JPH0670539A - Rush current preventive circuit - Google Patents

Rush current preventive circuit

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JPH0670539A
JPH0670539A JP21282392A JP21282392A JPH0670539A JP H0670539 A JPH0670539 A JP H0670539A JP 21282392 A JP21282392 A JP 21282392A JP 21282392 A JP21282392 A JP 21282392A JP H0670539 A JPH0670539 A JP H0670539A
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capacitor
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茂夫 渡辺
Tamotsu Kawachi
保 河内
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Abstract

PURPOSE:To prevent the supply of a control voltage to be impressed on a gate terminal of an on-off element which short-circuits a resistor for limiting a rush current from the primary winding of a transformer. CONSTITUTION:A terminal voltage of a capacitor C2 for clamp which is connected in parallel with a switching element Q1 is impressed on a gate terminal of a thyristor SCR through a diode D1. By supplying not a pulse voltage, but a DC voltage, a sufficient gate power can be given to the gate terminal, and therefore the thyristor SCR can be made to operate reliably as an on-off element.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、直流電源をスイッチン
グして高周波に変換する際に、電源投入時に発生する突
入電流のピークを抑える突入電流防止回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inrush current prevention circuit for suppressing a peak of an inrush current generated when a DC power supply is switched and converted into a high frequency.

【0002】[0002]

【従来の技術】スイッチングレギュレータの一種として
図11に示した構成のものが知られている。Vinは整
流回路などからなる直流電源,C1は平滑用電解コンデ
ンサ,Tは絶縁トランス(高周波トランス),N1,N
2,N3は1次巻線,N4は2次巻線,S1はスイッ
チ,Q1,Q2はスイッチング素子,D1乃至D3はダ
イオード,R1乃至R3は抵抗,C2,C3はコンザン
サ,L1はインダクタ,SCRはサイリスタ,CONは
PWM制御回路,TOは出力端子である。
2. Description of the Related Art As a kind of switching regulator, one having a structure shown in FIG. 11 is known. Vin is a DC power supply including a rectifying circuit, C1 is a smoothing electrolytic capacitor, T is an insulating transformer (high frequency transformer), N1, N
2, N3 are primary windings, N4 is a secondary winding, S1 is a switch, Q1 and Q2 are switching elements, D1 to D3 are diodes, R1 to R3 are resistors, C2 and C3 are capacitors, L1 is an inductor, SCR. Is a thyristor, CON is a PWM control circuit, and TO is an output terminal.

【0003】このような構成のスイッチングレギュレー
タは、スイッチS1のオンにより直流電源Vinから入
力される直流電圧を一対のスイッチング素子Q1,Q2
によってスイッチングして高周波に変換した後、この高
周波を絶縁トランスTによって昇圧して2次コイルN4
に出力させ、この昇圧高周波をD3,L1,C3からな
る整流,平滑回路によって直流に変換して端子TOから
出力するものである。ここでPWM制御回路CONは、
一対のスイッチング素子Q1,Q2を制御して各素子Q
1,Q2のスイッチング動作によって出力される高周波
のパルス幅を調整させることにより、端子TOから出力
される直流電圧が一定となるような制御動作を行なって
いる。また、スイッチング素子Q1と並列接続されてい
るコンデンサC2はQ1がオン,オフしたとき、オフ時
の電圧をある程度抑える(クランプ)ように働くクラン
プ用コンデンサである。
In the switching regulator having such a configuration, when the switch S1 is turned on, the DC voltage input from the DC power source Vin is supplied to the pair of switching elements Q1 and Q2.
After being switched by and converted into a high frequency, the high frequency is boosted by the insulating transformer T and the secondary coil N4
The boosted high frequency is converted into direct current by the rectifying and smoothing circuit composed of D3, L1 and C3 and output from the terminal TO. Here, the PWM control circuit CON is
Each element Q is controlled by controlling a pair of switching elements Q1 and Q2.
The control operation is performed so that the DC voltage output from the terminal TO becomes constant by adjusting the pulse width of the high frequency output by the switching operation of 1 and Q2. Further, the capacitor C2 connected in parallel with the switching element Q1 is a clamping capacitor that works so as to suppress (clamp) the voltage when the Q1 is turned on and off to some extent.

【0004】このような動作を行う場合、スイッチS1
をオンした瞬間に直流電源Vinから大容量の平滑用電
解コンデンサC1に短時間で流入する充電電流に基き、
大きな突入電流(インラッシュ電流)が生じこれが周辺
回路等に影響を与える。このため通常は充電電流経路に
抵抗R1を設けて、この抵抗R1を突入電流制限用抵抗
として動作させることにより、突入電流のピーク値を抑
えることが行われている。
When performing such an operation, the switch S1
Based on the charging current that flows from the DC power source Vin to the large-capacity smoothing electrolytic capacitor C1 in a short time at the moment when is turned on,
A large rush current (inrush current) is generated, which affects peripheral circuits and the like. Therefore, normally, a resistor R1 is provided in the charging current path and the resistor R1 is operated as a resistor for limiting the inrush current to suppress the peak value of the inrush current.

【0005】そして充電完了後1次巻線N3から出力さ
せた電圧をダイオードD1を介してサイリスタSCRの
ゲート端子に印加し、サイリスタSCRをオンさせて抵
抗R1を短絡するように図られている。すなわち、抵抗
R1はコンデンサC1の充電時のみ用いられるようにな
っている。Mは突入電流防止回路を構成している。図1
0はコンデンサC1に対する印加電圧aと入力電流bの
波形図を示している。突入電流Ipは(2の平方根・E
in/R1)によって決定される。
After the completion of charging, the voltage output from the primary winding N3 is applied to the gate terminal of the thyristor SCR via the diode D1 to turn on the thyristor SCR and short-circuit the resistor R1. That is, the resistor R1 is used only when the capacitor C1 is charged. M constitutes an inrush current prevention circuit. Figure 1
Reference numeral 0 shows a waveform diagram of the applied voltage a and the input current b to the capacitor C1. The inrush current Ip is (square root of 2 · E
in / R1).

【0006】図12はスイッチングレギュレータの他の
構成を示すもので、図11に比べてスイッチング素子が
Q1の1個のみ用いられている点が異なっている。これ
に基き図11でスイッチング素子Q2が直列接続された
1次巻線N2も不要になっている。動作は図11の場合
に準じて行われる。
FIG. 12 shows another configuration of the switching regulator, which is different from FIG. 11 in that only one switching element Q1 is used. Based on this, the primary winding N2 in which the switching element Q2 is connected in series in FIG. 11 is also unnecessary. The operation is performed according to the case of FIG.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで従来の突入電
流防止回路では、次のような各問題がある。
The conventional inrush current prevention circuit has the following problems.

【0008】1.突入電流制限用抵抗として動作する抵
抗R1を短絡させるサイリスタSCRのゲート端子に印
加する制御電圧を得るため、わざわざ1次巻線N3を用
意しなければならない。
1. In order to obtain the control voltage applied to the gate terminal of the thyristor SCR that short-circuits the resistor R1 that operates as the inrush current limiting resistor, the primary winding N3 must be purposely prepared.

【0009】2.この1次巻線N3から得られる制御電
圧は、直流電源Vinの大きさに比例するので、この直
流電源Vinが大きくなるとその制御電圧も大きくなる
ため、サイリスタSCRのゲート電流制限抵抗として働
く抵抗R3の損失電力が増加する。
2. Since the control voltage obtained from the primary winding N3 is proportional to the magnitude of the DC power source Vin, the control voltage also increases as the DC power source Vin increases. Therefore, the resistor R3 that functions as the gate current limiting resistance of the thyristor SCR. Power loss increases.

【0010】3.この1次巻線N3から得られる制御電
圧はパルス電圧であるため、パルス幅が狭くなったとき
にサイリスタSCRのゲート端子に印加されるゲートパ
ワーが不十分となるので、サイリスタSCRを確実に動
作させるのが不可能となる。
3. Since the control voltage obtained from the primary winding N3 is a pulse voltage, the gate power applied to the gate terminal of the thyristor SCR becomes insufficient when the pulse width becomes narrow, so that the thyristor SCR operates reliably. It is impossible to let them do it.

【0011】本発明は以上のような問題に対処してなさ
れたもので、スイッチング素子と並列接続されたクラン
プ用コンデンサを利用することにより従来問題を解決す
るようにした突入電流防止回路を提供することを目的と
するものである。
The present invention has been made in consideration of the above problems, and provides a rush current prevention circuit which solves the conventional problems by using a clamping capacitor connected in parallel with a switching element. That is the purpose.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、直流電源と変圧器の1次巻線とスイッチン
グ素子とが直列接続され、この直列接続された回路の途
中経路に突入電流制限用抵抗とこの抵抗を短絡する抵抗
短絡用開閉素子とが並列接続され、さらに前記スイッチ
ング素子にクランプ用コンデンサが並列接続されてなる
突入電流防止回路において、前記クランプ用コンデンサ
をダイオードを介して前記抵抗短絡用開閉素子のゲート
端子に接続し、前記クランプ用コンデンサの端子電圧を
前記ゲート端子に印加して前記抵抗短絡用開閉素子の開
閉動作を制御することを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the present invention is directed to a direct current power source, a primary winding of a transformer and a switching element connected in series, and a rush into an intermediate path of a circuit connected in series. In an inrush current prevention circuit in which a current limiting resistor and a resistance short-circuiting switching element that short-circuits this resistor are connected in parallel, and a clamping capacitor is connected in parallel to the switching element, the clamping capacitor is connected via a diode. It is characterized in that it is connected to the gate terminal of the resistance short-circuiting switching element and the terminal voltage of the clamping capacitor is applied to the gate terminal to control the opening / closing operation of the resistance shorting switching element.

【0013】[0013]

【作用】本発明の構成によれば、スイッチング素子に並
列接続されているクランプ用コンデンサをダイオードを
介して抵抗短絡用開閉素子のゲート端子に接続するよう
にしたので、ゲート端子には絶縁トランスの1次巻線か
らでなくクランプ用コンデンサから得られた端子電圧が
制御電圧として印加される。これによりわざわざそのた
めの1次巻線N3を用意する必要はなくなり、またその
制御電圧は直流電源の大きさに比例せず、さらに制御電
圧はパルス電圧でなく直流電圧が得られる。
According to the structure of the present invention, the clamping capacitor connected in parallel to the switching element is connected to the gate terminal of the switching element for resistance short circuit through the diode. A terminal voltage obtained not from the primary winding but from the clamping capacitor is applied as a control voltage. Therefore, it is not necessary to prepare the primary winding N3 for that purpose, the control voltage is not proportional to the magnitude of the DC power supply, and the control voltage is not the pulse voltage but the DC voltage.

【0014】[0014]

【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0015】図1は本発明の突入電流防止回路の第1の
実施例を示す結線図で、Vinは整流回路などからなる
直流電源,C1は平滑用電解コンデンサ,Tは絶縁トラ
ンス(高周波トランス),N1,N2は1次巻線,N4
は2次巻線,S1はスイッチ,Q1,Q2はスイッチン
グ素子,D1乃至D3はダイオード,R1乃至R3は抵
抗,C2,C3はコンデンサ,L1はインダクタ,SC
Rはサイリスタ,CONはPWM制御回路,TOは出力
端子,Mは突入電流防止回路である。
FIG. 1 is a connection diagram showing a first embodiment of an inrush current prevention circuit according to the present invention. Vin is a DC power source including a rectifying circuit, C1 is a smoothing electrolytic capacitor, and T is an insulating transformer (high frequency transformer). , N1 and N2 are primary windings, N4
Is a secondary winding, S1 is a switch, Q1 and Q2 are switching elements, D1 to D3 are diodes, R1 to R3 are resistors, C2 and C3 are capacitors, L1 is an inductor, and SC.
R is a thyristor, CON is a PWM control circuit, TO is an output terminal, and M is an inrush current prevention circuit.

【0016】直流電源Vinと絶縁トランスTの1次巻
線N1とスイッチング素子Q1とが直列接続され、この
直列接続された回路の途中経路に突入電流制限用抵抗と
して働く抵抗R1と、この抵抗R1を短絡する抵抗短絡
用開閉素子として働くサイリスタSCRとが並列接続さ
れている。さらにクランプ用コンデンサC2がスイッチ
ング素子Q1に並列接続され、他のスイッチング素子Q
2が1次巻線N2に直列接続されている。
The DC power source Vin, the primary winding N1 of the insulating transformer T, and the switching element Q1 are connected in series, and a resistor R1 acting as a rush current limiting resistor in the intermediate path of the series-connected circuit and this resistor R1. Is connected in parallel with a thyristor SCR which functions as a switching element for resistance short-circuiting. Further, a clamping capacitor C2 is connected in parallel with the switching element Q1, and another switching element Q1 is connected.
2 is connected in series to the primary winding N2.

【0017】次に本実施例の動作を説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

【0018】スイッチS1のオンにより、直流電源Vi
nから入力される直流電圧を一対のスイッチング素子Q
1,Q2によって高周波に変換した後、この高周波を絶
縁トランスTによって昇圧して2次コイルN4に出力さ
せ、この昇圧高周波をD3,L1,C3からなる整流,
平滑回路によって直流に変換して端子TOから出力す
る。
When the switch S1 is turned on, the DC power source Vi
The DC voltage input from n is applied to a pair of switching elements Q
After being converted to a high frequency by 1, Q2, this high frequency is boosted by the insulating transformer T and output to the secondary coil N4, and the boosted high frequency is rectified by D3, L1, C3,
It is converted to direct current by the smoothing circuit and output from the terminal TO.

【0019】ここでPWM制御回路CONは、一対のス
イッチング素子Q1,Q2を制御して各素子Q1,Q2
のスイッチング動作によって出力される高周波のパルス
幅を調整させることにより、端子TOから出力される直
流電圧が一定となるような制御動作を行う。ここで端子
TOから出力される出力電圧Voutは次のように示さ
れる。
Here, the PWM control circuit CON controls a pair of switching elements Q1 and Q2 to control each element Q1 and Q2.
By adjusting the pulse width of the high frequency output by the switching operation of, the control operation is performed so that the DC voltage output from the terminal TO becomes constant. Here, the output voltage Vout output from the terminal TO is shown as follows.

【0020】 Vout=Vin・(N2/N1)・{TON/(TON+TOFF )} …(1) Vout = Vin · (N2 / N1) · {TON / (TON + TOFF)} (1)

【0021】図8は直流電源Vinの入力電圧が低い場
合のPWM制御回路CONによる制御動作を示し、式
(1) に基いてTONはTOFF より大きくなるように制御さ
れる。なおON部分はVG を示し、OFF部分はVin
を示している。VN1は2次巻線N1の出力電圧を示して
いる。
FIG. 8 shows the control operation by the PWM control circuit CON when the input voltage of the DC power source Vin is low,
Based on (1), TON is controlled to be larger than TOFF. The ON part indicates VG and the OFF part indicates Vin.
Is shown. VN1 indicates the output voltage of the secondary winding N1.

【0022】図9は直流電源Vinの入力電圧が高い場
合のPWM制御回路CONによる制御動作を示し、式
(1) に基いてTONはTOFF より小さくなるように制御さ
れる。図8及び図9において次式が成立する。
FIG. 9 shows the control operation by the PWM control circuit CON when the input voltage of the DC power source Vin is high,
Based on (1), TON is controlled to be smaller than TOFF. The following expressions are established in FIGS. 8 and 9.

【0023】 TON・Vin=TOFF ・VG …(2) TON · Vin = TOFF · VG (2)

【0024】従って、式(2) に基いて図8及び図9にお
いてON部分の面積はOFF部分の面積と等しく設定さ
れる。
Therefore, the area of the ON portion is set equal to the area of the OFF portion in FIGS. 8 and 9 based on the equation (2).

【0025】このような動作において、本実施例におい
てはクランプ用コンデンサC2がダイオードD1を介し
てサイリスタSCRのゲート端子に接続されていること
により、このゲート端子には従来のように1次巻線から
でなくクランプ用コンデンサC2から得られた端子電圧
が制御電圧VG として印加される。
In such an operation, in the present embodiment, the clamping capacitor C2 is connected to the gate terminal of the thyristor SCR via the diode D1. The terminal voltage obtained from the clamp capacitor C2 is applied as the control voltage VG.

【0026】この制御電圧VG は図8及び図9に示した
ように、直流電源Vinの入力電圧の高低によって変化
し次式で示されるように示される。
As shown in FIGS. 8 and 9, the control voltage VG varies depending on the level of the input voltage of the DC power source Vin, and is represented by the following equation.

【0027】 VG =Vin×(TON/TOFF ) …(3) VG = Vin × (TON / TOFF) (3)

【0028】図3は式(3) に基いて入力電源電圧Vin
(横軸)に対するゲート印加電圧VG (縦軸)の関係を
示したものであり、Aは本実施例による特性,Bは従来
のものの特性を示している。両者を比較すれば明らかな
ように、本実施例によればサイリスタSCRの制御電圧
となるゲート印加電圧VG の変化は少なくなる。一方、
従来においてはゲート印加電圧VG の変化は極めて大き
くなっている。従って本実施例によれば突入電流防止回
路Mの入力電圧変化に対するゲート電圧の変化を少なく
抑えられることを示している。
FIG. 3 shows the input power supply voltage Vin based on the equation (3).
It shows the relationship of the gate applied voltage VG (vertical axis) with respect to (horizontal axis), where A is the characteristic of this embodiment and B is the characteristic of the conventional one. As is clear from a comparison between the two, according to the present embodiment, the change in the gate applied voltage VG which is the control voltage of the thyristor SCR is small. on the other hand,
Conventionally, the change in the gate applied voltage VG is extremely large. Therefore, according to the present embodiment, it is shown that the change of the gate voltage with respect to the change of the input voltage of the inrush current prevention circuit M can be suppressed to be small.

【0029】このように本実施例によれば次のような効
果を得ることができる。
As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.

【0030】1.突入電流制限用抵抗として動作する抵
抗R1を短絡させるサイリスタSCRのゲート端子に与
える制御電圧を得るため、わざわざ1次巻線N3を用意
する必要はなくなる。
1. In order to obtain the control voltage applied to the gate terminal of the thyristor SCR that short-circuits the resistor R1 that operates as a rush current limiting resistor, it is not necessary to purposely prepare the primary winding N3.

【0031】2.ゲート端子に与える制御電圧は直流電
源Vinが大きさに比例しないので、サイリスタSCR
のゲート電流制限抵抗として働く抵抗R3の損失電力が
増加しない。
2. Since the control voltage applied to the gate terminal is not proportional to the magnitude of the DC power supply Vin, the thyristor SCR
The loss power of the resistor R3, which works as the gate current limiting resistor of, does not increase.

【0032】3.ゲート端子に与える制御電圧はパルス
電圧でなくクランプ用コンデンサC2の端子電圧による
直流電圧であり、しかもその変化は少ないのでゲート端
子に加えられるゲートパワーは十分になるため、サイリ
スタを確実に動作させることができる。
3. The control voltage applied to the gate terminal is not a pulse voltage but a DC voltage due to the terminal voltage of the clamping capacitor C2, and since the change is small, the gate power applied to the gate terminal is sufficient, so that the thyristor should be operated reliably. You can

【0033】図2は本発明の他の実施例を示すもので、
図1に比べてスイッチング素子がQ1の1個のみ用いた
例を示すものである。これに基き図1では必要であった
2次巻線N2も不要となる。本実施例によっても前記実
施例に準じた動作が行われるので、同様な効果を得るこ
とができる。
FIG. 2 shows another embodiment of the present invention.
Compared to FIG. 1, it shows an example in which only one switching element Q1 is used. Based on this, the secondary winding N2, which was necessary in FIG. 1, is also unnecessary. Since the operation according to the above-described embodiment is performed also in this embodiment, the same effect can be obtained.

【0034】各実施例においては抵抗R1と並列接続さ
れる抵抗短絡用開閉素子としては、サイリスタSCRに
例をあげて説明したが何らこれに限ることはなく他の素
子を用いることもできる。図4乃至図7はそれらの例を
示すもので、図4はトライアックを用いた例、図5はM
OSFETを用いた例、図6はトランジスタを用いた
例、図7はIGBTを用いた例を示している。要するに
制御電圧VG が印加されるゲート端子を有していて、こ
のゲート端子電圧によって開閉動作を行うような素子で
あれば良い。
In each embodiment, the thyristor SCR is used as an example of the switching element for resistance short circuit connected in parallel with the resistor R1, but the invention is not limited to this and other elements can be used. 4 to 7 show these examples. FIG. 4 shows an example using a triac, and FIG. 5 shows M.
FIG. 6 shows an example using an OSFET, FIG. 6 shows an example using a transistor, and FIG. 7 shows an example using an IGBT. In short, any element may be used as long as it has a gate terminal to which the control voltage VG is applied, and the switching operation is performed by this gate terminal voltage.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、スイ
ッチング素子に並列接続されているクランプ用コンデン
サをダイオードを介して抵抗短絡用開閉素子のゲート端
子に接続するようにしたので、1次巻線を不要にして制
御電圧を印加することができ、また直流電源の大きさに
比例しない制御電圧を印加することができ、さらにパル
ス電圧でなく変化の少ない直流電圧を印加することがで
きる。
As described above, according to the present invention, the clamping capacitor connected in parallel with the switching element is connected to the gate terminal of the resistance short-circuit switching element through the diode. A control voltage can be applied without using a winding, a control voltage that is not proportional to the magnitude of a DC power supply can be applied, and a DC voltage that is not a pulse voltage and that does not change can be applied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の突入電流防止回路の実施例を示す結線
図である。
FIG. 1 is a connection diagram showing an embodiment of an inrush current prevention circuit of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例を示す結線図である。FIG. 2 is a connection diagram showing another embodiment of the present invention.

【図3】本発明及び従来における入力電源電圧とゲート
印加電圧との関係を示す特性図である。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between an input power supply voltage and a gate applied voltage in the present invention and the related art.

【図4】本発明実施例に用いられる抵抗短絡用開閉素子
の具体例を示す結線図である。
FIG. 4 is a connection diagram showing a specific example of a switching element for resistance short circuit used in an embodiment of the present invention.

【図5】本発明実施例に用いられる抵抗短絡用開閉素子
の他の具体例を示す結線図である。
FIG. 5 is a connection diagram showing another specific example of the switching element for resistance short circuit used in the embodiment of the present invention.

【図6】本発明実施例に用いられる抵抗短絡用開閉素子
のその他の具体例を示す結線図である。
FIG. 6 is a connection diagram showing another specific example of the switching element for resistance short circuit used in the embodiment of the present invention.

【図7】本発明実施例に用いられる抵抗短絡用開閉素子
のその他の具体例を示す結線図である。
FIG. 7 is a connection diagram showing another specific example of the switching element for resistance short circuit used in the embodiment of the present invention.

【図8】本発明実施例の動作を説明する波形図である。FIG. 8 is a waveform diagram illustrating the operation of the embodiment of the present invention.

【図9】本発明実施例の動作を説明する波形図である。FIG. 9 is a waveform diagram illustrating the operation of the embodiment of the present invention.

【図10】従来例における印加電圧及び入力電流の波形
図である。
FIG. 10 is a waveform diagram of an applied voltage and an input current in a conventional example.

【図11】従来の突入電流防止回路を示す結線図であ
る。
FIG. 11 is a connection diagram showing a conventional inrush current prevention circuit.

【図12】従来の突入電流防止回路を示す結線図であ
る。
FIG. 12 is a connection diagram showing a conventional inrush current prevention circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Vin 直流電源 S1 スイッチ C1 平滑用コンデンサ C2 クランプ用コンデンサ Q1,Q2 スイッチング素子 R1 突入電流制限用抵抗 SCR サイリスタ(抵抗短絡用開閉素子) M 突入電流防止回路 CON PWM制御回路 Vin DC power supply S1 Switch C1 Smoothing capacitor C2 Clamping capacitor Q1, Q2 Switching element R1 Inrush current limiting resistor SCR Thyristor (switching element for resistance short circuit) M Inrush current prevention circuit CON PWM control circuit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 直流電源と変圧器の1次巻線とスイッチ
ング素子とが直列接続され、この直列接続された回路の
途中経路に突入電流制限用抵抗とこの抵抗を短絡する抵
抗短絡用開閉素子とが並列接続され、さらに前記スイッ
チング素子にクランプ用コンデンサが並列接続されてな
る突入電流防止回路において、前記クランプ用コンデン
サをダイオードを介して前記抵抗短絡用開閉素子のゲー
ト端子に接続し、前記クランプ用コンデンサの端子電圧
を前記ゲート端子に印加して前記抵抗短絡用開閉素子の
開閉動作を制御することを特徴とする突入電流防止回
路。
1. A DC power supply, a primary winding of a transformer, and a switching element are connected in series, and an inrush current limiting resistor and a resistance short-circuit switching element for short-circuiting this resistor are provided in the intermediate path of the series-connected circuit. In a rush current prevention circuit in which a switching capacitor and a clamping capacitor are connected in parallel, the clamping capacitor is connected to the gate terminal of the resistance shorting switching element via a diode, An inrush current prevention circuit, characterized in that a terminal voltage of a capacitor for application is applied to the gate terminal to control the opening / closing operation of the resistance short-circuiting switching element.
【請求項2】 前記変圧器の1次巻線に第2の1次巻線
を並列接続し、この第2の1次巻線に第2のスイッチン
グ素子を直列接続した請求項1記載の突入電流防止回
路。
2. The inrush according to claim 1, wherein a second primary winding is connected in parallel to the primary winding of the transformer, and a second switching element is connected in series to the second primary winding. Current prevention circuit.
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