JPH06318635A - Scribing apparatus for semiconductor wafer - Google Patents

Scribing apparatus for semiconductor wafer

Info

Publication number
JPH06318635A
JPH06318635A JP10532593A JP10532593A JPH06318635A JP H06318635 A JPH06318635 A JP H06318635A JP 10532593 A JP10532593 A JP 10532593A JP 10532593 A JP10532593 A JP 10532593A JP H06318635 A JPH06318635 A JP H06318635A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
cutter
distance
wafer
cutting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10532593A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2888728B2 (en
Inventor
Noboru Oshima
昇 大島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP10532593A priority Critical patent/JP2888728B2/en
Publication of JPH06318635A publication Critical patent/JPH06318635A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2888728B2 publication Critical patent/JP2888728B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dicing (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a scribing apparatus for a semiconductor wafer, wherein a cutting scratch in a proper and constant shape can be formed always precisely irrespective of an irregularity in the thickness of the semiconductor wafer. CONSTITUTION:The distance up to a part just under a cutter part 4 in a semiconductor wafer 1 is measured by a distance-measuring device 7 installed integrally with a cutter actuating mechanism part 5. The difference between the measured distance and a preset distance is operated, the up-and-down moving device of a stage stand 2 for wafer fixing is driven so as to make the absolute value of the computed difference zero, the stage stand for wafer dixing is moved up or down, and the stage stand is corrected in such a way that the distance up to the cutter part from the semiconductor wafer becomes constant. After that, the cutter actuating mechanism part is moved up and down and moved horizontally within a constant distance range, and a cutting scratch is formed on the semiconductor wafer by the cutter part. Consequently, the cutting scratch whose length and depth are always proper and constant can be formed precisely irrespective of the thickness of the semiconductor wafer.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、単一の半導体ウェハ上
に形成された多数のチップを個々に分割するためにウェ
ハのチップに沿って劈開用の切削傷を形成する半導体ウ
ェハのスクライブ装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer scribing apparatus for forming cleavage scratches along a chip of a wafer so as to individually divide a large number of chips formed on a single semiconductor wafer. It is about.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、ウェハに拡散やホトエッチング
等の工程を経て半導体素子であるチップが作り込まれる
と、1枚の半導体ウェハ上に同一のチップが多数個規則
的に配列されたものが得られる。この半導体ウェハを個
々のチップに分割するダイシング手段として、例えばダ
イヤモンド針等のカッタ部によりチップに沿って切削傷
を形成した後に機械的に分割するスクライビング方式が
従来から広く採用されている。
2. Description of the Related Art In general, when chips, which are semiconductor elements, are manufactured on a wafer through steps such as diffusion and photo-etching, a plurality of identical chips are regularly arranged on one semiconductor wafer. can get. As a dicing means for dividing the semiconductor wafer into individual chips, a scribing method has been widely used, in which a cutting portion such as a diamond needle is used to form cutting scratches along the chips and then the chips are mechanically divided.

【0003】このような方式に基づいた従来のスクライ
ブ装置は、一般に図4に示すような構成になっている。
即ち、半導体ウェハ(1)をウェハ固定用ステージ台
(2)上に真空吸着孔(3)を通じ真空吸着して保持す
ると、このウェハ固定用ステージ台(2)がA矢印方向
に半導体ウェハ(1)上のチップ(図示せず)の幅に相
当する一定のピッチで間欠的に節動される。このウェハ
固定用ステージ台(2)の上方には、ダイヤモンドカッ
タ等のカッタ部(4)を具備したカッタ作動機構部
(5)が配設されており、このカッタ作動機構部(5)
は以下のように作動する。ウェハ固定用ステージ台
(2)が一定ピッチだけ移動された後に、昇降機構(図
示せず)によりB矢印で示すように下動してカッタ部
(4)の先端切削部が半導体ウェハ(1)内に一定の荷
重をかけられて切り込み、続いてC矢印方向に水平移動
することによりカッタ部(4)の先端切削部で半導体ウ
ェハ(1)上にチップに沿った切削傷(6)が恰も罫書
くように形成される。その後に、カッタ作動機構部
(5)がD矢印で示すように上動してカッタ部(4)が
半導体ウェハ(1)から離間し、カッタ作動機構部
(5)が上限位置に達した後にE矢印方向に水平移動し
てカッタ部(4)を初期位置に戻し、次にウェハ固定用
ステージ台(2)が一定ピッチだけ移動した後に上述の
動作が繰り返され、チップに沿った切削傷(6)が連続
的に形成されていく。尚、半導体ウェハ(1)上に図示
した1点鎖線は切削傷(6)により機械的に分割するチ
ップに沿った分割仮想線であるが、例えば半導体レーザ
等の製造においては予め設定される任意のピッチで分割
されることもある。
A conventional scribing device based on such a system is generally constructed as shown in FIG.
That is, when the semiconductor wafer (1) is vacuum-sucked and held on the wafer fixing stage base (2) through the vacuum suction holes (3), the wafer fixing stage base (2) moves in the direction of arrow A to the semiconductor wafer (1). ) It is intermittently moved at a constant pitch corresponding to the width of the upper chip (not shown). Above the wafer fixing stage table (2), a cutter operating mechanism section (5) having a cutter section (4) such as a diamond cutter is disposed, and the cutter operating mechanism section (5).
Works as follows. After the wafer fixing stage base (2) is moved by a fixed pitch, it is moved downward by an elevating mechanism (not shown) as shown by the arrow B, and the tip cutting part of the cutter part (4) is moved to the semiconductor wafer (1). A constant load is applied to the inside of the cutter, and then it is moved horizontally in the direction of the arrow C, so that cutting scratches (6) along the chip on the semiconductor wafer (1) at the tip cutting part of the cutter part (4) It is formed like a line. After that, the cutter operating mechanism section (5) moves upward as shown by the arrow D, the cutter section (4) is separated from the semiconductor wafer (1), and the cutter operating mechanism section (5) reaches the upper limit position. The cutter unit (4) is returned to the initial position by moving horizontally in the direction of the arrow E, and then the above-described operation is repeated after the wafer fixing stage base (2) moves by a certain pitch, and cutting scratches along the chip ( 6) is continuously formed. Incidentally, the one-dot chain line shown on the semiconductor wafer (1) is a division virtual line along the chip that is mechanically divided by the cutting scratches (6), but it is set in advance in the manufacture of a semiconductor laser, for example. Sometimes divided by the pitch.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のスク
ライブ装置では、カッタ作動機構部(5)の上下動範囲
が一定であると共に下降に際し直下方向ではなく弧を描
くよう作動する。そのため、切削傷(6)を形成すべき
半導体ウェハ(1)の厚みにばらつきがある場合、或い
は同一の半導体ウェハ(1)内において箇所により厚み
にばらつきがある場合には、形成される切削傷(6)の
長さおよび深さにばらつきが生じることになる。例え
ば、厚みが大きい場合には長く且つ深い切削傷(6)が
形成され、一方、厚みが小さい場合には短く且つ浅い切
削傷(6)が形成される。
By the way, in the above-mentioned scribing device, the vertical motion range of the cutter operating mechanism (5) is constant, and the cutter operating mechanism (5) operates so as to draw an arc rather than a direct downward direction. Therefore, when the thickness of the semiconductor wafer (1) on which the cutting scratches (6) are to be formed varies, or when the thickness varies depending on the location within the same semiconductor wafer (1), the cutting scratches formed are formed. There will be variations in the length and depth of (6). For example, when the thickness is large, long and deep cutting scratches (6) are formed, while when the thickness is small, short and shallow cutting scratches (6) are formed.

【0005】このように切削傷(6)を適切な長さで且
つ深さに常に一定に形成できない場合には、分割のため
の劈開時に劈開面に欠け等が発生して劈開精度が低下す
る危惧があり、特に、切削傷(6)が短過ぎる場合に
は、半導体ウェハ(1)を劈開によりバー状に分割する
ことが不可能となることもある。しかも、半導体レーザ
素子の製造に際しては、レーザ共振器長のばらつきに起
因してレーザチップのダイボンディングやワイヤボンデ
ィングが困難になったり、レーザの特性が不揃いになる
といった重大な問題を招来する可能性もある。
In this way, when the cutting scratches (6) cannot be formed to have a proper length and a constant depth, it is possible that the cleavage surface is chipped during the cleavage for division and the cleavage accuracy is lowered. There is a danger, especially when the cutting scratches (6) are too short, it may be impossible to divide the semiconductor wafer (1) into bars by cleavage. In addition, when manufacturing a semiconductor laser element, there is a possibility of causing serious problems such as difficulty in die-bonding and wire-bonding of a laser chip due to variations in laser cavity length, and inconsistent laser characteristics. There is also.

【0006】そこで本発明は、半導体ウェハ個々の厚み
にばらつきがあった場合或いは同一の半導体ウェハ内に
おける各箇所によりばらつきがあった場合にも適切な一
定形状の切削傷を常に正確に形成することのできる半導
体ウェハのスクライブ装置を提供することを技術的課題
とするものである。
Therefore, the present invention is capable of always accurately forming a cutting scratch having a proper shape even when the thickness of each semiconductor wafer varies or when the thickness varies depending on each location in the same semiconductor wafer. It is a technical object to provide a scribing device for a semiconductor wafer that can be manufactured.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記した各課
題を達成するための技術的手段として、半導体ウェハの
スクライブ装置を次のように構成した。即ち、半導体ウ
ェハにカッタ部で劈開用の切削傷を形成するスクライブ
装置において、半導体ウェハを固定するウェハ固定用ス
テージ台と、このウェハ固定用ステージ台を所定距離だ
け水平方向に節動するピッチ送り装置と、前記ウェハ固
定用ステージ台の上下動装置と、前記ウェハ固定用ステ
ージ台の上方位置で前記カッタ部を半導体ウェハに向け
一体に備えるとともに該カッタ部により半導体ウェハ上
に切削傷を形成するよう所定の距離範囲で上下動および
水平移動されるカッタ作動機構部と、このカッタ作動機
構部に一体に設けられて半導体ウェハにおける前記カッ
タ部の真下の箇所までの距離を非接触で計測する測距装
置と、この測距装置の測定距離と予め設定した設定距離
との差を演算してその差の絶対値が零になるよう前記上
下動装置を駆動する制御装置とを備えたことを特徴とし
て構成されている。
According to the present invention, as a technical means for achieving the above-mentioned respective objects, a scribing device for a semiconductor wafer is constructed as follows. That is, in a scribing device for forming cleavage scratches on a semiconductor wafer at a cutter portion, a wafer fixing stage base for fixing the semiconductor wafer and a pitch feed for horizontally moving the wafer fixing stage base by a predetermined distance. An apparatus, a vertical moving device for the wafer fixing stage base, and a cutter portion integrally provided for the semiconductor wafer above the wafer fixing stage base, and a cutting scratch is formed on the semiconductor wafer by the cutter portion. A cutter operating mechanism that moves up and down and moves horizontally within a predetermined distance range, and a measurement that is provided integrally with the cutter operating mechanism to measure the distance to a position directly below the cutter on the semiconductor wafer without contact. The distance measuring device calculates the difference between the distance measured by the distance measuring device and a preset distance, and adjusts the above-mentioned vertical distance so that the absolute value of the difference becomes zero. It is configured as characterized by comprising a control device for driving a device.

【0008】[0008]

【作用】装置の駆動に先立って、カッタ部の上下動範囲
に対して適切な長さと深さの切削傷を形成するための半
導体ウェハにおけるカッタ部の真下の箇所からカッタ部
の先端までの距離を、制御装置に予め設定入力する。そ
して、ピッチ送り装置によりウェハ固定用ステージ台が
一定ピッチだけ水平方向に移動されると、その後に測距
装置を駆動して半導体ウェハ(1)におけるカッタ部の
真下の箇所までの距離を測定するとともに、その測定距
離信号が制御装置に入力される。この測定距離信号は、
測距装置がカッタ作動機構部と一体に設けられているこ
とからカッタ部の先端から半導体ウェハにおけるカッタ
部の真下の箇所までの距離に常に対応する。
Before operation of the device, the distance from the position just below the cutter to the tip of the cutter on the semiconductor wafer for forming a cutting scratch of an appropriate length and depth with respect to the vertical movement range of the cutter. Is preset and input to the control device. Then, when the wafer fixing stage base is horizontally moved by a certain pitch by the pitch feeding device, the distance measuring device is then driven to measure the distance to the position directly below the cutter part of the semiconductor wafer (1). At the same time, the measured distance signal is input to the control device. This measured distance signal is
Since the distance measuring device is provided integrally with the cutter operating mechanism, it always corresponds to the distance from the tip of the cutter to the position directly below the cutter on the semiconductor wafer.

【0009】次に、制御装置において、前述の設定距離
信号と測距装置から入力された測定距離信号との差を演
算するとともに、その差の絶対値が零になるようウェハ
固定用ステージ台の上下動装置を駆動制御する。例え
ば、上下動装置の駆動源がパルスモータである場合、差
の絶対値を零にするためのパルスモータの所要の回転方
向への回転角が演算され、その回転角に相当するパルス
がパルスモータに供給され、パルスモータが算出された
回転角だけ回転制御されてウェハ固定用ステージ台が上
動または下動される。従って、切削傷の形成前に、カッ
タ部からその真下の半導体ウェアの箇所までの距離が、
半導体ウェアの厚みに拘わらず常に一定になるようウェ
ハ固定用ステージ台つまり半導体ウェアの上下位置が補
正され、その後に、カッタ作動機構部が一定の距離範囲
で上下動および水平移動されて該カッタ部により半導体
ウェハ上に切削傷を形成するので、常に適切な長さと深
さの一定の切削傷が正確に形成される。
Next, the controller calculates the difference between the above-mentioned set distance signal and the measured distance signal input from the distance measuring device, and at the same time, sets the wafer fixing stage table so that the absolute value of the difference becomes zero. Drive control of the vertical movement device. For example, when the drive source of the vertical movement device is a pulse motor, the rotation angle in the required rotation direction of the pulse motor for making the absolute value of the difference zero is calculated, and the pulse corresponding to that rotation angle is used as the pulse motor. And the pulse motor is controlled to rotate by the calculated rotation angle, and the wafer fixing stage base is moved up or down. Therefore, before the formation of cutting scratches,
The vertical position of the wafer fixing stage base, that is, the semiconductor ware is corrected so that it is always constant regardless of the thickness of the semiconductor ware, and then the cutter operating mechanism is vertically moved and horizontally moved within a constant distance range. As a result, a cutting scratch is formed on the semiconductor wafer, so that a cutting scratch having an appropriate length and a constant depth is always accurately formed.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明の好適な一実施例について図面
を参照しながら詳述する。図1は本発明の一実施例の概
略構成を示し、同図において図4と同一若しくは同等の
ものには同一の符号を付してその説明を省略し、次に相
違する構成についてのみ説明する。カッタ作動機構部
(5)に一体移動するよう配設された測距装置(7)
は、カッタ作動機構部(5)の所定箇所から半導体ウェ
ハ(1)におけるカッタ部(4)の真下位置である次に
切削傷(6)を形成すべき箇所までの距離(h)を、例
えば超音波の出射時からこれが反射して返ってくるまで
の時間により非接触に計測する。ウェハ固定用ステージ
台(2)は、上下動自在に保持されているとともに、こ
の上下動させるための作動部材として下面からラック部
(8)が一体に垂設されており、このラック部(8)に
伝達歯車(9)が噛合され、更に、この伝達歯車(9)
に、パルスモータ(10)のモータ軸(11)に固着さ
れた駆動歯車(12)が噛合されている。従って、パル
スモータ(10)の正方向または逆方向の回転が駆動歯
車(12)および伝達歯車(9)を介してラック部
(8)に伝達されることによりラック部(8)と一体に
ウェハ固定用ステージ台(2)が上動または下動される
ようになっている。尚、パルスモータ(10)および伝
達歯車(9)は、各々の噛合状態を保持しながらウェハ
固定用ステージ台(2)と一体に水平方向にピッチ移動
されるようになっている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of an embodiment of the present invention. In the figure, the same or equivalent parts as those in FIG. 4 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. Only the different configuration will be described next. . Distance measuring device (7) arranged so as to move integrally with the cutter operating mechanism (5)
Is a distance (h) from a predetermined position of the cutter operating mechanism (5) to a position immediately below the cutter (4) in the semiconductor wafer (1) where a cutting scratch (6) is to be formed, for example, Non-contact measurement is performed based on the time from when the ultrasonic wave is emitted to when the ultrasonic wave is reflected and returned. The wafer fixing stage base (2) is held so as to be movable up and down, and a rack portion (8) is integrally hung from the lower surface as an operating member for vertically moving the rack portion (8). ) Is engaged with a transmission gear (9), and further, the transmission gear (9)
The drive gear (12) fixed to the motor shaft (11) of the pulse motor (10) is meshed with. Therefore, the forward or reverse rotation of the pulse motor (10) is transmitted to the rack portion (8) via the drive gear (12) and the transmission gear (9), so that the wafer is integrated with the rack portion (8). The stationary stage base (2) can be moved up or down. The pulse motor (10) and the transmission gear (9) are designed to be horizontally pitch-moved integrally with the wafer fixing stage base (2) while maintaining their meshed states.

【0011】図2は上記実施例のブロック構成図で、図
1と同一のものには同一の符号を付してあり、中央演算
処理装置(13)により装置全体が後述の図3のフロー
チャートに従い制御されて処理される構成になってい
る。操作パネル(14)により半導体ウェハ(1)にお
けるカッタ部(4)の真下の箇所からカッタ作動機構部
(5)の測距装置(7)に対応する所定箇所までの基準
の距離(高さ)が設定されると、この設定距離と測距装
置(7)から入力される測定距離とを比較し、その差を
零にするようドライバー(20)を通じパルスモータ
(10)を正,逆何れかの方向に回転制御することによ
り、カッタ部(4)の先端からこれの真下の半導体ウェ
ハ(1)の表面までの距離が一定になるようウェハ固定
用ステージ台(2)の高さを調節し、ドライバー(1
8)を通じ切削駆動機構部(21)を駆動制御してカッ
タ作動機構部(5)を上下動および水平動させ、その後
にドライバー(19)を通じピッチ送り装置(22)を
駆動制御してウェハ固定用ステージ台(2)を所定ピッ
チだけ移動させる。この時、ウェハ固定用ステージ台
(2)の上下動機構を構成するパルスモータ(10)、
駆動歯車(12)および伝達歯車(9)もウェハ固定用
ステージ台(2)と一体に移動されるのは勿論である。
尚、ウェハ認識回路(15)は、カメラ(16)により
撮像された半導体ウェハ(1)の画像データ信号から半
導体ウェハ(1)の存在の有無や位置を認識するととも
に、そのデータをモニタ用テレビ(17)に映し出すも
のであるが、本発明には直接関係のない構成である。
FIG. 2 is a block diagram of the above-described embodiment. The same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and the central processing unit (13) causes the entire device to follow the flow chart of FIG. It is configured to be controlled and processed. A reference distance (height) from a position directly below the cutter unit (4) on the semiconductor wafer (1) to a predetermined position corresponding to the distance measuring device (7) of the cutter operating mechanism unit (5) by the operation panel (14). Is set, the set distance is compared with the measured distance input from the distance measuring device (7), and the pulse motor (10) is passed through the driver (20) so that the difference becomes zero. By controlling the rotation in the direction of, the height of the wafer fixing stage base (2) is adjusted so that the distance from the tip of the cutter unit (4) to the surface of the semiconductor wafer (1) directly below the cutter unit (4) becomes constant. , Driver (1
8) The cutting drive mechanism section (21) is drive-controlled to vertically and horizontally move the cutter operation mechanism section (5), and then the pitch feed device (22) is drive-controlled through the driver (19) to fix the wafer. The stage table (2) is moved by a predetermined pitch. At this time, a pulse motor (10) constituting a vertical movement mechanism of the wafer fixing stage base (2),
It goes without saying that the drive gear (12) and the transmission gear (9) are also moved integrally with the wafer fixing stage base (2).
The wafer recognition circuit (15) recognizes the presence or absence and the position of the semiconductor wafer (1) from the image data signal of the semiconductor wafer (1) picked up by the camera (16), and monitors the data. Although reflected in (17), it is a configuration not directly related to the present invention.

【0012】次に、前記実施例の作用を図3のフローチ
ャートを参照しながら説明する。装置の駆動に先立っ
て、中央演算処理装置(13)に設定されているカッタ
部(4)の上下動範囲に対して適切な長さと深さの切削
傷(6)を形成するための半導体ウェハ(1)における
カッタ部(4)の真下の次に切削傷(6)を形成すべき
箇所からカッタ作動機構部(5)の所定箇所までの距離
を、操作パネル(14)から中央演算処理装置(13)
に設定入力する。そして、実稼働において、中央演算処
理装置(13)がドライバー(19)を介しピッチ送り
装置(22)を駆動制御してウェハ固定用ステージ台
(2)が一定ピッチだけ水平方向に移動され(ステップ
S1)ると、その後に測距装置(7)を駆動して図1に
示す測距装置(7)から半導体ウェハ(1)の次に切削
傷(6)を形成すべき箇所までの距離(h)を測定する
とともに、その測定距離信号が中央演算処理装置(1
3)に入力される(ステップS2)。この測定距離信号
は、測距装置(7)がカッタ作動機構部(5)と一体に
設けられていることからカッタ部(4)の先端から半導
体ウェハ(1)の次に切削傷(6)を形成すべき点まで
の距離に常に対応する。
Next, the operation of the above embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG. Prior to driving the apparatus, a semiconductor wafer for forming cutting scratches (6) having an appropriate length and depth with respect to the vertical movement range of the cutter unit (4) set in the central processing unit (13) The distance from the position directly below the cutter (4) in (1) where the cutting scratch (6) is to be formed to the predetermined position of the cutter operating mechanism (5) is set from the operation panel (14) to the central processing unit. (13)
Enter the setting. Then, in actual operation, the central processing unit (13) drives and controls the pitch feed unit (22) through the driver (19) to move the wafer fixing stage base (2) horizontally by a fixed pitch (step S1), the distance measuring device (7) is driven thereafter, and the distance from the distance measuring device (7) shown in FIG. 1 to the place where the cutting flaw (6) is to be formed next to the semiconductor wafer (1) ( h) is measured, and the measured distance signal is measured by the central processing unit (1
3) is input (step S2). Since the distance measuring device (7) is provided integrally with the cutter operating mechanism (5), the measured distance signal is transmitted from the tip of the cutter (4) to the semiconductor wafer (1) and then the cutting scratch (6). Always corresponds to the distance to the point where

【0013】続いて、中央演算処理装置(13)におい
て、予め操作パネル(14)から設定入力された設定距
離信号と測距装置(7)から入力された測定距離信号と
の差が演算され(ステップS3)、次に、その算出され
た差の絶対値が許容値以下であるか否かを判別される
(ステップS4)。いま、差の絶対値が許容値以上であ
る場合、その差を零にするためのパルスモータ(10)
の回転角が演算され(ステップS5)、その回転角に相
当するパルスがドライバー(20)からパルスモータ
(10)に供給され、パルスモータ(10)が算出され
た回転角だけ回転制御されてラック部(8)を介しウェ
ハ固定用ステージ台(2)が上動または下動される(ス
テップS6)。
Then, in the central processing unit (13), the difference between the set distance signal preset and input from the operation panel (14) and the measured distance signal input from the distance measuring device (7) is calculated ( Next, in step S3), it is determined whether or not the calculated absolute value of the difference is equal to or less than the allowable value (step S4). Now, if the absolute value of the difference is equal to or greater than the allowable value, a pulse motor (10) for making the difference zero
The rotation angle of the rack is calculated (step S5), a pulse corresponding to the rotation angle is supplied from the driver (20) to the pulse motor (10), and the pulse motor (10) is rotationally controlled by the calculated rotation angle. The wafer fixing stage base (2) is moved up or down via the unit (8) (step S6).

【0014】上述の処理について詳述する。例えば、半
導体ウェハ(1)の厚みが大きいことにより測定距離デ
ータ(h)が設定距離データ(H)よりも小さい場合、
H=h+Δhとなる差Δhの値を算出する。いま、説明
を簡略化するために、H=100、h=90とすると、
Δh=10となり、このΔh分だけウェハ固定用ステー
ジ台(2)を下げればよいことになる。そして、パルス
モータ(10)をこれに1パルス与えて1ステップだけ
回転させることによりウェハ固定用ステージ台(2)が
「1」だけ上動または下動すると仮定すると、パルスモ
ータ(10)に対し図1の矢印で示す正方向に回転すべ
く10個のパルスを与えることにより、伝達歯車(9)
が矢印方向に回転してラック部(8)つまりウェハ固定
用ステージ台(2)が「10」だけ下動して半導体ウェ
ハ(1)の切削傷を形成すべき箇所からカッタ作動機構
部(5)の所定箇所までの距離が設定距離(H)に一致
する。即ち、半導体ウェハ(1)の次に切削傷を形成す
べき箇所からカッタ部(4)の先端までの距離が設定値
になる。
The above processing will be described in detail. For example, when the measured distance data (h) is smaller than the set distance data (H) due to the large thickness of the semiconductor wafer (1),
The value of the difference Δh that satisfies H = h + Δh is calculated. Now, in order to simplify the explanation, assuming that H = 100 and h = 90,
Since Δh = 10, the wafer fixing stage base (2) should be lowered by this Δh. Assuming that the wafer fixing stage base (2) moves up or down by "1" by applying 1 pulse to the pulse motor (10) and rotating it by 1 step, the pulse motor (10) is By applying 10 pulses to rotate in the positive direction indicated by the arrow in FIG. 1, the transmission gear (9)
Rotates in the direction of the arrow, and the rack portion (8), that is, the wafer fixing stage base (2) moves downward by "10", and the cutter operating mechanism portion (5 The distance to the predetermined position in () matches the set distance (H). That is, the distance from the place where a cutting flaw is to be formed next to the semiconductor wafer (1) to the tip of the cutter portion (4) is the set value.

【0015】一方、半導体ウェハ(1)の厚みが小さい
ことにより測定距離データ(h)が設定距離データ
(H)よりも大きい場合、H=h−Δhとなる差Δhの
値を算出し、パルスモータ(10)に対し図1の反矢印
で示す逆方向に回転すべく算出個数のパルスを与えるこ
とにより、伝達歯車(9)が図の反矢印方向に回転して
ラック部(8)つまりウェハ固定用ステージ台(2)が
供給パルス数に相当するステップだけ上動して半導体ウ
ェハ(1)の切削傷(6)形成すべき箇所からカッタ部
(4)の先端までの距離が設定値に一致する。
On the other hand, when the measured distance data (h) is larger than the set distance data (H) due to the small thickness of the semiconductor wafer (1), the value of the difference Δh, which is H = h-Δh, is calculated and the pulse is calculated. By applying a calculated number of pulses to the motor (10) so as to rotate in the opposite direction shown by the opposite arrow in FIG. 1, the transmission gear (9) rotates in the opposite arrow direction so that the rack portion (8), that is, the wafer. The fixed stage base (2) moves upward by a step corresponding to the number of supply pulses, and the distance from the position where the cutting scratch (6) is to be formed on the semiconductor wafer (1) to the tip of the cutter part (4) becomes a set value. Match.

【0016】その後に、中央演算処理装置(13)がド
ライバー(18)を介し切削駆動機構部(21)を駆動
制御することによりカッタ作動機構部(5)が下限位置
まで下動された後に水平方向に移動し、カッタ部(4)
により半導体ウェハ(1)に切削傷が形成され(ステッ
プS7)、続いて、カッタ作動機構部(5)が上限位置
まで上動した後に水平移動してカッタ部(4)が初期位
置に復帰する(ステップS8)。その後にステップS1
にジャンプして上述と同様の処理を動作を繰り返す。
尚、差の絶対値が許容値以下または零であった場合に
は、即座に切削駆動機構部(21)を駆動制御してカッ
タ作動機構部(5)を作動させ、カッタ部(4)により
切削傷を形成する(ステップS7)。
After that, the central processing unit (13) drives and controls the cutting drive mechanism section (21) via the driver (18) to lower the cutter operating mechanism section (5) to the lower limit position, and then to the horizontal position. Moving in the direction, cutter part (4)
Thus, a cutting scratch is formed on the semiconductor wafer (1) (step S7), and subsequently, the cutter operating mechanism section (5) moves up to the upper limit position and then horizontally moves to return the cutter section (4) to the initial position. (Step S8). After that, step S1
And the same processing as described above is repeated.
When the absolute value of the difference is less than or equal to the allowable value or zero, the cutting drive mechanism section (21) is immediately driven and controlled, the cutter operating mechanism section (5) is operated, and the cutter section (4) is operated. Cutting scratches are formed (step S7).

【0017】[0017]

【発明の効果】以上のように本発明の半導体ウェハのス
クライブ装置によると、切削傷の形成前に、カッタ部か
らその真下の半導体ウェアの箇所までの距離を、半導体
ウェアの厚みに応じてウェハ固定用ステージ台つまり半
導体ウェアの上下位置を補正することにより常に一定に
なるよう調節し、その後に、カッタ作動機構部が一定の
距離範囲で上下動および水平移動されて該カッタ部によ
り半導体ウェハ上に切削傷を形成するので、常に適切な
長さと深さの一定の切削傷を正確に形成することかで
き、切削傷形成後の劈開作業を再現良く高精度に行なう
ことができる。また、切削傷を形成すべき半導体ウェハ
が異なる毎にカッタ作動機構部の高さを調節する作業が
不要となり、作業効率が格段に向上する利点がある。
As described above, according to the semiconductor wafer scribing apparatus of the present invention, the distance from the cutter portion to the portion of the semiconductor wear immediately below the wafer is determined according to the thickness of the semiconductor wear before the formation of the cutting scratch. By adjusting the vertical position of the stationary stage base, that is, the semiconductor ware, it is adjusted to be constant at all times, and then the cutter operating mechanism is vertically moved and horizontally moved within a certain distance range so that the cutter moves on the semiconductor wafer. Since the cutting scratches are formed on the surface, it is possible to always form a cutting scratch having an appropriate length and a constant depth accurately, and the cleaving work after the formation of the cutting scratches can be performed with good reproducibility and high accuracy. Further, there is an advantage that the work of adjusting the height of the cutter operating mechanism unit is not required every time the semiconductor wafer on which the cutting scratch is to be formed is different, and the work efficiency is remarkably improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の概略構成を示す正面図であ
る。
FIG. 1 is a front view showing a schematic configuration of an embodiment of the present invention.

【図2】同上、ブロック構成図である。FIG. 2 is a block diagram showing the same as above.

【図3】同上、フローチャートである。FIG. 3 is a flowchart of the same.

【図4】従来装置の概略構成を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a schematic configuration of a conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体ウェハ 2 ウェハ固定用ステージ台 4 カッタ部 5 カッタ作動機構部 7 測距装置 8,9,10,12 ラック部,伝達歯車,パルスモー
タ,駆動歯車(上下動装置) 13 中央演算処理装置(制御装置) 22 ピッチ送り装置
1 Semiconductor Wafer 2 Wafer Fixing Stage 4 Cutter 5 Cutter Actuator 7 Distance Measuring Device 8, 9, 10, 12 Rack, Transmission Gear, Pulse Motor, Drive Gear (Up / Down Device) 13 Central Processing Unit ( Control device) 22 Pitch feed device

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェハにカッタ部で劈開用の切削
傷を形成するスクライブ装置において、半導体ウェハを
固定するウェハ固定用ステージ台と、このウェハ固定用
ステージ台を所定距離だけ水平方向に節動するピッチ送
り装置と、前記ウェハ固定用ステージ台の上下動装置
と、前記ウェハ固定用ステージ台の上方位置で前記カッ
タ部を半導体ウェハに向け一体に備えるとともに該カッ
タ部により半導体ウェハ上に切削傷を形成するよう所定
の距離範囲で上下動および水平移動されるカッタ作動機
構部と、このカッタ作動機構部に一体に設けられて半導
体ウェハにおける前記カッタ部の真下の箇所までの距離
を非接触で計測する測距装置と、この測距装置の測定距
離と予め設定した設定距離との差を演算してその差の絶
対値が零になるよう前記上下動装置を駆動する制御装置
とを備えたことを特徴とする半導体ウェハのスクライブ
装置。
1. In a scribing device for forming a cutting scratch for cleavage on a semiconductor wafer at a cutter portion, a wafer fixing stage base for fixing the semiconductor wafer and the wafer fixing stage base are horizontally moved by a predetermined distance. A pitch feed device, a vertical movement device for the wafer fixing stage base, and the cutter portion integrally with the semiconductor wafer at a position above the wafer fixing stage base, and a cutting scratch on the semiconductor wafer by the cutter portion. A cutter operating mechanism that is vertically moved and horizontally moved within a predetermined distance range so as to form a non-contact distance to a position directly below the cutter on the semiconductor wafer that is provided integrally with the cutter operating mechanism. Before calculating the difference between the distance measuring device to be measured and the measured distance of this distance measuring device and the preset distance, the absolute value of the difference becomes zero. A semiconductor wafer scribing device comprising: a controller for driving the vertical movement device.
JP10532593A 1993-05-06 1993-05-06 Semiconductor wafer scribing equipment Expired - Fee Related JP2888728B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10532593A JP2888728B2 (en) 1993-05-06 1993-05-06 Semiconductor wafer scribing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10532593A JP2888728B2 (en) 1993-05-06 1993-05-06 Semiconductor wafer scribing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06318635A true JPH06318635A (en) 1994-11-15
JP2888728B2 JP2888728B2 (en) 1999-05-10

Family

ID=14404570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10532593A Expired - Fee Related JP2888728B2 (en) 1993-05-06 1993-05-06 Semiconductor wafer scribing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2888728B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000043562A (en) * 1998-12-29 2000-07-15 김영환 Method for compensating position of scribe head
JP2015038948A (en) * 2013-07-18 2015-02-26 株式会社東京精密 Dicing apparatus and cutting method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000043562A (en) * 1998-12-29 2000-07-15 김영환 Method for compensating position of scribe head
JP2015038948A (en) * 2013-07-18 2015-02-26 株式会社東京精密 Dicing apparatus and cutting method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2888728B2 (en) 1999-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20050224475A1 (en) Laser beam processing machine
US20060119691A1 (en) Laser beam processing machine
KR100821937B1 (en) Method and device for forming crack
US6901670B2 (en) Scribing head, and scribing apparatus and scribing method using the scribing head
US10799987B2 (en) Laser processing apparatus
JP6744626B2 (en) Scribing method and scribing device
JPH06318635A (en) Scribing apparatus for semiconductor wafer
US5041152A (en) Apparatus for bending tubular glass
JP2001330413A (en) Thickness measuring method and apparatus
JP3049464B2 (en) Dicing equipment
KR101066140B1 (en) Method and apparatus for scribing substrate
JPH0964094A (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor
JPH11188603A (en) Device and method for controlling feed speed of work to be cut in wire-type cutting device
KR102675227B1 (en) Wafer lapping device and controlling method thereof
JP3049465B2 (en) Dicing equipment
JP2596482B2 (en) Plate thickness measuring device
JPH09205071A (en) Method and apparatus for dicing
JPH0917759A (en) Method and apparatus for chamfering semiconuctor wafer
JPH10223573A (en) Method and device for dicing
JP4503328B2 (en) Irradiation distance automatic adjustment method and apparatus
JPH06123603A (en) Control of height of processing head and cutting processing device using the control method
JP7330624B2 (en) LASER PROCESSING APPARATUS AND WORKING METHOD FOR PROCESSING
JPH05104349A (en) Method for controlling impact on component attaching device
JP2010033368A (en) Mechanism and method for reading bar-code, and board machining device
JP2000317793A (en) Deburring method and its device

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees