JPH0681190A - Method for plating insulator - Google Patents

Method for plating insulator

Info

Publication number
JPH0681190A
JPH0681190A JP4258984A JP25898492A JPH0681190A JP H0681190 A JPH0681190 A JP H0681190A JP 4258984 A JP4258984 A JP 4258984A JP 25898492 A JP25898492 A JP 25898492A JP H0681190 A JPH0681190 A JP H0681190A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
dopant
insulator
conductive polymer
mol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4258984A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eiji Ofuku
英治 大福
Hiroko Maeda
裕子 前田
Takahiro Kawagoe
隆博 川越
Hideyuki Hayashi
秀行 林
Daisaku Akiyama
大作 秋山
Shuichi Ueda
秀一 植田
Naomi Kosera
直美 小瀬良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
METSUKU KK
Bridgestone Corp
Original Assignee
METSUKU KK
Bridgestone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by METSUKU KK, Bridgestone Corp filed Critical METSUKU KK
Priority to JP4258984A priority Critical patent/JPH0681190A/en
Publication of JPH0681190A publication Critical patent/JPH0681190A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/423Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
    • H05K3/424Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method by direct electroplating

Landscapes

  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

PURPOSE:To attain electroplating with considerably enhanced reliability even in the case of through hole plating requiring high precision and reliability. CONSTITUTION:A coating film of an electric conductive high molecular compd. is formed on the part of an insulator to be plated and electroplating is carried out on the coating film. In this plating method, a dopant having two or more anionic groups per one molecule is incorporated into the coating film. Plating can be satisfactorily carried out on the surface of the insulator and the inner wall of a through hole.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ポリアニリンやポリピ
ロール等の導電性高分子化合物をめっき下地材として用
いる直接電気めっき法を改良しためっき法及びこのめっ
き法によって得られるプリント配線板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plating method improved from a direct electroplating method using a conductive polymer compound such as polyaniline or polypyrrole as a plating base material, and a printed wiring board obtained by this plating method.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
電子機器の発達に伴ってプリント配線板の需要は高まる
一方であり、特に最近では電子部品の集積度は益々高ま
る傾向にあり、多重積層板が使用されるケースも増加し
ている。これに伴ってプリント配線板に対する高い信頼
性及びプリント配線板を製造する際の環境に対する安全
性についての要求も急速に高まっている。
2. Description of the Related Art In recent years,
The demand for printed wiring boards is increasing with the development of electronic devices, and in particular, the degree of integration of electronic components has recently been increasing, and the number of cases in which multiple laminated boards are used is also increasing. Along with this, demands for high reliability for printed wiring boards and environmental safety when manufacturing printed wiring boards are rapidly increasing.

【0003】ところで、プリント配線板を製造する場
合、内外層回路相互間の導通を可能とするために、絶縁
性基板にスルーホールを穿ち、このスルーホール内壁を
金属めっきすることが必要である。この場合、従来はホ
ルムアルデヒド等を還元剤として用いた無電解銅めっき
法が採用されていたが、ホルムアルデヒドは発ガン性が
懸念される化合物であり、このためこの無電解銅めっき
法に替わって、安全性の高いダイレクトプレーティング
(直接電気めっき)法が種々提案されている。例えば、
ポリアニリンやポリピロール等の導電性高分子化合物を
めっきの下地材として用いた方法(欧州特許41310
9A2、欧州特許417750A2、WO89/083
75、英国特許2243838A参照)などが提案され
ている。
When manufacturing a printed wiring board, it is necessary to form a through hole in the insulating substrate and metal-plat the inner wall of the through hole in order to enable conduction between the inner and outer layer circuits. In this case, conventionally, the electroless copper plating method using formaldehyde or the like as a reducing agent was adopted, but formaldehyde is a compound of which carcinogenicity is a concern. Therefore, instead of this electroless copper plating method, Various highly safe direct plating (direct electroplating) methods have been proposed. For example,
A method using a conductive polymer compound such as polyaniline or polypyrrole as a base material for plating (European Patent No. 41310).
9A2, European Patent 417750A2, WO89 / 083
75, see British Patent 2243838A).

【0004】しかし、ポリアニリンやポリピロール等の
導電性高分子化合物をめっきの下地材として用いると、
比較的安価にスルーホールめっきを施すことができるこ
とからコスト的には好ましいが、めっきの信頼性に問題
を残しており、未だ実用レベルに達していない。
However, when a conductive polymer compound such as polyaniline or polypyrrole is used as a base material for plating,
Although it is preferable in terms of cost because it is possible to perform through-hole plating relatively inexpensively, there remains a problem in the reliability of plating and it has not yet reached a practical level.

【0005】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
ポリアニリンやポリピロール等の導電性高分子化合物を
めっき下地材として用いた場合に、高い精度と信頼性が
要求されるスルーホールめっきなどに対しても信頼性が
大幅に向上した絶縁体に対する電気めっき法を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances.
Electroplating method for insulators with significantly improved reliability even for through-hole plating that requires high accuracy and reliability when a conductive polymer compound such as polyaniline or polypyrrole is used as the plating base material. The purpose is to provide.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を行った結果、絶縁体の被
めっき部に導電性高分子化合物の被膜を形成し、該被膜
上に電気めっきを施す絶縁体のめっき方法において、上
記導電性化合物の被膜に1分子当り2個以上のアニオン
基を有するドーパントを含有させた場合、めっきの信頼
性が大幅に向上し、簡単なめっきプロセスによって絶縁
体に電気めっきを施すことができることを見い出した。
Means and Actions for Solving the Problems As a result of intensive studies for achieving the above-mentioned object, the present inventor has formed a film of a conductive polymer compound on a plated portion of an insulator, and formed a film on the film. In the method for plating an insulator to be electroplated, when the conductive compound film contains a dopant having two or more anion groups per molecule, the reliability of the plating is greatly improved and a simple plating process is performed. It has been found that an insulator can be electroplated by means of.

【0007】即ち、本発明者は、ポリアニリンやポリピ
ロール等の導電性高分子化合物はp型半導体であるた
め、ドープ状態で通常プラスに帯電しており、これらを
めっき下地材として用いて電気めっきを行う場合、めっ
き浴中において金属イオンと上記導電性高分子化合物と
の間に静電的な斥力が働き、このためめっきの進行が阻
害され、ひいてはめっきの信頼性の低下を招いているの
ではないかと推察した。そこで、本発明者は、本来プラ
スに帯電している導電性高分子化合物にアニオン性を付
与すべく、ドーパントとして1分子当り2個以上のアニ
オン基を有するドーパントを用いることを試み、このよ
うに分子当り2個以上のアニオン基を有するドーパント
を含有させた導電性高分子化合物を絶縁体被めっき物の
めっき部に被覆して電気めっきを施した場合、スルーホ
ールめっき等の高い精度と信頼性が要求されるめっきに
対してもめっき信頼性が大幅に向上することを知見し、
本発明をなすに至ったものである。
That is, since the conductive polymer compound such as polyaniline or polypyrrole is a p-type semiconductor, the present inventor normally charges positively in the doped state, and electroplating is performed by using these as a plating base material. When performed, electrostatic repulsive force acts between the metal ions and the conductive polymer compound in the plating bath, which hinders the progress of plating, which in turn lowers the reliability of plating. I suspected there might be. Therefore, the present inventor tried to use a dopant having two or more anion groups per molecule as a dopant in order to impart anionic property to the conductive polymer compound that is originally positively charged, and High precision and reliability such as through-hole plating when electroplating is performed by coating the plated part of the insulator plating object with a conductive polymer compound containing a dopant having two or more anion groups per molecule. We have found that plating reliability is greatly improved even for plating that requires
The present invention has been completed.

【0008】従って、本発明は、絶縁体の被めっき部に
導電性高分子化合物の被膜を形成し、該被膜上に電気め
っきを施す絶縁体のめっき方法において、上記導電性化
合物の被膜が1分子当り2個以上のアニオン基を有する
ドーパントを含有することを特徴とする絶縁体のめっき
方法を提供する。
Therefore, according to the present invention, in the method of plating an insulator, the conductive polymer compound film is formed on the plated portion of the insulator, and electroplating is performed on the film. Provided is a method for plating an insulator, which contains a dopant having two or more anion groups per molecule.

【0009】以下、本発明を更に詳しく説明すると、本
発明のめっき方法は、絶縁体に電気めっきを施す場合に
1分子当り2個以上のアニオン基を有するドーパントを
含有する導電性高分子化合物の被膜を電気めっきの下地
材として被めっき部に形成するものである。
The present invention will be described in more detail below. In the plating method of the present invention, a conductive polymer compound containing a dopant having two or more anion groups per molecule is used when an insulator is electroplated. The coating is formed on the plated portion as a base material for electroplating.

【0010】ここで、本発明のめっき方法を適用し得る
絶縁体の材質、形状については特に制限されないが、ガ
ラス繊維とエポキシ樹脂からなる通常のプリント配線
板、多重積層板をはじめとして、フェノール樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリイミド樹脂、ABS樹脂、アクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリウレタン樹脂、ガラス、セラミック
などの絶縁性材料などが挙げられる。
Here, the material and shape of the insulator to which the plating method of the present invention can be applied is not particularly limited, but a usual printed wiring board made of glass fiber and epoxy resin, a multi-layered board, a phenol resin, etc. Insulating materials such as polyamide resin, polyimide resin, ABS resin, acrylic resin, polycarbonate resin, polypropylene resin, polyethylene resin, polyurethane resin, glass and ceramics.

【0011】また、導電性高分子化合物の種類も特に限
定されないが、アニリン又はその誘導体のポリマー、ピ
ロール又はその誘導体のポリマー、チオフェン又はその
誘導体のポリマー、アセチレン又はその誘導体のポリマ
ー、ピリジン又はその誘導体のポリマー、ベンゼン又は
その誘導体のポリマー、フラン又はその誘導体のポリマ
ーなどが挙げられる。具体的には、ポリアニリン、ポリ
(N−アルキルアニリン)、ポリ(o−フェニレンジア
ミン)、ポリピロール、ポリ(N−アルキルピロー
ル)、ポリ(3−アルキルピロール)、ポリチオフェ
ン、ポリ(3−アルキルチオフェン)、ポリフラン、及
びこれらのポリマーの2種類以上のモノマーからなる共
重合体が挙げられるが、これらの中で特にはポリアニリ
ンとポリピロールが好ましい。
The kind of the conductive polymer compound is not particularly limited, either, but the polymer of aniline or its derivative, the polymer of pyrrole or its derivative, the polymer of thiophene or its derivative, the polymer of acetylene or its derivative, the polymer of pyridine or its derivative. Polymer of benzene or its derivative, polymer of furan or its derivative, and the like. Specifically, polyaniline, poly (N-alkylaniline), poly (o-phenylenediamine), polypyrrole, poly (N-alkylpyrrole), poly (3-alkylpyrrole), polythiophene, poly (3-alkylthiophene). , Polyfuran, and copolymers composed of two or more kinds of monomers of these polymers, and of these, polyaniline and polypyrrole are particularly preferable.

【0012】上記導電性高分子化合物にドープするドー
パントとしては、1分子当り2個以上のアニオン基を有
する物質であればよく、特に限定されるものではない
が、ポリビニルスルフォン酸及びその塩、ポリスチレン
スルフォン酸及びその塩、ポリ(2−アクリルアミド−
2−メチル−1−プロパンスルフォン酸)及びその塩、
ナフィオン(デュポン社登録商標)等のスルフォン酸基
やカルボン酸基等のアニオン基を有するポリマー、ベン
ゼンやナフタレン等の芳香族系化合物にスルフォン基や
ヒドロキシ基、カルボン酸基等のアニオン基を2個以上
導入した誘導体などが挙げられる。これらの誘導体の具
体例としては、m−ベンゼンジスルフォン酸、o−ベン
ゼンジスルフォン酸、p−ベンゼンジスルフォン酸、
1,2−ジヒドロキシ−3,5−ベンゼンジスルフォン
酸、2,7−ナフタレンジスルフォン酸、1,6−ナフ
タレンジスルフォン酸、1,5−ナフタレンジスルフォ
ン酸、2−ナフトール−3,6−ジスルフォン酸、ナフ
タレン−1,3,6−トリスルフォン酸及びこれらの塩
などのベンゼンやナフタレン等の芳香族系化合物にスル
フォン酸基、ヒドロキシ基、カルボン酸等のアニオン基
を2個以上導入した誘導体などが挙げられる。
The dopant for doping the conductive polymer compound may be any substance having two or more anion groups per molecule, and is not particularly limited, but polyvinyl sulfonic acid and its salt, polystyrene. Sulfonic acid and its salts, poly (2-acrylamide-
2-methyl-1-propanesulfonic acid) and salts thereof,
Polymers having anionic groups such as sulphonic acid groups and carboxylic acid groups such as Nafion (registered trademark of DuPont), aromatic compounds such as benzene and naphthalene, and two anionic groups such as sulphone groups, hydroxy groups and carboxylic acid groups Examples include the derivatives introduced above. Specific examples of these derivatives include m-benzenedisulphonic acid, o-benzenedisulphonic acid, p-benzenedisulphonic acid,
1,2-Dihydroxy-3,5-benzenedisulphonic acid, 2,7-naphthalenedisulfonic acid, 1,6-naphthalenedisulfonic acid, 1,5-naphthalenedisulfonic acid, 2-naphthol-3,6- Derivatives obtained by introducing two or more anionic groups such as sulfonic acid groups, hydroxy groups and carboxylic acids into aromatic compounds such as benzene and naphthalene such as disulphonic acid, naphthalene-1,3,6-trisulfonic acid and salts thereof. And so on.

【0013】上記ドーパントの中では、ポリビニルスル
フォン酸及びその塩、ポリスチレンスルフォン酸及びそ
の塩、ポリ(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プ
ロパンスルフォン酸)及びその塩、ナフィオン、m−ベ
ンゼンジスルフォン酸及びその塩、1,5−ナフタレン
ジスルフォン酸及びその塩、ナフタレン−1,3,6−
トリスルフォン酸及びその塩、1,2−ジヒドロキシ−
3,5−ベンゼンジスルフォン酸及びその塩などが特に
好ましい。更に好ましくは、ポリビニルスルフォン酸及
びその塩、ポリスチレンスルフォン酸及びその塩、ポリ
(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスル
フォン酸)及びその塩である。なお、ポリマードーパン
トの好ましい分子量の範囲は1000〜1000000
である。
Among the above dopants, polyvinyl sulfonic acid and its salt, polystyrene sulfonic acid and its salt, poly (2-acrylamido-2-methyl-1-propane sulfonic acid) and its salt, Nafion, m-benzenedisulfone. Acids and salts thereof, 1,5-naphthalenedisulfonic acid and salts thereof, naphthalene-1,3,6-
Trisulphonic acid and its salts, 1,2-dihydroxy-
Particularly preferred is 3,5-benzenedisulphonic acid and salts thereof. More preferred are polyvinyl sulfonic acid and its salts, polystyrene sulfonic acid and its salts, poly (2-acrylamido-2-methyl-1-propane sulfonic acid) and its salts. The preferable molecular weight range of the polymer dopant is 1,000 to 1,000,000.
Is.

【0014】これらのドーパントを上記導電性高分子化
合物にドープし、かつ導電性高分子化合物の被膜を基板
等の絶縁体の被めっき部に形成する方法としては、以下
の3つの方法が挙げられる。第1の方法は、重合したと
きに導電性高分子化合物となるモノマーと上記ドーパン
トとを含む溶液を導電性高分子の被膜を形成する材料と
して用いるものであり、上記モノマーが重合されること
により、上記ドーパントを含む導電性高分子化合物の被
膜が絶縁体上に形成される。この場合、モノマーを含む
溶液に浸漬した後にドーパントを含む溶液に浸漬する方
法を採用することもできる。
The following three methods can be mentioned as a method of doping the above-mentioned conductive polymer compound with these dopants and forming a coating film of the conductive polymer compound on a plated portion of an insulator such as a substrate. . The first method is to use a solution containing a monomer that becomes a conductive polymer compound when polymerized and the above dopant as a material for forming a coating film of a conductive polymer. A film of a conductive polymer compound containing the above dopant is formed on the insulator. In this case, a method of immersing in a solution containing a monomer and then immersing it in a solution containing a dopant can be adopted.

【0015】上記モノマー及びドーパントを溶解する溶
媒としては、水、アセトニトリル、エタノール、メタノ
ール、プロパノールなどの1種又は2種以上を用いるこ
とができる。この場合、モノマー溶液の濃度は0.1〜
5mol/l、ドーパントの濃度は0.01〜5mol
/lとすることが好ましい。
As the solvent for dissolving the above-mentioned monomer and dopant, one or more of water, acetonitrile, ethanol, methanol, propanol and the like can be used. In this case, the concentration of the monomer solution is 0.1
5 mol / l, the concentration of the dopant is 0.01 to 5 mol
/ L is preferable.

【0016】第2の方法は、上記ドーパントを含有する
導電性高分子化合物を溶解した溶液又はその微粒子を分
散した懸濁液やエマルジョン液を用いてめっきを施す部
分に導電性高分子化合物の被膜を形成する方法である。
この場合、溶媒としては上記と同様のものを使用するこ
とができる。また、導電性化合物の濃度は1〜50重量
%とすることが好ましい。
The second method is a coating of a conductive polymer compound on a portion to be plated using a solution in which the conductive polymer compound containing the above dopant is dissolved or a suspension or emulsion liquid in which fine particles thereof are dispersed. Is a method of forming.
In this case, the same solvent as above can be used. Further, the concentration of the conductive compound is preferably 1 to 50% by weight.

【0017】第3の方法は導電性高分子化合物へのドー
パントのドーピングを後工程で行うものであり、導電性
化合物溶液で被めっき部分を被覆し、これを乾燥させて
導電性高分子被膜を形成し、ドーパントを含む溶液に浸
漬してドーピングを行う方法である。この方法は、脱ド
ープ状態が可溶性で更にドーピングが容易なポリアニリ
ンなどの導電性高分子化合物、例えば、アルカリ処理に
より脱ドープ処理され、N−メチルピロリドン等に可溶
なポリアニリン(エメラルデインベース)などに適用す
ることができる。
In the third method, the conductive polymer compound is doped with a dopant in a later step. The conductive compound solution is used to coat the portion to be plated, and this is dried to form the conductive polymer film. It is a method of forming and immersing in a solution containing a dopant. In this method, a conductive polymer compound such as polyaniline which is soluble in the undoped state and which can be easily doped, for example, polyaniline (emeraldine base) which is undoped by an alkali treatment and is soluble in N-methylpyrrolidone or the like. Can be applied to.

【0018】本発明のめっき法を適用し得るめっきプロ
セスは、上記ドーパントを含有する導電性高分子化合物
の被膜を絶縁体の被めっき部に形成し、次いで導電性高
分子被膜上に電気めっき法により金属をめっきするプロ
セスであれば特に限定されないが、特に好ましいめっき
プロセスとしては以下の3つが挙げられる。
The plating process to which the plating method of the present invention can be applied is such that a film of a conductive polymer compound containing the above dopant is formed on a plated portion of an insulator, and then an electroplating method is performed on the conductive polymer film. Although it is not particularly limited as long as it is a process of plating a metal with, the following three are particularly preferable plating processes.

【0019】第1のめっきプロセスは、スルーホールを
有するプリント配線板をスルーホールめっきする方法
で、下記工程(4)において上記第1の方法を適用する
ものである。 (1)基板のエッチング (2)基板のコンディショニング (3)めっき部分の酸化処理 (4)モノマーとドーパントとを含む溶液への浸漬処理 (5)脱脂処理、 (6)エッチング (7)めっき浴組成維持のための前処理液浸漬 (8)電気めっき (9)乾燥 なお、上記(1)〜(7)の工程において、各工程間に
おいては通常水洗が行われる。ただし、工程(3),
(4)間においては基板表面に酸化剤が残存する程度に
水洗を行うことが好ましい。
The first plating process is a method of through-hole plating a printed wiring board having through-holes, and the first method is applied in the following step (4). (1) Etching of substrate (2) Conditioning of substrate (3) Oxidation treatment of plated portion (4) Immersion treatment in solution containing monomer and dopant (5) Degreasing treatment, (6) Etching (7) Composition of plating bath Immersion in pretreatment liquid for maintenance (8) Electroplating (9) Drying In the steps (1) to (7), washing with water is usually performed between the steps. However, the process (3),
During the period (4), it is preferable to wash with water to such an extent that the oxidant remains on the substrate surface.

【0020】ここで、工程(4)において、モノマーが
重合され、重合と同時に目的とする基板表面がドーパン
トを含む導電性高分子化合物で被覆される。
Here, in step (4), the monomer is polymerized, and at the same time as the polymerization, the target substrate surface is coated with a conductive polymer compound containing a dopant.

【0021】なお、工程(2)は、工程(3)を円滑に
行うために基板の前処理を行うもので、通常のめっきプ
ロセスで用いられている方法を適用することができる。
In the step (2), the substrate is pretreated to smoothly carry out the step (3), and a method used in a usual plating process can be applied.

【0022】工程(3)は、通常のめっきプロセスにお
いてはデスミア処理などと呼ばれている工程であり、基
板表面のクリーニングを目的として行われるが、本プロ
セスではその目的に加えて、次の工程(4)で必要とす
る酸化力を基板表面に与える目的も兼ねている。この工
程(3)で用いる酸化剤としては、過硫酸アンモニウ
ム、過酸化水素、塩化第2鉄などの通常の酸化剤を用い
ることができるが、過マンガン酸カリウムが特に好適に
用いられる。この場合、酸化剤は0.5〜50重量%の
水溶液として用いることが好ましい。
The step (3) is a step called a desmearing process in a normal plating process and is performed for the purpose of cleaning the surface of the substrate. In this process, in addition to the purpose, the following step is performed. It also serves the purpose of giving the substrate surface the oxidizing power required in (4). As the oxidizing agent used in this step (3), a usual oxidizing agent such as ammonium persulfate, hydrogen peroxide, ferric chloride can be used, but potassium permanganate is particularly preferably used. In this case, the oxidizing agent is preferably used as an aqueous solution of 0.5 to 50% by weight.

【0023】工程(8)の電気めっきに用いる金属とし
ては特に制限はないが、スルーホールめっきの場合、銅
を用いることが好ましく、この場合めっき浴としては硫
酸銅めっき浴やピロリン酸銅めっき浴を用いることが好
ましい。
The metal used for the electroplating in the step (8) is not particularly limited, but in the case of through hole plating, copper is preferably used. In this case, the plating bath is a copper sulfate plating bath or a copper pyrophosphate plating bath. Is preferably used.

【0024】その他工程(1)、(5)、(6)、
(7)、(9)も通常のめっきプロセスに準拠して行う
ことができる。
Other steps (1), (5), (6),
(7) and (9) can also be performed in accordance with a normal plating process.

【0025】第2のめっきプロセスは、下記工程(4)
において上記第2の方法を適用するものである。 (1)基板のエッチング (2)基板のコンディショニング (3)めっき部分の酸化処理 (4)めっき部分にドーパントを含有する導電性高分子
化合物を被覆 (5)脱脂処理 (6)エッチング (7)めっき浴組成維持のための前処理液浸漬 (8)電気めっき (9)乾燥 ここで、工程(3)で水洗後に基板を乾燥させること
と、工程(4)以外に関しては上記第1のめっきプロセ
スと同様である。
The second plating process includes the following step (4)
In the above, the second method is applied. (1) Etching of substrate (2) Conditioning of substrate (3) Oxidation treatment of plated portion (4) Coating conductive polymer compound containing dopant in plated portion (5) Degreasing treatment (6) Etching (7) Plating Pretreatment liquid immersion to maintain bath composition (8) Electroplating (9) Drying Here, the substrate is dried after washing with water in the step (3), and the steps other than the step (4) are the same as the first plating process. It is the same.

【0026】第3のめっきプロセスは、下記工程
(4),(5)において上記第3の方法を適用するもの
である。 (1)基板のエッチング (2)基板のコンディショニング (3)めっき部分の酸化処理 (4)めっき部分に導電性高分子化合物を被覆 (5)ドーパントのドーピング (6)脱脂処理 (7)エッチング (8)めっき浴組成維持のための前処理液浸漬 (9)電気めっき (10)乾燥 ここで、工程(3)で水洗後に基板を乾燥させること
と、工程(4),(5)以外に関しては上記第1のめっ
きプロセスと同様である。
In the third plating process, the third method is applied in the following steps (4) and (5). (1) Etching of the substrate (2) Conditioning of the substrate (3) Oxidation treatment of the plated portion (4) Coating of the conductive polymer compound on the plated portion (5) Doping of dopant (6) Degreasing treatment (7) Etching (8) ) Pretreatment liquid immersion for maintaining plating bath composition (9) Electroplating (10) Drying Here, except for washing the substrate after washing with water in step (3) and steps (4) and (5), It is similar to the first plating process.

【0027】上記3つのめっきプロセスは、上述した絶
縁性材料からなる基板のすべてに対して適用することが
できるが、ガラス繊維とエポキシ樹脂からなるプリント
配線板のめっき、特にスルーホール内壁の銅めっきに好
適に用いることができる。
The above-mentioned three plating processes can be applied to all the substrates made of the above-mentioned insulating material, but the plating of the printed wiring board made of the glass fiber and the epoxy resin, especially the copper plating of the inner wall of the through hole. Can be suitably used.

【0028】[0028]

【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below by showing Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

【0029】[実施例1]上述した第1のめっきプロセ
スに従い、アニリンモノマーを用いてめっき試験を行っ
た。
[Example 1] A plating test was performed using an aniline monomer according to the first plating process described above.

【0030】まず、ガラス繊維強化エポキシ樹脂からな
り、両面を銅で被覆した基板に従来の方法で貫通孔を開
けたものを80℃で5分間、過マンガン酸カリウムを約
60重量%含む水溶液でデスミア処理(酸化処理)し、
水洗した後、アニリン0.4mol/l、硫酸0.5m
ol/l及び数平均分子量70000のポリビニルスル
フォン酸1.0mol/lを含むアニリンモノマー処理
液に10分間浸漬し、めっきを行う基板表面にポリアニ
リンの被膜を形成した。
First, a substrate made of glass fiber reinforced epoxy resin and having both sides coated with copper and having through holes formed by a conventional method was used at 80 ° C. for 5 minutes with an aqueous solution containing about 60% by weight of potassium permanganate. Desmear treatment (oxidation treatment),
After washing with water, aniline 0.4 mol / l, sulfuric acid 0.5 m
It was dipped in an aniline monomer treatment liquid containing 1.0 mol / l of polyvinyl sulfonic acid having an ol / l and a number average molecular weight of 70,000 for 10 minutes to form a polyaniline film on the surface of the substrate to be plated.

【0031】次に、これにめっき浴として硫酸銅めっき
浴を用い、2A/dm2の電流でめっき処理を行ったと
ころ、基板表面及びスルーホール内壁に銅が析出してい
るのが確認された。
Next, when a copper sulfate plating bath was used as a plating bath, and a plating treatment was performed at a current of 2 A / dm 2 , it was confirmed that copper was deposited on the substrate surface and the inner wall of the through hole. .

【0032】[実施例2]ドーパントとして、ポリビニ
ルスルフォン酸1.0mol/lの代わりにポリスチレ
ンスルフォン酸0.1mol/lを用いた以外は実施例
1と全く同様にしてめっき試験を行ったところ、基板表
面及びスルーホール内壁に銅が析出しているのが確認さ
れた。
[Example 2] A plating test was conducted in exactly the same manner as in Example 1 except that polystyrene sulfonic acid 0.1 mol / l was used as the dopant in place of polyvinyl sulfonic acid 1.0 mol / l. It was confirmed that copper was deposited on the substrate surface and the inner wall of the through hole.

【0033】[実施例3]ドーパントとして、ポリビニ
ルスルフォン酸1.0mol/lの代わりにポリ−2−
アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルフォン
酸0.5mol/lを用いた以外は実施例1と全く同様
にしてめっき試験を行ったところ、基板表面及びスルー
ホール内壁に銅が析出しているのが確認された。
Example 3 As a dopant, poly-2- (sulfonic acid) was used instead of 1.0 mol / l.
A plating test was conducted in exactly the same manner as in Example 1 except that 0.5 mol / l of acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid was used. As a result, copper was deposited on the substrate surface and the inner walls of the through holes. Was confirmed.

【0034】[実施例4]ドーパントとして、ポリビニ
ルスルフォン酸1.0mol/lの代わりにm−ベンゼ
ンスルフォン酸0.5mol/lを用いた以外は実施例
1と全く同様にしてめっき試験を行ったところ、基板表
面及びスルーホール内壁に銅が析出しているのが確認さ
れた。
[Example 4] A plating test was conducted in exactly the same manner as in Example 1 except that 0.5 mol / l of m-benzenesulfonic acid was used as the dopant instead of 1.0 mol / l of polyvinyl sulfonic acid. However, it was confirmed that copper was deposited on the substrate surface and the inner wall of the through hole.

【0035】[実施例5]ドーパントとして、ポリビニ
ルスルフォン酸1.0mol/lの代わりに1,5−ナ
フタレンジスルフォン酸0.5mol/lを用いた以外
は実施例1と全く同様にしてめっき試験を行ったとこ
ろ、基板表面及びスルーホール内壁に銅が析出している
のが確認された。
[Example 5] A plating test was conducted in exactly the same manner as in Example 1 except that 0.5 mol / l of 1,5-naphthalenedisulfonic acid was used as the dopant in place of 1.0 mol / l of polyvinyl sulfonic acid. As a result, it was confirmed that copper was deposited on the substrate surface and the inner wall of the through hole.

【0036】[実施例6]ドーパントとして、ポリビニ
ルスルフォン酸1.0mol/lの代わりにナフタレン
−1,3,6−トリスルフォン酸0.5mol/lを用
いた以外は実施例1と全く同様にしてめっき試験を行っ
たところ、基板表面及びスルーホール内壁に銅が析出し
ているのが確認された。
[Example 6] The same as Example 1 except that naphthalene-1,3,6-trisulfonic acid 0.5 mol / l was used as the dopant instead of polyvinyl sulfonic acid 1.0 mol / l. As a result of a plating test, it was confirmed that copper was deposited on the substrate surface and the inner wall of the through hole.

【0037】[実施例7]ドーパントとして、ポリビニ
ルスルフォン酸1.0mol/lの代わりに1,2−ヒ
ドロキシベンゼン−3,5−ジスルフォン酸0.5mo
l/lを用いた以外は実施例1と全く同様にしてめっき
試験を行ったところ、基板表面及びスルーホール内壁に
銅が析出しているのが確認された。
Example 7 As a dopant, 0.5 mol of 1,2-hydroxybenzene-3,5-disulphonic acid was used instead of 1.0 mol / l of polyvinyl sulfonic acid.
A plating test was conducted in the same manner as in Example 1 except that 1 / l was used, and it was confirmed that copper was deposited on the substrate surface and the inner wall of the through hole.

【0038】[実施例8]アニリンモノマーの代わりに
ピロールモノマーを用いた以外は実施例1と全く同様に
してめっき試験を行ったところ、基板表面及びスルーホ
ール内壁に銅が析出しているのが確認された。
[Example 8] A plating test was conducted in the same manner as in Example 1 except that a pyrrole monomer was used in place of the aniline monomer, and copper was found to be deposited on the substrate surface and the inner wall of the through hole. confirmed.

【0039】[比較例1]ポリビニルスルフォン酸を加
えない以外は実施例1と全く同様にしてめっき試験を行
ったところ、基板表面、スルーホール内壁共に銅の析出
はほとんど見られなかった。
[Comparative Example 1] A plating test was conducted in the same manner as in Example 1 except that polyvinyl sulfonic acid was not added. As a result, almost no copper deposition was observed on the substrate surface or the inner wall of the through hole.

【0040】[実施例9]上述した第2のめっきプロセ
スに従い、めっき試験を行った。まず、アニリン0.4
mol/l、硫酸1.0mol/l及びポリビニルスル
フォン酸1.0mol/lを含む水溶液に過硫酸アンモ
ニウムを0.5mol/lとなるように添加し、ポリビ
ニルスルフォン酸をドーパントとするポリアニリンを重
合した。得られたポリアリン粉末を水洗後、水に懸濁さ
せて懸濁液を作製した。この懸濁液をガラス繊維強化エ
ポキシ樹脂からなる基板に塗布、乾燥させ、基板表面に
ポリビニルスルフォン酸をドーパントとするポリアニリ
ンの被膜を形成した。
Example 9 A plating test was conducted according to the second plating process described above. First, aniline 0.4
Ammonium persulfate was added to an aqueous solution containing mol / l, sulfuric acid 1.0 mol / l and polyvinyl sulfonic acid 1.0 mol / l so as to be 0.5 mol / l, and polyaniline having polyvinyl sulfonic acid as a dopant was polymerized. The obtained polyalin powder was washed with water and suspended in water to prepare a suspension. This suspension was applied to a substrate made of glass fiber reinforced epoxy resin and dried to form a polyaniline film having polyvinyl sulfonic acid as a dopant on the substrate surface.

【0041】次に、これにめっき浴として硫酸銅めっき
浴を用い、2A/dm2の電流値でめっき処理を行った
ところ、基板表面及びスルーホール内壁に銅が析出して
いるのが確認された。
Then, a copper sulfate plating bath was used as a plating bath, and a plating treatment was performed at a current value of 2 A / dm 2 , and it was confirmed that copper was deposited on the substrate surface and the inner wall of the through hole. It was

【0042】[比較例2]ポリアニリンの重合時にポリ
ビニルスルフォン酸を添加しなかった以外は実施例9と
全く同様にしてめっき試験を行ったところ、基板表面、
スルーホール内壁共に銅の析出はほとんど見られなかっ
た。
Comparative Example 2 A plating test was conducted in the same manner as in Example 9 except that polyvinyl sulfonic acid was not added during the polymerization of polyaniline.
Almost no copper deposition was observed on the inner wall of the through hole.

【0043】[実施例10]上述した第3のめっきプロ
セスに従い、めっき試験を行った。アニリン0.4mo
l/l及び硫酸1.0mol/lを含む水溶液に過硫酸
アンモニウムを0.5mol/lとなるように添加し、
ポリアニリンを重合した。得られたポリアリン粉末を
1.0mol/lのアンモニア水溶液で処理し、脱ドー
プしたポリアニリン(エメラルディンベース)を作製し
た。このポリアニリン粉末をN−メチルピロリドンに溶
解し、5重量%溶液を調製した。この溶液をガラス繊維
強化エポキシ樹脂からなる基板に塗布、乾燥させ、基板
表面にポリアニリンの被膜を形成した。次いで、この基
板を硫酸1.0mol/l及びポリビニルスルフォン酸
1.0mol/lを含む水溶液に10分間浸漬し、ポリ
アニリン被膜にポリビニルスルフォン酸をドープした。
[Example 10] A plating test was conducted in accordance with the third plating process described above. Aniline 0.4mo
Ammonium persulfate was added to an aqueous solution containing 1 / l and sulfuric acid 1.0 mol / l so as to be 0.5 mol / l,
Polyaniline was polymerized. The obtained polyaline powder was treated with a 1.0 mol / l ammonia aqueous solution to prepare dedoped polyaniline (emeraldine base). This polyaniline powder was dissolved in N-methylpyrrolidone to prepare a 5% by weight solution. This solution was applied onto a substrate made of glass fiber reinforced epoxy resin and dried to form a polyaniline film on the substrate surface. Next, this substrate was immersed in an aqueous solution containing 1.0 mol / l of sulfuric acid and 1.0 mol / l of polyvinyl sulfonic acid for 10 minutes to dope the polyaniline film with polyvinyl sulfonic acid.

【0044】次に、これにめっき浴として硫酸銅めっき
浴を用い、2A/dm2の電流値でめっき処理を行った
ところ、基板表面及びスルーホール内壁に銅が析出して
いるのが確認された。
Next, when a copper sulfate plating bath was used as a plating bath, and a plating treatment was performed at a current value of 2 A / dm 2 , it was confirmed that copper was deposited on the substrate surface and the inner wall of the through hole. It was

【0045】[比較例3]ポリアニリン被膜のドープ時
にポリビニルスルフォン酸を添加しなかった以外は実施
例10と全く同様にしてめっき試験を行ったところ、基
板表面、スルーホール内壁共に銅の析出はほとんど見ら
れなかった。
Comparative Example 3 A plating test was conducted in the same manner as in Example 10 except that polyvinyl sulfonic acid was not added at the time of doping the polyaniline film. I couldn't see it.

【0046】[0046]

【発明の効果】本発明によれば、高い精度と信頼性が要
求されるスルーホールめっきなどに対しても信頼性が大
幅に向上した電気めっきを実現することができる。
According to the present invention, it is possible to realize electroplating with greatly improved reliability even for through-hole plating which requires high precision and reliability.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 秀行 大阪府吹田市春日4−2−1 (72)発明者 秋山 大作 兵庫県西宮市高須町1−1−10 (72)発明者 植田 秀一 兵庫県尼崎市塚口町5−12−24 (72)発明者 小瀬良 直美 兵庫県神戸市須磨区東落合2−11−9 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Hideyuki Hayashi, 4-2-1 Kasuga, Suita City, Osaka Prefecture (72) Daisaku Akiyama 1-1-10 Takasu-cho, Nishinomiya-shi, Hyogo Prefecture (72) Inventor Shuichi Ueda Hyogo 5-12-24 Tsukaguchi-cho, Amagasaki-shi, Japan (72) Inventor Naomi Kose 2-11-9 Higashi-ochiai, Suma-ku, Kobe-shi, Hyogo

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁体の被めっき部に導電性高分子化合
物の被膜を形成し、該被膜上に電気めっきを施す絶縁体
のめっき方法において、上記導電性化合物の被膜が1分
子当り2個以上のアニオン基を有するドーパントを含有
することを特徴とする絶縁体のめっき方法。
1. A method for plating an insulator in which a film of a conductive polymer compound is formed on a portion to be plated of an insulator and electroplating is performed on the film, and two films of the conductive compound are provided per molecule. A method for plating an insulator, which comprises the above-mentioned dopant having an anion group.
【請求項2】 上記絶縁体がスルーホールを有するプリ
ント配線板である請求項1記載のめっき方法。
2. The plating method according to claim 1, wherein the insulator is a printed wiring board having through holes.
JP4258984A 1992-09-02 1992-09-02 Method for plating insulator Pending JPH0681190A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4258984A JPH0681190A (en) 1992-09-02 1992-09-02 Method for plating insulator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4258984A JPH0681190A (en) 1992-09-02 1992-09-02 Method for plating insulator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0681190A true JPH0681190A (en) 1994-03-22

Family

ID=17327742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4258984A Pending JPH0681190A (en) 1992-09-02 1992-09-02 Method for plating insulator

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0681190A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1317426C (en) * 2004-11-18 2007-05-23 上海大学 Process for preparing polyaniline film on electroplated zinc steel plates through electric polymerization
WO2008084619A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Achilles Corporation Plated article and method for producing the same
JP2008190041A (en) * 2008-02-19 2008-08-21 Mitsubishi Shindoh Co Ltd Method for producing metallized film
US7416763B2 (en) 2003-06-18 2008-08-26 Cookson Electronics Co. Process for forming metal layers
WO2013108713A1 (en) * 2012-01-19 2013-07-25 サンアロー株式会社 Electroplating primer composition, manufacturing method for plated product, and plated product

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7416763B2 (en) 2003-06-18 2008-08-26 Cookson Electronics Co. Process for forming metal layers
CN1317426C (en) * 2004-11-18 2007-05-23 上海大学 Process for preparing polyaniline film on electroplated zinc steel plates through electric polymerization
WO2008084619A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Achilles Corporation Plated article and method for producing the same
JP2008190041A (en) * 2008-02-19 2008-08-21 Mitsubishi Shindoh Co Ltd Method for producing metallized film
WO2013108713A1 (en) * 2012-01-19 2013-07-25 サンアロー株式会社 Electroplating primer composition, manufacturing method for plated product, and plated product
JP2013147707A (en) * 2012-01-19 2013-08-01 Sunarrow Ltd Primer composition for electroplating, manufacturing method for plated product, and plated product

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2609501B2 (en) Method of plating through holes in two-layer or multilayer circuit board
JP4686113B2 (en) Direct electrolytic metal coating on non-conductive substrate
KR100294040B1 (en) Through-hole Plating Method for Two- and Multi-Layer Printed Circuit Boards_
US5919402A (en) Electronically conducting polymers with silver grains
US5620800A (en) Laminated structure of a metal layer on a conductive polymer layer and method of manufacturing such a structure
US5545308A (en) Method of using conductive polymers to manufacture printed circuit boards
KR960014476B1 (en) New through-hole plated printed circuit board and process for manufacturing the same
USRE35278E (en) Process for producing electrically conductive composites and composites produced therein
US4696835A (en) Process for applying an electrically conducting polymer to a substrate
US5597471A (en) Solution for coating non-conductors with conductive polymers and their metallization process
KR100541893B1 (en) Method for metal coating of substrates
US5693209A (en) Process for metallization of a nonconductor surface
Huang et al. Metallization of printed circuit boards using conducting polyaniline
WO2013030007A1 (en) Direct plating method
US5183552A (en) Process for metallization of a nonconductor surface, especially on a circuit board having preexisting copper surfaces
JPH0681190A (en) Method for plating insulator
EP0615257A2 (en) Laminated structure of a metal layer on a conductive polymer layer and method of manufacturing such a structure
JP2575672B2 (en) Non-conductive material plating method
JPH06220685A (en) Method for plating metal on insulating material and printed circuit board plated thereby
US5152880A (en) Electrodeposition of a polymer
EP0505880B1 (en) Electron induced transformation of an isoimide to an N-imide and uses thereof
US6334965B1 (en) Electronically conductive polymers
JP3529553B2 (en) conductor
CA2108279A1 (en) Process for the metallization of non-conductors, in particular circuit boards, and the use of nitrogen- containing quaternary salts in the process
JPH10306142A (en) Method for forming conductive polymeric membrane

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees