JPH0640438B2 - Magnetic bubble memory device - Google Patents
Magnetic bubble memory deviceInfo
- Publication number
- JPH0640438B2 JPH0640438B2 JP58030732A JP3073283A JPH0640438B2 JP H0640438 B2 JPH0640438 B2 JP H0640438B2 JP 58030732 A JP58030732 A JP 58030732A JP 3073283 A JP3073283 A JP 3073283A JP H0640438 B2 JPH0640438 B2 JP H0640438B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- guard rail
- minor loop
- write
- magnetic bubble
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ素子に関するものであり、さ
らに詳しくは、メモリ素子の長期動作信頼性の改良に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic bubble memory device, and more particularly to improving long-term operation reliability of a memory device.
第１図は、磁気バブルメモリ素子の構成の一例を示す。
同図においてｍは情報を貯えるマイナループ、ＲＬは読
み出し情報を転送するリードライン、ＷＬは書き込み情
報を転送するライトライン、Ｄは磁気バブルを電気信号
に変換するバブル検出器、Ｇは磁気バブルを書き込むバ
ブル発生器、Ｒはマイナループｍの情報をリードライン
ＲＬへ複写するレプリケートゲート、Ｓはライトライン
ＷＬ上の情報とマイナループｍ中の情報を入れ替えるス
ワツプゲートである。ＧＲはガードレールであり、外部
からの磁気バブルの侵入を防止する。ＢＰはボンデイン
グパツドである。磁気バブルメモリチツプはこのような
基本要素で構成されている。FIG. 1 shows an example of the configuration of a magnetic bubble memory device.
In the figure, m is a minor loop for storing information, RL is a read line for transferring read information, WL is a write line for transferring write information, D is a bubble detector for converting magnetic bubbles into electric signals, and G is for writing magnetic bubbles. A bubble generator, R is a replicated gate for copying the information of the minor loop m to the read line RL, and S is a swap gate for exchanging the information on the write line WL and the information in the minor loop m. GR is a guardrail, which prevents magnetic bubbles from entering from the outside. BP is a bonding pad. The magnetic bubble memory chip is composed of such basic elements.
第２図は、本発明に係わる部分である第１図に示したａ
〜ｃ部の部分、すなわち、ガードレールＧＲとリードラ
インＲＬの中間部（第２図(a)）、ガードレールＧＲと
マイナループｍの中間部（第２図(b)）、ガードレール
ＧＲとライトラインＷＬの中間部（第２図(c)）の各部
分を示す。FIG. 2 shows a part shown in FIG. 1 which is a portion related to the present invention.
The portion of ~ c, that is, the intermediate portion between the guard rail GR and the lead line RL (Fig. 2 (a)), the intermediate portion between the guard rail GR and the minor loop m (Fig. 2 (b)), the guard rail GR and the write line WL. Each part of the intermediate portion (Fig. 2 (c)) is shown.
同図において、ｄは前記各中間部に生じた欠陥部を示
す。この欠陥部ｄは、磁気バブルを湧き出す欠陥である
場合がある。この場合、欠陥部ｄから湧き出した磁気バ
ブルは、長期動作の間にあちこち迷走した後、ガードレ
ールＧＲへたどりつき、ガードレールＧＲの外へ掃き出
されるなら問題ないが、迷走の結果、リードラインＲ
Ｌ、マイナループｍ、あるいはライトラインＷＬ等へ飛
び込む場合がある。この場合、メモリ素子は誤動作する
ことになる。In the figure, d indicates a defective portion generated in each of the intermediate portions. This defect portion d may be a defect that causes a magnetic bubble to spring out. In this case, the magnetic bubble spouting from the defective portion d strays around during the long-term operation and then reaches the guardrail GR and is swept out of the guardrail GR, but as a result of the stray, the lead line R
There is a case of jumping into L, the minor loop m, or the write line WL. In this case, the memory element will malfunction.
そして、このような誤動作は、通常のメモリ動作テスト
では簡単に検出できない。And such a malfunction cannot be easily detected by a normal memory operation test.
したがつて本発明の目的は、このような誤動作を防止し
た磁気バブルメモリ素子を提供しようとするものであ
る。Therefore, an object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device that prevents such malfunction.
上記の目的を達成するために、本発明による磁気バブル
メモリ素子では、複数個の磁気バブル転送路を、ガード
レールとリードライン，マイナループ，ライトライン等
との中間部に備けた点に特徴がある。In order to achieve the above object, the magnetic bubble memory device according to the present invention is characterized in that a plurality of magnetic bubble transfer paths are provided in an intermediate portion between a guard rail and a read line, a minor loop, a write line or the like.
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples.
第３図は、本発明による磁気バブルメモリ素子の一実施
例の要部拡大図であり、本発明を、ガードレールＧＲと
リードラインＲＬの中間部に適用した例を示す。同図に
おいて、第２図と同じ信号は同じものを示す。FIG. 3 is an enlarged view of a main part of an embodiment of a magnetic bubble memory device according to the present invention, showing an example in which the present invention is applied to an intermediate part between a guard rail GR and a lead line RL. In the figure, the same signals as in FIG. 2 indicate the same things.
ＧＬは本発明を特徴づける複数個の磁気バブル転送路と
してのガードラインである。このガードラインＧＬはリ
ードラインＲＬからガードレールＧＲへと続く転送路を
形成している。ガードラインＧＬの磁気バブル転送方向
はガードレールＧＲへ磁気バブルを運ぶ方向である。GL is a guard line as a plurality of magnetic bubble transfer paths that characterize the present invention. The guard line GL forms a transfer path extending from the read line RL to the guard rail GR. The magnetic bubble transfer direction of the guard line GL is the direction of carrying the magnetic bubble to the guard rail GR.
いま、中間部の欠陥部ｄから磁気バブルが湧き出してき
た場合、この磁気バブルは、ガードラインＧＬによつ
て、矢印ＰのようにガードレールＧＲへと運ばれ、この
ガードレールＧＲの外へ掃き出されることになる。この
ため、前記したような誤動作を防止することができる。Now, when a magnetic bubble comes out from the defective part d in the middle part, this magnetic bubble is carried to the guard rail GR by the guard line GL as shown by an arrow P and is swept out of this guard rail GR. It will be. Therefore, the above-mentioned malfunction can be prevented.
以上の実施例は本発明をガイドレールＧＲとリードライ
ンＲＬの中間部に適用した場合であるが、同様にマイナ
ループｍとガードレールＧＲの中間部、あるいはライト
ラインＷＬとガードレールＧＲの中間部に対しても全く
同様に適用することができる。また、上の説明では、磁
気バブル転送路にシエブロンパタンを用いた例を示した
が、他の転送パタンに対しても本発明は全く同様に適用
できる。The above embodiment is a case where the present invention is applied to the intermediate portion between the guide rail GR and the lead line RL. Similarly, with respect to the intermediate portion between the minor loop m and the guard rail GR or the intermediate portion between the write line WL and the guard rail GR. Can be applied in exactly the same way. Further, in the above description, an example in which the Sieblon pattern is used for the magnetic bubble transfer path is shown, but the present invention can be applied to other transfer patterns in exactly the same manner.
以上説明したように本発明によれば、複数個の磁気バブ
ル転送路を、ガードレールとリードライン、マイナルー
プ、ライトライン等の中間部に備けたことにより、誤動
作のない信頼性の高い磁気バブルメモリ素子を提供する
ことができる。As described above, according to the present invention, a plurality of magnetic bubble transfer paths are provided in the middle portion of the guard rail, the read line, the minor loop, the write line, etc., so that a highly reliable magnetic bubble memory device free from malfunctions is provided. Can be provided.
第１図は一般の磁気バブルメモリ素子の構成図、第２図
(a)〜(c)は第１図のａ〜ｃ部の拡大図、第３図は本発明
による磁気バブルメモリ素子の一実施例の要部拡大図で
ある。 ＧＲ……ガードレール、ＷＬ……ライトライン、ＲＬ…
…リードライン、ｍ……マイナループ、ＧＬ……ガード
ライン。FIG. 1 is a block diagram of a general magnetic bubble memory device, and FIG.
1 (a) to (c) are enlarged views of parts a to c in FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged view of essential parts of an embodiment of a magnetic bubble memory device according to the present invention. GR ... Guardrail, WL ... Light line, RL ...
… Lead line, m… Minor loop, GL… Guard line.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 箭内 雅弘 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭58−6580（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−3488（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−77036（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Masahiro Yanai 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Hitachi Ltd. Mobara factory (56) Reference JP 58-6580 (JP, A) JP 56-3488 (JP, A) JP-A-54-77036 (JP, A)
Claims (1)
と、書き込み情報を転送するライトラインＷＬと、
上記ライトラインの一方の端部に結合されたバブル発生
器Ｇと、上記マイナーループに蓄えられた情報と上記
ライトラインに転送される書き込み情報とを上記マイナ
ーループの下側で入れ替えるスワップゲートＳと、読
み出し情報を転送するリードラインＲＬと、上記リー
ドラインの一方の端部に結合されたバブル検出器Ｄと、
上記マイナーループに蓄えられた情報を上記マイナー
ループの上側で上記リードラインへ複写するレプリケー
トゲートＲと、上記〜の機能素子を囲み、外側か
らの磁気バブルの侵入を防止し内側の不要バブルを外側
に掃き出すガードレールＧＲと、上記ガードレール
と、それぞれ、上記マイナーループの左側及び右側、上
記ライトライン並びに上記リードラインとの間に、転送
方向が上記ガードレールに向かうよう配置され、上記ガ
ードレールとは異なる形状の複数の補助転送路ＧＬとを
具備して成ることを特徴とする磁気バブルメモリ素子。1. A plurality of minor loops m for storing information
And a write line WL for transferring write information,
A bubble generator G coupled to one end of the write line, and a swap gate S for exchanging information stored in the minor loop and write information transferred to the write line under the minor loop. A read line RL for transferring read information and a bubble detector D coupled to one end of the read line,
The replicated gate R that copies the information stored in the minor loop to the lead line on the upper side of the minor loop and the functional elements of to are surrounded to prevent the invasion of magnetic bubbles from the outside and the unnecessary bubbles inside to the outside. Between the guard rail GR and the guard rail that are swept out to the left and right sides of the minor loop, the write line and the read line, respectively, so that the transfer direction is toward the guard rail, and have a shape different from that of the guard rail. A magnetic bubble memory device comprising a plurality of auxiliary transfer paths GL.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030732A JPH0640438B2 (en) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030732A JPH0640438B2 (en) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | Magnetic bubble memory device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59157890A JPS59157890A (en) | 1984-09-07 |
| JPH0640438B2 true JPH0640438B2 (en) | 1994-05-25 |
Family
ID=12311839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58030732A Expired - Lifetime JPH0640438B2 (en) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | Magnetic bubble memory device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640438B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6375435B2 (en) | 1999-02-17 | 2002-04-23 | Coltec Industries Inc | Static cam seal for variable displacement vane pump |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5477036A (en) * | 1977-12-02 | 1979-06-20 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble generator |
| JPS5911984B2 (en) * | 1979-06-19 | 1984-03-19 | 富士通株式会社 | magnetic bubble memory device |
| JPS586580A (en) * | 1981-07-03 | 1983-01-14 | Nec Corp | Magnetic bubble memory element |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP58030732A patent/JPH0640438B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59157890A (en) | 1984-09-07 |
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