JPH06326113A - Plating method - Google Patents
Plating methodInfo
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- JPH06326113A JPH06326113A JP13412093A JP13412093A JPH06326113A JP H06326113 A JPH06326113 A JP H06326113A JP 13412093 A JP13412093 A JP 13412093A JP 13412093 A JP13412093 A JP 13412093A JP H06326113 A JPH06326113 A JP H06326113A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明はメッキ方法に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a plating method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、ＩＣチップにバンプ電極を形成
する場合、ＩＣチップのバンプ電極形成面にメッキレジ
ストパターンを形成し、このメッキレジストパターンに
よって覆われずに露出されたＩＣチップのパッド部にメ
ッキ装置を用いて金などのメッキを施し、この施したメ
ッキによってバンプ電極を形成している。この場合、形
成されるバンプ電極の結晶構造を均一にするために、従
来では、図３および図４（ａ）に示すように、メッキ槽
１に定電流源２を介して一定のメッキ電流Ｉを供給して
いる。2. Description of the Related Art For example, when a bump electrode is formed on an IC chip, a plating resist pattern is formed on the bump electrode forming surface of the IC chip, and the pad portion of the IC chip exposed without being covered by the plating resist pattern is formed. Gold or the like is plated using a plating device, and bump electrodes are formed by this plating. In this case, in order to make the crystal structure of the formed bump electrode uniform, conventionally, as shown in FIGS. 3 and 4 (a), a constant plating current I is applied to the plating tank 1 via the constant current source 2. Is being supplied.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、例えばノン
シアン系金メッキ液の場合には、その電解質（イオン）
のバランスが非定常状態から定常状態となるにはメッキ
開始時からある程度（数秒〜数十秒程度）の時間がかか
り、しかも非定常状態から定常状態に移行するに従って
メッキ液の抵抗値がある高い値から漸次減少する。この
ため、図４（ａ）に示すように、メッキ開始時（Ｔ＝
０）から一定のメッキ電流Ｉをメッキ槽１に供給する
と、定常状態となる時間（Ｔ＝ｔ1）までの間に、図４
（ｂ）に示すように、メッキ電圧Ｖがある高い値から漸
次減少し、つまり非定常状態であるメッキ開始当初にお
いてメッキ電圧Ｖが高くなり、ひいてはメッキ開始当初
において定常状態とは異なった結晶成長が行なわれるこ
とになる。この結果、形成されたバンプ電極の一部の硬
度が不要に高くなり、ひいてはＩＣチップのパッド部下
の保護膜にクラックが発生しやすくなり、またバンプ電
極自体にもクラックが発生しやすくなり、さらにバンプ
電極のパッド部に対する密着性が良くなく、バンプ電極
が剥がれることがあるという問題があった。この発明の
目的は、メッキ開始時から定常状態と同様の結晶成長を
行なうことのできるメッキ方法を提供することにある。By the way, in the case of a non-cyan type gold plating solution, for example, its electrolyte (ion)
It takes some time (a few seconds to several tens of seconds) from the start of plating to change the balance from the unsteady state to the steady state, and the resistance value of the plating solution increases from the unsteady state to the steady state. It decreases gradually. Therefore, as shown in FIG. 4A, at the start of plating (T =
When a constant plating current I is supplied to the plating tank 1 from 0), the time until the steady state is reached (T = t 1 ) is shown in FIG.
As shown in (b), the plating voltage V gradually decreases from a certain high value, that is, the plating voltage V becomes high at the beginning of plating, which is an unsteady state, and the crystal growth different from the steady state at the beginning of plating starts. Will be performed. As a result, the hardness of a part of the formed bump electrode becomes unnecessarily high, and thus the protective film under the pad portion of the IC chip easily cracks, and also the bump electrode itself tends to crack. There is a problem that the adhesion of the bump electrode to the pad portion is not good, and the bump electrode may peel off. An object of the present invention is to provide a plating method capable of performing crystal growth similar to a steady state from the start of plating.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】この発明は、メッキ用電
源として、メッキ開始時からある程度の時間定電圧源を
使用し、その後定電流源を使用するようにしたものであ
る。According to the present invention, as a power source for plating, a constant voltage source is used for a certain time from the start of plating, and then a constant current source is used.
【０００５】[0005]
【作用】この発明によれば、メッキ用電源としてメッキ
開始時からある程度の時間定電圧源を使用するので、メ
ッキ液の電解質のバランスが非定常状態から定常状態に
移行するに従ってメッキ液の抵抗値がある高い値から漸
次減少しても、これに応じてメッキ電流が漸次増加する
ことにより、メッキ電圧が不要に高くならないようにす
ることができ、したがってメッキ開始時から定常状態と
同様の結晶成長を行なうことができる。According to the present invention, since the constant voltage source is used as the power source for plating for a certain time from the start of plating, the resistance value of the plating solution changes as the electrolyte balance of the plating solution shifts from the unsteady state to the steady state. When the plating current gradually decreases from a certain high value, the plating current gradually increases accordingly, so that the plating voltage can be prevented from becoming unnecessarily high, and therefore, the crystal growth similar to the steady state from the start of plating can be performed. Can be done.
【０００６】[0006]
【実施例】図１はこの発明の一実施例におけるメッキ方
法を説明するために示す概略図である。このメッキ方法
では、メッキ槽１１に対するメッキ用電源として、機械
的または電気的な切替スイッチ１２が切り替わることに
より、定電圧源１３と定電流源１４とのいずれか一方を
択一的に選択することができるようになっている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT FIG. 1 is a schematic view for explaining a plating method in an embodiment of the present invention. In this plating method, either a constant voltage source 13 or a constant current source 14 is selectively selected as a plating power source for the plating tank 11 by switching a mechanical or electrical changeover switch 12. You can do it.
【０００７】次に、図１および図２を参照しながら、具
体的な例として、ＩＣチップにバンプ電極をノンシアン
系金メッキ液によって形成する場合について説明する。
この場合、ノンシアン系金メッキ液の電解質のバランス
が定常状態となるにはメッキ開始時からある程度（数秒
〜数十秒程度）の時間がかかるので、非定常状態から定
常状態に移行するに従ってメッキ液の抵抗値がある高い
値から漸次減少する。そこで、まず、切替スイッチ１２
を定電圧源１３側に設定し、メッキ槽１１に対するメッ
キ用電源として定電圧源１３を選択する。すると、図２
（ｂ）に示すように、メッキ開始時（Ｔ＝０）から定常
状態となる時間（Ｔ＝ｔ1）までの間に、一定のメッキ
電圧Ｖがメッキ槽１１に印加される。この結果、非定常
状態から定常状態に移行するに従ってメッキ液の抵抗値
がある高い値から漸次減少しても、図２（ａ）に示すよ
うに、これに応じてメッキ電流Ｉが漸次増加することに
より、メッキ電圧Ｖが不要に高くならないようにするこ
とができ、したがってメッキ開始時から定常状態と同様
の結晶成長を行なうことができる。Next, with reference to FIGS. 1 and 2, a specific example will be described in which bump electrodes are formed on an IC chip with a non-cyanide gold plating solution.
In this case, it takes some time (several seconds to tens of seconds) from the start of plating for the electrolyte balance of the non-cyanide gold plating solution to reach a steady state, so the resistance value of the plating solution changes from the unsteady state to the steady state. Is gradually decreased from a high value. Therefore, first, the changeover switch 12
Is set on the side of the constant voltage source 13 and the constant voltage source 13 is selected as the plating power source for the plating tank 11. Then, Figure 2
As shown in (b), a constant plating voltage V is applied to the plating tank 11 from the start of plating (T = 0) to the time when the steady state is reached (T = t 1 ). As a result, even if the resistance value of the plating solution gradually decreases from a high value as the unsteady state shifts to the steady state, as shown in FIG. 2A, the plating current I gradually increases accordingly. As a result, the plating voltage V can be prevented from unnecessarily increasing, and therefore, crystal growth similar to that in a steady state can be performed from the start of plating.
【０００８】そして、メッキを開始してからある程度
（数秒〜数十秒程度）の時間ｔ1が経過すると、ノンシ
アン系金メッキ液の電解質のバランスが定常状態とな
る。そこで、メッキを開始してから例えば１分が経過し
たら、切替スイッチ１２を定電流源１４側に切り替え、
メッキ槽１１に対するメッキ用電源として定電流源１４
を選択する。すると、図２（ａ）に示すように、メッキ
槽１１に定電流源１４を介して一定のメッキ電流Ｉが供
給される。When a certain time (about several seconds to several tens of seconds) t 1 has elapsed from the start of plating, the electrolyte balance of the non-cyan type gold plating solution becomes a steady state. Therefore, when, for example, 1 minute has elapsed after the plating was started, the changeover switch 12 is switched to the constant current source 14 side,
A constant current source 14 as a plating power source for the plating tank 11.
Select. Then, as shown in FIG. 2A, a constant plating current I is supplied to the plating tank 11 via the constant current source 14.
【０００９】このように、このメッキ方法では、メッキ
開始当初においてメッキ電圧Ｖが不要に高くならないよ
うにすることができるので、メッキ開始時から定常状態
と同様の結晶成長を行なうことができ、したがってメッ
キの結晶構造を全体にわたって均一にすることができ
る。この結果、形成されたバンプ電極の硬度が全体にわ
たって所期の通り低くなり、ひいてはＩＣチップのパッ
ド部下の保護膜にクラックが発生しにくいようにするこ
とができ、またバンプ電極自体にもクラックが発生しに
くいようにすることができ、さらにバンプ電極のパッド
部に対する密着性が良くなり、バンプ電極が剥がれにく
いようにすることができる。As described above, according to this plating method, the plating voltage V can be prevented from unnecessarily increasing at the beginning of plating, so that the crystal growth similar to that in the steady state can be performed from the start of plating, and therefore, The plating crystal structure can be made uniform throughout. As a result, the hardness of the formed bump electrode is lowered as a whole as expected, and it is possible to prevent cracks from easily occurring in the protective film under the pad portion of the IC chip, and the bump electrode itself is not cracked. It is possible to prevent the bump electrode from being easily generated, and further, the adhesion of the bump electrode to the pad portion is improved, and the bump electrode can be prevented from peeling off.
【００１０】[0010]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、メッキ用電源としてメッキ開始時からある程度の時
間定電圧源を使用しているので、メッキ開始当初におい
てメッキ電圧が不要に高くならないようにすることがで
き、したがってメッキ開始時から定常状態と同様の結晶
成長を行なうことができ、ひいてはメッキの結晶構造を
全体にわたって均一にすることができる。As described above, according to the present invention, since the constant voltage source is used as the power source for plating for a certain time from the start of plating, the plating voltage does not become unnecessarily high at the beginning of plating. Therefore, the crystal growth similar to that in the steady state can be performed from the start of plating, and the crystal structure of plating can be made uniform throughout.
【図１】この発明の一実施例におけるメッキ方法を説明
するために示す概略図。FIG. 1 is a schematic view shown for explaining a plating method in an embodiment of the present invention.
【図２】同メッキ方法におけるメッキ電流およびメッキ
電圧の時間的変化を示す図。FIG. 2 is a view showing a temporal change of a plating current and a plating voltage in the same plating method.
【図３】従来のメッキ方法を説明するために示す概略
図。FIG. 3 is a schematic view shown for explaining a conventional plating method.
【図４】この従来のメッキ方法におけるメッキ電流およ
びメッキ電圧の時間的変化を示す図。FIG. 4 is a view showing a temporal change of a plating current and a plating voltage in this conventional plating method.
１１ メッキ槽 １２ 切替スイッチ １３ 定電圧源 １４ 定電流源 11 Plating tank 12 Changeover switch 13 Constant voltage source 14 Constant current source
Claims (1)
ある程度の時間定電圧源を使用し、その後定電流源を使
用することを特徴とするメッキ方法。1. A plating method, wherein a constant voltage source is used as a plating power source for a certain period of time from the start of plating, and then a constant current source is used.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13412093A JPH06326113A (en) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | Plating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13412093A JPH06326113A (en) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | Plating method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326113A true JPH06326113A (en) | 1994-11-25 |
Family
ID=15120936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13412093A Pending JPH06326113A (en) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | Plating method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326113A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017526816A (en) * | 2014-07-17 | 2017-09-14 | クリーン アンド サイエンス カンパニー リミテッド | Method for plating non-woven fabric using continuous process of electroless and electrolytic plating |
-
1993
- 1993-05-13 JP JP13412093A patent/JPH06326113A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017526816A (en) * | 2014-07-17 | 2017-09-14 | クリーン アンド サイエンス カンパニー リミテッド | Method for plating non-woven fabric using continuous process of electroless and electrolytic plating |
| JP2020007639A (en) * | 2014-07-17 | 2020-01-16 | クリーン アンド サイエンス カンパニー リミテッド | Plating method for nonwoven fabric using continuous process of electroless plating and electrolytic plating |
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