JPH0636965A - Thick film capacitor and its capacitance adjusting method - Google Patents
Thick film capacitor and its capacitance adjusting methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、各種の通信機器、或い
は、その他各種電子機器等に利用可能な厚膜コンデンサ
及びその容量（静電容量）調整方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thick film capacitor that can be used in various communication devices or other various electronic devices, and a capacitance (electrostatic capacitance) adjusting method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４は、従来例の説明図であり、図４Ａ
は厚膜コンデンサの断面図、図４Ｂは容量調整後の断面
図を示す。図３中、１は絶縁基板（例えばアルミナ）、
２、４は電極、３は誘電体層、５は容量調整部を示す。2. Description of the Related Art FIG. 4 is an explanatory view of a conventional example.
Shows a sectional view of the thick film capacitor, and FIG. 4B shows a sectional view after the capacitance adjustment. In FIG. 3, 1 is an insulating substrate (for example, alumina),
Reference numerals 2 and 4 are electrodes, 3 is a dielectric layer, and 5 is a capacitance adjusting section.
【０００３】従来、絶縁基板上に、厚膜電極と誘電体層
とを形成して厚膜コンデンサを作製することが知られて
いた。例えば図４Ａに示したように、絶縁基板１上に、
電極（厚膜電極）２を設け、その上に誘電体層３を設
け、更にその上に電極（厚膜電極）４を設けて厚膜コン
デンサとする。It has been conventionally known to form a thick film capacitor by forming a thick film electrode and a dielectric layer on an insulating substrate. For example, as shown in FIG. 4A, on the insulating substrate 1,
An electrode (thick film electrode) 2 is provided, a dielectric layer 3 is provided thereon, and an electrode (thick film electrode) 4 is further provided thereon to form a thick film capacitor.
【０００４】この様な厚膜コンデンサは、一般的に容量
のバラツキがある。そこで従来は、図４Ｂに示したよう
に、上部（表面）の電極４の一部に設定した容量調整部
５を、例えば、レーザ光線で焼き飛ばすことにより容量
調整（電極の面積を小さくして容量調整）していた。Such thick film capacitors generally have variations in capacitance. Therefore, conventionally, as shown in FIG. 4B, the capacitance adjustment section 5 set on a part of the upper (front) electrode 4 is burned off by, for example, a laser beam to adjust the capacitance (reduce the area of the electrode). I was adjusting the capacity.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。 (1) 厚膜コンデンサの容量を大きくするためには、誘電
体層３の材料として、誘電率の高い材料（高誘電体材
料）を用いる必要がある。ところが一般的に、誘電率の
高い材料（高誘電体材料）は、耐熱性が良くない。SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned conventional devices have the following problems. (1) In order to increase the capacitance of the thick film capacitor, it is necessary to use a material having a high dielectric constant (high dielectric material) as the material of the dielectric layer 3. However, in general, a material having a high dielectric constant (high dielectric material) does not have good heat resistance.
【０００６】従って、上記のように、レーザ光線により
容量調整すると、不良品となることもある。 (2) 誘電体層３を、なるべく劣化させないで、電極のみ
を削るようにするのは、極めて困難な作業であり、手間
もかかる。Therefore, if the capacity is adjusted by the laser beam as described above, the product may be defective. (2) It is extremely difficult and time-consuming to remove only the electrode without degrading the dielectric layer 3 as much as possible.
【０００７】(3) 上記の容量調整は、電極の面積を小さ
くすることによって、調整している。ところが、誘電体
層３が誘電率の高い材料（高誘電体材料）の場合、容量
調整する電極の面積を正確に設定しないと、正確な容量
調整が困難である。(3) The above capacitance adjustment is performed by reducing the area of the electrode. However, when the dielectric layer 3 is made of a material having a high dielectric constant (high dielectric material), accurate capacitance adjustment is difficult unless the area of the electrode for capacitance adjustment is set accurately.
【０００８】本発明は、このような従来の課題を解決
し、厚膜コンデンサの容量調整が、容易、かつ高精度で
出来るようにすると共に、製品の歩留りを改善すること
を目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve such a conventional problem, to make it possible to easily and accurately adjust the capacitance of a thick film capacitor, and to improve the yield of products.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図であり、図１中、図４と同じものは、同一符号で示し
てある。また、６は高誘電体層（誘電率ε1 ）、７は低
誘電体層（誘電率ε2）、８は第３の電極を示す。FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the present invention. In FIG. 1, the same parts as those in FIG. 4 are designated by the same reference numerals. Further, 6 is a high dielectric layer (dielectric constant ε 1 ), 7 is a low dielectric layer (dielectric constant ε 2 ), and 8 is a third electrode.
【００１０】本発明は上記の課題を解決するため、次の
ように構成した。 (1) 絶縁基板１上に、両側（積層方向の両側）を電極
２、４、８で挟んだ誘電体層６、７を、複数層設定した
厚膜コンデンサであって、上記誘電体層の内、最上層の
誘電体層を、低誘電率材料（誘電率ε2 ）からなる低誘
電体層７で構成すると共に、それ以外の内部の誘電体層
を、高誘電率材料（誘電率ε1 ）からなる高誘電体層６
で構成し（ただし、ε1 ＞ε2 ）、上記低誘電体層７の
上に設定した表面の電極８の一部に、静電容量調整用の
容量調整部５を設定した。In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration. (1) A thick film capacitor in which a plurality of dielectric layers 6 and 7 having both sides (both sides in the stacking direction) sandwiched by electrodes 2, 4 and 8 on an insulating substrate 1 are provided. Of these, the uppermost dielectric layer is composed of a low dielectric layer 7 made of a low dielectric constant material (dielectric constant ε 2 ), and the other internal dielectric layers are made of a high dielectric constant material (dielectric constant ε 2). High dielectric layer 6 consisting of 1 )
(Provided that ε 1 > ε 2 ) and a part of the electrode 8 on the surface set on the low dielectric layer 7 was provided with a capacitance adjusting part 5 for capacitance adjustment.
【００１１】(2) 絶縁基板１上に、第１の電極２を設
け、この第１の電極２上に、高誘電率材料（誘電率
ε1 ）からなる高誘電体層６及び、低誘電率材料（誘電
率ε2 ）からなる低誘電体層７とを設け（ただし、ε1
＞ε2 ）、更にその上に、上記高誘電体層６及び低誘電
体層７を覆うようにして、第２の電極４を設け、上記低
誘電体層７の上に位置する第２の電極４の一部に、静電
容量調整用の容量調整部５を設定して厚膜コンデンサと
した。(2) A first electrode 2 is provided on an insulating substrate 1, and a high dielectric layer 6 made of a high dielectric constant material (dielectric constant ε 1 ) and a low dielectric constant are provided on the first electrode 2. And a low dielectric layer 7 made of a dielectric material (dielectric constant ε 2 ) (provided that ε 1
> Ε 2 ) and a second electrode 4 is further provided thereon so as to cover the high dielectric layer 6 and the low dielectric layer 7, and the second electrode 4 located on the low dielectric layer 7 is provided. A capacitance adjusting unit 5 for capacitance adjustment was set on a part of the electrode 4 to form a thick film capacitor.
【００１２】(3) 構成（１）の厚膜コンデンサの容量調
整を行う際、容量調整部５を加工して、表面の電極８の
面積を変化させることにより、静電容量を調整する。 (4) 構成（２）の厚膜コンデンサの容量調整を行う際、
容量調整部５を加工して、第２の電極４の面積を変化さ
せることにより、静電容量を調整する。(3) When the capacitance of the thick film capacitor of the configuration (1) is adjusted, the capacitance adjusting portion 5 is processed to change the area of the electrode 8 on the surface to adjust the capacitance. (4) When adjusting the capacitance of the thick film capacitor of configuration (2),
By processing the capacitance adjusting portion 5 and changing the area of the second electrode 4, the capacitance is adjusted.
【００１３】[0013]
【作用】上記構成に基づく本発明の作用を、図１に基づ
いて説明する。 (1) 図１Ａに示した厚膜コンデンサにおいては、低誘電
体層の上に設けた第３の電極８の一部に、容量調整部５
を設定し、この部分で容量調整する。The operation of the present invention based on the above configuration will be described with reference to FIG. (1) In the thick film capacitor shown in FIG. 1A, the capacitance adjusting section 5 is provided in a part of the third electrode 8 provided on the low dielectric layer.
Set, and adjust the capacity in this part.
【００１４】例えば、容量調整部５をレーザ光線で焼き
飛ばし、第３の電極８の面積を小さくすることにより、
コンデンサ（低誘電体層７と、その両側の電極４、８で
構成される小容量のコンデンサ）の容量を小さくする。
その結果、合成容量が小さくなり、静電容量の調整が出
来る。For example, by burning off the capacitance adjusting section 5 with a laser beam to reduce the area of the third electrode 8,
The capacitance of the capacitor (small-capacity capacitor composed of the low dielectric layer 7 and the electrodes 4 and 8 on both sides thereof) is reduced.
As a result, the combined capacitance becomes smaller and the electrostatic capacitance can be adjusted.
【００１５】(2) 図１Ｂに示した厚膜コンデンサにおい
ては、低誘電体層の上に位置する第２の電極４の一部
に、容量調整部５を設定し、この部分で容量調整する。
例えば、容量調整部５をレーザ光線で焼き飛ばし、該第
２の電極４の面積を小さくすることにより、コンデンサ
2 （低誘電体層７と、その両側の電極２、４で構成され
る小容量のコンデンサ）の容量を小さくする。その結
果、合成容量が小さくなり、容量調整（静電容量の調
整）が出来る。(2) In the thick film capacitor shown in FIG. 1B, the capacitance adjusting section 5 is set in a part of the second electrode 4 located on the low dielectric layer, and the capacitance is adjusted in this part. .
For example, the capacitance adjusting unit 5 is burnt off with a laser beam to reduce the area of the second electrode 4 to reduce the capacitance of the capacitor.
2 The capacitance of the low-dielectric layer 7 and the small-capacity capacitors composed of the electrodes 2 and 4 on both sides thereof is reduced. As a result, the combined capacitance becomes smaller and the capacitance can be adjusted (adjustment of the electrostatic capacitance).
【００１６】そして、上記（１）、（２）の低誘電体層
７は、耐熱性の優れた材料を選定することが可能である
から、例えば、レーザ光線により、電極の容量調整部を
焼き飛ばしてトリミングしても、誘電体層が劣化しな
い。従って、製品の歩留りも向上する。Since it is possible to select a material having excellent heat resistance for the low dielectric layer 7 of the above (1) and (2), for example, a laser beam is used to burn the capacitance adjusting portion of the electrode. The dielectric layer does not deteriorate even if it is skipped and trimmed. Therefore, the product yield is also improved.
【００１７】また、容量調整する部分のコンデンサは、
低誘電体層で構成された容量の小さいコンデンサである
から、高精度の容量調整が出来る。The capacitor for adjusting the capacitance is
Since it is a capacitor with a small capacitance composed of a low dielectric layer, it is possible to adjust the capacitance with high accuracy.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。 （第１実施例の説明）図２は、本発明の第１実施例の厚
膜コンデンサ（断面図）を示した図であり、図２Ａは例
１、図２Ｂは例２を示す。図２中、図１、及び図４と同
じものは、同一符号で示してある。また、９は第１の端
子、１０は第２の端子を示す。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Explanation of the First Embodiment) FIG. 2 is a diagram showing a thick film capacitor (cross-sectional view) of the first embodiment of the present invention. FIG. 2A shows the first embodiment, and FIG. 2B shows the second embodiment. 2, the same parts as those in FIGS. 1 and 4 are designated by the same reference numerals. Further, 9 indicates a first terminal and 10 indicates a second terminal.
【００１９】（例１の説明）・・・図２Ａ参照 この厚膜コンデンサは、絶縁基板１上に第１の電極２を
形成し、その上に高誘電体層（誘電率ε1 ）６を形成
し、該高誘電体層６の上に第２の電極４を形成すると共
に、第２の電極４の上に、低誘電体層（誘電率ε2 ）を
形成し（ただし、ε1 ＞ε2 ）、この低誘電体層７の上
に第３の電極８を形成したものである。(Explanation of Example 1) See FIG. 2A. In this thick film capacitor, a first electrode 2 is formed on an insulating substrate 1, and a high dielectric layer (dielectric constant ε 1 ) 6 is formed thereon. And a second electrode 4 is formed on the high dielectric layer 6 and a low dielectric layer (dielectric constant ε 2 ) is formed on the second electrode 4 (where ε 1 >). ε 2 ), and the third electrode 8 is formed on the low dielectric layer 7.
【００２０】また、第２の電極４の一端を、絶縁基板１
上に延長して形成し、第１の端子９とし、第３の電極８
の一端を絶縁基板１上に延長して形成し、第２の端子１
０とする。Further, one end of the second electrode 4 is connected to the insulating substrate 1
The first electrode 9 is formed by being extended upward to form the third electrode 8
One end of the second terminal 1 is formed by extending it over the insulating substrate 1.
Set to 0.
【００２１】この場合、絶縁基板１は、アルミナ等の材
料を用いる。また、第１乃至第３の電極２、４、８はＡ
ｕ、銀−パラジゥム、或いはその他の導電材料を用い、
例えば、印刷（ペーストの印刷）により、厚膜電極とし
て形成する。In this case, the insulating substrate 1 is made of a material such as alumina. Also, the first to third electrodes 2, 4, and 8 are A
u, silver-palladium, or other conductive material,
For example, it is formed as a thick film electrode by printing (printing of paste).
【００２２】また、高誘電体層６は、例えば、ＢａＴｉ
Ｏ3 、ＰｂＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3、ＴｉＯ2 等の材料
を骨材として、ガラス材料と複合化した誘電体材料を用
い、その誘電率ε1 は、例えば、ε1 ≧１０に設定す
る。The high dielectric layer 6 is made of, for example, BaTi.
A dielectric material compounded with a glass material is used with a material such as O 3 , PbTiO 3 , SrTiO 3 , or TiO 2 as an aggregate, and its dielectric constant ε 1 is set to ε 1 ≧ 10, for example.
【００２３】低誘電体層７は、Ａｌ2 Ｏ3 （アルミ
ナ）、ＳｉＯ2 （シリカ）等の材料を骨材として、ガラ
ス材料と複合化した誘電体材料を用い、その誘電率ε2
は、例えば、ε2 ≦１２に設定する。The low dielectric layer 7, Al 2 O 3 (alumina), a material such as SiO 2 (silica) as aggregate, using complexed with a dielectric material and a glass material, the dielectric constant epsilon 2
Is set to, for example, ε 2 ≦ 12.
【００２４】この低誘電体層７は、誘電率は低いが、耐
熱性に優れており、レーザ光線による高温にも十分に耐
えることが出来る材料である。上記の構成により、第１
の電極２と、第２の電極４との間に第１のコンデンサ
（これをＣ1 とする）が形成され、第２の電極４と、第
３の電極８との間に第２のコンデンサ（これをＣ2 とす
る）が形成される。The low dielectric layer 7 has a low dielectric constant, but is excellent in heat resistance and is a material capable of sufficiently withstanding the high temperature caused by a laser beam. With the above configuration, the first
A first capacitor (referred to as C 1 ) is formed between the second electrode 4 and the second electrode 4 of the second capacitor, and a second capacitor is formed between the second electrode 4 and the third electrode 8. (This is designated as C 2 ) is formed.
【００２５】そして、第１のコンデンサＣ1 と、第２の
コンデンサＣ2 は並列接続され、一つのコンデンサ（こ
れをＣとする）として機能する。この場合、誘電率は、
ε1＞ε2 の関係があるから、静電容量は、Ｃ＝Ｃ1 ＋
Ｃ2 で、Ｃ1 ＞Ｃ2 の関係となる。The first capacitor C 1 and the second capacitor C 2 are connected in parallel and function as one capacitor (referred to as C). In this case, the dielectric constant is
Since there is a relation of ε 1 > ε 2, the capacitance is C = C 1 +
At C 2 , C 1 > C 2 .
【００２６】そこで、上記第３の電極８の一部に、容量
調整部（静電容量調整部）５を設定し、この部分でトリ
ミングを行って容量調整する。例えば、容量調整部５を
レーザ光線で焼き飛ばし、第３の電極８の面積を小さく
することにより、第２のコンデンサＣ2 の容量を小さく
する。Therefore, a capacitance adjusting section (electrostatic capacitance adjusting section) 5 is set in a part of the third electrode 8 and trimming is performed in this part to adjust the capacity. For example, the capacitance of the second capacitor C 2 is reduced by burning off the capacitance adjusting unit 5 with a laser beam to reduce the area of the third electrode 8.
【００２７】その結果、合成容量Ｃ＝Ｃ1 ＋Ｃ2 が小さ
くなり、静電容量の調整が出来る。 （例２の説明）・・・図２Ｂ参照 上記例１では、低誘電体層７が、第１の電極２及び、第
１の端子９と接していないが、例２では、低誘電体層７
が第１の電極２及び、第１の端子９と接している点が異
なる。しかし、例１と例２は、実質的に同じ厚膜コンデ
ンサを構成するものであり、上記説明は例２でも同じで
ある。従って、例２の説明は、省略する。As a result, the combined capacitance C = C 1 + C 2 becomes smaller and the capacitance can be adjusted. (Explanation of Example 2) See FIG. 2B In Example 1 above, the low dielectric layer 7 is not in contact with the first electrode 2 and the first terminal 9, but in Example 2, the low dielectric layer 7 7
Is in contact with the first electrode 2 and the first terminal 9. However, Example 1 and Example 2 constitute substantially the same thick film capacitor, and the above description applies to Example 2 as well. Therefore, the description of Example 2 is omitted.
【００２８】（第２実施例の説明）図３は、本発明の第
２実施例の厚膜コンデンサを示した図であり、図３Ａは
厚膜コンデンサの断面図、図３Ｂは図３ＡのＸ−Ｙ線断
面図である。図３中、図１、図２、及び図４と同じもの
は、同一符号で示してある。(Explanation of Second Embodiment) FIG. 3 is a view showing a thick film capacitor according to a second embodiment of the present invention. FIG. 3A is a sectional view of the thick film capacitor, and FIG. 3B is a cross section of FIG. 3A. It is a -Y line sectional view. In FIG. 3, the same parts as those in FIGS. 1, 2, and 4 are designated by the same reference numerals.
【００２９】この例は、高誘電体層と、低誘電体層とを
同一面上に設定した例である。図示のように、絶縁基板
１の上に、第１の電極２を形成し、その上に、高誘電体
層６と、低誘電体層７とを形成する。In this example, the high dielectric layer and the low dielectric layer are set on the same surface. As illustrated, the first electrode 2 is formed on the insulating substrate 1, and the high dielectric layer 6 and the low dielectric layer 7 are formed thereon.
【００３０】この場合、高誘電体層６を内側とし、その
外側に低誘電体層７を設定し、低誘電体層７で高誘電体
層６を囲むように配置する。そして、低誘電体層７及び
高誘電体層６の上に、第２の電極４を形成する。In this case, the high-dielectric layer 6 is placed inside, the low-dielectric layer 7 is set on the outside, and the low-dielectric layer 7 surrounds the high-dielectric layer 6. Then, the second electrode 4 is formed on the low dielectric layer 7 and the high dielectric layer 6.
【００３１】また、第２の電極４の一端を、絶縁基板１
上まで延長して形成し、この部分を第１の端子９とし、
第１の電極２の一端を延長して、この部分を第２の端子
１０とする。Further, one end of the second electrode 4 is connected to the insulating substrate 1
It is formed by extending it to the top, and this portion is used as the first terminal 9,
One end of the first electrode 2 is extended and this portion is used as the second terminal 10.
【００３２】この実施例においても、絶縁基板１、第
１、第２の電極２、４、高誘電体層６、低誘電体層７の
材料は、上記第１実施例と同じなので、説明は省略す
る。上記の構成により、第１の電極２と、第２の電極４
との間にコンデンサが形成されるが、高誘電体層６を挟
んで形成されるコンデンサを第１のコンデンサ（これを
Ｃ1 とする）とし、低誘電体層７を挟んで形成されるコ
ンデンサを第２のコンデンサ（これをＣ2 とする）とす
る。Also in this embodiment, the materials of the insulating substrate 1, the first and second electrodes 2 and 4, the high dielectric layer 6 and the low dielectric layer 7 are the same as those in the first embodiment, and therefore the description will be omitted. Omit it. With the above configuration, the first electrode 2 and the second electrode 4
A capacitor is formed between the high dielectric layer 6 and the high dielectric layer 6, and a capacitor formed by sandwiching the low dielectric layer 7 is defined as a first capacitor (this is referred to as C 1 ). Is the second capacitor (this is C 2 ).
【００３３】このようにすると、第１のコンデンサＣ1
と、第２のコンデンサＣ2 は並列接続され、一つのコン
デンサ（これをＣとする）として機能する。この場合、
誘電率は、ε1 ＞ε2 の関係があるから、静電容量は、
Ｃ＝Ｃ1 ＋Ｃ2 で、Ｃ1 ＞Ｃ 2 の関係となる。In this way, the first capacitor C1
And the second capacitor C2Are connected in parallel and
It functions as a denser (call it C). in this case,
The permittivity is ε1> Ε2Therefore, the capacitance is
C = C1+ C2And C1> C 2It becomes a relationship.
【００３４】そこで、上記低誘電体層７の上に位置する
第２の電極４の一部に、容量調整部５を設定し、この部
分で容量調整する。例えば、容量調整部５をレーザ光線
で焼き飛ばし、第２の電極４の面積を小さくすることに
より、第２のコンデンサＣ2の容量を小さくする。Therefore, the capacitance adjusting portion 5 is set on a part of the second electrode 4 located on the low dielectric layer 7, and the capacitance is adjusted at this portion. For example, the capacitance adjusting unit 5 is burnt off with a laser beam to reduce the area of the second electrode 4 to reduce the capacitance of the second capacitor C 2 .
【００３５】その結果、合成容量Ｃ＝Ｃ1 ＋Ｃ2 が小さ
くなり、静電容量の調整が出来る。As a result, the combined capacitance C = C 1 + C 2 becomes smaller and the capacitance can be adjusted.
【００３６】[0036]
【他の実施例】以上実施例について説明したが、本発明
は次のようにしても実施可能である。 (1) 容量調整は、サンドブラストにより、電極の一部を
削っても良い。また、他の方法でも良い。Other Embodiments Although the embodiments have been described above, the present invention can be carried out as follows. (1) For capacitance adjustment, a part of the electrode may be removed by sandblasting. Also, other methods may be used.
【００３７】(2) 図３の第２実施例において、低誘電体
層を内側に設定し、その外側に高誘電体層を設定するこ
とも可能である。ただし、この場合でも、容量調整部５
は、低誘電体層の上の電極に設定する。(2) In the second embodiment shown in FIG. 3, it is possible to set the low dielectric layer inside and set the high dielectric layer outside. However, even in this case, the capacity adjusting unit 5
Is set on the electrode on the low dielectric layer.
【００３８】(3) 図２の第１実施例において、高誘電体
層と電極との積層体を、複数設定しても良い。この場
合、最上層の誘電体層のみ低誘電体層とすれば良い。 (4) 各誘電体層の材料は、上記実施例の材料に限らず、
各種の材料が使用出来る。(3) In the first embodiment shown in FIG. 2, a plurality of laminated bodies of high dielectric layers and electrodes may be set. In this case, only the uppermost dielectric layer may be the low dielectric layer. (4) The material of each dielectric layer is not limited to the material of the above embodiment,
Various materials can be used.
【００３９】[0039]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) 厚膜コンデンサを構成する複数の誘電体層の内、最
上層の誘電体層が低誘電体層で構成されており、この低
誘電体層の上に位置する表面の電極の一部を容量調整部
に設定している。As described above, the present invention has the following effects. (1) Of the multiple dielectric layers that make up a thick-film capacitor, the uppermost dielectric layer is composed of a low-dielectric layer, and some of the surface electrodes located on this low-dielectric layer Is set in the capacity adjustment section.
【００４０】また、低誘電体層は、耐熱性の優れた材料
を選定することが可能であるから、例えば、レーザ光線
により、電極の容量調整部を焼き飛ばしてトリミングし
ても、誘電体層が劣化しない。従って製品の歩留りが向
上する。Further, since it is possible to select a material having excellent heat resistance for the low dielectric layer, for example, even if the capacitance adjusting portion of the electrode is burnt off and trimmed by a laser beam, the dielectric layer Does not deteriorate. Therefore, the product yield is improved.
【００４１】(2) 容量調整する部分のコンデンサは、低
誘電体層で構成された容量の小さいコンデンサであるか
ら、高精度の容量調整が出来る。 (3) トリミングする面積を正確に設定しなくても、高精
度の容量調整が出来るから、作業も容易で、手間もかか
らない。(2) Since the capacitor for adjusting the capacitance is a capacitor having a small capacitance formed of the low dielectric layer, the capacitance can be adjusted with high accuracy. (3) Even if the area to be trimmed is not set accurately, the capacity can be adjusted with high precision, so the work is easy and requires no effort.
【図１】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例の厚膜コンデンサを示した
図である。FIG. 2 is a diagram showing a thick film capacitor of a first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２実施例の厚膜コンデンサを示した
図である。FIG. 3 is a diagram showing a thick film capacitor according to a second embodiment of the present invention.
【図４】従来例の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a conventional example.
１ 絶縁基板 ２ 第１の電極 ４ 第２の電極 ５ 容量調整部 ６ 高誘電体層 ７ 低誘電体層 ８ 第３の電極 1 Insulating Substrate 2 First Electrode 4 Second Electrode 5 Capacitance Adjusting Section 6 High Dielectric Layer 7 Low Dielectric Layer 8 Third Electrode
Claims (4)
だ誘電体層（６、７）を、複数層設定した厚膜コンデン
サであって、 上記誘電体層の内、最上層の誘電体層を、低誘電率材料
（誘電率ε2 ）からなる低誘電体層（７）で構成すると
共に、 それ以外の内部の誘電体層を、高誘電率材料（誘電率ε
1 ）からなる高誘電体層（６）で構成し（ただし、ε1
＞ε2 ）、 上記低誘電体層（７）の上に設定した表面の電極（８）
の一部に、静電容量調整用の容量調整部（５）を設定し
たことを特徴とする厚膜コンデンサ。1. A thick film capacitor having a plurality of dielectric layers (6, 7) sandwiched by electrodes (2, 4, 8) on both sides (both sides in the stacking direction) on an insulating substrate (1). Of the above dielectric layers, the uppermost dielectric layer is composed of a low dielectric layer (7) made of a low dielectric constant material (dielectric constant ε 2 ), and other internal dielectric layers are used. The layer is made of high dielectric constant material (dielectric constant ε
1 ) composed of a high dielectric layer (6) (provided that ε 1
> Ε 2 ), the surface electrode (8) set on the low dielectric layer (7)
A thick film capacitor characterized in that a capacitance adjusting section (5) for adjusting capacitance is set in a part of the above.
を設け、 この第１の電極（２）上に、 高誘電率材料（誘電率ε1 ）からなる高誘電体層（６）
及び、低誘電率材料（誘電率ε2 ）からなる低誘電体層
（７）とを設け（ただし、ε1 ＞ε2 ）、 更にその上に、上記高誘電体層（６）及び低誘電体層
（７）を覆うようにして、第２の電極（４）を設け、上
記低誘電体層（７）の上に位置する第２の電極（４）の
一部に、静電容量調整用の容量調整部（５）を設定した
ことを特徴とする厚膜コンデンサ。2. A first electrode (2) on an insulating substrate (1).
And a high dielectric layer (6) made of a high dielectric constant material (dielectric constant ε 1 ) on the first electrode (2)
And a low dielectric layer (7) made of a low dielectric constant material (dielectric constant ε 2 ) (provided that ε 1 > ε 2 ), and further having the high dielectric layer (6) and low dielectric constant thereon. The second electrode (4) is provided so as to cover the body layer (7), and the capacitance is adjusted on a part of the second electrode (4) located on the low dielectric layer (7). A thick film capacitor, characterized in that a capacitance adjusting section (5) for use is set.
の電極（８）の面積を変化させることにより、 静電容量を調整することを特徴とした請求項１記載の厚
膜コンデンサの容量調整方法。3. The thick film capacitor according to claim 1, wherein the capacitance adjusting section (5) is processed to change the area of the surface electrode (8) to adjust the capacitance. Capacity adjustment method.
の電極（４）の面積を変化させることにより、 静電容量を調整することを特徴とした請求項３記載の厚
膜コンデンサの容量調整方法。4. The capacity adjusting portion (5) is processed to provide a second
The capacitance adjusting method for a thick film capacitor according to claim 3, wherein the capacitance is adjusted by changing the area of the electrode (4).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18650992A JPH0636965A (en) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | Thick film capacitor and its capacitance adjusting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18650992A JPH0636965A (en) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | Thick film capacitor and its capacitance adjusting method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636965A true JPH0636965A (en) | 1994-02-10 |
Family
ID=16189750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18650992A Pending JPH0636965A (en) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | Thick film capacitor and its capacitance adjusting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636965A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013108555A1 (en) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | ローム株式会社 | Chip capacitor and method for manufacturing same |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP18650992A patent/JPH0636965A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013108555A1 (en) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | ローム株式会社 | Chip capacitor and method for manufacturing same |
| JP2013168633A (en) * | 2012-01-17 | 2013-08-29 | Rohm Co Ltd | Chip capacitor and manufacturing method of the same |
| CN106469610A (en) * | 2012-01-17 | 2017-03-01 | 罗姆股份有限公司 | Chip capacitor and its manufacture method |
| US9859061B2 (en) | 2012-01-17 | 2018-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Chip capacitor and method for manufacturing the same |
| US10304633B2 (en) | 2012-01-17 | 2019-05-28 | Rohm Co., Ltd. | Chip capacitor and method for manufacturing the same |
| US10777360B2 (en) | 2012-01-17 | 2020-09-15 | Rohm Co., Ltd. | Chip capacitor and method for manufacturing the same |
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