JPH06511617A - 電気設備の過負荷および短絡防護装置 - Google Patents

電気設備の過負荷および短絡防護装置

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JPH06511617A
JPH06511617A JP5506842A JP50684293A JPH06511617A JP H06511617 A JPH06511617 A JP H06511617A JP 5506842 A JP5506842 A JP 5506842A JP 50684293 A JP50684293 A JP 50684293A JP H06511617 A JPH06511617 A JP H06511617A
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ハンソン,トマス
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アセア ブラウン ボベリ アクチボラグ
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    • H01C7/02Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 電気設備の過負荷および短絡防護装置 技術分野 本発明は、電気設備の過負荷および短絡防護装置に関する。本装置には、回路遮 断器および回路遮断器と直列に配置された電流制限器が含まれ、電流制限器には 並列に接続された少なくとも二つの電流分岐が含まれ、その一方の分岐が正温度 係数を備えたサーミスタを含み、他方が、短絡の際のサーミスタの電流と電圧と のリリーフのためのインピーダンスを含んでいる。本防護装置は主として、動作 電圧か多くとも1000Vの低電圧設備用に意図されている。
背景技術 セラミック形成のサーミスタを包含する上述の種類の装置は、特許公告DE−A −2510322号により既に周知である。セラミック・サーミスタの不利点は 、温度がある値を超えた場合、負温度係数を示すことである。更にセラミック・ サーミスタは、それがその高抵抗状態に変化すると、それが受ける熱応力および 機械的応力で容易に割れてしまう。更に、比較的に高価である。
過電流防護用に意図された別の形式のサーミスタか、なかんずく、特許公告EP −A−0038716号およびEP−A−0087884号により周知されてい る。この形式のサーミスタは、高分子材料、例えば、導電性材料、例えばカーホ ンブラック、の粒子を包有する高圧法ポリエチレンで構成されている。ポリマー をベースとする上述の種類のサーミスタは、セラミックのそれと比較して幾つか の利点を備えている。例えば、当該温度範囲内における抵抗は温度と共に単調に 増加し、抵抗の増加は可成り大となる。更にまた安価なものである。
しかし、周知のポリマーをベースとする形式のサーミスタについての不利点は、 この種サーミスタの抵抗か、低抵抗から高抵抗状態に変化した後、初期抵抗に復 帰しないことである。更に重大な場合には、短絡電流のような極めて大きい電気 応力をサーミスタが受けた際、サーミスタの高分子組成物の中心またはその他の 部分(1膨れや割れの形成か生起され、従って最早作動不能どなり、換言ずれば このサーミスタは破壊される。
周知ポリマーをベースとするサーミスタの場合、高分子組成物の本体に対して極 力効率的に電極を確保して可能な蔽良の電気的接触を達成し、境界抵抗を最小化 することてあった。電拉;の良好な固着を達成するため、通常、サーミスタの製 造中に高分子−組成物か電極表面の空所内へ溶融浸透し得るように、高分子組成 物の本体に而する側の電極面を不規則な表面構造とする。電極は通常、金属フォ イルから成り、加熱中、本体」ニヘ押圧されることにより、付着される。
発明の要約 本発明は、低電IEtjI回路網に生ずる最大短絡電流を遮断てき、旧つサーミ スタを備えた既往の防護装置の上述の不利点を解消した、比較的簡単で安価な、 上述の種類のr7J護装置を提供することを1−1的としている。この目的は、 請求の範囲第1項に記述された独特の特徴を示す装置により、本究明に従って達 成される。
本発明による防護装置には、周知のサーミスタと比較するに、低抵抗から高抵抗 状聾に変化した後にυ)期抵抗に復帰し、短絡電流に遭遇した後にも再使用か可 能な、ポリマーをベースどするサーミスタか包含されている。更にこのサーミス タは、低位エネルギ発生の際にぞの抵IA:を変化さぜ、換言ずればぞの電流制 限特性か向上される。
本発明によ第1ば、上述の結果は、当該接触面へ垂直に向けられた圧力を加圧装 置によ−って維持しながら、サーミスタ内の電極と導電性高分子組成物本体とで または導電性品分「−組成物の二つの本体同志で少なくとも1回の電気的接触を 行うことにより、本体と自由接触を行う電融により、または互いに自由接触を行 う」二連の二つの本体とによJ)、達成される。高分子組成物から成る単数また は複数の本体の平行面にχすして垂直に7rX、tJj上に維持される圧力はな るへくなら、少なくとちO,1hiPaになることか望ましい。特に0.1MP aから10MPaの圧力か望ましい。
図面の簡単な説明 添付図面に関連して実施例を記述することにより、本発明を更に詳細に説明する 。
第1図は本発明による防護装置の回路図を示し、第2図は第1図による防護装置 に包含されるサーミスタに関する抵抗対温度の曲線を示し、 第3図および第4図は、二つのWX、極とTL極間の導電性高分子組成物が位置 する一つおよび二つの本体から成る二つの異なるサーミスタか断面で示され、第 5図および第6図には、第1図による防護装置に包含される形式の加圧装置を設 けられたサーミスタの二つの異なる実施例か断面で示され、第7図は第1図によ る防護装置による回路遮断中の電流の変動を示し、第8a図、第8b図および第 8C図は、第1図による防護装置に包含される電流制限器の種々の部分を、分解 された状態で斜視図に示し、第9図は同上装置の部分を垂直断面で斜視図に示し 、第10図および第11図は、本発明による防護装置に包含される電流制限器の 更なる変形態様の回路図を示す。
好適な実施例の説明 第1図に示す過電流および短絡防護装置には、回路遮断器および回路遮断器と直 列に接続された電流制限器か含まれている。回路遮断器は例えば、MCB(小形 回路遮断器)または小形回路遮断器とも称される、例えば63Aの定格電流を伴 う、い才)ゆる自動ヒユーズで構成することもできる。この回路遮断器には、コ ンタクト装置l、適度の過電流でコンタクト装置の開離を開始するようにされた バイメタルトリップ装置2ならびに、短絡電流で接触装置へ直接に影響を及ぼす バー力ソンヨン電機子磁石(いわゆるキツカー)の形態の即時トリップ装置3が 含まれる。電流制限器には、本実施例において、例えば100mΩの抵抗を備え た線形抵抗器から成るttU<に示されているインピーダンス5と平行に接続さ れた正温度係数(PTC素子)を有するサーミスタ4か含まれている。
サーミスタ4は、上述のポリマーをベースとする形式である。第2図には、温度 (T)と比較したこの種のサーミスタの抵抗か示されている。例えば80°Cに まて延びiするサーミスタの通′;”’;の動(’1m囲においては抵抗か例え ば3mΩと低く、温度ど共にt+−1”かに増大する。例えは過電流のためにサ ーミスタの温度が」二連の値を超えて上S7すると抵抗か更に急速に増大し、後 述の遷移温度と称する、例えは約120°Cに位置する温度(Tt)を超えると 、サーミスタか低抵抗から高抵抗状聾へ突然に変化(7、そこで抵抗は例えは1 50mΩとなる。
第3図によるサーミスタには、厚さl+n11の長方形ディスクの形態の、例え ば体積で6796のポリエチレンと体積で339ものカーホンブラ・ツクとて構 成された、正温度代数を41する導電1′1高分−111成物から成る中央に配 置された本体lOならびに、本体の平行端面10’、10″(ディスクの両平た ん而)に配置された、それぞれ結合された端子13.14を4Fする二つのに庵 11.12か含まれている。電比11は、両面に平たんな表面(14造を備えた 17さ0.S閣のニッケルのプレー刊・から成る。このプレー1−は、その外側 を鋼の薄層てコーティングされ、本体lOに当[ることによってのみ本体と接触 を行い、換言すれば、それは本体に固定されていない。電ffi+2は、不均一 な表面構造を備えた厚さ0.11+111の銅の層でその本体10に面する側を コーティングされた、厚さ0.3mmの銅フオイルから成1バこの層はプラズマ 溶射により塗布される。電極12は、電極の内方に而する側の凹凸内へ液体状態 の高分子t4t”iか浸透し1!Iるよう、本体IQか加熱されたiL本体に対 しそれを押圧することによりポリマーへ固定される。
第」図による装置には、それぞれ平行面10a’、loa’および10b′、j ob”を(6tiえtこ厚さ1mmの長り形のディスクの形態の、第3図の本体 10におけると同様な導電性高分子組成物から成る二つの本体10a、lObか 包含されている。これらのディスクは当接によってのみ、即ち互いに溶融されも しくは他の方法で固定さ第1ずに、電気的(&触を行う。この世[i 11.1 2は、第3図における;uFb l l、]2と同し種類であっても良い。但し 、電ff1llはまた、電極12と同し種類であっても良く、この電極と同様に 、本体10aへ固定されても良い。第4図による装置の場合、本体10a、lO bは、サーミスタの緒特性を改変ず・\ぐ、種々の導電性高分子組成物から成り 且つ種々の抵抗率を備えることもてきる。この装置はまた、同し、または異なる 抵抗率を有する導電性高分子組成物から成る二つ以上の本体10a、101)を 含むように改変することもてきる。
本体または導電性高分子組成物を調整すべく電極か固定される場合、本体の少な くとも一つは、本体の別の一つと自由接触をしなければならない。7mtffi の一方または双方か、導電性高分子組成物から成る隣接本体と自由接触をする場 合には、例えは溶融により、全ての高分子本体を互いに固定させることもできる 。
第5図には、本体lOの平行端面(ディスク10の平坦な両面)に平行な二つの プレー1川5.16を含む加圧装置内に第3図によるサーミスタが配置されて極 、また本体10の端面への圧力は、多数のボルト17を締め付けることにより生 起される。加圧装置のホルト頭部17aとプレートの一方16との間には剛性は ね+7bか配置され、それが、サーミスタか加圧されても完全には圧縮されず、 正常な作動に備えられる。短絡の場合、ばねは従って更に圧縮され、それぞれが 、本体10からTLt’llか分離されることを可能にさせる。
第6図による装置は、ばね17aか包含されていない点、およびxtii+とプ レート15との間に17さ1mmのゴムのマツl□ 30か配置されている点で 第5図による装置と異なる。この種のゴムのマットは恐らく、更に電極12とプ レート16との間に配置することもてきる。
第5図および第6図による装置においては、第3図によるサーミスタの代りに第 4図によるサーミスタを類似の態様て配置することもてきる。
第7図には、500vの回路m電圧と30kAの回路網短絡電流とにおける、第 1図による防護装置による短絡遮断中の電流の変動か示されている。通常の動作 においては、サーミスタ4(第1図)か低抵抗、例えば3mΩ、を有し、全動作 電流かそれを通って流れる。短絡か発生すると極めて急速に電流が上昇し、短絡 の発生から約1ms後でもサーミスタかトリップしく即ち低抵抗から高抵抗状態 へ変化する)。これによって、約100mΩの抵抗を有する並列抵抗器5の方か 主要部となっているので電流か極めて迅速に制限されることになる。サーミスタ はこのように電流および電圧の双方を緩和し、それによりサーミスタにおける高 分子[オ料の破壊か回避される。更に2m5i組接触装置1は、パー力・ソンヨ ンill!子磁石3の作用によって開かれ、それにより電流は、短絡の瞬間から 約5ms後に遮断される。7′rL流制限器4.5の故に電流か比較的低い値に 制限され、更に、可成り抵抗性を有するため、遮断は比較的に容易である。接点 の開離によりサーミスタ4の迅速な電圧リリーフか達成され、従ってサーミスタ を動作電圧に継続的に耐える如く設計する必要はない。
本発明による防護装置によって得られる結果の可能な説明は次の如くであろう。
短絡電流かサーミスタを通過する場合、高分子組成物自体におけるよりもサーミ スタの諸要素間の境界における抵抗が大きいので、高分子組成物の加熱は初期段 階において、はぼ、互いに接触する前記諸要素間の接触面に集中される。これが 材1−1表面におけるガスの形成をもたらして諸要素間に圧力の蓄積が生じ、更 にそれか電気力学的斥力に影響を及はされる。これが諸要素の分離と、従って、 電極およびそ第1と接触する高分子組成物から成る本体内の導rL粒子間、また は互いに分子組成物の接触面に溶融相か現出され且つ、継続する不都合な諸影響 を伴う何らかの応力を高分子組成物か受けることなく、サーミスタが接触面でト リップする。サーミスタ」二に圧縮圧力か残留するので、短絡後も接触面が熱い 状態で、互いに接触する諸要素間に当υノの接触および当初の境界抵抗を回復さ せることができる。
第8a図、第8b図、第8c図および第9図には3つの同じサーミスタが含まれ 、その1つかその構成部品を分離させて第8b図に示されている。例えば第3図 に図示のものと同し種類の4+E性高分子組成物から成る本体10が、本体の回 りに延びるプラスチック・フレーム4o内に配置されている。二つのKtfil l、12は、厚さIauの銀めっきされた銅のプレートから成り、それらは本体 IOと、それに対し当接することによってのみ接触し、換言すればそれらは本体 に固定されていない。各電極には、母線への接続用とケーブル接続部用との端子 13b(図示せず)および+4bと13aおよび+4aが交互に設けられる。電 極■1の外側にはくさび形の遊動板41か配置され、電極12の外側には薄板金 から成る遊動はね板42か配置される。ばね板には、板から切り出され且つその 弾力性の特性を板に分与する複数の曲がり舌片42aが設けられる。プレート電 極12により並列抵抗器5か支えらtする。板41.42および電極11.12 ならびに導電性高分子配合物から成る中間本体1oを含むパッケージが、区画を 形成する二つの中間壁43d、43eを備えた装置ハウジング43内の三つの区 画43a、43b、43cの各々に配置されている。中間壁は、装置ハウジング 内の対向する二つの平行壁43f、43gに平行である。装置ハウジングには、 区画43aの(j部品14 aまたは14bへの導体の交互接続部用の凹所44 a、44b、区画43bのfJ属部品4aまたは+4bへの導体の交互接続部用 の凹所45a、45b、ならびに区画43cの電極12上の付属品14aまたは 14bへの導体の交互接続部用の凹所46a、46bか設けられる。装置ハウジ ングの、見えない反対側の壁には、各電極Inの(:j部品13a、1.3bへ の導体の接続部用の対応的な凹所かある。区画43a、43))、43cにおけ るパッケージの各々の電極II、12および本体間のrt力は、くさび形成48 .49.5oをぞこに固定したカバー47を装置ハウジング上へ作用させること によってもたらされ、くさび形成の各々は、区画43a、43b、43cのそれ ぞれの一つへ、その中に位置する板41と接触かなされるまで挿入される。ノJ バーには、取(儂」のため、機械的付属品47a、471〕、47c、47dが 配置される。第9図から明らかな如く、装置ハウジングは肉圧力吸収面に平たん で平行な補強壁51,52を設けられている。第8a図、第8b図、第8c図お よび第9図による装置は、三相導体の各々に接続されたサーミスタにより三相電 線路内へ接続されるべく意図されている。中間壁43f、43g、補強壁51. 52、カバー47およびくさび形成41.48.49.50を備える装置ハヴシ ング43は全て、例えば短いガラス繊維の形態の充てん剤を備えた電気絶縁材料 、例えばポリアミドで作られる。
サーミスタ4の電流および電圧のリリーフのためのインピーダンスは必ずしも線 形抵抗器5て構成される必要はなく、池の幾つかの変更態様が可能である。第1 0図には、望ましくはZnOバリスタの形態の、電圧依存抵抗器6と平行にサー ミスタ4か接続されている第二実施例が示されている。第11図には、より高い 初期抵抗、例えば10から50mΩ、を有し且つ、線形もしくは電圧依存であっ ても良いリリーフ抵抗器5を有する第二サーミスタ7と平行にサーミスタ4が接 続されている第3実施例か示されている。リリーフ・インピーダンスはまた、負 温度係数を備えたサーミスタで構成することもできる(NTCエレメント)。
更に高い定格電流に対する防護装置においては、少なくともサーミスタ4の?1 ti11.12に、例えは冷却フランジの形態の冷却装置が設けられ、その場合 それは熱的に接続されて配置されるが、電極からは電気的に絶縁される。
Fig、 1 Fig、 5 国際調査報告 国際調査報告

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.電気設備の過負荷および短絡防護装置にて、回路遮断器(1、2、3)およ び回路遮断器と直列に配置された電流制限器(4、5)を含み、且つ並列に接続 された少なくとも二つの電流分岐を含み、その一方の分岐が、その抵抗率が正温 度係数を有するサーミスタ(4)を含み、他方の分岐がサーミスタ(4)の電流 と電圧とのリリーフのためのインピーダンス(5)を含み、それに正温度係数を 備えた導電性高分子組成物から成る本体(10、10a)が含まれ、本体に二つ の平行面(10′、10′′、10a′、10a′′)が設けられている防護装 置にして、高分子組成物から成る本体(10)の平行面(10′、10′′)ま たは高分子組成物から成る本体(10a)の平行面の一つ(10a′)およびサ ーミスタ内に包含される別の本体(10b)もしくはサーミスタ内に包含される 他の幾つかの本体の一つの平行面(10b′)の一つが、前記第一本体と幾何的 に平行に配置され、その単数または単数の本体(10b)が、正温度係数を備え た同一もしくは別の導電性高分子組成物から成り、高分子組成物から成る単数ま たは複数の本体を経て電流を送るべくサーミスタ内に包含された電極(11、1 2)と電気的接触をして配置されている防護装置において、唯一つのこの種本体 がサーミスタ内に包含されている場合、高分子組成物から成る本体(10)がそ の平行面の少なくとも一つ(10′)を以て電極の一つ(11)と自由接触をす るようにされ、あるいは一つを超えるこの種本体がサーミスタ内に包含されてい る場合、高分子組成物から成る本体の少なくとも一つ(10a)がその平行面( 10a′、10a′′)の少なくとも一つを以て電極の一つ(11)、または他 の本体(10b)、もしくは高分子組成体から成る他の本体の一つと自由接触す るようにされること、ならびに、加圧装置が、高分子組成物から成る単数または 複数の本体の平行面に垂直に向けられた圧力を電極に加えるようにされることを 特徴とする防護装置。
  2. 2.請求の範囲第1項に記載の防護装置において、電極(11、12)への圧力 が少なくとも0.1MPaになることを特徴とする防護装置。
  3. 3.請求の範囲第1項または第2項に記載の防護装置において、電極(11、1 2)への圧力が0.1MPaから10MPaになることを特徴とする防護装置。
  4. 4.請求の範囲第1項から第3項の何れか一つの項に記載の防護装置において、 弾力性となる能力を備えた圧力付加装置(15、16、17、17a、17b) が加圧装置に設けられることを特徴とする防護装置。
  5. 5.請求の範囲第1項から第4項の何れか一つの項に記載の防護装置において、 サーミスタの電極(11、12)へ圧力を付加する二つの部分(15、16)が 加圧装置に含まれること、および電極の一つと圧力付加部分の一つとの間にばね または弾性材料、例えばゴム、の層(30)が配置されることを特徴とする防護 装置。
  6. 6.請求の範囲第1項から第5項の何れか一つの項に記載の防護装置において、 リリーフ・インピーダンス(5)が抵抗器から得られることを特徴とする防護装 置。
  7. 7.請求の範囲第1項から第5項の何れか一つの項に記載の防護装置において、 リリーフ・インピーダンス(5)が金属酸化物バリスタから得られることを特徴 とする防護装置。
  8. 8.請求の範囲第1項から第5項の何れか一つの項に記載の防護装置において、 リリーフ・インピーダンス(5)が負温度係数(NTCエレメント)を備えるサ ーミスタから得られることを特徴とする防護装置。
  9. 9.請求の範囲第1項から第8項の何れか一つの項に記載の防護装置において、 電流制限器が、前記の二つの電流分岐と平行に接続された第三電流分岐を含み、 前記第三電流分岐が、第一電流分岐のサーミスタ(4)と類似した高耐寒性のサ ーミスタ(7)を含むことを特徴とする防護装置。
  10. 10.請求の範囲第1項から第9項の何れか一つの項に記載の防護装置において 、加圧装置が、導電性高分子組成物から成る単数の本体(10)または複数の本 体(10a、10b)の回りに配置されたフレーム(43)、ならびにフレーム 内へ挿入可能なくさび形板(41、48、49、50)を含むことを特徴とする 防護装置。
  11. 11.請求の範囲第10項に記載の防護装置において、フレーム(43)が箱の 形状を有すること、ならびに、くさび形板の少なくとも一つ(41)が箱内に配 置され且つくさび形板の少なくとも一つ(48)が箱のカバー(7)に固定され ることを特徴とする防護装置。
  12. 12.請求の範囲第1項から第11項の何れか一つの項に記載の防護装置におい て、前記第一電流分岐に配置されたサーミスタ(4)の少なくとも電極(11、 12)が、例えば冷却フランジの形態の冷却装置へ熱的に接続されることを特徴 とする防護装置。
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