JPH06315085A - 画像読取方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光源の光量変化に拘らず安定した画像信号を
出力することのできる画像読取方法及びその装置を提供
する。 【構成】 ２次元イメ−ジセンサ１の出力信号はデ−タ
線読取回路２を介して可変利得増幅器７に入力される一
方、光源発生パタ−ン信号発生回路６からはＥＬ光源ユ
ニット４における発光光量の変化に伴う２次元イメ−ジ
センサ１の出力信号の変動を抑えるように予め定められ
たゲイン設定信号が可変利得増幅器７に入力され、可変
利得増幅器７はこの入力されたゲイン設定信号に応じた
増幅度で増幅動作を行うことにより光量の変動に影響さ
れることのない画像信号が得られるようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、画像読取装置に係り、
特に、光源光量の変動に伴う出力特性の改善を図った画
像読取装置及びその駆動方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の画像読取装置としては、
例えば、いわゆる２次元イメ−ジセンサと、原稿を照射
する光源とを有してなり、原稿からの反射光を２次元イ
メ−ジセンサにより受光し、この受光量に対応して得ら
れる電気信号を画像読み取り信号とするものがある。こ
のような画像読み取り装置を構成する２次元イメ−ジセ
ンサとしては、例えば、受光素子としてのフォトダイオ
−ドと、このフォトダイオ−ドに直列接続されるスイッ
チング素子としての薄膜電界トランジスタとで一画素を
形成し、行及び列方向に複数の画素を設けてなる２次元
イメ−ジセンサが公知・周知となっている（例えば、特
開昭６４−６２９８０号公報参照）。ところで、このよ
うな２次元イメ−ジセンサと共に、光源等を設けて画像
読取装置を構成する際、光源としては例えば、装置の軽
量化、薄型化、小型化等の要請を満足するものとしてい
わゆるＥＬシ−トが好適であり、比較的多く採用されて
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＥＬシ
−トを用いた場合には、印加電圧に対する発光特性に起
因して次述するような問題があった。すなわち、ＥＬシ
−トには交流電源が印加されるために、発光特性は、例
えば図６（ａ）又は図７（ａ）に示されたように、時間
に対して周期的な変動を繰り返すこととなる。このた
め、２次元イメ−ジセンサの画像読み取り動作が、この
ＥＬシ−トの発光動作に同期している場合には、イメ−
ジセンサから出力される画像信号の出力レベルも、ＥＬ
シ−トの発光量の変化に同期して周期的に変化すること
となる（図６（ｂ）において２点鎖線の波形参照）。ま
た、２次元イメ−ジセンサの画像読み取り動作がＥＬシ
−トの発光動作と非同期の場合、画像信号のレベルはラ
ンダムに変動することとなり（図７（ｂ）において２点
鎖線の波形参照）、いずれにしてもこのような２次元イ
メ−ジセンサからの画像信号をそのまま用いることはで
きず、何等かの補正を加えなければ実用に供することが
できないという問題があった。

【０００４】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
で、光源の発光量の変化に拘らず出力レベルが変動する
ことのない画像読取方法及びその装置を提供するもので
ある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る画像読取方法は、被読み取り画像からの反射光を複数
の受光素子で受光することにより画像読み取りを行う画
像読み取り方法において、前記被読み取り画像への照射
される光量の変化を検知し、前記複数の受光素子から出
力された画像信号のレベルが略一定となるように当該画
像信号を前記検出された光量の変化量に応じて増幅して
なるものである。請求項２記載の発明に係る画像読取装
置は、複数の受光素子からなり原稿からの反射光を受光
する受光素子アレイと、原稿を照射する照射手段と、前
記受光素子アレイから信号を読み出す信号読出手段と、
前記信号読出手段により前記受光素子アレイから読み出
された信号を外部入力されるゲイン設定信号に応じた増
幅度で増幅する可変増幅手段と、前記照射手段から出力
される光量の変化に応じて前記可変増幅手段へのゲイン
設定信号を出力するゲイン設定手段と、を具備してなる
ものである。照射手段は信号読出手段の動作に同期して
発光する一方、ゲイン設定手段は信号読出手段から出力
された信号が略一定となるように予め求められたゲイン
設定量を記憶してなるものが好適である。また、ゲイン
設定手段は受光素子アレイにおける露光量を検知する露
光量検知部と、この露光量検知部により検知された露光
量に応じたゲイン設定信号を出力するゲイン設定部と、
を具備してなるものが好適である。

【０００６】

【作用】請求項１記載の発明に係る画像読み取り装置に
おいては、受光素子により読み取られた画像信号が被読
み取り画像を照射する光量の変化に応じて増幅されるこ
とにより、光量の変化に伴う画像信号レベルの変動が補
償されることとなるものである。請求項２記載の発明に
係る画像読取装置においては、信号読出手段を介して受
光素子アレイから読み出された信号が可変増幅手段によ
り増幅されるが、その際、照射手段から出力される光量
の変化に応じた増幅度で増幅されるので、光量の変化に
よる受光素子アレイの出力信号レベルの変動が補償され
ることとなり、光量の変動による影響が抑圧されること
となるものである。

【０００７】

【実施例】以下、図１、図３及び図４を参照しつつ本発
明に係る第１の実施例における画像読取装置について説
明する。ここで、図１は本発明に係る画像読取装置の一
実施例を示す回路図、図３は本発明に係る画像読取装置
における２次元イメ−ジセンサの動作を説明するための
タイミング図、図４は２次元イメ−ジセンサの動作とＥ
Ｌ光源とが同期状態にある場合の画像信号の出力動作を
説明するためのタイミング図である。

【０００８】この画像読取装置は、２次元イメ−ジセン
サ１と、デ−タ線読取回路２と、走査線駆動回路３と、
ＥＬ光源ユニット４と、ＥＬ駆動回路５と、光源発生パ
タ−ン信号発生回路６と、可変利得増幅器７と、センサ
駆動制御回路８と、を主たる構成要素としてなるもので
ある（図１参照）。受光素子アレイとしての２次元イメ
−ジセンサ１は、基本的に従来と変わるものではないの
で、ここでは概略的な説明に止めることとする。すなわ
ち、２次元イメ−ジセンサ１は、受光素子としてのフォ
トダイオ−ドＰＤと、このフォトダイオ−ドＰＤに直列
接続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ
Ｔｒとで一画素を形成し、これを同一平面上で行（図１
において紙面左右方向）及び列（図１において紙面上下
方向）方向のそれぞれにおいて、複数設けてなるもので
ある。そして、行方向において薄膜トランジスタＴｒの
ゲ−ト電極は共通に接続されて、各行毎に走査線駆動回
路３に接続されて、行毎にゲ−ト信号が印加されるよう
になっている。また、薄膜トランジスタＴｒのソ−ス側
は、同一の列毎に共通に接続されて蓄積容量ＣL に接続
されている。さらに、この蓄積容量ＣLは、次述するデ
−タ線読取回路２に接続されている。

【０００９】デ−タ線読取回路２は、２次元イメ−ジセ
ンサ１の行方向の画素数と同一数の増幅器９と、この複
数の増幅器９の出力を順次選択的に出力するアナログマ
ルチプレクサ１０とを有してなるものである。各増幅器
９の非反転入力端子は、それぞれ先の蓄積容量ＣL に接
続されており、蓄積容量ＣL を介してフォトダイオ−ド
ＰＤで発生した光電荷に対応する電圧が増幅器９に読み
込まれるようになっている。また、各増幅器９の非反転
入力端子は、リセットスイッチＳｒを介して接地される
ようになっている。そして、このリセットスイッチＳｒ
が２次元イメ−ジセンサ１からの信号の読み出しの前に
閉成状態とされることにより、非反転入力端子が接地状
態となると共に、蓄積容量ＣL に残存していた電荷の放
電が行われるようになっている。

【００１０】走査線駆動回路３は、２次元イメ−ジセン
サ１の行毎にゲ−ト信号を出力するもので、その動作タ
イミングはセンサ駆動制御回路８により制御されるよう
になっている。尚、この第１の実施例においては、上述
したデ−タ線読取回路２、走査線駆動回路３及びセンサ
駆動制御回路８により信号読出手段が形成されている。
照射手段としてのＥＬ光源ユニット４は、図示しないＥ
Ｌシ−トを有してなるもので、原稿照射用の光源であ
る。このＥＬ光源ユニット４の発光動作は、ＥＬ駆動回
路５によって制御されるようになっている。

【００１１】ゲイン設定手段としての光源発光パタ−ン
信号発生回路６は、可変増幅手段としての可変利得増幅
器７の増幅度を設定するための信号、すなわち後述する
補正係数Ａi(i=1 〜m)に相当するゲイン設定信号を出力
するもので、２次元イメ−ジセンサ１の行毎に予め定め
られたゲイン設定信号が記憶されており、デ−タ線読取
回路２により２次元イメ−ジセンサ１の行毎の信号読み
出しが行われる度ごとにゲイン設定信号を出力するよう
になっている。センサ駆動制御回路８は、上述したデ−
タ線読取回路２、走査線駆動回路３、ＥＬ駆動回路５及
び光源発生パタ−ン信号発生回路６の各動作タイミング
を制御する機能を有するものである。

【００１２】次に、上記構成における本装置の動作につ
いて説明する。先ず、図３を参照しつつ２次元イメ−ジ
センサ１からの画像信号の出力動作について説明する。
尚、この図３に示された動作自体は、この２次元イメ−
ジセンサ１の読み取り動作として、一般的なものであ
り、本発明特有のものではないので、ここでは概略的に
説明することとする。

【００１３】最初に、概略的には走査線駆動回路３か
ら、各行順に走査信号（ゲ−ト信号）Ｓｃi(i=1 〜ｍ)
が出力され、この走査信号毎にデ−タ線読取回路２の出
力端子から各フォトダイオ−ドＰＤで読み取られた画像
に対応する電圧信号が出力されるようになっている（図
３（ａ）〜（ｄ）参照）。より具体的には、走査信号Ｓ
c が出力される前に、センサ駆動制御回路８によりリセ
ット信号（図３（ｇ）において「ＲＥＳＥＴ」と略記）
が出力されて、リセットスイッチＳｒが閉成され、蓄積
容量ＣL に蓄積された電荷がア−スへ放電されて蓄積容
量ＣL はリセットされた状態となる。この結果、増幅器
９の非反転入力端子と蓄積容量ＣL とを接続するデ−タ
線の電位Ｄａは、リセット電位ＶRS（この実施例におい
ては零電位）となる（図３（ｊ）において期間ｔ１参
照）。続いて、期間ｔ２において、各フォトダイオ−ド
ＰＤからの電荷が薄膜トランジスタＴｒを介して蓄積容
量ＣLに転送される前のいわゆるオフセット電圧Ｖosの
読み込みがデ−タ線読取回路２により行われる。次に、
期間ｔ３において、例えば走査信号ＳC1が出力されるこ
とにより、２次元イメ−ジセンサ１の第１行目の全ての
薄膜トランジスタＴｒが導通状態となり、１行目の各フ
ォトダイオ−ドＰＤに蓄積されていた電荷が各蓄積容量
ＣL に転送され、デ−タ線の電位ＤａはＶOPで示される
電位まで上昇することとなる（図３（ｊ）参照）。この
後、期間ｔ４において、デ−タ線の電圧Ｄａはいわゆる
フィ−ドスル−効果により、先のＶOPより若干低下して
ＶDAとなる。

【００１４】そして、この期間ｔ４においては、センサ
駆動制御回路８からサンプリング信号（図３において
「ＳＰＬ」と略記）が（図３（ｉ）参照）がアナログマ
ルチプレクサ１０に出力されることによって、画像信号
として先の電圧ＶDAがデ−タ線読取回路２から出力され
ることとなる。以上は、フォトダイオ−ドＰＤが受光す
る原稿からの反射光の変化を考慮することなく、フォト
ダイオ−ドＰＤで発生した電荷がデ−タ線読取回路２か
ら出力されるまでの動作である。

【００１５】次に、ＥＬ光源ユニット４の発光動作を考
慮したフォトダイオ−ドＰＤによる画像信号の読み出し
動作について図４を参照しつつ説明する。先ず、２次元
イメ−ジセンサ１の動作と、ＥＬ光源ユニット４の動作
とが同期している場合について図４を参照しつつ説明す
る。最初に前提として、ＥＬ光源ユニット４の発光周期
と走査線駆動回路３から出力される各走査信号ＳCi(i=1
〜ｍ) の周期（すなわち、フォトダイオ−ドＰＤに原稿
からの反射光により光電荷が発生し、この電荷が薄膜ト
ランジスタＴｒを介して転送された後、再度、原稿から
の反射光をフォトダイオ−ドＰＤが受光できる得る状態
に至るまでの期間で、いわゆる蓄積周期である。）とが
同期関係にあるとする。すなわち、フォトダイオ−ドＰ
Ｄの蓄積周期をＴS とし、ＥＬ光源ユニット４の発光周
期をＴELとした場合、蓄積周期ＴS は点灯周期ＴELの半
周期の整数倍の関係にあるものとする。換言すれば、Ｔ
S ＝（ＴEL／２）×Ｎ（但し、Ｎは整数）の関係にある
ものとする。

【００１６】ＥＬ光源ユニット４には、ＥＬ駆動回路５
により、図４（ａ）に示されるような正極駆動パルスと
負極駆動パルスとが交互に入力され、これに応じてＥＬ
光源ユニット４における発光状態は、図４（ｂ）に示さ
れるように周期ＴEL／２で発光状態のピ−クと減衰とが
繰り返されるようになっている。ここで、ＥＬ光源ユニ
ット４における発光応答特性は、ＥＬシ−トの一般的特
性に基づいて次のような近似式で表される。すなわち、
Ｌ（ｔ）＝ＬO ×ｅｘｐ（−ｔ／τ）（以下、「式１」
と言う。）と表され、Ｌ（ｔ）は時刻ｔにおける発光強
度、ＬO は最大発光強度、τは時定数であり具体的には
約８０μｓである。

【００１７】一方、各行方向、すなわち主走査線方向で
は、各走査線方向毎に露光量Ｅが同じであるとすると、
その露光量Ｅは、蓄積容量ＣL をリセットした直後から
の光量を蓄積周期Ｔs について積分したものであるの
で、下記する式２で表される。

【式２】

【００１８】そして、フォトダイオ−ドＰＤの感度をＳ
とすれば、フォトダイオ−ドＰＤに発生した光電荷量に
よってフォトダイオ−ドＰＤからの出力電位Ｖｄａは、
図４（ｆ）〜（ｈ）で示されるように除々に変化し、先
に図３によって説明した信号読み出しが開始される直前
において、最大となりその最大値をＶpkとすれば、Ｖpk
＝Ｓ×Ｅと表される。画像信号の読み出し期間におい
て、このＶpkに相当する電位が蓄積容量ＣL を介してデ
−タ線読取回路２から出力されることとなる（図４
（ｆ）〜（ｈ）においては、画像信号の読み出し期間は
斜線を施した部分であり、図３で説明したような一連の
電圧変化は省略して記載されている。）。そして、ＥＬ
光源ユニット４の動作と２次元イメ−ジセンサ１の動作
が同期しているので、Ｖpkの値は毎回の読み出し動作毎
に略同一の値である。したがって、各主走査毎における
この電位Ｖpki(i=１〜ｍ) 毎に対して所定の補正係数Ａ
i(i=1 〜m)を乗ずることによって、各走査毎に均一な出
力が得られることとなる。

【００１９】本実施例においては、光源発生パタ−ン信
号発生回路６に、可変利得増幅器７の増幅度を決定する
定数として、補正係数Ａi(i=1 〜m)に相当する係数が予
め記憶されており、それぞれの係数は各走査信号Ｓci(i
= １〜ｍ) に同期して可変利得増幅器７に出力され、デ
−タ線読取回路２から出力された信号は、光源発生パタ
−ン信号発生回路６からの係数に応じたゲインで増幅さ
れて出力されることとなる。これにより、先に述べたよ
うなＶpki(i=１〜ｍ) に補正係数Ａi(i=1 〜m)を乗ずる
演算処理が行われたこととなるものである。したがっ
て、ＥＬ光源ユニット４から原稿に照射される光が変動
するものである（図４（ｂ）参照）にも拘らず、可変利
得増幅器７を介して最終的に出力される信号は、あたか
もＥＬ光源ユニット４の発光光量が一定である状態、画
像読み取りが行われたと等価な状態となる。

【００２０】次に、図２及び図５を参照しつつ第２の実
施例について説明する。この第２の実施例は、ＥＬ光源
ユニット４の発光動作と２次元イメ−ジセンサ１の読み
取り動作が非同期の場合の例である。尚、図１に示され
た構成要素と同一のものについては、同一の符号を付し
て説明を省略し、異なる点を中心に説明するものとす
る。この第２の実施例においては、第１の実施例におけ
る光源発光パタ−ン信号発生回路６に代えて、光源露光
量モニタ回路１１及びサンプル／ホ−ルド回路１２が設
けられている。尚、図２においては図示されていない
が、ＥＬ光源ユニット４及びこれを駆動するＥＬ駆動回
路５が設けられているのは第１の実施例と同様である
が、ＥＬ駆動回路５は２次元イメ−ジセンサ１の動作タ
イミングと何等関わりなくＥＬ光源ユニット４を駆動す
る。すなわち、２次元イメ−ジセンサ１の動作タイミン
グと非同期でＥＬ光源ユニット４が駆動される点で第１
の実施例と異なっている。

【００２１】露光量検知部としての光源露光量モニタ回
路１１は、２次元イメ−ジセンサ１と同様にフォトトラ
ンジスタＰＤと薄膜トランジスタＴｒとからなる画素
が、２次元イメ−ジセンサ１の各行方向（図２において
紙面左右方向であって、主走査方向に相当）に、それぞ
れ一つづつ設けられると共に、デ−タ線読取回路２を構
成していると同様な構成の増幅器９が設けられているも
のである。光源露光量モニタ回路１１を構成する薄膜ト
ランジスタＴｒのゲ−トは、２次元イメ−ジセンサ１の
薄膜トラジスタＴｒのゲ−トにそれぞれ接続されてお
り、２次元イメ−ジセンサ１の薄膜トランジスタＴｒと
同じタイミングで動作するようになっている。

【００２２】この光源露光量モニタ回路１１のフォトダ
オ−ドＰＤで発生した光電荷は、２次元イメ−ジセンサ
１での動作と同様にして蓄積容量ＣL に転送されて、増
幅器９を介してゲイン設定手段としてのサンプル／ホ−
ルド回路１２に入力されるようになっている。そして、
サンプル／ホ−ルド回路１２ではこの入力信号を一定時
間保持し、この保持された信号が可変利得増幅器７にゲ
イン設定信号として入力され、可変利得増幅器７は、こ
のゲイン設定信号に応じた増幅度、すなわち、２次元イ
メ−ジセンサ１における露光量に応じたゲインで増幅動
作を行なうようになっている。この第２の実施例におけ
る動作について第１の実施例のものと異なる点を中心に
図５を参照しつつ説明すれば、先ず、前提として、２次
元イメ−ジセンサ１における蓄積周期Ｔs とＥＬ光源ユ
ニット４の発光周期ＴELとは、互いに非同期関係、すな
わち、Ｔs ≠（ＴEL／２）×Ｎの関係にあるものとす
る。したがって、図５に示されるようにＥＬ発光応答
（図５（ｂ）参照）と走査信号ＳC （図５（ｃ）〜
（ｅ）参照）の発生タイミングとの間には、全く関連性
がない。

【００２３】２次元イメ−ジセンサ１からは、各走査信
号ＳC に同期して蓄積容量ＣL に電荷が転送され、さら
にデ−タ線読取回路２から各行毎に蓄積容量ＣL の蓄積
電荷に応じた画像信号としての電位の読み出しが行われ
る点では、第１の実施例における動作と基本的に同一で
あるが、この第２の実施例においては、光源露光量モニ
タ回路１１の出力信号を、デ−タ線読取回路２における
主走査方向への信号の読み出しが行われる直前に行なう
点が異なっている。すなわち、２次元イメ−ジセンサ１
で受光された光量に応じて発生した光電荷は、行毎に蓄
積容量ＣL に転送され、この電荷転送による電位変化が
デ−タ線読取回路２においてアナログマルチプレクサ１
０を介して主走査方向（図２において紙面左右方向）に
順に、すなわち、図２においては複数個設けられた増幅
器９の内、一番左端に位置する増幅器９に接続されてい
る蓄積容量ＣL の電位変化から順に読み出しが行われる
が、この一連の読み出しの前に、サンプル／ホ−ルド回
路１２がセンサ駆動制御回路８から出力された制御信号
によって光源露光量モニタ回路１１の信号を読み込む。

【００２４】そして、この読み込まれた信号が可変利得
増幅器７のゲイン設定信号として可変利得増幅器７に入
力されることで、デ−タ線読取回路２からの出力信号Ｖ
COMは、ゲイン設定信号に応じた増幅度で増幅されるこ
ととなる。すなわち、サンプル／ホ−ルド回路１２を介
して可変利得増幅器７にゲイン設定信号として入力され
た光源露光量モニタ回路１１Ｖmon の出力信号は、先の
第１の実施例で説明した補正係数Ａi(i=1 〜m)に相当す
るものである。したがって、可変利得増幅器７の出力信
号ＶDATAは、従来と異なりフレ−ム（走査信号ＳC1乃至
ＳCmが出力される期間）毎に変動することなく略同一の
信号レベルで出力されることとなる。

【００２５】ここで、可変利得増幅器７のゲインと光源
露光量モニタ回路１１の出力信号Ｖmon との関係につい
て見ると、先ず、先に説明したようにアナログマルチプ
レクサ１０を介してシリアル信号として出力される出力
信号ＶCOM は、図８に示されるように、各走査信号ＳC1
〜ＳCm毎に出力されるもので（同図（ａ）乃至（ｄ）参
照）、各走査信号ＳC1〜ＳCmの出力期間において、２次
元イメ−ジセンサ１の一行（図２において紙面左右方
向）を構成するｎ個のフォトダイオ−ドＰＤの出力信号
がアナログマルチプレクサ１０を介してシリアルに出力
されてなるものである（図８（ｄ）参照）。一方、光源
露光量モニタ回路１１の出力信号Ｖmon は、各走査信号
ＳC1〜ＳCmの立ち上がりと同時にサンプル／ホ−ルド回
路１２に入力され、この時点から信号ＶCOM がアナログ
マルチプレクサ１０より出力されるまでの間、サンプル
／ホ−ルド回路１２によりサンプリングされ、そのサン
プリングされた信号レベルが該当する走査信号の出力の
間、保持されるようになっている。したがって、このホ
−ルドされたレベルが可変利得増幅器７のゲイン設定信
号として該当する走査信号の出力の間、入力されること
となるので、この間に光源露光量に変動があっても出力
信号ＶDATAが影響されて変動することがなくなるもので
ある。

【００２６】第１の実施例においては、可変利得増幅器
７から出力される画像信号がＥＬ光７源ユニット４から
原稿に照射される光量が変化しても画像信号レベルが変
化することのないように予め定めたゲイン設定信号を光
源発生パタ−ン信号発生回路６に記憶させておき、ゲイ
ン設定信号によって可変利得増福器７の増幅度を制御す
る構成とすることにより、また、第２の実施例において
は、光源露光量モニタ回路１１により２次元イメ−ジセ
ンサ１の露光量を検出し、この露光量に応じて出力され
た信号をサンプル／ホ−ルド回路１２を介して可変利得
増幅器７にゲイン設定信号として入力する構成とするこ
とにより、共にＥＬ光源から出力される光量の変化があ
ってもその変化に伴う２次元イメ−ジセンサ１の出力信
号の変動が略抑圧されることになるので、光源の光量変
化に拘らず安定した画像信号を得ることができることと
なる。

【００２７】

【発明の効果】以上、述べたように、請求項１記載の発
明に係る画像読取方法においては、光源光量の変動に伴
う画像信号レベルの増減を補償するように構成すること
により、光源光量の変動に応じて画像信号が増幅される
ので、光源光量の変動に影響されることのない安定した
画像信号を得ることができるという効果を奏するもので
ある。また、請求項２記載の発明に係る画像読取装置に
おいては、照射手段から出力される光量の変化に応じて
可変利得増幅手段の増幅度を変えるように構成すること
により、光量の変化に伴う画像信号の変動が殆どなくな
ることとなるので、光量の変動に影響されることのない
安定した画像信号を得ることができ、さらに２次元イメ
−ジセンサのダイナミックレンジを広くとることができ
る画像読取装置を提供することができるという効果を奏
するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る画像読取装置の第１の実施例を
示す回路図である。

【図２】 本発明に係る画像読取装置の第２の実施例を
示す回路図である。

【図３】 本発明に係る画像読取装置における２次元イ
メ−ジセンサの動作を説明するためのタイミング図であ
る。

【図４】 ２次元イメ−ジセンサの動作とＥＬ光源とが
同期状態にある場合の画像信号の出力動作を説明するた
めのタイミング図である。

【図５】 ２次元イメ−ジセンサの動作とＥＬ光源とが
非同期状態にある場合の画像信号の出力動作を説明する
ためのタイミング図である。

【図６】 ＥＬ発光特性と２次元イメ−ジセンサからの
信号出力タイミングとが同期している場合を説明するた
めのタイミング図である。

【図７】 ＥＬ発光特性と２次元イメ−ジセンサからの
信号出力タイミングとが同期している場合を説明するた
めのタイミング図である。

【図８】 本発明に係る画像読取装置の第２の実施例の
動作を説明するためのタイミング図である。

【符号の説明】

１…２次元イメ−ジセンサ、 ２…デ−タ線読取回路、
３…走査線駆動回路、 ４…ＥＬ光源ユニット、 ５
…ＥＬ駆動回路、 ６…光源発生パタ−ン信号発生回
路、 ７…ゲイン可変増幅器、 １１…光源露光量モニ
タ回路、 １２…サンプル／ホ−ルド回路

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被読み取り画像からの反射光を複数の受
   光素子で受光することにより画像読み取りを行う画像読
   み取り方法において、前記被読み取り画像への照射され
   る光量の変化を検知し、前記複数の受光素子から出力さ
   れた画像信号のレベルが略一定となるように当該画像信
   号を前記検出された光量の変化量に応じて増幅すること
   を特徴とする画像読取方法。
2. 【請求項２】 複数の受光素子からなり原稿からの反射
   光を受光する受光素子アレイと、原稿を照射する照射手
   段と、前記受光素子アレイから信号を読み出す信号読出
   手段と、前記信号読出手段により前記受光素子アレイか
   ら読み出された信号を外部入力されるゲイン設定信号に
   応じた増幅度で増幅する可変増幅手段と、前記照射手段
   から出力される光量の変化に応じて前記可変増幅手段へ
   のゲイン設定信号を出力するゲイン設定手段と、を具備
   することを特徴とする画像読取装置。
3. 【請求項３】 照射手段は信号読出手段の動作に同期し
   て発光する一方、ゲイン設定手段は信号読出手段から出
   力された信号が略一定となるように予め求められたゲイ
   ン設定量を記憶してなることを特徴とする請求項２記載
   の画像読取装置。
4. 【請求項４】 ゲイン設定手段は受光素子アレイにおけ
   る露光量を検知する露光量検知部と、この露光量検知部
   により検知された露光量に応じたゲイン設定信号を出力
   するゲイン設定部と、を具備してなることを特徴とする
   請求項２記載の画像読取装置。