JPH0635551Y2 - パルス送信器 - Google Patents
パルス送信器Info
- Publication number
- JPH0635551Y2 JPH0635551Y2 JP1986069528U JP6952886U JPH0635551Y2 JP H0635551 Y2 JPH0635551 Y2 JP H0635551Y2 JP 1986069528 U JP1986069528 U JP 1986069528U JP 6952886 U JP6952886 U JP 6952886U JP H0635551 Y2 JPH0635551 Y2 JP H0635551Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- forming circuit
- resistor
- residual current
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案は例えば地中レーダに適用され、尖頭値の高い
パルスを送信し、その後に生じる急峻なスイッチング素
子のオフ動作にもとずく雑音発生を防止するパルス送信
器に関する。
パルスを送信し、その後に生じる急峻なスイッチング素
子のオフ動作にもとずく雑音発生を防止するパルス送信
器に関する。
「従来の技術」 例えば地中レーダにおいて高電圧の送信パルスがパルス
送信器より送受切換器を通じ、更にアンテナからパルス
電波として放射され、その反射波を送受切換器を通じて
受信器で受信し、物標からの反射波を探知している。
送信器より送受切換器を通じ、更にアンテナからパルス
電波として放射され、その反射波を送受切換器を通じて
受信器で受信し、物標からの反射波を探知している。
そのためのパルス送信器は第2図に示すように構成され
ていた。即ち直流電源11の一端が抵抗器12を通じてスイ
ッチング素子としてのトランジスタ13のコレクタに接続
され、この抵抗器12及びトランジスタ13の接続点はパル
ス形成回路14を通じて接地されており、またトランジス
タ13のエミッタは負荷としての抵抗器15を通じて接地さ
れ、その抵抗器15の両端より出力端子16が導出されてい
る。
ていた。即ち直流電源11の一端が抵抗器12を通じてスイ
ッチング素子としてのトランジスタ13のコレクタに接続
され、この抵抗器12及びトランジスタ13の接続点はパル
ス形成回路14を通じて接地されており、またトランジス
タ13のエミッタは負荷としての抵抗器15を通じて接地さ
れ、その抵抗器15の両端より出力端子16が導出されてい
る。
直流電源11より抵抗器12を通じてパルス形成回路14のコ
ンデンサ17に電荷が充電され、コンデンサ17の電圧は第
3図Aに示すように漸次増加し、その後トランジスタ13
のベースに端子18を通じて起動パルス19が与えられる
と、その時点にパルス形成回路14の電荷がトランジスタ
13を通じて放電し、出力端子16に第3図Bに示すような
送信パルス21が得られる。この送信パルス21のパルス幅
tは、パルス形成回路14のコンデンサ17の容量値をC、
コイル22のインダクタンス値をLとすると である。
ンデンサ17に電荷が充電され、コンデンサ17の電圧は第
3図Aに示すように漸次増加し、その後トランジスタ13
のベースに端子18を通じて起動パルス19が与えられる
と、その時点にパルス形成回路14の電荷がトランジスタ
13を通じて放電し、出力端子16に第3図Bに示すような
送信パルス21が得られる。この送信パルス21のパルス幅
tは、パルス形成回路14のコンデンサ17の容量値をC、
コイル22のインダクタンス値をLとすると である。
なお、この共振周波数におけるコイル22のインピーダン
スjwLと比較して抵抗器12の抵抗値は十分大とされてい
る。
スjwLと比較して抵抗器12の抵抗値は十分大とされてい
る。
また、端子18の与える起動パルス19のパルス幅は3ナノ
秒程度、出力パルス21の幅tは3乃至10ナノ秒という短
いものとされ、パルスのピーク値Vpは200V程度である。
電源11の電圧は例えば550Vと高い値とされ、トランジス
タ13はアバランシェ効果によって導通し、このため出力
パルス21が立下ってからトランジスタ13のオフに回復す
るまでに抵抗器12を通じて残留電流23が流れる。この残
留電流による電圧Vsは200ミリV程度である。この残留
電流23の後縁23aは急激に遮断され、この部分で雑音パ
ルスが発生し、これが受信器側に洩れる。従来一般に用
いられている送受切換器の送受の分離は40dB程度である
から、残留電流による電圧200ミリV程度は2ミリV程
度となって受信器側に洩れ、一方物標による反射波は2
ミリV程度以下であり、前記洩れを物標よりの反射波と
間違えるおそれがあった。
秒程度、出力パルス21の幅tは3乃至10ナノ秒という短
いものとされ、パルスのピーク値Vpは200V程度である。
電源11の電圧は例えば550Vと高い値とされ、トランジス
タ13はアバランシェ効果によって導通し、このため出力
パルス21が立下ってからトランジスタ13のオフに回復す
るまでに抵抗器12を通じて残留電流23が流れる。この残
留電流による電圧Vsは200ミリV程度である。この残留
電流23の後縁23aは急激に遮断され、この部分で雑音パ
ルスが発生し、これが受信器側に洩れる。従来一般に用
いられている送受切換器の送受の分離は40dB程度である
から、残留電流による電圧200ミリV程度は2ミリV程
度となって受信器側に洩れ、一方物標による反射波は2
ミリV程度以下であり、前記洩れを物標よりの反射波と
間違えるおそれがあった。
しかし従来においては地中レーダの探査範囲はパルスの
送信より0乃至200ナノ秒程度の範囲とされているた
め、例えば抵抗器12の抵抗値を選定することによって残
留電流の後縁23a、つまりトランジスタ13が回復して完
全にOFFとなる時点が、パルスの送信より200ナノ秒より
遅れて生じるようにしていた。
送信より0乃至200ナノ秒程度の範囲とされているた
め、例えば抵抗器12の抵抗値を選定することによって残
留電流の後縁23a、つまりトランジスタ13が回復して完
全にOFFとなる時点が、パルスの送信より200ナノ秒より
遅れて生じるようにしていた。
しかし探査範囲が0乃至1000ナノ秒であることが要求さ
れると、トランジスタ13が完全にOFFとなる時点をパル
ス送信から1000ナノ秒より遅らせることは困難となる。
れると、トランジスタ13が完全にOFFとなる時点をパル
ス送信から1000ナノ秒より遅らせることは困難となる。
残留電流のオフによる雑音の影響を避けるには送受切換
器における送受の分離を50dB以上にすればよいが、この
ように大きな分離度の送受切換器を構成することは大変
なことである。
器における送受の分離を50dB以上にすればよいが、この
ように大きな分離度の送受切換器を構成することは大変
なことである。
この考案の目的は高圧パルスを発生した際に生じる残留
電流の遮断において雑音パルスを発生しないパルス送信
器を提供することにある。
電流の遮断において雑音パルスを発生しないパルス送信
器を提供することにある。
「問題点を解決するための手段」 この考案によればパルス形成回路とスイッチング素子と
の接続点と直流電源との間にインダクタンス素子が直列
に挿入される。このインダクタンス素子のインダクタン
スは、スイッチング素子の残留電流の遮断時に発生する
周波数成分の最高周波数によるインピーダンスが、直流
電源と直列の抵抗器の抵抗値よりも1桁以上大きな値と
する。
の接続点と直流電源との間にインダクタンス素子が直列
に挿入される。このインダクタンス素子のインダクタン
スは、スイッチング素子の残留電流の遮断時に発生する
周波数成分の最高周波数によるインピーダンスが、直流
電源と直列の抵抗器の抵抗値よりも1桁以上大きな値と
する。
「実施例」 第1図に第2図と対応する部分に同一符号を付けて示す
が、この考案においてはパルス形成回路14とスイッチン
グ素子13との接続点と直流電源11との間においてインダ
クタンス素子25が直列に接続される。このインダクタン
ス素子25のインダクタンス値としては、第3図Bにおけ
るトランジスタ13の残留電流の後縁23aの周波数成分中
の最も高い周波数におけるインピーダンスが抵抗器12の
抵抗値よりも少くとも1桁以上大きな値となるようにさ
れる。
が、この考案においてはパルス形成回路14とスイッチン
グ素子13との接続点と直流電源11との間においてインダ
クタンス素子25が直列に接続される。このインダクタン
ス素子25のインダクタンス値としては、第3図Bにおけ
るトランジスタ13の残留電流の後縁23aの周波数成分中
の最も高い周波数におけるインピーダンスが抵抗器12の
抵抗値よりも少くとも1桁以上大きな値となるようにさ
れる。
このような構成によれば、端子18に起動パルス19が与え
られ、トランジスタ13がアバランシェ効果により導通し
て出力パルス21が発生し、トランジスタ13のアバランシ
ェ効果が回復して残留電流23が急激に遮断しようとする
とインダクタンス素子25のインピーダンスが急激に大き
くなり、従ってその遮断電流は急に遮断せず、第3図C
に示すように残留電流23の後縁23bは徐々に立下がる。
従ってトランジスタ13のオフによりパルス性雑音が発生
することがなく、雑音パルスが受信器に洩れるおそれも
ない。
られ、トランジスタ13がアバランシェ効果により導通し
て出力パルス21が発生し、トランジスタ13のアバランシ
ェ効果が回復して残留電流23が急激に遮断しようとする
とインダクタンス素子25のインピーダンスが急激に大き
くなり、従ってその遮断電流は急に遮断せず、第3図C
に示すように残留電流23の後縁23bは徐々に立下がる。
従ってトランジスタ13のオフによりパルス性雑音が発生
することがなく、雑音パルスが受信器に洩れるおそれも
ない。
このため例えば地中レーダにおいてその探査範囲を0乃
至1000ナノ秒のように著しく広くしても、トランジスタ
13の残留電流の遮断時にパルス雑音が受信器に洩れ込ん
で物標よりの反射信号と間違えるおそれも生じない。な
おインダクタンス素子25のインダクタンス値としては例
えば1ミリヘンリー程度のものが用いられ、この素子を
用いない場合における残留電流の立下りは100MHz程度の
高い周波数成分を持っているが、このインダクタンス素
子25の使用により、残留電流遮断時の雑音成分はインダ
クタンス素子25を使用しない場合より10dB程度小さくな
った。
至1000ナノ秒のように著しく広くしても、トランジスタ
13の残留電流の遮断時にパルス雑音が受信器に洩れ込ん
で物標よりの反射信号と間違えるおそれも生じない。な
おインダクタンス素子25のインダクタンス値としては例
えば1ミリヘンリー程度のものが用いられ、この素子を
用いない場合における残留電流の立下りは100MHz程度の
高い周波数成分を持っているが、このインダクタンス素
子25の使用により、残留電流遮断時の雑音成分はインダ
クタンス素子25を使用しない場合より10dB程度小さくな
った。
なおこの考案はこのように地中レーダに対して適用する
のみならず、その他高圧のパルスを発生する場合に適用
してその残留電流によって不用な雑音が発生するのを防
止することができる。
のみならず、その他高圧のパルスを発生する場合に適用
してその残留電流によって不用な雑音が発生するのを防
止することができる。
「考案の効果」 以上述べたようにこの考案によれば、スイッチング素子
の残留電流がオフになる際にパルス性雑音が発生しない
高圧パルス送信器を提供できる。
の残留電流がオフになる際にパルス性雑音が発生しない
高圧パルス送信器を提供できる。
第1図はこの考案によるパルス送信器の一例を示す接続
図、第2図は従来のパルス送信器を示す接続図、第3図
はパルス発生を説明するための波形図である。 11:直流電源、12:抵抗器、13:スイッチング素子として
のトランジスタ、14:パルス形成回路、25:インダクタン
ス素子。
図、第2図は従来のパルス送信器を示す接続図、第3図
はパルス発生を説明するための波形図である。 11:直流電源、12:抵抗器、13:スイッチング素子として
のトランジスタ、14:パルス形成回路、25:インダクタン
ス素子。
Claims (1)
- 【請求項1】直流電源より抵抗器を通じてパルス形成回
路に電荷を充電し、その抵抗器及びパルス形成回路の接
続点にスイッチング素子を接続し、そのスイッチング素
子と直列に負荷を接続し、上記スイッチング素子を瞬時
的にONにして上記パルス形成回路の電荷を瞬時的に上記
負荷に放電してパルス送信を行うパルス送信器におい
て、 上記パルス形成回路と上記スイッチング素子との接続
と、上記直流電源との間にインダクタンス素子が直列に
挿入されていることを特徴とするパルス送信器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986069528U JPH0635551Y2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | パルス送信器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986069528U JPH0635551Y2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | パルス送信器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6310626U JPS6310626U (ja) | 1988-01-23 |
JPH0635551Y2 true JPH0635551Y2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=30910340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1986069528U Expired - Lifetime JPH0635551Y2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | パルス送信器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0635551Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS513765A (ja) * | 1974-06-28 | 1976-01-13 | Nippon Electric Co | Parusuhenchoki |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP1986069528U patent/JPH0635551Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6310626U (ja) | 1988-01-23 |
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