JPH0661512A - Photoelectric conversion element - Google Patents
Photoelectric conversion elementInfo
- Publication number
- JPH0661512A JPH0661512A JP4215033A JP21503392A JPH0661512A JP H0661512 A JPH0661512 A JP H0661512A JP 4215033 A JP4215033 A JP 4215033A JP 21503392 A JP21503392 A JP 21503392A JP H0661512 A JPH0661512 A JP H0661512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- area
- receiving surface
- forming
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、表面に凹凸部を有する
光電変換素子の構造の改良に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in the structure of a photoelectric conversion element having irregularities on its surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光電変換装置の一例であるシリコン太陽
電池について説明する。2. Description of the Related Art A silicon solar cell, which is an example of a photoelectric conversion device, will be described.
【０００３】シリコン太陽電池において、光電変換効率
の高効率化を図る要素技術の一つとして、表面への凹凸
の形成による表面反射の低減が検討されている。In silicon solar cells, reduction of surface reflection by forming irregularities on the surface has been studied as one of the elemental techniques for increasing the photoelectric conversion efficiency.
【０００４】従来、シリコン単結晶を用いた太陽電池に
おいては、表面の凹凸は（１００）面をもつ基板に対し
て、アルカリエッチングを行なうことによって形成され
てきた。数％程度のＫＯＨあるいはＮａＯＨ溶液中でエ
ッチングを行なうことによって、シリコン表面は異方性
にエッチングされ、（１１１）面をもつピラミッド状の
凹凸が形成される。Conventionally, in a solar cell using a silicon single crystal, surface irregularities have been formed by performing alkali etching on a substrate having a (100) plane. By etching in a KOH or NaOH solution of about several percent, the silicon surface is anisotropically etched to form pyramid-shaped irregularities having a (111) plane.
【０００５】一方、低コスト化に有効な多結晶シリコン
太陽電池においては、アルカリエッチングでは均一な凹
凸は形成できない。その理由は、多結晶シリコンにおい
ては結晶方向が様々であるため、（１００）面以外では
ピラミッド形状とはならないためであり、そのため反射
も低減されない。そこで、近年多結晶シリコンにおいて
は、表面反射を低減する方法として、表面にＶ字状また
はＵ字状の断面をもつ溝状の凹凸を加工する方法が開発
された。溝の加工方法としては、レーザ，ダイサー，マ
ルチワイヤーソー等を用いて加工する方法が提案されて
いる。凹凸を形成することによって反射は低減される
が、電極をスクリーン印刷法によって形成する際に、受
光面電極ペーストの広がりによる電極占有率、及び拡散
層への接触面積の増加が問題となる。以下、これについ
て詳しく述べる。On the other hand, in a polycrystalline silicon solar cell which is effective for cost reduction, uniform etching cannot be formed by alkali etching. The reason is that in polycrystalline silicon, the crystallographic directions are different, and therefore, the pyramid shape is not formed except for the (100) plane, and therefore the reflection is not reduced. Therefore, in recent years, in polycrystalline silicon, as a method of reducing surface reflection, a method of processing groove-shaped unevenness having a V-shaped or U-shaped cross section on the surface has been developed. As a groove processing method, a method of processing using a laser, a dicer, a multi-wire saw, or the like has been proposed. Although the reflection is reduced by forming the unevenness, when the electrode is formed by the screen printing method, the electrode occupancy rate due to the spread of the light-receiving surface electrode paste and the increase of the contact area with the diffusion layer pose a problem. This will be described in detail below.
【０００６】受光面電極の占有率の低減、および受光面
電極の拡散層への接触面積への低減は、シリコン太陽電
池において光電変換効率の高効率化を図る主要な技術と
して検討されたきた。受光面電極の占有率とは、素子表
面の面積に対する電極の占める面積で定義され、これを
低減することによって入射光量が増え、短絡電流を増加
させることができる。接触面積とは、電極が拡散層と接
触している面積を指し、これを低減することによって電
極近傍における再結合が減少し、解放電圧を向上させる
ことができる。The reduction of the occupation ratio of the light-receiving surface electrode and the reduction of the contact area of the light-receiving surface electrode with the diffusion layer have been studied as the main techniques for increasing the photoelectric conversion efficiency in the silicon solar cell. The occupancy of the light-receiving surface electrode is defined by the area occupied by the electrode with respect to the area of the element surface. By reducing this, the amount of incident light increases and the short-circuit current can be increased. The contact area refers to an area in which the electrode is in contact with the diffusion layer. By reducing the contact area, recombination in the vicinity of the electrode is reduced and the release voltage can be improved.
【０００７】太陽電池の受光面電極の形成法としては、
スクリーン印刷法以外に蒸着法等もあるが、低コスト化
を要求される太陽電池においては、スクリーン印刷法が
一般的である。As a method of forming the light-receiving surface electrode of the solar cell,
In addition to the screen printing method, there are vapor deposition methods and the like, but the screen printing method is generally used for a solar cell that requires cost reduction.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】スクリーン印刷法にお
いて占有率を低減するためには、微細なパターンを印刷
することが必要である。しかしながら、スクリーン印刷
法における占有率の下限は、印刷可能な最小線幅によっ
て制限され、現状では占有率は５％程度である。また、
表面に凹凸がある場合には、最小印刷線幅は表面が平坦
な場合に比べ太くなり、その結果占有率の下限は、表面
が平坦な場合に比べて大きくなり、短絡電流の減少の原
因となる。In order to reduce the occupation rate in the screen printing method, it is necessary to print a fine pattern. However, the lower limit of the occupation rate in the screen printing method is limited by the minimum printable line width, and the occupation rate is currently about 5%. Also,
When the surface has irregularities, the minimum printed line width becomes thicker than that when the surface is flat, and as a result, the lower limit of the occupancy rate becomes larger than when the surface is flat, which causes the short-circuit current to decrease. Become.
【０００９】また、スクリーン印刷法において、接触面
積を電極面積より小さくして開放電圧を向上させること
は、従来不可能であった。電極面積に比べ接触面積を減
らすには、電極を形成する予定の部分を一旦酸化膜や窒
化膜等で覆い、これにパターニングをして電極を接触さ
せる部分のみ窓を開け、その上に電極を形成する必要が
ある。これにはフォトリソグラフィ工程などの微細加工
工程が必要となり、スクリーン印刷法では不可能であ
る。さらに、表面に凹凸がある場合には電極面積の増加
に伴い、接触面積も増加し、開放電圧の低下の原因とな
る。In the screen printing method, it has hitherto been impossible to make the contact area smaller than the electrode area to improve the open circuit voltage. In order to reduce the contact area compared to the electrode area, the part where the electrode is to be formed is once covered with an oxide film or a nitride film, and the patterning is performed to open a window only at the part where the electrode is to be contacted, and the electrode is formed on top of it. Need to be formed. This requires a microfabrication process such as a photolithography process, which is impossible with the screen printing method. Further, when the surface has irregularities, the contact area also increases as the electrode area increases, which causes a decrease in open circuit voltage.
【００１０】さらに、表面に前述した溝を形成し、その
上にスクリーン印刷法で電極を形成する場合、次のよう
な問題がある。溝に直角方向にペーストを印刷した場
合、ペーストが溝に沿って広がってしまう。その結果、
電極の占有率の増加による短絡電流の減少や、接触面積
の増加による開放電圧の低下を招く。さらには、溝の頂
上の部分でペーストの断線が発生するという点も問題で
ある。一方、溝に平行に電極を印刷した場合は、ペース
トが溝の幅全面に広がり、さらに、電極幅が溝の幅より
も広い部分では、ペーストは隣の溝まで広がってしま
う。また、発生した電流は電極に達するまでに、拡散層
中を溝と垂直な方向に凹凸を越えて流れるため、実質的
に電極までの距離が長くなり、直列抵抗の増加による曲
線因子の低下を招く。Further, when the above-mentioned groove is formed on the surface and the electrode is formed thereon by the screen printing method, there are the following problems. When the paste is printed in the direction perpendicular to the groove, the paste spreads along the groove. as a result,
This leads to a decrease in short-circuit current due to an increase in electrode occupation rate and a decrease in open circuit voltage due to an increase in contact area. Further, there is a problem that the disconnection of the paste occurs at the top of the groove. On the other hand, when the electrodes are printed in parallel with the grooves, the paste spreads over the entire width of the groove, and further, in a portion where the electrode width is wider than the width of the groove, the paste spreads to the adjacent groove. In addition, since the generated current flows through the diffusion layer in the direction perpendicular to the groove over the unevenness before reaching the electrode, the distance to the electrode is substantially lengthened, and the fill factor decreases due to the increase in series resistance. Invite.
【００１１】このように凹凸の形成、特に段差の大きい
溝状の凹凸の加工を行なった太陽電池表面に、スクリー
ン印刷法によって電極を形成するには、以上のような問
題点があり、反射率が低減される利点を十分に生かすこ
とはできなかった。There are the following problems in forming an electrode by a screen printing method on the surface of a solar cell on which unevenness has been formed, particularly groove-shaped unevenness having a large step, and there are the following problems. It was not possible to take full advantage of the reduction of
【００１２】以上のように、表面への凹凸の形成は表面
反射の低減には大きな効果があるが、実際には印刷法に
よる電極形成の際にペーストが凹部へ広がり、電極の占
有率および拡散層への接触面積が増加し、短絡電流の減
少や開放電圧の低下があるため、反射低減の効果が変換
効率の向上に十分に寄与できていなかった。As described above, the formation of the unevenness on the surface has a great effect on the reduction of the surface reflection, but in reality, the paste spreads into the concave portion when the electrode is formed by the printing method, and the occupancy rate and diffusion of the electrode are increased. Since the contact area with the layer is increased, the short-circuit current is reduced, and the open circuit voltage is reduced, the effect of reducing reflection cannot sufficiently contribute to the improvement of conversion efficiency.
【００１３】本発明の目的は、上記問題点を解決し、凹
凸形成による表面反射の低減に伴う短絡電流の増加の効
果を最大限に生かし、さらに、従来スクリーン印刷法で
は成しえなかった接触面積を電極面積より小さくするこ
とによって、開放電圧を向上させた太陽電池を得ること
にある。The object of the present invention is to solve the above problems, to maximize the effect of increasing the short-circuit current due to the reduction of surface reflection due to the formation of irregularities, and further to make contact which could not be achieved by the conventional screen printing method. It is to obtain a solar cell with an improved open circuit voltage by making the area smaller than the electrode area.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明の太陽電池は、第
１の導電型の半導体基板の受光面側に形成された多数の
凹凸と、凹凸に沿って形成された第２の導電型の層と、
第２の導電型の層の表面に形成された反射防止膜と、受
光面電極が形成される凸部付近の凹部を埋めて実質的に
平坦化するように凹部に形成された透明絶縁層と、凸部
に沿って形成され凸部のみにおいて第２の導電型の層と
接触する受光面電極とを設けた。The solar cell of the present invention has a large number of irregularities formed on the light-receiving surface side of a semiconductor substrate of the first conductivity type, and a second conductivity type formed along the irregularities. Layers and
An antireflection film formed on the surface of the second conductive type layer, and a transparent insulating layer formed in the concave portion so as to fill and substantially flatten the concave portion near the convex portion where the light-receiving surface electrode is formed, A light-receiving surface electrode formed along the convex portion and contacting the second conductivity type layer only at the convex portion is provided.
【００１５】[0015]
【作用】受光面電極が形成される凸部付近の凹部は透明
絶縁層によって埋められ表面は平坦化されているから、
この上に電極ペーストを印刷した場合、ペーストは実質
的に平らな面に印刷されることになり、ペーストの広が
りは無く、占有率の小さな電極の形成が可能である。ま
た、電極の拡散層への接触は凸部のみであるため、接触
面積は電極の占有面積よりも小さく、開放電圧を向上さ
せることが可能である。[Function] Since the concave portion near the convex portion where the light-receiving surface electrode is formed is filled with the transparent insulating layer and the surface is flattened,
When the electrode paste is printed on this, the paste is printed on a substantially flat surface, the paste does not spread, and it is possible to form an electrode with a small occupation ratio. In addition, since the contact of the electrode with the diffusion layer is only at the convex portion, the contact area is smaller than the area occupied by the electrode, and the open circuit voltage can be improved.
【００１６】[0016]
【実施例】図２（ａ）〜（ｆ）は、本発明による太陽電
池の製作工程を示す断面図である。EXAMPLE FIGS. 2A to 2F are sectional views showing the steps of manufacturing a solar cell according to the present invention.
【００１７】まず、図２（ａ）に示すように、単結晶ま
たは多結晶のＰ型シリコン基板１の受光面側の表面に多
数の溝１−１を形成する。本実施例においては溝１−１
はダイサーによって形成した。このときダイサーのブレ
ードの厚みを５０μｍとし、溝１−１の深さを５０μ
ｍ、溝１−１のピッチを１００μｍとした。First, as shown in FIG. 2A, a large number of grooves 1-1 are formed in the surface of the single crystal or polycrystalline P-type silicon substrate 1 on the light receiving surface side. In this embodiment, the groove 1-1
Was formed by dicer. At this time, the thickness of the dicer blade is 50 μm, and the depth of the groove 1-1 is 50 μm.
m, and the pitch of the grooves 1-1 was 100 μm.
【００１８】次に、基板を洗浄した後、ダイシング時の
破砕層の除去および溝の角を取り、より反射が低くなる
Ｖ字型状にするため、フッ酸と硝酸の混合液によって基
板のエッチングを行なった。Next, after the substrate is washed, the substrate is etched with a mixed solution of hydrofluoric acid and nitric acid in order to remove the crushed layer at the time of dicing and remove the corners of the groove to form a V-shape that lowers the reflection. Was done.
【００１９】次に、図２（ｂ）に示すように、ＰＯＣｌ
3 を用いたガス拡散によってＮ型拡散層２を形成し、そ
の表面にパッシベーション層３として熱酸化法により薄
い熱酸化膜を形成した。その上に、反射防止膜４として
常圧ＣＶＤ法によって酸化チタン膜を形成した。Next, as shown in FIG. 2 (b), POCl
An N-type diffusion layer 2 was formed by gas diffusion using 3, and a thin thermal oxide film was formed as a passivation layer 3 on the surface by a thermal oxidation method. A titanium oxide film was formed thereon as the antireflection film 4 by the atmospheric pressure CVD method.
【００２０】次いで、図２（ｃ）に示すように、エッチ
ングによって裏面の不要なＮ型拡散層を取り除いた後、
ＢＳＦ層５および裏面電極６を、Ａｌペーストを印刷・
焼成することによって形成した。Next, as shown in FIG. 2C, after removing the unnecessary N-type diffusion layer on the back surface by etching,
Print the Al paste on the BSF layer 5 and the back electrode 6.
It was formed by firing.
【００２１】次に、図２（ｄ）に示すように、表面に電
極と同様のパターンを持つ透明絶縁層として、酸化錫層
７を形成し溝の凹部を埋める。図３（ａ）はその側面図
であり、図４（ａ）はその斜視図である。酸化錫層７
は、テトラアルコキシ錫をアルコール類およびエーテル
類を主体とする有機溶剤に溶解し、さらにセルローズ類
等のバインダーを加えた塗布液を、スクリーン印刷によ
って印刷し、これを１００〜１５０℃の温度で５〜１０
分乾燥させた後、酸素ガス雰囲気中で６００〜７００℃
の温度で１０ないし２０分焼成することによって形成し
た。印刷用のスクリーンパターンは、太陽電池の電極部
と同等であるがその線幅が電極の線幅に比べて２〜４倍
程度の太さをもつパターンとした。ここで形成された酸
化錫層の線幅が広いが、酸化錫層は透明であるため入射
光量に殆ど影響を与えない。Next, as shown in FIG. 2D, a tin oxide layer 7 is formed on the surface as a transparent insulating layer having a pattern similar to that of the electrode, and the concave portion of the groove is filled. 3 (a) is a side view thereof, and FIG. 4 (a) is a perspective view thereof. Tin oxide layer 7
Is a solution in which tetraalkoxytin is dissolved in an organic solvent mainly containing alcohols and ethers, and a binder such as cellulose is added to the coating solution, which is printed by screen printing at a temperature of 100 to 150 ° C. -10
After drying for minutes, 600 ~ 700 ℃ in oxygen gas atmosphere
It was formed by firing at a temperature of 10 to 20 minutes. The screen pattern for printing was the same as the electrode part of the solar cell, but the line width thereof was about 2 to 4 times the line width of the electrode. Although the tin oxide layer formed here has a wide line width, the tin oxide layer is transparent and has little effect on the amount of incident light.
【００２２】次いで、この基板を塩酸中に浸漬すること
によって酸化錫層のエッチングを行なう。図１（ｅ）に
示すように、溝の凸部の頂上部の反射防止膜４が露出し
た時点でエッチングを止めることによって、実質的に平
坦化された表面が得られる。図３（ｂ）はその側面図で
あり、図４（ｂ）はその斜視図である。このとき、反射
防止膜４はエッチングされずに表面に残る。Then, the tin oxide layer is etched by immersing the substrate in hydrochloric acid. As shown in FIG. 1E, the etching is stopped when the antireflection film 4 on the top of the convex portion of the groove is exposed, whereby a substantially planarized surface is obtained. 3 (b) is a side view thereof, and FIG. 4 (b) is a perspective view thereof. At this time, the antireflection film 4 remains on the surface without being etched.
【００２３】次いで、図２（ｆ）に示すように、溝の頂
上部の凸部表面の反射防止膜４を中心とし、その付近の
酸化錫層７を含む受光面電極予定領域に、銀ペーストを
スクリーン印刷法によって印刷し、これを乾燥・焼成す
ることによって受光面電極８を形成する。図３（ｃ）は
その側面図であり、図４（ｃ）はその斜視図である。こ
のとき溝の頂上の凸部では、銀ペーストは前記反射防止
膜４およびパッシベーション層３を貫通しＮ型拡散層２
と接触するが、溝の凹部では、酸化錫層７はその厚さが
厚いため、銀ペーストは貫通できない。従って、受光面
電極８のＮ型拡散層２との接触面積は電極面積に比べて
大幅に低減される。Next, as shown in FIG. 2 (f), a silver paste is formed in the light receiving surface electrode planned region including the tin oxide layer 7 in the vicinity of the antireflection film 4 on the convex surface at the top of the groove. Is printed by a screen printing method and dried and baked to form the light-receiving surface electrode 8. 3 (c) is a side view thereof, and FIG. 4 (c) is a perspective view thereof. At this time, in the convex portion on the top of the groove, the silver paste penetrates the antireflection film 4 and the passivation layer 3 and the N-type diffusion layer 2 is formed.
However, in the concave portion of the groove, the tin oxide layer 7 is too thick to penetrate the silver paste. Therefore, the contact area of the light-receiving surface electrode 8 with the N-type diffusion layer 2 is significantly reduced as compared with the electrode area.
【００２４】以上の工程によって、図１に示されるよう
な本発明による太陽電池素子が完成する。Through the above steps, the solar cell element according to the present invention as shown in FIG. 1 is completed.
【００２５】本発明による太陽電池の光電変換特性を従
来の構造を持つ太陽電池と比較したものが下記の表１で
ある。The photoelectric conversion characteristics of the solar cell according to the present invention are compared with those of the solar cell having the conventional structure as shown in Table 1 below.
【００２６】[0026]
【表１】 [Table 1]
【００２７】従来の構造とは酸化錫層を形成せず、直接
電極を形成したものである。本発明による太陽電池は従
来の構造を持つ太陽電池と比較すると、短絡電流，開放
電圧ともに向上しており、反射の低減，占有率および接
触面積の低減がなされていることが分かる。The conventional structure is one in which an electrode is directly formed without forming a tin oxide layer. It can be seen that the solar cell according to the present invention has improved short-circuit current and open-circuit voltage as compared with a solar cell having a conventional structure, and has reduced reflection, occupancy and contact area.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明によれば、反射低減のために表面
に凹凸を形成した太陽電池において、簡単な方法で電極
の占有率および電極の拡散層への接触面積を小さくする
ことができ、その結果従来より高効率の太陽電池を得る
ことができる。According to the present invention, in a solar cell in which irregularities are formed on the surface for reducing reflection, the occupancy rate of the electrode and the contact area of the electrode with the diffusion layer can be reduced by a simple method. As a result, it is possible to obtain a solar cell with higher efficiency than ever before.
【図１】本発明による太陽電池の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a solar cell according to the present invention.
【図２】（ａ）〜（ｆ）は本発明の製作工程を示す略断
面図である。2A to 2F are schematic cross-sectional views showing a manufacturing process of the present invention.
【図３】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図２（ｄ）〜（ｆ）
に対する側面図である。3A to 3C are diagrams of FIGS. 2D to 2F, respectively.
FIG.
【図４】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図２（ｄ）〜（ｆ）
に対する斜視図である。4A to 4C are diagrams of FIGS. 2D to 2F, respectively.
FIG.
１ ｐ型シリコン基板 ２ Ｎ型拡散層 ３ パッシベーション層 ４ 反射防止膜 ５ ＢＳＦ層 ６ 裏面電極 ７ 酸化錫層 ８ 受光面電極 1 p-type silicon substrate 2 N-type diffusion layer 3 passivation layer 4 antireflection film 5 BSF layer 6 back electrode 7 tin oxide layer 8 light-receiving surface electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥野 哲啓 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 横沢 雄二 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tetsuhiro Okuno 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Within Sharp Corporation (72) Yuji Yokozawa 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Inside the company
Claims (1)
形成された多数の凹凸と、 凹凸に沿って形成された第２の導電型の層と、 第２の導電型の層の表面に形成された反射防止膜と、 受光面電極が形成される凸部付近の凹部を埋めて実質的
に凸部と平坦化するように凹部に形成された透明絶縁層
と、 凸部に沿って形成され凸部のみにおいて第２の導電型の
層と接触する受光面電極、 とよりなることを特徴とする光電変換素子。1. A large number of irregularities formed on the light-receiving surface side of a semiconductor substrate of the first conductivity type, a second conductivity type layer formed along the irregularities, and a second conductivity type layer. An antireflection film formed on the surface, a transparent insulating layer formed in the concave portion so as to substantially flatten the convex portion by filling the concave portion near the convex portion where the light-receiving surface electrode is formed, and along the convex portion And a light-receiving surface electrode that is in contact with the second conductivity type layer only at the protrusions.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4215033A JP2835415B2 (en) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | Photoelectric conversion element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4215033A JP2835415B2 (en) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | Photoelectric conversion element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661512A true JPH0661512A (en) | 1994-03-04 |
| JP2835415B2 JP2835415B2 (en) | 1998-12-14 |
Family
ID=16665645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4215033A Expired - Fee Related JP2835415B2 (en) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | Photoelectric conversion element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2835415B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012043670A1 (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | 三洋電機株式会社 | Solar cell and solar cell module |
| WO2012105068A1 (en) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | 三菱電機株式会社 | Pattern-forming method and solar cell manufacturing method |
| JP2017135210A (en) * | 2016-01-26 | 2017-08-03 | 三菱電機株式会社 | Solar cell and method of manufacturing solar cell |
-
1992
- 1992-08-12 JP JP4215033A patent/JP2835415B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012043670A1 (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | 三洋電機株式会社 | Solar cell and solar cell module |
| WO2012105068A1 (en) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | 三菱電機株式会社 | Pattern-forming method and solar cell manufacturing method |
| JP2017135210A (en) * | 2016-01-26 | 2017-08-03 | 三菱電機株式会社 | Solar cell and method of manufacturing solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2835415B2 (en) | 1998-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU702505B2 (en) | Method of preparing solar cells and products obtained thereof | |
| TWI845484B (en) | Interdigitated back-contacted solar cell with p-type conductivity and manufacturing thereof and photovoltaic module | |
| JP5390102B2 (en) | Semiconductor device having heterojunction and interfinger structure | |
| JP4481869B2 (en) | SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD, SOLAR CELL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD | |
| KR20080014751A (en) | Solar cell manufacturing method and solar cell | |
| JP6104037B2 (en) | Photovoltaic device, manufacturing method thereof, and photovoltaic module | |
| US20110189810A1 (en) | Crystalline silicon pv cell with selective emitter produced with low temperature precision etch back and passivation process | |
| JPWO2005109524A1 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| US9171975B2 (en) | Solar cell element and process for production thereof | |
| WO2012077568A1 (en) | Solar cell and solar-cell module | |
| JPH10233518A (en) | Solar cell and its manufacturing method, and manufacturing method of semiconductor device | |
| JP4656996B2 (en) | Solar cell | |
| JP5220197B2 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| JP4373774B2 (en) | Method for manufacturing solar cell element | |
| JP5991945B2 (en) | Solar cell and solar cell module | |
| JP5408022B2 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| JP2989373B2 (en) | Method for manufacturing photoelectric conversion device | |
| JP2004273826A (en) | Photoelectric converter and its fabricating process | |
| JP2999867B2 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
| JP2001257371A (en) | Method for manufacturing solar cell, solar cell and condensing type solar cell module | |
| JP6114171B2 (en) | Manufacturing method of solar cell | |
| JPH11307792A (en) | Solar cell element | |
| JP2835415B2 (en) | Photoelectric conversion element | |
| JP2007266649A (en) | Method of manufacturing solar cell element | |
| JP4212292B2 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980825 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |