JPH0650672B2 - High frequency heating device - Google Patents

High frequency heating device

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JPH0650672B2
JPH0650672B2 JP5937587A JP5937587A JPH0650672B2 JP H0650672 B2 JPH0650672 B2 JP H0650672B2 JP 5937587 A JP5937587 A JP 5937587A JP 5937587 A JP5937587 A JP 5937587A JP H0650672 B2 JPH0650672 B2 JP H0650672B2
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shield
shield case
magnetron
frequency
voltage
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公明 山口
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高周波電力を昇圧トランスで昇圧して、マグ
ネトロンに供給する高周波加熱装置に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency heating device that boosts high-frequency power with a step-up transformer and supplies it to a magnetron.

従来の技術 近年、高周波加熱装置において、マグネトロンの電源装
置の小形軽量化、低コスト化をはかるためインバータ回
路で商用周波数を一旦高周波化した後に昇圧してマグネ
トロンに印加する電源方式が検討されており、これをイ
ンバータ電源と呼んでいる。一般にマグネトロンは入力
端子側すなわちカソードステム側からの電波漏洩を防止
するために、カソードステムを覆うシールドケース内に
設けられているチョークコイルや、貫通コンデンサによ
りフィルター回路を構成していた。しかるに、電源とし
て例えば20KHz以上の周波数を用いるインバータ電源
を用いると、この高周波化された電力自身がフィルター
回路で抑制されてマグネトロンに供給され難くなるとい
う問題が生ずる。第4図は公開公報に見られるインバー
タ電源を用いた高周波加熱装置の要部断面図で、上記問
題を解決することを目的として提案されたものである。
第4図において14は発振管で、発振管14は一方の端
部にアンテナ19、他方の端部にカソードステム20を
設け、このカソードステム20には夫々カソード端子2
1,22を設けている。前記カソードステム20を取り
囲み、前記発振管14と電気的に接続された非磁性体の
導電体で形成されたシールドケース23により、シール
ドケース23の内側と外側とは高周波的に完全に遮断さ
れる構成になっている。このシールドケース23の壁面
23aを介して夫々外に昇圧トランス6の1次側巻線6
aとこれを巻回した1次側コア24を、内側に高圧2次
側巻線6bと低圧2次側巻線6cとこれを巻回した2次
側コア25を対向して配置する構成としたものである。
本引例の場合、1次側コア24と2次側コア25は、シ
ールドケース23の壁面23aを介して夫々外側と内側
に相互誘導による電磁結合するように配置し、これによ
りマグネトロンの入力ステム側からの高周波の漏洩を防
止と、マグネトロンへの高周波化された電力の供給を同
時に実現できるとしている。
2. Description of the Related Art In recent years, in a high-frequency heating device, a power supply system in which a commercial frequency is once increased by an inverter circuit and then boosted and applied to the magnetron is being studied in order to reduce the size, weight and cost of the magnetron power supply. , This is called the inverter power supply. Generally, in a magnetron, in order to prevent radio wave leakage from the input terminal side, that is, the cathode stem side, a choke coil and a feedthrough capacitor provided in a shield case covering the cathode stem constitute a filter circuit. However, if an inverter power source using a frequency of 20 KHz or more is used as the power source, there arises a problem that the high frequency power itself is suppressed by the filter circuit and is difficult to be supplied to the magnetron. FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part of a high-frequency heating device using an inverter power supply, which is disclosed in the publication, and is proposed for the purpose of solving the above problems.
In FIG. 4, reference numeral 14 denotes an oscillating tube. The oscillating tube 14 is provided with an antenna 19 at one end and a cathode stem 20 at the other end, and the cathode stem 20 has a cathode terminal 2 respectively.
1, 22 are provided. A shield case 23 formed of a non-magnetic conductor that surrounds the cathode stem 20 and is electrically connected to the oscillation tube 14 completely shields the inside and the outside of the shield case 23 at high frequencies. It is configured. The primary winding 6 of the step-up transformer 6 is externally exposed through the wall surface 23a of the shield case 23.
a and a primary-side core 24 wound around this, a high-voltage secondary winding 6b, a low-voltage secondary winding 6c, and a secondary-side core 25 wound around this are arranged to face each other. It was done.
In the case of this reference, the primary core 24 and the secondary core 25 are arranged so as to be electromagnetically coupled by mutual induction to the outside and the inside through the wall surface 23a of the shield case 23, whereby the input stem side of the magnetron is arranged. It is said that it is possible to prevent the leakage of high frequencies from the power supply and to supply high-frequency power to the magnetron at the same time.

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような構成は、一見説明通りの働
きをするように見えるが、次に述べるような理由によ
り、その構成は原理的に矛盾していると考えられる。
Problems to be Solved by the Invention However, although the above-described structure seems to work as described at first glance, it is considered that the structure is in principle inconsistent for the reasons described below. .

すなわち、引例の説明によれば、発振管14の一端に設
けられたカソードステム20を取り囲むシールドケース
23は非磁性体の導電体で形成されており、このシール
ドケース23の壁面23aを介して外と内に昇圧トラン
スの1次側と2次側が配置されている。この場合、カソ
ードステム20からの高周波の漏洩は確かに防止できる
が、昇圧トランス6の1次側と2次側も同時にシールド
されて電磁エネルギーの伝達はなされず、相互誘導によ
る電磁結合するような配置なるものは存在しない。何故
ならシールドケース23の壁面23aは導電体で構成さ
れているから、昇圧トランス6の1次巻線6aに流れる
高周波電流により発生する磁界は、シールドケース23
の壁面23aに誘導電流すなわちうず電流を発生し、そ
の電気エネルギーはこのうず電流によるジュール熱とし
て消費されて、昇圧トランス6の2次側巻線6b,6c
には伝わらないからである。この現象を別の視点から説
明すれば、導電体で構成されたシールドチース23は、
昇圧トランス6に短絡された第3の2次巻線を付加した
のと同等で、この短絡された2次巻線に流れる短絡電流
でその電気エネルギーがほとんど消費されてしまう状態
と考えても良い。いずれにしても引例の構成は、シール
ドケース23に引例説明から理解される手段では物理的
に実現不可能な作用を持たせている点で、単なる空想上
の構成であると言わざると得ない。
That is, according to the description of the reference, the shield case 23 surrounding the cathode stem 20 provided at one end of the oscillation tube 14 is formed of a non-magnetic conductor, and is shielded via the wall surface 23 a of the shield case 23. The primary side and the secondary side of the step-up transformer are arranged inside the. In this case, leakage of high frequency from the cathode stem 20 can be surely prevented, but the primary side and the secondary side of the step-up transformer 6 are also shielded at the same time so that electromagnetic energy is not transmitted and electromagnetic coupling by mutual induction occurs. There is no arrangement. Because the wall surface 23a of the shield case 23 is made of a conductor, the magnetic field generated by the high-frequency current flowing through the primary winding 6a of the step-up transformer 6 will not be generated by the shield case 23.
An induced current, that is, an eddy current, is generated on the wall surface 23a of the booster transformer 6, and its electric energy is consumed as Joule heat due to the eddy current.
Because it is not transmitted to. If this phenomenon is explained from another point of view, the shield cheese 23 made of a conductor is
It is equivalent to adding a short-circuited third secondary winding to the step-up transformer 6, and it may be considered that the electric energy is almost consumed by the short-circuit current flowing in the short-circuited secondary winding. . In any case, it must be said that the configuration of the reference is merely a fantasy configuration in that the shield case 23 has an action that cannot be physically realized by the means understood from the reference. .

本発明は上記公報記載の問題点を、物理的に意味のある
形で実現したもので、マグネトロンのカソードステム2
0側からの高周波の漏洩防止と、高周波化した電源によ
るマグネトロンへの電力供給の両方を同時に実現するこ
とを目的としたものである。
The present invention realizes the problems described in the above publication in a physically meaningful form.
The purpose is to prevent leakage of high frequency from the 0 side and to simultaneously supply power to the magnetron by a high frequency power source.

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の高周波加熱装置
は、マグネトロンのカソードステムを覆うシールドケー
スの壁面の一部又は全部を高周波インバータ回路に使用
される周波数における浸透深さの1/10以下の厚みを有す
る金属薄膜もしくは金属蒸着膜とその構造支持体となる
誘電体材料で構成し、この壁面部分を介してシールドケ
ースの内と外に昇圧トランスの2次側と1次側を分割す
る構成としたものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the high-frequency heating device of the present invention has a part or all of the wall surface of the shield case that covers the cathode stem of the magnetron permeates at a frequency used in the high-frequency inverter circuit. It is composed of a metal thin film or a metal deposition film having a thickness of 1/10 or less of the depth and a dielectric material that serves as its structural support, and the secondary side of the step-up transformer is placed inside and outside the shield case through this wall surface. And the primary side is divided.

作用 本発明は上記の構成により、マグネトロンのカソードス
テム側から漏洩するマイクロ波及び高周波電波雑音をシ
ールドケース内にとじ込める一方で、このシールドケー
ス内に配置した昇圧トランス72次側回路と、外に配置
した1次側回路が互いにトランスとして動作し、インバ
ータで高周波化された電力をマグネトロンに供給できる
ようにしたものである。
Effect of the Invention With the above configuration, the present invention can confine microwaves and high-frequency radio noise leaking from the cathode stem side of the magnetron into the shield case, and at the same time, the step-up transformer 72 secondary side circuit arranged in the shield case and the outside. The arranged primary side circuits operate as transformers to each other, and the power of which the frequency is increased by the inverter can be supplied to the magnetron.

実施例 以下、本発明の実施例を添付の図面にもとづいて説明す
る。第1図は本発明の一実施例による高周波加熱装置の
要部断面図、第2図は第1図で示した要部を含む本発明
の一実施例による高周波加熱装置の概略の回路構成を示
す回路図である。
Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view of a main part of a high-frequency heating apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic circuit configuration of the high-frequency heating apparatus according to an embodiment of the present invention including the main part shown in FIG. It is a circuit diagram shown.

第2図において、商用周波数の電源1で供給された電力
は、整流回路3で整流された後、インダクタンス5とコ
ンデンサー4からなるローパスフィルターを介して、コ
ンデンサー8、ダイオード9、及びスイッチング素子で
あるトランジスタ10よりなるインバータ回路に供給さ
れる。トランジスタ10は制御回路11の出力する高周
波パルスでオン・オフ制御される。
In FIG. 2, the electric power supplied from the commercial frequency power source 1 is rectified by the rectifier circuit 3, and then is passed through a low-pass filter composed of an inductance 5 and a capacitor 4 to be a capacitor 8, a diode 9, and a switching element. It is supplied to the inverter circuit including the transistor 10. The transistor 10 is on / off controlled by a high frequency pulse output from the control circuit 11.

前記インバータ回路で例えば20KHz程度の高周波に変
換された後、昇圧トランス7の1次巻線7aに供給され
た電圧は、2次巻線7b,7cにそれぞれマグネトロン
の陽極電圧、及びカソード電圧として誘起されマグネト
ロン13に印加される。第1図において14はマグネト
ロンの管球本体である発振管で、この発振管14は一方
の端部にアンテナ19、他方の端部にカソードステム2
0を設けている。このカソードステム20には夫々カソ
ード端子21,22を設けている。このカソードステム
20を覆うシールドケース28はその壁面の一部である
ふた28aが非磁性の金属薄膜もしくは、金属蒸着膜よ
りなるシールド膜28bと、誘電体材料よりなる前記シ
ールド膜28bの構造支持体28cで構成されている。
After being converted into a high frequency of about 20 KHz by the inverter circuit, the voltage supplied to the primary winding 7a of the step-up transformer 7 is induced in the secondary windings 7b and 7c as an anode voltage and a cathode voltage of the magnetron, respectively. And applied to the magnetron 13. In FIG. 1, 14 is an oscillating tube which is the main body of the magnetron, and the oscillating tube 14 has an antenna 19 at one end and a cathode stem 2 at the other end.
0 is set. The cathode stem 20 is provided with cathode terminals 21 and 22, respectively. The shield case 28 covering the cathode stem 20 has a lid 28a, which is a part of its wall surface, a non-magnetic metal thin film or a shield film 28b made of a metal vapor deposition film, and a structure support of the shield film 28b made of a dielectric material. 28c.

前記昇圧トランス7は、そのコアが前記シールドケース
23の壁面の一部であるフタ28aにより、シールドケ
ース28の内と外に分割配置され、外の1次側コア7d
には1次巻線7aが、内の2次側コア7eには2次巻線
7b,7cが巻き回されて構成されている。又それぞれ
の巻線について言えば、既に説明の通り1次巻線には、
インバータ回路で高周波に変換された電圧が供給され、
2次巻線7b,7cに発生する高圧及び低圧は、それぞ
れマグネトロンの陽極電圧及びカソード電圧としてカソ
ード端子20,21を通じて印加される。
The step-up transformer 7 is divided into the inside and outside of the shield case 28 by a lid 28a whose core is a part of the wall surface of the shield case 23, and the outside primary core 7d.
The primary winding 7a is wound around the secondary winding core 7e, and the secondary windings 7b and 7c are wound around the secondary core 7e. Regarding each winding, as already explained, the primary winding is
The voltage converted to high frequency by the inverter circuit is supplied,
The high voltage and the low voltage generated in the secondary windings 7b and 7c are applied through the cathode terminals 20 and 21 as the anode voltage and the cathode voltage of the magnetron, respectively.

ここで、シールドケース28のシールド効果と昇圧トラ
ンス7の動作について説明する。
Here, the shield effect of the shield case 28 and the operation of the step-up transformer 7 will be described.

一般に金属に代表される導電体は、磁性体、非磁性体に
かかわらず交流磁界が印加されると、誘導電流が発生す
るがその誘導電流が表面から浸透する深さは有限で、電
流密度lが、表面電流密度laの1/eになる深さを、
浸透深さと呼びδ(m)とし、導電体の固有抵抗をρ(Ω
・m)、周波数を(Hz)、比透磁率をμrとすると、 となる。
In general, a conductor represented by a metal generates an induced current when an alternating magnetic field is applied regardless of whether it is a magnetic substance or a non-magnetic substance, but the depth of penetration of the induced current from the surface is finite, and the current density l Is the depth of 1 / e of the surface current density la,
The penetration depth is called δ (m), and the specific resistance of the conductor is ρ (Ω
・ M), frequency (Hz), relative permeability μr Becomes

一般に、この浸透深さδを用いて、表面からxの位置の
導体中の電流密度lは表面での電流密度をlaとして l=lae−x/δ で表わされる。磁界の減衰は電流の減衰に比例し、その
減衰比A(dB)は次のように表わされる。
Generally, using this penetration depth δ, the current density 1 in the conductor at the position x from the surface is represented by l = lae −x / δ , where the current density on the surface is la. The attenuation of the magnetic field is proportional to the attenuation of the current, and its attenuation ratio A (dB) is expressed as follows.

従って、例えばAl板を考えた場合20KHzでの浸透深
さδは0.6mm程度となり、仮に板厚0.6mm程度の薄いAl
板であっても、減衰比Aは8.686dBとなりAl板の一方
の面から加わった交流磁界はほとんど反対側へは透過せ
ず、ほとんどがAl板での誘導電流によるオーム損とし
て消費される。
Therefore, for example, when considering an Al plate, the penetration depth δ at 20 KHz is about 0.6 mm, and it is assumed that the thickness of the thin Al plate is about 0.6 mm.
Even with a plate, the attenuation ratio A is 8.686 dB, and the AC magnetic field applied from one surface of the Al plate is hardly transmitted to the opposite side, and most of it is consumed as ohmic loss due to the induced current in the Al plate.

しかし例えば厚さ20μmのAl箔を考えると、20KH
zでの浸透深さδ0.6mm(600μm)の1/30であり、A
=0.3dBとなり逆にほとんどのエネルギーを反対側に伝
えることができる。第3図は、こうした金属箔や、塗料
膜の交流磁界に対するシールド率が周波数に対してどの
ように変化するかを示した実測値の一例である。第3図
や、浸透深さδの式 からも理解されるように、周波数の増大に伴なって、
浸透深さδは小さくなり、従って金属箔や導電塗料膜の
シールド性は増大する。
However, for example, considering an Al foil with a thickness of 20 μm, it is 20 KH.
It is 1/30 of the penetration depth δ0.6mm (600μm) at z, and A
= 0.3dB, which means that most of the energy can be transferred to the other side. FIG. 3 is an example of an actual measurement value showing how the shielding rate of such a metal foil or a paint film against an alternating magnetic field changes with frequency. Fig. 3 and the formula of penetration depth δ As can be seen from, as the frequency increases,
The penetration depth δ becomes smaller, so that the shielding property of the metal foil or the conductive paint film is increased.

従って、今シールド膜28bに非磁性ステンレス(SU
S)50μmの金属薄膜として採用した場合を考える
と、100KHz以下の周波数の交流磁界に対しては全く
遮蔽特性がないと言っても良く前記昇圧トランス7は、
シールドケース28の壁面の一部であるフタ28aによ
り1次側と2次側が分割されているにもかかわらず、昇
圧トランスとしての機能を完全に発揮する。一方、マグ
ネトロンで発生する雑音は、基本周波数である2450
MHzの高周波以外にも巾広く低域周波数まで延びている
が、実質的にシールド効果を必要とする10MHz以上の
高い周波数では、シールド膜28bが非磁性ステンレス
(SUS)50μmの金属箔であっても、25dB(磁界
モード)以上のシールド特性を有しており、しかもその
効果は周波数が高くなるほど大きくなる。又ここで注目
すべきは、トランスの巻線間の結合は交流磁界によるも
ので、第3図のデータも磁界モードでの測定であるが、
同じ非磁性ステンレス(SUS)50μmの金属箔であ
っても、電界モードでの測定であれば、10MHz以下も
含めて、40dB以上のシールド性能が得られることが実
験的に確められている。今漏洩を防止しようとするカソ
ードステム20からの漏洩電磁波に対しては、磁界モー
ドと、電界モードの中間的な値が実質的なシールド効果
となると考えられることから、高周波の漏洩防止という
点では十分な効果を有している。
Therefore, the non-magnetic stainless steel (SU
S) Considering the case where it is adopted as a metal thin film of 50 μm, it can be said that there is no shielding property for an AC magnetic field having a frequency of 100 KHz or less.
Although the primary side and the secondary side are separated by the lid 28a which is a part of the wall surface of the shield case 28, the function as a step-up transformer is fully exhibited. On the other hand, the noise generated by the magnetron is 2450 which is the fundamental frequency.
Although it extends to a wide range of low frequencies other than the high frequency of MHz, the shield film 28b is a metal foil of non-magnetic stainless steel (SUS) 50 μm at a high frequency of 10 MHz or higher which substantially requires a shield effect. Also has a shield characteristic of 25 dB (magnetic field mode) or more, and the effect becomes greater as the frequency becomes higher. It should be noted that the coupling between the windings of the transformer is due to the AC magnetic field, and the data in FIG. 3 is also measured in the magnetic field mode.
It has been experimentally confirmed that even with the same non-magnetic stainless steel (SUS) metal foil of 50 μm, a shield performance of 40 dB or more including 10 MHz or less can be obtained when measured in an electric field mode. It is considered that an intermediate value between the magnetic field mode and the electric field mode has a substantial shield effect on the electromagnetic wave leaked from the cathode stem 20 which is intended to prevent the leakage now. It has a sufficient effect.

シールド膜28bの厚さは、昇圧トランス7とシールド
特性等の特性を考慮して決定されるが、シールド膜28
bでの損失を考慮して浸透深さδの1/10以下が一つの目
処と考えられる。
The thickness of the shield film 28b is determined in consideration of characteristics such as the step-up transformer 7 and shield characteristics.
Considering the loss at b, it is considered that one of the targets is 1/10 or less of the penetration depth δ.

以上の説明から理解されるように、前記説明の実施例の
構成によれば、シールドケース28はマグネトロンのカ
ソードステム20側からの高周波の漏洩防止機能を有
し、かつシールドケース28の壁面により分割された昇
圧トランス7もトランスとしての機能を完全に発揮す
る。
As can be understood from the above description, according to the configuration of the above-described embodiment, the shield case 28 has a function of preventing high-frequency leakage from the cathode stem 20 side of the magnetron, and is divided by the wall surface of the shield case 28. The boosted transformer 7 thus fully exerts its function as a transformer.

シールド膜28bに磁性体金属を使用すると、このシー
ルド膜28bは、コア7で形成される昇圧トランス6の
磁気回路の分流路(シャント回路)を形成し、磁気効率
が低下するため、非磁性体金属を使用することが望まし
い。しかし、銅(Cu)やアルミ(Al)に代表される
非磁性体の場合、固有抵抗ρ(Ω・m)も小さいため浸
透深さδも小さくなり、加工上の問題が生じる事も考慮
すべきであり、シールド膜28bの材料はこうした点を
総合して決められるべきである。
When a magnetic metal is used for the shield film 28b, the shield film 28b forms a shunt channel of the magnetic circuit of the step-up transformer 6 formed by the core 7, and the magnetic efficiency is reduced. It is desirable to use metal. However, in the case of a non-magnetic material typified by copper (Cu) or aluminum (Al), since the specific resistance ρ (Ω · m) is also small, the penetration depth δ is also small, and it is considered that processing problems occur. The material of the shield film 28b should be decided in consideration of these points.

又シールド膜28b以外のシールドケース28の壁面
も、昇圧トランス7からの磁気漏洩を少なくするため
に、非磁性体金属で構成するのが好ましい。
Further, the wall surfaces of the shield case 28 other than the shield film 28b are also preferably made of a non-magnetic metal in order to reduce magnetic leakage from the step-up transformer 7.

シールドケース28の壁面に設けられた通風孔28d
は、昇圧トランス7の2次側を冷却するためのもので、
シールドケース28の外側から冷却ファン2で強制空冷
する構成となっている。
Ventilation holes 28d provided on the wall surface of the shield case 28
Is for cooling the secondary side of the step-up transformer 7,
The cooling fan 2 is configured to perform forced air cooling from the outside of the shield case 28.

発明の効果 以上説明の通り本発明の高周波加熱装置によれば、次の
効果が得られる。
Effects of the Invention As described above, according to the high frequency heating device of the present invention, the following effects are obtained.

(1)マグネトロンのカソードステム側から漏洩するマイ
クロ波及び高周波電波雑音をシールドケース内にとじ込
める一方で、このシールドケース内に配置した昇圧トラ
ンスの2次側回路と外に配置した1次側回路が互いにト
ランスとして動作し、インバータで高周波化された電力
がマグネトロンに効率よく供給可能となる。
(1) Microwaves and high-frequency radio noise leaking from the cathode stem side of the magnetron can be confined in the shield case, while the secondary circuit of the step-up transformer arranged inside this shield case and the primary side circuit arranged outside. Operate as transformers with each other, and the power whose frequency is increased by the inverter can be efficiently supplied to the magnetron.

(2)その結果、従来マグネトロンのシールドケース内に
設けられていた、高周波の漏洩防止のためのインダクタ
ンスやキャパシタンスよりなるフィルター回路をなくす
ことができ、したがってこのフィルター回路により生じ
た電圧降下、電力ロスもなくなると共に、マグネトロン
の陽極電圧が4KV前後の高圧なために従来高耐圧で従っ
て高価なキャパシタンスやインダクタンスを省けること
で大巾なコストダウンも可能となる。
(2) As a result, it is possible to eliminate the filter circuit that was conventionally provided in the shield case of the magnetron and that consists of inductance and capacitance to prevent high-frequency leakage, and therefore the voltage drop and power loss caused by this filter circuit can be eliminated. Also, because the magnetron anode voltage is as high as around 4 KV, it has a high withstand voltage, so it is possible to save expensive capacitance and inductance, thereby greatly reducing costs.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の一実施例による高周波加熱装置の要部
断面、第2図は同高周波加熱装置の概略回路図、第3図
は本発明の原理を説明するためのもので、金属箔や塗料
膜の交流磁界に対するシールド特性を示す特性図、第4
図は、従来提案されている高周波加熱装置の要部断面図
である。 7……昇圧トランス、7p……1次側コア、 7s……2次側コア、28……シールドケース、 28a……フタ、28b……シールド膜。
FIG. 1 is a sectional view of a main part of a high-frequency heating apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic circuit diagram of the same high-frequency heating apparatus, and FIG. 3 is for explaining the principle of the present invention. Characteristic diagram showing the shielding characteristics of the paint film against the AC magnetic field, No. 4
FIG. 1 is a sectional view of a main part of a conventionally proposed high-frequency heating device. 7 ... Step-up transformer, 7p ... Primary core, 7s ... Secondary core, 28 ... Shield case, 28a ... Lid, 28b ... Shield film.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】マグネトロンと、高周波インバータ回路
と、この高周波インバータ回路の出力に接続される1次
巻線、前記マグネトロンの陽極電圧を供給する高圧2次
巻線、前記マグネトロンのカソード電圧を供給する低圧
2次巻線および前記1次巻線および前記高圧、低圧2次
巻線を巻回したコアからなる昇圧トランスと、前記マグ
ネトロンのカソードステム部を覆うシールドケースとか
らなり、このシールドケースの壁面の一部、又は全部は
前記高周波インバータ回路に使用される周波数における
浸透深さ以下の厚みを有する金属薄膜もしくは金属蒸着
膜からなるシールド膜及び誘電体材料からなる前記シー
ルド膜の構造支持体とからなり、この壁面部分によりシ
ールドケースの外と内に分割配置された前記昇圧トラン
スのコアを1次側コア、2次側コアとし、それぞれに前
記1次巻線と2次巻線を巻回した高周波加熱装置。
1. A magnetron, a high-frequency inverter circuit, a primary winding connected to the output of the high-frequency inverter circuit, a high-voltage secondary winding for supplying the anode voltage of the magnetron, and a cathode voltage of the magnetron. A step-up transformer including a core around which the low-voltage secondary winding, the primary winding, and the high-voltage and low-voltage secondary windings are wound, and a shield case that covers the cathode stem portion of the magnetron, and the wall surface of the shield case A part or all of the shield film made of a metal thin film or a metal vapor deposition film having a thickness not more than the penetration depth at the frequency used in the high frequency inverter circuit, and the structure support of the shield film made of a dielectric material. The wall of the step-up transformer, which is divided into the outside and the inside of the shield case, is connected to the primary side coil. , The secondary core, wherein each primary winding and the high-frequency heating apparatus winding a secondary winding.
【請求項2】シールド膜の材料を非磁性体金属とした特
許請求の範囲第1項記載の高周波加熱装置。
2. The high frequency heating apparatus according to claim 1, wherein the material of the shield film is a non-magnetic metal.
【請求項3】シールドケースは、その壁面をシールド膜
とその構造支持体以外は非磁性体金属板で構成された特
許請求の範囲第1項記載の高周波加熱装置。
3. The high frequency heating apparatus according to claim 1, wherein the shield case has a wall surface made of a non-magnetic metal plate except for the shield film and its structural support.
【請求項4】シールドケースは、その壁面のフタ部の全
部もしくは1部のみをシールド膜とその構造支持体とし
た特許請求の範囲第1項記載の高周波加熱装置。
4. A high-frequency heating apparatus according to claim 1, wherein the shield case has a shield film and a structural support thereof for all or only a part of the lid portion of the wall surface of the shield case.
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