JPH0676781A - Ion beam scan image obtaining method and focusing ion beam device - Google Patents
Ion beam scan image obtaining method and focusing ion beam deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はイオンビーム走査画像の
取得方法、および集束イオンビーム装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion beam scanning image acquisition method and a focused ion beam apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ガリウム（Ｇａ）などをイオン種とする
集束イオンビーム装置は、ＬＳＩにおける微細なマスク
レスパターン加工が可能であり、ＬＳＩや、さらに微細
なデバイスの観察，製造，加工装置等として、近年、注
目されている。2. Description of the Related Art A focused ion beam apparatus using gallium (Ga) as an ion species is capable of fine maskless pattern processing in an LSI, and is used as an observation, manufacturing, and processing apparatus for an LSI and finer devices. , Has been attracting attention in recent years.
【０００３】図６は、ＬＳＩの断面観察やパターン修正
用として現在使用されている、Ｇａイオンをイオン種と
する集束イオンビーム装置の概要を示す図である。この
集束イオンビーム装置は、イオンポンプ１１により真空
引きされたイオンカラム１より集束Ｇａイオンビーム３
を出射し、このビームを、真空チャンバー（ターボポン
プ６により真空引きされている）内の試料台５上にセッ
トされた試料（ＩＣ）４に照射して，表面から発生する
２次電子を検出して走査電子像を描くものである。FIG. 6 is a diagram showing an outline of a focused ion beam apparatus using Ga ions as an ion species, which is currently used for observing a cross section of an LSI and correcting a pattern. This focused ion beam apparatus is a focused Ga ion beam 3 from an ion column 1 which is evacuated by an ion pump 11.
And irradiate this beam on a sample (IC) 4 set on a sample stage 5 in a vacuum chamber (which is evacuated by a turbo pump 6) to detect secondary electrons generated from the surface. Then, a scanning electron image is drawn.
【０００４】集束したＧａイオンビームの照射によっ
て、試料の極表面で発生する２次電子は、イオンビーム
の電子数の数倍であり、この２次電子は、チャンネル・
エレクトロン・マルチプライヤ２０で検出され、アンプ
２１により増幅されて、ビデオモニタ１２に入力され
る。The number of secondary electrons generated on the pole surface of the sample by the irradiation of the focused Ga ion beam is several times the number of electrons of the ion beam, and these secondary electrons are
It is detected by the electron multiplier 20, amplified by the amplifier 21, and input to the video monitor 12.
【０００５】ビデオモニタ１２には、集束イオンビーム
のＸ、Ｙ方向の走査を制御するコントローラ９から、Ｘ
−Ｙ信号（走査位置情報）も入力されており、ビデオモ
ニタ１２は、アンプ２１からの信号をＺ方向の信号と
し、それをＸ−Ｙ座標と対応づけて表示する。これによ
り、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）のＳＥＭ像に類似の画
面（ＳＩＭ像）を得ることができる。なお、参照番号８
はＸ−Ｙ走査信号発生器であり、アンプ１０はビーム走
査信号の増幅用のアンプである。On the video monitor 12, a controller 9 for controlling the scanning of the focused ion beam in the X and Y directions is used.
The −Y signal (scanning position information) is also input, and the video monitor 12 displays the signal from the amplifier 21 as a signal in the Z direction and associates it with the XY coordinates for display. As a result, a screen (SIM image) similar to the SEM image of the scanning electron microscope (SEM) can be obtained. Note that reference numeral 8
Is an XY scanning signal generator, and the amplifier 10 is an amplifier for amplifying a beam scanning signal.
【０００６】ＳＩＭ画像はＳＥＭ像と比べて、同じ倍率
ならコントラストがはっきりした鮮明な画像を得ること
ができ、また、試料の観察しかできないＳＥＭと違っ
て、ＳＩＭの場合は、試料表面のエッチングを行い、そ
のエッチング断面を観察する等の加工と観察の双方を連
続して行える利点をもつ。Compared with the SEM image, the SIM image can obtain a clear image with a clear contrast at the same magnification, and unlike the SEM which can only observe the sample, the SIM image does not etch the sample surface. This has the advantage that both the processing and the observation such as observing the etching cross section can be performed continuously.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術には、
以下の問題点があることが、本発明者の検討の結果、明
らかとなった。DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention
As a result of the study by the present inventors, the following problems have become apparent.
【０００８】すなわち、現在の集束イオンビーム装置の
最小イオンビーム径は、３５０Å程度である。今後の電
子デバイスの集積度向上を考慮すると、イオンビーム径
はさらに絞られるのは必須であるが、このようなイオン
ビームのさらなる絞り込みを行うと、その照射イオンビ
ーム量が減少し、これに伴って試料表面で発生する２次
電子量も減少し、チャンネルエレクトロンマルチプライ
ヤでは、正確な検出ができなくなる。これは、チャンネ
ルエレクトロンマルチプライヤにおけるＳ／Ｎが悪化し
て、信号がノイズに埋もれてしまうためである。That is, the minimum ion beam diameter of the current focused ion beam apparatus is about 350Å. In consideration of future improvement in the degree of integration of electronic devices, it is essential that the ion beam diameter be further narrowed down.However, if the ion beam diameter is further narrowed down, the irradiation ion beam amount decreases, which As a result, the amount of secondary electrons generated on the sample surface is also reduced, and the channel electron multiplier cannot accurately detect the electrons. This is because the S / N ratio in the channel electron multiplier deteriorates and the signal is buried in noise.
【０００９】チャンネルエレクトロンマルチプライヤの
検出精度の向上にも限度があり、また、そもそも、試料
表面で発生し、空間を経て入射する電子を検出するとい
う検出構造自体に不安定要因を含み（すなわち、その入
射する電子そのものにノイズが多く重畳されていると考
えられる）、現状の技術では、集束イオンビームのさら
なる絞り込みに対応できない。There is a limit to the improvement in the detection accuracy of the channel electron multiplier, and in the first place, there is an instability factor in the detection structure itself that detects the electrons that are generated on the sample surface and enter through the space (that is, It is considered that a lot of noise is superimposed on the incident electrons themselves), and the current technology cannot deal with further narrowing down of the focused ion beam.
【００１０】イオンビーム照射による変化を画像化でき
ないと、ビーム走査の調整等ができず、結局、そのよう
な微小なビーム径の集束イオンビームを、デバイスの加
工や観察に利用できないことになる。If the change due to the ion beam irradiation cannot be imaged, the beam scanning cannot be adjusted and the focused ion beam having such a minute beam diameter cannot be used for processing or observing the device.
【００１１】本発明は、このような検討結果に基づいて
なされたものであり、その目的は、集束イオンビームの
ビーム径を３５０Åよりさらに小さくした場合でも、イ
オンビーム照射による変化を画像化する方法を提供する
こと、および、そのような方法を用いた集束イオンビー
ム装置を提供することにある。The present invention has been made on the basis of the results of such studies, and an object thereof is to image a change due to ion beam irradiation even when the beam diameter of the focused ion beam is made smaller than 350 Å. And to provide a focused ion beam apparatus using such a method.
【００１２】[0012]
（１）本発明のイオンビーム走査画像の取得方法は、試
料上でイオンビームを走査し、その走査に伴ってその試
料に流れる電流の量を測定し、前記イオンビームの走査
位置に対する電流の量を検出して、これにより走査電流
像を描くことを特徴とするものである。 （２）また、本発明の集束イオンビーム装置は、加速さ
れたイオンビームを発生させるイオンビーム発生手段
と、イオンビームの照射対象である試料を載置する試料
台と、この試料台を取り囲む真空チャンバーと、試料に
流れる電流を測定するための電流測定手段と、前記イオ
ンビームを走査するための走査手段と、この走査手段に
よるイオンビーム走査に対応して前記電流測定手段によ
り測定される電流量の変化を検出し、走査イオン像を描
くモニタ手段とを具備することを特徴とするものであ
る。(1) An ion beam scanning image acquiring method of the present invention scans an ion beam on a sample, measures the amount of current flowing through the sample with the scanning, and measures the amount of current with respect to the scanning position of the ion beam. Is detected and a scanning current image is drawn thereby. (2) Further, the focused ion beam apparatus of the present invention includes an ion beam generating means for generating an accelerated ion beam, a sample stage on which a sample to be irradiated with the ion beam is placed, and a vacuum surrounding the sample stage. A chamber, a current measuring unit for measuring a current flowing through a sample, a scanning unit for scanning the ion beam, and an amount of current measured by the current measuring unit corresponding to the ion beam scanning by the scanning unit. And a monitor means for drawing a scanning ion image.
【００１３】[0013]
【作用】試料にイオンビームを照射する場合、イオンビ
ームの加速電圧が３０ＫＶ程度以下であれば、イオンは
試料中に入ることなく、試料の極表面をエッチングしな
がら、その試料表面で反射される。このとき、試料の極
表面からは、相当数の２次電子が発生する。試料が例え
ば、接地されているとして、この場合に、グランドから
試料に流れる電流（吸収電流）に着目する。When the sample is irradiated with the ion beam, if the acceleration voltage of the ion beam is about 30 KV or less, the ions are reflected on the sample surface while etching the polar surface of the sample without entering the sample. . At this time, a considerable number of secondary electrons are generated from the pole surface of the sample. Assuming that the sample is grounded, for example, in this case, pay attention to the current (absorption current) flowing from the ground to the sample.
【００１４】この試料の吸収電流量は、照射されたイオ
ンビームによりチャージされるチャージ電流に、２次電
子の放出による電流を加えた量となる。すなわち、４ｎ
Ａのイオンビームをアルミニュウム（Ａｌ）配線に照射
したとき、この配線から１１ｎＡの２次電子電流が放出
されたとすると、そのアルミニュウム配線（試料）を流
れる吸収電流量は、４ｎＡ＋１１ｎＡ＝１５ｎＡ程度と
なる。The amount of absorption current of this sample is the amount of charge current charged by the irradiated ion beam plus the current due to the emission of secondary electrons. That is, 4n
When an aluminum (Al) wiring is irradiated with an ion beam of A, and a secondary electron current of 11 nA is emitted from this wiring, the amount of absorbed current flowing through the aluminum wiring (sample) is about 4 nA + 11 nA = 15 nA.
【００１５】すなわち、試料の吸収電流には、２次電子
放出に対応した電流が瞬時的に流れるのであり、試料表
面からの２次電子の変化を捉えるのも、試料を流れる吸
収電流量の変化を捉えるのも、結局は、同じ物理現象を
観察することになる。That is, a current corresponding to secondary electron emission instantaneously flows in the absorption current of the sample, and the change of the secondary electron from the surface of the sample is also captured by the change of the amount of absorption current flowing in the sample. In the end, we will observe the same physical phenomenon.
【００１６】次に、２次電子および吸収電流の検出精度
について考察する。２次電子検出のためのチャンネル・
エレクトロンの検出限界は数十ｐＡオーダであり、それ
以下では、Ｓ／Ｎが悪化して検出できなくなる。一方、
試料吸収電流の測定においては、１ｐＡ以下の微小電流
の変化を容易に検出できる。これは、２次電子検出が放
出電子を受けての特殊な測定態様であるに対し、吸収電
流の測定が、通常の導体中を流れる連続した電流量の測
定であり、通常の高精度の電子回路を利用でき、後者の
測定精度が安定していることによる。Next, the detection accuracy of secondary electrons and absorption current will be considered. Channel for secondary electron detection
The electron detection limit is on the order of several tens of pA, and below that, S / N deteriorates and detection becomes impossible. on the other hand,
In measuring the sample absorption current, a change in a minute current of 1 pA or less can be easily detected. This is a special measurement mode in which secondary electron detection receives emitted electrons, whereas measurement of absorption current is measurement of a continuous current amount flowing in a normal conductor, which is a normal high-precision electron measurement. This is because the circuit can be used and the measurement accuracy of the latter is stable.
【００１７】従って、イオンビーム照射後の２次電子放
出による変化を、試料の吸収電流量の変化として捉え、
高精度の電子回路（例えば、電流−電圧変換型アンプ）
により測定することにより、イオンビーム径を絞った場
合にも、把握できるようになる。このため、正確な走査
イオン像をモニタ上に描くことができ、これにより、微
小ビーム径の集束イオンビームを用いた試料の加工，観
察等を実現できる。Therefore, the change due to the secondary electron emission after the ion beam irradiation is regarded as the change in the absorption current amount of the sample,
High-precision electronic circuit (for example, current-voltage conversion type amplifier)
The measurement can be performed even when the ion beam diameter is narrowed down. For this reason, an accurate scanned ion image can be drawn on the monitor, whereby processing, observation, etc. of the sample using a focused ion beam having a small beam diameter can be realized.
【００１８】[0018]
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の集束イオンビーム装置の一
実施例の構成を示す図である。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an embodiment of the focused ion beam device of the present invention.
【００１９】（装置の構成）図中、参照番号１はイオン
ビームを発生，集束させるためのイオンカラムであり、
２は真空チャンバー，３はガリウム（Ｇａ）イオンビー
ムである。参照番号４は試料（ＩＣ），５は試料台，１
１はカラムの真空引きをするためのイオンポンプ，６は
真空チャンバー内を排気するターボポンプ，７は試料４
の吸収電流を測定するための電流−電圧変換型の反転ア
ンプ（電流測定アンプ），８はビームをＸ−Ｙ方向にス
キャンさせる信号の発生器，９はこの発生器８の信号を
用いたコントローラ（倍率等を調整する働きをする），
１０は実際のビームをＸ−Ｙにスキャンさせるための電
圧を発生するアンプ，１２は走査電流像を得るためのビ
デオモニタである。(Device Configuration) In the figure, reference numeral 1 is an ion column for generating and focusing an ion beam,
Reference numeral 2 is a vacuum chamber, and 3 is a gallium (Ga) ion beam. Reference numeral 4 is a sample (IC), 5 is a sample table, 1
1 is an ion pump for vacuuming the column, 6 is a turbo pump for exhausting the inside of the vacuum chamber, 7 is a sample 4
Current-voltage conversion type inverting amplifier (current measuring amplifier) for measuring the absorption current of the beam, 8 is a signal generator for scanning the beam in the XY directions, and 9 is a controller using the signal of the generator 8. (It works to adjust the magnification etc.),
Reference numeral 10 is an amplifier for generating a voltage for scanning an actual beam in XY, and 12 is a video monitor for obtaining a scanning current image.
【００２０】（装置の動作）試料であるＩＣ（４）に、
イオンビーム３を照射し、このイオンビームを、参照番
号８，９，１０の構成を使って、所定速度でＸ，Ｙ方向
に走査する。(Operation of the device) In the IC (4) which is a sample,
The ion beam 3 is irradiated, and the ion beam is scanned in the X and Y directions at a predetermined speed using the configurations of reference numerals 8, 9, and 10.
【００２１】集束イオンビーム３が試料４に入射する
と、電子ビームの場合と異なり、試料中に深く侵入する
ことなく表面で電荷を失って反射し、そこからイオンビ
ームの電子数の数倍の２次電子が発生する。When the focused ion beam 3 is incident on the sample 4, unlike the case of the electron beam, it does not penetrate deeply into the sample and loses its charge on the surface to be reflected, and from there, it is several times as many as the number of electrons of the ion beam. The next electron is generated.
【００２２】これに伴って、電流測定アンプ７側から試
料台５を介して試料４中に電流が流れ、この電流量を、
電流測定アンプ７により測定，増幅する。この測定信号
を、ビデオモニタ１２のブラウン管のＺ端子に入力し、
輝度調節を行い、一方、コントローラ９からのＸ−Ｙ信
号をブラウン管のＸ，Ｙ端子に入力し、ビーム走査に対
応した走査電流像をブラウン管上に描く。Along with this, a current flows from the side of the current measuring amplifier 7 into the sample 4 via the sample stage 5, and the amount of this current is
It is measured and amplified by the current measuring amplifier 7. This measurement signal is input to the Z terminal of the cathode ray tube of the video monitor 12,
The brightness is adjusted, while the XY signals from the controller 9 are input to the X and Y terminals of the cathode ray tube, and a scanning current image corresponding to beam scanning is drawn on the cathode ray tube.
【００２３】（吸収電流測定による走査電流像の特色） （ａ）図２の下側には、試料の材質を種々に変化させて
吸収電流量を測定した結果（ア）と、集束イオンビーム
の試料への入射角を変化させた場合の吸収電流量を測定
した結果（イ）とが示されている。Ｇａイオンビームの
電流は１６ｐＡ，ビーム径は５００Åである。(Characteristics of Scanning Current Image by Absorption Current Measurement) (a) The lower part of FIG. 2 shows the results (a) of the absorption current amount measured by variously changing the material of the sample and the focused ion beam. The result (a) of measuring the amount of absorption current when the incident angle on the sample is changed is shown. The current of the Ga ion beam is 16 pA and the beam diameter is 500Å.
【００２４】吸収電流量は試料の材質に応じて変化し、
また、ビーム入射角θに応じて変化していることがわか
る。従って、吸収電流を検出する本発明の方法によれ
ば、試料表面の材質の変化や、凹凸の状態を正確に検知
できる。The amount of absorbed current changes depending on the material of the sample,
Further, it can be seen that it changes according to the beam incident angle θ. Therefore, according to the method of the present invention for detecting the absorption current, it is possible to accurately detect the change in the material of the sample surface and the state of the unevenness.
【００２５】（ｂ）図３に示されるような半導体デバイ
スの表面において、イオンビームをＡ−Ｃに沿って繰り
返しスキャンした場合の、２次電子検出波形（チャンネ
ルエレクトロンにより検出）と吸収電流検出波形が図４
に示される。図４において、吸収電流像は、反転アンプ
７により検出しているために、２次電子像とは逆の極性
として描かれている。(B) Secondary electron detection waveform (detected by channel electrons) and absorption current detection waveform when the ion beam is repeatedly scanned along the line AC on the surface of the semiconductor device as shown in FIG. Is Figure 4
Shown in. In FIG. 4, since the absorption current image is detected by the inverting amplifier 7, the absorption current image is depicted as having a polarity opposite to that of the secondary electron image.
【００２６】図３では、Ｓｉ基板３０上に、ＳｉＯ2 膜
３１がパッシベーション膜として設けられ、ＳｉＯ2 膜
３１上の一部には、ポリシリコン層３２が形成されてい
る。ＳｉＯ2 膜３１は絶縁物のために、２次電子の放出
が極めて少なく、ポリシリコン層３２の場合には、導体
であるためにイオンビームの電子数の２，３倍の２次電
子が放出される。従って、イオンビームがＡ−Ｂ間を走
査している場合には吸収電流量は少なく、Ｂ−Ｃ間を走
査している場合には吸収電流量はかなり増大する。図４
では、このような周期的な変化がよく現れている。In FIG. 3, a SiO 2 film 31 is provided as a passivation film on a Si substrate 30, and a polysilicon layer 32 is formed on a part of the SiO 2 film 31. Since the SiO 2 film 31 is an insulator, secondary electron emission is extremely small. In the case of the polysilicon layer 32, since it is a conductor, secondary electrons are emitted two to three times the number of electrons in the ion beam. To be done. Therefore, the amount of absorbed current is small when the ion beam is scanning between A and B, and the amount of absorbing current is considerably increased when scanning between B and C. Figure 4
Then, such a periodical change often appears.
【００２７】ここで注目すべき点は、図４における比較
例としての２次電子像（上側）に比べ、本発明による吸
収電流像（下側）は、特に２次電子の放出が多い領域に
おいて、波形の乱れが少なく、Ｓ／Ｎが格段に良いこと
であり、また、波形の再現性も優れていることである。
２次電子検出の場合には、ビームをこれ以上絞ると、ビ
ーム電流が減って画像化が困難になるが、試料吸収電流
の検出の場合は、さらに、ビーム径を１／４〜１／５程
度まで絞り込んで検出できることがわかる。The point to be noted here is that, in comparison with the secondary electron image (upper side) as a comparative example in FIG. 4, the absorption current image (lower side) according to the present invention particularly in a region where secondary electron emission is large. In addition, there is little disturbance of the waveform, the S / N is remarkably good, and the reproducibility of the waveform is excellent.
In the case of secondary electron detection, if the beam is further narrowed down, the beam current will decrease, making it difficult to image. However, in the case of detecting the sample absorption current, the beam diameter is further reduced to 1/4 to 1/5. It can be seen that detection can be performed by narrowing down to a certain degree.
【００２８】（ｃ）試料の吸収電流を検出し、オシロス
コープ上で画像化した場合の像が、図５（ａ）に示され
る。図５（ｂ）は比較例としての２次電子像であるが、
画像の反転を除いては、同様の画像が得られており、本
発明を用いた試料吸収電流像の方がより鮮明である。(C) An image obtained by detecting the absorption current of the sample and imaging it on an oscilloscope is shown in FIG. 5 (a). FIG. 5B is a secondary electron image as a comparative example.
Similar images were obtained except for the inversion of the image, and the sample absorption current image using the present invention is clearer.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、以
下の効果が得られる。 （１）集束イオンビームを３５０Å程度以下に、さらに
絞り込んだ場合にも、イオンビーム照射による変化を捉
えて画像化できるようになる。これにより、より高分解
能の顕微鏡による試料の観察や、電子デバイスに対する
微細な加工，修正等が行えるようになる。 （２）装置としては、従来のチャンネル・エレクトロン
（２次電子検出器）を電流測定アンプに代えるだけでよ
く、装置構成が簡単で、実現が容易である。また、電流
測定アンプの精度向上に伴い、分解能のさらなる向上も
期待できる。 （３）これらにより、将来の量子効果ＩＣのようなデバ
イスの超微細化にも充分適用可能な、観察，加工技術を
確立できる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (1) Even when the focused ion beam is further narrowed down to about 350 Å or less, it becomes possible to capture the change caused by the ion beam irradiation and form an image. As a result, it becomes possible to observe the sample with a higher resolution microscope and perform fine processing and correction on the electronic device. (2) As for the device, the conventional channel electrons (secondary electron detector) need only be replaced with a current measuring amplifier, and the device configuration is simple and easy to realize. Further, further improvement in resolution can be expected as the accuracy of the current measurement amplifier is improved. (3) With these, it is possible to establish an observation and processing technique that can be sufficiently applied to ultra-miniaturization of devices such as future quantum effect ICs.
【図１】本発明の集束イオンビーム装置の一実施例の構
成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment of a focused ion beam device of the present invention.
【図２】試料の材質を種々に変化させて吸収電流量を測
定した結果と、集束イオンビームの試料への入射角を変
化させた場合の吸収電流量を測定した結果を説明するた
めの図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the results of measuring the amount of absorbed current by varying the material of the sample and the results of measuring the amount of absorbed current when the incident angle of the focused ion beam on the sample is changed. Is.
【図３】イオンビームの照射対象例である。FIG. 3 is an example of an irradiation target of an ion beam.
【図４】図３に示されるような試料の表面において、イ
オンビームをＡ−Ｃに沿って繰り返しスキャンした場合
の、２次電子検出波形（チャンネルエレクトロンにより
検出）と吸収電流検出波形を、比較して示す図である。FIG. 4 compares a secondary electron detection waveform (detected by channel electrons) with an absorption current detection waveform when an ion beam is repeatedly scanned along A-C on the surface of the sample as shown in FIG. FIG.
【図５】（ａ）は試料の吸収電流を検出し、オシロスコ
ープ上で画像化した場合（本発明）の像を示す図、
（ｂ）は比較例としての２次電子像を示す図である。FIG. 5A is a diagram showing an image when the absorption current of a sample is detected and imaged on an oscilloscope (the present invention);
(B) is a figure which shows the secondary electron image as a comparative example.
【図６】従来の集束イオンビーム装置の構成例を示す図
である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration example of a conventional focused ion beam device.
１ イオンカラム ２ 真空チャンバー ３ イオンビーム ４ 試料（ＩＣ） ５ 試料台 ６ ターボポンプ ７ 電流測定アンプ ８ Ｘ−Ｙ走査信号発生器 ９ コントローラ １０ アンプ １１ イオンポンプ １２ ビデオモニタ 1 Ion Column 2 Vacuum Chamber 3 Ion Beam 4 Sample (IC) 5 Sample Stage 6 Turbo Pump 7 Current Measuring Amplifier 8 XY Scanning Signal Generator 9 Controller 10 Amplifier 11 Ion Pump 12 Video Monitor
Claims (2)
査に伴ってその試料に流れる電流の量を測定し、前記イ
オンビームの走査位置に対する電流の量を検出して、こ
れにより走査電流像を描くことを特徴とするイオンビー
ム走査画像の取得方法。1. A sample is scanned with an ion beam, the amount of current flowing through the sample with the scanning is measured, and the amount of current with respect to the scanning position of the ion beam is detected. A method for acquiring an ion beam scanning image, which comprises:
オンビーム発生手段と、イオンビームの照射対象である
試料を載置する試料台と、この試料台を取り囲む真空チ
ャンバーと、試料に流れる電流を測定するための電流測
定手段と、前記イオンビームを走査するための走査手段
と、この走査手段によるイオンビーム走査に対応して前
記電流測定手段により測定される電流量の変化を検出
し、走査電流像を描くモニタ手段とを具備することを特
徴とする集束イオンビーム装置。2. An ion beam generating means for generating an accelerated ion beam, a sample stage on which a sample to be irradiated with the ion beam is placed, a vacuum chamber surrounding the sample stage, and a current flowing through the sample is measured. Current measuring means for scanning, the scanning means for scanning the ion beam, the change in the amount of current measured by the current measuring means in response to the ion beam scanning by the scanning means, and the scanning current image And a monitor means for drawing the focused ion beam device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4228851A JPH0676781A (en) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | Ion beam scan image obtaining method and focusing ion beam device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4228851A JPH0676781A (en) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | Ion beam scan image obtaining method and focusing ion beam device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676781A true JPH0676781A (en) | 1994-03-18 |
Family
ID=16882873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4228851A Pending JPH0676781A (en) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | Ion beam scan image obtaining method and focusing ion beam device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676781A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005243368A (en) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Sii Nanotechnology Inc | Removing image noise in fib / sem composite device |
| KR100734252B1 (en) * | 2001-03-16 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | Apparatus of ion implantation containing beam sensing system and method of measuring the quantity of dose thereof |
-
1992
- 1992-08-27 JP JP4228851A patent/JPH0676781A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100734252B1 (en) * | 2001-03-16 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | Apparatus of ion implantation containing beam sensing system and method of measuring the quantity of dose thereof |
| JP2005243368A (en) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Sii Nanotechnology Inc | Removing image noise in fib / sem composite device |
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