JPH06315085A - 画像読取方法及びその装置 - Google Patents
画像読取方法及びその装置Info
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- JPH06315085A JPH06315085A JP12473293A JP12473293A JPH06315085A JP H06315085 A JPH06315085 A JP H06315085A JP 12473293 A JP12473293 A JP 12473293A JP 12473293 A JP12473293 A JP 12473293A JP H06315085 A JPH06315085 A JP H06315085A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光源の光量変化に拘らず安定した画像信号を
出力することのできる画像読取方法及びその装置を提供
する。 【構成】 2次元イメ−ジセンサ1の出力信号はデ−タ
線読取回路2を介して可変利得増幅器7に入力される一
方、光源発生パタ−ン信号発生回路6からはEL光源ユ
ニット4における発光光量の変化に伴う2次元イメ−ジ
センサ1の出力信号の変動を抑えるように予め定められ
たゲイン設定信号が可変利得増幅器7に入力され、可変
利得増幅器7はこの入力されたゲイン設定信号に応じた
増幅度で増幅動作を行うことにより光量の変動に影響さ
れることのない画像信号が得られるようになっている。
出力することのできる画像読取方法及びその装置を提供
する。 【構成】 2次元イメ−ジセンサ1の出力信号はデ−タ
線読取回路2を介して可変利得増幅器7に入力される一
方、光源発生パタ−ン信号発生回路6からはEL光源ユ
ニット4における発光光量の変化に伴う2次元イメ−ジ
センサ1の出力信号の変動を抑えるように予め定められ
たゲイン設定信号が可変利得増幅器7に入力され、可変
利得増幅器7はこの入力されたゲイン設定信号に応じた
増幅度で増幅動作を行うことにより光量の変動に影響さ
れることのない画像信号が得られるようになっている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、画像読取装置に係り、
特に、光源光量の変動に伴う出力特性の改善を図った画
像読取装置及びその駆動方法に関する。
特に、光源光量の変動に伴う出力特性の改善を図った画
像読取装置及びその駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の画像読取装置としては、
例えば、いわゆる2次元イメ−ジセンサと、原稿を照射
する光源とを有してなり、原稿からの反射光を2次元イ
メ−ジセンサにより受光し、この受光量に対応して得ら
れる電気信号を画像読み取り信号とするものがある。こ
のような画像読み取り装置を構成する2次元イメ−ジセ
ンサとしては、例えば、受光素子としてのフォトダイオ
−ドと、このフォトダイオ−ドに直列接続されるスイッ
チング素子としての薄膜電界トランジスタとで一画素を
形成し、行及び列方向に複数の画素を設けてなる2次元
イメ−ジセンサが公知・周知となっている(例えば、特
開昭64−62980号公報参照)。ところで、このよ
うな2次元イメ−ジセンサと共に、光源等を設けて画像
読取装置を構成する際、光源としては例えば、装置の軽
量化、薄型化、小型化等の要請を満足するものとしてい
わゆるELシ−トが好適であり、比較的多く採用されて
いる。
例えば、いわゆる2次元イメ−ジセンサと、原稿を照射
する光源とを有してなり、原稿からの反射光を2次元イ
メ−ジセンサにより受光し、この受光量に対応して得ら
れる電気信号を画像読み取り信号とするものがある。こ
のような画像読み取り装置を構成する2次元イメ−ジセ
ンサとしては、例えば、受光素子としてのフォトダイオ
−ドと、このフォトダイオ−ドに直列接続されるスイッ
チング素子としての薄膜電界トランジスタとで一画素を
形成し、行及び列方向に複数の画素を設けてなる2次元
イメ−ジセンサが公知・周知となっている(例えば、特
開昭64−62980号公報参照)。ところで、このよ
うな2次元イメ−ジセンサと共に、光源等を設けて画像
読取装置を構成する際、光源としては例えば、装置の軽
量化、薄型化、小型化等の要請を満足するものとしてい
わゆるELシ−トが好適であり、比較的多く採用されて
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ELシ
−トを用いた場合には、印加電圧に対する発光特性に起
因して次述するような問題があった。すなわち、ELシ
−トには交流電源が印加されるために、発光特性は、例
えば図6(a)又は図7(a)に示されたように、時間
に対して周期的な変動を繰り返すこととなる。このた
め、2次元イメ−ジセンサの画像読み取り動作が、この
ELシ−トの発光動作に同期している場合には、イメ−
ジセンサから出力される画像信号の出力レベルも、EL
シ−トの発光量の変化に同期して周期的に変化すること
となる(図6(b)において2点鎖線の波形参照)。ま
た、2次元イメ−ジセンサの画像読み取り動作がELシ
−トの発光動作と非同期の場合、画像信号のレベルはラ
ンダムに変動することとなり(図7(b)において2点
鎖線の波形参照)、いずれにしてもこのような2次元イ
メ−ジセンサからの画像信号をそのまま用いることはで
きず、何等かの補正を加えなければ実用に供することが
できないという問題があった。
−トを用いた場合には、印加電圧に対する発光特性に起
因して次述するような問題があった。すなわち、ELシ
−トには交流電源が印加されるために、発光特性は、例
えば図6(a)又は図7(a)に示されたように、時間
に対して周期的な変動を繰り返すこととなる。このた
め、2次元イメ−ジセンサの画像読み取り動作が、この
ELシ−トの発光動作に同期している場合には、イメ−
ジセンサから出力される画像信号の出力レベルも、EL
シ−トの発光量の変化に同期して周期的に変化すること
となる(図6(b)において2点鎖線の波形参照)。ま
た、2次元イメ−ジセンサの画像読み取り動作がELシ
−トの発光動作と非同期の場合、画像信号のレベルはラ
ンダムに変動することとなり(図7(b)において2点
鎖線の波形参照)、いずれにしてもこのような2次元イ
メ−ジセンサからの画像信号をそのまま用いることはで
きず、何等かの補正を加えなければ実用に供することが
できないという問題があった。
【0004】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
で、光源の発光量の変化に拘らず出力レベルが変動する
ことのない画像読取方法及びその装置を提供するもので
ある。
で、光源の発光量の変化に拘らず出力レベルが変動する
ことのない画像読取方法及びその装置を提供するもので
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明に係
る画像読取方法は、被読み取り画像からの反射光を複数
の受光素子で受光することにより画像読み取りを行う画
像読み取り方法において、前記被読み取り画像への照射
される光量の変化を検知し、前記複数の受光素子から出
力された画像信号のレベルが略一定となるように当該画
像信号を前記検出された光量の変化量に応じて増幅して
なるものである。請求項2記載の発明に係る画像読取装
置は、複数の受光素子からなり原稿からの反射光を受光
する受光素子アレイと、原稿を照射する照射手段と、前
記受光素子アレイから信号を読み出す信号読出手段と、
前記信号読出手段により前記受光素子アレイから読み出
された信号を外部入力されるゲイン設定信号に応じた増
幅度で増幅する可変増幅手段と、前記照射手段から出力
される光量の変化に応じて前記可変増幅手段へのゲイン
設定信号を出力するゲイン設定手段と、を具備してなる
ものである。照射手段は信号読出手段の動作に同期して
発光する一方、ゲイン設定手段は信号読出手段から出力
された信号が略一定となるように予め求められたゲイン
設定量を記憶してなるものが好適である。また、ゲイン
設定手段は受光素子アレイにおける露光量を検知する露
光量検知部と、この露光量検知部により検知された露光
量に応じたゲイン設定信号を出力するゲイン設定部と、
を具備してなるものが好適である。
る画像読取方法は、被読み取り画像からの反射光を複数
の受光素子で受光することにより画像読み取りを行う画
像読み取り方法において、前記被読み取り画像への照射
される光量の変化を検知し、前記複数の受光素子から出
力された画像信号のレベルが略一定となるように当該画
像信号を前記検出された光量の変化量に応じて増幅して
なるものである。請求項2記載の発明に係る画像読取装
置は、複数の受光素子からなり原稿からの反射光を受光
する受光素子アレイと、原稿を照射する照射手段と、前
記受光素子アレイから信号を読み出す信号読出手段と、
前記信号読出手段により前記受光素子アレイから読み出
された信号を外部入力されるゲイン設定信号に応じた増
幅度で増幅する可変増幅手段と、前記照射手段から出力
される光量の変化に応じて前記可変増幅手段へのゲイン
設定信号を出力するゲイン設定手段と、を具備してなる
ものである。照射手段は信号読出手段の動作に同期して
発光する一方、ゲイン設定手段は信号読出手段から出力
された信号が略一定となるように予め求められたゲイン
設定量を記憶してなるものが好適である。また、ゲイン
設定手段は受光素子アレイにおける露光量を検知する露
光量検知部と、この露光量検知部により検知された露光
量に応じたゲイン設定信号を出力するゲイン設定部と、
を具備してなるものが好適である。
【0006】
【作用】請求項1記載の発明に係る画像読み取り装置に
おいては、受光素子により読み取られた画像信号が被読
み取り画像を照射する光量の変化に応じて増幅されるこ
とにより、光量の変化に伴う画像信号レベルの変動が補
償されることとなるものである。請求項2記載の発明に
係る画像読取装置においては、信号読出手段を介して受
光素子アレイから読み出された信号が可変増幅手段によ
り増幅されるが、その際、照射手段から出力される光量
の変化に応じた増幅度で増幅されるので、光量の変化に
よる受光素子アレイの出力信号レベルの変動が補償され
ることとなり、光量の変動による影響が抑圧されること
となるものである。
おいては、受光素子により読み取られた画像信号が被読
み取り画像を照射する光量の変化に応じて増幅されるこ
とにより、光量の変化に伴う画像信号レベルの変動が補
償されることとなるものである。請求項2記載の発明に
係る画像読取装置においては、信号読出手段を介して受
光素子アレイから読み出された信号が可変増幅手段によ
り増幅されるが、その際、照射手段から出力される光量
の変化に応じた増幅度で増幅されるので、光量の変化に
よる受光素子アレイの出力信号レベルの変動が補償され
ることとなり、光量の変動による影響が抑圧されること
となるものである。
【0007】
【実施例】以下、図1、図3及び図4を参照しつつ本発
明に係る第1の実施例における画像読取装置について説
明する。ここで、図1は本発明に係る画像読取装置の一
実施例を示す回路図、図3は本発明に係る画像読取装置
における2次元イメ−ジセンサの動作を説明するための
タイミング図、図4は2次元イメ−ジセンサの動作とE
L光源とが同期状態にある場合の画像信号の出力動作を
説明するためのタイミング図である。
明に係る第1の実施例における画像読取装置について説
明する。ここで、図1は本発明に係る画像読取装置の一
実施例を示す回路図、図3は本発明に係る画像読取装置
における2次元イメ−ジセンサの動作を説明するための
タイミング図、図4は2次元イメ−ジセンサの動作とE
L光源とが同期状態にある場合の画像信号の出力動作を
説明するためのタイミング図である。
【0008】この画像読取装置は、2次元イメ−ジセン
サ1と、デ−タ線読取回路2と、走査線駆動回路3と、
EL光源ユニット4と、EL駆動回路5と、光源発生パ
タ−ン信号発生回路6と、可変利得増幅器7と、センサ
駆動制御回路8と、を主たる構成要素としてなるもので
ある(図1参照)。受光素子アレイとしての2次元イメ
−ジセンサ1は、基本的に従来と変わるものではないの
で、ここでは概略的な説明に止めることとする。すなわ
ち、2次元イメ−ジセンサ1は、受光素子としてのフォ
トダイオ−ドPDと、このフォトダイオ−ドPDに直列
接続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ
Trとで一画素を形成し、これを同一平面上で行(図1
において紙面左右方向)及び列(図1において紙面上下
方向)方向のそれぞれにおいて、複数設けてなるもので
ある。そして、行方向において薄膜トランジスタTrの
ゲ−ト電極は共通に接続されて、各行毎に走査線駆動回
路3に接続されて、行毎にゲ−ト信号が印加されるよう
になっている。また、薄膜トランジスタTrのソ−ス側
は、同一の列毎に共通に接続されて蓄積容量CL に接続
されている。さらに、この蓄積容量CLは、次述するデ
−タ線読取回路2に接続されている。
サ1と、デ−タ線読取回路2と、走査線駆動回路3と、
EL光源ユニット4と、EL駆動回路5と、光源発生パ
タ−ン信号発生回路6と、可変利得増幅器7と、センサ
駆動制御回路8と、を主たる構成要素としてなるもので
ある(図1参照)。受光素子アレイとしての2次元イメ
−ジセンサ1は、基本的に従来と変わるものではないの
で、ここでは概略的な説明に止めることとする。すなわ
ち、2次元イメ−ジセンサ1は、受光素子としてのフォ
トダイオ−ドPDと、このフォトダイオ−ドPDに直列
接続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ
Trとで一画素を形成し、これを同一平面上で行(図1
において紙面左右方向)及び列(図1において紙面上下
方向)方向のそれぞれにおいて、複数設けてなるもので
ある。そして、行方向において薄膜トランジスタTrの
ゲ−ト電極は共通に接続されて、各行毎に走査線駆動回
路3に接続されて、行毎にゲ−ト信号が印加されるよう
になっている。また、薄膜トランジスタTrのソ−ス側
は、同一の列毎に共通に接続されて蓄積容量CL に接続
されている。さらに、この蓄積容量CLは、次述するデ
−タ線読取回路2に接続されている。
【0009】デ−タ線読取回路2は、2次元イメ−ジセ
ンサ1の行方向の画素数と同一数の増幅器9と、この複
数の増幅器9の出力を順次選択的に出力するアナログマ
ルチプレクサ10とを有してなるものである。各増幅器
9の非反転入力端子は、それぞれ先の蓄積容量CL に接
続されており、蓄積容量CL を介してフォトダイオ−ド
PDで発生した光電荷に対応する電圧が増幅器9に読み
込まれるようになっている。また、各増幅器9の非反転
入力端子は、リセットスイッチSrを介して接地される
ようになっている。そして、このリセットスイッチSr
が2次元イメ−ジセンサ1からの信号の読み出しの前に
閉成状態とされることにより、非反転入力端子が接地状
態となると共に、蓄積容量CL に残存していた電荷の放
電が行われるようになっている。
ンサ1の行方向の画素数と同一数の増幅器9と、この複
数の増幅器9の出力を順次選択的に出力するアナログマ
ルチプレクサ10とを有してなるものである。各増幅器
9の非反転入力端子は、それぞれ先の蓄積容量CL に接
続されており、蓄積容量CL を介してフォトダイオ−ド
PDで発生した光電荷に対応する電圧が増幅器9に読み
込まれるようになっている。また、各増幅器9の非反転
入力端子は、リセットスイッチSrを介して接地される
ようになっている。そして、このリセットスイッチSr
が2次元イメ−ジセンサ1からの信号の読み出しの前に
閉成状態とされることにより、非反転入力端子が接地状
態となると共に、蓄積容量CL に残存していた電荷の放
電が行われるようになっている。
【0010】走査線駆動回路3は、2次元イメ−ジセン
サ1の行毎にゲ−ト信号を出力するもので、その動作タ
イミングはセンサ駆動制御回路8により制御されるよう
になっている。尚、この第1の実施例においては、上述
したデ−タ線読取回路2、走査線駆動回路3及びセンサ
駆動制御回路8により信号読出手段が形成されている。
照射手段としてのEL光源ユニット4は、図示しないE
Lシ−トを有してなるもので、原稿照射用の光源であ
る。このEL光源ユニット4の発光動作は、EL駆動回
路5によって制御されるようになっている。
サ1の行毎にゲ−ト信号を出力するもので、その動作タ
イミングはセンサ駆動制御回路8により制御されるよう
になっている。尚、この第1の実施例においては、上述
したデ−タ線読取回路2、走査線駆動回路3及びセンサ
駆動制御回路8により信号読出手段が形成されている。
照射手段としてのEL光源ユニット4は、図示しないE
Lシ−トを有してなるもので、原稿照射用の光源であ
る。このEL光源ユニット4の発光動作は、EL駆動回
路5によって制御されるようになっている。
【0011】ゲイン設定手段としての光源発光パタ−ン
信号発生回路6は、可変増幅手段としての可変利得増幅
器7の増幅度を設定するための信号、すなわち後述する
補正係数Ai(i=1 〜m)に相当するゲイン設定信号を出力
するもので、2次元イメ−ジセンサ1の行毎に予め定め
られたゲイン設定信号が記憶されており、デ−タ線読取
回路2により2次元イメ−ジセンサ1の行毎の信号読み
出しが行われる度ごとにゲイン設定信号を出力するよう
になっている。センサ駆動制御回路8は、上述したデ−
タ線読取回路2、走査線駆動回路3、EL駆動回路5及
び光源発生パタ−ン信号発生回路6の各動作タイミング
を制御する機能を有するものである。
信号発生回路6は、可変増幅手段としての可変利得増幅
器7の増幅度を設定するための信号、すなわち後述する
補正係数Ai(i=1 〜m)に相当するゲイン設定信号を出力
するもので、2次元イメ−ジセンサ1の行毎に予め定め
られたゲイン設定信号が記憶されており、デ−タ線読取
回路2により2次元イメ−ジセンサ1の行毎の信号読み
出しが行われる度ごとにゲイン設定信号を出力するよう
になっている。センサ駆動制御回路8は、上述したデ−
タ線読取回路2、走査線駆動回路3、EL駆動回路5及
び光源発生パタ−ン信号発生回路6の各動作タイミング
を制御する機能を有するものである。
【0012】次に、上記構成における本装置の動作につ
いて説明する。先ず、図3を参照しつつ2次元イメ−ジ
センサ1からの画像信号の出力動作について説明する。
尚、この図3に示された動作自体は、この2次元イメ−
ジセンサ1の読み取り動作として、一般的なものであ
り、本発明特有のものではないので、ここでは概略的に
説明することとする。
いて説明する。先ず、図3を参照しつつ2次元イメ−ジ
センサ1からの画像信号の出力動作について説明する。
尚、この図3に示された動作自体は、この2次元イメ−
ジセンサ1の読み取り動作として、一般的なものであ
り、本発明特有のものではないので、ここでは概略的に
説明することとする。
【0013】最初に、概略的には走査線駆動回路3か
ら、各行順に走査信号(ゲ−ト信号)Sci(i=1 〜m)
が出力され、この走査信号毎にデ−タ線読取回路2の出
力端子から各フォトダイオ−ドPDで読み取られた画像
に対応する電圧信号が出力されるようになっている(図
3(a)〜(d)参照)。より具体的には、走査信号S
c が出力される前に、センサ駆動制御回路8によりリセ
ット信号(図3(g)において「RESET」と略記)
が出力されて、リセットスイッチSrが閉成され、蓄積
容量CL に蓄積された電荷がア−スへ放電されて蓄積容
量CL はリセットされた状態となる。この結果、増幅器
9の非反転入力端子と蓄積容量CL とを接続するデ−タ
線の電位Daは、リセット電位VRS(この実施例におい
ては零電位)となる(図3(j)において期間t1参
照)。続いて、期間t2において、各フォトダイオ−ド
PDからの電荷が薄膜トランジスタTrを介して蓄積容
量CLに転送される前のいわゆるオフセット電圧Vosの
読み込みがデ−タ線読取回路2により行われる。次に、
期間t3において、例えば走査信号SC1が出力されるこ
とにより、2次元イメ−ジセンサ1の第1行目の全ての
薄膜トランジスタTrが導通状態となり、1行目の各フ
ォトダイオ−ドPDに蓄積されていた電荷が各蓄積容量
CL に転送され、デ−タ線の電位DaはVOPで示される
電位まで上昇することとなる(図3(j)参照)。この
後、期間t4において、デ−タ線の電圧Daはいわゆる
フィ−ドスル−効果により、先のVOPより若干低下して
VDAとなる。
ら、各行順に走査信号(ゲ−ト信号)Sci(i=1 〜m)
が出力され、この走査信号毎にデ−タ線読取回路2の出
力端子から各フォトダイオ−ドPDで読み取られた画像
に対応する電圧信号が出力されるようになっている(図
3(a)〜(d)参照)。より具体的には、走査信号S
c が出力される前に、センサ駆動制御回路8によりリセ
ット信号(図3(g)において「RESET」と略記)
が出力されて、リセットスイッチSrが閉成され、蓄積
容量CL に蓄積された電荷がア−スへ放電されて蓄積容
量CL はリセットされた状態となる。この結果、増幅器
9の非反転入力端子と蓄積容量CL とを接続するデ−タ
線の電位Daは、リセット電位VRS(この実施例におい
ては零電位)となる(図3(j)において期間t1参
照)。続いて、期間t2において、各フォトダイオ−ド
PDからの電荷が薄膜トランジスタTrを介して蓄積容
量CLに転送される前のいわゆるオフセット電圧Vosの
読み込みがデ−タ線読取回路2により行われる。次に、
期間t3において、例えば走査信号SC1が出力されるこ
とにより、2次元イメ−ジセンサ1の第1行目の全ての
薄膜トランジスタTrが導通状態となり、1行目の各フ
ォトダイオ−ドPDに蓄積されていた電荷が各蓄積容量
CL に転送され、デ−タ線の電位DaはVOPで示される
電位まで上昇することとなる(図3(j)参照)。この
後、期間t4において、デ−タ線の電圧Daはいわゆる
フィ−ドスル−効果により、先のVOPより若干低下して
VDAとなる。
【0014】そして、この期間t4においては、センサ
駆動制御回路8からサンプリング信号(図3において
「SPL」と略記)が(図3(i)参照)がアナログマ
ルチプレクサ10に出力されることによって、画像信号
として先の電圧VDAがデ−タ線読取回路2から出力され
ることとなる。以上は、フォトダイオ−ドPDが受光す
る原稿からの反射光の変化を考慮することなく、フォト
ダイオ−ドPDで発生した電荷がデ−タ線読取回路2か
ら出力されるまでの動作である。
駆動制御回路8からサンプリング信号(図3において
「SPL」と略記)が(図3(i)参照)がアナログマ
ルチプレクサ10に出力されることによって、画像信号
として先の電圧VDAがデ−タ線読取回路2から出力され
ることとなる。以上は、フォトダイオ−ドPDが受光す
る原稿からの反射光の変化を考慮することなく、フォト
ダイオ−ドPDで発生した電荷がデ−タ線読取回路2か
ら出力されるまでの動作である。
【0015】次に、EL光源ユニット4の発光動作を考
慮したフォトダイオ−ドPDによる画像信号の読み出し
動作について図4を参照しつつ説明する。先ず、2次元
イメ−ジセンサ1の動作と、EL光源ユニット4の動作
とが同期している場合について図4を参照しつつ説明す
る。最初に前提として、EL光源ユニット4の発光周期
と走査線駆動回路3から出力される各走査信号SCi(i=1
〜m) の周期(すなわち、フォトダイオ−ドPDに原稿
からの反射光により光電荷が発生し、この電荷が薄膜ト
ランジスタTrを介して転送された後、再度、原稿から
の反射光をフォトダイオ−ドPDが受光できる得る状態
に至るまでの期間で、いわゆる蓄積周期である。)とが
同期関係にあるとする。すなわち、フォトダイオ−ドP
Dの蓄積周期をTS とし、EL光源ユニット4の発光周
期をTELとした場合、蓄積周期TS は点灯周期TELの半
周期の整数倍の関係にあるものとする。換言すれば、T
S =(TEL/2)×N(但し、Nは整数)の関係にある
ものとする。
慮したフォトダイオ−ドPDによる画像信号の読み出し
動作について図4を参照しつつ説明する。先ず、2次元
イメ−ジセンサ1の動作と、EL光源ユニット4の動作
とが同期している場合について図4を参照しつつ説明す
る。最初に前提として、EL光源ユニット4の発光周期
と走査線駆動回路3から出力される各走査信号SCi(i=1
〜m) の周期(すなわち、フォトダイオ−ドPDに原稿
からの反射光により光電荷が発生し、この電荷が薄膜ト
ランジスタTrを介して転送された後、再度、原稿から
の反射光をフォトダイオ−ドPDが受光できる得る状態
に至るまでの期間で、いわゆる蓄積周期である。)とが
同期関係にあるとする。すなわち、フォトダイオ−ドP
Dの蓄積周期をTS とし、EL光源ユニット4の発光周
期をTELとした場合、蓄積周期TS は点灯周期TELの半
周期の整数倍の関係にあるものとする。換言すれば、T
S =(TEL/2)×N(但し、Nは整数)の関係にある
ものとする。
【0016】EL光源ユニット4には、EL駆動回路5
により、図4(a)に示されるような正極駆動パルスと
負極駆動パルスとが交互に入力され、これに応じてEL
光源ユニット4における発光状態は、図4(b)に示さ
れるように周期TEL/2で発光状態のピ−クと減衰とが
繰り返されるようになっている。ここで、EL光源ユニ
ット4における発光応答特性は、ELシ−トの一般的特
性に基づいて次のような近似式で表される。すなわち、
L(t)=LO ×exp(−t/τ)(以下、「式1」
と言う。)と表され、L(t)は時刻tにおける発光強
度、LO は最大発光強度、τは時定数であり具体的には
約80μsである。
により、図4(a)に示されるような正極駆動パルスと
負極駆動パルスとが交互に入力され、これに応じてEL
光源ユニット4における発光状態は、図4(b)に示さ
れるように周期TEL/2で発光状態のピ−クと減衰とが
繰り返されるようになっている。ここで、EL光源ユニ
ット4における発光応答特性は、ELシ−トの一般的特
性に基づいて次のような近似式で表される。すなわち、
L(t)=LO ×exp(−t/τ)(以下、「式1」
と言う。)と表され、L(t)は時刻tにおける発光強
度、LO は最大発光強度、τは時定数であり具体的には
約80μsである。
【0017】一方、各行方向、すなわち主走査線方向で
は、各走査線方向毎に露光量Eが同じであるとすると、
その露光量Eは、蓄積容量CL をリセットした直後から
の光量を蓄積周期Ts について積分したものであるの
で、下記する式2で表される。
は、各走査線方向毎に露光量Eが同じであるとすると、
その露光量Eは、蓄積容量CL をリセットした直後から
の光量を蓄積周期Ts について積分したものであるの
で、下記する式2で表される。
【式2】
【0018】そして、フォトダイオ−ドPDの感度をS
とすれば、フォトダイオ−ドPDに発生した光電荷量に
よってフォトダイオ−ドPDからの出力電位Vdaは、
図4(f)〜(h)で示されるように除々に変化し、先
に図3によって説明した信号読み出しが開始される直前
において、最大となりその最大値をVpkとすれば、Vpk
=S×Eと表される。画像信号の読み出し期間におい
て、このVpkに相当する電位が蓄積容量CL を介してデ
−タ線読取回路2から出力されることとなる(図4
(f)〜(h)においては、画像信号の読み出し期間は
斜線を施した部分であり、図3で説明したような一連の
電圧変化は省略して記載されている。)。そして、EL
光源ユニット4の動作と2次元イメ−ジセンサ1の動作
が同期しているので、Vpkの値は毎回の読み出し動作毎
に略同一の値である。したがって、各主走査毎における
この電位Vpki(i=1〜m) 毎に対して所定の補正係数A
i(i=1 〜m)を乗ずることによって、各走査毎に均一な出
力が得られることとなる。
とすれば、フォトダイオ−ドPDに発生した光電荷量に
よってフォトダイオ−ドPDからの出力電位Vdaは、
図4(f)〜(h)で示されるように除々に変化し、先
に図3によって説明した信号読み出しが開始される直前
において、最大となりその最大値をVpkとすれば、Vpk
=S×Eと表される。画像信号の読み出し期間におい
て、このVpkに相当する電位が蓄積容量CL を介してデ
−タ線読取回路2から出力されることとなる(図4
(f)〜(h)においては、画像信号の読み出し期間は
斜線を施した部分であり、図3で説明したような一連の
電圧変化は省略して記載されている。)。そして、EL
光源ユニット4の動作と2次元イメ−ジセンサ1の動作
が同期しているので、Vpkの値は毎回の読み出し動作毎
に略同一の値である。したがって、各主走査毎における
この電位Vpki(i=1〜m) 毎に対して所定の補正係数A
i(i=1 〜m)を乗ずることによって、各走査毎に均一な出
力が得られることとなる。
【0019】本実施例においては、光源発生パタ−ン信
号発生回路6に、可変利得増幅器7の増幅度を決定する
定数として、補正係数Ai(i=1 〜m)に相当する係数が予
め記憶されており、それぞれの係数は各走査信号Sci(i
= 1〜m) に同期して可変利得増幅器7に出力され、デ
−タ線読取回路2から出力された信号は、光源発生パタ
−ン信号発生回路6からの係数に応じたゲインで増幅さ
れて出力されることとなる。これにより、先に述べたよ
うなVpki(i=1〜m) に補正係数Ai(i=1 〜m)を乗ずる
演算処理が行われたこととなるものである。したがっ
て、EL光源ユニット4から原稿に照射される光が変動
するものである(図4(b)参照)にも拘らず、可変利
得増幅器7を介して最終的に出力される信号は、あたか
もEL光源ユニット4の発光光量が一定である状態、画
像読み取りが行われたと等価な状態となる。
号発生回路6に、可変利得増幅器7の増幅度を決定する
定数として、補正係数Ai(i=1 〜m)に相当する係数が予
め記憶されており、それぞれの係数は各走査信号Sci(i
= 1〜m) に同期して可変利得増幅器7に出力され、デ
−タ線読取回路2から出力された信号は、光源発生パタ
−ン信号発生回路6からの係数に応じたゲインで増幅さ
れて出力されることとなる。これにより、先に述べたよ
うなVpki(i=1〜m) に補正係数Ai(i=1 〜m)を乗ずる
演算処理が行われたこととなるものである。したがっ
て、EL光源ユニット4から原稿に照射される光が変動
するものである(図4(b)参照)にも拘らず、可変利
得増幅器7を介して最終的に出力される信号は、あたか
もEL光源ユニット4の発光光量が一定である状態、画
像読み取りが行われたと等価な状態となる。
【0020】次に、図2及び図5を参照しつつ第2の実
施例について説明する。この第2の実施例は、EL光源
ユニット4の発光動作と2次元イメ−ジセンサ1の読み
取り動作が非同期の場合の例である。尚、図1に示され
た構成要素と同一のものについては、同一の符号を付し
て説明を省略し、異なる点を中心に説明するものとす
る。この第2の実施例においては、第1の実施例におけ
る光源発光パタ−ン信号発生回路6に代えて、光源露光
量モニタ回路11及びサンプル/ホ−ルド回路12が設
けられている。尚、図2においては図示されていない
が、EL光源ユニット4及びこれを駆動するEL駆動回
路5が設けられているのは第1の実施例と同様である
が、EL駆動回路5は2次元イメ−ジセンサ1の動作タ
イミングと何等関わりなくEL光源ユニット4を駆動す
る。すなわち、2次元イメ−ジセンサ1の動作タイミン
グと非同期でEL光源ユニット4が駆動される点で第1
の実施例と異なっている。
施例について説明する。この第2の実施例は、EL光源
ユニット4の発光動作と2次元イメ−ジセンサ1の読み
取り動作が非同期の場合の例である。尚、図1に示され
た構成要素と同一のものについては、同一の符号を付し
て説明を省略し、異なる点を中心に説明するものとす
る。この第2の実施例においては、第1の実施例におけ
る光源発光パタ−ン信号発生回路6に代えて、光源露光
量モニタ回路11及びサンプル/ホ−ルド回路12が設
けられている。尚、図2においては図示されていない
が、EL光源ユニット4及びこれを駆動するEL駆動回
路5が設けられているのは第1の実施例と同様である
が、EL駆動回路5は2次元イメ−ジセンサ1の動作タ
イミングと何等関わりなくEL光源ユニット4を駆動す
る。すなわち、2次元イメ−ジセンサ1の動作タイミン
グと非同期でEL光源ユニット4が駆動される点で第1
の実施例と異なっている。
【0021】露光量検知部としての光源露光量モニタ回
路11は、2次元イメ−ジセンサ1と同様にフォトトラ
ンジスタPDと薄膜トランジスタTrとからなる画素
が、2次元イメ−ジセンサ1の各行方向(図2において
紙面左右方向であって、主走査方向に相当)に、それぞ
れ一つづつ設けられると共に、デ−タ線読取回路2を構
成していると同様な構成の増幅器9が設けられているも
のである。光源露光量モニタ回路11を構成する薄膜ト
ランジスタTrのゲ−トは、2次元イメ−ジセンサ1の
薄膜トラジスタTrのゲ−トにそれぞれ接続されてお
り、2次元イメ−ジセンサ1の薄膜トランジスタTrと
同じタイミングで動作するようになっている。
路11は、2次元イメ−ジセンサ1と同様にフォトトラ
ンジスタPDと薄膜トランジスタTrとからなる画素
が、2次元イメ−ジセンサ1の各行方向(図2において
紙面左右方向であって、主走査方向に相当)に、それぞ
れ一つづつ設けられると共に、デ−タ線読取回路2を構
成していると同様な構成の増幅器9が設けられているも
のである。光源露光量モニタ回路11を構成する薄膜ト
ランジスタTrのゲ−トは、2次元イメ−ジセンサ1の
薄膜トラジスタTrのゲ−トにそれぞれ接続されてお
り、2次元イメ−ジセンサ1の薄膜トランジスタTrと
同じタイミングで動作するようになっている。
【0022】この光源露光量モニタ回路11のフォトダ
オ−ドPDで発生した光電荷は、2次元イメ−ジセンサ
1での動作と同様にして蓄積容量CL に転送されて、増
幅器9を介してゲイン設定手段としてのサンプル/ホ−
ルド回路12に入力されるようになっている。そして、
サンプル/ホ−ルド回路12ではこの入力信号を一定時
間保持し、この保持された信号が可変利得増幅器7にゲ
イン設定信号として入力され、可変利得増幅器7は、こ
のゲイン設定信号に応じた増幅度、すなわち、2次元イ
メ−ジセンサ1における露光量に応じたゲインで増幅動
作を行なうようになっている。この第2の実施例におけ
る動作について第1の実施例のものと異なる点を中心に
図5を参照しつつ説明すれば、先ず、前提として、2次
元イメ−ジセンサ1における蓄積周期Ts とEL光源ユ
ニット4の発光周期TELとは、互いに非同期関係、すな
わち、Ts ≠(TEL/2)×Nの関係にあるものとす
る。したがって、図5に示されるようにEL発光応答
(図5(b)参照)と走査信号SC (図5(c)〜
(e)参照)の発生タイミングとの間には、全く関連性
がない。
オ−ドPDで発生した光電荷は、2次元イメ−ジセンサ
1での動作と同様にして蓄積容量CL に転送されて、増
幅器9を介してゲイン設定手段としてのサンプル/ホ−
ルド回路12に入力されるようになっている。そして、
サンプル/ホ−ルド回路12ではこの入力信号を一定時
間保持し、この保持された信号が可変利得増幅器7にゲ
イン設定信号として入力され、可変利得増幅器7は、こ
のゲイン設定信号に応じた増幅度、すなわち、2次元イ
メ−ジセンサ1における露光量に応じたゲインで増幅動
作を行なうようになっている。この第2の実施例におけ
る動作について第1の実施例のものと異なる点を中心に
図5を参照しつつ説明すれば、先ず、前提として、2次
元イメ−ジセンサ1における蓄積周期Ts とEL光源ユ
ニット4の発光周期TELとは、互いに非同期関係、すな
わち、Ts ≠(TEL/2)×Nの関係にあるものとす
る。したがって、図5に示されるようにEL発光応答
(図5(b)参照)と走査信号SC (図5(c)〜
(e)参照)の発生タイミングとの間には、全く関連性
がない。
【0023】2次元イメ−ジセンサ1からは、各走査信
号SC に同期して蓄積容量CL に電荷が転送され、さら
にデ−タ線読取回路2から各行毎に蓄積容量CL の蓄積
電荷に応じた画像信号としての電位の読み出しが行われ
る点では、第1の実施例における動作と基本的に同一で
あるが、この第2の実施例においては、光源露光量モニ
タ回路11の出力信号を、デ−タ線読取回路2における
主走査方向への信号の読み出しが行われる直前に行なう
点が異なっている。すなわち、2次元イメ−ジセンサ1
で受光された光量に応じて発生した光電荷は、行毎に蓄
積容量CL に転送され、この電荷転送による電位変化が
デ−タ線読取回路2においてアナログマルチプレクサ1
0を介して主走査方向(図2において紙面左右方向)に
順に、すなわち、図2においては複数個設けられた増幅
器9の内、一番左端に位置する増幅器9に接続されてい
る蓄積容量CL の電位変化から順に読み出しが行われる
が、この一連の読み出しの前に、サンプル/ホ−ルド回
路12がセンサ駆動制御回路8から出力された制御信号
によって光源露光量モニタ回路11の信号を読み込む。
号SC に同期して蓄積容量CL に電荷が転送され、さら
にデ−タ線読取回路2から各行毎に蓄積容量CL の蓄積
電荷に応じた画像信号としての電位の読み出しが行われ
る点では、第1の実施例における動作と基本的に同一で
あるが、この第2の実施例においては、光源露光量モニ
タ回路11の出力信号を、デ−タ線読取回路2における
主走査方向への信号の読み出しが行われる直前に行なう
点が異なっている。すなわち、2次元イメ−ジセンサ1
で受光された光量に応じて発生した光電荷は、行毎に蓄
積容量CL に転送され、この電荷転送による電位変化が
デ−タ線読取回路2においてアナログマルチプレクサ1
0を介して主走査方向(図2において紙面左右方向)に
順に、すなわち、図2においては複数個設けられた増幅
器9の内、一番左端に位置する増幅器9に接続されてい
る蓄積容量CL の電位変化から順に読み出しが行われる
が、この一連の読み出しの前に、サンプル/ホ−ルド回
路12がセンサ駆動制御回路8から出力された制御信号
によって光源露光量モニタ回路11の信号を読み込む。
【0024】そして、この読み込まれた信号が可変利得
増幅器7のゲイン設定信号として可変利得増幅器7に入
力されることで、デ−タ線読取回路2からの出力信号V
COMは、ゲイン設定信号に応じた増幅度で増幅されるこ
ととなる。すなわち、サンプル/ホ−ルド回路12を介
して可変利得増幅器7にゲイン設定信号として入力され
た光源露光量モニタ回路11Vmon の出力信号は、先の
第1の実施例で説明した補正係数Ai(i=1 〜m)に相当す
るものである。したがって、可変利得増幅器7の出力信
号VDATAは、従来と異なりフレ−ム(走査信号SC1乃至
SCmが出力される期間)毎に変動することなく略同一の
信号レベルで出力されることとなる。
増幅器7のゲイン設定信号として可変利得増幅器7に入
力されることで、デ−タ線読取回路2からの出力信号V
COMは、ゲイン設定信号に応じた増幅度で増幅されるこ
ととなる。すなわち、サンプル/ホ−ルド回路12を介
して可変利得増幅器7にゲイン設定信号として入力され
た光源露光量モニタ回路11Vmon の出力信号は、先の
第1の実施例で説明した補正係数Ai(i=1 〜m)に相当す
るものである。したがって、可変利得増幅器7の出力信
号VDATAは、従来と異なりフレ−ム(走査信号SC1乃至
SCmが出力される期間)毎に変動することなく略同一の
信号レベルで出力されることとなる。
【0025】ここで、可変利得増幅器7のゲインと光源
露光量モニタ回路11の出力信号Vmon との関係につい
て見ると、先ず、先に説明したようにアナログマルチプ
レクサ10を介してシリアル信号として出力される出力
信号VCOM は、図8に示されるように、各走査信号SC1
〜SCm毎に出力されるもので(同図(a)乃至(d)参
照)、各走査信号SC1〜SCmの出力期間において、2次
元イメ−ジセンサ1の一行(図2において紙面左右方
向)を構成するn個のフォトダイオ−ドPDの出力信号
がアナログマルチプレクサ10を介してシリアルに出力
されてなるものである(図8(d)参照)。一方、光源
露光量モニタ回路11の出力信号Vmon は、各走査信号
SC1〜SCmの立ち上がりと同時にサンプル/ホ−ルド回
路12に入力され、この時点から信号VCOM がアナログ
マルチプレクサ10より出力されるまでの間、サンプル
/ホ−ルド回路12によりサンプリングされ、そのサン
プリングされた信号レベルが該当する走査信号の出力の
間、保持されるようになっている。したがって、このホ
−ルドされたレベルが可変利得増幅器7のゲイン設定信
号として該当する走査信号の出力の間、入力されること
となるので、この間に光源露光量に変動があっても出力
信号VDATAが影響されて変動することがなくなるもので
ある。
露光量モニタ回路11の出力信号Vmon との関係につい
て見ると、先ず、先に説明したようにアナログマルチプ
レクサ10を介してシリアル信号として出力される出力
信号VCOM は、図8に示されるように、各走査信号SC1
〜SCm毎に出力されるもので(同図(a)乃至(d)参
照)、各走査信号SC1〜SCmの出力期間において、2次
元イメ−ジセンサ1の一行(図2において紙面左右方
向)を構成するn個のフォトダイオ−ドPDの出力信号
がアナログマルチプレクサ10を介してシリアルに出力
されてなるものである(図8(d)参照)。一方、光源
露光量モニタ回路11の出力信号Vmon は、各走査信号
SC1〜SCmの立ち上がりと同時にサンプル/ホ−ルド回
路12に入力され、この時点から信号VCOM がアナログ
マルチプレクサ10より出力されるまでの間、サンプル
/ホ−ルド回路12によりサンプリングされ、そのサン
プリングされた信号レベルが該当する走査信号の出力の
間、保持されるようになっている。したがって、このホ
−ルドされたレベルが可変利得増幅器7のゲイン設定信
号として該当する走査信号の出力の間、入力されること
となるので、この間に光源露光量に変動があっても出力
信号VDATAが影響されて変動することがなくなるもので
ある。
【0026】第1の実施例においては、可変利得増幅器
7から出力される画像信号がEL光7源ユニット4から
原稿に照射される光量が変化しても画像信号レベルが変
化することのないように予め定めたゲイン設定信号を光
源発生パタ−ン信号発生回路6に記憶させておき、ゲイ
ン設定信号によって可変利得増福器7の増幅度を制御す
る構成とすることにより、また、第2の実施例において
は、光源露光量モニタ回路11により2次元イメ−ジセ
ンサ1の露光量を検出し、この露光量に応じて出力され
た信号をサンプル/ホ−ルド回路12を介して可変利得
増幅器7にゲイン設定信号として入力する構成とするこ
とにより、共にEL光源から出力される光量の変化があ
ってもその変化に伴う2次元イメ−ジセンサ1の出力信
号の変動が略抑圧されることになるので、光源の光量変
化に拘らず安定した画像信号を得ることができることと
なる。
7から出力される画像信号がEL光7源ユニット4から
原稿に照射される光量が変化しても画像信号レベルが変
化することのないように予め定めたゲイン設定信号を光
源発生パタ−ン信号発生回路6に記憶させておき、ゲイ
ン設定信号によって可変利得増福器7の増幅度を制御す
る構成とすることにより、また、第2の実施例において
は、光源露光量モニタ回路11により2次元イメ−ジセ
ンサ1の露光量を検出し、この露光量に応じて出力され
た信号をサンプル/ホ−ルド回路12を介して可変利得
増幅器7にゲイン設定信号として入力する構成とするこ
とにより、共にEL光源から出力される光量の変化があ
ってもその変化に伴う2次元イメ−ジセンサ1の出力信
号の変動が略抑圧されることになるので、光源の光量変
化に拘らず安定した画像信号を得ることができることと
なる。
【0027】
【発明の効果】以上、述べたように、請求項1記載の発
明に係る画像読取方法においては、光源光量の変動に伴
う画像信号レベルの増減を補償するように構成すること
により、光源光量の変動に応じて画像信号が増幅される
ので、光源光量の変動に影響されることのない安定した
画像信号を得ることができるという効果を奏するもので
ある。また、請求項2記載の発明に係る画像読取装置に
おいては、照射手段から出力される光量の変化に応じて
可変利得増幅手段の増幅度を変えるように構成すること
により、光量の変化に伴う画像信号の変動が殆どなくな
ることとなるので、光量の変動に影響されることのない
安定した画像信号を得ることができ、さらに2次元イメ
−ジセンサのダイナミックレンジを広くとることができ
る画像読取装置を提供することができるという効果を奏
するものである。
明に係る画像読取方法においては、光源光量の変動に伴
う画像信号レベルの増減を補償するように構成すること
により、光源光量の変動に応じて画像信号が増幅される
ので、光源光量の変動に影響されることのない安定した
画像信号を得ることができるという効果を奏するもので
ある。また、請求項2記載の発明に係る画像読取装置に
おいては、照射手段から出力される光量の変化に応じて
可変利得増幅手段の増幅度を変えるように構成すること
により、光量の変化に伴う画像信号の変動が殆どなくな
ることとなるので、光量の変動に影響されることのない
安定した画像信号を得ることができ、さらに2次元イメ
−ジセンサのダイナミックレンジを広くとることができ
る画像読取装置を提供することができるという効果を奏
するものである。
【図1】 本発明に係る画像読取装置の第1の実施例を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図2】 本発明に係る画像読取装置の第2の実施例を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図3】 本発明に係る画像読取装置における2次元イ
メ−ジセンサの動作を説明するためのタイミング図であ
る。
メ−ジセンサの動作を説明するためのタイミング図であ
る。
【図4】 2次元イメ−ジセンサの動作とEL光源とが
同期状態にある場合の画像信号の出力動作を説明するた
めのタイミング図である。
同期状態にある場合の画像信号の出力動作を説明するた
めのタイミング図である。
【図5】 2次元イメ−ジセンサの動作とEL光源とが
非同期状態にある場合の画像信号の出力動作を説明する
ためのタイミング図である。
非同期状態にある場合の画像信号の出力動作を説明する
ためのタイミング図である。
【図6】 EL発光特性と2次元イメ−ジセンサからの
信号出力タイミングとが同期している場合を説明するた
めのタイミング図である。
信号出力タイミングとが同期している場合を説明するた
めのタイミング図である。
【図7】 EL発光特性と2次元イメ−ジセンサからの
信号出力タイミングとが同期している場合を説明するた
めのタイミング図である。
信号出力タイミングとが同期している場合を説明するた
めのタイミング図である。
【図8】 本発明に係る画像読取装置の第2の実施例の
動作を説明するためのタイミング図である。
動作を説明するためのタイミング図である。
1…2次元イメ−ジセンサ、 2…デ−タ線読取回路、
3…走査線駆動回路、 4…EL光源ユニット、 5
…EL駆動回路、 6…光源発生パタ−ン信号発生回
路、 7…ゲイン可変増幅器、 11…光源露光量モニ
タ回路、 12…サンプル/ホ−ルド回路
3…走査線駆動回路、 4…EL光源ユニット、 5
…EL駆動回路、 6…光源発生パタ−ン信号発生回
路、 7…ゲイン可変増幅器、 11…光源露光量モニ
タ回路、 12…サンプル/ホ−ルド回路
Claims (4)
- 【請求項1】 被読み取り画像からの反射光を複数の受
光素子で受光することにより画像読み取りを行う画像読
み取り方法において、前記被読み取り画像への照射され
る光量の変化を検知し、前記複数の受光素子から出力さ
れた画像信号のレベルが略一定となるように当該画像信
号を前記検出された光量の変化量に応じて増幅すること
を特徴とする画像読取方法。 - 【請求項2】 複数の受光素子からなり原稿からの反射
光を受光する受光素子アレイと、原稿を照射する照射手
段と、前記受光素子アレイから信号を読み出す信号読出
手段と、前記信号読出手段により前記受光素子アレイか
ら読み出された信号を外部入力されるゲイン設定信号に
応じた増幅度で増幅する可変増幅手段と、前記照射手段
から出力される光量の変化に応じて前記可変増幅手段へ
のゲイン設定信号を出力するゲイン設定手段と、を具備
することを特徴とする画像読取装置。 - 【請求項3】 照射手段は信号読出手段の動作に同期し
て発光する一方、ゲイン設定手段は信号読出手段から出
力された信号が略一定となるように予め求められたゲイ
ン設定量を記憶してなることを特徴とする請求項2記載
の画像読取装置。 - 【請求項4】 ゲイン設定手段は受光素子アレイにおけ
る露光量を検知する露光量検知部と、この露光量検知部
により検知された露光量に応じたゲイン設定信号を出力
するゲイン設定部と、を具備してなることを特徴とする
請求項2記載の画像読取装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12473293A JPH06315085A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 画像読取方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12473293A JPH06315085A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 画像読取方法及びその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06315085A true JPH06315085A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14892743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12473293A Pending JPH06315085A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 画像読取方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06315085A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009296189A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 画像読取装置、および画像読取装置の制御方法 |
US7851738B2 (en) | 2004-12-28 | 2010-12-14 | Casio Computer Co., Ltd. | Driver circuit, related drive control method and image reading apparatus |
US8367997B2 (en) | 2008-08-26 | 2013-02-05 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image reading device, computer readable medium, and light amount adjusting method |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP12473293A patent/JPH06315085A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7851738B2 (en) | 2004-12-28 | 2010-12-14 | Casio Computer Co., Ltd. | Driver circuit, related drive control method and image reading apparatus |
JP2009296189A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 画像読取装置、および画像読取装置の制御方法 |
US8367997B2 (en) | 2008-08-26 | 2013-02-05 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image reading device, computer readable medium, and light amount adjusting method |
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