JPH0652138U - Wafer ID reader - Google Patents

Wafer ID reader

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JPH0652138U
JPH0652138U JP8792392U JP8792392U JPH0652138U JP H0652138 U JPH0652138 U JP H0652138U JP 8792392 U JP8792392 U JP 8792392U JP 8792392 U JP8792392 U JP 8792392U JP H0652138 U JPH0652138 U JP H0652138U
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JP
Japan
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light
wafer
semiconductor wafer
light source
video camera
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JP8792392U
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Japanese (ja)
Inventor
俊彦 原
孝次 山崎
博 長嶺
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Advantest Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
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Advantest Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェハIDを形成するドットの深さが異なっ
たり、IDパターン上の保護膜の厚さが異なったりして
も、正しくウェハIDを読み取ることを可能とする。 【構成】 光源11よりの光ビームを水平にビームスプ
リッタ12に入射し、その反射光を半導体ウェハ13上
に照射し、その反射光をビームスプリッタ12を通して
ビデオカメラ14で撮影し、そのビデオカメラ14の出
力を画像処理装置15により処理して半導体ウェハ上の
ウェハIDを認識してその結果を表示器16に表示す
る。光源11の光軸を垂直可変機構24により垂直面内
で回動することができ、また光源11の光軸を水平可変
機構25により水辺面内で回動することができ、半導体
ウェハ13に対する入射光の角度を水平面内および垂直
面内で変化させて最良の照明としてウェハIDを正確に
読み取るようにすることができる。
(57) [Summary] [Purpose] Even if the depth of the dots forming the wafer ID is different or the thickness of the protective film on the ID pattern is different, the wafer ID can be correctly read. [Structure] A light beam from a light source 11 is horizontally incident on a beam splitter 12, the reflected light is irradiated onto a semiconductor wafer 13, and the reflected light is photographed by a video camera 14 through the beam splitter 12, and the video camera 14 Is processed by the image processor 15 to recognize the wafer ID on the semiconductor wafer and the result is displayed on the display 16. The optical axis of the light source 11 can be rotated in a vertical plane by the vertical variable mechanism 24, and the optical axis of the light source 11 can be rotated in a waterside plane by the horizontal variable mechanism 25. The angle of light can be varied in the horizontal and vertical planes to ensure accurate reading of the wafer ID as the best illumination.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

この考案は半導体集積回路、いわゆるICを作る為に利用され、例えばロット 管理の為に半導体ウェハに付けられた識別文字、つまりウェハIDを光学的に読 み取るウェハID読み取り装置に関する。 The present invention relates to a wafer ID reading device which is used to make a semiconductor integrated circuit, so-called IC, and optically reads an identification character, that is, a wafer ID, attached to a semiconductor wafer for lot management.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

半導体ウェハを識別できるように、半導体ウェハに文字いわゆるIDがレーザ によるドットパターンや、薄膜に対するパターンエッチングにより記入されてあ る。例えば各半導体ウェハをその処理にあたって、どのロットからのものである かを知るため、そのウェハIDを読み取ることが行なわれている。 In order to identify the semiconductor wafer, characters, so-called IDs, are written on the semiconductor wafer by a dot pattern by a laser or pattern etching on a thin film. For example, in processing each semiconductor wafer, its wafer ID is read in order to know from which lot it came.

【0003】 この読み取り装置としては従来においては図4Aに示すものが用いられていた 。すなわち光源11からの光をほぼ水平に進行させ、ビームスプリッタ12によ りその光を二分し、かつその一方の光をほぼ直角に下方に曲げ、この光を半導体 ウェハ13上に照射し、その半導体ウェハ13の反射光をビームスプリッタ12 を通過してビデオカメラ14により受光し、ビデオカメラ14の出力を画像処理 装置15で処理してその半導体ウェハ13に記入された文字、つまりIDを認識 し、これを表示器16に表示している。As the reading device, the one shown in FIG. 4A has been conventionally used. That is, the light from the light source 11 is caused to travel substantially horizontally, the beam splitter 12 bisects the light, and one of the lights is bent downward at a substantially right angle, and this light is irradiated onto the semiconductor wafer 13, The reflected light of the semiconductor wafer 13 passes through the beam splitter 12 and is received by the video camera 14, and the output of the video camera 14 is processed by the image processing device 15 to recognize the characters written on the semiconductor wafer 13, that is, the ID. This is displayed on the display 16.

【0004】 このように半導体ウェハ13に対して垂直方向から光を入射して照明し、その 反射光を読み取る、いわゆる落射照明(明視野照明)による読み取りによって、 良く読み取ることができない場合は、光源17から半導体ウェハ13の板面に対 して斜めに光を入射してその反射光をビームスプリッタ12を介して、ビデオカ メラ14で受光して、画像処理装置15により半導体ウェハ13のIDを読み取 るようにしている。後者の光源17よりの斜め照射による照明は暗視野照明と言 われている。この暗視野照明によってIDの読み取りを行ない、読み取りにくい 場合には光源11による落射照明、つまり明視野照明によって読み取りを行なう こともある。As described above, when light is incident on the semiconductor wafer 13 from the vertical direction to illuminate the semiconductor wafer 13 and the reflected light thereof is read by so-called epi-illumination (bright field illumination), the light cannot be read well. Light is obliquely incident on the plate surface of the semiconductor wafer 13 from 17, and the reflected light is received by the video camera 14 through the beam splitter 12, and the ID of the semiconductor wafer 13 is read by the image processing device 15. I am trying to do it. The latter illumination by oblique irradiation from the light source 17 is called dark field illumination. The ID is read by this dark-field illumination, and if it is difficult to read, it may be read by epi-illumination by the light source 11, that is, bright-field illumination.

【0005】[0005]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

このように従来においては2つの光源11,17を設け、明視野照明あるいは 暗視野照明の一方で読み取り、読み取りができない時は照明を他方に切り替えて 読み取るようにしている。しかし半導体ウェハ13の表面処理状態やその記入し た文字を構成するドット形状によって反射状態が異なり、切り替えを行ってもI Dを正しく読み取ることができなかった。すなわち、半導体ウェハ13にIDを 構成する為のドット18が配列形成されているが、図4B,Cにそれぞれ示すよ うにそのドット18の表面における直径の大きさやドットの深さ、ドット18の 内周面の傾斜度が異なり一定していない。このため、図4Bと図4Cとでは光の 反射状態が可成り異なり、暗視野照明と明視野照明とを切り替えただけでは、い づれの場合においても半導体ウェハ上のIDを正しく読み取る事が困難な場合が あった。 Thus, conventionally, two light sources 11 and 17 are provided, and one of bright-field illumination and dark-field illumination is read, and when reading is not possible, the illumination is switched to the other and reading is performed. However, the reflection state was different depending on the surface treatment state of the semiconductor wafer 13 and the dot shape forming the written characters, and the ID could not be read correctly even after switching. That is, the dots 18 for forming the ID are arrayed on the semiconductor wafer 13, and as shown in FIGS. 4B and 4C, the diameter of the surface of the dot 18, the depth of the dot, The inclination of the peripheral surface is different and not constant. For this reason, the light reflection states are considerably different between FIGS. 4B and 4C, and it is difficult to correctly read the ID on the semiconductor wafer in both cases simply by switching the dark-field illumination and the bright-field illumination. There were cases.

【0006】 また図4D,Eに示すように半導体ウェハ13上に金属薄膜を形成し、その薄 膜をエッチングして文字パターン19を形成してその半導体ウェハのIDとする 場合もある。この場合そのパターン19に対し通常透明樹脂材の保護膜21が覆 われているが、その保護膜21が図4D,、図4Eに示すように厚さが異なった り、その保護膜による屈折のしかたが異なり、表面反射がおきて明視野照明と暗 視野照明との切り替えだけでは、このパターン19によるIDを確実に読み取る ことができない場合があった。In some cases, as shown in FIGS. 4D and 4E, a metal thin film is formed on the semiconductor wafer 13 and the thin film is etched to form the character pattern 19 to form the ID of the semiconductor wafer. In this case, the pattern 19 is usually covered with a protective film 21 made of a transparent resin material, but the protective film 21 has different thicknesses as shown in FIGS. However, in some cases, due to surface reflection, it was not possible to reliably read the ID according to the pattern 19 simply by switching between bright field illumination and dark field illumination.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

この考案によれば半導体ウェハに対する入射角、又はその半導体ウェハからの 反射光を受光するビデオカメラの受光角度を垂直面および水平面内でそれぞれ調 整できる可変機構部が設けられている。 従って半導体ウェハ上のIDが読み取りにくい場合はその可変機構部を調整す ることによっていろいろな角度から半導体ウェハを照明し、またはいろいろの角 度からIDを読み取ることができ、正しくIDを読み取ることが可能となる。 According to this invention, there is provided a variable mechanism unit capable of adjusting the incident angle with respect to the semiconductor wafer or the light receiving angle of the video camera that receives the reflected light from the semiconductor wafer in the vertical plane and the horizontal plane, respectively. Therefore, if the ID on the semiconductor wafer is difficult to read, the semiconductor wafer can be illuminated from various angles by adjusting the variable mechanism part, or the ID can be read from various angles. It will be possible.

【0008】[0008]

【実施例】【Example】

図1Aにこの考案の原理を示し、図4Aと対応する部分には同一符号を付けて ある。この例では光源11からの光23はほぼ水平に出射され、ビームスプリッ タ12により一方の分割光が半導体ウェハ13上に垂下される。この考案におい ては光源11はその出射光(光ビーム)23を垂直可変機構24により垂直面内 における進行方向角度を変更することができるようにされ、又水平可変機構25 により水平面内における進行方向角度を調整することができるようにされる。従 って垂直可変機構24により光ビーム23を垂直面内で回動するとそのビームス プリッタ12より反射されて半導体ウェハ13に入射する垂直面内の角度θz が 変化し例えば点線に示すように変化する。又水平可変機構25により光ビーム2 3を水平面内で回動するとそのビームスプリッタ12による反射光は半導体ウェ ハ13に対する入射角の水平面内における角度が変化する。従ってこれら両可変 機構24,25を調整することによって、半導体ウェハ13に対する入射光θxy Z を垂直面内、水平面内で変えることができ、その半導体ウェハ13に記入され たIDに対し、色々な角度から照射することができ、よってそのIDを正しく読 むことが可能となる。The principle of this invention is shown in FIG. 1A, and the portions corresponding to those in FIG. 4A are designated by the same reference numerals. In this example, the light 23 from the light source 11 is emitted almost horizontally, and one split light is hung down on the semiconductor wafer 13 by the beam splitter 12. In the present invention, the light source 11 is configured such that its outgoing light (light beam) 23 can be changed in the advancing direction angle in a vertical plane by a vertical variable mechanism 24, and the advancing direction in a horizontal plane by a horizontal variable mechanism 25. The angle can be adjusted. Accordingly, when the light beam 23 is rotated in the vertical plane by the vertical variable mechanism 24, the angle θ z in the vertical plane which is reflected by the beam splitter 12 and is incident on the semiconductor wafer 13 is changed, for example, as shown by a dotted line. To do. When the light beam 23 is rotated in the horizontal plane by the horizontal variable mechanism 25, the angle of incidence of the light reflected by the beam splitter 12 on the semiconductor wafer 13 in the horizontal plane changes. Therefore, by adjusting both the variable mechanisms 24 and 25, the incident light θ xy Z on the semiconductor wafer 13 can be changed in the vertical plane and in the horizontal plane, and various IDs are recorded on the semiconductor wafer 13. It is possible to irradiate from an angle, so that the ID can be read correctly.

【0009】 次にこの考案の実施例の具体的構造を図1B、図2を参照して説明しよう。基 台31の上面中央部に両端に達する凹部32が形成され、凹部32に支持板33 の一端部が嵌合固定される。支持板33は水平方向に延長され、支持板33の遊 端部の上側にこれとほぼ直角に延長した固定筒体34が取り付けられる。その固 定筒体34の支持板33からはずれた端部の下面に、可動筒体35が回動自在に 取り付けられる。つまり固定筒体34の支持板33から離れた端部の底面に円形 穴36が形成され、その円形穴36内に固定筒体34と軸心が互いに直交する可 動筒体35の上端部が円筒面とされて回動自在に嵌合され、その可動筒体35の 挿入端部の外周に鍔37が取り付けられ、可動筒体35は固定筒体34に回動自 在に吊り下げ取り付けられる。Next, a specific structure of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1B and 2. A recess 32 reaching both ends is formed in the center of the upper surface of the base 31, and one end of the support plate 33 is fitted and fixed in the recess 32. The support plate 33 is extended in the horizontal direction, and a fixed cylindrical body 34 extending substantially at a right angle is attached to the upper side of the free end portion of the support plate 33. The movable tubular body 35 is rotatably attached to the lower surface of the end of the fixed tubular body 34 which is separated from the support plate 33. That is, a circular hole 36 is formed in the bottom surface of the end of the fixed cylindrical body 34 which is separated from the support plate 33, and the upper end of the movable cylindrical body 35 whose axis is perpendicular to the fixed cylindrical body 34 is formed in the circular hole 36. A cylindrical surface is rotatably fitted, a flange 37 is attached to the outer periphery of the insertion end of the movable cylinder 35, and the movable cylinder 35 is rotatably suspended and attached to the fixed cylinder 34. .

【0010】 可動筒体35の基台31側において、光源11が垂直方向に回動自在に取り付 けられる。例えば可動筒体35の両側板より支持片38,39が突出され、支持 片38,39にそれぞれ円弧状の溝穴41が上下方向に延長されて形成され、こ れら溝穴41に、光源11の端部の両側面より突出したピン42がそれぞれ挿通 されて溝穴41に沿ってピン42が移動できるようにされる。またそのピン42 の位置をねじで固定できるようにされる。The light source 11 is vertically rotatably mounted on the base 31 side of the movable tubular body 35. For example, supporting pieces 38 and 39 are projected from both side plates of the movable tubular body 35, and circular arc-shaped slot holes 41 are formed in the supporting pieces 38 and 39 by extending in the vertical direction. Pins 42 protruding from both side surfaces of the end portion of 11 are respectively inserted so that the pins 42 can move along the slot 41. The position of the pin 42 can be fixed with a screw.

【0011】 光源11の光軸43を水平とした状態で、これと可動筒体35の軸心44が互 いに直交するようにされている。この交差点を通ってビームスプリッタ12が4 5度傾斜して可動筒体35内に取り付けられる。可動筒体35の内部は固定筒体 34内に連通しており、ビームスプリッタ12からの透過光を、水平方向に直角 に、つまり固定筒体34の軸心と平行にかつ支持板33側に反射させる反射鏡4 6が固定筒体34内に取り付けられる。また固定筒体34内の他端部に反射鏡4 6と対向してその反射鏡よりの光をほぼ水平に直角に折り曲る、つまり基台31 側に折り曲る反射鏡47が取り付けられる。In a state in which the optical axis 43 of the light source 11 is horizontal, the axis 44 of the movable tubular body 35 is orthogonal to each other. The beam splitter 12 is attached to the inside of the movable cylindrical body 35 through the intersection at an angle of 45 degrees. The inside of the movable cylinder 35 communicates with the inside of the fixed cylinder 34, and the transmitted light from the beam splitter 12 is perpendicular to the horizontal direction, that is, parallel to the axis of the fixed cylinder 34 and to the support plate 33 side. A reflecting mirror 46 for reflecting is mounted in the fixed cylindrical body 34. A reflecting mirror 47 is attached to the other end of the fixed cylindrical body 34 so as to face the reflecting mirror 46 and bend the light from the reflecting mirror substantially horizontally at a right angle, that is, to the base 31 side. .

【0012】 この反射鏡47により基台31側に反射された光が透過するように、固定筒体 34に開口が設けられており、反射鏡47より反射した光は結像レンズ48でビ デオカメラ14上に結像される。ビデオカメラ14は、支持板33の基台31上 の部分にL字状固定具49により支持板に取り付けられる。そのビデオカメラ1 4の開口(受光面)側に結像レンズ48が取り付けられている。なお図2Bにお いては光源11の光軸を水平とし、かつ、結像レンズ48の光軸と平行としてい る状態を示している。An opening is provided in the fixed cylindrical body 34 so that the light reflected by the reflecting mirror 47 toward the base 31 side is transmitted, and the light reflected by the reflecting mirror 47 is formed by the imaging lens 48 in the video camera. 14 is imaged. The video camera 14 is attached to the support plate 33 by an L-shaped fixture 49 on the base 31 of the support plate 33. An image forming lens 48 is attached to the opening (light receiving surface) side of the video camera 14. Note that FIG. 2B shows a state in which the optical axis of the light source 11 is horizontal and parallel to the optical axis of the imaging lens 48.

【0013】 このように構成されているからピン42のねじをゆるめて光源11をその光軸 43が垂直面内において回動するように回動することができる。従ってその光軸 43が水平となるように設定すれば、半導体ウェハ13に対して落射照明、いわ ゆる明視野照明がなされる。この状態から光源11、つまり光軸43を垂直面内 で回動して図2Aの実線に示す状態にすると、半導体ウェハ13に対して光は斜 めに照射され、半導体ウェハ13に対して暗視野照明となる。With this configuration, the screw of the pin 42 can be loosened to rotate the light source 11 so that the optical axis 43 of the light source 11 rotates in the vertical plane. Therefore, if the optical axis 43 is set to be horizontal, the semiconductor wafer 13 is subjected to epi-illumination, so-called bright-field illumination. When the light source 11, that is, the optical axis 43 is rotated in the vertical plane from this state to the state shown by the solid line in FIG. 2A, the semiconductor wafer 13 is obliquely irradiated with the light and the semiconductor wafer 13 is darkened. It becomes field illumination.

【0014】 このように明視野照明、暗視野照明を自由に取ることができ、かつその暗視野 照明における半導体ウェハ13に対する入射角度をかなり大幅に変えることがで きる。しかもその暗視野照明、明視野照明のいずれの場合においても光源11を 軸心44を中心に水平面内で回動することができ、半導体ウェハ13に対する水 平面内の入射角を変えることができる。従って半導体ウェハ13上のIDのドッ トの深さや、ドットの内周壁の傾斜が各種の場合においても、又IDパターン上 の保護膜の厚さなどが異なっていてもウェハIDを正しく認識することができる 。As described above, the bright field illumination and the dark field illumination can be freely set, and the incident angle of the dark field illumination with respect to the semiconductor wafer 13 can be considerably changed. Moreover, in both the dark field illumination and the bright field illumination, the light source 11 can be rotated in the horizontal plane about the axis 44, and the incident angle of the semiconductor wafer 13 in the horizontal plane can be changed. Therefore, the wafer ID must be correctly recognized even when the ID dot depth on the semiconductor wafer 13 is different, the inner peripheral wall of the dot is inclined, and the thickness of the protective film on the ID pattern is different. Can

【0015】 上述においては光源11の光軸を垂直面内、水平面内で回動したが、図3Aに 示すように光源11は例えばその光軸を水平としたままとしておき、ビデオカメ ラ14の光軸、つまり受光角度を垂直面内及び水平面内で回動するようにしても よい。あるいは図3Dに示すように、光源11及びビデオカメラ14の各光軸を 固定としたままビームスプリッタ12の角度を回動するようにしてもよい。In the above description, the optical axis of the light source 11 is rotated in the vertical plane and the horizontal plane, but as shown in FIG. 3A, the light source 11 is kept horizontal with the optical axis of the video camera 14, for example. The optical axis, that is, the light receiving angle may be rotated in the vertical plane and the horizontal plane. Alternatively, as shown in FIG. 3D, the angle of the beam splitter 12 may be rotated while the optical axes of the light source 11 and the video camera 14 are fixed.

【0016】[0016]

【考案の効果】[Effect of device]

以上述べたようにこの考案によれば、半導体ウェハに対する入射角度を垂直面 内および水平面内で変えることができ、あるいはそのビームスプリッタを通過し て受光するビデオカメラの受光角度を水平面内、及び垂直面内で変えることがで き、従ってウェハIDの形成状態が各種の状態であっても、最も認識しやすい状 態にウェハIDを照明することができそのウェハIDを正しく読み取ることがで きる。 As described above, according to the present invention, the incident angle with respect to the semiconductor wafer can be changed in the vertical plane and the horizontal plane, or the receiving angle of the video camera which receives light through the beam splitter can be changed in the horizontal plane and the vertical plane. Therefore, even if the wafer ID is formed in various states, the wafer ID can be illuminated in the most recognizable state and the wafer ID can be read correctly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】Aはこの考案の原理を示す図、Bはこの考案の
実施例を示す平面図である。
1A is a diagram showing the principle of the present invention, and FIG. 1B is a plan view showing an embodiment of the present invention.

【図2】Aは図1Bの正面図、Bは図1Bの右側面図で
ある。
2A is a front view of FIG. 1B, and B is a right side view of FIG. 1B.

【図3】この考案の他の実施例を簡略に示した図。FIG. 3 is a schematic view showing another embodiment of the present invention.

【図4】Aは従来のウェハID読み取り装置を示す図、
B及びCはウェハIDをドットで形成した場合のそのド
ット形状を示す断面図、C,DはウェハIDをパターン
で形成した場合の断面図である。
FIG. 4A is a view showing a conventional wafer ID reading device,
B and C are sectional views showing the dot shape when the wafer ID is formed by dots, and C and D are sectional views when the wafer ID is formed by a pattern.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 長嶺 博 宮崎県宮崎郡清武町大字木原727 宮崎沖 電気株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Creator Hiromine Nagamine 727 Kihara, Kiyotake-cho, Miyazaki-gun, Miyazaki Prefecture Miyazaki Oki Electric Co., Ltd.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 光源よりの光をビームスプリッタに入射
して二分し、その一方の光を半導体ウェハに入射し、そ
の反射光を上記ビームスプリッタを通してビデオカメラ
で受光し、そのビデオカメラの出力により上記半導体ウ
ェハの識別文字を読み取るウェハID読み取り装置にお
いて、 上記半導体ウェハに対する入射角、又は上記ビデオカメ
ラの上記半導体ウェハからの反射光の受光角度を垂直面
および水平面内でそれぞれ調整できる可変機構部が設け
られていることを特徴とするウェハID読み取り装置。
1. A light from a light source is incident on a beam splitter to divide the light into two, one of the lights is incident on a semiconductor wafer, and the reflected light is received by a video camera through the beam splitter, and output from the video camera. In the wafer ID reader for reading the identification characters of the semiconductor wafer, there is provided a variable mechanism unit capable of adjusting an incident angle to the semiconductor wafer or a light receiving angle of reflected light from the semiconductor wafer of the video camera in a vertical plane and a horizontal plane, respectively. A wafer ID reading device, which is provided.
JP8792392U 1992-12-22 1992-12-22 Wafer ID reader Withdrawn JPH0652138U (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN110767591A (en) * 2015-11-05 2020-02-07 英飞凌科技股份有限公司 Method and apparatus for wafer processing

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