JPH0682409A - Ozone sensor - Google Patents
Ozone sensorInfo
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- JPH0682409A JPH0682409A JP23566792A JP23566792A JPH0682409A JP H0682409 A JPH0682409 A JP H0682409A JP 23566792 A JP23566792 A JP 23566792A JP 23566792 A JP23566792 A JP 23566792A JP H0682409 A JPH0682409 A JP H0682409A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はオゾン発生機やオゾン利
用機器におけるオゾン濃度制御、またはオゾン検知用に
用いるセンサに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sensor used for ozone concentration control or ozone detection in an ozone generator or equipment utilizing ozone.
【０００２】[0002]
【従来の技術】オゾンは強力な酸化作用を示すため、脱
臭、殺菌等の目的で上下水道水処理、医療、食品工業な
ど多くの分野で利用されている。しかし、そのような有
用な利用価値がある反面、オゾンはごく微量でも人体に
対して極めて有害であるため、発生量の制御や漏洩オゾ
ンの検知を確実に行なう必要がある。2. Description of the Related Art Ozone has a strong oxidizing action and is used in many fields such as water and sewage treatment, medical treatment, and food industry for the purpose of deodorization and sterilization. However, on the other hand, although it has such a useful utility value, even if a very small amount of ozone is extremely harmful to the human body, it is necessary to reliably control the amount of ozone generated and detect leaked ozone.
【０００３】このような状況においてオゾン濃度の測定
や検知には従来、酸化還元滴定法や吸光光度法、紫外線
吸収スペクトル法が用いられている。これに対して最
近、より簡便なオゾン濃度測定法が望まれており、その
一方法として半導体式オゾンセンサが提案されている。In such a situation, the redox titration method, the absorptiometric method, and the ultraviolet absorption spectrum method have been conventionally used for measuring and detecting the ozone concentration. On the other hand, recently, a simpler ozone concentration measuring method has been desired, and a semiconductor ozone sensor has been proposed as one of the methods.
【０００４】従来の半導体式ガスセンサは、図１１に示
すように、加熱機能を備えた絶縁基板(1) 上に、少なく
とも１対の電極(2) と前記電極間に形成されたガス感応
体(3) から構成されている。ガス感応体として用いられ
る材料としては、ガスの吸着による電気伝導度変化を利
用するものとして、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 等の金属酸化
物が実用化されている。ガス感応体の形成方法として
は、焼結を用いる方法、スクリーン印刷等の厚膜法、ス
パッタリング法や真空蒸着法等の薄膜法が用いられてお
り、膜厚として、数１０ｎｍから数１０μｍ程度のもの
である。また、一部の半導体式ガスセンサにおいてはガ
ス選択性を向上するために、ガス感応体上にＳｉＯ2 等
の金属酸化物の被覆層を有しているものもある。As shown in FIG. 11, a conventional semiconductor type gas sensor has a gas sensing element (at least one pair of electrodes (2) and a gas sensing element (between the electrodes) formed on an insulating substrate (1) having a heating function. It is composed of 3). Metal oxides such as SnO 2 and In 2 O 3 have been put to practical use as materials used as the gas responsive material, which utilize changes in electrical conductivity due to adsorption of gas. As a method for forming the gas sensitive body, a method using sintering, a thick film method such as screen printing, or a thin film method such as a sputtering method or a vacuum deposition method is used, and the film thickness is about several tens nm to several tens of μm. It is a thing. In addition, some semiconductor gas sensors have a coating layer of a metal oxide such as SiO 2 on the gas sensitive body in order to improve gas selectivity.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来利用されているオ
ゾン濃度の測定方法は、一般に大がかりな装置と煩雑な
操作を必要とし、しかも高価であるため簡単には利用で
きないという欠点を有している。一方、簡便なオゾン濃
度の測定方法として提案されている半導体式オゾンセン
サはオゾンに対する感度や応答性に優れている。The conventionally used ozone concentration measuring methods generally have a drawback that they require a large-scale device and complicated operations, and are expensive, so that they cannot be used easily. . On the other hand, the semiconductor ozone sensor proposed as a simple method for measuring ozone concentration is excellent in sensitivity and responsiveness to ozone.
【０００６】オゾンセンサに要求される機能としては、
オゾンに対する感度、選択性、応答性、安定性、作製再
現性等があり、この中でオゾンに対する感度は最も重要
な機能である。The functions required of the ozone sensor are as follows:
There are sensitivity to ozone, selectivity, responsiveness, stability, reproducibility of production, and the like, and sensitivity to ozone is the most important function.
【０００７】しかしながら、オゾンガスは許容濃度が0.
1ppmと非常に低く、測定雰囲気中にＨ2 Ｓ、ＣＯ、アル
コール等の還元性ガスやＮＯＸ、ＳＯＸ等の酸化性ガス
が存在すると、センサの電気抵抗が当該ガスの存在量に
応じて変化する。そのためセンサ出力が変化し、オゾン
検知システムあるいはそれに付帯する制御システムの誤
動作を引き起こす原因となることがしばしばある。However, ozone gas has a permissible concentration of 0.
It is extremely low at 1 ppm, and when reducing gas such as H 2 S, CO, alcohol, etc. or oxidizing gas such as NOX, SOX etc. exists in the measurement atmosphere, the electrical resistance of the sensor changes according to the amount of the gas. . Therefore, the sensor output changes, which often causes malfunction of the ozone detection system or the control system attached thereto.
【０００８】本発明は、上記課題を解決するもので、高
感度で、ガス選択性に優れたオゾンセンサを提供するこ
とを目的とする。An object of the present invention is to solve the above problems, and to provide an ozone sensor having high sensitivity and excellent gas selectivity.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のオゾンセンサは、センサの素子の電気抵抗
変化によりオゾンを検出するオゾンセンサであって、ガ
ス感応体が前記（化１）で表される金属酸化物またはア
ルカリ土類金属から選ばれる少なくとも一つの化合物を
主成分とすることを特徴とする。In order to achieve the above object, an ozone sensor of the present invention is an ozone sensor for detecting ozone by a change in electric resistance of an element of the sensor, and the gas sensitive body has the above chemical formula (1). The main component is at least one compound selected from metal oxides or alkaline earth metals.
【００１０】前記構成においては、前記（化１）で表さ
れる金属酸化物中の２価の金属イオンまたはアルカリ土
類金属イオンが、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｂ
ａ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕからなる群から選ばれるこ
とが好ましい。In the above structure, the divalent metal ion or alkaline earth metal ion in the metal oxide represented by the chemical formula 1 is Mg, Ca, Zn, Sr, Cd, B.
It is preferably selected from the group consisting of a, Pb, Co, Ni and Cu.
【００１１】[0011]
【作用】前記した本発明の構成によれば、選択的なオゾ
ンの吸着、脱着により、電気抵抗が変化する金属酸化物
半導体を用いているため、この金属酸化物半導体の電気
抵抗を測定することで、オゾン濃度を精度良く測定する
ことができ、その膜厚を数１０〜数１００ｎｍと薄くす
ることで、感度やガス選択性に優れたオゾンセンサとす
ることができる。According to the above-described structure of the present invention, since the metal oxide semiconductor whose electric resistance changes by selective adsorption and desorption of ozone is used, the electric resistance of this metal oxide semiconductor can be measured. Thus, the ozone concentration can be accurately measured, and by making the film thickness as thin as several tens to several hundreds nm, an ozone sensor excellent in sensitivity and gas selectivity can be obtained.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、実施例をを用いて本発明をさらに具体
的に説明する。図１は本発明のオゾンセンサの概略断面
図である。図１において、１はアルミナ、ムライト等の
絶縁基板、２は金、銀、白金等の金属からなる電極、３
は（化１）で表される金属酸化物からなるガス感応体で
ある。EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples. FIG. 1 is a schematic sectional view of an ozone sensor of the present invention. In FIG. 1, 1 is an insulating substrate such as alumina or mullite, 2 is an electrode made of a metal such as gold, silver or platinum, 3
Is a gas sensitive material composed of a metal oxide represented by the formula (1).
【００１３】基板(1) は、表面が絶縁性を有し、加熱機
能を備えているものであれば、いずれのものも使用する
ことができ、材料や構成等を限定するものではない。電
極(2) は、ガス感応体(3) に電圧印加し、その抵抗値を
測定することが主たる目的であり、電極の材料、構成、
パターン、製造方法等を限定するものではない。As the substrate (1), any substrate can be used as long as it has an insulating property and a heating function, and the material, constitution, etc. are not limited. The main purpose of the electrode (2) is to apply a voltage to the gas sensitive body (3) and measure its resistance.
The pattern, manufacturing method, etc. are not limited.
【００１４】ガス感応体(3) は、前記（化１）で表され
る金属酸化物からなり、構成、パターン等はいかなるも
のであってもよい。なお、２価の金属としては、Ｉｎと
スピネル構造を有する無機化合物を形成する金属であれ
ば良く、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｂａ、Ｐｂ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ等が挙げられる。また、ガス感応体の
製造方法として、スクリーン印刷やディップコート等の
熱分解法、スパッタリング法や真空蒸着法等の薄膜法が
挙げられるが、簡便さという点で熱分解法の方が好まし
い。熱分解法では、基板上に、ガス感応体形成用組成物
の被膜を形成した後、数１００℃以上の温度で焼成し、
ガス感応体を形成する。なお、ガス感応体形成用組成物
の塗布には、スクリーン印刷法、ロールコート法、ディ
ップコート法、スピンコート法等を用いることができる
が、ディップコート法、スピンコート法が好ましい。ま
た、焼成温度としては、ガス感応体形成用組成物が分解
する温度以上で、かつ基板の変形温度以下であればよ
く、４００〜７００℃が好ましい。The gas sensitive body (3) is made of the metal oxide represented by the above (Chemical formula 1), and may have any constitution, pattern, etc. Note that the divalent metal may be any metal that forms an inorganic compound having a spinel structure with In, such as Mg, Ca, Zn, Sr, Cd, Ba, Pb,
Co, Ni, Cu, etc. are mentioned. Further, examples of the method for producing the gas sensitive element include a thermal decomposition method such as screen printing and dip coating, and a thin film method such as a sputtering method and a vacuum vapor deposition method, but the thermal decomposition method is preferable in terms of simplicity. In the thermal decomposition method, after forming a film of the composition for forming a gas sensitive body on a substrate, baking is performed at a temperature of several 100 ° C. or higher,
Form a gas responsive body. A screen printing method, a roll coating method, a dip coating method, a spin coating method, or the like can be used to apply the composition for forming a gas sensitive body, and a dip coating method or a spin coating method is preferable. The firing temperature may be higher than or equal to the temperature at which the composition for forming a gas sensitive body is decomposed and lower than the deformation temperature of the substrate, and is preferably 400 to 700 ° C.
【００１５】ガス感応体形成用組成物は以下のようにし
て合成する。まず最初に、無機インジウム塩をインジウ
ムに配位可能な有機化合物と混合する。ここで、無機イ
ンジウム塩は、インジウムに配位可能な有機化合物と、
置換できるような配位子を持つものであればよい。例え
ば、硝酸インジウム、塩化インジウム、硫酸インジウム
が挙げられ、さらに結晶水を有しているものが好まし
い。また、インジウムに配位可能な有機化合物は、イン
ジウムに１部配位して、無機インジウム塩の安定化と有
機溶剤に対する溶解性をもたせるために必要であり、例
えば、β−ジケトン類、α−またはβ−ケトン酸類、前
記ケトン酸類のエステル類、α−またはβ−アミノアル
コール類が挙げられる。The composition for forming a gas sensitive body is synthesized as follows. First, an inorganic indium salt is mixed with an organic compound capable of coordinating with indium. Here, the inorganic indium salt is an organic compound capable of coordinating with indium,
Any ligand having a substitutable ligand may be used. Examples thereof include indium nitrate, indium chloride, and indium sulfate, and those having crystal water are preferable. Further, the organic compound capable of coordinating to indium is necessary for coordinating to indium in part to stabilize the inorganic indium salt and to have solubility in an organic solvent. For example, β-diketones, α- Alternatively, β-ketone acids, esters of the above ketone acids, α- or β-amino alcohols may be mentioned.
【００１６】次に、前記溶液に有機溶剤と２価の金属塩
として無機マグネシウム塩を加える。ここで、２価の金
属塩としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｂａ、
Ｐｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ等の金属塩が挙げられ、常温で
は比較的安定であるが、加熱処理により容易に加水分解
し易いものであればよい。例えば、無機塩では硝酸塩、
硫酸塩、塩化物塩、有機塩ではカルボン酸塩やジカルボ
ン酸塩が挙げられる。また、前記有機溶剤としては、本
発明で用いる有機化合物や無機化合物を溶解するもので
あればよい。例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、エタノール、イソプロパノール等のアルコール
類、酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステル類、アセ
トン、ジエチルケトン等のケトン類、メトキシエタノー
ル、エトキシエタノール等のエーテル類、テトラヒドロ
フラン等が挙げられる。Next, an organic solvent and an inorganic magnesium salt as a divalent metal salt are added to the solution. Here, as the divalent metal salt, Mg, Ca, Zn, Sr, Cd, Ba,
Examples thereof include metal salts such as Pb, Co, Ni, and Cu, which are relatively stable at room temperature, but can be easily hydrolyzed by heat treatment. For example, inorganic salts are nitrates,
Examples of sulfates, chlorides, and organic salts include carboxylates and dicarboxylates. Further, the organic solvent may be any solvent that dissolves the organic compound or the inorganic compound used in the present invention. For example, toluene, aromatic hydrocarbons such as xylene, ethanol, alcohols such as isopropanol, ethyl acetate, acetic acid esters such as butyl acetate, acetone, ketones such as diethyl ketone, methoxyethanol, ethers such as ethoxyethanol, Tetrahydrofuran etc. are mentioned.
【００１７】なお、ガス感応体のパターン化は、ディッ
プコート等の熱分解法、スパッタリング法や真空蒸着法
等の薄膜法で形成したガス感応体を、フォトリソグラフ
ィ、リフトオフもしくはレジスト印刷・硬化・エッチン
グ等で行う。The patterning of the gas sensitive body is carried out by photolithography, lift-off or resist printing / curing / etching of the gas sensitive body formed by a thermal decomposition method such as dip coating or a thin film method such as sputtering or vacuum deposition. Etc.
【００１８】以下、さらに詳細な実施例によって本発明
を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定さ
れるものではない。 実施例１ １リットルの三角フラスコに、45ｇの硝酸インジウム
（化２）を秤量し、50ｇのアセチルアセトンを加えて、
室温で混合・溶解させた。その溶液に、（化１）となる
ように秤量した各種金属Ｍの硝酸塩とアセトンと10ｇの
グリセリンを加えて、撹拌・混合し、所望のガス感応体
形成用組成物を得た。Hereinafter, the present invention will be described with reference to more detailed examples, but the present invention is not limited to these examples. Example 1 In a 1-liter Erlenmeyer flask, 45 g of indium nitrate (Chemical Formula 2) was weighed, and 50 g of acetylacetone was added,
Mix and dissolve at room temperature. To the solution were added various metal M nitrates, acetone, and 10 g of glycerin weighed so as to become (Chemical Formula 1), and the mixture was stirred and mixed to obtain a desired gas-sensitizer-forming composition.
【００１９】[0019]
【化２】 [Chemical 2]
【００２０】そのガス感応体形成用組成物を、厚さ0.4
ｍｍのアルミナ基板の上に、ディップコートにより塗布
後、600 ℃で１時間焼成し、膜厚が50nmの（化１）で表
される金属酸化物からなるガス感応体を形成した。その
基板上に、金の有機金属化合物ペ−ストをスクリーン印
刷を用いて塗布・乾燥した後、560 ℃で焼成して電極層
を形成した。次に、作製したセンサ素子を用いてオゾン
に対する応答特性を測定した。石英ガラス製測定管中に
センサ素子を固定し、ヒータによって素子温度を300 ℃
に制御して、空気と１ppm のオゾンを含む空気を交互に
センサ素子に流通接触させたときのセンサ素子抵抗変化
を測定した。空気中におけるセンサ素子抵抗をＲA 、オ
ゾンを含む空気に変えて１分後のセンサ素子抵抗をＲG1
として、ＲG1／ＲA を求めてセンサ感度とした。このよ
うにして求めた各組成のセンサが示す感度を表１に挙げ
る。The composition for forming a gas sensitizer has a thickness of 0.4
After coating by dip coating on an alumina substrate having a thickness of 10 mm, it was baked at 600 ° C. for 1 hour to form a gas sensitizer made of a metal oxide represented by (Chemical Formula 1) and having a thickness of 50 nm. A gold organometallic compound paste was applied onto the substrate by screen printing, dried, and then baked at 560 ° C. to form an electrode layer. Next, the prepared sensor element was used to measure the response characteristics to ozone. The sensor element is fixed in a quartz glass measuring tube, and the element temperature is set to 300 ° C with a heater.
Control was performed to measure the resistance change of the sensor element when air and air containing 1 ppm of ozone were alternately brought into flow contact with the sensor element. The sensor element resistance in air R A, a change to the air sensor element resistance after 1 minute comprising ozone R G1
As a result, R G1 / R A was obtained and used as the sensor sensitivity. Table 1 shows the sensitivities of the sensors of the respective compositions thus obtained.
【００２１】[0021]
【表１】 [Table 1]
【００２２】実施例２ 厚さ0.4 ｍｍのアルミナ基板の上に、金の有機金属化合
物ペ−ストをスクリーン印刷を用いて塗布・乾燥した
後、800 ℃で焼成して電極層を形成した。次に、その基
板上にウレタンアクリレートと有機ビヒクルと有機溶剤
からなるマスキングインクを、スクリーン印刷により塗
布し、紫外線で硬化させた。さらに、スピンコートによ
り、ガス感応体形成用組成物の被膜を形成し、650 ℃で
１時間焼成し、膜厚が60nmの下記（化３）で表される金
属酸化物からなるガス感応体を形成した。Example 2 On an alumina substrate having a thickness of 0.4 mm, a gold organometallic compound paste was applied by screen printing and dried, and then baked at 800 ° C. to form an electrode layer. Next, a masking ink consisting of urethane acrylate, an organic vehicle and an organic solvent was applied on the substrate by screen printing and cured by ultraviolet rays. Furthermore, a film of the composition for forming a gas sensitive body is formed by spin coating, and baked at 650 ° C. for 1 hour to obtain a gas sensitive body made of a metal oxide represented by the following (Chemical Formula 3) and having a film thickness of 60 nm. Formed.
【００２３】[0023]
【化３】 （ただしｘ：酸素欠陥量で０≦ｘ＜４）[Chemical 3] (However, x: oxygen deficiency amount 0 ≦ x <4)
【００２４】なお、他の測定条件は実施例１に同じにし
た。また、センサ感度（ＲG1／ＲA）は2.7 であった。 実施例３ 厚さ0.4 ｍｍのアルミナ基板の上に、金の有機金属化合
物ペ−ストをスクリーン印刷を用いて塗布・乾燥した
後、800 ℃で焼成して電極層を形成した。その上にスパ
ッタ法により、膜厚が60nmの（化３）で表される金属酸
化物からなるガス感応体を形成し、フォトリソグラフィ
によりパターン形成した。他の測定条件は実施例１に同
じにした。なお、センサ感度（ＲG1／ＲA ）は2.6 であ
った。The other measurement conditions were the same as in Example 1. The sensor sensitivity (R G1 / R A ) was 2.7. Example 3 On an alumina substrate having a thickness of 0.4 mm, a gold organometallic compound paste was applied by screen printing and dried, and then baked at 800 ° C. to form an electrode layer. A gas sensitive body made of a metal oxide represented by (Chemical Formula 3) having a film thickness of 60 nm was formed thereon by a sputtering method, and patterned by photolithography. The other measurement conditions were the same as in Example 1. The sensor sensitivity (R G1 / R A ) was 2.6.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明は小型軽量かつ安価でかつガス検
知特性に優れ、オゾン発生機やオゾン利用機器における
オゾン濃度制御、あるいはオゾン検知等の用途に適する
オゾンセンサを与えるものである。Industrial Applicability The present invention provides an ozone sensor that is small, lightweight, inexpensive, and excellent in gas detection characteristics, and is suitable for ozone concentration control in ozone generators and ozone utilizing equipment, or for ozone detection.
【図１】本発明のオゾンセンサの一実施例を示す概略断
面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of an ozone sensor of the present invention.
【図２】従来の半導体式ガスセンサの概略断面図であ
る。FIG. 2 is a schematic sectional view of a conventional semiconductor gas sensor.
１ 基板 ２ 電極 ３ ガス感応体 1 substrate 2 electrode 3 gas sensor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉池 信幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Nobuyuki Yoshiike 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Claims (2)
ンを検出するオゾンセンサであって、ガス感応体が下記
（化１）で表される金属酸化物またはアルカリ土類金属
から選ばれる少なくとも一つの化合物を主成分とするこ
とを特徴とするオゾンセンサ。 【化１】 1. An ozone sensor for detecting ozone by a change in electric resistance of a sensor element, wherein the gas sensitive body is at least one selected from metal oxides or alkaline earth metals represented by the following (Chemical formula 1). An ozone sensor comprising a compound as a main component. [Chemical 1]
の金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンが、Ｍｇ、
Ｃａ、Ｚｎ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕからなる群から選ばれる請求項１に記載のオゾンセン
サ。2. The divalent metal ion or alkaline earth metal ion in the metal oxide represented by the chemical formula 1 is Mg,
Ca, Zn, Sr, Cd, Ba, Pb, Co, Ni, C
The ozone sensor according to claim 1, which is selected from the group consisting of u.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23566792A JPH0682409A (en) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | Ozone sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23566792A JPH0682409A (en) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | Ozone sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0682409A true JPH0682409A (en) | 1994-03-22 |
Family
ID=16989420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23566792A Pending JPH0682409A (en) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | Ozone sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682409A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835356B2 (en) | 2000-03-03 | 2004-12-28 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Ozone purifying apparatus for vehicle |
| KR100475743B1 (en) * | 2002-02-16 | 2005-03-15 | 유광수 | In2O3 Thin-film O3 Gas Sensors Using R.F. Magnetron Sputtering and Their Fabrication Method |
| CN114577862A (en) * | 2022-02-16 | 2022-06-03 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | Ozone gas sensor and preparation method and application thereof |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP23566792A patent/JPH0682409A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835356B2 (en) | 2000-03-03 | 2004-12-28 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Ozone purifying apparatus for vehicle |
| KR100475743B1 (en) * | 2002-02-16 | 2005-03-15 | 유광수 | In2O3 Thin-film O3 Gas Sensors Using R.F. Magnetron Sputtering and Their Fabrication Method |
| CN114577862A (en) * | 2022-02-16 | 2022-06-03 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | Ozone gas sensor and preparation method and application thereof |
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