JPH0635193A - Production of resist pattern - Google Patents

Production of resist pattern

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Publication number
JPH0635193A
JPH0635193A JP19257392A JP19257392A JPH0635193A JP H0635193 A JPH0635193 A JP H0635193A JP 19257392 A JP19257392 A JP 19257392A JP 19257392 A JP19257392 A JP 19257392A JP H0635193 A JPH0635193 A JP H0635193A
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JP
Japan
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group
electrodeposition coating
compound
chemical
electrodeposition
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Withdrawn
Application number
JP19257392A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Uehara
秀秋 上原
Hitoshi Amanokura
仁 天野倉
Shigeo Tachiki
繁雄 立木
Takuro Kato
琢郎 加藤
Katsushige Tsukada
勝重 塚田
Yuji Yamazaki
雄治 山崎
Masaharu Yamada
正治 山田
Toshihiko Shiotani
俊彦 塩谷
Yoshihisa Nagashima
義久 長島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Toryo KK
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Toryo KK
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a production method of high-resolution negative photosensitive electrodeposition resist pattern without irregular development. CONSTITUTION:(i) A conductive copper base body is dipped as an anode in an electrodeposition coating bath and subjected to electrodeposition coating by applying an electric current. This plating bath contains a neutralized product of a compd. (a) with a basic org. compd. (b). The compd. (a) has a carboxyl group and/or sulfonate group in the molecule and can form salt or chelate with copper. Thus, the compd. (a) is electrically deoposited on the base body. (ii) The body with electrodeposition of the compd. (a) is dipped as an anode in an electrodeposition plating bath containing a specified monomer, specified neutralized polymer, and specified photopolymn. initiator. (iii) Then, the electrodeposition coating film thus formed is exposed to active rays. (iv) And then, the electrodeposition coating film in the area not exposed is removed by development.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、現像残りのない高解像
度のレジストパターンの製造法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a high resolution resist pattern without development residue.

【0002】[0002]

【従来の技術】プリント配線板を製造するに際しては、
まず導電性基板上に光硬化性樹脂組成物の層を形成し、
ついで活性光線を画像状に照射し、未露光部を現像除去
し、レジストパターンを形成している。この工程におい
て、光硬化性樹脂組成物の層の形成には、種々の方法が
採用されている。例えば、光硬化性樹脂組成物溶液をデ
ィップコート、ロールコート、カーテンコート等の手段
により塗布する方法、あるいは光硬化性樹脂組成物のフ
ィルム(感光性フィルム)を積層する方法が知られてい
る。これらの方法のうち、感光性フィルムを積層する方
法は、簡便に均一な厚みの光硬化性樹脂組成物の層が形
成できることから、現在主流の方法として採用されてい
る。
2. Description of the Related Art When manufacturing a printed wiring board,
First, a layer of a photocurable resin composition is formed on a conductive substrate,
Next, an actinic ray is imagewise irradiated to develop and remove the unexposed portion to form a resist pattern. In this step, various methods are adopted for forming the layer of the photocurable resin composition. For example, a method of applying a photocurable resin composition solution by means such as dip coating, roll coating or curtain coating, or a method of laminating a film (photosensitive film) of the photocurable resin composition is known. Among these methods, the method of laminating a photosensitive film is currently used as a mainstream method because it can easily form a layer of a photocurable resin composition having a uniform thickness.

【0003】最近、プリント回路板の高密度、高精度化
が進むに従って、レジストパターンはより高品質のもの
が必要となってきている。すなわち、ピンホールがな
く、下地の基板表面によく密着したレジストパターンで
あることが望まれている。かかる要求に対して、現在主
流となっている感光性フィルムを積層する方法では限界
のあることが知られている。この方法では、基板製造時
の打痕、研磨の不均一性、基板内層のガラス布の網目、
表面への銅めっきのピット等の不均一性等によって生起
する基板表面の凹凸への追従性が乏しく、十分な密着性
を得ることが困難である。この困難はフィルムの積層を
減圧下で行なうこと(特公昭59−3740号公報参
照)によって回避できるが、これには特殊で高価な装置
が必要となる。
Recently, as the density and precision of printed circuit boards have increased, higher quality resist patterns have been required. That is, it is desired that the resist pattern has no pinhole and is well adhered to the surface of the underlying substrate. It is known that there is a limit to the method of laminating the photosensitive film, which is the mainstream at present, with respect to such a demand. In this method, dents during manufacturing of the substrate, non-uniformity of polishing, mesh of glass cloth of the inner layer of the substrate,
It is difficult to obtain sufficient adhesion due to poor followability to irregularities on the substrate surface caused by nonuniformity of pits and the like of copper plating on the surface. This difficulty can be avoided by laminating the films under reduced pressure (see Japanese Patent Publication No. 59-3740), but this requires a special and expensive device.

【0004】このようなことが理由となって、近年再び
ディップコート、ロールコート、カーテンコート等の溶
液塗装方法が見直されるようになってきた。しかしこれ
らの塗装方法では膜厚の制御が困難、膜厚の均一性が不
十分、ピンホールの発生等の問題がある。
For these reasons, solution coating methods such as dip coating, roll coating and curtain coating have come to be reviewed again in recent years. However, these coating methods have problems that it is difficult to control the film thickness, the film thickness is not uniform, and pinholes occur.

【0005】そこで最近新たな方法として電着塗装によ
り感光膜を形成する方法が提案されている(特開昭62
−235496号公報参照)。この方法によると(1)
レジストの密着性が向上する、(2)基板表面の凹凸へ
の追従性が良好である、(3)短時間で膜厚の均一な感
光膜を形成できる、(4)塗液が水溶液のため、作業環
境の汚染が防止でき、防災上にも問題がない等の利点が
ある。そのため最近これに適する電着浴の組成に関して
いくつかの提案がなされている。
Therefore, as a new method, a method of forming a photosensitive film by electrodeposition coating has been recently proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 62-62160).
-235496 gazette). According to this method (1)
The adhesion of the resist is improved, (2) the conformability to irregularities on the substrate surface is good, (3) a photosensitive film having a uniform film thickness can be formed in a short time, (4) the coating liquid is an aqueous solution The advantages are that it can prevent the pollution of the work environment and there is no problem in disaster prevention. Therefore, some proposals have recently been made regarding the composition of the electrodeposition bath suitable for this.

【0006】一方、電着塗装方式にはアニオン系とカチ
オン系の2種があるが、プリント回路板を製造する場合
の後工程の容易さから一般にはアニオン系が用いられ
る。しかし、アニオン系の場合には電着塗装時に銅張積
層板から溶出した銅イオンがレジスト材料のカルボキシ
ル基とキレートを形成し、擬似的な架橋をするため、露
光後の工程で未露光部をアルカリで現像する際に現像で
きない(以下、現像残りと呼ぶ)という問題が生じてい
た。
On the other hand, there are two kinds of electrodeposition coating methods, anion type and cation type, but the anion type is generally used because of the ease of the subsequent steps when manufacturing a printed circuit board. However, in the case of anionic type, the copper ions eluted from the copper clad laminate during electrodeposition coating form a chelate with the carboxyl groups of the resist material and form pseudo-crosslinking. There has been a problem that development cannot be performed when developing with an alkali (hereinafter referred to as undeveloped).

【0007】そこでその解決のために銅とキレートを形
成する化合物、例えば、β−ジケトン類やアセト酢酸エ
ステル類(特開昭62−262856号公報)、またエ
チレンジアミンテトラ酢酸もしくはその塩を代表とする
アミノポリカルボン酸(特開昭61−247090号公
報参照)等を添加するという提案がなされていた。しか
し、本発明者らが検討したところ、これらの化合物の添
加によりむしろ現像残りの程度が悪化する場合もでてく
るなど十分な解決策にはなっていなかった。
To solve this problem, compounds that form a chelate with copper, for example, β-diketones and acetoacetic acid esters (Japanese Patent Laid-Open No. 62-262856), and ethylenediaminetetraacetic acid or salts thereof are representative. It has been proposed to add aminopolycarboxylic acid (see JP-A-61-247090). However, as a result of investigations by the present inventors, it has not been a sufficient solution, for example, in some cases, the degree of undeveloped residue may be worsened by the addition of these compounds.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決し、現像残りのない、高解像度のレジストパタ
ーンの製造法を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above problems and provides a method for producing a high-resolution resist pattern with no development residue.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者等が鋭意検討し
た結果、レジスト材料を電着塗装する前に、予め銅張積
層板を、分子中にカルボキシル基及び/又はスルホン酸
基を有し、かつ銅と塩もしくはキレートを形成しうる化
合物で電着塗装により処理しておくことにより現像残り
に対して著しい効果を示すことを見い出した。
Means for Solving the Problems As a result of intensive investigations by the present inventors, a copper clad laminate having a carboxyl group and / or a sulfonic acid group in its molecule was previously prepared before electrodeposition coating of a resist material. It has been found that treatment with an electrodeposition coating with a compound capable of forming a salt or a chelate with copper has a remarkable effect on the development residue.

【0010】このように予め銅張積層板を、前記化合物
で電着塗装により処理しておくことにより現像残りが著
しく解消される詳細な理由は不明だが、恐らく銅と塩又
はキレートを形成する骨格並びにアルカリ現像液に溶解
もしくは分散しやすいカルボキシル基及び/又はスルホ
ン酸基の両方を有していることが効果を上げる一つの理
由になっているものと推定される。
The detailed reason why the undeveloped residue is remarkably eliminated by treating the copper clad laminate with the above compound by electrodeposition coating in advance is not clear, but it is probably the skeleton which forms a salt or chelate with copper. In addition, it is presumed that one of the reasons for improving the effect is to have both a carboxyl group and / or a sulfonic acid group that are easily dissolved or dispersed in an alkaline developer.

【0011】また予め銅張積層板を、前記化合物で電着
塗装により処理しておくことによるもう一方の大きな効
果として電着塗装性の向上があげられる。すなわち予
め、前記化合物を電着塗装することにより処理していな
い場合に比較し、低電圧もしくは低電流、短時間で所定
膜厚の電着塗装膜(感光性膜)が得られる。これは生産
性の向上、省エネルギー及び作業安定性の向上にとって
好都合である。
Another major effect of treating the copper clad laminate with the above compound by electrodeposition coating is to improve the electrodeposition coating property. That is, an electrodeposition coating film (photosensitive film) having a predetermined film thickness can be obtained in a short time at a low voltage or a low current, as compared with the case where the compound is not treated by electrodeposition coating in advance. This is advantageous for improving productivity, saving energy and improving work stability.

【0012】すなわち本発明は、 (i)分子中にカルボキシル基及び/又はスルホン酸基
を有し、かつ銅と塩もしくはキレートを形成しうる化合
物(イ)の塩基性有機化合物(ロ)による中和物を含有
する電着塗装浴(以下第1電着塗装浴という)に、導電
性銅基体を陽極として浸漬し、通電により電着塗装し、
前記基体上に、前記化合物(イ)を電着させ、次いで、 (ii) (A)(a)酸価20〜300のポリマーの塩基性有機
化合物による中和物と光重合性不飽和結合を分子内に2
個以上有する非水溶性モノマー及び/又は(b)酸価2
0〜300の、光重合性不飽和結合を有するポリマーの
塩基性有機化合物による中和物並びに (B)非水溶性光開始剤 を含有する電着塗装浴(以下第2電着塗装浴という)
に、前記化合物(イ)を電着させた基体を陽極として浸
漬し、通電により電着塗装し、前記基体上に電着塗装膜
を形成し、次いで、 (iii)活性光線を、前記電着塗装膜に画像状に照射
し、次いで、 (iv)未露光部の電着塗装膜を現像により除去すること
を特徴とするレジストパターンの製造法に関する。
That is, the present invention relates to (i) a basic organic compound (b) of a compound (a) having a carboxyl group and / or a sulfonic acid group in the molecule and capable of forming a salt or a chelate with copper. A conductive copper substrate is immersed as an anode in an electrodeposition coating bath containing a Japanese product (hereinafter referred to as the first electrodeposition coating bath), and electrodeposition coating is performed by energizing,
The compound (a) is electrodeposited on the substrate, and then (ii) (A) (a) a neutralized product of a polymer having an acid value of 20 to 300 with a basic organic compound and a photopolymerizable unsaturated bond. 2 in the molecule
Or more water-insoluble monomer and / or (b) acid value 2
Electrodeposition coating bath (hereinafter referred to as the second electrodeposition coating bath) containing 0 to 300, a neutralized product of a polymer having a photopolymerizable unsaturated bond with a basic organic compound, and (B) a water-insoluble photoinitiator
Is immersed in an electrode of a substrate on which the compound (a) is electrodeposited, and an electrodeposition coating is performed by energizing to form an electrodeposition coating film on the substrate, and then (iii) an actinic ray is applied to the electrodeposition. The present invention relates to a method for producing a resist pattern, which comprises irradiating a coating film in an image form, and then (iv) removing the electrodeposition coating film in an unexposed portion by development.

【0013】以下本発明について詳述する。本発明にお
いて、第1電着塗装浴は、分子中にカルボキシル基及び
/又はスルホン酸基を有し、かつ銅と塩もしくはキレー
トを形成しうる化合物(イ)、塩基性有機化合物(ロ)
及び水とからなり、さらに必要に応じ染料、顔料等の着
色剤、界面活性剤、有機溶媒等を加えたものである。
The present invention will be described in detail below. In the present invention, the first electrodeposition coating bath has a compound (a) having a carboxyl group and / or a sulfonic acid group in the molecule and capable of forming a salt or a chelate with copper, a basic organic compound (b).
And a water, and if necessary, a dye, a coloring agent such as a pigment, a surfactant, an organic solvent and the like are added.

【0014】化合物(イ)としては、以下のものが代表
的なものとして例示できるが、これらに限定されもので
はない。一般式(I)で表わされる化合物
The following compounds can be exemplified as typical examples of the compound (a), but the compound (a) is not limited thereto. Compound represented by general formula (I)

【化1】 (式中、R1は、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ア
ルキル基又はアルコキシ基を示し、R2は、水素原子、
水酸基、アルキル基、エステル基、フェニル基又は−X
−R3(ただしXはカルボキシル基で置換されてもよい
アルキレン基、シクロアルキレン基又はアルキレンエー
テル基であり、R3は、水酸基、アルコキシ基、カルボ
キシル基又はジアルキルアミノ基である)を示し、n
は、1〜3の整数(ただしR2中にカルボキシル基を有
する場合には0でもよい)を示す)一般式(I)で表わ
される具体的化合物としては以下のようなものがある。
[Chemical 1] (In the formula, R 1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group or an alkoxy group, R 2 represents a hydrogen atom,
Hydroxyl group, alkyl group, ester group, phenyl group or -X
-R 3 (wherein X is an alkylene group which may be substituted with a carboxyl group, a cycloalkylene group or an alkylene ether group, and R 3 is a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group or a dialkylamino group), and n
Is an integer of 1 to 3 (however, it may be 0 when R 2 has a carboxyl group). Specific compounds represented by the general formula (I) are as follows.

【0015】[0015]

【化2】 [Chemical 2]

【0016】[0016]

【化3】 [Chemical 3]

【0017】[0017]

【化4】 [Chemical 4]

【0018】[0018]

【化5】 [Chemical 5]

【0019】[0019]

【化6】 [Chemical 6]

【0020】一般式(II)で表わされる化合物 Compound represented by general formula (II)

【化7】 (式中、R1は、一般式(I)のR1と同意義であり、R
4は、水素原子、アルキル基又はフェニル基を示し、n
は、1〜3の整数を示す)一般式(II)で表わされる具
体的化合物としては以下のようなものがある。
[Chemical 7] (In the formula, R 1 has the same meaning as R 1 in formula (I),
4 represents a hydrogen atom, an alkyl group or a phenyl group, and n
Represents an integer of 1 to 3) Specific compounds represented by the general formula (II) are as follows.

【0021】[0021]

【化8】 [Chemical 8]

【0022】一般式(III)で表わされる化合物 Compound represented by general formula (III)

【化9】 (式中、Yは、カルボキシル基又はスルホン酸基を示
し、R5、R6及びR7は、水素原子、ハロゲン原子、ヒ
ドロキシル基、アルキル基、フェニル基又は−X−R8
(ただしXは、カルボキシル基若しくはスルホン酸基で
置換されてもよいアルキレン基、シクロアルキレン基又
はアルキレンエーテル基を示し、R8は、ヒドロキシル
基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、カルボキシル
基又はスルホン酸基を示す)を示し、nは1〜3の整数
(ただしR5、R6及びR7のいずれかがカルボキシル基
又はスルホン酸基を有する場合には0でもよい)を示
す)一般式(III)で表わされる具体的化合物としては
以下のようなものがある。
[Chemical 9] (In the formula, Y represents a carboxyl group or a sulfonic acid group, and R 5 , R 6 and R 7 represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a phenyl group or —X—R 8
(However, X represents an alkylene group which may be substituted with a carboxyl group or a sulfonic acid group, a cycloalkylene group or an alkylene ether group, and R 8 represents a hydroxyl group, an alkoxy group, a dialkylamino group, a carboxyl group or a sulfonic acid group. And n is an integer from 1 to 3 (provided that any of R 5 , R 6 and R 7 has a carboxyl group or a sulfonic acid group, it may be 0)) General formula (III) Specific compounds represented by are as follows.

【0023】[0023]

【化10】 [Chemical 10]

【0024】[0024]

【化11】 [Chemical 11]

【0025】[0025]

【化12】 [Chemical 12]

【0026】[0026]

【化13】 [Chemical 13]

【0027】一般式(IV)で表わされる化合物 Compound represented by general formula (IV)

【化14】 (式中、Yは、カルボキシル基又はスルホン酸基を示
し、R9及びR10は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキ
シル基、アルキル基、フェニル基又は−X−R11(ただ
しXは、カルボキシル基若しくはスルホン酸基で置換さ
れてもよいアルキレン基、シクロアルキレン基又はアル
キレンエーテル基を示し、R11は、ヒドロキシル基、ア
ルコキシ基、ジアルキルアミノ基、カルボキシル基又は
スルホン酸基を示す)を示し、nは1〜3の整数(ただ
しR9及びR11のいずれかがカルボキシル基又はスルホ
ン酸基を有する場合には0でもよい)を示す)一般式
(IV)で表わされる具体的化合物としては以下のような
ものがある。
[Chemical 14] (In the formula, Y represents a carboxyl group or a sulfonic acid group, R 9 and R 10 are a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a phenyl group, or -X-R 11 (where X is a carboxyl group or Represents an alkylene group which may be substituted with a sulfonic acid group, a cycloalkylene group or an alkylene ether group, R 11 represents a hydroxyl group, an alkoxy group, a dialkylamino group, a carboxyl group or a sulfonic acid group), and n is The specific compound represented by the general formula (IV) is an integer of 1 to 3 (provided that either R 9 or R 11 has a carboxyl group or a sulfonic acid group, it may be 0) as follows. There is something like this.

【0028】[0028]

【化15】 [Chemical 15]

【0029】[0029]

【化16】 [Chemical 16]

【0030】[0030]

【化17】 [Chemical 17]

【0031】[0031]

【化18】 [Chemical 18]

【0032】一般式(V)で表わされる化合物 Compound represented by general formula (V)

【化19】 (式中、Yは、カルボキシル基又はスルホン酸基を示
し、R12は水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、
アミノ基、アルキル基又は−X1−R14(ただしX1は、
カルボキシル基若しくはスルホン酸基で置換されてもよ
いアルキレン基を示し、R14は、カルボキシル基又はス
ルホン酸基を示す)を示し、R13は水素原子、アルキル
基、シクロアルキル基、メルカプト基、アルキルチオ
基、シクロアルキルチオ基又は−S−X2−R15(ただ
しSは、硫黄原子であり、X2はアルキル基、シクロア
ルキル基、カルボキシル基若しくはスルホン酸基で置換
されてもよいアルキレン基、シクロアルキレン基、アル
キルアミノ基、シクロアルキルアミノ基又はアミノ基を
示し、R15はアルキル基、シクロアルキル基、カルボキ
シル基又はスルホン酸基を示す)を示しnは1〜3の整
数(ただしR12及びR13のいずれかがカルボキシル基又
はスルホン酸基を有する場合には0でもよい)を示す)
一般式(V)で表わされる具体的化合物としては以下の
ようなものがある。
[Chemical 19] (In the formula, Y represents a carboxyl group or a sulfonic acid group, R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group,
An amino group, an alkyl group or -X 1 -R 14 (where X 1 is
Represents an alkylene group which may be substituted with a carboxyl group or a sulfonic acid group, R 14 represents a carboxyl group or a sulfonic acid group), and R 13 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a mercapto group, an alkylthio group. group, cycloalkylthio group or -S-X 2 -R 15 (although S is a sulfur atom, X 2 is an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkylene group optionally substituted by carboxyl group or sulfonic acid group, a cycloalkyl An alkylene group, an alkylamino group, a cycloalkylamino group or an amino group, R 15 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a carboxyl group or a sulfonic acid group, and n is an integer of 1 to 3 (provided that R 12 and May be 0 when any of R 13 has a carboxyl group or a sulfonic acid group))
Specific compounds represented by the general formula (V) are as follows.

【0033】[0033]

【化20】 [Chemical 20]

【0034】[0034]

【化21】 [Chemical 21]

【0035】[0035]

【化22】 [Chemical formula 22]

【0036】[0036]

【化23】 [Chemical formula 23]

【0037】一般式(VI)で表わされる化合物 Compound represented by general formula (VI)

【化24】 (式中、Yは、カルボキシル基又はスルホン酸基を示
し、R16は水素原子、アルキル基又はメルカプト基を示
し、R17はカルボキシル基若しくはスルホン酸基で置換
されてもよいアルキレン基又はフェニレン基を示す)一
般式(VI)で表わされる具体的化合物としては以下のよ
うなものがある。
[Chemical formula 24] (In the formula, Y represents a carboxyl group or a sulfonic acid group, R 16 represents a hydrogen atom, an alkyl group or a mercapto group, and R 17 represents an alkylene group or a phenylene group which may be substituted with a carboxyl group or a sulfonic acid group. The specific compounds represented by the general formula (VI) are as follows.

【0038】[0038]

【化25】 [Chemical 25]

【0039】[0039]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0040】一般式(VII)で表わされる化合物 Compound represented by general formula (VII)

【化27】 (式中、R18は水素原子、アルキル基又はアミノ基を示
し、Aはカルボキシル基、スルホン酸基又は−X3−B
(ただし、X3はカルボキシル基又はスルホン基で置換
されてもよいアルキレン基を示し、Bはカルボキシル基
又はスルホン酸基を示す)を示す)一般式(VII)で表
わされる具体的化合物としては、以下のようなものがあ
る。
[Chemical 27] (In the formula, R 18 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an amino group, and A is a carboxyl group, a sulfonic acid group or -X 3 -B.
(However, X 3 represents an alkylene group which may be substituted with a carboxyl group or a sulfone group, and B represents a carboxyl group or a sulfonic acid group.) As a specific compound represented by the general formula (VII), There are the following.

【0041】[0041]

【化28】 [Chemical 28]

【0042】[0042]

【化29】 [Chemical 29]

【0043】一般式(VIII)で表わされる化合物 Compound represented by general formula (VIII)

【化30】 (式中、R19は水素原子、アルキル基、アミノ基、アル
キルチオ基又はメルカプト基を示し、R20はカルボキシ
ル基若しくはスルホン酸基で置換されてもよいアルキレ
ン基、アルキレンアミノ基又はアルキレンチオ基を示
し、Yはカルボキシル基又はスルホン酸基を示す)一般
式(VIII)で表わされる具体的化合物としては以下のよ
うなものがある。
[Chemical 30] (In the formula, R 19 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an amino group, an alkylthio group or a mercapto group, and R 20 represents an alkylene group, an alkyleneamino group or an alkylenethio group which may be substituted with a carboxyl group or a sulfonic acid group. (Wherein Y represents a carboxyl group or a sulfonic acid group). Specific compounds represented by the general formula (VIII) are as follows.

【0044】[0044]

【化31】 [Chemical 31]

【0045】[0045]

【化32】 [Chemical 32]

【0046】一般式(IX)で表わされる化合物 Compound represented by general formula (IX)

【化33】 (式中、R21及びR22は水素原子又はアルキル基を示
し、R23はアルキレン基を示し、Yはカルボキシル基又
はスルホン酸基を示す)
[Chemical 33] (In the formula, R 21 and R 22 represent a hydrogen atom or an alkyl group, R 23 represents an alkylene group, and Y represents a carboxyl group or a sulfonic acid group)

【0047】[0047]

【化34】 [Chemical 34]

【0048】一般式(X)で表わされる化合物 Compound represented by formula (X)

【化35】 (式中、Yは、カルボキシル基又はスルホン酸基を表
し、R24は、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキ
ル基、アルコキシ基又は−X−R3(ただしXは、カル
ボキシル基若しくはスルホン酸基で置換されてもよいア
ルキレン基、シクロアルキレン基又はアルキレンエーテ
ル基を示し、R3は、水酸基、アルコキシ基、カルボキ
シル基、スルホン酸基又はジアルキルアミノ基を示す)
を示し、R2は、水素原子、水酸基、アルキル基、フェ
ニル基又は−Z−R4(ただしZは、カルボンキシル基
若しくはスルホン酸基で置換されてもよいアルキレン
基、シクロアルキレン基又はアルキレンエーテル基を示
し、R4は、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、
スルホン酸基又はジアルキルアミノ基を示す)を示し、
nは1〜3の整数(ただしR1及びR2のいずれかがカル
ボキシル基、スルホン酸基又はそれらの塩を有する場合
には0でもよい)を示す)一般式(X)で表わされる具
体的化合物としては以下のようなものがある。
[Chemical 35] (In the formula, Y represents a carboxyl group or a sulfonic acid group, R 24 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group or —X—R 3 (where X represents a carboxyl group or a sulfonic acid group. Represents an alkylene group which may be substituted with, a cycloalkylene group or an alkylene ether group, and R 3 represents a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, a sulfonic acid group or a dialkylamino group)
Are shown, R 2 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a phenyl group or a -Z-R 4 (except Z is a carboxylic hexyl group or sulfonic acid alkylene group which may be substituted with a group, a cycloalkylene group or an alkylene ether represents a group, R 4 represents a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group,
Represents a sulfonic acid group or a dialkylamino group),
n represents an integer of 1 to 3 (provided that either R 1 or R 2 has a carboxyl group, a sulfonic acid group, or a salt thereof), and may be 0. Specific examples represented by the general formula (X) The compounds include the following.

【0049】[0049]

【化36】 [Chemical 36]

【0050】[0050]

【化37】 [Chemical 37]

【0051】[0051]

【化38】 [Chemical 38]

【0052】一般式(XI)で表わされる化合物 Compound represented by formula (XI)

【化39】 (式中、Yは、スルホン酸基を表し、R26は、水素原
子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基又はアルコキシ
基を示し、R27は、水素原子、水酸基、アルキル基、フ
ェニル基又は−Z−R28(ただしZは、スルホン酸基で
置換されてもよいアルキレン基、シクロアルキレン基又
はアルキレンエーテル基を示し、R28は、水酸基、アル
コキシ基、スルホン酸基又はジアルキルアミノ基を示
す)を示し、nは1〜3の整数(ただしR27、中にスル
ホン酸基を有する場合は0でもよい)を示す)一般式
(XI)で表わされる具体的化合物としては以下のような
ものがある。
[Chemical Formula 39] (In the formula, Y represents a sulfonic acid group, R 26 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group or an alkoxy group, and R 27 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a phenyl group or -Z. -R 28 (wherein Z represents an alkylene group which may be substituted with a sulfonic acid group, a cycloalkylene group or an alkylene ether group, and R 28 represents a hydroxyl group, an alkoxy group, a sulfonic acid group or a dialkylamino group) And n is an integer of 1 to 3 (provided that R 27 may be 0 when it has a sulfonic acid group therein). Specific compounds represented by the general formula (XI) include the following. .

【0053】[0053]

【化40】 [Chemical 40]

【0054】[0054]

【化41】 [Chemical 41]

【0055】[0055]

【化42】 [Chemical 42]

【0056】[0056]

【化43】 [Chemical 43]

【057】一般式(XII)で表わされる化合物 Compound represented by general formula (XII)

【化44】 (式中、Y及びR29は、一般式(XI)のY及びR26と同
意義であり、R30は、一般式(XI)のR27と同意義であ
り、nは、一般式(XI)のnと同意義である)一般式
(XII)で表わされる具体的化合物としては以下のよう
なものがある。
[Chemical 44] (In the formula, Y and R 29 have the same meanings as Y and R 26 in the general formula (XI), R 30 has the same meaning as R 27 in the general formula (XI), and n represents the general formula ( Specific compounds represented by the general formula (XII), which have the same meaning as n in XI), are as follows.

【0058】[0058]

【化45】 [Chemical formula 45]

【0059】[0059]

【化46】 [Chemical formula 46]

【0060】一般式(XIII)で表わされる化合物 Compound represented by formula (XIII)

【化47】 (式中、Yは、カルボキシル基又はスルホン酸基を示
し、R31は、−X−Y(ただしXはカルボキシル基若し
くはスルホン酸基で置換されてもよいアルキレン基、シ
クロアルキレン基又はアルキレンエーテル基を示す)を
示し、R32は、水素原子、水酸基、アルキル基、エステ
ル基、フェニル基又は−Z−R33(ただしZは、カルボ
キシル基若しくはスルホン酸基で置換されてもよいアル
キレン基、シクロアルキレン基又はアルキレンエーテル
基を示し、R33は、水酸基、アルコキシ基、カルボキシ
ル基、スルホン酸基又はジアルキルアミノ基である)を
示し、nは0〜3の整数を示す)一般式(XIII)で表わ
される具体的化合物としては以下のようなものがある。
[Chemical 47] (In the formula, Y represents a carboxyl group or a sulfonic acid group, and R 31 is —X—Y (where X is an alkylene group, a cycloalkylene group, or an alkylene ether group which may be substituted with a carboxyl group or a sulfonic acid group. R 32 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an ester group, a phenyl group or —Z—R 33 (wherein Z represents an alkylene group which may be substituted with a carboxyl group or a sulfonic acid group, cyclo An alkylene group or an alkylene ether group, R 33 represents a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, a sulfonic acid group or a dialkylamino group), and n represents an integer of 0 to 3) in the general formula (XIII). Specific compounds represented include the following.

【0061】[0061]

【化48】 [Chemical 48]

【0062】一般式(XIV)で表わされる化合物 Compound represented by formula (XIV)

【化49】 (式中、Y及びR34は、一般式(XIII)のY及びR31
同意義であり、R35は、一般式(XIII)のR32と同意義
であり、nは、一般式(XIII)のnと同意義である)一
般式(XIV)で表わされる具体的化合物としては以下の
ようなものがある。
[Chemical 49] (In the formula, Y and R 34 have the same meanings as Y and R 31 in the general formula (XIII), R 35 has the same meaning as R 32 in the general formula (XIII), and n represents the general formula ( The following are specific compounds represented by the general formula (XIV), which have the same meaning as n in XIII).

【0063】[0063]

【化50】 [Chemical 50]

【0064】一般式(XV)で表わされる化合物 Compound represented by formula (XV)

【化51】 (式中、X4はカルボキシル基又はスルホン酸基を示
し、R36は水素原子、アルキル基又はフェニル基を示
し、R37は水素原子又はメチル基を示す)一般式(XV)
で表わされる具体的化合物としては以下のようなものが
ある。
[Chemical 51] (In the formula, X 4 represents a carboxyl group or a sulfonic acid group, R 36 represents a hydrogen atom, an alkyl group or a phenyl group, and R 37 represents a hydrogen atom or a methyl group.) General formula (XV)
Specific compounds represented by are as follows.

【0065】[0065]

【化52】 [Chemical 52]

【0066】一般式(XVI)で表わされる化合物 Compound represented by general formula (XVI)

【化53】 (式中、Y2はカルボキシル基、スルホン酸基又は−X5
−R39(ただし、X5はカルボキシル基若しくはスルホ
ン酸基で置換されてもよいアルキレン基又はフェニレン
基を示し、R39はカルボキシル基又はスルホン酸基を示
す)を示し、R38は水素原子又はアルキル基を示す)一
般式(XVI)で表わされる具体的化合物としては以下の
ようなものがある。
[Chemical 53] (In the formula, Y 2 is a carboxyl group, a sulfonic acid group, or —X 5
-R 39 (wherein X 5 represents an alkylene group which may be substituted with a carboxyl group or a sulfonic acid group or a phenylene group, R 39 represents a carboxyl group or a sulfonic acid group), and R 38 represents a hydrogen atom or Specific compounds represented by the general formula (XVI) (which represent an alkyl group) are as follows.

【0067】[0067]

【化54】 [Chemical 54]

【0068】その他化合物 上記化合物以外にも、以下のような化合物も例示でき
る。
Other Compounds In addition to the above compounds, the following compounds can be exemplified.

【0069】[0069]

【化55】 [Chemical 55]

【0070】[0070]

【化56】 [Chemical 56]

【0071】これら化合物(イ)は、単独で又は2種以
上を組み合わせて用いることができる。前記塩基性有機
化合物(ロ)としては、従来から酸化合物の中和剤とし
て知られている化合物が、特に制限なく使用可能である
が、有機アミン類が好ましい。有機アミン類の具体例と
しては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、
ジイソプロピルアミン、ジメチルアミノエタノール、ジ
エチルアミン、トリエチルアミン、ブチルアミン、トリ
−n−ブチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ
フェニルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルエタ
ノールアミン、プロピルアミン、t−ブチルアミン、ピ
リジン、モルホリン、ピペリジン、ピロリジンモノエタ
ノールアミン等が挙げられ、これらは単独で又は2種類
以上を組み合わせて用いることができる。
These compounds (a) can be used alone or in combination of two or more kinds. As the basic organic compound (b), compounds conventionally known as neutralizing agents for acid compounds can be used without particular limitation, but organic amines are preferable. Specific examples of organic amines include monoethanolamine, diethanolamine,
Diisopropylamine, dimethylaminoethanol, diethylamine, triethylamine, butylamine, tri-n-butylamine, tri-n-octylamine, triphenylamine, triethanolamine, dimethylethanolamine, propylamine, t-butylamine, pyridine, morpholine, piperidine , Pyrrolidine monoethanolamine and the like, and these can be used alone or in combination of two or more kinds.

【0072】第1電着塗装浴は、前記化合物(イ)を第
1電着塗装浴の総量100重量部に対して0.01重量
部以上、好ましくは0.05〜5重量部配合するのが適
当で、この範囲で現像残りに対する効果や電着塗装性の
向上効果が顕著に得られる。また前記化合物(ロ)は、
化合物(イ)中のカルボキシル基及びスルホン酸基1当
量に対し0.4〜2.0当量となるよう配合するのが適
当である。
The first electrodeposition coating bath contains 0.01 part by weight or more, preferably 0.05 to 5 parts by weight of the compound (a) based on 100 parts by weight of the first electrodeposition coating bath. Is suitable, and in this range, the effect of residual development and the effect of improving the electrocoating property can be remarkably obtained. The compound (b) is
It is suitable to add 0.4 to 2.0 equivalents to 1 equivalent of the carboxyl group and the sulfonic acid group in the compound (a).

【0073】本発明において、第2電着塗装浴は、In the present invention, the second electrodeposition coating bath is

【0074】前記(A)成分、(B)成分及び水とから
なり、さらに必要に応じ染料、顔料等の着色剤、フィラ
ー、可塑剤、有材溶媒、その他熱重合禁止剤、界面活性
剤などの各種添加剤等を加えたものからなるものであ
る。
Consists of the above components (A) and (B) and water, and if necessary, coloring agents such as dyes and pigments, fillers, plasticizers, solvent for materials, other thermal polymerization inhibitors, surfactants, etc. And various additives and the like are added.

【0075】前記(a)成分は、酸価20〜300のポ
リマーの塩基性有機化合物による中和物と光重合性不飽
和結合を分子内に2個以上有する非水溶性モノマーとか
らなるものである。
The component (a) comprises a neutralized product of a polymer having an acid value of 20 to 300 with a basic organic compound and a water-insoluble monomer having two or more photopolymerizable unsaturated bonds in the molecule. is there.

【0076】前記酸価20〜300のポリマーとして
は、アクリル酸及び/又はメタクリル酸を必須構成モノ
マーとし、これらと例えば、メチルアクリレート、メチ
ルメタクリレート、エチルメタクリレート、ブチルメタ
クリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリ
レート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレ
ート、n−ヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリ
レート、n−オクチルメタクリレート、n−デシルメタ
クリレート、シクロヘキシルメタクリレート、2−ヒド
ロキシエチルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレ
ート、アクリロニトリル、スチレン、塩化ビニル等の重
合性モノマーを一種類以上共重合することにより得られ
る、重量平均分子量約5000〜150,000の共重
合体が好適である。
As the polymer having an acid value of 20 to 300, acrylic acid and / or methacrylic acid are used as essential constituent monomers, and, for example, methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, butyl methacrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, n -Butyl acrylate, isobutyl acrylate, n-hexyl acrylate, n-octyl acrylate, n-octyl methacrylate, n-decyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, cyclohexyl methacrylate, acrylonitrile, styrene, vinyl chloride and other polymerizable monomers A copolymer having a weight average molecular weight of about 5,000 to 150,000, which is obtained by copolymerizing one or more of

【0077】しかしながら該ポリマーに限定されるもの
ではなく、レジストの機械的強度、電気絶縁性等を有す
るポリマーであれば、従来から通常使用されている電着
塗料用樹脂が特に制限なく使用可能である。なお、ポリ
マーの酸価は、20未満では、沈殿等が生じやすく、電
着塗装浴の安定性が悪くなり、一方、300を越えると
得られる電着塗装膜の外観が悪くなるので好ましくな
い。
However, the resin is not limited to the above-mentioned polymer, and any resin that has been conventionally used for electrodeposition coating can be used without particular limitation as long as it is a polymer having the mechanical strength of resist, the electrical insulating property and the like. is there. If the acid value of the polymer is less than 20, precipitation or the like is likely to occur and the stability of the electrodeposition coating bath is deteriorated, whereas if it exceeds 300, the appearance of the electrodeposition coating film obtained is not preferable, which is not preferable.

【0078】前記光重合性不飽和結合を分子内に2個以
上有する非水溶性モノマーとしては、例えばエチレング
リコールを一つ以上縮合したポリエチレングリコールを
除く多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を付加
して得られる化合物、例えばトリメチロールプロパンジ
(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ
(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ
(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ
(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ
(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ
(メタ)アクリレート等、グリシジル基含有化合物に
α,β−不飽和カルボン酸を付加して得られる化合物、
例えば、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテ
ルトリアクリレート、ビスフェノールAグリシジルエー
テルジ(メタ)アクリレート等、多価カルボン酸、例え
ば無水フタル酸等と水酸基及びエチレン性不飽和基を有
する物質、例えばβ−ヒドロキシエチル(メタ)アクリ
レート等のエステル化合物等が用いられ、更にはウレタ
ン骨格をもったウレタンジアクリレート化合物等も用い
ることができ、いずれにしても、非水溶性で光照射によ
り硬化するものであればよい。
Examples of the water-insoluble monomer having two or more photopolymerizable unsaturated bonds in the molecule include, for example, polyhydric alcohols other than polyethylene glycol condensed with one or more ethylene glycol, and α, β-unsaturated carboxylic acid. A compound obtained by adding trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta ( Compounds obtained by adding α, β-unsaturated carboxylic acid to a glycidyl group-containing compound, such as (meth) acrylate and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate,
For example, trimethylolpropane triglycidyl ether triacrylate, bisphenol A glycidyl ether di (meth) acrylate and the like, polyvalent carboxylic acids such as phthalic anhydride and a substance having a hydroxyl group and an ethylenically unsaturated group such as β-hydroxyethyl ( An ester compound such as (meth) acrylate may be used, and a urethane diacrylate compound having a urethane skeleton may also be used. In any case, a water-insoluble compound that is cured by irradiation with light may be used.

【0079】(a)成分を構成する前記ポリマーと前記
モノマーの割合は、(50〜85:50〜15)(重量
基準)が適当である。なお、ポリマーが前記範囲より少
ないとレジストの機械的強度が低下する傾向があり、逆
に多過ぎると相対的にモノマーの割合が減って光に対す
る感度が低下し、同様にレジストの機械的強度が低下す
る傾向がある。
The ratio of the polymer to the monomer constituting the component (a) is preferably (50 to 85:50 to 15) (weight basis). Incidentally, when the amount of the polymer is less than the above range, the mechanical strength of the resist tends to be decreased, and when the amount of the polymer is too large, the proportion of the monomer is relatively decreased and the sensitivity to light is decreased, and similarly the mechanical strength of the resist is decreased. Tends to decline.

【0080】また前記ポリマーは、塩基性有機化合物で
中和し、水溶化もしくは水分散化されている。塩基性有
機化合物としては、前述の塩基性有機化合物(ロ)と同
様のものが使用出来、その使用量はポリマー中の酸基1
当量に対し、0.4〜1.0当量とすることが適当であ
る。
The polymer is neutralized with a basic organic compound to be water-soluble or water-dispersed. As the basic organic compound, the same basic organic compound (b) as described above can be used, and the amount thereof is 1 acid group in the polymer.
It is suitable to use 0.4 to 1.0 equivalent with respect to the equivalent.

【0081】前記(b)成分は、酸価20〜300の、
光重合性不飽和結合を有するポリマーの塩基性有機化合
物の中和物からなるものである。前記ポリマーとして
は、酸価20〜300で、かつ後述する活性光線照射に
より光硬化する光重合性不飽和結合を有するものであ
り、レジストの機械的強度、電気絶縁性等を有するポリ
マーであれば従来から通常使用されている光硬化型塗料
用樹脂が特に制限なく使用可能である。
The component (b) has an acid value of 20 to 300,
It is a neutralized product of a basic organic compound of a polymer having a photopolymerizable unsaturated bond. The polymer has an acid value of 20 to 300, and has a photopolymerizable unsaturated bond that is photocured by irradiation with actinic rays described below, and is a polymer having mechanical strength of resist, electrical insulation, etc. Conventionally used photocurable coating resin can be used without particular limitation.

【0082】具体的には、例えば高酸価アクリル樹脂
に、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、
アリールグリシジルエーテル等のグリシジル基含有不飽
和化合物を付加させた酸価20〜300のポリマー;酸
価20〜300で、かつ水酸基を有するアクリル樹脂
に、過剰量のポリイソシアネートと水酸基含有不飽和化
合物との遊離イソシアネート基を持つ反応物を反応させ
た酸価20〜300のポリマー;エポキシ樹脂と不飽和
カルボン酸との付加反応物に多塩基酸無水物を反応させ
た酸価20〜300のポリマー;共役ジエン(共)重合
体と不飽和ジカルボン酸無水物との付加反応物に水酸基
を有する重合性モノマーを反応させた酸価20〜300
のポリマー等が代表的なものとして挙げられる。
Specifically, for example, a high acid value acrylic resin, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate,
A polymer having an acid value of 20 to 300 to which a glycidyl group-containing unsaturated compound such as aryl glycidyl ether is added; an acrylic resin having an acid value of 20 to 300 and having a hydroxyl group, and an excess amount of polyisocyanate and a hydroxyl group-containing unsaturated compound. A polymer having an acid value of 20 to 300 reacted with a reaction product having a free isocyanate group; a polymer having an acid value of 20 to 300 obtained by reacting a polybasic acid anhydride with an addition reaction product of an epoxy resin and an unsaturated carboxylic acid; Acid value of 20 to 300 obtained by reacting an addition reaction product of a conjugated diene (co) polymer and an unsaturated dicarboxylic acid anhydride with a polymerizable monomer having a hydroxyl group.
Polymers and the like are mentioned as typical ones.

【0083】前記ポリマーは、不飽和度0.2〜4.0
モル/kg、数平均分子量500〜50,000程度の
ものが適当であり、またポリマーは前記(a)成分中の
ポリマーと同様に塩基性有機化合物で中和され、水溶化
もしくは水分散化されている。
The polymer has a degree of unsaturation of 0.2 to 4.0.
A polymer having a mol / kg and a number average molecular weight of about 500 to 50,000 is suitable, and the polymer is neutralized with a basic organic compound in the same manner as the polymer in the component (a) to be water-soluble or water-dispersed. ing.

【0084】なお、前記(b)成分のポリマーは単独で
もよいが、前記(a)成分のポリマー及び/又は光重合
性不飽和結合を分子内に2個以上有する非水溶性モノマ
ーを併用することもできる。
The component (b) polymer may be used alone, but the component (a) polymer and / or a water-insoluble monomer having two or more photopolymerizable unsaturated bonds in the molecule may be used in combination. You can also

【0085】前記非水溶性光開始剤(B)としては、従
来から通常使用されている光硬化型塗料用光開始剤が、
非水溶性であれば特に制限なく使用可能である。具体的
には例えばベンゾフェノン、N,N′−テトラメチル−
4,4′−ジアミノベンゾフェノン、4−メトキシ−
4′−ジメチルアミノベンゾフェノン、2−エチルアン
トラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、
ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテ
ル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテ
ル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイ
ン、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニル
イミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−
4,5−ジ(m−メトキシフェニル)イミダゾール二量
体、2,4−ジ(p−メトキシフェニル)−5−フェニ
ルイミダゾール二量体などが挙げられる。これらは1種
類単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることがで
きる。なお光開始剤が水溶性の場合、他の成分と均一に
混合された状態で電着塗装することが困難となるので好
ましくない。
As the water-insoluble photoinitiator (B), photoinitiators for photocurable coatings that have been conventionally used are
Any water-insoluble substance can be used without particular limitation. Specifically, for example, benzophenone, N, N'-tetramethyl-
4,4'-diaminobenzophenone, 4-methoxy-
Aromatic ketones such as 4'-dimethylaminobenzophenone, 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone,
Benzoin ethers such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin phenyl ether, benzoin such as methylbenzoin and ethylbenzoin, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) −
Examples include 4,5-di (m-methoxyphenyl) imidazole dimer and 2,4-di (p-methoxyphenyl) -5-phenylimidazole dimer. These may be used alone or in combination of two or more. When the photoinitiator is water-soluble, it becomes difficult to carry out electrodeposition coating in a state of being uniformly mixed with other components, which is not preferable.

【0086】光開始剤の使用量は前記(a)成分100
重量部に対し0.1〜15重量部、好ましくは0.2〜
10重量部が適当である。このような構成成分からなる
第2電着塗装浴は、固形分5〜20重量%、pH6.0
〜9.0(25℃)の範囲とすることが、浴管理、電着
性等の観点から好ましい。
The amount of the photoinitiator used is 100 parts of the component (a).
0.1 to 15 parts by weight, preferably 0.2 to
10 parts by weight is suitable. The second electrodeposition coating bath composed of such components has a solid content of 5 to 20% by weight and a pH of 6.0.
From the viewpoint of bath management, electrodeposition property and the like, it is preferable to set the temperature within the range of to 9.0 (25 ° C.).

【0087】また第2電着塗装浴は、好ましくは、次の
ように作製する。中和する前の(A)成分と(B)成分
を親水性有機溶媒に均一に溶解させた溶液とする。前記
親水性有機溶媒としては、例えばジオキサン、エチレン
グリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノアセテー
ト、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
トなどが代表的なものとして挙げられる。なお、親水性
有機溶媒は、前記ポリマーを合成する際に使用した場合
には、それをそのまま用いてもよい。
The second electrodeposition coating bath is preferably prepared as follows. A solution in which the component (A) and the component (B) before being neutralized are uniformly dissolved in a hydrophilic organic solvent. Typical examples of the hydrophilic organic solvent include dioxane, ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoacetate, and diethylene glycol monoethyl ether acetate. When the hydrophilic organic solvent is used when synthesizing the polymer, it may be used as it is.

【0088】親水性有機溶媒の使用量は、前記(A)成
分及び(B)成分を含む固形分100重量部に対し30
0重量部以下の範囲とすることが望ましい。次いで前記
溶液に塩基性有機化合物を加え、中和せしめた後水を加
え、水に溶解もしくは分散させて第2電着塗装浴を作製
する。なお、電着塗装浴には、電着塗装時の塗布量を多
くするために、トルエン、キシレン、2−エチルヘキシ
ルアルコール等の疎水性溶媒を適宜加えることもでき
る。
The amount of the hydrophilic organic solvent used is 30 with respect to 100 parts by weight of the solid content containing the components (A) and (B).
It is desirable that the amount be 0 parts by weight or less. Next, a basic organic compound is added to the solution to neutralize it, and then water is added to dissolve or disperse in water to prepare a second electrodeposition coating bath. A hydrophobic solvent such as toluene, xylene or 2-ethylhexyl alcohol may be appropriately added to the electrodeposition coating bath in order to increase the coating amount during electrodeposition coating.

【0089】次にレジストパターンの製造法につき説明
する。まず(i)工程において導電性銅基体、例えば銅
張積層板を陽極として、浴温10〜30℃に調整した第
1電着塗装浴中に浸漬し、好ましくは電圧約4〜10
V、電流密度約10〜70mA/dm2の直流電圧を1
0秒〜5分間印加して化合物(イ)を基体上に電着させ
る。
Next, a method of manufacturing a resist pattern will be described. First, in step (i), a conductive copper substrate, for example, a copper-clad laminate is used as an anode and immersed in a first electrodeposition coating bath adjusted to a bath temperature of 10 to 30 ° C., preferably a voltage of about 4 to 10
V, current density of about 10 to 70 mA / dm 2 DC voltage of 1
The compound (a) is electrodeposited on the substrate by applying for 0 seconds to 5 minutes.

【0090】該基体を水洗、水切りし、ガスを吹きつけ
る等して乾燥した後、あるいは水洗しないそのままの状
態で、(ii)工程において、化合物(イ)を付着せしめ
た基体を陽極として、浴温10〜30℃に調整した第2
電着塗装浴中に浸漬する。電着塗装は、好ましくは電圧
約50〜400Vの直流電圧又は30mA/dm2〜4
00mA/dm2の直流電流を10秒〜5分間印加して
行なう。得られる電着塗装膜は5〜50μm程度である
ことが好ましい。
The substrate is washed with water, drained, dried by blowing gas or the like, or in the state without being washed with water, in step (ii), the substrate to which the compound (a) is attached is used as an anode. Second temperature adjusted to 10-30 ℃
Immerse in the electrodeposition coating bath. The electrodeposition coating is preferably a DC voltage of about 50 to 400 V or 30 mA / dm 2 to 4
A direct current of 00 mA / dm 2 is applied for 10 seconds to 5 minutes. The obtained electrodeposition coating film is preferably about 5 to 50 μm.

【0091】電着塗装後、電着塗装浴から基体を引き上
げ、水洗、水切りした後、熱風等で乾燥させる。この
際、乾燥温度が高いと塗膜が熱硬化し、露光後の現像工
程で一部が現像残りとなるため、通常、120℃以下で
乾燥することが望ましい。
After electrodeposition coating, the substrate is taken out from the electrodeposition coating bath, washed with water, drained and then dried with hot air or the like. At this time, if the drying temperature is high, the coating film is thermally cured, and a part of the film remains undeveloped in the developing step after exposure.

【0092】このようにして得られた電着塗装膜の上
に、該膜の保護や次の露光時の酸素による硬化阻害を防
止するために、ポリビニルアルコール等の水溶性ポリマ
ーの皮膜を約1〜10μm程度の膜厚で形成してもよ
い。
On the electrodeposition coating film thus obtained, a film of a water-soluble polymer such as polyvinyl alcohol is used in an amount of about 1 in order to protect the film and prevent curing inhibition by oxygen during the next exposure. You may form with a film thickness of about 10 micrometers.

【0093】次いで(iii)工程において電着塗装膜に
活性光線を画像状に照射し、露光部の電着塗装膜を光硬
化させる。なお、活性光線の光源としては、波長300
〜450nmの光線を発するもの、例えば水銀蒸気アー
ク、カーボンアーク、キセノンアーク等が好ましく用い
られる。
Next, in the step (iii), the electrodeposition coating film is imagewise irradiated with an actinic ray to photo-cur the electrodeposition coating film in the exposed portion. In addition, as a light source of the active ray,
Those which emit a light beam of up to 450 nm, for example, mercury vapor arc, carbon arc, xenon arc and the like are preferably used.

【0094】次いで(iv)工程において、現像処理、す
なわち電着塗装膜表面に、水酸化ナトリウム、炭酸ナト
リウム、水酸化カルシウム等のアルカリ水を吹き付ける
か、アルカリ水に浸漬するなどして、未露光部の電着塗
装膜を除去し、前記画像に対応した硬化電着塗装膜を基
体表面に有する、レジストパターンを製造する。
Next, in the step (iv), development treatment, that is, spraying an alkaline water such as sodium hydroxide, sodium carbonate, calcium hydroxide or the like on the surface of the electrodeposition coating film, or immersing it in an alkaline water, unexposed Part of the electrodeposition coating film is removed, and a resist pattern having a cured electrodeposition coating film corresponding to the image on the surface of the substrate is manufactured.

【0095】[0095]

〔第1電着塗装浴(A)の組成〕[Composition of the first electrodeposition coating bath (A)]

前記一般式(I−1)の化合物(イ) 5g トリエチルアミン 3g 水 4992g 〔第1電着塗装浴(B)の組成〕 前記一般式(I−1)の化合物(イ) 25g ジメチルアミノエタノール 11g 水 4964g 〔第1電着塗装浴(C)の組成〕 前記一般式(II−1)の化合物(イ) 5g トリエチルアミン 2g 水 4993g 〔第1電着塗装浴(D)の組成〕 前記一般式(III−1)の化合物(イ) 5g トリエチルアミン 3g 水 4992g Compound (a) of the general formula (I-1) 5 g Triethylamine 3 g Water 4992 g [Composition of the first electrodeposition coating bath (B)] Compound (a) of the general formula (I-1) 25 g Dimethylaminoethanol 11 g Water 4964 g [Composition of first electrodeposition coating bath (C)] Compound (a) of the general formula (II-1) 5 g Triethylamine 2 g Water 4993 g [Composition of first electrodeposition coating bath (D)] The general formula (III -1) Compound (a) 5 g Triethylamine 3 g Water 4992 g

【0096】 〔第1電着塗装浴(E)の組成〕 前記一般式(IV−2)の化合物(イ) 10g ジエチルアミン 3g 水 4987g 〔第1電着塗装浴(F)の組成〕 前記一般式(V−1)の化合物(イ) 15g トリエチルアミン 8g 水 4977g 〔第1電着塗装浴(G)の組成〕 前記一般式(VI−1)の化合物(イ) 10g トリエチルアミン 7g 水 4983g 〔第1電着塗装浴(H)の組成〕 前記一般式(VII−6)の化合物(イ) 5g トリエチルアミン 3g 水 4992g 〔第1電着塗装浴(I)の組成〕 前記一般式(VIII−1)の化合物(イ) 5g トリエチルアミン 3g 水 4992g[Composition of First Electrodeposition Coating Bath (E)] Compound (a) of General Formula (IV-2) 10 g Diethylamine 3 g Water 4987 g [Composition of First Electrodeposition Coating Bath (F)] General Formula Compound (I) of (V-1) 15 g Triethylamine 8 g Water 4977 g [Composition of first electrodeposition coating bath (G)] Compound (I) of the general formula (VI-1) 10 g Triethylamine 7 g water 4983 g [Dai-Iden] Composition of coating bath (H)] Compound (a) of the general formula (VII-6) 5 g Triethylamine 3 g Water 4992 g [Composition of first electrodeposition coating bath (I)] Compound of the general formula (VIII-1) (A) 5 g triethylamine 3 g water 4992 g

【0097】 〔第1電着塗装浴(J)の組成〕 前記一般式(IX−1)の化合物(イ) 10g トリエチルアミン 4g 水 4986g 〔第1電着塗装浴(K)の組成〕 前記一般式(X−1)の化合物(イ) 5g トリエチルアミン 3g 水 4992g 〔第1電着塗装浴(L)の組成〕 前記一般式(XI−1)の化合物(イ) 5g トリエチルアミン 3g 水 4992g 〔第1電着塗装浴(M)の組成〕 前記一般式(XII−1)の化合物(イ) 20g トリエチルアミン 12g 水 4968g 〔第1電着塗装浴(N)の組成〕 前記一般式(XIII−1)の化合物(イ) 5g トリエチルアミン 3g 水 4992g 〔第1電着塗装浴(O)の組成〕 ベンゾトリアゾール 5g トリエチルアミン 4g 水 4991g[Composition of First Electrodeposition Coating Bath (J)] Compound (a) of the General Formula (IX-1) 10 g Triethylamine 4 g Water 4986 g [Composition of First Electrodeposition Coating Bath (K)] The General Formula Compound (I) of (X-1) 5 g Triethylamine 3 g Water 4992 g [Composition of first electrodeposition coating bath (L)] Compound (I) of the general formula (XI-1) 5 g Triethylamine 3 g water 4992 g [Dai-Iden] Composition of coating bath (M)] Compound (a) of the general formula (XII-1) 20 g Triethylamine 12 g Water 4968 g [Composition of first electrodeposition coating bath (N)] Compound of the general formula (XIII-1) (A) 5 g triethylamine 3 g water 4992 g [composition of the first electrodeposition coating bath (O)] benzotriazole 5 g triethylamine 4 g water 4991 g

【0098】〈第2電着塗装浴の作成〉 〔第2電着塗装浴(A)の作製〕撹拌機、還流冷却器、
温度計、滴下ロート及び窒素ガス導入管を備えたフラス
コにジオキサン1130gを加え撹拌しながら窒素ガス
を吹きこみながら90℃に加温した。温度が90℃で一
定になったところでメタクリル酸169g、メチルメタ
クリレート250g、n−ブチルアクリレート381
g、エチルメタクリレート200g及びアゾビスイソブ
チロニトリル10gを混合した液を2.5時間かけてフ
ラスコ内に滴下し、その後90℃で3時間撹拌しながら
保温した。3時間後にアゾビスイソブチロニトリル3g
をジオキサン100gに溶かした溶液を10分かけてフ
ラスコ内に滴下し、その後再び90℃で4時間撹拌しな
がら保温した。
<Preparation of Second Electrodeposition Coating Bath> [Preparation of Second Electrodeposition Coating Bath (A)] Stirrer, reflux condenser,
1130 g of dioxane was added to a flask equipped with a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen gas introducing tube, and the mixture was heated to 90 ° C. while blowing nitrogen gas while stirring. When the temperature became constant at 90 ° C., 169 g of methacrylic acid, 250 g of methyl methacrylate, n-butyl acrylate 381
g, 200 g of ethyl methacrylate and 10 g of azobisisobutyronitrile were added dropwise to the flask over 2.5 hours, and then the mixture was kept warm at 90 ° C. for 3 hours with stirring. After 3 hours, 3 g of azobisisobutyronitrile
A solution of 100 g of dioxane was added dropwise into the flask over 10 minutes, and then the temperature was maintained again at 90 ° C. for 4 hours with stirring.

【0099】このようにして得られたポリマーの重量平
均分子量は55,000、酸価は109であった。また
ポリマー溶液の固形分は45.1重量%であった。次に
このポリマー溶液650gにEO変性ビスフェノールA
ジメタクリレート(新中村化学工業製、商品名NKエス
テルBPE−200)150g及びヘキサンジオールジ
メタクリレート(新中村化学工業製、商品名NKエステ
ルHD)25g、ベンゾフェノン30g及びN,N′−
テトラエチル−4,4′−ジアミノベンゾフェノン1g
を加えて溶解した。
The polymer thus obtained had a weight average molecular weight of 55,000 and an acid value of 109. The solid content of the polymer solution was 45.1% by weight. Next, 650 g of this polymer solution was added to EO-modified bisphenol A.
150 g of dimethacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name NK ester BPE-200) and 25 g of hexanediol dimethacrylate (manufactured by Shin Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name NK ester HD), 30 g of benzophenone and N, N'-
Tetraethyl-4,4'-diaminobenzophenone 1 g
Was added and dissolved.

【0100】この溶液に塩基性有機化合物としてジメチ
ルアミノエタノール31.8gを加えて溶解し溶液中の
ポリマーを中和した。ついで、この溶液を撹拌しながら
イオン交換水4,200gを徐々に滴下しながら加えて
第2電着塗装浴(A)を得た。この電着塗装浴(A)の
固形分は10重量%、pHは25℃で7.85であっ
た。
To this solution, 31.8 g of dimethylaminoethanol as a basic organic compound was added and dissolved to neutralize the polymer in the solution. Next, while stirring this solution, 4,200 g of ion-exchanged water was gradually added dropwise to obtain a second electrodeposition coating bath (A). The solid content of this electrodeposition coating bath (A) was 10% by weight, and the pH was 7.85 at 25 ° C.

【0101】〔第2電着塗装浴(B)の作成〕前記フラ
スコに、フェノールノボラック型エポキシ樹脂(シェル
社製、商品名エピコート152;エポキシ当量175)
175g及びジオキサン50gを加え、100℃に昇温
した。そこにアクリル酸70g、p−キノン0.1g及
び塩化ベンジルトリエチルアンモニウム0.3gを混合
した液を1時間かけて滴下し、さらに同温にて10時間
撹拌し、反応系の酸価を1以下にした後、60℃に冷却
した。次いで、無水テトラヒドロフタル酸120g及び
ジオキサン170gを加えて、約2時間かけて再び10
0℃に昇温し、撹拌しながら10時間保温した。
[Preparation of Second Electrodeposition Coating Bath (B)] A phenol novolac type epoxy resin (trade name: Epicoat 152; epoxy equivalent 175, manufactured by Shell Co.) was placed in the flask.
175 g and 50 g of dioxane were added, and it heated up at 100 degreeC. A liquid obtained by mixing 70 g of acrylic acid, 0.1 g of p-quinone and 0.3 g of benzyltriethylammonium chloride was added dropwise over 1 hour, and the mixture was further stirred at the same temperature for 10 hours, and the acid value of the reaction system was 1 or less. And then cooled to 60 ° C. Next, 120 g of tetrahydrophthalic anhydride and 170 g of dioxane were added, and the mixture was added again for 10 hours over 10 hours.
The temperature was raised to 0 ° C., and the temperature was kept for 10 hours while stirring.

【0102】このようにして得られたポリマーは、数平
均分子量約800、酸価100であった。またポリマー
溶液の固形分は63重量%であった。次にこのポリマー
溶液400gにベンゾフェノン27g、N,N′−テト
ラエチル−4,4′−ジアミノベンゾフェノン1g及び
ジオキサン180gを加えて溶解した。この溶液に塩基
性有機化合物としてトリエチルアミン35gを加えて溶
解し溶液中のポリマーを中和した。次いでこの溶液を撹
拌しながらイオン交換水2500gを徐々に滴下しなが
ら加えて第2電着塗装浴(B)を得た。この電着浴
(B)の固形分は9重量%、pHは25℃で7.6であ
った。
The polymer thus obtained had a number average molecular weight of about 800 and an acid value of 100. The solid content of the polymer solution was 63% by weight. Next, 27 g of benzophenone, 1 g of N, N'-tetraethyl-4,4'-diaminobenzophenone and 180 g of dioxane were added and dissolved in 400 g of this polymer solution. To this solution, 35 g of triethylamine as a basic organic compound was added and dissolved to neutralize the polymer in the solution. Next, 2500 g of ion-exchanged water was gradually added dropwise with stirring to this solution to obtain a second electrodeposition coating bath (B). The solid content of the electrodeposition bath (B) was 9% by weight, and the pH was 7.6 at 25 ° C.

【0103】実施例1〜14及び比較例1 前記第1電着塗装浴(A)〜(O)にガラスエポキシ銅
張積層板(200mm×75mm)を陽極として、浸漬
し、25℃で5Vの直流電流を5分間通電し、電着塗装
した。次いで、第2電着塗装浴(A)中に同様にして浸
漬し、25℃で120Vの直流電流を2分間通電し、電
着塗装した。この後、水洗、水切り後80℃で15分間
乾燥した。このようにして前記銅張積層板に形成させた
電着塗装膜(感光膜)にネガマスクを介して3kW高圧
水銀灯で60mJ/cm2の光量を画像状に露光した
後、1重量%の炭酸ナトリウム水溶液で現像を行ない、
レジストパターンを製造した。
Examples 1 to 14 and Comparative Example 1 A glass epoxy copper clad laminate (200 mm × 75 mm) was immersed in the first electrodeposition coating baths (A) to (O) as an anode, and was immersed at 25 ° C. for 5 V. A direct current was applied for 5 minutes to perform electrodeposition coating. Then, it was similarly immersed in the second electrodeposition coating bath (A), and a direct current of 120 V was applied at 25 ° C. for 2 minutes to carry out electrodeposition coating. After that, it was washed with water, drained and dried at 80 ° C. for 15 minutes. The electrodeposition coating film (photosensitive film) thus formed on the copper clad laminate was imagewise exposed to a light amount of 60 mJ / cm 2 with a 3 kW high pressure mercury lamp through a negative mask, and then 1% by weight of sodium carbonate was used. Develop with an aqueous solution,
A resist pattern was manufactured.

【0104】実施例15及び比較例2 前記第1電着塗装浴(A)及び(O)中にて電着塗装
し、次いで第2電着塗装浴(A)の代りに第2電着塗装
浴(B)中にて電着塗装する以外は、実施例1と同様に
してレジストパターンを製造した。
Example 15 and Comparative Example 2 Electrodeposition coating was performed in the first electrodeposition coating baths (A) and (O), and then the second electrodeposition coating bath (A) was used instead of the second electrodeposition coating bath. A resist pattern was produced in the same manner as in Example 1 except that the electrodeposition coating was performed in the bath (B).

【0105】比較例3〜4 実施例1においてガラスエポキシ銅張積層板を第1電着
塗装浴中で電着塗装せず、直接第2電着塗装浴(A)及
び(B)中にて電着塗装する以外は、実施例1及び実施
例15と同様にしてレジストパターンを製造した。
Comparative Examples 3 to 4 In Example 1, the glass epoxy copper clad laminate was not directly electrodeposited in the first electrodeposition coating bath, but directly in the second electrodeposition coating baths (A) and (B). A resist pattern was produced in the same manner as in Example 1 and Example 15 except that electrodeposition coating was performed.

【0106】実施例1〜15及び比較例1〜4で得られ
た試験板の電着塗装膜(感光膜)の膜厚及び現像残りの
有無を確認する目的で、現像後の基板を1重量%の塩化
銅水溶液に1分間浸漬し、未露光部の基板のエッチング
された程度を目視で観察し、その結果を表1に示した。
表1より明らかの通り本発明の方法により得られたレジ
ストパターンは、実用的膜厚が得られ、またエッチング
性がよく、現像残りのないものであった。一方第1電着
塗装浴にキレート形成しうるが、カルボキシル基及び/
又はスルホン酸基を持たない化合物を電着させた比較例
1、2はエッチングがほとんどされず、現像残りがあっ
た。また膜厚も低下していた。また従来方法である、化
合物(イ)を電着塗装する工程をとらなかった比較例
3、4も同様に、現像残りがあり、膜厚も低下してい
た。
For the purpose of confirming the film thickness of the electrodeposition coating film (photosensitive film) of the test plates obtained in Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4 and the presence or absence of undeveloped film, 1 weight of the developed substrate was used. % Copper chloride aqueous solution for 1 minute, and the degree of etching of the unexposed portion of the substrate was visually observed. The results are shown in Table 1.
As is clear from Table 1, the resist pattern obtained by the method of the present invention had a practical film thickness, good etching properties, and no development residue. On the other hand, a chelate can be formed in the first electrodeposition coating bath, but a carboxyl group and / or
Alternatively, in Comparative Examples 1 and 2 in which the compound having no sulfonic acid group was electrodeposited, the etching was scarcely performed and the development residue was left. The film thickness was also reduced. Similarly, Comparative Examples 3 and 4, which did not take the step of electrodeposition coating the compound (a), which is a conventional method, also had a development residue and the film thickness was reduced.

【0107】[0107]

【表1】 [Table 1]

【0108】[0108]

【発明の効果】本発明のレジストパターンの製法によ
り、従来法(例えば(i)工程を省略した方法)に比較
し、現像残りのない、高解像度のレジストパターンを得
ることが可能となり、また低電圧もしくは低電流、短時
間で所定膜厚の電着塗装膜が得られ、それ故生産性向
上、省エネルギー、作業安定性向上が可能となり、実用
的価値の高い方法である。
According to the method for producing a resist pattern of the present invention, it is possible to obtain a high-resolution resist pattern with no development residue as compared with a conventional method (for example, a method in which the step (i) is omitted). This is a method of high practical value because an electrodeposition coating film having a predetermined film thickness can be obtained in a short time with a voltage or a low current, and thus productivity, energy saving, and work stability can be improved.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 天野倉 仁 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 立木 繁雄 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 加藤 琢郎 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (72)発明者 塚田 勝重 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (72)発明者 山崎 雄治 栃木県大田原市下石上1382番12号 大日本 塗料株式会社那須工場内 (72)発明者 山田 正治 栃木県大田原市下石上1382番12号 大日本 塗料株式会社那須工場内 (72)発明者 塩谷 俊彦 栃木県大田原市下石上1382番12号 大日本 塗料株式会社那須工場内 (72)発明者 長島 義久 栃木県大田原市下石上1382番12号 大日本 塗料株式会社那須工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hitoshi Amanokura 13-13-1, Higashimachi, Hitachi City, Ibaraki Hitachi Chemical Co., Ltd. Ibaraki Research Institute (72) Inventor Shigeo Tachiki 4, 13 Higashimachi, Hitachi City, Ibaraki Prefecture No. 1 Hitachi Chemical Co., Ltd. in Ibaraki Research Laboratory (72) Inventor Takuro Kato 4-13-1, Higashimachi, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical Co., Ltd. in Yamazaki Factory (72) Inventor Katsushige Tsukada Hitachi City, Ibaraki Prefecture 4-13-1, Higashimachi Hitachi Chemical Co., Ltd. Yamazaki Plant (72) Inventor Yuji Yamazaki 1382-12 Shimoishigami, Otawara-shi, Tochigi Dainippon Paint Co., Ltd. Nasu Plant (72) Inventor Masaharu Yamada Tochigi Prefecture 1382-12 Shimoishigami, Otawara City Dainippon Paint Co., Ltd.Nasu Plant (72) Inventor Toshihiko Shiotani 1382-12 Shimoishigami, Otawara City, Tochigi Prefecture Dainippon Paint Co., Ltd. Company Nasu in the factory (72) inventor Yoshihisa Nagashima Tochigi Prefecture Otawara Shimoishigami 1382 No. No. 12 Dai Nippon Paint Co., Ltd. Nasu in the factory

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (i)分子中にカルボキシル基及び/又
はスルホン酸基を有し、かつ銅と塩もしくはキレートを
形成しうる化合物(イ)の塩基性有機化合物(ロ)によ
る中和物を含有する電着塗装浴に、導電性銅基体を陽極
として浸漬し、通電により電着塗装し、前記基体上に、
前記化合物(イ)を電着させ、次いで、 (ii) (A)(a)酸価20〜300のポリマーの塩基性有機
化合物による中和物と光重合性不飽和結合を分子内に2
個以上有する非水溶性モノマー及び/又は(b)酸価2
0〜300の、光重合性不飽和結合を有するポリマーの
塩基性有機化合物による中和物並びに (B)非水溶性光開始剤 を含有する電着塗装浴に、前記化合物(イ)を電着させ
た基体を陽極として浸漬し、通電により電着塗装し、前
記基体上に電着塗装膜を形成し、次いで、 (iii)活性光線を前記電着塗装膜に画像状に照射し、
次いで、 (iv)未露光部の電着塗装膜を現像により除去すること
を特徴とするレジストパターンの製造法。
1. A neutralized product of a compound (a) having a carboxyl group and / or a sulfonic acid group in the molecule and capable of forming a salt or a chelate with copper, by a basic organic compound (b). In a contained electrodeposition coating bath, a conductive copper substrate is immersed as an anode, and electrodeposition coating is performed by energization, and on the substrate,
The compound (a) is electrodeposited, and then (ii) (A) (a) a neutralized product of a polymer having an acid value of 20 to 300 with a basic organic compound and a photopolymerizable unsaturated bond are incorporated into the molecule.
Or more water-insoluble monomer and / or (b) acid value 2
The compound (a) is electrodeposited in an electrodeposition coating bath containing 0 to 300, a neutralized product of a polymer having a photopolymerizable unsaturated bond with a basic organic compound and (B) a water-insoluble photoinitiator. The substrate thus prepared is immersed as an anode, and electrodeposition coating is carried out by energizing to form an electrodeposition coating film on the substrate, and then (iii) actinic rays are imagewise irradiated onto the electrodeposition coating film,
Then, (iv) a method for producing a resist pattern, characterized in that the unexposed portion of the electrodeposition coating film is removed by development.
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