JPH0668993A - Emitted light generator - Google Patents

Emitted light generator

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JPH0668993A
JPH0668993A JP22427192A JP22427192A JPH0668993A JP H0668993 A JPH0668993 A JP H0668993A JP 22427192 A JP22427192 A JP 22427192A JP 22427192 A JP22427192 A JP 22427192A JP H0668993 A JPH0668993 A JP H0668993A
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duct
trajectory
electrode
electron
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Satoru Sukenobu
延 悟 祐
Koichi Nakayama
山 光 一 中
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Abstract

PURPOSE:To reduce the amounts of positive charged ions and dusts trapped in the trajectory of an electron beam so as to prevent reduction of the beam current by disposing an electrode in a beam duct out side the trajectory of the electron beam, and applying a positive potential to the electrode. CONSTITUTION:Light 8 is emitted in the radial direction of the trajectory of an electron beam 20 inside a beam duct 6. A pair of ion removing electrodes 24a and 24b are disposed in the duct 6 existing outside the trajectory of the beam 20, the electrode 24a and 24b exist near the upper wall 6b and lower wall 6c of the duct 6 respectively and positive potential is applied to each of the electrodes by a power supply 25 in the direction perpendicular to the trajectory plane of the electron beam. The produced ions exist in a region 23 adjacent to the side wall 6a of the duct 6. Thus, one component of potential acts as a barrier so that the positive ions and the dust in the region 23 are prevented from moving to the trajectory of the beam 20.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、放射光発生装置に係
り、特に、シンクロトロンのような加速器で加速された
電子ビームを電子蓄積リングのビームダクト内で周行さ
せて、電子ビームの軌道の外方へ放射光を発生させる放
射光発生装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a synchrotron radiation generator, and more particularly, to orbit an electron beam accelerated by an accelerator such as a synchrotron in a beam duct of an electron storage ring. The present invention relates to a radiant light generation device for generating radiated light to the outside of the.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置へのより高い高集積度化の要
求に伴い、超LSIの製造における微細加工を実現する
ものの一つとしてX線リソグラフィー技術が検討されて
いる。そして、近年、X線リソグラフィー用の強力なX
線源としてシンクロトロン放射光(SOR光)が注目さ
れている。
2. Description of the Related Art With the demand for higher integration of semiconductor devices, X-ray lithography technology has been studied as one of those for realizing fine processing in the manufacture of VLSI. And in recent years, a powerful X for X-ray lithography
Synchrotron radiation (SOR light) is attracting attention as a radiation source.

【0003】このシンクロトロン放射光を発生させるシ
ンクロトロン放射光発生装置は、半導体の露光を行う際
の露光条件を揃える必要があるために、できるだけ一定
の強度を有する放射光を発生することが要求される。
The synchrotron radiation light generating device for generating this synchrotron radiation light is required to generate radiation light having a constant intensity as much as possible because it is necessary to match the exposure conditions when exposing the semiconductor. To be done.

【0004】一般的なシンクロトロン放射光発生装置の
概略構成を図3に示す。図3において、入射用電子加速
器1で加速された電子ビームは電子ビーム輸送部2で輸
送され、分岐用磁石3によって分岐させられて各電子蓄
積リング4へ導かれる。各電子蓄積リング4に導かれた
電子ビームは、偏向磁石5により偏向され、真空ビーム
ダクト6のリング11の中心軌道の近傍を通る所定のビ
ーム閉軌道7を描くように、高周波加速空洞によって加
速制御される。電子ビームが周回運動を行う結果、SO
R光8が放射される。SOR光8はビームライン9を通
って電子蓄積リング4から取り出される。ビームライン
9にはSOR光8の強度を検出する放射光モニター10
が設けられている。また、電子蓄積リング4中の電子ビ
ームの強度はビーム電流モニター13によって検出され
る。符号14は制御部であって、放射光モニター10や
ビーム電流モニター11による検出結果に基づき入射用
電子加速器1や分岐用磁石3を制御する。
A schematic structure of a general synchrotron radiation generator is shown in FIG. In FIG. 3, the electron beam accelerated by the injection electron accelerator 1 is transported by the electron beam transport unit 2, branched by the branch magnet 3, and guided to each electron storage ring 4. The electron beam guided to each electron storage ring 4 is deflected by the deflection magnet 5 and accelerated by the high-frequency accelerating cavity so as to draw a predetermined beam closed trajectory 7 passing near the central trajectory of the ring 11 of the vacuum beam duct 6. Controlled. As a result of the orbital motion of the electron beam, SO
The R light 8 is emitted. The SOR light 8 is extracted from the electron storage ring 4 through the beam line 9. The beam line 9 has a synchrotron radiation monitor 10 for detecting the intensity of the SOR light 8.
Is provided. The intensity of the electron beam in the electron storage ring 4 is detected by the beam current monitor 13. Reference numeral 14 is a control unit, which controls the injection electron accelerator 1 and the branching magnet 3 based on the detection results of the synchrotron radiation monitor 10 and the beam current monitor 11.

【0005】シンクロトロン放射光発生装置において
は、残留ガスによる散乱によって、蓄積された電子ビー
ムの電子ビーム電流が減少する。このため、残留ガスに
よる電子ビームの散乱を抑制する必要があり、放射光発
生装置内の圧力を非常に低くする必要がある。通常、シ
ンクロトロン放射光発生装置のビームダクト内は、排気
ポンプの排気速度を大きくすることなどにより超高真空
になっている。
In the synchrotron radiation generator, the electron beam current of the accumulated electron beam decreases due to the scattering by the residual gas. For this reason, it is necessary to suppress the scattering of the electron beam due to the residual gas, and it is necessary to make the pressure in the radiation light generator extremely low. Usually, the inside of the beam duct of the synchrotron radiation generator is set to an ultrahigh vacuum by increasing the exhaust speed of the exhaust pump.

【0006】図4(a)に従来のシンクロトロン放射光
発生装置のビームダクト6の断面を示す。通常は零電位
にあるビームダクト6中に電子ビーム2が蓄積されてい
る。放射光発生装置の電子ビームを偏向する偏向部付近
では、放射光8はシンクロトロンリング11の外周方向
へ放射される。
FIG. 4A shows a cross section of the beam duct 6 of the conventional synchrotron radiation light generator. The electron beam 2 is stored in the beam duct 6 which is normally at zero potential. The radiated light 8 is radiated toward the outer periphery of the synchrotron ring 11 in the vicinity of the deflection portion of the radiated light generator that deflects the electron beam.

【0007】ビームダクト6の内部で生成したイオン2
1や正に帯電したダストなどは、電子ビーム20による
負のポテンシャルによって捕獲され、イオントラッピン
グあるいはダストトラッピングと呼ばれる現象が発生す
る。このため、ビームダクト6の内部を超高真空にした
としても、電子ビーム中の不純物粒子の密度はイオン2
1などの捕獲により等価的に増加する。
Ions 2 generated inside the beam duct 6
The 1 or positively charged dust or the like is captured by the negative potential of the electron beam 20, and a phenomenon called ion trapping or dust trapping occurs. Therefore, even if the inside of the beam duct 6 is set to an ultrahigh vacuum, the density of impurity particles in the electron beam is
Equivalently increases with captures such as 1.

【0008】このように、ビームダクト6の内部を超高
真空にしても、電子ビーム20は、ビームダクト6内の
内壁等から発生したダストやイオントラッピングにより
電子ビーム内に捕獲されたイオン21によって散乱、衝
突され、電子ビーム電流は徐々に減少する。
As described above, even if the inside of the beam duct 6 is made to have an ultrahigh vacuum, the electron beam 20 is generated by the dust generated from the inner wall of the beam duct 6 and the ions 21 trapped in the electron beam by the ion trapping. Scattered and collided, the electron beam current gradually decreases.

【0009】従来は、このような電子ビーム電流の減少
を抑制するため、図4(a)に示すように、ビームダク
ト6の一部の範囲にイオン除去電極22を配設し、この
電極6に負の電圧を印加してトラップしたイオン5を取
り除いていた。この場合のポテンシャルVのy方向の分
布V(y)を図4(b)に、x方向の分布V(x)を図
4(c)に示す。図4(b)、(c)において、符号
a、b、cは各々電子ビーム20によるポテンシャル、
イオン除去電極22によるポテンシャル、これらを合成
したポテンシャルVを示す。
Conventionally, in order to suppress such a decrease in electron beam current, as shown in FIG. 4A, an ion removing electrode 22 is arranged in a part of the beam duct 6 and the electrode 6 is removed. The trapped ions 5 were removed by applying a negative voltage to. In this case, the distribution V (y) of the potential V in the y direction is shown in FIG. 4 (b), and the distribution V (x) in the x direction is shown in FIG. 4 (c). In FIGS. 4B and 4C, symbols a, b, and c are potentials of the electron beam 20, respectively.
The potential due to the ion removal electrode 22 and the potential V obtained by combining these are shown.

【0010】これらの正のイオン5が生成される過程と
しては、電子ビームがビームダクト6の壁に衝突して残
留ガスが脱離される場合、残留ガスに放射光8が照射さ
れ残留ガスが光刺激脱離される場合、光刺激脱離により
生じた電子が残留ガスと衝突して残留ガスが電子衝撃脱
離される場合、ビームダクト6の壁に吸着した吸着ガス
に放射光が照射されてイオンが生成される場合等があ
る。そして、これらの過程で生成されたイオンは当初、
ビームダクト6の側壁6aの近傍の領域23に存在す
る。
As a process of generating these positive ions 5, when the electron beam collides with the wall of the beam duct 6 and the residual gas is desorbed, the residual gas is irradiated with radiant light 8 and the residual gas is exposed to light. In the case of stimulated desorption, when the electrons generated by the photostimulated desorption collide with the residual gas and the residual gas is subjected to the electron impact desorption, the adsorbed gas adsorbed on the wall of the beam duct 6 is irradiated with radiant light and ions are emitted. It may be generated. And the ions produced in these processes are initially
It exists in a region 23 near the side wall 6a of the beam duct 6.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】このようなイオン除去
電極22を配設した場合、図4(b)、(c)に示すよ
うなポテンシャルVの分布が形成されていたため、当初
は領域23に存在していたイオン21は容易に領域23
から電子ビーム20の軌道へ移動する。そして、最終的
に電子ビーム20のポテンシャルにトラップされる。こ
の結果、電子ビーム20軌道内にイオン21が残ってし
まい、イオン21の生成頻度やイオン21の除去速度に
応じて残留ガスのイオン21が電子ビーム20の軌道内
に残る。また、領域23の近傍の正に帯電したダストも
電子ビーム20にトラップされる。このため、電子ビー
ム20の電子ビーム電流が減少し、電子ビームの寿命が
短くなるという問題点があった。
When such an ion removing electrode 22 is arranged, the distribution of the potential V as shown in FIGS. 4B and 4C is formed, so that the region 23 is initially formed in the region 23. The existing ions 21 can be easily converted into the region 23.
To the orbit of the electron beam 20. Then, it is finally trapped in the potential of the electron beam 20. As a result, the ions 21 remain in the orbit of the electron beam 20, and the ions 21 of the residual gas remain in the orbit of the electron beam 20 depending on the generation frequency of the ions 21 and the removal rate of the ions 21. Further, the positively charged dust near the region 23 is also trapped by the electron beam 20. Therefore, there is a problem that the electron beam current of the electron beam 20 is reduced and the life of the electron beam is shortened.

【0012】そこで、本発明の目的は、上記従来技術の
有する問題を解消し、電子ビームの軌道内に捕獲された
イオンによって電子ビームが散乱、衝突されることによ
る電子ビーム電流の減少を防ぎ、電子ビームの寿命を長
くすることができる放射光発生装置を提供することであ
る。
Therefore, an object of the present invention is to solve the above problems of the prior art and prevent the electron beam current from decreasing due to scattering and collision of the electron beam by the ions trapped in the orbit of the electron beam. An object of the present invention is to provide a radiant light generation device that can prolong the life of an electron beam.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による放射光発生装置は、電子ビ−ムを電子
蓄積リングのビームダクト内で周行させて、電子ビーム
の軌道の外方へ放射光を発生させる放射光発生装置にお
いて、電子ビームの軌道の外方にある前記ビームダクト
内の位置に電極を配設し、この電極に正電圧を印加可能
に構成したことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the synchrotron radiation generating apparatus according to the present invention is designed so that an electron beam circulates in a beam duct of an electron storage ring so that the electron beam is out of the orbit of the electron beam. In a synchrotron radiation generator that generates synchrotron radiation toward one side, an electrode is arranged at a position inside the beam duct outside the trajectory of the electron beam, and a positive voltage can be applied to this electrode. To do.

【0014】[0014]

【作用】電子ビームの軌道の外方にあるビームダクト内
の位置に電極を配設し、この電極に正電圧を印加できる
ようにしたので、電子ビームの軌道の外方にあるビーム
ダクト内の位置に正のポテンシャルが形成される。放射
光の照射や光刺激脱離あるいは電子衝撃脱離によってイ
オンビームダクト内の側壁近傍に生成されたイオンに対
して、この電極による正のポテンシャルはバリアとな
る。イオンビームダクト内の側壁近傍に存在する正に帯
電したダクトに対しても、この電極による正のポテンシ
ャルはバリアとなる。この結果、電子ビームの軌道内に
トラップされるイオンや正に帯電したダストの量を減少
させることができる。
The electrode is arranged at a position in the beam duct outside the electron beam trajectory, and a positive voltage can be applied to this electrode. Therefore, the electrode in the beam duct outside the electron beam trajectory is A positive potential is formed at the position. The positive potential of this electrode acts as a barrier against the ions generated near the side wall in the ion beam duct by irradiation of synchrotron radiation, photostimulated desorption, or electron impact desorption. Even for a positively charged duct existing near the side wall in the ion beam duct, the positive potential of this electrode serves as a barrier. As a result, the amount of ions trapped in the trajectory of the electron beam and the amount of positively charged dust can be reduced.

【0015】[0015]

【実施例】本発明による放射光発生装置の実施例を図1
および図2を参照して説明する。なお、本実施例の放射
光発生装置の概略構成は図4に示したものと同じである
ので説明を省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT FIG. 1 shows an embodiment of a synchrotron radiation generator according to the present invention.
The description will be made with reference to FIG. The schematic configuration of the emitted light generator of this embodiment is the same as that shown in FIG.

【0016】図1に、ビームダクト6の内部の断面を示
す。ビームダクト6の内部には、電子ビーム20の軌道
面が紙面に垂直に形成されている。電子ビーム20の軌
道の半径方向へ放射光8が放射される。電子ビーム20
の軌道の外方にあるビームダクト6の内部に一対のイオ
ン除去電極24a、24bが配設されている。イオン除
去電極24a、24bは各々ビームダクト6の上壁6
b、下壁6cの近傍にあり、これらの壁と平行な面を有
する。イオン除去電極24a、24bには電源25によ
って、電子ビームの軌道面と垂直な方向に正電圧を印加
できるようになっている。
FIG. 1 shows a cross section of the inside of the beam duct 6. Inside the beam duct 6, the orbital plane of the electron beam 20 is formed perpendicularly to the paper surface. The emitted light 8 is emitted in the radial direction of the trajectory of the electron beam 20. Electron beam 20
A pair of ion removing electrodes 24a and 24b are disposed inside the beam duct 6 outside the orbit of FIG. The ion removing electrodes 24a and 24b are respectively the upper wall 6 of the beam duct 6.
b, near the lower wall 6c and having a plane parallel to these walls. A power source 25 can apply a positive voltage to the ion removing electrodes 24a and 24b in a direction perpendicular to the orbital plane of the electron beam.

【0017】図2にビームダクト6内のポテンシャルV
を示す。図2(a)は電子ビーム20によるポテンシャ
ルのx方向の分布V(x)を示す。図2(b)における
aはイオン除去電極24aによるポテンシャルのx方向
の分布V(x)を示し、bはイオン除去電極24bによ
るポテンシャルのx方向の分布V(x)を示す。図2
(c)はビームダクト6内の全体のポテンシャルVのy
方向の分布V(y)を示し、aは電子ビームによる成
分、bはイオン除去電極24a、24bによる成分を示
す。図2(c)に示されるように、ポテンシャルVのイ
オン除去電極24a、24bによる成分bは、電子ビー
ムによる成分aの外方にあり、かつ、側壁6aの近傍の
領域24の内方にある。
FIG. 2 shows the potential V in the beam duct 6.
Indicates. FIG. 2A shows a distribution V (x) of the potential by the electron beam 20 in the x direction. In FIG. 2B, “a” shows the distribution V (x) of the potential by the ion removing electrode 24a in the x direction, and “b” shows the distribution V (x) of the potential by the ion removing electrode 24b in the x direction. Figure 2
(C) is y of the total potential V in the beam duct 6.
The distribution V (y) in the direction is shown, where a is a component due to the electron beam and b is a component due to the ion removing electrodes 24a and 24b. As shown in FIG. 2C, the component b of the ion removal electrodes 24a and 24b of the potential V is outside the component a of the electron beam and inside the region 24 near the side wall 6a. .

【0018】次に本実施例の作用について説明する。電
子ビームがビームダクト6の壁に衝突して残留ガスが脱
離される場合、残留ガスに放射光8が照射され残留ガス
が光刺激脱離される場合、光刺激脱離により生じた電子
が残留ガスと衝突して残留ガスが電子衝撃脱離される場
合、ビームダクト6の壁に吸着した吸着ガスに放射光が
照射されてイオンが生成される場合等において、生成さ
れたイオンは、ビームダクト6の側壁6aの近傍の領域
23に存在する。ポテンシャルVの成分bがバリアとな
り、領域23にある正電荷のイオンやダストは、電子ビ
ーム20の軌道へ移動することが妨げられる。
Next, the operation of this embodiment will be described. When the electron beam collides with the wall of the beam duct 6 and the residual gas is desorbed, when the residual gas is irradiated with the radiant light 8 and the residual gas is photostimulated and desorbed, the electrons generated by the photostimulated desorption are residual gas. In the case where the residual gas collides with and the residual gas is desorbed by electron impact, and when the adsorbed gas adsorbed on the wall of the beam duct 6 is irradiated with radiant light to generate ions, the generated ions are generated in the beam duct 6. It exists in the region 23 near the side wall 6a. The component b of the potential V serves as a barrier, and the positively charged ions and dust in the region 23 are prevented from moving to the orbit of the electron beam 20.

【0019】本実施例の構成によれば、電子ビーム20
の軌道の外方にあるビームダクト6の内部に一対のイオ
ン除去電極24a、24bを設け、正の電圧を印加した
ので、電子ビーム20の軌道の外方に正のポテンシャル
が形成される。このポテンシャルによって、領域23に
ある正電荷のイオンやダストは、電子ビーム20の軌道
へ移動することが妨げられる。この結果、電子ビーム2
0の軌道内に捕獲される正電荷のイオンやダストの量が
減少し、電子ビームが散乱、衝突されることによる電子
ビーム電流の減少を防ぐことができる。
According to the configuration of this embodiment, the electron beam 20
Since a pair of ion removing electrodes 24a and 24b are provided inside the beam duct 6 outside the orbit of and the positive voltage is applied, a positive potential is formed outside the orbit of the electron beam 20. This potential prevents positively charged ions and dust in the region 23 from moving to the orbit of the electron beam 20. As a result, the electron beam 2
The amount of positively charged ions and dust trapped in the orbits of 0 is reduced, and it is possible to prevent the electron beam current from being reduced due to scattering and collision of the electron beam.

【0020】なお、本実施例においては、イオン除去電
極として一対の電極24a、24bを配置したが、本発
明はこれに限らず、1個の電極でも、また3個以上の電
極であってもよい。
In this embodiment, the pair of electrodes 24a and 24b are arranged as the ion removing electrodes, but the present invention is not limited to this, and one electrode or three or more electrodes may be used. Good.

【0021】また、複数のイオン除去電極を配置した場
合、これらの電極が互いに対向する関係に配置されるか
否かは問わない。
When a plurality of ion removing electrodes are arranged, it does not matter whether or not these electrodes are arranged so as to face each other.

【0022】また、本実施例ではイオン除去電極はビー
ムダクト6の上壁6bや下壁6cに平行に配設したが、
必ずしも平行でなくともよい。
Further, in the present embodiment, the ion removing electrodes are arranged parallel to the upper wall 6b and the lower wall 6c of the beam duct 6, but
It does not have to be parallel.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子ビームの軌道の外方にあるビームダクト内の位置に
電極を配設し、この電極に正電圧を印加できるようにし
たので、電子ビームの軌道の外方に正のポテンシャルを
形成することができ、この電極の外方にある正電荷のイ
オンやダストが電子ビームの軌道へ移動することを妨げ
ることができる。この結果、電子ビームの軌道内に捕獲
される正電荷のイオンやダストの量が減少し、電子ビー
ムが散乱、衝突されることによる電子ビーム電流の減少
を防ぐことができ、放射光発生装置の電子ビームの寿命
を長くすることができる。
As described above, according to the present invention,
Since an electrode is placed at a position inside the beam duct outside the electron beam trajectory and a positive voltage can be applied to this electrode, it is possible to form a positive potential outside the electron beam trajectory. It is possible to prevent positively charged ions and dust outside the electrode from moving to the orbit of the electron beam. As a result, the amount of positively charged ions and dust trapped in the orbit of the electron beam is reduced, and the electron beam current can be prevented from being reduced due to scattering and collision of the electron beam. The life of the electron beam can be extended.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による放射光発生装置の一実施例のビー
ムダクトの内部の断面図。
FIG. 1 is a sectional view of the inside of a beam duct of an embodiment of a synchrotron radiation generator according to the present invention.

【図2】同ビームダクトの内部におけるポテンシャルを
示す図。(a)は電子ビームによるポテンシャルのx方
向の分布V(x)、(b)はイオン除去電極24a、2
4bによるポテンシャルのx方向の分布V(x)、
(c)はビームダクト6内の全体のポテンシャルVのy
方向の分布V(y)を示す。
FIG. 2 is a diagram showing a potential inside the beam duct. (A) is a distribution V (x) of the potential by the electron beam in the x direction, (b) is the ion removal electrodes 24a, 2
4b potential distribution in the x direction V (x),
(C) is y of the total potential V in the beam duct 6.
The distribution V (y) in the direction is shown.

【図3】放射光発生装置の概略構成を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a synchrotron radiation generator.

【図4】従来の放射光発生装置のビームダクトの内部の
断面図((a))、および同ビームダクトの内部におけ
るポテンシャルを示す図((b)、(c))。
FIG. 4 is a sectional view ((a)) of the inside of a beam duct of a conventional synchrotron radiation generator, and diagrams ((b), (c)) showing potentials inside the beam duct.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入射用電子加速器 2 電子ビーム輸送部 3 分岐用磁石 4 電子蓄積リング 5 偏向磁石 6 ビームダクト 7 ビーム閉軌道 8 放射光 9 ビームライン 10 放射光モニター 11 リング 12 高周波加速空洞 13 ビーム電流モニター 14 制御部 20 電子ビーム 21 イオン 23 領域 24a イオン除去電極 24b イオン除去電極 1 Electron Accelerator for Injection 2 Electron Beam Transport Section 3 Magnet for Branching 4 Electron Storage Ring 5 Deflection Magnet 6 Beam Duct 7 Beam Closed Orbit 8 Synchrotron Radiation 9 Beamline 10 Synchrotron Radiation Monitor 11 Ring 12 High Frequency Acceleration Cavity 13 Beam Current Monitor 14 Control Part 20 Electron beam 21 Ions 23 Region 24a Ion removal electrode 24b Ion removal electrode

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電子ビ−ムを電子蓄積リングのビームダク
ト内で周行させて、電子ビームの軌道の外方へ放射光を
発生させる放射光発生装置において、電子ビームの軌道
の外方にある前記ビームダクト内の位置に電極を配設
し、この電極に正電圧を印加可能に構成したことを特徴
とする放射光発生装置。
1. A synchrotron radiation device that circulates an electron beam in a beam duct of an electron storage ring to generate synchrotron radiation outside the orbit of the electron beam. An radiant light generation device characterized in that an electrode is arranged at a position within the beam duct and a positive voltage can be applied to this electrode.
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