される。図2に示したよう
に2回の水平期間に対して1回の割合でクロック信号N
STodd,NSTevenを入力するのは、1走査ライン毎に
N駆動とP駆動を交互に繰り返すためである。その結
果、Nチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30に
入力するクロック信号CLOCKとPチャネル高耐圧M
OSドライバIC40,50に入力するクロック信号C
LOCKの位相は、1水平期間分ずらされる。また、奇
数の走査ラインに対してN駆動が実行されるフィールド
をNPフィールド、偶数の走査ラインに対してN駆動が
実行されるフィールドをPNフィールドと呼ぶものとす
ると、NPフィールドでは信号NSToddのみが、ま
た、PNフィールドでは信号NSTevenのみがクロック
信号としてそれぞれ対応するシフトレジスタ110に入
力される。The shift register 110 is a circuit for storing the selected scanning line, and is a clock signal CLOC.
It has a function of fetching the transfer data NDATA while K is at the H level and transferring the data while the clock signal CLOCK is at the L level. Transfer data NDATA
Is once in one frame, as shown in FIG.
The first clock signals NSTodd and NSTeven input after the rising of the vertical synchronization signal V are L level only during the H level period. Further, in this EL display device, the signal NSTOdd is supplied to the odd-numbered N-channel high-voltage MOS driver IC 20 as the clock signal CLOCK.
The signal NSTeven is input to the even-side N-channel high-voltage MOS driver IC 30. As shown in FIG. 2, the clock signal N is generated once every two horizontal periods.
STodd and NSTeven are input because N drive and P drive are alternately repeated for each scanning line. As a result, the clock signal CLOCK input to the N channel high breakdown voltage MOS driver ICs 20 and 30 and the P channel high breakdown voltage M
Clock signal C input to the OS driver ICs 40 and 50
The phase of LOCK is shifted by one horizontal period. Further, when a field in which N driving is executed for odd scan lines is called an NP field and a field in which N driving is executed for even scan lines is called a PN field, only the signal NSTodd is generated in the NP field. In the PN field, only the signal NSTeven is input as the clock signal to the corresponding shift register 110.
【0034】論理回路120は、入力される2つの信号
NST, NCLで、Nチャネル高耐圧MOSドライバI
C20,30のトランジスタNT1〜NTiをシフトレジ
スタ110のデータに応じて3つの状態に切り換えるた
めの回路であり、その論理は表2の真理値に従う。The logic circuit 120 receives the two input signals NST and NCL, and receives the N-channel high breakdown voltage MOS driver I
A circuit for switching three states depending transistors NT 1 ~NTi of C20,30 the data in the shift register 110, the logic follows the truth table 2.
【0035】以上の動作を表4に示す。Table 4 shows the above operation.
【表4】 [Table 4]
【0036】つまり、この薄膜EL表示装置の動作は、
上述した通り大きく分けてNPフィールドとPNフィー
ルドの2種類のタイミングで行われ、この2つのフィー
ルドの実行を完了することにより、全絵素に対して発光
に必要な交流パルスを閉じるものである。さらに、それ
ぞれのフィールドではP駆動とN駆動の2種類の駆動が
行われ、NPフィールドでは奇数番目の選択走査ライン
に対してN駆動が、偶数番目の選択走査ラインに対して
P駆動が実行され、PNフィールドではその逆の駆動が
実行される。また、N駆動およびP駆動は、それぞれ変
調期間と書込み期間とを持つ。変調期間として約10μ
secを、また、書込み期間として30μsecをそれぞれ与
えることによって、1水平期間は約40μsecに設定さ
れる。That is, the operation of this thin film EL display device is
As described above, it is roughly divided into two types of timings, that is, the NP field and the PN field, and by completing the execution of these two fields, the AC pulse necessary for light emission for all the picture elements is closed. Further, two kinds of driving, P driving and N driving, are performed in each field, and in the NP field, N driving is performed for odd-numbered selection scanning lines and P driving is performed for even-numbered selection scanning lines. In the PN field, the opposite drive is executed. The N drive and the P drive each have a modulation period and a writing period. About 10μ as modulation period
By giving sec and 30 μsec as the writing period, one horizontal period is set to about 40 μsec.
【0037】表4におけるNchソース電位およびPchソ
ース電位は、図1に示したNチャネル高耐圧MOSドラ
イバIC20,30およびPチャネル高耐圧MOSドラ
イバIC40,50のトランジスタのソース電位であ
り、NPフィールドおよびPNフィールドにおいて絵素
を発光させ得る完全対称交流波形の電圧を印加するのに
必要とされる。The Nch source potential and the Pch source potential in Table 4 are the source potentials of the transistors of the N-channel high breakdown voltage MOS driver ICs 20 and 30 and the P-channel high breakdown voltage MOS driver ICs 40 and 50 shown in FIG. It is required to apply a voltage with a perfect symmetrical AC waveform that can cause the picture elements to emit light in the PN field.
【0038】また、信号NSCは、Nチャネル高耐圧M
OSドライバIC20,30に対するソース電位切換え
回路90の制御信号であり、この信号がHレベルのと
き、つまりソース電位切換え回路90のスイッチSW2
がオンのときソース電位は−Vw(=−190V)とな
り、スイッチSW2がオフのときソース電位は0Vとな
る。The signal NSC is an N-channel high withstand voltage M.
It is a control signal of the source potential switching circuit 90 for the OS driver ICs 20 and 30, and when this signal is at H level, that is, the switch SW 2 of the source potential switching circuit 90.
There source potential -Vw when on (= - 190 V), and the switch SW 2 is the source potential when the OFF becomes 0V.
【0039】信号PSCは、Pチャネル高耐圧MOSド
ライバIC40,50に対するソース電位切換え回路8
0の制御信号であり、この信号がHレベルのとき、つま
りソース電位切換え回路80のスイッチSW1がオンの
ときソース電位はVw+Vm(=250V)となり、スイッ
チSW1がオフのときソース電位は0Vとなる。The signal PSC is a source potential switching circuit 8 for the P channel high voltage MOS driver ICs 40 and 50.
Control signal of 0. When this signal is at H level, that is, when the switch SW 1 of the source potential switching circuit 80 is on, the source potential is Vw + Vm (= 250V), and when the switch SW 1 is off, the source potential is 0V. Becomes
【0040】表4における符号NToddは、ドライバI
C20内のトランジスタ、符号NTevenはドライバIC
30内のトランジスタ、符号PToddはドライバIC4
0内のトランジスタであり、オン・オフは各タイミング
におけるそれらのトランジスタのオン・オフ動作を示し
ている。ただし、(オン)のように括弧を付したものは、
選択走査ラインに対応するトランジスタのみがオンとな
ることを意味している。これらのトランジスタのオン・
オフ、(オン)を制御するのが信号NCLodd, NSTod
d, NCLeven, NSTeven, PCLodd, PSTodd,
PCLeven, PSLevenであり、各タイミングでのそれ
ぞれの論理は表4に示す通りである。Reference numeral NTodd in Table 4 is the driver I
Transistor in C20, symbol NTeven is driver IC
Transistor in 30, reference numeral PTodd is driver IC4
0 is a transistor within 0, and ON / OFF indicates ON / OFF operation of those transistors at each timing. However, those with parentheses such as (On) are
This means that only the transistor corresponding to the selected scan line is turned on. Turn on these transistors
Signals NCLodd and NSTod control off and on
d, NCLeven, NSTeven, PCLodd, PSTodd,
PCLeven and PSLeven, and the respective logics at each timing are as shown in Table 4.
【0041】また、変調期間では、信号NSC, PSC
によりスイッチSW1, SW2がオフとなって、走査側の
ドライバIC20,30,40,50の全てのトランジス
タがオンにされ、全走査側電極Yの電位が0Vにされ
る。このとき、データ側電極Xには表示データDATA
に応じて、Vm(=60V)が0Vの変調電圧が印加され
る。その結果、データ側電極Xのうち、Vm(=60V)
の変調電圧が印加されている電極では、Nチャネル高耐
圧MOSドライバIC20,30のトランジスタを充電
路として絵素に対し、走査側電極Yを基準として正極性
の電圧Vm(=60V)が充電され、0Vの変調電圧が印
加されている電極は走査側電極Yを基準として0Vの電
位に保たれる。In the modulation period, the signals NSC and PSC are
As a result, the switches SW 1 and SW 2 are turned off, all the transistors of the scanning side driver ICs 20, 30, 40, 50 are turned on, and the potentials of all the scanning side electrodes Y are set to 0V. At this time, the display data DATA is displayed on the data-side electrode X.
Accordingly, the modulation voltage with Vm (= 60V) of 0V is applied. As a result, of the data side electrodes X, Vm (= 60V)
In the electrode to which the modulation voltage of (1) is applied, a positive voltage Vm (= 60V) is charged with respect to the pixel on the scanning side electrode Y as a charging path using the transistors of the N-channel high breakdown voltage MOS driver ICs 20 and 30 as charging paths. , The electrodes to which the modulation voltage of 0V is applied are kept at the potential of 0V with reference to the scanning side electrode Y.
【0042】このように、変調期間では、データ側電極
Xに印加する変調電圧を表示データDATAに応じて0
VとVm(=60V)のいずれかに選択する一方、全走査
側電極Yには0Vを印加することによって、走査側電極
Yを基準としてデータ側電極Yの電位がVm(=60V)
となるように充電されるか、または0Vに保持されるこ
とになる。しかも、N駆動とP駆動では、同一表示デー
タDATAでも信号RVCによって極性が反転するの
で、絵素への印加電圧波形はNPフィールドとPNフィ
ールドとを交互に実行することによって完全対称交流波
形となる。Thus, in the modulation period, the modulation voltage applied to the data side electrode X is set to 0 according to the display data DATA.
By selecting either V or Vm (= 60V), and applying 0V to all scanning side electrodes Y, the potential of the data side electrode Y with respect to the scanning side electrode Y is Vm (= 60V).
Will be charged or held at 0V. In addition, in the N drive and the P drive, the polarity is inverted by the signal RVC even with the same display data DATA, so the voltage waveform applied to the picture element becomes a completely symmetrical AC waveform by alternately executing the NP field and the PN field. .
【0043】次に、上述した4種類の書込み期間の動作
を、図4(a)〜(h)に示す等価回路を参照して説明する。Next, the operations of the above-mentioned four types of write periods will be described with reference to the equivalent circuits shown in FIGS.
【0044】(1)NPフィールドN駆動での書込み期間 Nチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30のトラ
ンジスタのソース電位を−Vw(=−190V)にするた
めに、信号NSCはスイッチSW2をオンにするHレベ
ルに設定される。一方、Pチャネル高耐圧MOSドライ
バIC40,50のトランジスタのソース電位を0Vに
するために、信号PSCはスイッチSW1をオフにする
Lレベルに設定される。また、奇数側の1走査ラインを
選択するために、Nチャネル高耐圧MOSドライバIC
20のトランジスタNToddの中から論理回路21に
おけるシフトレジスタのデータに応じて1走査ラインに
対応するトランジスタがオンとされ、他の走査ラインに
対応するトランジスタはオフとされる。このとき、トラ
ンジスタNTeven, PTeven, PToddはすべてオフと
される。また、データ側電極Xでは、変調期間の駆動が
継続する。[0044] (1) -Vw the source potential of the transistors of the writing period N channel high voltage MOS driver IC20,30 in NP field N drive - in order to (= 190 V), the signal NSC to turn on the switch SW 2 Is set to H level. On the other hand, in order to set the source potential of the transistors of the P-channel high breakdown voltage MOS driver ICs 40 and 50 to 0V, the signal PSC is set to the L level that turns off the switch SW 1 . Further, in order to select one scan line on the odd side, an N-channel high breakdown voltage MOS driver IC
Among the 20 transistors NTodd, the transistors corresponding to one scan line are turned on and the transistors corresponding to the other scan lines are turned off according to the data of the shift register in the logic circuit 21. At this time, the transistors NTeven, PTeven, and PTodd are all turned off. Further, the data-side electrode X continues to be driven during the modulation period.
【0045】図4(a),(b)はこの状態での表示パネル1
0の等価回路を示している。そのうち、図4(a)は図1
に示した絵素Aを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極X2と選択走査側電極Y1との交差部の絵素A
にのみ、走査側電極Y1を基準にしてデータ側電極X2に
正極性の電圧 Vm−(−Vw)=60V−(−190V)=250V …(9) が印加されて発光する。図4(b)は絵素Aを発光させな
いときの等価回路であり、絵素Aに印加される電圧は 0V−(−Vw)=0V−(−190V)=190V …(10) と発光しきい電圧Vth以下の値となるので発光しない。4A and 4B show the display panel 1 in this state.
An equivalent circuit of 0 is shown. Of these, Figure 4 (a) shows Figure 1.
Is an equivalent circuit when the picture element A shown in (4) is made to emit light, and the picture element A at the intersection of the data side electrode X 2 and the selective scanning side electrode Y 1
Only, the positive voltage Vm − (− Vw) = 60V − (− 190V) = 250V (9) is applied to the data side electrode X 2 with reference to the scanning side electrode Y 1 to emit light. FIG. 4B is an equivalent circuit when the picture element A is not made to emit light, and the voltage applied to the picture element A is 0 V-(-Vw) = 0 V-(-190 V) = 190 V (10) It does not emit light because it becomes a value below the threshold voltage Vth.
【0046】(2)NPフィールドP駆動での書込み期間 Nチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30のトラ
ンジスタのソース電位を0Vにするために、信号NSC
はスイッチSW2をオンにするHレベルに設定される。
一方、Pチャネル高耐圧MOSドライバIC40,50
のトランジスタのソース電位をVw+Vm(=250V)に
するために、信号PSCはスイッチSW1をオンにする
Hレベルに設定される。また、偶数側の1走査ラインを
選択するために、Pチャネル高耐圧MOSドライバIC
50のトランジスタPTevenの中から論理回路51にお
けるシフトレジスタのデータに応じて1走査ラインに対
応するトランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対
応するトランジスタはオフとされる。このとき、トラン
ジスタPTodd, NTodd, NTevenはすべてオフされ
る。また、データ側電極Xでは、変調期間の駆動が継続
する。(2) Write period in NP field P drive In order to set the source potential of the transistors of the N-channel high breakdown voltage MOS driver ICs 20 and 30 to 0V, the signal NSC
Is set to the H level for turning on the switch SW 2 .
On the other hand, P-channel high voltage MOS driver ICs 40, 50
In order to set the source potential of the transistor of Vw + Vm (= 250V), the signal PSC is set to the H level that turns on the switch SW 1 . Further, in order to select one scanning line on the even side, a P-channel high breakdown voltage MOS driver IC
Among the 50 transistors PTeven, the transistor corresponding to one scan line is turned on according to the data of the shift register in the logic circuit 51, and the transistors corresponding to the other scan lines are turned off. At this time, the transistors PTodd, NTodd, and NTeven are all turned off. Further, the data-side electrode X continues to be driven during the modulation period.
【0047】図4(c),(d)はこの状態での表示パネル1
0の等価回路を示している。そのうち、図4(c)は図1
に示した絵素Bを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極X2と選択走査側電極Y2との交差部の絵素B
にのみ、走査側電極Y2を基準にしてデータ側電極X2に
負極性の電圧 0V−(Vw+Vm)=0V−250V=−250V …(11) が印加されて発光する。第4図(d)は絵素Bを発光させ
ないときの等価回路であり、絵素Bに印加される電圧は Vm−(Vw+Vm)=60V−250V=−190V …(12) と発光しきい電圧Vth以下の値となるので発光しない。4C and 4D show the display panel 1 in this state.
An equivalent circuit of 0 is shown. Among them, Figure 4 (c) is Figure 1
Is an equivalent circuit when the picture element B shown in FIG. 4 is made to emit light, and the picture element B at the intersection of the data side electrode X 2 and the selective scanning side electrode Y 2
Only, the scanning electrode Y 2 and based on the data side electrodes X 2 to a negative polarity voltage 0V- (Vw + Vm) = 0V -250V = -250V ... (11) emits light is applied. FIG. 4 (d) is an equivalent circuit when the picture element B does not emit light, and the voltage applied to the picture element B is Vm- (Vw + Vm) = 60V-250V = -190V (12) Since the value is less than Vth, it does not emit light.
【0048】(3)PNフィールドP駆動での書込み期間 Nチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30のトラ
ンジスタのソース電位を0Vにするために、信号NSC
はスイッチSW2をオフにするLレベルに設定される。
一方、Pチャネル高耐圧MOSドライバIC40,50
のトランジスタのソース電位をVw+Vm(=250V)に
するために、信号PSCはスイッチSW1をオンにする
Hレベルに設定される。また、奇数側の1走査ラインを
選択するために、Pチャネル高耐圧MOSドライバIC
40のトランジスタPToddの中から論理回路41にお
けるシフトレジスタのデータに応じて1走査ラインに対
応するトランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対
応するトランジスタはオフとされる。このとき、トラン
ジスタPTeven, NTeven, NToddはすべてオフとさ
れる。また、データ側電極Xでは、変調期間の駆動が継
続する。(3) Write period in PN field P drive In order to set the source potential of the transistors of the N channel high breakdown voltage MOS driver ICs 20 and 30 to 0V, the signal NSC
Is set to L level which turns off the switch SW 2 .
On the other hand, P-channel high voltage MOS driver ICs 40, 50
In order to set the source potential of the transistor of Vw + Vm (= 250V), the signal PSC is set to the H level that turns on the switch SW 1 . Further, in order to select one scan line on the odd side, a P-channel high breakdown voltage MOS driver IC
Among the transistors PTodd of 40, the transistor corresponding to one scanning line is turned on and the transistors corresponding to the other scanning lines are turned off according to the data of the shift register in the logic circuit 41. At this time, the transistors PTeven, NTeven, NTodd are all turned off. Further, the data-side electrode X continues to be driven during the modulation period.
【0049】図4(e),(f)はこの状態での表示パネル1
0の等価回路を示している。そのうち、図4(e)は図1
に示した絵素Aを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極X2と選択走査側電極Y1との交差部の絵素A
にのみ、走査側電極Y1を基準にしてデータ側電極X2に
負極性の電圧 0V−(Vw+Vm)=0V−250V=−250V (13) が印加されて発光する。図4(f)は絵素Aを発光させな
いときの等価回路であり、絵素Aに印加される電圧は Vm−(Vw+Vm)=60V−250V=−190V (14) と発光しきい電圧Vth以下の値となるので発光しない。FIGS. 4 (e) and 4 (f) show the display panel 1 in this state.
An equivalent circuit of 0 is shown. Of these, Figure 4 (e) is Figure 1
Is an equivalent circuit when the picture element A shown in (4) is made to emit light, and the picture element A at the intersection of the data side electrode X 2 and the selective scanning side electrode Y 1
Only the voltage 0V- (Vw + Vm) of the negative polarity with respect to the scanning electrode Y 1 to the data side electrodes X 2 = 0V-250V = -250V (13) emits light is applied. FIG. 4 (f) is an equivalent circuit when the picture element A does not emit light, and the voltage applied to the picture element A is Vm- (Vw + Vm) = 60V-250V = -190V (14) and the light emission threshold voltage Vth or less. The value of is not emitted.
【0050】(4)PNフィールドN駆動での書込み期間
Nチャネル高耐圧MOSドライバIC20,30のトラ
ンジスタの電位を−Vw=(=−190V)にするため
に、信号NSCはスイッチSW2をオンにするHレベル
に設定される。一方、Pチャネル高耐圧MOSドライバ
IC40,50のトランジスタの電位を0Vにするため
に、信号PSCはスイッチSW1をオフにするLレベル
に設定される。また、偶数側の1走査ラインを選択する
ために、Nチャネル高耐圧MOSドライバIC30のト
ランジスタNTevenの中から論理回路31におけるシフ
トレジスタのデータに応じて1走査ラインに対応するト
ランジスタがオンとされ、他の走査ラインに対応するト
ランジスタはオフとされる。このとき、トランジスタN
Todd, PTodd, PTevenはすべてオフとされる。ま
た、データ側電極Xでは、変調期間の駆動が継続する。[0050] (4) The potential of the transistor in the write period N channel high voltage MOS driver IC20,30 in PN field N driving -Vw = - To (= 190 V), the signal NSC to turn on the switch SW 2 Is set to H level. On the other hand, in order to set the potential of the transistors of the P channel high breakdown voltage MOS driver ICs 40 and 50 to 0V, the signal PSC is set to the L level that turns off the switch SW 1 . Further, in order to select one scanning line on the even side, the transistor corresponding to one scanning line is turned on according to the data of the shift register in the logic circuit 31 from the transistors NTeven of the N-channel high breakdown voltage MOS driver IC 30. The transistors corresponding to the other scan lines are turned off. At this time, the transistor N
Todd, PTodd, and PTeven are all turned off. Further, the data-side electrode X continues to be driven during the modulation period.
【0051】図4(g),(h)はこの状態での表示パネル1
0の等価回路を示している。そのうち、図4(g)は図1
に示した絵素Bを発光させるときの等価回路であり、デ
ータ側電極X2と選択走査側電極Y2との交差部の絵素B
にのみ、走査側電極Y2を基準にしてデータ側電極X2に
正極性の電圧 Vm−(−Vw)=60V+190V=250V …(15) が印加されて発光する。図4(h)は絵素Bを発光させな
いときの等価回路であり、絵素Bに印加される電圧は 0V−(−Vw)=0V+190V=190V …(16) と発光しきい電圧Vth以下の値となるので発光しない。4G and 4H show the display panel 1 in this state.
An equivalent circuit of 0 is shown. Of these, Figure 4 (g) is Figure 1
Is an equivalent circuit when the picture element B shown in FIG. 4 is made to emit light, and the picture element B at the intersection of the data side electrode X 2 and the selective scanning side electrode Y 2
Only, the voltage Vm of the positive polarity with respect to the scanning electrode Y 2 in the data side electrodes X 2 - (- Vw) = 60V + 190V = 250V ... (15) emits light is applied. FIG. 4 (h) is an equivalent circuit when the picture element B is not made to emit light, and the voltage applied to the picture element B is 0V-(-Vw) = 0V + 190V = 190V (16) and the light emission threshold voltage Vth or less. It does not emit light because it becomes a value.
【0052】このEL表示装置では、走査側電極から印
加される書込み電圧のパルス幅は、次に述べるような過
程で決まっている。P駆動の場合は、まず、選択された
電極Yに対応するトランジスタPTi(図1に示す)がオ
ンとなり、SW1を介してVw+Vm(=250V)が印加さ
れ、一定時間(数μ秒〜数十μ秒)その状態が維持され
る。この後、SW1がオフとなり、続いてNT1〜NTi
がオンとなって、絵素に充電された電荷が回路90内の
ダイオードを通してグランドGNDへ放電する。書込み
電圧のパルス幅はこのような過程で決まっている。N駆
動の場合は、選択された電極Yに対応するNTiがオン
となり、SW2を介して−Vw(=−190V)が印加さ
れ、一定時間(数μ秒〜数十μ秒)その状態が維持され
る。この後、SW2がオフとなり、続いてPT1〜PTi
がオンとなって、絵素に充電された電荷が回路80内の
ダイオードを通してグランドGNDへ放電する。書込み
電圧のパルス幅はこのような過程で決まっている。ここ
で、このEL表示装置では、電流−パルス位相調整回路
200の電流検知部111がSW1を通して流れる電流
(書込み電圧のライン400を流れる電流)を検知し、検
知した電流値に基づいて、図5(b)に示すように、信号
NCL'がHレベルになるタイミング(位相)を調整す
る。つまり、検出した電流値が大きいときは、信号PS
CがHレベルになってから信号NCL'がHレベルにな
るまでの時間を短くする一方、検出した電流値が小さい
ときは、信号PSCがHレベルになってから信号NC
L′がHレベルになるまでの時間を長くする。これによ
り、書込み電圧パルスの波高値が大きい程、そのパルス
幅が小さくなる。また、発光に伴い電流が流れることか
ら、発光輝度が増す程パルス幅が狭くなることになる。
つまり、図5(a)に示すように、書込み電圧が高くなる
程あるいは発光輝度が高くなる程、パルス幅が狭くな
る。したがって、図6中に示した特性曲線l1のような
急端な発光輝度対印加電圧特性を本来もっている薄膜E
L素子が、同図の特性曲線l2なるみかけ上の発光輝度
対印加電圧特性を示す。従って、発光累積時間による輝
度低下が抑制され、つまり、(L2−L2′)<(L1−
L1′)となって、信頼性が高まる。In this EL display device, the pulse width of the writing voltage applied from the scanning side electrode is determined in the following process. In the case of P drive, first, the transistor PTi (shown in FIG. 1) corresponding to the selected electrode Y is turned on, Vw + Vm (= 250 V) is applied via SW 1 , and the constant time (several microseconds (Several tens of microseconds) The state is maintained. After this, SW 1 is turned off, and then NT 1 to NTi
Is turned on, and the electric charge charged in the picture element is discharged to the ground GND through the diode in the circuit 90. The pulse width of the write voltage is determined in this process. In the case of N drive, NTi corresponding to the selected electrode Y is turned on, -Vw (= -190V) is applied via SW 2, and the state is kept for a certain time (several microseconds to several tens of microseconds). Maintained. After this, SW 2 turns off, and then PT 1 to PTi
Is turned on, and the electric charge charged in the pixel is discharged to the ground GND through the diode in the circuit 80. The pulse width of the write voltage is determined in this process. Here, in this EL display device, the current detection unit 111 of the current-pulse phase adjustment circuit 200 causes the current flowing through SW 1.
(Current flowing in the write voltage line 400) is detected, and the timing (phase) at which the signal NCL 'becomes H level is adjusted based on the detected current value, as shown in FIG. 5 (b). That is, when the detected current value is large, the signal PS
While shortening the time from when C becomes H level to when the signal NCL 'becomes H level, when the detected current value is small, the signal NC becomes high after the signal PSC becomes H level.
Increase the time until L'goes to H level. As a result, the larger the peak value of the write voltage pulse, the smaller its pulse width. In addition, since a current flows with light emission, the pulse width becomes narrower as the light emission brightness increases.
That is, as shown in FIG. 5A, the pulse width becomes narrower as the writing voltage becomes higher or the emission brightness becomes higher. Therefore, the thin film E which originally has a sharp emission luminance vs. applied voltage characteristic as shown by the characteristic curve l 1 shown in FIG.
The L element shows the apparent light emission luminance vs. applied voltage characteristic represented by the characteristic curve l 2 in FIG. Therefore, the decrease in brightness due to the accumulated light emission time is suppressed, that is, (L 2 −L 2 ′) <(L 1 −
L 1 ′) and reliability is improved.
【0053】なお、これまでP駆動の場合について述べ
たが、N駆動の場合も全く同様に考えることができる。
すなわち、図7に示すように、上記電流−パルス位相調
整回路200に代えて、または、上記回路200ととも
に、電流−パルス位相調整回路220を備える。この回
路220は、書込み電圧供給ライン420に流れる電流
値を検知する電流検知部121と、この電流検知部12
1が検知した電流値に基づいて、制御信号PCLの位相
を調整するパルス幅調整部122からなっている。パル
ス幅調整部122は、制御信号NSCのタイミングを基
準として信号PCLの位相をずらした制御信号PCL′
を発生する。検出した電流値が大きいときは、制御信号
NSCがHレベルになってから制御信号PCL'がHレ
ベルになるまでの時間を短くする一方、検出した電流値
が小さいときは、制御信号NSCがHレベルになってか
ら制御信号PCL′がHレベルになるまでの時間を長く
する。これらの信号PCL,PCL′は、AND回路3
20によって合成され、トランジスタPT1〜PTiのオ
ン,オフ制御に用いられる。この電流−パルス位相調整
回路220の動作によって、P駆動の場合と全く同様
に、書込み電圧が高くなる程、また、発光輝度が高くな
る程、書込み電圧パルスの幅が狭くすることができ、し
たがって、図6中に示した特性曲線l1のような急端な
発光輝度対印加電圧特性を本来もっている薄膜EL素子
が、同図の特性曲線l2なるみかけ上の発光輝度対印加
電圧特性を示す。従って、発光累積時間による輝度低下
が抑制され、つまり、(L2−L2′)<(L1−L1′)とな
って、信頼性が高まる。Although the case of the P drive has been described so far, the same can be considered in the case of the N drive.
That is, as shown in FIG. 7, a current-pulse phase adjusting circuit 220 is provided instead of or together with the current-pulse phase adjusting circuit 200. The circuit 220 includes a current detection unit 121 that detects a value of a current flowing through the write voltage supply line 420, and the current detection unit 12.
The pulse width adjusting unit 122 adjusts the phase of the control signal PCL based on the current value detected by the signal No. 1. The pulse width adjusting unit 122 shifts the phase of the signal PCL with reference to the timing of the control signal NSC as a control signal PCL ′.
To occur. When the detected current value is large, the time from when the control signal NSC becomes H level to when the control signal PCL ′ becomes H level is shortened, while when the detected current value is small, the control signal NSC becomes H level. The time until the control signal PCL 'becomes the H level after the signal becomes the level is lengthened. These signals PCL and PCL 'are connected to the AND circuit 3
Synthesized by 20, the transistors PT 1 ~PTi on, used in off control. By the operation of the current-pulse phase adjusting circuit 220, the width of the writing voltage pulse can be narrowed as the writing voltage becomes higher and the emission brightness becomes higher, just as in the case of the P drive. , thin-film EL element has inherent steep edge emission luminance versus applied voltage characteristic as the characteristic curve l 1 shown in FIG. 6, a light emission luminance versus applied voltage characteristic on over characteristic curve l 2 Narumi in FIG Show. Therefore, the decrease in luminance due to the accumulated light emission time is suppressed, that is, (L 2 −L 2 ′) <(L 1 −L 1 ′), and the reliability is improved.
【0054】また、次に述べるように、上記電位切換え
回路80,90を構成するスイッチSW1,SW2を、MO
SFETではなく、バイポーラ・トランジスタとしても
良い。すなわち、Nチャネル高耐圧MOSドライバIC
20,30のトランジスタのソース電位を切り換えるた
めのスイッチSW2と、Pチャネル高耐圧MOSドライ
バIC40,50のトランジスタのソース電位を切り換
えるためのスイッチSW1として、図8に示すような電
流−電圧特性を持つバイポーラトランジスタを採用す
る。このバイポーラ・トランジスタの特性曲線は、概ね
直線領域Aと、飽和領域(定電流領域)Bとに近似されて
いる。例として、スイッチSW1としてバイポーラ・ト
ランジスタを用いた場合のP駆動について説明する。図
9(a)に示すように、制御信号PSCがHレベルとなっ
てSW1が導通状態になり、走査側電極のうち1ライン
Yiが選択され、それにつながるトランジスタPTiがオ
ンになっているものとする(その他はオフになってい
る。)。このとき、走査側電極Yiの電位Vの経時変化
は、まず、同図(b)に示すように、図8に示した特性曲
線の領域Bに対応して、時間と共に直線的に電位が増し
ていく(領域C)。次に、図8の特性曲線の領域Aに対応
して指数関数的に電位が増して行く(領域D)。今、P駆
動の場合を考えているのであるから、前述したように、
制御信号PSCがHレベルとなり、走査側電極YiにVw
+Vmなる書込み電圧が印加された後、一定時間後、N
T1〜NTiが導通状態となって、書込み電圧が回路90
のダイオードを介してグランドGNDへ放電される。し
たがって、図10に示すように、書込み電圧(Vw+Vm)
が高電圧(Vw+Vm)′になる程、ピーク付近のパルス幅
が狭くなる。また、高輝度発光を呈して発光電流が流れ
る程、領域Dの始まり部分の傾きが穏やかとなり、やは
りパルス幅が狭くなる。したがって、高発光効率で高発
光輝度を示す薄膜EL素子の高電圧側でのL−V特性曲
線を緩慢にする事で、その発光累積時間による輝度の低
下を抑制し、信頼性を高める事ができる。As will be described below, the switches SW 1 and SW 2 forming the potential switching circuits 80 and 90 are switched to the MO
A bipolar transistor may be used instead of the SFET. That is, N-channel high voltage MOS driver IC
The switch SW 2 for switching the source potential of the transistors 20 and 30 and the switch SW 1 for switching the source potential of the transistors of the P-channel high breakdown voltage MOS driver ICs 40 and 50 have current-voltage characteristics as shown in FIG. Adopt a bipolar transistor with. The characteristic curve of this bipolar transistor is approximately approximated to a linear region A and a saturation region (constant current region) B. As an example, P drive when a bipolar transistor is used as the switch SW 1 will be described. As shown in FIG. 9 (a), the control signal PSC becomes conductive state SW 1 at the H level, one line Yi of the scanning electrode is selected and that the transistor PTi is on connected thereto And so on (others are off). At this time, the change in the potential V of the scanning-side electrode Yi with time first shows that the potential increases linearly with time corresponding to the region B of the characteristic curve shown in FIG. 8 as shown in FIG. Go (area C). Next, the potential increases exponentially corresponding to the area A of the characteristic curve of FIG. 8 (area D). Since we are now considering the case of P drive, as described above,
The control signal PSC becomes H level, and Vw is applied to the scanning side electrode Yi.
After a write voltage of + Vm is applied, after a certain time, N
T 1 ~NTi is rendered conductive, the write voltage circuit 90
Is discharged to the ground GND through the diode. Therefore, as shown in FIG. 10, the write voltage (Vw + Vm)
Becomes higher voltage (Vw + Vm) ', the pulse width near the peak becomes narrower. Further, as the emission current of high-luminance emission is exhibited and the emission current flows, the inclination of the starting portion of the region D becomes gentler and the pulse width also becomes narrower. Therefore, by slowing down the LV characteristic curve on the high voltage side of the thin film EL element exhibiting high light emission efficiency and high light emission luminance, it is possible to suppress the decrease in luminance due to the accumulated light emission time and improve the reliability. it can.
【0055】なお、スイッチSW1,SW2をバイポーラ
・トランジスタとした場合の上記作用は、たとえVw(=
250V)を供給する電源が定電流電源であったとして
も得ることができる。The above-mentioned operation when the switches SW 1 and SW 2 are bipolar transistors has the same effect as Vw (=
It can be obtained even if the power supply for supplying 250 V) is a constant current power supply.
【0056】[0056]
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明のE
L表示装置は、書込み電圧供給ラインに流れる電流の大
きさを検出する電流検知部と、上記電流検知部が検出し
た電流値が大きいときは、上記書込み電圧のパルス幅を
狭くする一方、上記電流検知部が検出した電流値が小さ
いときは上記書き込み電圧のパルス幅を広くする制御を
行うパルス幅調整部を備えているので、書込み電圧パル
スの波高値が大きい程、そのパルス幅を狭くすることが
できる。また、薄膜EL素子の発光に伴って上記電流値
が大きくなることから、薄膜EL素子が高発光輝度を呈
する程、上記パルス幅を狭くすることができる。したが
って、高発光効率で高発光輝度を示す薄膜EL素子の高
電圧側でのL−V特性曲線を緩慢にする事で、その発光
累積時間による輝度の低下を抑制し、信頼性を高める事
ができる。As is apparent from the above, the E of the present invention is
The L display device detects the magnitude of the current flowing through the write voltage supply line, and narrows the pulse width of the write voltage when the current value detected by the current detector is large, while the current detector detects the current. When the current value detected by the detection unit is small, a pulse width adjustment unit that controls the pulse width of the write voltage to be widened is provided.Therefore, the pulse width should be narrowed as the peak value of the write voltage pulse increases. You can Further, since the current value increases as the thin film EL element emits light, the pulse width can be narrowed as the thin film EL element exhibits higher emission brightness. Therefore, by slowing down the LV characteristic curve on the high voltage side of the thin film EL element exhibiting high light emission efficiency and high light emission luminance, it is possible to suppress the decrease in luminance due to the accumulated light emission time and improve the reliability. it can.
【0057】また、この発明のEL表示装置は、電位切
換え回路を構成する電圧切換え用スイッチをバイポーラ
・トランジスタからなるものとしているので、書込み電
圧パルスの波高値が大きい程、そのパルス幅を狭くする
ことができる。また、薄膜EL素子の発光に伴って上記
電流値が大きくなることから、薄膜EL素子が高発光輝
度を呈する程、上記パルス幅を狭くすることができる。
したがって、上の場合と同様に、したがって、高発光効
率で高発光輝度を示す薄膜EL素子の高電圧側でのL−
V特性曲線を緩慢にする事で、その発光累積時間による
輝度の低下を抑制し、信頼性を高める事ができる。Further, in the EL display device of the present invention, since the voltage switching switch forming the potential switching circuit is composed of the bipolar transistor, the pulse width becomes narrower as the peak value of the write voltage pulse increases. be able to. Further, since the current value increases as the thin film EL element emits light, the pulse width can be narrowed as the thin film EL element exhibits higher emission brightness.
Therefore, as in the above case, therefore, the L- at the high voltage side of the thin film EL element that exhibits high luminous efficiency and high luminous brightness is obtained.
By slowing the V characteristic curve, it is possible to suppress the decrease in luminance due to the accumulated light emission time and improve the reliability.
【図1】 この発明の一実施例のEL表示装置の構成を
示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an EL display device according to an embodiment of the present invention.
【図2】 上記EL表示装置の動作タイミングを示す図
である。FIG. 2 is a diagram showing an operation timing of the EL display device.
【図3】 上記EL表示装置における論理回路の構成を
示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a logic circuit in the EL display device.
【図4】 上記EL表示装置を構成する薄膜EL素子の
動作状態における等価回路を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit in an operating state of a thin film EL element that constitutes the EL display device.
【図5】 上記EL表示装置における書込み電圧の波形
を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a waveform of a write voltage in the EL display device.
【図6】 高輝度薄膜EL素子と通常の薄膜EL素子の
印加電圧−輝度特性を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing applied voltage-luminance characteristics of a high brightness thin film EL element and a normal thin film EL element.
【図7】 上記EL表示装置の変形例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a modification of the EL display device.
【図8】 電位切換え回路に含まれるバイポーラ・トラ
ンジスタからなる電圧切換え用スイッチの電流−電圧特
性を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing current-voltage characteristics of a voltage switching switch including a bipolar transistor included in the potential switching circuit.
【図9】 上記バイポーラ・トランジスタからなる電圧
切換え用スイッチを備えたEL表示装置の動作を説明す
る図である。FIG. 9 is a diagram for explaining the operation of the EL display device including the voltage changeover switch composed of the bipolar transistor.
【図10】 上記バイポーラ・トランジスタからなる電
圧切換え用スイッチを備えたEL表示装置の動作を説明
する図である。FIG. 10 is a diagram for explaining the operation of the EL display device including the voltage changeover switch composed of the bipolar transistor.
【図11】 薄膜EL素子の一部切欠き断面を示す図で
ある。FIG. 11 is a view showing a partially cutaway cross section of a thin film EL element.
【図12】 薄膜EL素子の印加電圧−輝度特性を示す
図である。FIG. 12 is a diagram showing applied voltage-luminance characteristics of a thin film EL element.
【図13】 従来の薄膜EL表示装置の構成を示す図で
ある。FIG. 13 is a diagram showing a configuration of a conventional thin film EL display device.
10 表示パネル 20,30 Nチャネル高耐圧MOSドライバIC 40,50 Pチャネル高耐圧MOSドライバIC 60 データ側ドライバIC 80,90 ソース電位切換え回路 111 電流検知部 112 パルス幅調整部 200,220 電圧−パルス位相調整回路 300,320 AND回路 400,420 書込み電圧供給ライン SW1,SW2 電圧切換え用スイッチ X1〜Xi データ側電極 Y1〜Yi 走査側電極10 Display panel 20,30 N-channel high voltage MOS driver IC 40,50 P-channel high voltage MOS driver IC 60 Data side driver IC 80,90 Source potential switching circuit 111 Current detector 112 Pulse width adjuster 200,220 Voltage-pulse phase adjustment circuit 300 or 320 the AND circuit 400, 420 a write voltage supply line SW 1, SW 2 voltage switching switch X 1 ~xi data side electrodes Y 1 ~Yi scanning electrode
Claims (2)
査側電極と複数のデータ側電極との間に発光層を有する
薄膜EL素子と、上記データ側電極に発光表示および非
発光表示に対応する変調電圧を印加するデータ側駆動回
路と、電圧切換え用スイッチを有し、上記走査側電極に
つながる書込み電圧供給ラインに駆動モードに応じて異
なるレベルの書込み電圧を供給する電位切換え回路と、
上記書込み電圧供給ラインに設けられ、上記走査側電極
に書込み電圧パルスを線順次に印加する走査側駆動回路
を備えて、上記走査側電極とデータ側電極との交差部か
らなる各絵素に対して発光表示時には発光層の発光しき
い電圧を超える電圧を印加して駆動し、非発光表示時に
は発光しきい電圧以下の電圧を印加して駆動するように
したEL表示装置において、 上記書込み電圧供給ラインに流れる電流の大きさを検出
する電流検知部と、 上記電流検知部が検出した電流値が大きいときは、上記
書込み電圧のパルス幅を狭くする一方、上記電流検知部
が検出した電流値が小さいときは上記書き込み電圧のパ
ルス幅を広くする制御を行うパルス幅調整部を備えたこ
とを特徴とするEL表示装置。1. A thin film EL element having a light emitting layer between a plurality of scanning side electrodes and a plurality of data side electrodes arranged in a direction intersecting with each other, and the data side electrode corresponding to light emitting display and non-light emitting display. A data side drive circuit for applying a modulation voltage and a voltage changeover switch, and a potential changeover circuit for supplying a write voltage supply line connected to the scanning side electrode with a write voltage of a different level according to a drive mode,
A scanning side drive circuit which is provided in the writing voltage supply line and applies a writing voltage pulse to the scanning side electrodes in a line-sequential manner is provided, and for each picture element formed by the intersection of the scanning side electrode and the data side electrode. In the EL display device which is driven by applying a voltage exceeding the light emission threshold voltage of the light emitting layer during the light emitting display, and is driven by applying a voltage lower than the light emission threshold voltage during the non-light emitting display. When the current detection unit that detects the magnitude of the current flowing in the line and the current value detected by the current detection unit are large, the pulse width of the write voltage is narrowed while the current value detected by the current detection unit is An EL display device comprising a pulse width adjusting section for controlling the pulse width of the write voltage to be wide when the pulse width is small.
査側電極と複数のデータ側電極との間に発光層を有する
薄膜EL素子と、上記データ側電極に発光表示および非
発光表示に対応する変調電圧を印加するデータ側駆動回
路と、電圧切換え用スイッチを有し、上記走査側電極に
つながる書込み電圧供給ラインに駆動モードに応じて異
なるレベルの書込み電圧を供給する電位切換え回路と、
上記書込み電圧供給ラインに設けられ、上記走査側電極
に書込み電圧パルスを線順次に印加する走査側駆動回路
を備えて、上記走査側電極とデータ側電極との交差部か
らなる各絵素に対して発光表示時には発光層の発光しき
い電圧を超える電圧を印加して駆動し、非発光表示時に
は発光しきい電圧以下の電圧を印加して駆動するように
したEL表示装置において、 上記電位切換え回路の電圧切換え用スイッチは、バイポ
ーラ・トランジスタからなることを特徴とするEL表示
装置。2. A thin film EL element having a light emitting layer between a plurality of scanning side electrodes and a plurality of data side electrodes arranged in a direction intersecting with each other, and the data side electrode corresponding to light emitting display and non-light emitting display. A data side drive circuit for applying a modulation voltage and a voltage changeover switch, and a potential changeover circuit for supplying a write voltage supply line connected to the scanning side electrode with a write voltage of a different level according to a drive mode,
A scanning side drive circuit which is provided in the writing voltage supply line and applies a writing voltage pulse to the scanning side electrodes in a line-sequential manner is provided, and for each picture element formed by the intersection of the scanning side electrode and the data side electrode. In the EL display device which is driven by applying a voltage exceeding the light emission threshold voltage of the light emitting layer during the light emission display, and is driven by applying a voltage lower than the light emission threshold voltage during the non-light emission display. The EL display device characterized in that the voltage changeover switch is composed of a bipolar transistor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4237042A JPH0683284A (en) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | El display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4237042A JPH0683284A (en) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | El display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0683284A true JPH0683284A (en) | 1994-03-25 |
Family
ID=17009546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4237042A Pending JPH0683284A (en) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | El display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0683284A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10254410A (en) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Pioneer Electron Corp | Organic electroluminescent display device, and driving method therefor |
US5949194A (en) * | 1996-05-16 | 1999-09-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Display element drive method |
JP2000330517A (en) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Casio Comput Co Ltd | Display device and its driving method |
KR100653299B1 (en) * | 1999-03-18 | 2006-12-04 | 산요덴키가부시키가이샤 | Activetype el display device |
-
1992
- 1992-09-04 JP JP4237042A patent/JPH0683284A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5949194A (en) * | 1996-05-16 | 1999-09-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Display element drive method |
JPH10254410A (en) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Pioneer Electron Corp | Organic electroluminescent display device, and driving method therefor |
KR100653299B1 (en) * | 1999-03-18 | 2006-12-04 | 산요덴키가부시키가이샤 | Activetype el display device |
JP2000330517A (en) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Casio Comput Co Ltd | Display device and its driving method |
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