JPH06507533A - Integrated circuit module with devices interconnected by electromagnetic waves - Google Patents

Integrated circuit module with devices interconnected by electromagnetic waves

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JPH06507533A
JPH06507533A JP5511038A JP51103892A JPH06507533A JP H06507533 A JPH06507533 A JP H06507533A JP 5511038 A JP5511038 A JP 5511038A JP 51103892 A JP51103892 A JP 51103892A JP H06507533 A JPH06507533 A JP H06507533A
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electromagnetic wave
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semiconductor device
receiving device
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JP5511038A
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ガエム・サンジャー
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モトローラ・インコーポレイテッド
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 電磁波によって内部接続されたデバイスを有する集積回路モジュール 技術分野 この発明は、一般的に集積回路のパッケージングの分野に関し、さらに詳しくは 、集積回路モジュール内部におけるデバイス間の信号経路を結合する技術に関す るものである。[Detailed description of the invention] Integrated circuit module with devices interconnected by electromagnetic waves Technical field TECHNICAL FIELD This invention relates generally to the field of integrated circuit packaging, and more particularly to the field of integrated circuit packaging. , concerning technology for coupling signal paths between devices within integrated circuit modules. It is something that

発明の背景 今日、マルチ・チップや、その他の集積回路、モジュールは、信号経路の接続の ために、導電体に頼っている。Background of the invention Today, multi-chip and other integrated circuits and modules require a large number of signal path connections. Therefore, we rely on conductors.

これらの導電体を使うことは、これらのモジュールの性能に多くの制約を課する ことになる。The use of these conductors imposes many constraints on the performance of these modules. It turns out.

通信に関しては、２つの主要な制約がある。第１の制約は、通信速度に関係する 。導電体は、その物理的時限に基づいて抵抗性および誘導性の特性を有する。通 信の最高速度は、導体の電気的性質による伝達速度の制約による。There are two major constraints when it comes to communications. The first constraint is related to communication speed. . Electrical conductors have resistive and inductive properties based on their physical timing. General The maximum speed of transmission is limited by the electrical properties of the conductor.

これは、信号の変化による電流の流れに抵抗するという導電体の誘導性に起因す る。また、抵抗性という性質は、自然現象として一般に認識されている静電容量 という性質により、受信回路の電流値に制約を与えている。　第２の制約は、通 信の種類として一般に知られている問題である。This is due to the inductive nature of the conductor, which resists the flow of current due to changes in the signal. Ru. In addition, the property of resistance is related to capacitance, which is generally recognized as a natural phenomenon. This property imposes restrictions on the current value of the receiving circuit. The second constraint is This is a problem commonly known as the type of faith.

これは、送信しようとしている装置から同じ距離にない一つ以上の受信装置と、 導電体を通して通信をする際に発生する。前述した導電体に結合されると、信号 は、受信装置に異なった時間に到達することになる。これは、並列同期処理によ るシステムには問題である。This means that one or more receiving devices that are not at the same distance from the device you are trying to transmit and Occurs when communicating through electrical conductors. When coupled to the aforementioned conductors, the signal will arrive at the receiving device at different times. This is achieved by parallel synchronous processing. This is a problem for systems that use

その他の導電体における制約は、電磁干渉効果が挙げられる。導電体は、不要な 電磁信号を発進するとともに受信するアンテナとして動作する。これは、不適切 なデバイス動作を招く。Other constraints on conductors include electromagnetic interference effects. Conductors are unnecessary It operates as an antenna that both transmits and receives electromagnetic signals. This is inappropriate This may lead to undesirable device operation.

導電体は、モジュールのとる空間の大きさにもまた制約がある。この空間は、導 電体のために物理的に必要な空間と、導電体間の絶縁に必要な空間が含まれる。The conductor also has limitations on the amount of space the module takes up. This space is It includes the space physically required for the electrical objects and the space required for the insulation between the electrical conductors.

また、組立機械は、時には導電体同士を結線する際の余裕の空間が必要となる。Additionally, assembly machines sometimes require extra space to connect conductors to each other.

これらの空間を必要とする条件は、モジュールの小型化の妨げとなる。These space requirements impede miniaturization of modules.

導電体を使うと、事実上モジュール内の接続の複雑さに制約を加える。いくつか の接続条件は非常に複雑であるので設計者は、信頼性に影響のある多層配線や、 立体的配線に頼らなければならなく、それは製造を困難にする。モジュールがよ り多くの機能を持つにつれ、様々なアナログやデジタル技術の寄せ集めが使用さ れる。これらの異なった技術間における電気的なインターフェース直接の電気接 続を行うとき、しばしば困難となり付加的なインターフェース回路がしばしば必 要となる。The use of electrical conductors effectively limits the complexity of connections within the module. some Since the connection conditions for the One has to rely on three-dimensional wiring, which makes manufacturing difficult. There's a module As technology becomes more and more capable, a mishmash of different analog and digital technologies are used. It will be done. Electrical interface between these different technologies Direct electrical connection connection is often difficult and additional interface circuitry is often required. The key point.

柔軟性のない電気的接続は、システム性能にも制限を与える、その理由は、余分 な回路に置き換えることが出来ないからである。この柔軟性を要求する理由いく つかがある、すなわち故障許容動作を改善する故障回路のために機能回路に置換 することを含む。並列コンピュータのように、問題を小さな部分に分けて並列的 に解決する動的な問題配分は、柔軟な置換を必要とする理由である。Inflexible electrical connections also limit system performance because This is because it cannot be replaced with a similar circuit. Why do we require this flexibility? Replacement of faulty circuits with functional circuits to improve fault-tolerant operation including doing. Similar to parallel computers, problems can be divided into small parts and processed in parallel. The dynamic problem allocation to be solved is the reason for the need for flexible permutations.

要約すると、集積回路モジュール内の装置間における信号経路を接続するための 、導電体を使用することは問題がある。これらの問題は、導電体の物理的特性の ために、デバイス間の通信速度の制約や、２つ以上のデバイス間の通信種類の条 件への制約を含む。その他に含まれる制約には、電磁波妨害によるデバイスの誤 動作、モジュールの大きさを最小にする困難性、他の技術とのインターフェース 、回路の置き換えに対する接続の柔軟性のないことが含まれる。In summary, it is used to connect signal paths between devices within an integrated circuit module. , the use of electrical conductors is problematic. These problems are due to the physical properties of the conductor. Therefore, there are restrictions on communication speed between devices and conditions on the type of communication between two or more devices. Contains restrictions on matters. Other limitations include: operation, difficulty in minimizing module size, and interfacing with other technologies. , including inflexibility of connections for circuit replacement.

発明の概略 半導体装置が封入された集積回路には、電磁波を反射するようにハウジングの内 面は加工されている。半導体装置に搭載されている送信装置は、半導体装置から 送出される信号を送信する。匣体内に位置する電磁波受信装置は、送信装置から 電磁波経路に沿って反射面を介して送信波を受信する。Outline of the invention Integrated circuits containing semiconductor devices have internal housings that reflect electromagnetic waves. The surface is processed. The transmitter installed in the semiconductor device is Transmit the signal to be sent out. The electromagnetic wave receiving device located inside the enclosure is The transmitted wave is received through the reflective surface along the electromagnetic wave path.

図面の簡単な説明 第１図は、好適実施例として示した集積回路モジュールの断面図である。Brief description of the drawing FIG. 1 is a cross-sectional view of an integrated circuit module shown as a preferred embodiment.

第２図は、好適実施例として示した反射表面の詳細図である。FIG. 2 is a detailed view of the reflective surface of the preferred embodiment.

第３図は、好適実施例として示した基板対向表面上に置かれた光学装置間の配置 を強調した、分解図である。FIG. 3 shows the arrangement between optical devices placed on the substrate facing surface shown as a preferred embodiment. This is an exploded view highlighting the

第４図は、好適実施例として示した階層的な装置構成の概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram of a hierarchical device configuration shown as a preferred embodiment.

第５図は、好適実施例として示した集積回路モジュールの等角投影図である。FIG. 5 is an isometric view of a preferred embodiment integrated circuit module.

好適な実施例の詳細な説明 好適実施例を示し、半導体装置を接続するために、電磁波経路を用いる半導体装 置を説明する。これらの電磁波経路は、従来技術の数々の欠陥を克服し、従来の 導電体に取って代わるものである。これらの半導体装置は、以下なる種類、サイ ズあるいは技術になり得るものである。好適実施例では、マイクロプロセッサ・ アレイを使用している。Detailed description of the preferred embodiment To illustrate a preferred embodiment and to connect semiconductor devices, a semiconductor device using an electromagnetic wave path is described. Explain the location. These electromagnetic wave paths overcome numerous deficiencies of the prior art and It replaces electrical conductors. These semiconductor devices come in the following types and sizes. It can be a technology or technology. In the preferred embodiment, a microprocessor using an array.

初めに、従来技術において課せられていた通信の速度と種類の制約についての解 決手段を示す。好適実施例において、半導体装置間の信号経路を接続するために 導電体の代わりに電磁波の送信装置と受信装置を使用する。後述の議論では、送 受信機という用語は、一対の電磁波送信機および電磁波受信機と置き換え可能な 状態で用いられ、かつ同等なものとして扱われるであろう。この好適実施例の能 力と柔軟性を説明するために、いくつがの違った通信経路を示す。First, we will solve the constraints on communication speed and type imposed in conventional technology. Show the means of decision. In a preferred embodiment, for connecting signal paths between semiconductor devices. Electromagnetic wave transmitters and receivers are used instead of conductors. In the discussion below, The term receiver is interchangeable with a pair of electromagnetic wave transmitters and electromagnetic wave receivers. used in the state and will be treated as equivalent. The capabilities of this preferred embodiment To illustrate power and flexibility, we show several different communication paths.

第１図には、マルチ・チップの集積回路の断面図を示す。このモジュールは、電 磁波の反射可能な内表面１０３を有する国体１０１で構成されている。国体は、 ポリエステル材料を満たした炭素を使用した射出成型である。炭素充填物は国体 の壁面を通して送信または受信される不要な電磁波を最小限にする。国体の内面 は、高い反射率になるようにその表面はクローム・ベースの材料のメッキが施さ れている。この処理によって電磁波は国体の内表面１０３を反射する。もちろん 、他の国体材料や反射表面処理が利用できる。好適実施例では、全内表面が全反 射をするように処理されている。選択的に表面を被覆することには、後で詳細に 説明するいくつかの理由がある。FIG. 1 shows a cross-sectional view of a multi-chip integrated circuit. This module It consists of a national body 101 having an inner surface 103 capable of reflecting magnetic waves. The national polity is It is injection molded using carbon filled polyester material. Carbon filling is national minimize unwanted electromagnetic waves transmitted or received through walls. Inside the national polity Its surface is plated with a chrome-based material for high reflectivity. It is. This process causes the electromagnetic waves to reflect off the inner surface 103 of the national polity. of course , other national materials and reflective surface treatments are available. In a preferred embodiment, all interior surfaces are It is processed in such a way that it shoots. Selective surface coating will be discussed in detail later. There are several reasons to explain.

国体１０１の内部には、集積回路１０７上に位置する電磁波送信装置１０５があ る。送信装置１０５は、発光ダイオード即ちＬＥＤである。もちろん、他の送信 装置としては、レーザ・ダイオードも使用できる。放出波長は、ＬＥＤのＰＮ接 合をドープするために用いられる材料による。Inside the national polity 101, there is an electromagnetic wave transmitting device 105 located on an integrated circuit 107. Ru. Transmitter 105 is a light emitting diode or LED. Of course, send other Laser diodes can also be used as devices. The emission wavelength is determined by the PN junction of the LED. depending on the material used to dope the compound.

ここで赤外線スペクトラムを作り出すためにドーピングを行う。集積回路は、マ イクロプロセッサである。電磁波受信装置１０９は、同じ集積回路１０７の相対 する角に位置する。受信装置１０９は、ＰＩＮフォト・ダイオードを用いて作ら れる。このＰＩＮフォト・ダイオードもまた赤外線を受信するためにドープされ る。もちろん、受信装置は、アバランシェ・フォトダイオード、フォト・トラン ジスタ。Here doping is done to create an infrared spectrum. Integrated circuits It is a microprocessor. The electromagnetic wave receiving device 109 is a relative of the same integrated circuit 107. located on the corner. The receiving device 109 is made using a PIN photodiode. It will be done. This PIN photodiode is also doped to receive infrared radiation. Ru. Of course, the receiving device uses an avalanche photodiode, a phototran Jista.

あるいは光電増倍管等の他の装置を用いて構成できる。送信装置１０５および受 信装置１０９は、送信装置１０５が送出した電磁波が伝達経路１１１に沿って反 射表面を通って受信装置１０９まで到達するように配列される。Alternatively, it can be configured using other devices such as a photomultiplier tube. Transmitting device 105 and receiving device The transmitting device 109 is configured so that the electromagnetic waves sent out by the transmitting device 105 are reflected along the transmission path 111. The beams are arranged so as to pass through the radiation surface and reach the receiving device 109.

かわりに、他の受信装置１１３は、他のマイクロプロセッサ１１５上に配置され る。この受信装置１１３は、送信装置１０５から反射表面１０３を介し、交番電 磁波経路１１７に沿って、送信された同じ情報信号を受信するように配置される 。Instead, the other receiving device 113 is located on the other microprocessor 115. Ru. This receiving device 113 receives an alternating current from the transmitting device 105 via the reflective surface 103. along the magnetic wave path 117 and arranged to receive the same transmitted information signal. .

他の経路１４９は、ガラス基板１２３上部に搭載されたマイクロプロセッサ１２ ７上に位置する送信装置１４７からガラス基板１２３底部のマイクロプロセッサ １４３上に位置する受信装置１４１への赤外線放出によりジグザグに透過する。Another path 149 is connected to the microprocessor 12 mounted on the top of the glass substrate 123. From the transmitting device 147 located on the top of the glass substrate 123 to the microprocessor at the bottom of the glass substrate 123 The infrared radiation is transmitted in a zigzag manner to the receiving device 141 located above the receiving device 143 .

この送信装置１４７は、全方位的な送信装置となるように配置される。これは、 送信装置の直下に位置する対応する受信装置がないことを示す。これにより、国 体の内表面を含む様々な反射性内表面に反射し、時には集積回路にも反射し、高 エネルギー信号を送信する放出モードで動作する。これは、全ての受信装置が放 出信号を受信することができるためには好ましい。これは、システム・クロック 信号、緊急終了信号、あるいはシステム受信装置に対する高い優先順位の信号を 通信するために有用な方法である。第１図の放出伝達の他の例は、１１１および １１７の経路を含む。様々な技術により、放出通信を選択的に制限することが可 能となる。いくつかの技術が詳細に後述される。もちろん、ガラスの他に電磁波 を透過する基板材料が使用される。This transmitting device 147 is arranged to be an omnidirectional transmitting device. this is, Indicates that there is no corresponding receiving device located directly below the transmitting device. This allows the country It reflects off a variety of reflective internal surfaces, including the internal surfaces of the body, and sometimes onto integrated circuits, causing high It operates in emission mode, transmitting energy signals. This means that all receiving devices This is preferable in order to be able to receive outgoing signals. This is the system clock signals, emergency termination signals, or high priority signals to system receivers. It is a useful way to communicate. Other examples of ejection transfer in FIG. 1 include 111 and Contains 117 routes. Various techniques allow selective restriction of emitted communications. Becomes Noh. Several techniques are discussed in detail below. Of course, in addition to glass, electromagnetic waves A substrate material that is transparent is used.

前述したように通信速度の制約、導電体の特性の原因は物理的構造による電気的 インピーダンスに起因する。第１図に示す様に、送受信装置にとっては、通信媒 体は、気体状のものである。この通信媒体は、計測不能な遅延を生じさせ、導電 体より極めて高い通信比率を与える。As mentioned above, the limitations on communication speed and the characteristics of conductors are due to the electrical structure of the physical structure. Due to impedance. As shown in Figure 1, for the transmitter/receiver, the communication medium is The body is gaseous. This communication medium introduces immeasurable delays and Gives an extremely higher communication ratio than the body.

その結果、２つの電磁波受信装置は１０９，１１３、送信装置１０５から送出さ れた情報信号を同時に受信する。As a result, the two electromagnetic wave receiving devices 109 and 113 are transmitted from the transmitting device 105. received information signals at the same time.

これは、電磁波受信装置１０９，１１３が送信装置１０５から異なる距離にある にもかかわらず真実である。この瞬時の送受信により、マイクロプロセッサ１０ ７，１１５は、通信の種類に関係なく、通信情報信号に基づいて同時に動作する ことができる。This means that the electromagnetic wave receiving devices 109 and 113 are at different distances from the transmitting device 105. nevertheless it is true. This instantaneous transmission and reception allows the microprocessor 10 7,115 operates simultaneously based on communication information signals, regardless of the type of communication. be able to.

しばしば、直接または実質的に直線の通信経路を構成することも望まれる。第１ 図において、直接の通信経路について図示する。この経路１１９は、ガラス基板 １２３の、マイクロプロセッサ１２７上に位置する送信装置１２５とマイクロプ ロセッサ１１５上に位置する受信装置１２１との間にある。送信装置１２５は受 信装置１２１と非常に接近して配置されているので、低出力送信装置を用いる。Often, it is also desirable to provide a direct or substantially straight communication path. 1st In the figure, a direct communication path is illustrated. This path 119 is connected to a glass substrate. 123, a transmitter 125 located on the microprocessor 127 and a microprocessor 125 located on the microprocessor 127. It is located between the receiving device 121 located on the processor 115. The transmitting device 125 Because it is located in close proximity to the transmitter 121, a low power transmitter is used.

次に、外部信号との通信について示す。送信装置１２９は、電磁波を外部受信装 置１３１に送出する際、電磁波が国体の内表面１０３を含む第１の所定の電磁波 経路１３３および電磁波の通過路１４５をたどるように入力情報信号を供給する ように位置する。国体の反射性内表面１０３を使用することによって、外部受信 装置１３１に出力信号を送出する場合、国体内の異なった位置に装置を配置する ことが可能となる。Next, communication with external signals will be explained. The transmitting device 129 transmits electromagnetic waves to an external receiving device. When the electromagnetic waves are transmitted to the first predetermined electromagnetic wave including the inner surface 103 of the national body The input information signal is provided to follow the path 133 and the electromagnetic wave path 145. It is located like this. By using the national reflective inner surface 103, external reception When sending output signals to the device 131, the device is placed at different locations within the country. becomes possible.

同様に、電磁波受信装置１３５は、外部受信装置１３７は、電磁波が国体の反射 性内表面１０３または電磁波の通過路１４５を含む第２の所定の経路１３９をた どるように外部出力情報信号を出力し、その信号を受信するように位置する。国 体内の反射性内表面１０３を使用することにより、外部送信機１３７からの信号 を受信する場合、国体内の異なった位置に装置を配置することが可能となった。Similarly, the electromagnetic wave receiving device 135 and the external receiving device 137 detect electromagnetic waves reflected from the national polity. Following a second predetermined path 139 that includes the internal surface 103 or the electromagnetic wave passage 145. How to output an external output information signal and be positioned to receive the signal. Country By using reflective inner surfaces 103 within the body, signals from external transmitters 137 When receiving radio waves, it is now possible to place equipment in different locations within the country.

当業者にとっては、この柔軟性は、意義のある利点である。To those skilled in the art, this flexibility is a significant advantage.

次に考えられる制約は、電磁波障害である。導電体は、送受信装置に置き換えら れるので、通信媒体はもはやアンテナのように動作しない。これは、通信媒体に よって引き起こされる電磁波障害を除去する。The next possible constraint is electromagnetic interference. Electrical conductors are replaced by transmitting and receiving equipment. communication medium no longer behaves like an antenna. This is a communication medium Eliminate electromagnetic interference caused by this.

電位の直接の障害を除去し、また送受信装置間の回報通信を可能にするためにい くつかの技術を用いる。第１は、波長の異なった送受信装置を用いた。第２図を 参照して、マイクロプロセッサ２０７上に位置する赤色光受信装置２２３に向け て電磁波通過経路２２１に沿って、赤色光を送信するマイクロプロセッサ１４３ に位置する赤色光送信装置２１９を示す。これらの要素室で送受信されたスペク トラムは赤外線ではないので、１組の送受信装置２１３，２２３は、モジュール 内の赤外線の送受信装置から、ｔたは赤外線送受信装置に対して障害もなく、お 互いに通信することができる。もちろん他のスペクトラムも使用可能である。In order to eliminate direct disturbances of electrical potential and also to enable circular communication between transmitting and receiving devices, Use several techniques. The first method uses transmitting and receiving devices with different wavelengths. Figure 2 With reference to the red light receiver 223 located on the microprocessor 207 a microprocessor 143 that transmits a red light along an electromagnetic wave passage path 221; A red light transmitting device 219 is shown located at . Spectrum transmitted and received in these element rooms Since the tram is not infrared, one set of transceiver devices 213, 223 is a module. There is no interference from the infrared transmitter/receiver in the can communicate with each other. Of course, other spectra can also be used.

障害なく同報通信が可能となる別の技術が第２図に示される。マイクロプロセッ サ１０７上に位置する送信装置２２５、およびマイクロプロセッサ１４３上に位 置する受信装置２１５は、赤外線が通過経路２０９に沿って送信されるように配 置される。電磁波が反射表面１０３の凹部２１１に当たると、２１３に焦点が合 い、受信装置２１５へ反射する。これは、異なった通過経路を使用した例である 。Another technique that allows for trouble-free broadcasting is shown in FIG. microprocessor a transmitter 225 located on the processor 107 and a transmitter 225 located on the microprocessor 143; The receiving device 215 is arranged so that the infrared rays are transmitted along the passage path 209. be placed. When the electromagnetic wave hits the recess 211 of the reflective surface 103, it is focused on the recess 213. and is reflected to the receiving device 215. This is an example using different transit paths .

異なった通信経路を使用することによって、障害なく他の送受信装置と同報通信 することができる。もちろん数々の表面形状および表面処理が、様々な焦点合わ せ、操縦（Ｓｔｅｅｒｉｎｇ）、導波管（ｐｉｐｉｎｇ）、調節（ｂａｔｔｌｉ ｎｇ）、拡散（ｄｉｆｆｕｓｉｎｇ）および／または流れ止め（ｔｒａｐｐｉｎ ｇ）効果を得るために設計が可能となる。これらの表面形状および表面処理が国 体内に封止され、二次的動作に適用することが容易にできる。Broadcast communication with other transmitting and receiving devices without interference by using different communication paths can do. Of course, a number of surface shapes and treatments can be used to achieve different focusing points. steering, steering, piping, battli ng), diffusing and/or trapping g) It becomes possible to design to obtain the effect. These surface shapes and surface treatments are It can be easily sealed within the body and applied for secondary operations.

もちろん情報コード化技術を使用しても同様のことを成し遂げられる。ここで送 信装置は、受信装置へのコード化アドレスまたは、選択された受信装置のコード 化アドレスを含む。多くの受信装置は、指定されたアドレスの受信装置のみ、ま たはいくつかの受信装置を聴取できるが、送信されたままのメツセージを聴取し 続けるであろう。もちろん、時分割や周波数分割多重方式によっても同様の結果 が得られる。Of course, information encoding techniques can also be used to accomplish the same thing. send here The sending device sends a coded address to the receiving device or a code for the selected receiving device. Contains an encoded address. Many receiving devices only accept receiving devices at specified addresses, or or some receiving devices, but not the message as it was sent. will continue. Of course, similar results can be obtained using time division or frequency division multiplexing. is obtained.

上記の例で示したように、導電体技術における接続の複雑さに関する制約は、こ の具体例によって簡単に克服することができる。As shown in the example above, the constraints on connection complexity in conductor technology are This can be easily overcome by a concrete example.

次に、導電体技術に課されるスペースの問題について述べる。第２図は、集積回 路１０７，１１５，１２７，１４３．２０７が非常に接近して配置されているこ とを示す。Next, we will discuss space issues imposed on conductor technology. Figure 2 shows the integration cycle. 107, 115, 127, 143.207 are located very close together. and

電磁波による内部接続によれば、このコンパクトなパッケージが可能となる。こ れによって導電体内部接続によればモジュールを可能なかぎり小さくすることが できる。前述したように、電磁波によるモジュールの内部および外部との通信信 号は、大きく、邪魔な電気的な結合器を省略でき、モジュールを密封することも 簡単にできる。Internal connections via electromagnetic waves make this compact package possible. child This makes it possible to make the module as small as possible using conductor internal connections. can. As mentioned above, communication between the inside and outside of the module is caused by electromagnetic waves. The module eliminates large and obtrusive electrical couplers and allows the module to be hermetically sealed. It's easy to do.

続いて第３図を参照する。この図は、基板１２３をより詳細に示す。マイクロプ ロセッサ１１５，１０７に電源を供給する導電体３０１，３０３を表す。導電体 ３０１，３０３はガラス基板１２３上に配置され、マイクロプロセッサ１１５， １０７は導電体の上部に配置される。Next, refer to FIG. This figure shows substrate 123 in more detail. Microp It represents conductors 301 and 303 that supply power to the processors 115 and 107. conductor 301, 303 are arranged on the glass substrate 123, and the microprocessors 115, 107 is placed on top of the conductor.

この図はまたマイクロプロセッサ１２７，１１５，１０７の等角投影図で表した ものである。送信装置２０１から受信装置２０５への、直接電磁波情報信号経路 ２０３の別の例を含む。第１図からの通信経路１１９の別の透視図も示す。This figure also shows an isometric representation of the microprocessors 127, 115, 107. It is something. Direct electromagnetic wave information signal path from transmitting device 201 to receiving device 205 203 includes another example. Another perspective view of communication path 119 from FIG. 1 is also shown.

信号を内部接続する柔軟性を修正する例を示す。柔軟性に対する必要性は、欠陥 許容のための機能の置換、負荷配分および機能ビジーの際の置換を含む。欠陥素 子用の冗長な素子を電磁波で内部接続された集積回路の素子で柔軟に置換可能で ある。マイクロプロセッサ１２７がマイクロプロセッサ１４３から計算命令を受 け、同報通信受信能力を使ってその結果を受信し損ねた場合、マイクロプロセッ サ１２７は、マイクロプロセッサ１０７へ計算命令を発行できる。An example of modifying the flexibility of interconnecting signals is shown. The need for flexibility is a flaw Includes function replacement for tolerance, load distribution, and function busy replacement. defective element Redundant elements for the child can be flexibly replaced with integrated circuit elements that are internally connected by electromagnetic waves. be. Microprocessor 127 receives calculation instructions from microprocessor 143. If the microprocessor fails to receive the results using its broadcast reception capability, The processor 127 can issue calculation instructions to the microprocessor 107.

機能ビジーの置換は多くのシステムにおいて重要な事項である。マイクロプロセ ッサが第１のマイクロプロセッサに対して計算のための照会を行い、ビジー状態 であることが判明した場合、第２のマイクロプロセッサに対して計算のための照 会を行う。Function busy replacement is an important consideration in many systems. microprocessor the first microprocessor queries the first microprocessor for calculations and is busy. , the reference for the calculation is sent to the second microprocessor. Hold a meeting.

負荷分布もまた、多くの高度な並列構造のシステムにおいて重要な事項である。Load distribution is also an important consideration in many highly parallel structured systems.

これらのシステムでは、多くの並列処理マイクロプロセッサは、問題を同時に解 決されるべきより小さな問題に分解することにより、問題を処理する。In these systems, many parallel processing microprocessors solve problems simultaneously. Process a problem by breaking it down into smaller problems to be solved.

最初の負荷分布の後に、処理が進行するにしたがい、負荷分布は不均衡になる。After the initial load distribution, as processing progresses, the load distribution becomes unbalanced.

電磁波による送受信構成によって柔軟な内部接続によって、負荷を動的に再配分 し、より早く問題を解決することが可能となる。Dynamically redistribute loads with flexible interconnects using electromagnetic transmit/receive configurations This allows problems to be resolved more quickly.

内部接続による柔軟性は、システムの問題処理速度を、機能ビジー置換機能や負 荷分布機能によって速めるばかりでなく、欠陥許容性能や信頼性も高められる。The flexibility provided by internal connections increases the system's problem processing speed with function busy-replacement and negative The load distribution function not only speeds up the process, but also improves defect tolerance and reliability.

第４図を参照する。この図は、マイクロプロセッサ・アレイを表した完全な基板 を示す。このアレイは、基板１２３の両側にあり、送信装置と受信装置を角に搭 載したマイクロプロセッサを含む。Please refer to FIG. This diagram shows a complete board representing a microprocessor array. shows. This array is located on both sides of the board 123, with transmitters and receivers mounted at the corners. Contains a microprocessor mounted on it.

いくつかのマイクロプロセッサ４０３は、直接の送受信能力だけを有する。そし て、他のマイクロプロセッサ１１５．１２７は直接かつ同報通信の両畦力を有す る。もちろんマイクロプロセッサ４０３は、マイクロプロセッサ４０１を使用し て回報通信を行うこともできる。これは、送受信装置４０５からの回報通信を行 う要求をして、マイクロプロセッサ４０３からマイクロプロセッサ４０１へ、信 号を送ることにより実行される。同報通信の受信機能は同様の手順にしたがって 行われる。Some microprocessors 403 have only direct transmit and receive capabilities. stop The other microprocessors 115 and 127 have both direct and broadcast communication capabilities. Ru. Of course, the microprocessor 403 uses the microprocessor 401. It is also possible to perform circular communications. This performs the broadcast communication from the transmitting/receiving device 405. A request is sent from the microprocessor 403 to the microprocessor 401. It is executed by sending a number. Broadcast communication reception function follows the same procedure. It will be done.

これらのマイクロプロセッサは階層構造型の通信網を形成している。それぞれの マイクロプロセッサは、シナプスを表す神経細胞モデルに相当する。マイクロプ ロセッサ４０１は、補助的なシナプスからの処理情報信号を受信する。These microprocessors form a hierarchical communication network. each The microprocessor corresponds to a neuron model representing a synapse. Microp Processor 401 receives processing information signals from auxiliary synapses.

この神経細胞モデルの実行は電磁波による内部接続による高速かつ種類を問わな い通信に頼っている。すぐれた性能を達成するために、コンパクトな大きさ、内 部接続の複雑さ、内部接続に頼っている。好適実施例において、複合した技術に ついては示されていないが、電磁波内部接続のシステムはこれらの複合技術を必 要とする内部接続を促進するであろう。This neuron model can be executed at high speed and regardless of type due to internal connections using electromagnetic waves. relies on poor communication. Compact size, internal design to achieve excellent performance Complexity of part connections, relying on internal connections. In a preferred embodiment, the combined technology Although not shown, electromagnetic interconnection systems require these combined technologies. This will facilitate the necessary internal connections.

最後に、電磁波内部接続システムに有用な完全なモジュール５０１を第５図に示 す。これは、電磁波通過経路１４５を有する要素５０３，５０５の２つの要素か ら構成された国体を含む。反射性内表面は、内部１０３全体が含まれる。ガラス 基板１２３は、例として、マイクロプロセッサ１２７．１１５，１０７，１４３ を含む神経網を有する。Finally, a complete module 501 useful for electromagnetic interconnection systems is shown in FIG. vinegar. Are these two elements 503 and 505 having an electromagnetic wave passage path 145? This includes the national polity, which is composed of A reflective interior surface is included throughout the interior 103. glass The board 123 includes, for example, microprocessors 127, 115, 107, 143. It has a neural network containing

フロントページの続き （５１）　Ｉｎｔ、Ｃ１，５識別記号　庁内整理番号ＨＯ４Ｂ　１０／２２ ＩContinuation of front page (51) Int, C1, 5 identification code Office serial number HO4B 10/22 I

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] １．電磁波を反射する内面を有する匡体；前記匡体内に位置し、情報信号を供給 する電磁波送信装置；および 前記匡体内に位置し、前記電磁波送信装置から送出される前記情報信号を受信す る電磁波受信装置であって、前記電磁波送信装置，前記電磁波反射性内表面およ び前記電磁波受信装置は、前記電磁波送信装置から前記電磁波反射性内表面を介 して、電磁波の通信経路を通つて前記電磁波受信装置に対して前記情報信号を通 信する電磁波経路を形成するように位置することを特徴とする集積回路モジュー ル。1. An enclosure having an inner surface that reflects electromagnetic waves; located within the enclosure and providing information signals an electromagnetic wave transmitting device; and located within the housing and receiving the information signal sent from the electromagnetic wave transmitting device. An electromagnetic wave receiving device comprising: the electromagnetic wave transmitting device, the electromagnetic wave reflective inner surface and the electromagnetic wave transmitting device; and the electromagnetic wave receiving device receives the electromagnetic wave from the electromagnetic wave transmitting device via the electromagnetic wave reflective inner surface. and transmits the information signal to the electromagnetic wave receiving device through an electromagnetic wave communication path. an integrated circuit module characterized in that the integrated circuit module is positioned to form an electromagnetic wave path for transmitting Le. ２．前記電磁波送信装置は第１の波長で前記情報信号を送出し、かつ、前記電磁 波受信装置は前記情報信号を受信する請求項１記載の集積回路モジュールはさら に：前記匡体内に位置し、第２の波長で第２情報信号を供給する第２電磁波送信 装置；および 前記匡体内に位置し、前記第２電磁波送信装置から前記第２情報信号を受信する 第２電磁波受信装置であって、前記第２電磁波送信装置，前記電磁波反射性内表 面および前記第２電磁波受信装置は、前記第２電磁波送信装置から前記電磁波反 射性内表面を介して、前記第２電磁波受信装置に対して前記第２情報信号を通信 する第２電磁波経路を形成するように配置されたことを特徴とする集積回路モジ ュール。2. The electromagnetic wave transmitting device transmits the information signal at a first wavelength, and transmits the information signal at a first wavelength. The integrated circuit module of claim 1, wherein the wave receiving device receives the information signal. a second electromagnetic wave transmitter located within the housing and providing a second information signal at a second wavelength; equipment; and located within the housing and receiving the second information signal from the second electromagnetic wave transmitter. a second electromagnetic wave receiving device, the second electromagnetic wave transmitting device, the electromagnetic wave reflective inner surface; and the second electromagnetic wave receiver receives the electromagnetic wave from the second electromagnetic wave transmitter. communicating the second information signal to the second electromagnetic wave receiving device via the radioactive inner surface; An integrated circuit module characterized in that the integrated circuit module is arranged to form a second electromagnetic wave path. ule. ３．前記情報信号を通信する前記電磁波経路は、１０メートル未満の波長を有す ることを特徴とする請求項１記載の集積回路モジュール。3. The electromagnetic wave path communicating the information signal has a wavelength of less than 10 meters. The integrated circuit module according to claim 1, characterized in that: ４．前記国体を通るように配置された電磁波の通過経路；および 前記匡体の外部に配置され、前記匡体内に位置する前記電磁波受信装置へ入力情 報信号を供給する外部電磁波送信装置であって、前記外部電磁波送信装置，前記 電磁波通過経路，前記電磁波反射性内表面および前記電磁波受信装置は、前記外 部電磁波送信装置から前記電磁波通過経路および前記電磁波反射性内表面を介し て前記電磁波受信装置に対して前記入力情報信号を通信する第１電磁波経路を形 成するように配置された外部電磁波送信装置；によって構成されることを特徴と する請求項１記載の集積回路モジュール。4. an electromagnetic wave passage arranged to pass through the national polity; and input information to the electromagnetic wave receiving device located outside the housing and located inside the housing; An external electromagnetic wave transmitting device for supplying a signal, the external electromagnetic wave transmitting device and the The electromagnetic wave passing path, the electromagnetic wave reflective inner surface, and the electromagnetic wave receiving device from the electromagnetic wave transmitter through the electromagnetic wave passage path and the electromagnetic wave reflective inner surface. forming a first electromagnetic wave path for communicating the input information signal to the electromagnetic wave receiving device. an external electromagnetic wave transmitting device arranged so as to The integrated circuit module of claim 1. ５．前記国体を通るように配置された電磁波の通過経路；および 前記国体の外部に配置され、前記匡体内に位置する前記電磁波送信装置によって 提供された情報信号を受信する外部電磁波受信装置であって、前記電磁波送信装 置，前記電磁波反射性内表面，前記電磁波通過経路および前記外部電磁波受信装 置は、前記電磁波送信装置から前記電磁波反射性内表面および電磁波通過経路を 介して前記外部電磁波受信装置に対して前記出力情報信号を通信する第２電磁波 経路を形成するように配置された外部電磁波受信装置；によってさらに構成され ることを特徴とする請求項１記載の集積モジュール。5. an electromagnetic wave passage arranged to pass through the national polity; and by the electromagnetic wave transmitting device located outside the national polity and located within the enclosure; An external electromagnetic wave receiving device that receives a provided information signal, the electromagnetic wave transmitting device the electromagnetic wave reflective inner surface, the electromagnetic wave passage path, and the external electromagnetic wave receiver; The electromagnetic wave reflective inner surface and the electromagnetic wave passage path are connected from the electromagnetic wave transmitting device to the electromagnetic wave transmitting device. a second electromagnetic wave that communicates the output information signal to the external electromagnetic wave receiver via an external electromagnetic wave receiver arranged to form a path; The integrated module according to claim 1, characterized in that: ６．前記匡体内に位置し、追加情報信号を供給する追加電磁波送信装置；および 前記匡体内に位置し、前記追加電磁波送信装置によって提供された前記追加情報 信号を受信する追加電磁波受信装置であって、前記追加電磁波送信装置および前 記追加電磁波受信装置は、前記追加電磁波送信装置から実質的に直線の電磁波経 路を経由し、前記追加電磁波受信装置へ前記追加情報信号を通信するための前記 実質的に直線の経路を形成するように配置された追加電磁波受信装置；によって さらに構成されることを特徴とする請求項１記載の集積回路モジュール。6. an additional electromagnetic wave transmitting device located within the housing and providing additional information signals; and the additional information located within the enclosure and provided by the additional electromagnetic wave transmitter; an additional electromagnetic wave receiving device that receives a signal, the additional electromagnetic wave transmitting device and the front The additional electromagnetic wave receiving device has a substantially straight electromagnetic wave path from the additional electromagnetic wave transmitting device. the additional information signal for communicating the additional information signal to the additional electromagnetic wave receiving device via the by an additional electromagnetic wave receiving device arranged to form a substantially straight path; The integrated circuit module of claim 1, further comprising: ７．電磁波反射性の内表面を有する国体；第１および相対する第２の表面を有し 、前記匡体内に配置される本質的に平面の基板； 動作電力を供給するために前記第１表面上に配置された導電体； 情報信号を供給するための第１半導体装置であって、前記第１表面に配置され前 記導電体に結合された前記第１半導体装置； 前記第１表面上に配置され、かつ、前記第１半導体装置に結合され、前記第１半 導体装置から送出された前記情報信号を送信する電磁波送信装置； 前記供給された情報信号を受信するための第２半導体装置であって、前記第１表 面上に配置され、かつ前記導電体に結合された前記第２半導体装置； 前記第２表面上に配置され、かつ前記第２半導体装置に結合され、前記電磁波受 信装置は前記情報信号を、前記第２半導体装置へ供給する電磁波受信装置であっ て、前記電磁波送信装置，前記電磁波反射性内表面および前記電磁波受信装置は 、前記第１半導体装置から前記電磁波送信装置，前記電磁波反射性の内表面およ び前記電磁波受信装置を介して、前記第２半導体装置に対して前記情報信号を通 信する電磁波経路を形成するために配置された電磁波受信装置；によって構成さ れることを特徴とする集積回路モジュール。7. a national body having an electromagnetic reflective inner surface; having a first and an opposing second surface; , an essentially planar substrate disposed within the enclosure; an electrical conductor disposed on the first surface to provide operating power; a first semiconductor device for supplying an information signal, the first semiconductor device being disposed on the first surface; the first semiconductor device coupled to the conductor; disposed on the first surface and coupled to the first semiconductor device; an electromagnetic wave transmitting device that transmits the information signal sent out from the conductor device; a second semiconductor device for receiving the supplied information signal, the second semiconductor device comprising: the second semiconductor device disposed on a surface and coupled to the conductor; disposed on the second surface and coupled to the second semiconductor device, and coupled to the electromagnetic wave receiver. The communication device is an electromagnetic wave receiving device that supplies the information signal to the second semiconductor device. The electromagnetic wave transmitting device, the electromagnetic wave reflective inner surface, and the electromagnetic wave receiving device , from the first semiconductor device to the electromagnetic wave transmitting device, the electromagnetic wave reflective inner surface and and transmitting the information signal to the second semiconductor device via the electromagnetic wave receiving device. an electromagnetic wave receiving device arranged to form an electromagnetic wave path for transmitting An integrated circuit module characterized by: ８．前記電磁波送信装置は前記第１半導体装置上に直接集積され、前記電磁波受 信装置は前記第２半導体装置上に直接集積されることを特徴とする請求項７記載 の集積回路モジュール。8. The electromagnetic wave transmitter is directly integrated on the first semiconductor device, and the electromagnetic wave receiver is directly integrated on the first semiconductor device. 8. A communication device according to claim 7, wherein the communication device is directly integrated on the second semiconductor device. integrated circuit module. ９．電磁波反射性の内表面を有する匡体；第１および相対する第２の表面を有し 、前記匡体内に配置される本質的に平面の基板； 動作電力を供給するために前記第１表面上に配置された導電体； 情報信号を供給するための第１半導体装置であって、前記第１表面に配置され前 記導電体に結合された前記第１半導体装置； 前記第１表面上に配置され、かつ、前記第１半導体装置に結合され、前記第１半 導体装置から送出された前記情報信号を送信する電磁波送信装置； 動作電力を供給するために前記相対する第２表面上に配置された第２導電体； 前記供給された情報信号を受信するための第２半導体装置であって、前記第２半 導体装置は、前記相対する第２表面上に配置され、かつ前記第２導電体に結合さ れた第２半導体装置； 前記相対する第２表面上に配置され、かつ前記第２半導体装置に結合され、前記 情報信号を受信する電磁波受信装置であって、前記電磁波送信装置，前記電磁波 反射性内表面および前記電磁波受信装置は前記第１半導体装置から前記電磁波送 信装置，前記電磁波反射性内表面および前記電磁波受信装置を介して、前記第２ 半導体装置へ前記情報信号を通信する電磁波経路を形成するために配置された前 記電磁波受信装置； によって構成されていることを特徴とする集積回路モジュール。9. an enclosure having an electromagnetic wave reflective inner surface; having a first and an opposing second surface; , an essentially planar substrate disposed within the enclosure; an electrical conductor disposed on the first surface to provide operating power; a first semiconductor device for supplying an information signal, the first semiconductor device being disposed on the first surface; the first semiconductor device coupled to the conductor; disposed on the first surface and coupled to the first semiconductor device; an electromagnetic wave transmitting device that transmits the information signal sent out from the conductor device; a second electrical conductor disposed on the opposing second surface for providing operating power; a second semiconductor device for receiving the supplied information signal, wherein the second semiconductor device receives the supplied information signal; a conductive device disposed on the opposing second surface and coupled to the second electrical conductor; a second semiconductor device; disposed on the opposing second surface and coupled to the second semiconductor device; An electromagnetic wave receiving device that receives information signals, the electromagnetic wave transmitting device and the electromagnetic wave The reflective inner surface and the electromagnetic wave receiving device transmit the electromagnetic waves from the first semiconductor device. through the electromagnetic wave receiving device, the electromagnetic wave reflective inner surface, and the electromagnetic wave receiving device; A front panel arranged to form an electromagnetic wave path for communicating the information signal to the semiconductor device. Recorded electromagnetic wave receiving device; An integrated circuit module comprising: １０．電磁波反射性の内表面を有する匡体；第１および相対する第２の表面を有 する前記匡体内に配置される本質的に平面の基板； 少なくとも２つの角を有し、かつ前記第１表面上に配置された第１半導体装置で あって、電磁波送信装置または電磁波受信装置の少なくとも１つは前記少なくと も２つの角のいずれかに位置する第１半導体装置；少なくとも２つの角を有し、 かつ前記第１表面上に配置された第２半導体装置であって、電磁波送信装置また は電磁波受信装置の少なくとも１つは前記少なくとも２つの角にそれぞれ位置す る第に半導体装置； および 少なくとも２つの角を有し、かつ前記第２表面上に配置された第３半導体装置で あって、前記第１半導体装置上の前記電磁波送信装置または電磁波受信装置のい ずれか１つとおよび前記第２半導体装置の前記電磁波送信装置または電磁波受信 装置の１つと直接経路を介して通信できるように前記少なくとも２つの角のいず れかに配置された第３半導体装置。 から構成されることを特徴とする集積回路モジュール。10. an enclosure having an electromagnetic wave reflective inner surface; a first and an opposing second surface; an essentially planar substrate disposed within said enclosure; a first semiconductor device having at least two corners and disposed on the first surface; and at least one of the electromagnetic wave transmitting device or the electromagnetic wave receiving device is a first semiconductor device located at either of two corners; having at least two corners; and a second semiconductor device disposed on the first surface, the second semiconductor device comprising an electromagnetic wave transmitting device or wherein at least one of the electromagnetic wave receiving devices is located at each of the at least two corners; Firstly, semiconductor devices; and a third semiconductor device having at least two corners and disposed on the second surface; and the electromagnetic wave transmitting device or the electromagnetic wave receiving device on the first semiconductor device. and the electromagnetic wave transmitting device or electromagnetic wave receiving device of the second semiconductor device. any of said at least two corners so as to be able to communicate via a direct path with one of the devices; a third semiconductor device disposed on the side; An integrated circuit module comprising: １１．送信装置または受信装置を有する第１半導体装置の少なくとも１つの角は 、前記第３半導体装置の表面を含む経路を介して、送信装置または受信装置を有 する前記第２半導体装置の少なくとも１つの角から送信される情報信号を受信す るように配置されたことを特徴とする請求項１０記載の集積回路モジュール。11. At least one corner of the first semiconductor device having a transmitting device or a receiving device is , a transmitting device or a receiving device via a path including the surface of the third semiconductor device. receiving an information signal transmitted from at least one corner of the second semiconductor device; 11. The integrated circuit module according to claim 10, wherein the integrated circuit module is arranged to １２．匡体； 本質的に平面で、電磁波の透過性を有し、第１および相対する第２の表面を有し 、前記第１および相対する第２の表面は、前記匡体内に配置された基板；電力を 伝えるために前記第１表面上に配置された第１導電体； 前記第１表面上に配置され、かつ前記第１導電体に接続される情報信号を伝達す る電磁波送信装置；電力を伝えるために前記相対する第２表面上に配置された第 ２導電体；および 前記相対する第２表面上に配置され、前記第２導電体に結合された電磁波受信装 置であって、前記電磁波送信装置，前記平面状の電磁波透過性基板および前記電 磁波受信装置は、前記電磁波送信装置から前記本質的に平面状の，電磁波透過性 の基板を通って前記電磁波受信装置に対して前記情報信号を通信する前記本質的 に平面状，電磁波透過性基板を通って、実質的に直線状の電磁波経路を形成する ように配置された電磁波受信装置。 から構成されることを特徴とする集積回路モジュール。12. body; essentially planar, transparent to electromagnetic waves, and having a first and an opposing second surface; , the first and opposing second surfaces are connected to a substrate disposed within the housing; a first electrical conductor disposed on the first surface for conducting; transmitting an information signal disposed on the first surface and connected to the first conductor; an electromagnetic wave transmitting device disposed on the opposing second surface for transmitting power; 2 conductors; and an electromagnetic wave receiving device disposed on the opposing second surface and coupled to the second conductor; The electromagnetic wave transmitting device, the planar electromagnetic wave transparent substrate, and the electromagnetic wave transmitting device, The electromagnetic wave receiving device is arranged such that the electromagnetic wave transmitting device receives the essentially planar, electromagnetic wave transparent the essential element communicating the information signal to the electromagnetic wave receiving device through the substrate of A substantially straight electromagnetic wave path is formed through a planar, electromagnetic wave transparent substrate. An electromagnetic wave receiving device arranged like this. An integrated circuit module comprising: １３．少なくとも１つの電磁波反射性の内表面を有する国体； 前記匡体内に配置された半導体装置； 前記半導体装置から送出された出力情報信号を送るために前記匡体内に配置され た電磁波送信装置；前記国体を通る電磁波通過経路；および前記国体の外部に配 置され、かつ前記匡体内に位置する前記電磁波送信装置からの前記出力情報信号 を受信する外部電磁波受信装置であって、前記電磁波送信装置，前記少なくとも １つの電磁波反射性内表面，前記電磁波通過経路および前記外部電磁波受信装置 は、前記少なくとも１つの電磁波送信装置から前記少なくとも１つの電磁波反射 性内表面および前記電磁波通過経路を介して、前記外部電磁波受信装置に対して 前記出力情報信号を通信する出力電磁波経路を形成するように配置された外部電 磁波受信装置；から構成されていることを特徴とする集積回路モジュール。13. a national body having at least one electromagnetic reflective inner surface; a semiconductor device disposed within the casing; disposed within the housing for transmitting an output information signal sent out from the semiconductor device; an electromagnetic wave transmitting device; an electromagnetic wave passage path passing through the national polity; and an electromagnetic wave transmitting device disposed outside the national polity; and the output information signal from the electromagnetic wave transmitting device located within the housing. an external electromagnetic wave receiving device that receives an external electromagnetic wave, the electromagnetic wave transmitting device, one electromagnetic wave reflective inner surface, the electromagnetic wave passage path and the external electromagnetic wave receiving device is a reflection of the at least one electromagnetic wave from the at least one electromagnetic wave transmitting device. to the external electromagnetic wave receiving device via the internal surface of the body and the electromagnetic wave passage path. an external power source arranged to form an output electromagnetic wave path for communicating the output information signal; An integrated circuit module comprising: a magnetic wave receiver; １４．少なくとも１つの電磁波反射性の内表面を有する匡体； 前記匡体内に配置された半導体装置； 前記匡体内に配置され、入力信号を受信し、かつその情報信号を前記半導体装置 に供給する電磁波受信装置；前記匡体を通る電磁波通過経路；および前記匡体の 外部に配置され、前記匡体内に位置する前記電磁波受信装置へ前記入力情報信号 を供給する外部電磁波送信装置であって、前記外部電磁波送信装置，前記電磁波 通過経路，前記少なくとも１つの電磁波反射性内表面および前記電磁波受信装置 は、前記外部電磁波送信装置から前記電磁波通過経路および前記電磁波反射性内 表面を介して前記少なくとも１つの電磁波受信装置に対して前記入力情報信号を 通信する電磁波経路を形成するように配置された外部電磁波送信装置； から構成されていることを特徴とする集積回路モジュール。14. an enclosure having at least one electromagnetic reflective inner surface; a semiconductor device disposed within the casing; disposed within the housing to receive an input signal and transmit the information signal to the semiconductor device; an electromagnetic wave receiving device for supplying electromagnetic waves to the casing; an electromagnetic wave passage path passing through the casing; the input information signal to the electromagnetic wave receiving device disposed outside and located inside the housing; an external electromagnetic wave transmitting device that supplies the electromagnetic wave, the external electromagnetic wave transmitting device a passageway, the at least one electromagnetic wave reflective inner surface, and the electromagnetic wave receiving device. from the external electromagnetic wave transmitting device to the electromagnetic wave passing path and the electromagnetic wave reflective interior. transmitting the input information signal to the at least one electromagnetic wave receiving device via a surface; an external electromagnetic wave transmitting device arranged to form a communicating electromagnetic wave path; An integrated circuit module comprising:
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5933608A (en) * 1988-02-04 1999-08-03 The City University Multiway signal switching device including a WSIC and optical communication ports
US5237434A (en) * 1991-11-05 1993-08-17 Mcnc Microelectronic module having optical and electrical interconnects
US5621913A (en) * 1992-05-15 1997-04-15 Micron Technology, Inc. System with chip to chip communication
FR2696890B1 (en) * 1992-10-08 1994-11-04 Alcatel Espace Data transmission system in a satellite.
JPH06164518A (en) * 1992-11-09 1994-06-10 Sony Corp Duplex transmission device
US5491831A (en) * 1993-05-10 1996-02-13 Motorola Cellular motor control network
US5715274A (en) * 1995-01-09 1998-02-03 Lsi Logic Corporation Method and system for communicating between a plurality of semiconductor devices
JPH08331057A (en) * 1995-03-27 1996-12-13 Sony Corp Optical signal transmitter, optical signal receiver, and optical signal transmitter-receiver
US5754948A (en) * 1995-12-29 1998-05-19 University Of North Carolina At Charlotte Millimeter-wave wireless interconnection of electronic components
US5818618A (en) * 1996-03-22 1998-10-06 Motorola, Inc. High-speed serial simplex broadcast data distribution using optics
US6633550B1 (en) * 1997-02-20 2003-10-14 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Radio transceiver on a chip
JP3373753B2 (en) * 1997-03-28 2003-02-04 株式会社東芝 Ultra-high frequency band wireless communication equipment
US5848214A (en) * 1997-07-16 1998-12-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Optically-guiding multichip module
FI105606B (en) * 1997-10-13 2000-09-15 Nokia Mobile Phones Ltd Optical communication unit
GB2340995A (en) * 1998-08-26 2000-03-01 Lsi Logic Corp Low skew signal distribution for integrated circuits
US6771935B1 (en) * 1998-10-05 2004-08-03 Alcatel Wireless bus
JP3887124B2 (en) * 1999-04-30 2007-02-28 ローム株式会社 Chip-type semiconductor light emitting device
JP2002009703A (en) * 2000-06-27 2002-01-11 Nec Corp Optical data bus communication system and optical data bus communication method
US6804499B2 (en) * 2001-04-09 2004-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Power-mixer architecture for a transmitter
US6563185B2 (en) * 2001-05-21 2003-05-13 The Regents Of The University Of Colorado High speed electron tunneling device and applications
US7177515B2 (en) 2002-03-20 2007-02-13 The Regents Of The University Of Colorado Surface plasmon devices
US6967347B2 (en) * 2001-05-21 2005-11-22 The Regents Of The University Of Colorado Terahertz interconnect system and applications
US7126151B2 (en) * 2001-05-21 2006-10-24 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Interconnected high speed electron tunneling devices
JP4848108B2 (en) * 2001-09-14 2011-12-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション Data processing system
US20030077529A1 (en) * 2001-10-15 2003-04-24 Honeywell Advanced Circuits, Inc. Check board replacement systems
US6831301B2 (en) * 2001-10-15 2004-12-14 Micron Technology, Inc. Method and system for electrically coupling a chip to chip package
US6667725B1 (en) 2002-08-20 2003-12-23 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Radio frequency telemetry system for sensors and actuators
US20040245538A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-09 Xiaolin Wang Double sided optoelectronic integrated circuit
US8023893B2 (en) * 2003-06-24 2011-09-20 Agere Systems Inc. Method and system for wireless communication among integrated circuits within an enclosure
US7693424B1 (en) * 2004-04-02 2010-04-06 Sun Microsystems, Inc. Integrated proximity-to-optical transceiver chip
GB2441801B (en) * 2006-09-15 2008-08-13 Raymonde Gene Clifford Artus A component assembly
US7928525B2 (en) * 2008-04-25 2011-04-19 Qimonda Ag Integrated circuit with wireless connection
US20100218465A1 (en) * 2009-02-27 2010-09-02 Sony Corporation Method to reduce the cost of product software upgrades after production
US8971806B2 (en) * 2010-01-27 2015-03-03 Broadcom Corporation Wireless bus for intra-chip and inter-chip communication, including scalable wireless bus embodiments
US9490768B2 (en) * 2012-06-25 2016-11-08 Knowles Cazenovia Inc. High frequency band pass filter with coupled surface mount transition
WO2020264408A1 (en) 2019-06-27 2020-12-30 Avicenatech Corp. Chip-scale optical interconnect using microleds
EP4029165A4 (en) 2019-09-13 2022-11-09 Avicenatech Corp. Optical interconnects using microleds
US11483182B2 (en) 2020-01-08 2022-10-25 Avicenatech Corp. Optical transceiver design for short distance communication systems based on microLEDs
US11914200B2 (en) 2020-01-08 2024-02-27 Avicenatech Corp. Systems using fan-in and fan-out microLED-based interconnects
US11513285B2 (en) 2020-01-08 2022-11-29 Avicenatech Corp. Packaging for microLEDs for chip to chip communication
CN115413368A (en) 2020-03-18 2022-11-29 艾维森纳科技有限公司 LED array for in-plane optical interconnection
WO2021211618A1 (en) 2020-04-13 2021-10-21 Avicenatech Corp. Optically-enhanced multichip packaging
US11916598B2 (en) 2020-04-13 2024-02-27 Avicenatech Corp. Parallel optical communication channels using microLEDs

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3963920A (en) * 1975-03-10 1976-06-15 General Dynamics Corporation Integrated optical-to-electrical signal transducing system and apparatus
JPS5842333A (en) * 1981-09-07 1983-03-11 Fujitsu Ltd Optical transmission system in equipment
JPS58200644A (en) * 1982-05-18 1983-11-22 Fujitsu Ltd Optical bus system
DE3305044A1 (en) * 1983-02-14 1984-08-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Optocoupler
US4862231A (en) * 1983-11-18 1989-08-29 Harris Corporation Non-contact I/O signal transmission in integrated circuit packaging
GB2150382A (en) * 1983-11-29 1985-06-26 Thorn Emi Ferguson Optical signalling between elements on a circuit board
GB2152749A (en) * 1984-01-14 1985-08-07 Peter Michael Jeffery Morrish Interconnection of integrated circuitry by light
US4596050A (en) * 1984-04-26 1986-06-17 Rogers Gordon W Information processing system using optically encoded signals
JPH0719842B2 (en) * 1985-05-23 1995-03-06 三菱電機株式会社 Redundant circuit of semiconductor device
US4695120A (en) * 1985-09-26 1987-09-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Optic-coupled integrated circuits
US4845052A (en) * 1986-02-07 1989-07-04 Harris Corporation Method of packaging a non-contact I/O signal transmission integrated circuit
SE8600656L (en) * 1986-02-14 1987-08-15 Svenska Robot Hb DEVICE FOR ASTAD COMMUNICATION OF INFORMATION-SUPPORTING COMMUNICATION BETWEEN ELECTRICAL COMPONENTS OR CIRCUITS
JPS62223019A (en) 1986-03-19 1987-10-01 Taki Chem Co Ltd Crystalline tin-antimony oxide sol and production thereof
GB2190789B (en) * 1986-04-17 1990-05-09 Plessey Co Plc System for optically coupling components of integrated circuits
DE3633251A1 (en) * 1986-09-30 1988-03-31 Siemens Ag OPTOELECTRONIC COUPLING ELEMENT
GB8629921D0 (en) * 1986-12-15 1987-01-28 Gec Avionics Optical backplanes
DE3720153A1 (en) * 1987-06-16 1988-12-29 Siemens Ag Arrangement for the optoelectronic coupling of integrated circuits which are contained in at least two semiconductor wafers (slices)
US4850044A (en) * 1988-06-23 1989-07-18 International Business Machines Corporation Serial optical interconnect bus for logic cards and the like
US5008833A (en) * 1988-11-18 1991-04-16 California Institute Of Technology Parallel optoelectronic neural network processors
US4970724A (en) * 1988-12-22 1990-11-13 Hughes Aircraft Company Redundancy and testing techniques for IC wafers
US4987295A (en) * 1989-03-31 1991-01-22 General Electric Company Multichip imager with improved optical performance near the butt region
JPH0358636A (en) * 1989-07-27 1991-03-13 Canon Inc Optical communication transmitter
US5051790A (en) * 1989-12-22 1991-09-24 David Sarnoff Research Center, Inc. Optoelectronic interconnections for integrated circuits
US5280184A (en) * 1992-04-08 1994-01-18 Georgia Tech Research Corporation Three dimensional integrated circuits with lift-off

Also Published As

Publication number Publication date
US5335361A (en) 1994-08-02
EP0571609A1 (en) 1993-12-01
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EP0571609A4 (en) 1994-03-21

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