JPH0646496B2 - Magnetic bubble memory device - Google Patents

Magnetic bubble memory device

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JPH0646496B2
JPH0646496B2 JP60080207A JP8020785A JPH0646496B2 JP H0646496 B2 JPH0646496 B2 JP H0646496B2 JP 60080207 A JP60080207 A JP 60080207A JP 8020785 A JP8020785 A JP 8020785A JP H0646496 B2 JPH0646496 B2 JP H0646496B2
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JP
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magnetic bubble
detector
magnetic
dummy
line
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JP60080207A
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久彌 慶田
実 広島
雅弘 箭内
裕則 近藤
浩 中▲ダイ▼
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ阻止に係わり、特に磁気的周
囲条件のアンバランスに起因する雑音(以下アンキヤン
セルノイズと称する)を軽減させた磁気バブル検出器の
構成に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to magnetic bubble memory prevention, and in particular, magnetic bubble detection with reduced noise (hereinafter referred to as "Ankyncell noise") resulting from imbalance of magnetic ambient conditions. It relates to the structure of the container.

〔発明の背景〕[Background of the Invention]

一般に磁気バブルメモリ装置において、磁気バブル検出
器は、磁気バブル情報を貯えたマイナループに結合され
るリードメジヤラインの終端部に設けられている。そし
て、この磁気バブル検出器は、リードメジヤラインから
転送されてきた磁気バブルを数百倍程度の長さのひも状
磁気バブルに拡張される複数本の磁気バブル拡大器と、
拡張された磁気バブルを検出するメイン検出器およびダ
ミー検出器からなる磁気バブル検出器とから構成されて
おり、これらのメイン検出器およびダミー検出器に定電
流を流すことにより、磁気バブルの有無を磁気抵抗効果
により電気信号に変換する機能を有している(特開昭5
5−1610号公報)。
Generally, in a magnetic bubble memory device, a magnetic bubble detector is provided at the end of a read media line connected to a minor loop storing magnetic bubble information. Then, this magnetic bubble detector is a plurality of magnetic bubble expanders for expanding the magnetic bubbles transferred from the read media line into a string-like magnetic bubble having a length of about several hundred times.
It consists of a main bubble detector that detects the expanded magnetic bubble and a magnetic bubble detector that consists of a dummy detector.The presence or absence of magnetic bubbles can be detected by applying a constant current to these main detector and dummy detector. It has a function of converting into an electric signal by the magnetoresistive effect (Japanese Patent Laid-Open No. Sho 5)
5-1610).

しかしながら、このように構成される磁気バブル検出器
は、磁気バブルの有無にかかわらず、メイン検出器およ
びダミー検出器には磁気バブルを駆動させる面内回転磁
界の影響を受けることになる。このためにメイン検出器
およびダミー検出器は全く同一パターンで形成され、か
つ同等の磁気抵抗効果を有して形成されているにもかか
わらず、回転磁界の影響によるノイズを完全にキヤンセ
ルしきれず、磁気抵抗の大きさに差が生じ、磁気バブル
が存在しない場合でも作動増幅器出力が必ずしも零とは
ならないアンキヤンセルノイズを発生させ、極端な場合
には比較用の基準電圧値以上となり、比較器が信号
“0”を出力すべきところを信号“1”を出力してしま
うという誤動作を発生させていた。特にこのようなアン
キヤンセルノイズの発生は、磁気バブル径が約2.0μ
m未満の磁気バブルメモリ素子において顕著に現われて
いた。また、このように構成される磁気バブル検出器を
磁気バブル径2.0μm未満の高密度磁気バブルメモリ
素子に適用すると、第6図に示すように飽和磁化4πM
sの増大に伴なうクロストークノイズNにこのアンキ
ヤンセルノイズNが重畳するため、総合ノイズNのレ
ベルをさらに増大するという問題があった。
However, in the magnetic bubble detector configured in this manner, the main detector and the dummy detector are affected by the in-plane rotating magnetic field that drives the magnetic bubble regardless of the presence or absence of the magnetic bubble. For this reason, the main detector and the dummy detector are formed in exactly the same pattern, and even though they are formed with an equivalent magnetoresistive effect, they cannot completely cancel the noise due to the influence of the rotating magnetic field. There is a difference in the magnitude of the magnetic resistance, and even when there is no magnetic bubble, the output of the operational amplifier does not always become zero, which causes un-cancelled noise.In extreme cases, the reference voltage value for comparison is exceeded, and the comparator This causes a malfunction of outputting the signal "1" where the signal "0" should be output. In particular, the occurrence of such un-cell noise is due to the magnetic bubble diameter of about 2.0μ.
It was remarkably shown in the magnetic bubble memory device of less than m. When the magnetic bubble detector constructed in this way is applied to a high density magnetic bubble memory device having a magnetic bubble diameter of less than 2.0 μm, the saturation magnetization is 4πM as shown in FIG.
There is a problem in that the level of the total noise N is further increased because the un- cancelled noise N 2 is superimposed on the crosstalk noise N 1 accompanying the increase of s.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明の目的は、アンキヤンセルノイズの発生を軽減さ
せS/N比の高い検出信号を得ることができる磁気バブ
ル検出器を備えた磁気バブルメモリ素子を提供すること
にある。
It is an object of the present invention to provide a magnetic bubble memory device equipped with a magnetic bubble detector capable of reducing the occurrence of unscanned cell noise and obtaining a detection signal with a high S / N ratio.

本発明の他の目的はクロストークノイズを含めた総合ノ
イズのレベルの発生を軽減させてS/N比の高い検出信
号を得ることができる磁気バブル検出消を備えた磁気バ
ブルメモリ素子を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device having magnetic bubble detection / erasing capable of obtaining a detection signal having a high S / N ratio by reducing the generation of the total noise level including crosstalk noise. Especially.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

本発明は、メイン拡大器11と同じ転送方向P、同じパ
ターンで構成されたダミー拡大器15を3段以上にした
もので、ダミー検出の環境をメイン検出の環境により近
付けることにより、第4図に示すように雑音Nの値を大
幅に低減したもので、本発明によれば、下記の磁気バブ
ルメモリ素子が提供される。
According to the present invention, the dummy expander 15 having the same transfer direction P and the same pattern as the main expander 11 has three or more stages, and the dummy detection environment is brought closer to the main detection environment. According to the present invention, the following magnetic bubble memory device is provided, in which the value of the noise N is greatly reduced as shown in FIG.

磁気バブル拡大器及び検出器における磁気バブルの転送
方向(P)の順に、 (a) 「く」の字状のパターンを複数個転送方向と直角方
向に並べた磁気バブル拡大器を複数段設けた磁気バブル
メイン拡大器と、 (b) 磁気バブルの有無を検出するメイン検出器ライン
(12)と、 (c) 磁気バブル消去器(13)と、 (d) 不要な磁気バブルの浸入を阻止するガードレール
(16)と、 (e) 上記メイン拡大器と同じ転送方法で同じパターンで
構成された拡大器を3段以上設けた磁気バブルダミー拡
大器(15)と、 (f) 上記メイン検出器ラインと同じパターンで構成され
たダミー検出器ライン(14)とを具備して成る磁気バ
ブルメモリ素子。
The magnetic bubble expander and the detector are provided with a plurality of magnetic bubble expanders in which (a) a plurality of V-shaped patterns are arranged in the transfer direction (P) order in the direction perpendicular to the transfer direction. Magnetic bubble main expander, (b) Main detector line (12) for detecting the presence or absence of magnetic bubbles, (c) Magnetic bubble eraser (13), (d) Preventing intrusion of unnecessary magnetic bubbles A guardrail (16), (e) a magnetic bubble dummy expander (15) having three or more expanders configured in the same pattern with the same transfer method as the main expander, and (f) the main detector line And a dummy detector line (14) configured in the same pattern as the above.

〔発明の実施例〕Example of Invention

次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一実施例
を説明するための平面構成図である。同図において、1
は情報を貯えるマイナループ、2は読み出し情報を転送
するリードメジヤライン、3は書き込み情報を転送する
ライトメジヤライン、4は磁気バブルを電気信号に変換
するセパレート形毎ビツト読み出し磁気バブル検出器、
5は情報をライトメジヤライン3上に書き込む磁気バブ
ル発生器、6はマイナループ1上の情報をリードメジヤ
ライン2上に複写するレプリケートゲート、7はライト
メジヤライン3上の情報とマイナループ1中の情報とを
入れ替えるスワツプゲート、8は外周部からの不要な磁
気バブルの侵入を阻止するためのガードレール、9はこ
れらの転送回路を外部回路と接続するためのボンデイン
グパツドである。
FIG. 1 is a plan configuration diagram for explaining one embodiment of a magnetic bubble memory device according to the present invention. In the figure, 1
Is a minor loop for storing information, 2 is a read media line for transferring read information, 3 is a write media line for transferring write information, 4 is a separate type bit read magnetic bubble detector for converting magnetic bubbles into electric signals,
5 is a magnetic bubble generator for writing information on the write media line 3, 6 is a replicate gate for copying the information on the minor loop 1 to the read media line 2, and 7 is information on the write media line 3 and the minor loop 1. Swap gates for exchanging information inside, 8 are guard rails for preventing invasion of unnecessary magnetic bubbles from the outer periphery, and 9 is a bonding pad for connecting these transfer circuits to an external circuit.

また、レプリケートゲート6、スワツプゲート7および
磁気バブル発生器5はパーマロイの転送パターンと特殊
な関係で配置された別層の導体に一定方向の電流を流す
か否かによつて制御され図中その導体部分は太い実線で
示しており、残りの細い実線はパーマロイの転送パター
ンを示している。
Further, the replicate gate 6, the swap gate 7 and the magnetic bubble generator 5 are controlled depending on whether or not a current in a fixed direction is passed through a conductor in another layer arranged in a special relationship with the permalloy transfer pattern, and the conductors in the figure are controlled. The portion is shown by a thick solid line, and the remaining thin solid line shows a permalloy transfer pattern.

第2図は第1図の磁気バブル検出器4を示す要部拡大平
面図である。同図において、磁気バブル検出器4はメイ
ン検出器4Aとダミー検出器4Bとから構成されてお
り、11はリードメジヤライン2から転送されてきた磁
気バブルをひも状磁気バブルに徐々に引き延ばす複数の
拡大器ラインからなる拡大器、12はひも状に引き延ば
された磁気バブルが矢印P方向に転送することにより磁
気バブルの有無を検出する厚膜形メイン検出器ライン、
13は磁気バブル消去器、14は厚膜形ダミー検出器ラ
イン、15はダミー拡大器であり、このダミー拡大器1
5は第1の拡大器ライン15a ,第2の拡大器ライン15b
および第3の拡大器ライン15c の3段の拡大器ラインで
構成されている。なお、16は第1図に示したガードレ
ール8のラインである。
FIG. 2 is an enlarged plan view of an essential part showing the magnetic bubble detector 4 of FIG. In the figure, the magnetic bubble detector 4 is composed of a main detector 4A and a dummy detector 4B. Reference numeral 11 is a plurality of magnetic bubbles transferred from the read media line 2 and gradually extended to a string-like magnetic bubble. , A thick film type main detector line 12 for detecting the presence or absence of magnetic bubbles by transferring the magnetic bubbles stretched in a string shape in the direction of arrow P.
Reference numeral 13 is a magnetic bubble eraser, 14 is a thick film type dummy detector line, and 15 is a dummy expander.
5 is the first expander line 15a and the second expander line 15b
And a third expander line 15c, which is a three-stage expander line. In addition, 16 is a line of the guardrail 8 shown in FIG.

このように構成されるセパレート形毎ビツト読み出し磁
気バブル検出器4において、ダミー検出器ライン14の
磁気バブル転送方向Pと逆側のダミー拡大器15の段数
を3段としたことにより、ダミー検出器ライン14の磁
気的周囲条件がメイン検出器ライン12の磁気的周囲条
件に近づくので、アンキヤンセルノイズを低減すること
ができる。
In the separate type bit read magnetic bubble detector 4 configured as described above, the number of stages of the dummy expander 15 on the side opposite to the magnetic bubble transfer direction P of the dummy detector line 14 is set to three, so that the dummy detector Since the magnetic ambient conditions of line 14 approach the magnetic ambient conditions of main detector line 12, anxencell noise can be reduced.

第3図は前述した磁気バブル検出器4を磁気バブル径
1.85μmの磁気バブルメモリ素子に適用した場合の
信号電圧を従来と比較して示したものであり、同図にお
いて、Sは信号出力、Nはアンキヤンセルノイズとクロ
ストークノイズとを含む総合ノイズを示す。同図から明
らかなように本発明による磁気バブル検出器4は従来に
比べて総合ノイズNのレベルを約2/3程度まで低減さ
せることができた。
FIG. 3 shows a signal voltage when the above-mentioned magnetic bubble detector 4 is applied to a magnetic bubble memory device having a magnetic bubble diameter of 1.85 μm in comparison with a conventional one. In FIG. 3, S is a signal output. , N represents the total noise including the Ancyan cell noise and the crosstalk noise. As is clear from the figure, the magnetic bubble detector 4 according to the present invention was able to reduce the level of the total noise N to about 2/3 as compared with the conventional one.

第4図は本発明の他の実施例を説明するための図であ
る。同図においては、第2図で示したダミー拡大器15
の段数を3段から4段、5段、6段と12段まで増大さ
せた場合の総合ノイズNのレベルの低減する様子を示し
たものである。同図から明らかなようにダミー拡大器1
5の段数を増大させることにより、ダミー検出器ライン
14の磁気的周囲条件がメイン検出器ライン12にさら
に近づくので、ノイズレベルを漸近的に低減することが
できた。
FIG. 4 is a diagram for explaining another embodiment of the present invention. In the figure, the dummy expander 15 shown in FIG.
4 shows how the level of the total noise N is reduced when the number of stages is increased from 3 to 4, 5, 6, and 12. As is clear from the figure, the dummy expander 1
By increasing the number of stages of 5, the magnetic ambient condition of the dummy detector line 14 was brought closer to the main detector line 12, so that the noise level could be reduced asymptotically.

第5図は本発明を薄膜形磁気バブル検出器に適用した他
の実施例を示す要部拡大平面図であり、前述の図と同一
部分は同一符号を付してある。同図において、メイン検
出器ライン12′およびダミー検出器ライン14′は薄
膜形のパーマロイパターンで形成されており、この薄膜
形ダミー検出器ライン14′の磁気バブル転送方向Pと
逆側に3段のダミー拡大器ライン15a ,15b ,15c から
なるダミー拡大器15が配設されている。
FIG. 5 is an enlarged plan view of an essential part showing another embodiment in which the present invention is applied to a thin film magnetic bubble detector, and the same parts as those in the above-mentioned drawings are designated by the same reference numerals. In the figure, the main detector line 12 'and the dummy detector line 14' are formed in a thin film type permalloy pattern, and the thin film type dummy detector line 14 'has three stages on the side opposite to the magnetic bubble transfer direction P. The dummy expander 15 including the dummy expander lines 15a, 15b, and 15c is provided.

このような構成においても前述した厚膜形磁気バブル検
出器と全く同様の作用効果が得られる。また、このダミ
ー拡大器15の構成段数を3段以上とすることによつて
もダミー検出器ライン14′の磁気的周囲条件がメイン
検出器ライン12′に近似するので、前述と全く同様の
効果が得られる。
Even with such a configuration, the same operational effects as those of the thick film type magnetic bubble detector described above can be obtained. Even if the number of stages of the dummy expander 15 is three or more, the magnetic ambient condition of the dummy detector line 14 'approximates to that of the main detector line 12'. Is obtained.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明によれば、アンキヤンセルノ
イズおよびクロストークノイズを含めた総合ノイズの発
生を軽減させてS/N比の高い検出信号が得られるの
で、品質,信頼性の高い磁気バブルメモリ素子が実現で
きるという極めて優れた効果が得られる。
As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a detection signal having a high S / N ratio by reducing the generation of the total noise including the Ankyan cell noise and the crosstalk noise. An extremely excellent effect that a memory device can be realized is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一実施例
を示す平面構成図、第2図は第1の磁気バブル検出器を
示す要部拡大平面図、第3図は従来および本発明による
磁気バブル検出器の出力信号を示す図、第4図はダミー
拡大器の段数の増加に対するノイズの低減状態を示す
図、第5図は本発明の他の実施例を示す磁気バブル検出
器の要部拡大平面図、第6図は検出信号電圧の磁気バブ
ル径依存性を示す図である。 2……リードメジヤライン、4……磁気バブル検出器、
4A……メイン検出器、4B……ダミー検出器、11…
…拡大器、12……厚膜形メイン検出器ライン、12′
……薄膜形メイン検出器ライン、13……磁気バブル消
去器、14……厚膜形ダミー検出器ライン、14′……
薄膜形ダミー検出器ライン、15……ダミー拡大器、15
a ,15b ,15c ……拡大器ライン、16……ガードレー
ルライン。
FIG. 1 is a plan configuration diagram showing an embodiment of a magnetic bubble memory device according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged plan view of an essential portion showing a first magnetic bubble detector, and FIG. FIG. 4 is a diagram showing an output signal of a bubble detector, FIG. 4 is a diagram showing a noise reduction state with an increase in the number of stages of a dummy expander, and FIG. 5 is a main part of a magnetic bubble detector showing another embodiment of the present invention. FIG. 6 is an enlarged plan view showing the dependence of the detection signal voltage on the magnetic bubble diameter. 2 ... Read media line, 4 ... Magnetic bubble detector,
4A ... main detector, 4B ... dummy detector, 11 ...
… Expander, 12 …… Thick film type main detector line, 12 ′
...... Thin film type main detector line, 13 ...... Magnetic bubble eraser, 14 ...... Thick film type dummy detector line, 14 '......
Thin-film dummy detector line, 15 ... Dummy expander, 15
a, 15b, 15c …… Expander line, 16 …… Guardrail line.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 箭内 雅弘 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 近藤 裕則 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 中▲だい▼ 浩 東京都小平市上水本町1479番地 日立マイ クロコンピユータエンジニアリング株式会 社内 (56)参考文献 米国特許4300209(US,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Masahiro Yanai 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Hitachi Mobara factory (72) Inventor Hironori Kondo 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Hitachi Ltd. Mobara factory (72) Inventor Nakadai Dai Hiro 1479, Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo In-house Hitachi Micro Computer Computer Co., Ltd. (56) Reference US Patent 4300209 (US, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】磁気バブルの拡大器及び検出器を備えた磁
気バブルメモリ素子であって、上記拡大器及び検出器に
おける磁気バブルの転送方向(P)の順に、 (a) 「く」の字状のパターンを複数個転送方向と直角方
向に並べた磁気バブル拡大器を複数段設けた磁気バブル
メイン拡大器と、 (b) 磁気バブルの有無を検出するメイン検出器ライン
(12)と、 (c) 磁気バブル消去器(13)と、 (d) 不要な磁気バブルの浸入を阻止するガードレール
(16)と、 (e) 上記メイン拡大器と同じ転送方向で同じパターンで
構成された拡大器を3段以上設けた磁気バブルダミー拡
大器と(15)と、 (f) 上記メイン検出器ラインと同じパターンで構成され
たダミー検出器ライン(14)と、 を具備して成ることを特徴とする磁気バブルメモリ素
子。
1. A magnetic bubble memory device comprising a magnetic bubble magnifier and a detector, wherein the magnetic bubble transfer direction (P) in the magnifier and the detector is in the order of: A magnetic bubble main expander provided with a plurality of magnetic bubble expanders in which a plurality of circular patterns are arranged in a direction perpendicular to the transfer direction; (b) a main detector line (12) for detecting the presence or absence of magnetic bubbles; c) a magnetic bubble erasing device (13), (d) a guardrail (16) for preventing invasion of unnecessary magnetic bubbles, and (e) an expander configured with the same transfer direction and the same pattern as the main expander described above. A magnetic bubble dummy expander provided in three or more stages (15); and (f) a dummy detector line (14) configured in the same pattern as the main detector line. Magnetic bubble memory device.
JP60080207A 1985-04-17 1985-04-17 Magnetic bubble memory device Expired - Lifetime JPH0646496B2 (en)

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JPS61239489A JPS61239489A (en) 1986-10-24
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4300209A (en) 1980-06-27 1981-11-10 Intel Magnetics, Inc. Method for adjusting signal level output from a magnetic bubble detector

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4300209A (en) 1980-06-27 1981-11-10 Intel Magnetics, Inc. Method for adjusting signal level output from a magnetic bubble detector

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