JPH0681418B2 - Overdrive protection circuit for load drive - Google Patents

Overdrive protection circuit for load drive

Info

Publication number
JPH0681418B2
JPH0681418B2 JP10088288A JP10088288A JPH0681418B2 JP H0681418 B2 JPH0681418 B2 JP H0681418B2 JP 10088288 A JP10088288 A JP 10088288A JP 10088288 A JP10088288 A JP 10088288A JP H0681418 B2 JPH0681418 B2 JP H0681418B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
power supply
limiting
transistor
output terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP10088288A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH01270733A (en
Inventor
和明 室田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Ten Ltd
Original Assignee
Denso Ten Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Ten Ltd filed Critical Denso Ten Ltd
Priority to JP10088288A priority Critical patent/JPH0681418B2/en
Publication of JPH01270733A publication Critical patent/JPH01270733A/en
Publication of JPH0681418B2 publication Critical patent/JPH0681418B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、たとえば車両に搭載された各種ランプ類など
の負荷を駆動する装置を過電圧から保護するための回路
に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit for protecting a device for driving a load such as various kinds of lamps mounted on a vehicle from overvoltage.

従来の技術 たとえば車載用電子機器では、排気温やドアの開閉状態
などに関する各種検知装置の出力に基づいて、各種警報
ランプを点灯させるなどの機能を有する駆動用集積回路
が広く用いられている。このような駆動用集積回路は、
出力された信号が正規のレベルの信号であるか否かを比
較判定する比較部を含む入力段と、駆動用の制御信号に
基づいて実際のランプ負荷を駆動する出力段とを含んで
いる。
2. Description of the Related Art For example, in a vehicle-mounted electronic device, a driving integrated circuit having a function of turning on various alarm lamps based on outputs of various detection devices regarding exhaust temperature, a door open / closed state, and the like is widely used. Such a driving integrated circuit is
It includes an input stage that includes a comparison unit that determines whether or not the output signal is a signal of a normal level, and an output stage that drives an actual lamp load based on a drive control signal.

第14図は、典型的な従来技術の駆動用集積回路(以下、
駆動回路と略す)1に関する構成を示すブロツク図であ
る。第14図を参照して、本第1従来例について説明す
る。第1従来例では、駆動回路1は出力端子2が抵抗3
を介して負荷4に接続され、この負荷4はバツテリなど
の電源5とスイツチ6を介して接続された電源ライン7
に接続される。また電源ライン7にはプルダウン抵抗8
を介して駆動回路1の電源端子(+B)9が接続され
る。
FIG. 14 shows a typical prior art driving integrated circuit (hereinafter,
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration regarding a drive circuit (abbreviated as 1). The first conventional example will be described with reference to FIG. In the first conventional example, the output terminal 2 of the drive circuit 1 is the resistor 3
Is connected to a load 4 via a power line 5 connected to a power source 5 such as a battery via a switch 6.
Connected to. In addition, the power line 7 has a pull-down resistor 8
The power supply terminal (+ B) 9 of the drive circuit 1 is connected via the.

駆動回路1は電源端子9から駆動電力が供給される比較
器10と、ダーリントン接続されたトランジスタ11,12と
を含んで構成される。比較器10の反転入力端子と非反転
入力端子のいずれか一方には基準電圧が接続され、他方
入力端子には上述した各種センサ類などからの信号が入
力され、該入力信号が適正レベルであるか否かを判断す
る。
The drive circuit 1 is configured to include a comparator 10 to which drive power is supplied from a power supply terminal 9, and Darlington-connected transistors 11 and 12. A reference voltage is connected to one of the inverting input terminal and the non-inverting input terminal of the comparator 10, and signals from the above-mentioned various sensors are input to the other input terminal, and the input signal is at an appropriate level. Determine whether or not.

第15図は、第2の従来例の構成を示すブロツク図であ
る。該従来例は第1従来例に類似し、対応する部分には
同一の参照符を付す。本従来例では駆動回路1の電源端
子9に電源5からの電圧(+B)を安定化する安定器13
からの出力Vccが供給される。
FIG. 15 is a block diagram showing the configuration of the second conventional example. The conventional example is similar to the first conventional example, and corresponding parts are designated by the same reference numerals. In this conventional example, a ballast 13 that stabilizes the voltage (+ B) from the power supply 5 to the power supply terminal 9 of the drive circuit 1
The output Vcc from is supplied.

すなわち車載用の電子機器には、電源電圧として+B系
電源(電圧値は車両の種類によつて各種、一例として12
V)と、前記Vcc系電源(5Vまたは8V)との2系統の電源
があり、上述の第14図または第15図のような構成が用い
られる。このような構成において+B系電源には正極性
サージが発生する場合があり、これにより駆動回路1が
破壊される事態を防ぐために、第14図示および第15図示
のいずれの種類であつても、過電圧保護機能を持たせる
必要がある。
That is, the + B system power supply is used as the power supply voltage for the in-vehicle electronic devices (the voltage value varies depending on the type of vehicle, for example, 12
V) and the Vcc system power supply (5V or 8V), and there are two systems of power supply, and the configuration shown in FIG. 14 or FIG. 15 is used. In such a configuration, a positive polarity surge may occur in the + B system power supply, and in order to prevent the situation where the drive circuit 1 is destroyed by this, in any of the types shown in FIGS. 14 and 15, It is necessary to have an overvoltage protection function.

すなわち前記+B系電源における正極性サージに対する
制御装置(ECU)の耐性についてJIS(日本工業規格)で
「最大110V、持続時間0.188秒の正極性サージ電圧が印
加されても破壊されてはならない」(ロードダンプ試
験)旨が規定されている。一方、車載用集積回路の耐圧
はVCEO=40〜60Vである。したがつて前記集積回路の電
源端子(Vcc端子を想定する)を直接+B電源に接続す
ると、上記サージ電圧の場合には集積回路は破壊されて
しまう。
That is, with respect to the resistance of the control device (ECU) to the positive surge in the + B power supply, JIS (Japanese Industrial Standards) states that "a positive surge voltage with a maximum of 110 V and a duration of 0.188 seconds must not be destroyed." Load dump test) is specified. On the other hand, the breakdown voltage of the in-vehicle integrated circuit is V CEO = 40-60V. Therefore, if the power supply terminal (assuming the Vcc terminal) of the integrated circuit is directly connected to the + B power supply, the integrated circuit will be destroyed in the case of the surge voltage.

また集積回路の出力端子に接続されるランプ負荷を、直
接+B電源にプルアツプして使用すると、出力遮断時に
は出力トランジスタは破壊されてしまう。また、たとえ
ば普通乗用車の+B電源(約12V)が「あがつた」状態
で、たとえばトラツクなどの電源(約24V)で充電する
場合も想定され、保護のための後述するクランプ電圧は
26V以上に選ばれる。
If the lamp load connected to the output terminal of the integrated circuit is directly pulled up to the + B power source and used, the output transistor will be destroyed when the output is cut off. In addition, for example, it is assumed that the + B power supply (about 12V) of an ordinary passenger car is charged with the power supply (about 24V), such as a truck, in a state of "attractive".
Selected for 26V or higher.

第16図は、このような要望に沿う第3の従来例の構成を
示す電器回路図である。本従来例は第14図示の構成にお
いて、比較器10の出力端子すなわちトランジスタ11のベ
ースと、電源端子9との間にツエナダイオードから成る
動作電圧約27Vのクランプ回路14を設けている。
FIG. 16 is an electric circuit diagram showing a configuration of a third conventional example which meets such a demand. In the conventional example, in the configuration shown in FIG. 14, a clamp circuit 14 having a working voltage of about 27 V, which is composed of a Zener diode, is provided between the output terminal of the comparator 10, that is, the base of the transistor 11 and the power supply terminal 9.

このような構成において、電源ライン7がクランプ回路
14において予め設定される制限電圧を超えた過電圧とな
つた場合、クランプ回路14によつて電源端子9の電位か
前記制限電圧に保たれる。一方、トランジスタ11,12が
導通状態となり負荷4を接地状態とし、トランジスタ12
の大電圧による破壊を防止する。
In such a configuration, the power supply line 7 is a clamp circuit.
When the overvoltage exceeds the preset limit voltage in 14, the clamp circuit 14 keeps the potential of the power supply terminal 9 or the limit voltage. On the other hand, the transistors 11 and 12 become conductive and the load 4 is grounded.
To prevent damage due to high voltage.

しかしながらこのような構成において、車両などでは負
荷4は駆動回路1から離れた距離に配置され、比較的長
い配線が引き回されることになる。したがつて電源ライ
ン7にサージ電圧が発生した場合、電源端子9が出力端
子2よりも先に電圧レベルが上昇するとは限らず、出力
端子2の方が先に電位が上昇する場合がある。このよう
な場合には、クランプ回路14の作用によるトランジスタ
11,12の導通状態への切換えが間に合わず、サージ電圧
によつてトランジスタ11,12がブレークダウン破壊され
てしまうという問題点がある。
However, in such a configuration, in a vehicle or the like, the load 4 is arranged at a distance from the drive circuit 1, and a relatively long wiring is routed. Therefore, when a surge voltage occurs in the power supply line 7, the voltage level of the power supply terminal 9 does not always rise before the output terminal 2, and the potential of the output terminal 2 may rise first. In such a case, the transistor due to the action of the clamp circuit 14
There is a problem that the transistors 11 and 12 are broken down due to the surge voltage because the switching to the conductive state of the transistors 11 and 12 cannot be made in time.

第17図は、このような課題を解決しようとする第4の従
来例の構成を示すブロツク図である。本従来例では出力
端子2と電源端子9との間に、出力端子2側から抵抗1
5、ダイオード16およびトランジスタ17を設けるように
した。ダイオード16は抵抗15側をアノードとし、トラン
ジスタ17は残余のトランジスタ11,12がNPNトランジスタ
であるのに対し、PNPトランジスタとして構成した。
FIG. 17 is a block diagram showing the configuration of a fourth conventional example which attempts to solve such a problem. In this conventional example, a resistor 1 is placed between the output terminal 2 and the power supply terminal 9 from the output terminal 2 side.
5, the diode 16 and the transistor 17 are provided. The diode 16 has a resistor 15 side as an anode, and the transistor 17 is a PNP transistor while the remaining transistors 11 and 12 are NPN transistors.

このような構成とすることにより出力端子2に過電圧が
発生し、電源端子9に過電圧が発生していない状態で
は、出力端子2における過電圧によつて電源端子(Vcc
端子)の電圧(約13V)との電位差が増大し、トランジ
スタ17が導通してトランジスタ11のベース電位を上昇す
る。これによりトランジスタ11,12が導通し、出力端子
2はローレベルとなる。このレベルは前記クランプ回路
14によつてVcc電圧13Vにクランプされる。すなわち出力
端子2の電位を、前述したような比較的低レベルに保持
することにより、トランジスタ11,12の破壊が防がれる
ようにしている。
With such a configuration, when an overvoltage is generated at the output terminal 2 and no overvoltage is generated at the power supply terminal 9, the overvoltage at the output terminal 2 causes the power supply terminal (Vcc
The potential difference from the voltage of the terminal (about 13 V) increases, and the transistor 17 becomes conductive to raise the base potential of the transistor 11. As a result, the transistors 11 and 12 become conductive, and the output terminal 2 becomes low level. This level is the same as the clamp circuit
14 clamps the Vcc voltage to 13V. That is, by holding the potential of the output terminal 2 at a relatively low level as described above, destruction of the transistors 11 and 12 can be prevented.

しかしながらこのような従来技術の構成では、電源端子
9にVcc電源を供給した場合、トランジスタ17の電位がV
cc電圧となり、トランジスタ17は常時導通状態となつて
しまう。これによりトランジスタ11,12が導通し負荷4
には電流が流れ、ランプなどが常時点灯するなどの誤動
作となる。
However, in such a configuration of the related art, when Vcc power is supplied to the power supply terminal 9, the potential of the transistor 17 becomes V
The cc voltage is applied, and the transistor 17 is always turned on. As a result, the transistors 11 and 12 are turned on and the load 4
A current will flow through this, causing malfunctions such as the lamp being constantly lit.

したがつて電源端子9を上述したVcc系電源または+B
系電源のいずれでも使用しようとする場合、第18図示の
ような構成にする必要がある。
Therefore, the power supply terminal 9 is connected to the above-mentioned Vcc power supply or + B.
When using any of the system power supplies, it is necessary to have a configuration as shown in FIG.

このような課題を解決しようとする他の従来技術とし
て、第18図示の構成が挙げられる。この従来例では、電
源端子9と出力端子2とにおける電位をクランプする構
成として、クランプ回路14,18を別個に設けるようにし
ている。これにより電源端子9および出力端子2のいず
れの側から過電圧が印加されても、各端子9,2の予め定
める一定レベルにクランプすることができる。また電源
端子9にVcc電圧を印加した場合でも、トランジスタ17
が常時導通状態となる事態を避けることができる。
As another conventional technique for solving such a problem, there is a configuration shown in FIG. In this conventional example, the clamp circuits 14 and 18 are separately provided so as to clamp the potentials at the power supply terminal 9 and the output terminal 2. As a result, even if an overvoltage is applied from either side of the power supply terminal 9 and the output terminal 2, the terminals 9 and 2 can be clamped to a predetermined constant level. Even if the Vcc voltage is applied to the power supply terminal 9, the transistor 17
It is possible to avoid a situation where is always on.

しかしながらこのような従来技術では、出力端子2側に
過電圧が発生した場合、トランジスタ17のベース電位は
クランプ回路18を構成するツエナダイオード4個分の電
圧にクランプされ、したがつて出力端子2の電位もこれ
に対応する電圧(約30V)で安定する。これにより出力
端子2はローレベルに切換えられず、トランジスタ11,1
2の消費電力は大きくなり、熱破壊をもたらす事態とな
る。
However, in such a conventional technique, when an overvoltage occurs on the output terminal 2 side, the base potential of the transistor 17 is clamped to the voltage of four Zener diodes forming the clamp circuit 18, and therefore the potential of the output terminal 2 is increased. Is stable at the corresponding voltage (about 30V). As a result, the output terminal 2 cannot be switched to the low level and the transistors 11,1
The power consumption of 2 becomes large and it causes a thermal destruction.

すなわちこのような事態は第19図に示されるように、車
載用駆動集積回路では通常、負荷4は+B電源にプルア
ツプされて使用される。したがつて+B電源にピーク時
で110V程度の正極性サージ電圧が発生した場合、トラン
ジスタ11,12にクランプ回路18によつてクランプされる
電圧(30V)が印加されており、またピーク電圧によつ
て大電流が流れるため、トランジスタ11,12で消費され
る電力が大きくなるので、これらのトランジスタがブレ
ークダウン破壊を起こしてしまう。
That is, in such a situation, as shown in FIG. 19, the load 4 is normally used by being pulled up to the + B power source in the vehicle-mounted drive integrated circuit. Therefore, when a positive surge voltage of about 110V is generated at the peak time on the + B power supply, the voltage (30V) clamped by the clamp circuit 18 is applied to the transistors 11 and 12, and the peak voltage causes Since a large amount of current flows, the power consumed by the transistors 11 and 12 increases, causing breakdown breakdown in these transistors.

発明が解決しようとする課題 上述したような各従来技術では、駆動回路1の出力段を
構成するトランジスタ11,12について、出力端子2に過
電圧が発生した場合に、その破壊を防ぐことができない
という課題を生じるとともに、熱破壊を防ごうとした場
合に駆動回路1の電源にVcc系と+B系のいずれをも使
用するようにできないという問題点があつた。
DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention In each of the above-mentioned conventional techniques, it is impossible to prevent destruction of the transistors 11 and 12 forming the output stage of the drive circuit 1 when an overvoltage occurs at the output terminal 2. In addition to the problem, there is a problem that neither Vcc system nor + B system can be used as the power source of the drive circuit 1 in order to prevent thermal destruction.

本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、駆動装置
において過電圧が発生した場合に、その熱破壊を防止
し、かつ負荷駆動回路の電源を、第1電源電圧とこれと
異なる第2電源電圧とのいずれでも用いることができる
ようにした負荷駆動装置の過電圧保護回路を提供するこ
とである。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problem, to prevent thermal destruction when an overvoltage occurs in a driving device, and to set a power source of a load driving circuit to a second power source different from the first power source voltage. It is an object of the present invention to provide an overvoltage protection circuit for a load driving device that can be used with any of the power supply voltage.

課題を解決するための手段 本発明は、一方端が第1電源電圧に接続された負荷の他
方端と接地電位との間に介在される半導体スイツチング
手段を含む出力段と、 第1電源電圧と異なる第2電源電圧が入力され、これを
予め定める第1制限電圧に制限するとともに、該制限時
には半導体スイツチング手段を導通状態に制御する第1
電圧制限手段と、 前記出力段に並列に設けられ、半導体スイツチング手段
の駆動電圧を第2制限電圧に制限する第2電圧制限手段
と、 第2電圧制限手段に設けられ、第1電源電圧が第2制限
電圧を上回つたとき、前記駆動電圧を第2制限電圧より
も低い第3制限電圧に切換えて制限する切換制限手段と
を含むことを特徴とする負荷駆動装置の過電圧保護回路
である。
Means for Solving the Problems The present invention provides an output stage including a semiconductor switching means interposed between the other end of a load having one end connected to a first power supply voltage and a ground potential, and a first power supply voltage. A different second power supply voltage is input and is limited to a predetermined first limiting voltage, and at the time of the limitation, the semiconductor switching means is controlled to be conductive.
Voltage limiting means, second voltage limiting means provided in parallel with the output stage for limiting the drive voltage of the semiconductor switching means to a second limiting voltage, and second voltage limiting means provided with the first power supply voltage. An overvoltage protection circuit for a load driving device, comprising: switching limiting means for switching and limiting the drive voltage to a third limit voltage lower than the second limit voltage when the voltage exceeds the two limit voltage.

さらに本発明は、一方端が第1電源電圧に接続された負
荷の他方端と接地電位との間に介在される半導体スイツ
チング手段を含む出力段と、 第1電源電圧と異なる第2電源電圧が入力され、これを
予め定める第1制限電圧に制限するとともに、該制限時
には半導体スイツチング手段を導通状態に制御する第1
電圧制限手段と、 前記出力段に並列に設けられ、半導体スイツチング手段
の駆動電圧を第2制限電圧に制限する第2電圧制限手段
と、 出力段に設けられ、第1電源電圧または第2電源電圧ま
たは出力段の少なくともいずれかに第2制限電圧を上回
る過電圧が発生したとき、これを検出して前記半導体ス
イツチング手段を導通状態に切換える切換駆動手段とを
含むことを特徴とする負荷駆動装置の過電圧保護回路で
ある。
Further, according to the present invention, an output stage including a semiconductor switching means interposed between the other end of a load having one end connected to the first power supply voltage and the ground potential, and a second power supply voltage different from the first power supply voltage are provided. A first limiting voltage which is inputted and is limited to a predetermined first limiting voltage, and at the time of the limitation, the semiconductor switching means is controlled to be in a conducting state.
Voltage limiting means, second voltage limiting means provided in parallel with the output stage for limiting the drive voltage of the semiconductor switching means to a second limiting voltage, and the first power source voltage or the second power source voltage provided in the output stage. Or an overvoltage of the load driving device, comprising: when at least one of the output stages an overvoltage exceeding the second limit voltage is generated, a switching drive means for detecting the overvoltage and switching the semiconductor switching means to a conductive state. It is a protection circuit.

作用 本発明に従えば、第1電源電圧が第2制限電圧を上回つ
たとき、該第1電源電圧を制限する第2電圧制御手段に
よる出力段の半導体スイツチング手段の駆動電圧を、前
記第2制限電圧よりも低い第3制限電圧に切換制限手段
によつて切換え制限する。この第3制限電圧を半導体ス
イツチング手段が破壊されない程度に選べば、このよう
な場合における半導体スイツチング手段の熱破壊を防止
することができる。また第1電圧制限手段に入力される
第2電源電圧は、予め定められる第1制限電圧に制限さ
れる。第2電源電圧が上昇して第1制限電圧を上回る
と、第1電圧制限手段は半導体スイツチング手段を導通
状態に制御する。これにより負荷駆動装置は、上記第1
電源電圧および第2電源電圧がそれぞれ過電圧となつた
場合であつても、保護されることになる。
According to the present invention, when the first power supply voltage exceeds the second limit voltage, the drive voltage of the semiconductor switching means of the output stage by the second voltage control means for limiting the first power supply voltage is set to the second voltage. The switching limiting means limits switching to a third limiting voltage lower than the limiting voltage. If the third limiting voltage is selected to such an extent that the semiconductor switching means is not destroyed, thermal destruction of the semiconductor switching means in such a case can be prevented. Further, the second power supply voltage input to the first voltage limiting means is limited to the predetermined first limiting voltage. When the second power supply voltage rises and exceeds the first limit voltage, the first voltage limit means controls the semiconductor switching means to the conductive state. As a result, the load driving device is
Even when the power supply voltage and the second power supply voltage are overvoltages, respectively, they are protected.

さらに本発明では、第1電源電圧または第2電源電圧ま
たは出力段のいずれかに第2制御電圧を上回わる過電圧
が発生したとき、切換駆動手段はこの過電圧を検出して
半導体スイツチング手段を導通状態に切換えるようにし
てもよい。これによつてもやはり負荷駆動装置の過電圧
からの保護が図られる。
Further, according to the present invention, when an overvoltage exceeding the second control voltage occurs in either the first power supply voltage or the second power supply voltage or the output stage, the switching drive means detects this overvoltage and conducts the semiconductor switching means. You may make it switch to a state. This also protects the load driving device from overvoltage.

実施例 第1図は本発明の一実施例の基本的な構成を示すブロツ
ク図であり、第2図は第1図の構成例を示す電気回路図
である。第1図および第2図を参照して、本実施例の構
成について説明する。たとえば車両の計器盤などに配置
される各種警報灯などの負荷21は、これを点灯する集積
回路素子などによつて実現される負荷駆動装置である駆
動回路22の出力端子23に抵抗24を介して接続される。こ
のような負荷21は、従来技術の項で説明したような+B
系電源の電源ライン25に接続される。電源ライン25は抵
抗26を介して駆動回路22の電源端子27に接続される。
Embodiment FIG. 1 is a block diagram showing the basic construction of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an electric circuit diagram showing the construction of FIG. The configuration of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. For example, a load 21 such as various warning lights arranged on a vehicle instrument panel or the like is connected via a resistor 24 to an output terminal 23 of a drive circuit 22 which is a load driving device realized by an integrated circuit element or the like that lights this. Connected. Such a load 21 is + B as described in the section of the prior art.
It is connected to the power supply line 25 of the system power supply. The power supply line 25 is connected to the power supply terminal 27 of the drive circuit 22 via the resistor 26.

駆動回路22には入力端子28,29が設けられており、入力
端子28,29のいずれか一方には各種センサなどからの信
号が入力され、他方入力端子には基準電圧が与えられ、
比較器30で比較されて前記信号レベルが正規のレベルで
あるか否かを弁別する。この比較器30には前記電源端子
27からの電源Vccが与えられる。
The drive circuit 22 is provided with input terminals 28 and 29, one of the input terminals 28 and 29 receives signals from various sensors, and the other input terminal receives a reference voltage.
The comparator 30 compares the signal levels to determine whether the signal level is a normal level. This comparator 30 has the power supply terminal
Power supply Vcc from 27 is given.

比較器30の出力は出力段31を構成するトランジスタ32の
ベースに入力され、トランジスタ32のコレクタは出力端
子23に接続され、エミツタはトランジスタ33のベースに
接続される。トランジスタ33のコレクタはトランジスタ
32のコレクタに接続され、エミツタは接地される。電源
端子27と比較器30の出力段との間には、後述するような
構成を第1電圧制限手段34が接続され、出力端子23とト
ランジスタ32のベースとの間には第2電圧制限手段35が
接続される。
The output of the comparator 30 is input to the base of the transistor 32 that constitutes the output stage 31, the collector of the transistor 32 is connected to the output terminal 23, and the emitter is connected to the base of the transistor 33. The collector of transistor 33 is a transistor
Connected to 32 collectors, the emitter is grounded. A first voltage limiting means 34 having a configuration described later is connected between the power supply terminal 27 and the output stage of the comparator 30, and a second voltage limiting means is provided between the output terminal 23 and the base of the transistor 32. 35 is connected.

前記第1電圧制限手段34は、第2図に示されるようにた
とえば動作電圧6.7VのツエナダイオードD1,D2,D3,D4が
それぞれ接続された構成である。また第2電圧制限手段
35は出力端子23と抵抗36を介して接続され、抵抗36に各
エミツタが接続されたトランジスタ37,38を含んでい
る。各トランジスタ37,38のベースはライン39で共通に
接続され、トランジスタ37のコレクタは抵抗40を介し
て、トランジスタ38のコレクタは直接に、比較器30の出
力段とトランジスタ32のベースとを接続するライン41に
接続される。
As shown in FIG. 2, the first voltage limiting means 34 has a structure in which Zener diodes D1, D2, D3, D4 having an operating voltage of 6.7 V are connected, for example. Second voltage limiting means
The numeral 35 includes transistors 37 and 38 which are connected to the output terminal 23 through a resistor 36 and each resistor is connected to the resistor 36. The bases of the transistors 37 and 38 are commonly connected by a line 39, the collector of the transistor 37 is directly connected to the output stage of the comparator 30 and the base of the transistor 32 via the resistor 40. Connected to line 41.

ライン39,40間にはたとえば動作電圧6.7Vのツエナダイ
オードD5,D6,D7,D8がライン40側をアノードとして直列
に接続される。またツエナダイオードD5,D6の間には、
たとえば動作電圧5.4VのツエナダイオードD11,D12が、
ツエナダイオードD5側をカソードとして直列に接続さ
れ、ツエナダイオードD12のアノードはトランジスタ42
のコレクタに接続されそのエミツタはライン41に接続さ
れる。またベースはトランジスタ37のコレクタに接続さ
れる。上記ツエナダイオードD11,D12およびトランジス
タ42が第1電圧制限手段を構成する。
Zener diodes D5, D6, D7 and D8 having an operating voltage of 6.7 V are connected in series between the lines 39 and 40 with the line 40 side serving as an anode. In addition, between Zener diodes D5 and D6,
For example, Zener diodes D11 and D12 with operating voltage 5.4V are
The Zener diode D5 side is connected in series with the cathode as the cathode, and the anode of the Zener diode D12 is the transistor 42.
And the emitter is connected to line 41. The base is connected to the collector of the transistor 37. The Zener diodes D11 and D12 and the transistor 42 form a first voltage limiting means.

第3図〜第8図は、本実施例の駆動回路22の動作を模式
的に示す図およびグラフである。これらの図面を併せて
参照して、本実施例について説明する。
3 to 8 are diagrams and graphs schematically showing the operation of the drive circuit 22 of this embodiment. The present embodiment will be described with reference to these drawings as well.

通常状態 電源端子27に電圧Vccが印加され、電源ライン25の+B
に電源が正規に接続されている場合、第1および第2電
圧制限手段34,35は動作せず、出力段31の動作は比較器3
0の出力によつて決定される。すなわち比較器30の出力
がハイレベルまたはローレベルである場合、トランジス
タ32,33はそれぞれ導通/遮断状態であり、負荷21はた
とえば点灯/消灯する。
Normal state Voltage Vcc is applied to power supply terminal 27 and + B of power supply line 25
When the power supply is properly connected to the first and second voltage limiting means 34 and 35, the output stage 31 operates in the comparator 3
It is determined by the output of 0. That is, when the output of the comparator 30 is at a high level or a low level, the transistors 32 and 33 are in a conductive / cutoff state, and the load 21 is turned on / off, for example.

電源端子27の過電圧時 電源端子27に最大110Vに達するサージ電圧が流入しよう
とする場合を説明する。第5図において、横軸は該サー
ジ電圧であり縦軸は電源端子27の電位である。サージ電
圧の流入によつて電源端子27の電位が第4図ライン1
に示されるように上昇していき、第1電圧制限手段34を
構成するツエナダイオードD1〜D4によつて設定される第
1制限電圧すなわち直列接続されたツエナダイオードD1
〜D4によつて定まる動作電圧たとえば約27Vに到達する
と、第1電圧制限手段34が動作し、電源端子27は前記第
1制限電圧に維持される。
At the time of overvoltage of the power supply terminal 27, the case where a surge voltage of up to 110V is about to flow into the power supply terminal 27 will be described. In FIG. 5, the horizontal axis is the surge voltage and the vertical axis is the potential of the power supply terminal 27. Due to the surge voltage inflow, the potential of the power supply terminal 27 is changed to line 1 in Fig. 4.
As shown in FIG. 1, the first limit voltage set by the zener diodes D1 to D4 constituting the first voltage limiting means 34, that is, the zener diodes D1 connected in series are increased.
When the operating voltage determined by D4 to D4 reaches, for example, about 27V, the first voltage limiting means 34 operates and the power supply terminal 27 is maintained at the first limiting voltage.

このとき第1電圧制限手段34を通過する電流によつてト
ランジスタ32に電荷が注入され、トランジスタ32にした
がつてトランジスタ33は導通し、第4図において出力端
子23のレベルを示すラインl2の時刻t1における変化のよ
うに、出力端子23はローレベルに切換えられる。
At this time, the electric charge is injected into the transistor 32 by the current passing through the first voltage limiting means 34, the transistor 33 is turned on according to the transistor 32, and the time of the line l2 showing the level of the output terminal 23 in FIG. Like the change in t1, the output terminal 23 is switched to the low level.

出力端子23の過電圧時 出力端子23にたとえば最大110Vのサージ電圧が流入する
場合を説明する。電源端子27には+B電源が接続されて
いる状態を想定する。出力端子23の電位が第8図ライン
l3で示すように上昇する場合、比較器30が動作していな
いときにはライン41はローレベルであり、トランジスタ
42は遮断されている。したがつて出力端子23のレベル
が、第8図のラインl9で示されるように、ツエナダイオ
ードD5〜D8で設定される第2制限電圧である動作電圧、
たとえば前記約27Vに到達した時刻t2でライン39はこの
レベルにクランプされ、トランジスタ37,38は導通状態
を維持する。
At the time of overvoltage of the output terminal 23 A case where a surge voltage of, for example, 110 V at maximum flows into the output terminal 23 will be described. It is assumed that the power supply terminal 27 is connected to the + B power supply. The potential of output terminal 23 is shown in Fig. 8 line
If it rises as shown by l3, line 41 is low when comparator 30 is not operating and
42 is shut off. Therefore, the level of the output terminal 23 is the operating voltage which is the second limit voltage set by the zener diodes D5 to D8, as shown by the line l9 in FIG.
For example, at the time t2 when the voltage reaches about 27V, the line 39 is clamped to this level and the transistors 37 and 38 maintain the conductive state.

これによりトランジスタ42のベースに電圧が供給され、
トランジスタ42が導通する。したがつてライン39はツエ
ナダイオードD5,D11,D12によつて基本的に規定される動
作電圧である第3制限電圧たとえば、約20V 6.7V+5.4V×2+0.7V×3=20.7V …(1) 6.7V:トランジスタD5の動作電圧 5.4V:ソエナダイオードD11,12の動作電圧 0.7V:トランジスタ42のベース・エミツタ間電圧 にクランプされることになり、第6図示のように出力端
子23の電位が低下する。これによりトランジスタ32,33
の消費電力を低減することができ、トランジスタ32,33
の熱破壊を防止することができる。
This provides a voltage to the base of transistor 42,
The transistor 42 becomes conductive. Therefore, the line 39 has a third limiting voltage which is an operating voltage basically defined by the zener diodes D5, D11, D12, for example, about 20V 6.7V + 5.4V × 2 + 0.7V × 3 = 20.7V. ) 6.7V: Operating voltage of transistor D5 5.4V: Operating voltage of soena diodes D11, 12 0.7V: The voltage is clamped to the voltage between the base and the emitter of transistor 42, and as shown in Fig. 6, output terminal 23 The potential drops. This allows transistors 32, 33
The power consumption of the transistors 32, 33 can be reduced.
It is possible to prevent the thermal destruction of the.

出力端子23の電位が、前記第3制限電圧(18V)から低
下する場合、出力端子23に流入しようとするサージ電圧
がしだいに減少しても、出力端子23は前記第3制限電圧
(約18V)でクランプされており、したがつて前記サー
ジ電圧を下つた時点トランジスタ42が遮断され、トラン
ジスタ37,38は遮断状態となる。これにより出力端子23
の電位は前記第3制限電圧より低下していくサージ電圧
に従つて低下する。
When the potential of the output terminal 23 drops from the third limit voltage (18V), the output terminal 23 keeps the third limit voltage (about 18V) even if the surge voltage which is about to flow into the output terminal 23 gradually decreases. ), So that the transistor 42 is cut off when the surge voltage is dropped, and the transistors 37 and 38 are cut off. This allows the output terminal 23
Potential decreases in accordance with the surge voltage decreasing from the third limit voltage.

電源端子27と出力端子23との過電圧 電源端子27および出力端子23の双方に最大110Vのサージ
電圧が印加される場合について説明する。第8図に示す
ようにサージ電圧がしだいに増大すると、電源端子27お
よび出力端子23の電位もこれに対応して増大する。サー
ジ電圧が前記第2制限電圧(約27V)を上回つたとき、
電源端子27においては前記第1電圧制限手段34が動作し
て、上記第項で説明したような動作を行う。出力端子
23においては上記第項で説明したような動作が行われ
る。ここで上記第項では、出力端子23はツエナダイオ
ードD5,D1,D12による第3制限電圧にクランプされた
が、本動作例では出力段31が接地電位と導通するため、
第8図に示されるように接地電位(0V)に低下する。
Overvoltage between power supply terminal 27 and output terminal 23 A case will be described in which a surge voltage of 110 V at maximum is applied to both the power supply terminal 27 and the output terminal 23. As the surge voltage gradually increases as shown in FIG. 8, the potentials of the power supply terminal 27 and the output terminal 23 correspondingly increase. When the surge voltage exceeds the second limit voltage (about 27V),
At the power supply terminal 27, the first voltage limiting means 34 operates to perform the operation described in the above section. Output terminal
At 23, the operation as described in the above section is performed. Here, in the above item, the output terminal 23 is clamped to the third limit voltage by the zener diodes D5, D1, and D12, but in the present operation example, the output stage 31 conducts to the ground potential,
As shown in FIG. 8, it drops to the ground potential (0V).

このようにして本実施例では、電源端子27および出力端
子23の少なくともいずれに過電圧が発生した場合であつ
ても、過大電流が駆動回路22に流入して破壊される事
態、とりわけ出力端子23の過大電圧による出力段31にお
けるトランジスタ32,33の熱破壊を防止することができ
る。
In this way, in the present embodiment, even when an overvoltage is generated in at least one of the power supply terminal 27 and the output terminal 23, a situation in which an excessive current flows into the drive circuit 22 and is destroyed, particularly the output terminal 23 It is possible to prevent thermal destruction of the transistors 32 and 33 in the output stage 31 due to excessive voltage.

また本実施例によれば、電源端子27にVcc電圧を供給す
るような使用法であつても、従来技術の項で述べたよう
に出力端子23が常時ローレベルとなるような事態を防ぐ
ことができ、使用性が格段に向上される。
Further, according to the present embodiment, even in the usage such that the Vcc voltage is supplied to the power supply terminal 27, it is possible to prevent the output terminal 23 from being constantly at the low level as described in the section of the prior art. It is possible to improve the usability.

第9図は、本発明の他の実施例の詳細な構成を示す電気
回路図である。第9図を参照して、本実施例について説
明する。本実施例は前述の実施例に類似し、対応する部
分には同一の参照符を付す。本実施例の構成では上記実
施例の構成に加え、電源端子27からの電源が供給される
遅延回路44を、第1電圧制限手段34と並列に設けるよう
にした。遅延回路44は前記電源端子27によつて給電され
る定電流源45を備えており、この定電流源45と接地ライ
ン46との間には、コンデンサ47が接続される。定電流源
45とコンデンサ47との接続点48は、トランジスタ49のコ
レクタに接続されるとともに、比較器50の反転入力端子
に接続される。比較器50の非反転入力端子には電源51か
ら定電圧が供給される。一方、前記トランジスタ49のエ
ミツタは接地ライン46に接続され、ベースはトランジス
タ37(マルチコレクタ形)のコレクタに接続される。
FIG. 9 is an electric circuit diagram showing a detailed structure of another embodiment of the present invention. This embodiment will be described with reference to FIG. The present embodiment is similar to the above-mentioned embodiment, and corresponding parts are designated by the same reference numerals. In the configuration of the present embodiment, in addition to the configuration of the above embodiment, a delay circuit 44 to which power is supplied from the power supply terminal 27 is provided in parallel with the first voltage limiting means 34. The delay circuit 44 includes a constant current source 45 fed by the power supply terminal 27, and a capacitor 47 is connected between the constant current source 45 and the ground line 46. Constant current source
A connection point 48 between 45 and the capacitor 47 is connected to the collector of the transistor 49 and the inverting input terminal of the comparator 50. A constant voltage is supplied from the power supply 51 to the non-inverting input terminal of the comparator 50. On the other hand, the emitter of the transistor 49 is connected to the ground line 46, and the base is connected to the collector of the transistor 37 (multi-collector type).

比較器50の出力は駆動回路52を構成するトランジスタ53
のベースに接続される。トランジスタ53のエミツタは接
地ライン46に接続され、コレクタはやはり駆動回路52を
構成するトランジスタ54のベースに接続される。トラン
ジスタ54のコレクタはやはり駆動回路52を構成するトラ
ンジスタ55のベースに接続され、トランジスタ54のエミ
ツタおよびトランジスタ55のコレクタは出力端子23に接
続される。トランジスタ55のエミツタは出力段を構成す
るトランジスタ33のベースに接続される。
The output of the comparator 50 is the transistor 53 that constitutes the drive circuit 52.
Connected to the base of. The emitter of the transistor 53 is connected to the ground line 46, and the collector is connected to the base of the transistor 54 which also constitutes the drive circuit 52. The collector of the transistor 54 is connected to the base of the transistor 55 which also constitutes the drive circuit 52, and the emitter of the transistor 54 and the collector of the transistor 55 are connected to the output terminal 23. The emitter of the transistor 55 is connected to the base of the transistor 33 forming the output stage.

一方、第2電圧制限手段35には前記トランジスタ37,39
のベースが共通接続され、これらと同一導電形式のトラ
ンジスタ56,57が設けられる。トランジスタ56,57のエミ
ツタは共通に接続され、抵抗58を介して駆動回路22の駆
動出力端子59に接続される。駆動出力端子59は抵抗60を
介して電源ライン25に接続される。トランジスタ57のコ
レクタはトランジスタ32のベースに接続され、トランジ
スタ56のコレクタはトランジスタ37のトランジスタ49に
向かうコレクタ以外の残余のコレクタとともにトランジ
スタ42のベースに接続される。
On the other hand, the transistors 37 and 39 are provided in the second voltage limiting means 35.
The bases of the transistors are commonly connected, and transistors 56 and 57 having the same conductivity type as these are provided. The emitters of the transistors 56 and 57 are commonly connected and connected to the drive output terminal 59 of the drive circuit 22 via the resistor 58. The drive output terminal 59 is connected to the power supply line 25 via the resistor 60. The collector of the transistor 57 is connected to the base of the transistor 32, and the collector of the transistor 56 is connected to the base of the transistor 42 together with the remaining collector of the transistor 37 other than towards the transistor 49.

ここでトランジスタ32,33を含んで出力段31が構成され
る。
Here, the output stage 31 is configured to include the transistors 32 and 33.

第10図〜第12図は、第9図示の構成の説明するグラフで
ある。これらの図面を併せて参照して、本実施例の動作
について説明する。
10 to 12 are graphs for explaining the configuration shown in FIG. The operation of this embodiment will be described with reference to these drawings.

電源端子27の過電圧時 第10図に示すようにサージ電圧がしだいに上昇し、した
がつて電源端子27の電圧Vccも上昇して第1電圧制限手
段34に定められた第1制限電圧(たとえば27V)に到達
するまでは、第10図ラインl4で示されるようにサージ電
圧の上昇に対応して上昇する。電源端子27の電位が前記
第1制限電圧に到達した第10図の時刻t5では、第1電圧
制限手段34が動作してトランジスタ55のベースに電荷を
注入しトランジスタ55,33を導通するように切換える。
とりわけ出力端子23のレベルは第10図ラインl5に示され
るようにローレベルに強制的に切換えられる。また電源
端子27のレベルの第1電圧制限手段34によつて、前記第
1制限電圧にクランプされることになる。
When the power supply terminal 27 is overvoltage As shown in FIG. 10, the surge voltage gradually rises, and accordingly, the voltage Vcc of the power supply terminal 27 also rises and the first limit voltage (eg 27V), the voltage rises corresponding to the surge voltage as shown by line l4 in Fig. 10. At time t5 in FIG. 10 when the potential of the power supply terminal 27 reaches the first limiting voltage, the first voltage limiting means 34 operates to inject charges into the base of the transistor 55 to make the transistors 55 and 33 conductive. Switch.
In particular, the level of the output terminal 23 is forced to switch to the low level as shown in the line 15 of FIG. Further, the level of the power supply terminal 27 is clamped to the first limit voltage by the first voltage limit means 34.

駆動出力端子59の過電圧時 第11図に示すように、駆動出力端子59に流入するサージ
電圧が上昇する場合、駆動出力端子59の出力電圧VDRも
これに従つて上昇する。電圧VDRが第2電圧制限手段35
によつて設定される第2制限電圧(たとえば27V)に到
達すると、ライン39が該電圧にクランプされてもトラン
ジスタ56,57が導通し、トランジスタ42が導通する。こ
れにより第2電圧制限手段はダイオードD6,D7による第
3制限電圧(たとえば約20V=動作電圧たとえば6.7Vの
ツエナダイオード3個分)にクランプされる。動作電圧
が前記27Vを超えた状態から減少する場合には、前記第
3制限電圧に到達したときに前記トランジスタ42は遮断
されるが、このとき駆動出力端子59のレベルは第2制限
電圧より低下するので、サージ電圧に従つたレベルが出
力する。これは第11図ラインl6に示される。
When the drive output terminal 59 is overvoltage As shown in FIG. 11, when the surge voltage flowing into the drive output terminal 59 rises, the output voltage VDR of the drive output terminal 59 also rises accordingly. The voltage VDR is the second voltage limiting means 35.
When a second limiting voltage (for example 27V) set by is reached, transistors 56 and 57 will be conductive and transistor 42 will be conductive even if line 39 is clamped to that voltage. As a result, the second voltage limiting means is clamped to the third limiting voltage (for example, about 20V = three Zener diodes having an operating voltage of, for example, 6.7V) by the diodes D6 and D7. When the operating voltage decreases from the state of exceeding 27V, the transistor 42 is cut off when the third limit voltage is reached, but at this time, the level of the drive output terminal 59 becomes lower than the second limit voltage. Therefore, the level according to the surge voltage is output. This is shown in Figure 11, line l6.

一方、サージ電圧が27Vになつた時刻t6で、トランジス
タ56,57したがつてトランジスタ32が導通し、トランジ
スタ33が導電する。これにより第11図ラインl7に示され
るように出力端子23のレベルがローレベルに切換わる。
またサージ電圧の減少時には、サージ電圧が20Vとなる
時刻t7でトランジスタ37,39:56,57が遮断され、したが
つてトランジスタ32,33も遮断され、出力端子23のレベ
ルはハイレベル(たとえば14V)となる。
On the other hand, at time t6 when the surge voltage reaches 27V, the transistors 56 and 57, and thus the transistor 32, become conductive and the transistor 33 becomes conductive. As a result, the level of the output terminal 23 is switched to the low level as shown by the line l7 in FIG.
When the surge voltage decreases, the transistors 37, 39: 56, 57 are cut off at the time t7 when the surge voltage becomes 20V, and accordingly the transistors 32, 33 are also cut off, and the level of the output terminal 23 is high (for example, 14V). ).

出力端子23の過電圧時 出力端子23においてサージ電圧が上昇する場合 前述の場合と同様にして、サージ電圧が27Vとなつたと
きに第2電圧制限手段35が動作し、トランジスタ42が導
通して出力端子23のレベルを第3電圧にクランプする。
When the surge voltage rises at the output terminal 23 when the output terminal 23 is overvoltage In the same manner as described above, when the surge voltage becomes 27V, the second voltage limiting means 35 operates and the transistor 42 conducts to output. The level of the terminal 23 is clamped to the third voltage.

一方、トランジスタ37の導通によりトランジスタ49のベ
ースにも電荷が注入され、トランジスタ49が導通する。
これにより定電流源45によつて充電されていたコンデン
サ47の電荷が急速に放電し、比較器50の出力はローレベ
ルからハイレベルに切換わる。
On the other hand, due to the conduction of the transistor 37, electric charge is also injected into the base of the transistor 49, so that the transistor 49 becomes conductive.
As a result, the electric charge of the capacitor 47 charged by the constant current source 45 is rapidly discharged, and the output of the comparator 50 switches from low level to high level.

この結果、比較器50の出力はローレベルからハイレベル
に反転し、トランジスタ53が導通しトランジスタ54も導
通する。これによりトランジスタ55,33も導通し、した
がつて出力端子23は第12図ラインl8に示されるようにロ
ーレベルに切換えられる。
As a result, the output of the comparator 50 is inverted from the low level to the high level, the transistor 53 becomes conductive and the transistor 54 becomes conductive. As a result, the transistors 55 and 33 are also turned on, and the output terminal 23 is switched to the low level as shown by the line 18 in FIG.

出力端子23がローレベルとなると、上述の各場合と同じ
くトランジスタ37,39,56,57が遮断状態となり、したが
つてトランジスタ49も遮断され、コンデンサ47には定電
流源45からの定電流によつて電荷が供給される。これに
より前記第2式に示される時間tの後に、比較器50の出
力がハイレベルからローレベルに反転し、トランジスタ
53も遮断される。これによりトランジスタ54も遮断さ
れ、出力端子23のレベルはダイオードD5〜D7によつて求
められるクランプレベルとなる。
When the output terminal 23 becomes low level, the transistors 37, 39, 56 and 57 are in the cut-off state as in the above-mentioned cases, so that the transistor 49 is also cut off and the capacitor 47 receives the constant current from the constant current source 45. Therefore, the electric charge is supplied. As a result, after the time t shown in the second equation, the output of the comparator 50 is inverted from high level to low level, and
53 is also cut off. As a result, the transistor 54 is also cut off, and the level of the output terminal 23 becomes the clamp level obtained by the diodes D5 to D7.

サージ電圧がしだいに上昇する場合を想定すると、出力
端子23のレベルが前記27V以上となり、上述したような
動作を再び行つて出力端子23のレベルをローレベルに切
換える。すなわちサージ電圧が27Vを超えて上昇する場
合には、出力端子23のレベルが前記20Vと接地電位との
間を繰返すことになる。
Assuming that the surge voltage gradually rises, the level of the output terminal 23 becomes 27 V or higher, and the operation as described above is performed again to switch the level of the output terminal 23 to the low level. That is, when the surge voltage rises above 27V, the level of the output terminal 23 repeats between 20V and the ground potential.

一方、サージ電圧が27Vを超えた状態から減少する場合
を想定する。この場合にはトランジスタ53,54,55,33が
遮断されて、出力端子23が接地電位と遮断された状態で
電位が20V以下になつたときトランジスタ42が遮断さ
れ、トランジスタ37,38,56,57が遮断状態のままにな
る。したがつて遅延回路44は動作せず、出力端子23のレ
ベルはサージ電位に対応して減少する。
On the other hand, it is assumed that the surge voltage decreases from the state where it exceeds 27V. In this case, the transistors 53, 54, 55, 33 are cut off, the transistor 42 is cut off when the potential becomes 20 V or less in the state where the output terminal 23 is cut off from the ground potential, and the transistors 37, 38, 56, 57 remains stuck. Therefore, the delay circuit 44 does not operate and the level of the output terminal 23 decreases corresponding to the surge potential.

このように上述した各実施例によれば、出力端子23、電
源端子27、駆動出力端子59のいずれに過電圧が加つた場
合であつても、これを駆動回路22が破壊されない程度の
電圧にクランプし、または接地電位に強制することがで
きる。これにより駆動回路22の過電圧または大消費電力
による熱などによる破壊が防がれる。またこの電源とし
ては、Vcc系または+B系のいずれでも用いることがで
きる。
As described above, according to each of the above-described embodiments, even when an overvoltage is applied to any of the output terminal 23, the power supply terminal 27, and the drive output terminal 59, this is clamped to a voltage at which the drive circuit 22 is not destroyed. Or can be forced to ground potential. As a result, destruction of the drive circuit 22 due to overvoltage or heat due to large power consumption can be prevented. As the power source, either Vcc system or + B system can be used.

第13図は、本発明のさらに他の構成例を示す電気回路図
である。本構成例は第9図示の構成例に類似し、対応す
る部分には同一の参照符を付す。本構成例では第1電圧
制限手段34を定電流源61、ダイオード62,63,64から構成
するようにした。また遅延回路44において比較器50を具
体的には、トランジスタ49のコレクタがベースに接続さ
れ、コレクタは電源端子27に接続されるトランジスタ65
と、トランジスタ65のベースにコレクタが接続され、ベ
ースはトランジスタ65のエミツタに接続されるトランジ
スタ66が用いられる。
FIG. 13 is an electric circuit diagram showing still another configuration example of the present invention. This configuration example is similar to the configuration example shown in FIG. 9, and corresponding parts are designated by the same reference numerals. In this configuration example, the first voltage limiting means 34 is composed of a constant current source 61 and diodes 62, 63, 64. In the delay circuit 44, the comparator 50 is specifically, a transistor 65 whose collector is connected to the base and whose collector is connected to the power supply terminal 27.
, A collector is connected to the base of the transistor 65, and a transistor 66 connected to the emitter of the transistor 65 is used as the base.

トランジスタ56のエミツタとベース間には抵抗67が介在
され、この抵抗はダイオード68および抵抗69を介して接
地ライン46に接続される。またダイオード68のカソード
はトランジスタ70のベースに接続され、トランジスタ70
のコレクタは前記第1電圧制限手段を構成するダイオー
ド64のカソードに、またエミツタは接地ライン46に接続
される。このような構成によつても上述れの動作と効果
とを同様に実現できる。
A resistor 67 is interposed between the emitter and the base of the transistor 56, and this resistor is connected to the ground line 46 via a diode 68 and a resistor 69. The cathode of the diode 68 is connected to the base of the transistor 70,
Is connected to the cathode of the diode 64 constituting the first voltage limiting means, and the emitter is connected to the ground line 46. With such a configuration, the above-described operations and effects can be similarly realized.

発明の効果 以上のように本発明に従えば、第1電源電圧が第2制限
電圧を上回つたとき、該第1電源電圧を制限する第2電
圧制限手段による出力段の半導体スイツチング手段の駆
動電圧を、前記第2制限電圧よりも低い第3制限電圧に
切換え、制限手段によつて切換え制限する。この第3制
限電圧を半導体スイツチング手段が破壊されない程度に
選べば、このような場合における半導体スイツチング手
段の熱破壊を防止することができる。また、負荷駆動装
置において、上記第1電源電圧および第2電源電圧がそ
れぞれ過電圧となつた場合であつても、保護されること
になる。
As described above, according to the present invention, when the first power source voltage exceeds the second limit voltage, the second voltage limiting means for limiting the first power source voltage drives the semiconductor switching means in the output stage. The voltage is switched to the third limiting voltage lower than the second limiting voltage, and the switching is limited by the limiting means. If the third limiting voltage is selected to such an extent that the semiconductor switching means is not destroyed, thermal destruction of the semiconductor switching means in such a case can be prevented. Further, in the load driving device, even when the first power supply voltage and the second power supply voltage are overvoltage, the load drive device is protected.

さらに本発明では、第1電源電圧または第2電源電圧ま
たは出力端のいずれかに第2制限電圧を上回わる過電圧
が発生したとき、切換駆動手段はこの過電圧を検出して
半導体スイツチング手段を導通状態に切換えるようにし
てもよい。これによつてもやはり負荷駆動装置の過電圧
からの保護が図られる。
Further, according to the present invention, when an overvoltage exceeding the second limit voltage occurs in any of the first power supply voltage or the second power supply voltage or the output terminal, the switching drive means detects this overvoltage and turns on the semiconductor switching means. You may make it switch to a state. This also protects the load driving device from overvoltage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の一実施例の構成を示すブロツク図、第
2図は第1図の構成例を示す電気回路図、第3図、第5
図、第7図は本実施例の動作状態を詳細に示すブロツク
図、第4図、第6図、第8図は本実施例の動作を説明す
るグラフ、第9図は本発明の他の実施例を説明する電気
回路図、第10図〜第12図は本実施例の動作を説明するグ
ラフ、第13図は本発明のさらに他の実施例の構成を示す
電気回路図、第14図、第15図は典型的な第1および第2
従来例を説明する電気回路図、第16図は典型的な第3の
従来技術の構成を示す電気回路図、第17図は第4の従来
例の構成を示す電気回路図、第18図は第5の従来例の構
成を示す電気回路図、第19図は問題点を説明するための
電気回路図である。 21…負荷、22…駆動回路、23…出力端子、25…電源ライ
ン、27…電源端子、31…出力段、34…第1電圧制限手
段、35…第2電圧制限手段、44…遅延回路、52…駆動回
路、59…駆動出力端子
FIG. 1 is a block diagram showing the constitution of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an electric circuit diagram showing the constitution example of FIG. 1, FIG. 3, and FIG.
FIG. 7 and FIG. 7 are block diagrams showing the operation state of this embodiment in detail, FIGS. 4, 6 and 8 are graphs for explaining the operation of this embodiment, and FIG. 9 is another of the present invention. FIG. 10 is an electric circuit diagram illustrating an embodiment, FIG. 10 to FIG. 12 are graphs illustrating the operation of the present embodiment, FIG. 13 is an electric circuit diagram illustrating a configuration of still another embodiment of the present invention, and FIG. , Figure 15 shows typical first and second
An electric circuit diagram for explaining a conventional example, FIG. 16 is an electric circuit diagram showing a configuration of a typical third conventional technique, FIG. 17 is an electric circuit diagram showing a configuration of a fourth conventional example, and FIG. 18 is FIG. 19 is an electric circuit diagram showing the configuration of the fifth conventional example, and FIG. 19 is an electric circuit diagram for explaining the problem. 21 ... Load, 22 ... Drive circuit, 23 ... Output terminal, 25 ... Power supply line, 27 ... Power supply terminal, 31 ... Output stage, 34 ... First voltage limiting means, 35 ... Second voltage limiting means, 44 ... Delay circuit, 52 ... Drive circuit, 59 ... Drive output terminal

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一方端が第1電源電圧に接続された負荷の
他方端と接地電位との間に介在される半導体スイツチン
グ手段を含む出力段と、 第1電源電圧と異なる第2電源電圧が入力され、これを
予め定める第1制限電圧に制限するとともに、該制限時
には半導体スイツチング手段を導通状態に制御する第1
電圧制限手段と、 前記出力段に並列に設けられ、半導体スイツチング手段
の駆動電圧を第2制限電圧に制限する第2電圧制限手段
と、 第2電圧制限手段に設けられ、第1電源電圧が第2制限
電圧を上回つたとき、前記駆動電圧を第2制限電圧より
も低い第3制限電圧に切換えて制限する切換制限手段と
を含むことを特徴とする負荷駆動装置の過電圧保護回
路。
1. An output stage including a semiconductor switching means interposed between the other end of a load whose one end is connected to the first power supply voltage and the ground potential, and a second power supply voltage different from the first power supply voltage. A first limiting voltage which is inputted and is limited to a predetermined first limiting voltage, and at the time of the limitation, the semiconductor switching means is controlled to be in a conducting state.
Voltage limiting means, second voltage limiting means provided in parallel with the output stage for limiting the drive voltage of the semiconductor switching means to a second limiting voltage, and second voltage limiting means provided with the first power supply voltage. An overvoltage protection circuit for a load drive device, comprising: switching limiting means for switching the driving voltage to a third limiting voltage lower than the second limiting voltage when the voltage exceeds the second limiting voltage.
【請求項2】一方端が第1電源電圧に接続された負荷の
他方端と接地電位との間に介在される半導体スイツチン
グ手段を含む出力段と、 第1電源電圧と異なる第2電源電圧が入力され、これを
予め定める第1制限電圧に制限するとともに、該制限時
には半導体スイツチング手段を導通状態に制御する第1
電圧制限手段と、 前記出力段に並列に設けられ、半導体スイツチング手段
の駆動電圧を第2制限電圧に制限する第2電圧制限手段
と、 出力段に設けられ、第1電源電圧または第2電源電圧ま
たは出力段の少なくともいずれかに第2制限電圧を上回
る過電圧が発生したとき、これを検出して前記半導体ス
イツチング手段を導通状態に切換える切換駆動手段とを
含むことを特徴とする負荷駆動装置の過電圧保護回路。
2. An output stage including a semiconductor switching means interposed between the other end of a load having one end connected to the first power supply voltage and the ground potential, and a second power supply voltage different from the first power supply voltage. A first limiting voltage which is inputted and is limited to a predetermined first limiting voltage, and at the time of the limitation, the semiconductor switching means is controlled to be in a conducting state.
Voltage limiting means, second voltage limiting means provided in parallel with the output stage for limiting the drive voltage of the semiconductor switching means to a second limiting voltage, and the first power source voltage or the second power source voltage provided in the output stage. Or an overvoltage of the load driving device, comprising: when at least one of the output stages an overvoltage exceeding the second limit voltage is generated, a switching drive means for detecting the overvoltage and switching the semiconductor switching means to a conductive state. Protection circuit.
JP10088288A 1988-04-22 1988-04-22 Overdrive protection circuit for load drive Expired - Fee Related JPH0681418B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10088288A JPH0681418B2 (en) 1988-04-22 1988-04-22 Overdrive protection circuit for load drive

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10088288A JPH0681418B2 (en) 1988-04-22 1988-04-22 Overdrive protection circuit for load drive

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01270733A JPH01270733A (en) 1989-10-30
JPH0681418B2 true JPH0681418B2 (en) 1994-10-12

Family

ID=14285701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10088288A Expired - Fee Related JPH0681418B2 (en) 1988-04-22 1988-04-22 Overdrive protection circuit for load drive

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0681418B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI449287B (en) * 2011-12-19 2014-08-11 Lextar Electronics Corp Over voltage protection circuit and driver circuit using the same
KR20160122921A (en) 2015-04-14 2016-10-25 엘에스산전 주식회사 Gate driver for driving inverter

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01270733A (en) 1989-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8330375B2 (en) Vehicle lamp lighting control device
JP2003504797A (en) LED drive circuit and LED drive method
US20060061303A1 (en) Lighting control circuit for vehicle lighting equipment
EP0426103B1 (en) Electronic circuit device for protecting electronic circuits from unwanted removal of ground terminal
US4005342A (en) Integrated circuit overvoltage protection circuit
JPH1175320A (en) Overvoltage protective circuit
US20110075307A1 (en) Overcurrent protection circuit and in-vehicle display device
US6472910B2 (en) Electrical load driving device
US5124616A (en) Circuit for driving a load and for producing a signal indicative of the condition of the load
JPH0681418B2 (en) Overdrive protection circuit for load drive
US4321509A (en) Dimmer
JP2003308123A (en) Power source protection circuit
US5548462A (en) Protective circuit
JP4423765B2 (en) Load drive device
US7224561B2 (en) Protective circuit and method for operating said protective circuit, in particular for overvoltage protection for an electronic control system for a motor vehicle
US4985820A (en) Driver circuit for switching on lamp with low cold resistance
KR100354726B1 (en) Method and device for controlling an integrated power amplifier stage
US5398148A (en) Protection circuit for high side drivers
CN210839510U (en) Fault protection circuit and fault protection device
US6008585A (en) Apparatus and method for preventing from a short load excessive current flow through a field effect transistor that delivers current to a daytime running light on a vehicle
JPH0819167A (en) Overvoltage protective circuit
US4458286A (en) Electronic device having a high voltage breakdown protection circuit
JPH0580127U (en) Power control circuit
JP2005014759A (en) Vehicular display device
KR940002802Y1 (en) Air cleaner

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees