JPH066983A - Inverter unit - Google Patents

Inverter unit

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JPH066983A
JPH066983A JP4068515A JP6851592A JPH066983A JP H066983 A JPH066983 A JP H066983A JP 4068515 A JP4068515 A JP 4068515A JP 6851592 A JP6851592 A JP 6851592A JP H066983 A JPH066983 A JP H066983A
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JP
Japan
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self
circuit
diode
extinguishing
snubber circuit
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Application number
JP4068515A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoichiro Miyashita
洋一郎 宮下
Kenichi Shibata
謙一 柴田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SANSHIN DENGU SEIZO KK
Original Assignee
SANSHIN DENGU SEIZO KK
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Publication date
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Publication of JPH066983A publication Critical patent/JPH066983A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide an inverter unit comprising a self-extinguishing module in which transient overvoltage can be suppressed through a simple circuitry. CONSTITUTION:Snubber circuits TXs, each comprising a parallel circuit of one resistor and one diode connected in series with one capacitor, and self- extinguishing modules TMs are arranged, at short intervals, on conductor frames FRP, FRN. The snubber circuits TXs and the self-extinguishing modules TMs are arranged symmetrically with respect to a plane normal to the conductor frames while including the intermediate points thereof.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、直流電源より給電を
受け、自己消弧素子を使用して所定周波数の交流電力を
発生させる逆変換装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inverse converter which receives power from a DC power source and uses a self-extinguishing element to generate AC power of a predetermined frequency.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の逆変換装置では、一般に自己消
弧型素子を使用する回路構成が採用されている。特に、
近年高出力でスイッチング速度の早い電力トランジスタ
あるいはFET素子が作製され、実用化されている。し
かし、これ等の素子の転流および過負荷遮断時には強力
な遷移電圧あるいは電流を伴い、往々これ等の素子の動
作に対する安全な許容範囲を越えることがあり、素子を
破損するけでなく、周囲の回路素子も破損し、逆変換装
置自体を使用不能にする。
2. Description of the Related Art In general, an inverse conversion device of this type employs a circuit configuration using a self-arc-extinguishing element. In particular,
In recent years, power transistors or FET devices with high output and fast switching speed have been produced and put into practical use. However, when commutation or overload cutoff of these elements is accompanied by a strong transition voltage or current, they often exceed the safe allowable range for the operation of these elements, and not only damage the elements, but also the surrounding environment. Also, the circuit element of is damaged, rendering the inverse conversion device itself unusable.

【0003】この種の逆変換装置のうち中位の電力変換
を行う装置 (20 kVA〜 100kVA の容量の装置) では、通
常上記の過渡過電圧発生抑制に対する対策に比較的簡単
な解決策が講じられている。この装置の概要とその対策
をここで、簡単に概観しておく。
Among the inverse converters of this type, a device for converting a medium power (a device having a capacity of 20 kVA to 100 kVA) usually provides a relatively simple solution to the above-mentioned suppression of transient overvoltage generation. ing. Here is a brief overview of the device and its countermeasures.

【0004】図1に示すように、この種の逆変換装置I
NTは、順変換装置CVTと組みにして使用されること
が多い。この発明では、便宜上、船舶の動力部に装着さ
れている発電機Mから入力端T1を経由して三相交流電
力を順変換装置CVTに導入する。順変換装置CVTか
ら出た直流出力電圧は正負母線LP,N を経由して逆変
換装置INTに導入される。そして、この逆変換装置I
NTの三相出力電力を出力端T2から所要電源部、例え
ば船舶中の照明装置、船内機器の動力電源として使用さ
れる。
As shown in FIG. 1, an inverse converter I of this kind is shown.
The NT is often used in combination with the forward conversion device CVT. In the present invention, for convenience, three-phase AC power is introduced into the forward conversion device CVT from the generator M mounted on the power unit of the ship via the input end T1. The DC output voltage from the forward converter CVT is introduced into the reverse converter INT via the positive and negative buses L P and L N. And this inverse converter I
The three-phase output power of NT is used from the output end T2 as a power supply for a required power supply unit, for example, a lighting device in a ship or an inboard device.

【0005】直流電力を三相交流電力に変換するこの逆
変換装置INTでは、各相U,V,W当たりに対にして
配置した、自己消弧型素子である、例えばトランジスタ
Tr 1,Tr2 から成るトランジスタ・モジュールTM1,
TM2,TM3 によって方形波に変換される。この場合、
図示していない位相制御回路によってトランジスタTr
1,Tr2 の切り換え時間を制御する制御信号を対応する
ベースBu1, l1に印加して、上記の変換を行い、トラ
ンジスタ・モジュールTM1,TM2,TM3 の対応する出
力端O1 等から各相U,V,Wの電力を得る。また、必
要とあれば、こら等の方形波を、例えばパルス幅変調法
によって、適当な正弦波等に変換することもできる トランジスタ・モジュールTM1,TM2,TM3 は、通常
の場合、電流電圧に応じた導電性材料製のフレームFR
P,FRN の上に装着される。そして、順変換装置CVT
で整流された電力は、順変換装置CVTの給電点SP,
N から母線LP,N を経由して受電点MP,N に達す
る。
The reverse of converting DC power into three-phase AC power
In the converter INT, each phase U, V, W is paired
Arranged, self-extinguishing elements, eg transistors
Tr 1,Tr2Transistor module TM consisting of1,
TM2,TM3Is converted to a square wave by. in this case,
A transistor Tr is provided by a phase control circuit (not shown).
1,Tr2Corresponding control signal to control the switching time of
Base Bu1,Bl1Applied to the above conversion to
Register Module TM1,TM2,TM3The corresponding output of
Powerful O1Etc., the electric power of each phase U, V, W is obtained. Also, must
If necessary, square waves such as these can be used, for example, in the pulse width modulation method.
Transistor module TM that can be converted into an appropriate sine wave, etc.1,TM2,TM3Is usually
In case of, frame FR made of conductive material according to current voltage
P,FRNMounted on top of. And the forward conversion device CVT
The electric power rectified by is the feeding point S of the forward converter CVT.P,S
NTo bus LP,LNPower receiving point M viaP,MNReach
It

【0006】上記の構成による電源装置では、トランジ
スタTr1,Tr2 の転流および過負荷遮断時に遷移過渡
電圧(所謂キックバック電圧)が生じる。そして、逆バ
イアス安全領域(RBSOA)を越えて、トランジスタ
Tr1,Tr2 を破損に導く。これを防止するため、例え
ば、各トランジスタTr1 またはTr2 のコレクタとエ
ミッタの間に抵抗、コンデンサおよびダイオードから成
る簡単なスナバ回路を挿入したり(例えば、正田英介、
天野比左雄監修、最新パワーデバイス活用読本、オーム
社、昭和 63 年6月出版、第15頁参照)、あるいは、
母線LP,N に限流リアクトル(図示せず)を挿入し、
このリアクトルの両端にフリーホィールダイード(図示
せず)を並列に接続している(例えば、正田英介、天野
比左雄監修、最新パワーデバイス活用読本、オーム社、
昭和 63 年6月出版、第17頁参照)ことによって過渡
遷移電圧を抑制している。この種の対策は、各素子の寸
法および重量が大きいため、相当な取付スペースを必要
とする。しかも、そのために望ましくない浮遊容量ある
いは誘導性インダクタンスの増加をもたらし、回路の動
的特性に悪影響さえ与える。
In the power supply device having the above configuration, a transition transient voltage (so-called kickback voltage) is generated when the transistors Tr 1 and Tr 2 are commutated and the overload is cut off. Then, beyond the reverse bias safe area (RBSOA), the transistors Tr 1 and Tr 2 are damaged. To prevent this, for example, a simple snubber circuit consisting of a resistor, a capacitor and a diode may be inserted between the collector and emitter of each transistor Tr 1 or Tr 2 (eg Eisuke Masada,
Amano Hitoo supervision, latest power device utilization reader, Ohmsha, June 1988, see page 15), or
Insert a current limiting reactor (not shown) into the busbars L P and L N ,
A freewheel die (not shown) is connected in parallel to both ends of this reactor (for example, Eisuke Masada, supervised Amano Hitoo, latest power device utilization reader, Ohmsha,
The transient transition voltage is suppressed by the method described in June 1988, page 17). This type of measure requires a considerable mounting space because the size and weight of each element are large. Moreover, this leads to an unwanted increase in stray capacitance or inductive inductance, which even adversely affects the dynamic characteristics of the circuit.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、上
記の難点を排除し、自己消弧型のスイッチング素子によ
る過渡過電圧の発生を抑制できる、簡単でしかも占有ス
ペースの少ない回路構成を有し、それ故に製造および保
守に対する経費を大幅に低減でき、動作が安定で信頼性
のある、冒頭に述べた種類の逆変換装置を提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned difficulties and to have a simple circuit configuration which can suppress the occurrence of transient overvoltage due to a self-extinguishing type switching element and which occupies a small space. Therefore, it is an object of the invention to provide an inverse converter of the kind mentioned at the outset, which makes it possible to reduce manufacturing and maintenance costs significantly, and is stable and reliable in operation.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
により、冒頭に述べた種類の逆変換装置の場合、逆変換
装置INTの正負電位用の平行な導体フレームFRP,
N 上に、それぞれが少なくとも2個の自己消弧素子T
1,Tr2 を直列接続して成る複数の自己消弧素子モジ
ュールTMと、1個の抵抗Rおよび1個のダイオードD
で形成される並列回路に1個のコンデンサCを直列接続
して成る少なくとも1個のスナバ回路TXとを短い相互
間隔で配設し、前記導体フレームFRP,FRN の中間点
を含み、導体フレームFRP,FRN に垂直な平面に対し
て、前記自己消弧素子モジュールTMと前記スナバ回路
TXとを対称に配設し、前記ダイオードDの順方向を正
電位の導体フレームFRP から負電位の導体フレームF
N に向かうように配設し、直流電源CVTの給電点S
P,N に対応する受電点MP,N がそれぞれ導体フレー
ムFRP,FRN の前記中間点の近くに設けてあることに
よって解決されている。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the invention, the above-mentioned problem is solved in the case of an inverse converter of the type mentioned at the outset by parallel conductor frames FR P, F for the positive and negative potentials of the inverse converter INT.
At least two self-extinguishing elements T on R N
A plurality of self-extinguishing element modules TM formed by connecting r 1 and Tr 2 in series, one resistor R and one diode D
At least one snubber circuit TX formed by connecting one capacitor C in series to the parallel circuit formed by the above, and including a midpoint between the conductor frames FR P and FR N , The self-extinguishing element module TM and the snubber circuit TX are arranged symmetrically with respect to a plane perpendicular to the frames FR P and FR N , and the forward direction of the diode D is negative from the positive potential conductor frame FR P. Conductor frame F of electric potential
The power supply point S of the DC power supply CVT is arranged so as to face R N.
This is solved by the fact that power receiving points M P and M N corresponding to P and S N are provided near the intermediate points of the conductor frames FR P and FR N , respectively.

【0009】この発明による他の有利な構成は、特許請
求の範囲の従属請求項に記載されている。
Further advantageous configurations according to the invention are described in the dependent claims.

【0010】[0010]

【実施例】以下、実施例を示す図面に基づき、この発明
をより詳しく説明する。この場合、以下の図面で使用す
る符号が図1と同一機能を有する場合には、同じ符号を
使用する。また、回路構成上同一の機能を有し、直接説
明に必要でない部材の符号を簡単のため省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described in more detail with reference to the drawings showing the embodiments. In this case, if the reference numerals used in the following drawings have the same functions as those in FIG. 1, the same reference numerals are used. Further, reference numerals of members having the same function in circuit configuration and not necessary for direct explanation are omitted for simplicity.

【0011】図2には、自己消弧型のスイッチング素子
による過渡過電圧の発生を抑制するため、4個のスナバ
回路TX1,TX2,TX3,TX4 を正負導体フレームFR
P,FRN の間に差し渡し、各自己消弧型素子モジュール
TM1,TM2,TM3 に隣接させて配設する。その場合、
特に重要なことは、線間あるいは部品間の浮遊容量や誘
導性負荷の増加を避けるため、できる限り線路の長さや
部品間の距離、つまりスナバ回路TX1,TX2,TX3,
4 や自己消弧型素子モジュールTM1,TM2,TM3
間の距離を短くし、しかもこれ等の部品を導体フレーム
FRP,FRN 上で対称配置にする必要がある。更に、順
変換器CVTまたは直流電源の両給電点SP,N からそ
れぞれ母線LP,N を経由して導入される逆変換装置I
NTの正負導体フレームFRP,FRN にある受電点MP,
N の位置は、導体フレームFR P,FRN の中心、つま
り図2の場合、三つの自己消弧型素子モジュールTM1,
TM2,TM3 の中央のモジュールTM2 のところに配設
する。なお、図2と図4では、説明の都合上、受電点M
P,N はモジュールTM2 の接続点からずらして示して
ある。
FIG. 2 shows a self-extinguishing type switching element.
4 snubbers to suppress transient overvoltage
Circuit TX1,TX2,TX3,TXFourPositive and negative conductor frame FR
P,FRNHand over between each self-extinguishing element module
TM1,TM2,TM3It is arranged adjacent to. In that case,
Of particular importance is the stray capacitance or inductance between lines or components.
In order to avoid the increase of conductive load, the length of the line and the
Distance between parts, snubber circuit TX1,TX2,TX3,T
XFourAnd self-extinguishing element module TM1,TM2,TM3of
The distance between them is shortened, and these parts are connected to the conductor frame.
FRP,FRNNeed to be symmetrically arranged above. Furthermore, in order
Both feed points S of converter CVT or DC power supplyP,SNKarasou
Bus line LP,LNInversion device I introduced via
NT positive and negative conductor frame FRP,FRNReceiving point M inP,
MNIs the conductor frame FR P,FRNThe heart of the
In the case of FIG. 2, three self-extinguishing element modules TM1,
TM2,TM3Module TM in the center of2Placed at
To do. 2 and 4, the power receiving point M is shown for convenience of explanation.
P,MNIs the module TM2Shown offset from the connection point
is there.

【0012】実際には、部品の配置および母線の太さや
可撓性のため、受電点MP,N を完全に正負導体フレー
ムFRP,FRN の中心に配設することが困難に場合、極
力中央のモジュールTM2 の近くに設けることが望まし
い。
In practice, it is difficult to dispose the power receiving points M P and M N completely in the centers of the positive and negative conductor frames FR P and FR N due to the arrangement of components and the thickness and flexibility of the busbars. It is desirable to provide the module as close to the central module TM 2 as possible.

【0013】スナバ回路TX1,TX2,TX3,TX4 は、
図3に示すように、それ自体公知の回路構成を有する。
即ち、正導体フレームFRP に接続する正端子Pに抵抗
RとダイオードDを並列回路の一端を接続し、他端をコ
ンデンサCに接続し、負端子Nに直列接続された回路構
成を有する。この場合、ダイオードの向きを順方向か正
端子Pから負端子Nに向ける必要がある。
The snubber circuits TX 1, TX 2, TX 3, TX 4 are
As shown in FIG. 3, it has a circuit configuration known per se.
That is, the resistor R and the diode D are connected to the positive terminal P connected to the positive conductor frame FR P at one end of the parallel circuit, the other end is connected to the capacitor C, and the negative terminal N is connected in series. In this case, it is necessary to direct the diode in the forward direction or from the positive terminal P to the negative terminal N.

【0014】抵抗R、コンデンサCおよびダイオードD
の耐圧および容量に関しては、実験的に最適値を求める
べきであるが、概ね次の式を目安として使用できる。即
ち、コンデンサCに関して、
Resistor R, capacitor C and diode D
Regarding the withstand voltage and the capacitance, the optimum values should be obtained experimentally, but the following formulas can be used as a guide. That is, regarding the capacitor C,

【0015】[0015]

【外1】 [Outer 1]

【0016】ここで、 L: 直流主回路インダクタ
ンス、VCP: スイッチング素子の耐圧、E: 直流主
回路電圧、I0 : 過負荷遮断電流。
Where L: DC main circuit inductance, V CP : switching element withstand voltage, E: DC main circuit voltage, I 0 : overload breaking current.

【0017】抵抗Rに関して、Regarding the resistance R,

【0018】[0018]

【外2】 [Outside 2]

【0019】ここで、 K: 一定の定数、(直流母
線上のリップル電流周波数)400 Hz > 1.0 400 Hz < 3.0、f: 過負荷遮断時の電流周波数。
Here, K: a constant, (ripple current frequency on the DC bus) 400 Hz> 1.0 400 Hz <3.0, f: current frequency when overload is cut off.

【0020】また、ダイオードDは電流サージ耐量が装
置の過電流遮断値の3分の1で、耐圧がスイッチング素
子の耐圧と同等であるものを使用する。自己消弧型素子
モジュールTM1,TM2,TM3 による転流時の過渡過電
圧を排除する他の構成として、図4に示す回路を使用す
ることができる。この場合、順変換器CVTの正給電点
P を逆変換装置INTの正受電点MP に接続する正母
線LP に対して並列に転流ダイオードDP を接続する。
この並列接続はダイオードの両端に接続された導線
P ′を介して正給電点SP と正受電点MP との間で直
接行われ、母線LP にはリアクトルのようなリアクタン
ス成分を含む回路素子が挿入されていない。また、ダイ
オードDP の順方向は、図示のように、正受電点MP
ら正給電点SP を向いている。このダイオードDP の耐
圧および容量に関しては、実験的に最適値を求めるべき
であるが、例えば定格負荷電流i0 , 定格出力電圧v0
に対して、耐圧=3v0 および電流値=2i0 のダイオ
ードを使用すべきである。一般に、出力交流電圧の周波
数が高い場合、高速ダイオードを使用すべきであるが、
商用電源の程度、つまり 50 〜 60 Hzの場合には、一般
のダイオードで充分効果的である。
As the diode D, a diode having a withstand current surge of one third of the overcurrent interruption value of the device and a withstand voltage equivalent to that of a switching element is used. The circuit shown in FIG. 4 can be used as another configuration for eliminating the transient overvoltage at the time of commutation by the self-extinguishing element modules TM 1, TM 2, TM 3 . In this case, a commutation diode D P is connected in parallel with a positive bus L P that connects the positive feeding point S P of the forward converter CVT to the positive power receiving point M P of the inverse converter INT.
This parallel connection is directly made between the positive feeding point S P and the positive receiving point M P via the conducting line L P ′ connected to both ends of the diode, and the bus line L P includes a reactance component such as a reactor. Circuit element is not inserted. The forward direction of the diode D P is from the positive power receiving point M P to the positive power feeding point S P as illustrated. Regarding the withstand voltage and the capacitance of the diode D P , the optimum values should be experimentally obtained. For example, the rated load current i 0 and the rated output voltage v 0 are set.
On the other hand, a diode having a breakdown voltage = 3 v 0 and a current value = 2 i 0 should be used. Generally, when the frequency of the output AC voltage is high, fast diodes should be used.
In the case of commercial power supply, that is, 50 to 60 Hz, ordinary diodes are sufficiently effective.

【0021】図4では、母線LP,N の一方、つまりL
P の方に上記のような転流ダイオードDP を並列接続し
たが、他方、つまりLN の方に接続してもよく、また両
方、つまり母線LP,N にそれぞれ転流ダイオードDP
を並列接続してもよい。LN側に接続した場合でも、ダ
イオードDP の順方向は母線を流れる定常電流の向きと
は逆にすべきである。
In FIG. 4, one of the bus lines L P and L N , that is, L
Although the commutation diode D P as described above toward the P connected in parallel, the other, i.e. L may be connected towards the N, also both, i.e. busbars L P, L respectively rolling on the N flow diode D P
May be connected in parallel. Even when connected to the L N side, the forward direction of the diode D P should be opposite to the direction of the steady current flowing through the bus.

【0022】この発明による効果を調べるため、図1に
相当する順変換器CVTと逆変換装置INTから成る実
際の装置で実験を行った。この実験では、自己消弧型素
子モジュールTM1,TM2,TM3 に三社電機製作所製の
トランジスタモジール,SQD300 BA 60 を使用し、図1
の母線LP,N の間に1個のブレーカーを入れ、一方の
母線LP に1個のメーターシャント抵抗を接続し、更に
この母線に電流変成器を挿入して過渡電流を測定した。
また、出力端にブレーカーを入れて三相負荷出力端を短
絡しておいた。出力側のブレーカーを開いた状態で、全
体の装置を起動させた後、安定した状態から、出力側の
ブレーカーを閉じて、導体フレームFR P,FRN の間に
オシロスコープのプローブを当ててトランジスタ転流時
の過渡電圧の測定を直接測定し、同時に母線の過渡電流
を上記電流変成器で測定した。
To examine the effect of the present invention, FIG.
A realization consisting of a corresponding forward converter CVT and an inverse converter INT.
An experiment was performed with the device at that time. In this experiment, self-extinguishing element
Child module TM1,TM2,TM3Manufactured by Sansha Electric Co., Ltd.
Transistor module, SQD300 BA 60 is used.
Bus LP,LNInsert one breaker between the
Bus LPConnect one meter shunt resistor to
A current transformer was inserted into this bus bar to measure the transient current.
Also, insert a breaker at the output end to shorten the three-phase load output end.
I was entangled. With the breaker on the output side open,
After activating the device of the body, from the stable state,
Close the breaker, conductor frame FR P,FRNBetween
Applying an oscilloscope probe to the transistor commutation
Directly measure the transient voltage of the
Was measured with the current transformer.

【0023】順変換器CVTに入力する三相正弦交流は
205 V rmsで、周波数は 40 〜 120Hz であり、出力は
三相方形波で電圧 225 V rmsで、周波数は 60 Hz一定で
あった。 使用したスナバ回路は図3の回路構成で、R
= 1.5Ω / 5W (酸化金属抵抗),C= 3μF / 630 V
(金属化ポリプロピレンフィルムコンデンサ), D: ER
D 27 - 10 (富士電機社製)を用いた。また、図4の転
流ダイオードDP は三社電機製作所の FRS 200 BA 60を
使用した。
The three-phase sine AC input to the forward converter CVT is
At 205 V rms, the frequency was 40 to 120 Hz, the output was a three-phase square wave, the voltage was 225 V rms, and the frequency was constant at 60 Hz. The snubber circuit used has the circuit configuration shown in FIG.
= 1.5Ω / 5W (Metal oxide resistance), C = 3μF / 630V
(Metalized polypropylene film capacitor), D: ER
D 27-10 (manufactured by Fuji Electric Co., Ltd.) was used. As the commutation diode D P in FIG. 4, FRS 200 BA 60 manufactured by Sansha Electric Co., Ltd. was used.

【0024】比較として、4個のスナバ回路TX1,TX
2,TX3,TX4 をそれぞれ単に1個のコンデンサCのみ
で形成し、図2のように対称配置した場合のスイッチン
グ特性を、図5に示す。
For comparison, four snubber circuits TX 1 and TX
FIG. 5 shows switching characteristics when 2, TX 3 and TX 4 are each formed of only one capacitor C and symmetrically arranged as shown in FIG.

【0025】4個のスナバ回路TX1,TX2,TX3,TX
4 をそれぞれ同じタイプの3個の回路素子R,C,Dで
形成し、図3に示す配置にした場合のスイッチング特性
を、図6に示す。
Four snubber circuits TX 1, TX 2, TX 3, TX
FIG. 6 shows the switching characteristics when 4 is formed by three circuit elements R, C, and D of the same type and arranged as shown in FIG.

【0026】図4に示す1個の転流ダイオードDP のみ
を母線LP に並列接続し、4個のスナバ回路TX1,TX
2,TX3,TX4 をそれぞれ単に1個のコンデンサCのみ
で形成し、図2のように対称配置した場合のスイッチン
グ特性を、図7に示す。
Only one commutation diode D P shown in FIG. 4 is connected in parallel to the bus line L P , and four snubber circuits TX 1 and TX are provided.
FIG. 7 shows switching characteristics when 2, TX 3 and TX 4 are each formed of only one capacitor C and symmetrically arranged as shown in FIG.

【0027】母線LP に1個の転流ダイオードDP を並
列接続し、同時に図3に示す4個のスナバ回路TX1,
2,TX3,TX4 を図2のように組み合わせて配置した
場合のスイッチング特性を、図8に示す。
One commutation diode D P is connected in parallel to the bus L P, and at the same time, four snubber circuits TX 1, T shown in FIG.
FIG. 8 shows switching characteristics when X 2, TX 3 and TX 4 are combined and arranged as shown in FIG.

【0028】図4の配置に加えて、戻り母線LN に並列
に転流ダイオードを接続し、同時に図3に示す4個のス
ナバ回路TX1,TX2,TX3,TX4 を図2のように組み
合わせて配置した場合のスイッチング特性を、図9に示
す。
In addition to the arrangement shown in FIG. 4, commutation diodes are connected in parallel to the return bus line L N , and at the same time, four snubber circuits TX 1, TX 2, TX 3, TX 4 shown in FIG. FIG. 9 shows the switching characteristics in the case of such arrangement.

【0029】図5〜9の各々は同じ条件で測定され、横
軸の1目盛が 100μs, 縦軸の1目盛が出力電圧V0
対して、200 V で、電流I0 に対して 250 Aである。ま
た、短絡させるためのブレーカーの閉時点はαである。
Each of FIGS. 5 to 9 was measured under the same conditions. One scale on the horizontal axis was 100 μs, and one scale on the vertical axis was 200 V for output voltage V 0 and 250 A for current I 0 . Is. The closing time of the breaker for short circuit is α.

【0030】図5から明らかなように、コンデンサ一個
のみの最も簡単なスナバ回路では、閉時点α後 75 μs
でトランジスタが実質上スイッチングを開始し、次い
で、電圧電流ともに著しい振動波形を示す。この振動
は、この過渡電圧を減衰させるため使用したコンデンサ
Cと回路中の誘導性リアクタンスから成る実効共振回路
によるものである。また、トランジスタの転流時の遅れ
による著しい逆電流が閉時点α後 75 μs (図中に記号
βとして示してある)で生じる。この測定での出力電圧
0 の最大値と最小値はそれぞれ 660 Vと 60 V であ
り、このトランジスタの逆バイアス安全領域(RBSO
A)から離脱している(なお、コンデンサCを使用しな
い、スナバ回路の全くない図1の構成では、確実にトラ
ンジスタモジュールが破損し、使用不能に陥った)。も
ちろん、使用する負荷あるいは使用電圧等でこの安全領
域を簡単に越えてしまう恐れがあり、このようなコンデ
ンサCのみのスナバ回路は信頼性に欠けた、極めて危険
な装置である。
As is apparent from FIG. 5, in the simplest snubber circuit with only one capacitor, 75 μs after the closing time α.
At this point, the transistor starts switching substantially, and then the voltage and current both show a remarkable oscillating waveform. This oscillation is due to the effective resonant circuit consisting of the capacitor C used to damp this transient voltage and the inductive reactance in the circuit. Also, a significant reverse current due to the delay in the commutation of the transistor occurs at 75 μs after the closing time α (denoted by the symbol β in the figure). The maximum and minimum values of the output voltage V 0 in this measurement are 660 V and 60 V, respectively, and this transistor's reverse bias safe area (RBSO
It is separated from A) (note that in the configuration of FIG. 1 in which the capacitor C is not used and there is no snubber circuit, the transistor module is definitely damaged and cannot be used). Of course, there is a possibility that the safety region may be easily exceeded due to the load or the voltage used, and such a snubber circuit with only the capacitor C is a very dangerous device that lacks reliability.

【0031】図6では、ブレーカーの閉時点α後 75 μ
s で現れる著しい振動を完全に減衰させることができ、
出力電圧V0 の最大値と最小値はそれぞれ 620 Vおよび
244Vとなった。
In FIG. 6, 75 μ after the breaker closing time α
It is possible to completely dampen the significant vibrations appearing in s,
The maximum and minimum output voltage V 0 is 620 V and
It became 244V.

【0032】図7では、ブレーカーの閉時点α後 75 μ
s で現れる逆電流は転流ダイオードDP によって完全に
遮断されている。しかし、図6で生じた振動現象を再び
見ることができる。出力電圧V0 の最大値と最小値はそ
れぞれ 636 Vおよび 92 V となった。
In FIG. 7, 75 μ after the breaker closing time α
The reverse current appearing at s is completely blocked by the commutation diode D P. However, the vibration phenomenon that occurred in FIG. 6 can be seen again. The maximum and minimum values of the output voltage V 0 were 636 V and 92 V, respectively.

【0033】図8では、ブレーカーの閉時点α後 75 μ
s で現れる逆電流は転流ダイオードDP によって遮断さ
れ、しかも図6で生じた振動現象も完全に排除されてい
る。出力電圧V0 の最大値と最小値はそれぞれ 548 Vお
よび 268 Vとなった。
In FIG. 8, 75 μ after the breaker closing time α
The reverse current appearing at s is blocked by the commutation diode D P , and the oscillation phenomenon shown in FIG. 6 is completely eliminated. The maximum and minimum values of the output voltage V 0 were 548 V and 268 V, respectively.

【0034】図9では、過渡出力電圧V0 の最大値と最
小値はそれぞれ 516 Vおよび 260 Vとなった。これ等の
結果を総合的に評価すると、コンデンサC,抵抗Rおよ
びダイオードDから成るスナバ回路TX1,TX2,TX3,
TX4 を導体フレームFRP,FRN 上でトランジスタモ
ジュールTM1,TM2,TM3 に対して対称に配置し、母
線LP,N にそれぞれ並列に1個の転流ダイオードDP,
N を接続した場合が、最も効果的に過渡電圧と電流を
抑制していることが判る。
In FIG. 9, the maximum and minimum values of the transient output voltage V 0 are 516 V and 260 V, respectively. When these results are comprehensively evaluated, a snubber circuit TX 1, TX 2, TX 3, including a capacitor C, a resistor R, and a diode D is obtained .
TX 4 is arranged symmetrically with respect to the transistor modules TM 1, TM 2, TM 3 on the conductor frames FR P, FR N , and one commutation diode D P, is arranged in parallel with each of the bus lines L P, L N.
It can be seen that the connection of D N most effectively suppresses the transient voltage and current.

【0035】上記の説明を三相出力電圧に関して説明し
たが、この発明の回路配置は単相出力電圧の電源装置に
対しても全く同じ技術思想を適用できることも付記す
る。更に、この発明によれば、トランジスタモジュール
TMに付属するスナバ回路TXを導体フレームFRP,
N の上で受電点MP,N を含み、導体フレームFRP,
FRN に垂直な平面に対して対称に配置することが大切
で、図2の配置以外にその他の変形種を図10〜13に
示す。
Although the above description has been made with respect to the three-phase output voltage, it should be noted that the circuit arrangement of the present invention can be applied to the power supply device having a single-phase output voltage in exactly the same technical concept. Further, according to the present invention, the snubber circuit TX attached to the transistor module TM is connected to the conductor frame FR P, F.
Including the power receiving points M P and M N above R N , the conductor frame FR P,
It is important to arrange symmetrically with respect to a plane perpendicular to FR N , and other modifications than the arrangement shown in FIG. 2 are shown in FIGS.

【0036】図10A,B,Cでは、三相交流電源の逆
変換装置の場合であって、トランジスタモジュールTM
1,TM2,TM3 に対してそれぞれ2個、3個および3個
のスナバ回路TXを導体フレームFRP,FRN の上に対
称に配設したものである。図10Bのスナバ回路TX2
はトランジスタモジュールTM2 の上または下に重ねて
配設されている。図Cでは、何れのスナバ回路TX1,
2,TX3 も、対応するトランジスタモジュールTM1,
TM2,TM3 の上または下に、重ねて配設されている。
10A, 10B, and 10C show the case of the inverse converter of the three-phase AC power supply, in which the transistor module TM is used.
Two, three, and three snubber circuits TX are arranged symmetrically on the conductor frames FR P, FR N for 1, TM 2, TM 3 , respectively. Snubber circuit TX 2 of FIG. 10B
Are arranged above or below the transistor module TM 2 . In FIG. C, which snubber circuit TX 1, T
X 2 and TX 3 are also corresponding transistor modules TM 1,
The layers are arranged above or below TM 2 and TM 3 .

【0037】図11では、逆変換装置の出力電流容量を
増やすため、各相のトランジスタモジュールTM1,TM
2,TM3 に、更に並列にトランジスタモジュールT
1 ,TM2 , TM3 ′を付加して補強したもので
ある。この場合でも、スナバ回路TX1 〜TX7 は導体
フレームFRP,FRN の上に各対のトランジスタモジュ
ールTM1,TM1 , TM2,TM2 , TM3,TM3
に対して対称に配置されている。
In FIG. 11, in order to increase the output current capacity of the inverse converter, the transistor modules TM 1 and TM of each phase are added.
Transistor module T in parallel with 2, TM 3
It is reinforced by adding M 1, TM 2and TM 3 ′. Even in this case, the snubber circuits TX 1 to TX 7 are arranged on the conductor frames FR P and FR N on each pair of transistor modules TM 1, TM 1, TM 2, TM 2, TM 3, TM 3 ′.
They are arranged symmetrically with respect to.

【0038】図12A,B,Cでは、単相電源の逆変換
装置の場合であって、単相を二相と見做すと各相のトラ
ンジスタモジュールTM1,TM2 に対してそれぞれ1
個、2個および3個のスナバ回路TXを対称に導体フレ
ームFRP,FRN の上で配設したものである。
[0038] Figure 12A, B, In C, respectively in the case of the inverters of single-phase power supply, when regarded as a single-phase two-phase for each phase of the transistor module TM 1, TM 2 1
The number of snubber circuits TX is 2, 3, and symmetrically arranged on the conductor frames FR P, FR N.

【0039】図13A,Bでは、逆変換装置の出力電流
容量を増やすため、各トランジスタモジュールTM1,
2 に、更に同じタイプのトランジスタモジュールTM
1 , TM2 ′を並列に付加したものである。この場合
でも、スナバ回路TX1 〜TX3 は各対のトランジスタ
モジュールTM1,TM1 , TM2,TM2 ′に対して対
称に導体フレームFRP,FRN の上に配置されている。
In FIGS. 13A and 13B, the output current of the inverse converter is shown.
Each transistor module TM to increase capacity1,T
M2And the same type of transistor module TM
1 ,TM2′ Is added in parallel. in this case
But snubber circuit TX1~ TX3Is each pair of transistors
Module TM1,TM1,TM2,TM2For ′
Conductor frame FRP,FRNAre placed on top of.

【0040】更に、上記図面中に示していないが、図3
で示したスナバ回路をトランジスタモジュールTMに直
接埋め込み、例えば硬化性プラスチック樹脂で成形モー
ルドすることによって、所謂ハイブリッドモジュールに
することができる。このような構成では、取り付けスペ
ースを低減でき、しかも上で述べた対称配置に関して格
別の配慮を加えなくても、これ等のハイブリッドモジュ
ールを導体フレームFRP,FRN の上に等間隔に配設す
るだけで、自動的に対称配置を実現できる。もちろん、
このようなモールド成形方式は、出力電流容量を補強す
るために各相に対して並列配置された二個またはそれ以
上の個数のトランジスタモジュールTMにも適用でき
る。また、このような複合モジュール化は、船舶で使用
する時、あるいは雨中で使用するような、外部の環境が
悪くても、また耐熱、耐湿および耐塩害等に対する条件
下でも、極めて有利に使用できる。
Further, although not shown in the above drawing, FIG.
The so-called hybrid module can be obtained by directly embedding the snubber circuit shown in 1 above in the transistor module TM and molding and molding it with, for example, a curable plastic resin. With such a configuration, the installation space can be reduced, and these hybrid modules are arranged at equal intervals on the conductor frames FR P, FR N without special consideration regarding the symmetrical arrangement described above. Just by doing, the symmetrical arrangement can be realized automatically. of course,
Such a molding method can also be applied to two or more transistor modules TM arranged in parallel for each phase in order to reinforce the output current capacity. Further, such a composite modularization can be extremely advantageously used even when used in a ship or in the rain, even under a bad external environment, and under conditions such as heat resistance, humidity resistance and salt damage. .

【0041】以上、この発明の内容を種々の方法で変形
または改良することは当業者にとって容易に行えるが、
特許請求の範囲に規定する装置であれば、何れもこの発
明の範疇に帰属することは言うまでもない。
As described above, it is easy for those skilled in the art to modify or improve the contents of the present invention by various methods.
It goes without saying that any device defined in the claims belongs to the scope of the present invention.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上説明したように、この発明により、
非常に簡単な構成で逆変換装置の転流時の過渡電圧およ
び電流を適度な値に低減でき、出力トランジスタあるい
はFETのような能動素子の破損を防止できる。そのた
め、装置が非常にコンパクトに構成され、製造および保
守とも低価格で行える。
As described above, according to the present invention,
With a very simple structure, the transient voltage and current during commutation of the inverse converter can be reduced to appropriate values, and damage to active elements such as output transistors or FETs can be prevented. Therefore, the device has a very compact structure and can be manufactured and maintained at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】逆変換装置を含む三相交流出力電源装置の一般
的な回路構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a general circuit configuration of a three-phase AC output power supply device including an inverse conversion device.

【図2】スナバ回路を自己消弧素子の近傍に対称配設し
た三相交流出力電源装置のブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram of a three-phase AC output power supply device in which a snubber circuit is symmetrically arranged in the vicinity of a self-extinguishing element.

【図3】図2に使用するスナバ回路の構成を示す回路図
である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a snubber circuit used in FIG.

【図4】順変換器と逆変換装置の間の母線の一方に転流
ダイオードを挿入した場合の三相交流出力電源装置のブ
ロック図である。
FIG. 4 is a block diagram of a three-phase AC output power supply device in the case where a commutation diode is inserted in one of the bus bars between the forward converter and the inverse converter.

【図5】三相交流出力電源装置のスイッチング特性を示
すグラフである(スナバ回路として単一コンデンサのみ
使用し、図2の回路配置を使用した場合)。
FIG. 5 is a graph showing switching characteristics of a three-phase AC output power supply device (when only a single capacitor is used as a snubber circuit and the circuit arrangement of FIG. 2 is used).

【図6】三相交流出力電源装置のスイッチング特性を示
すグラフである(スナバ回路として図3の回路を使用
し、図2の回路配置を使用した場合)。
FIG. 6 is a graph showing switching characteristics of a three-phase AC output power supply device (when the circuit of FIG. 3 is used as a snubber circuit and the circuit arrangement of FIG. 2 is used).

【図7】三相交流出力電源装置のスイッチング特性を示
すグラフである(転流ダイオードを使用した図4の回路
に更に図2の回路配置を使用し、各スナバ回路に単一コ
ンデンサのみを使用した場合)。
FIG. 7 is a graph showing switching characteristics of a three-phase AC output power supply device (the circuit arrangement of FIG. 4 using a commutation diode is further used in the circuit arrangement of FIG. 2 and only a single capacitor is used in each snubber circuit). if you did this).

【図8】三相交流出力電源装置のスイッチング特性を示
すグラフである(図7の場合のスナバ回路を図3の方式
で構成した場合)。
8 is a graph showing a switching characteristic of a three-phase AC output power supply device (when the snubber circuit in the case of FIG. 7 is configured by the method of FIG. 3).

【図9】三相交流出力電源装置のスイッチング特性を示
すグラフである(図8の場合の配置に加えて、更に戻り
母線にも転流ダイオードを挿入した場合)。
FIG. 9 is a graph showing switching characteristics of a three-phase AC output power supply device (in addition to the arrangement in the case of FIG. 8, a commutation diode is further inserted in the return bus).

【図10】 三相出力電源の逆変換装置に使用する他の
スナバ回路の配置を示す回路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing the arrangement of another snubber circuit used in the inverse conversion device for a three-phase output power supply.

【図11】 電流容量の大きい三相出力電源の逆変換装
置に使用する他のスナバ回路の配置を示す回路図であ
る。
FIG. 11 is a circuit diagram showing the arrangement of another snubber circuit used in the inverse conversion device for a three-phase output power supply having a large current capacity.

【図12】 単相出力電源の逆変換装置に使用する他の
スナバ回路の配置を示す回路図である。
FIG. 12 is a circuit diagram showing an arrangement of another snubber circuit used in the inverse converter of the single-phase output power supply.

【図13】 電流容量の大きい単相出力電源の逆変換装
置に使用する他のスナバ回路の配置を示す回路図であ
る。
FIG. 13 is a circuit diagram showing the arrangement of another snubber circuit used in the inverse conversion device for a single-phase output power supply having a large current capacity.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

CVT 順変換器 INT 逆変換装置 M 発電機 T1 入力端 T2 出力端 LP,N 母線 SP,N 給電点 MP,N 受電点 FRP,FRN 導体フレーム Dp 転流ダイオード TM1,TM2,TM3,TM1, TM2, TM3′ 自己消弧素子のモジュール TX1,TX2,TX3,TX4,TX5,TX6,TX7 スナ
バ回路
CVT Forward converter INT Inverting converter M Generator T 1 Input end T 2 Output end L P, L N Bus S P, S N Feeding point M P, M N Receiving point FR P, FR N Conductor frame D p Commutation Diodes TM 1, TM 2, TM 3, TM 1, TM 2, TM 3 ′ Modules of self-extinguishing element TX 1, TX 2, TX 3, TX 4, TX 5, TX 6, TX 7 Snubber circuit

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成4年4月22日[Submission date] April 22, 1992

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0032[Name of item to be corrected] 0032

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0032】図7では、ブレーカーの閉時点α後75μ
sで表れる逆電流は転流ダイオードDによって完全に
遮断されている。しかし、図で生じた振動現象を再び
見ることができる。出力電圧Vの最大値と最小値はそ
れぞれ636Vおよび268Vとなった。
In FIG. 7, 75 μ after the breaker closing time α
The reverse current represented by s is completely blocked by the commutation diode D p . However, the vibration phenomenon generated in FIG. 5 can be seen again. Maximum and minimum values of the output voltage V o has become 636V and 268V, respectively.

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0033[Correction target item name] 0033

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0033】図8では、ブレーカーの閉時点α後75μ
sで表れる逆電流は転流ダイオードDによって完全に
遮断されている。しかも図で生じた振動現象も完全に
除去されている。出力電圧Vの最大値と最小値はそれ
ぞれ548Vおよび268Vとなった。
In FIG. 8, 75 μ after the breaker closing time α
The reverse current represented by s is completely blocked by the commutation diode D p . Moreover, the vibration phenomenon generated in FIG. 5 is completely removed. Maximum and minimum values of the output voltage V o has become 548V and 268V, respectively.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 直流電源より給電を受け、自己消弧素子
を使用して所定周波数の交流電力を発生させる逆変換装
置において、逆変換装置INTの正負電位用の平行な導
体フレームFRP,FRN 上に、それぞれが少なくとも2
個の自己消弧素子Tr1,Tr2 を直列接続して成る複数
の自己消弧素子モジュールTMと、1個の抵抗Rおよび
1個のダイオードDで形成される並列回路に1個のコン
デンサCを直列接続して成る少なくとも1個のスナバ回
路TXとを短い相互間隔で配設し、前記導体フレームF
P,FRN の中間点を含み、導体フレームFRP,FRN
に垂直な平面に対して、前記自己消弧素子モジュールT
Mと前記スナバ回路TXとを対称に配設し、前記ダイオ
ードDの順方向を正電位の導体フレームFRP から負電
位の導体フレームFRN に向かうように配設し、直流電
源CVTの給電点SP,N に対応する受電点MP,N
それぞれ導体フレームFRP,FRN の前記中間点の近く
に設けてあることを特徴とする逆変換装置。
1. In a reverse conversion device which receives power from a DC power supply and generates AC power of a predetermined frequency by using a self-extinguishing element, parallel conductor frames FR P, FR for positive and negative potentials of the reverse conversion device INT. On N , at least 2 each
A plurality of self-extinguishing element modules TM in which a plurality of self-extinguishing elements Tr 1 and Tr 2 are connected in series, a parallel circuit formed by one resistor R and one diode D, and one capacitor C And at least one snubber circuit TX, which are connected in series, are arranged at short mutual intervals, and the conductor frame F
Including the midpoint between RP and FR N , the conductor frame FR P and FR N
The self-extinguishing element module T with respect to a plane perpendicular to
M and the snubber circuit TX are arranged symmetrically, the forward direction of the diode D is arranged from the positive potential conductor frame FR P to the negative potential conductor frame FR N, and the feeding point of the DC power source CVT is arranged. An inverse converter, characterized in that power receiving points M P, M N corresponding to S P, S N are provided near the intermediate points of the conductor frames FR P, FR N , respectively.
【請求項2】 前記自己消弧素子モジュールTMと対応
する前記スナバ回路TXは一体に成形モールドされた素
子であることを特徴とする請求項1に記載の逆変換装
置。
2. The inverse conversion device according to claim 1, wherein the snubber circuit TX corresponding to the self-extinguishing element module TM is an element molded and molded integrally.
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