JPH06314664A - 半導体装置のメッキ方法 - Google Patents
半導体装置のメッキ方法Info
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- JPH06314664A JPH06314664A JP10208593A JP10208593A JPH06314664A JP H06314664 A JPH06314664 A JP H06314664A JP 10208593 A JP10208593 A JP 10208593A JP 10208593 A JP10208593 A JP 10208593A JP H06314664 A JPH06314664 A JP H06314664A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハに生じた反りを打ち消すようにメッキ
膜を形成することができる半導体装置のメッキ方法を提
供する。 【構成】 メッキ膜２ａの形成に伴って生じたウエハ１
の反りの方向と反り量を測定し、この測定結果に基づい
て、上記ウエハの反りを打ち消す電着応力が生ずる電流
密度でもって新たにメッキ膜２ｂを形成する。
膜を形成することができる半導体装置のメッキ方法を提
供する。 【構成】 メッキ膜２ａの形成に伴って生じたウエハ１
の反りの方向と反り量を測定し、この測定結果に基づい
て、上記ウエハの反りを打ち消す電着応力が生ずる電流
密度でもって新たにメッキ膜２ｂを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置のメッキ方
法に関し、特に、ウエハに生ずる反りを軽減してメッキ
膜を成長することができる半導体装置のメッキ方法に関
するものである。
法に関し、特に、ウエハに生ずる反りを軽減してメッキ
膜を成長することができる半導体装置のメッキ方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の半導体装置におけるウエハ
にメッキ膜を形成した後の状態を示す断面図であり、図
において、１はウエハ、２はメッキ膜である。
にメッキ膜を形成した後の状態を示す断面図であり、図
において、１はウエハ、２はメッキ膜である。
【０００３】以下、従来のメッキ方法について説明す
る。電解Ａｕメッキにより例えばＩｎＰ，ＧａＡｓ等の
ウエハ上にメッキ膜を形成する場合、一般に図５に示す
ように電流密度の増大に伴って、電着応力が圧縮応力か
ら引張応力へと変化する。従って、ウエハ上にメッキ膜
を形成する場合、ウエハに反りを生じさせないために
は、電流密度を電着応力が０となる電流密度（Ｉ0 ）に
制御してメッキ膜を形成するのが好ましい。
る。電解Ａｕメッキにより例えばＩｎＰ，ＧａＡｓ等の
ウエハ上にメッキ膜を形成する場合、一般に図５に示す
ように電流密度の増大に伴って、電着応力が圧縮応力か
ら引張応力へと変化する。従って、ウエハ上にメッキ膜
を形成する場合、ウエハに反りを生じさせないために
は、電流密度を電着応力が０となる電流密度（Ｉ0 ）に
制御してメッキ膜を形成するのが好ましい。
【０００４】しかしながら、ウエハの表面状態等により
電流密度は変動し、電流密度を正確に電着応力が０とな
る電流密度（Ｉ0 ）に制御することは困難であり、実際
は電流密度は電着応力が引張応力となる値（Ｉa ）或い
は、電着応力が圧縮応力となる値（Ｉb ）にずれてしま
い、その結果、メッキ膜形成後のウエハは図６(a) に示
すような圧縮方向或いは図６(b) に示すような引張方向
に反ってしまう。
電流密度は変動し、電流密度を正確に電着応力が０とな
る電流密度（Ｉ0 ）に制御することは困難であり、実際
は電流密度は電着応力が引張応力となる値（Ｉa ）或い
は、電着応力が圧縮応力となる値（Ｉb ）にずれてしま
い、その結果、メッキ膜形成後のウエハは図６(a) に示
すような圧縮方向或いは図６(b) に示すような引張方向
に反ってしまう。
【０００５】また、電着応力が０となる電流密度（Ｉ0
）の値も使用するメッキ金属（メッキ液），ウエハの
材質や厚み等によって変り、必ずしも正確にこれを知る
ことはできないため、この点からも、メッキ膜の形成
時、電流密度を電着応力が０となる電流密度（Ｉ0 ）の
値に正確に設定することは困難である。
）の値も使用するメッキ金属（メッキ液），ウエハの
材質や厚み等によって変り、必ずしも正確にこれを知る
ことはできないため、この点からも、メッキ膜の形成
時、電流密度を電着応力が０となる電流密度（Ｉ0 ）の
値に正確に設定することは困難である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の半
導体装置のメッキ方法では、ウエハ上にメッキ膜を形成
すると、その際の電着応力によりウエハに反りやこれに
伴って亀裂が生じ、その結果、メッキ膜形成後に得られ
る半導体装置の特性を劣化させてしまうという問題点が
あった。
導体装置のメッキ方法では、ウエハ上にメッキ膜を形成
すると、その際の電着応力によりウエハに反りやこれに
伴って亀裂が生じ、その結果、メッキ膜形成後に得られ
る半導体装置の特性を劣化させてしまうという問題点が
あった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ウエハに反りや亀裂を生じさせ
ることなく、ウエハ上にメッキ膜を形成することができ
る半導体装置のメッキ方法を提供することを目的とす
る。
ためになされたもので、ウエハに反りや亀裂を生じさせ
ることなく、ウエハ上にメッキ膜を形成することができ
る半導体装置のメッキ方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
装置のメッキ方法は、ウエハに一旦生じた反りの方向と
反り量を測定し、この測定結果に基づいて、上記ウエハ
の反りを打ち消す電着応力が生ずる電流密度でもってメ
ッキ膜を形成するようにしたものである。
装置のメッキ方法は、ウエハに一旦生じた反りの方向と
反り量を測定し、この測定結果に基づいて、上記ウエハ
の反りを打ち消す電着応力が生ずる電流密度でもってメ
ッキ膜を形成するようにしたものである。
【０００９】更に、この発明にかかる半導体装置のメッ
キ方法は、メッキ膜の成長に伴って生ずるウエハの反り
の方向と反り量、或いは、ウエハにかかる応力を逐次測
定し、その都度、ウエハの反り量或いはウエハにかかる
応力が減少する方向の電着応力が作用する電流密度に変
更するようにしたものである。
キ方法は、メッキ膜の成長に伴って生ずるウエハの反り
の方向と反り量、或いは、ウエハにかかる応力を逐次測
定し、その都度、ウエハの反り量或いはウエハにかかる
応力が減少する方向の電着応力が作用する電流密度に変
更するようにしたものである。
【００１０】
【作用】この発明においては、ウエハに一旦生じた反り
を打ち消す方向に電着応力が作用する電流密度でもって
メッキ膜を形成するようにしたから、ウエハに生じた反
りを軽減することができる。
を打ち消す方向に電着応力が作用する電流密度でもって
メッキ膜を形成するようにしたから、ウエハに生じた反
りを軽減することができる。
【００１１】更に、この発明においては、メッキ膜の成
長に伴って生ずるウエハの反り或いはウエハにかかる応
力が減少するように、逐次電流密度を変更してメッキ膜
を形成するようにしたから、ウエハに生ずる反りを軽減
しつつメッキ膜を形成することができる。
長に伴って生ずるウエハの反り或いはウエハにかかる応
力が減少するように、逐次電流密度を変更してメッキ膜
を形成するようにしたから、ウエハに生ずる反りを軽減
しつつメッキ膜を形成することができる。
【００１２】
実施例１．図１は、この発明の実施例１によるウエハ上
にメッキ膜を形成する工程を示す工程別断面図であり、
図において、図６と同一符号は同一または相当する部分
を示し、２ａ，２ｂはメッキ膜である。
にメッキ膜を形成する工程を示す工程別断面図であり、
図において、図６と同一符号は同一または相当する部分
を示し、２ａ，２ｂはメッキ膜である。
【００１３】以下、この図に基づいてメッキ膜の形成工
程を説明する。図１(a) に示すように、例えばＩｎＰか
らなる反りが全く生じていないウエハ１に所要の電流密
度でもって、電解Ａｕメッキによりメッキ膜２ａを形成
する。この際、電着応力がこのウエハ１において図２に
示すような圧縮応力（σａ）が作用する電流密度（Ｉa
）であった場合、ウエハは図１(b) に示す状態とな
る。次に、このウエハ１をメッキ装置内から取り出し、
ウエハ１の反りを測定する。次に、ウエハ１を再びメッ
キ装置内の所定位置に配置し、図２に示す上記の圧縮応
力（σａ）を打ち消すような、ウエハ１に対して引っ張
り応力（σｃ）が作用する電流密度（Ｉｃ）に電流密度
を変更し、この条件でメッキ膜２ａ上に新たにメッキ膜
２ｂを形成すると、図１(c) に示すようにウエハ１に生
じていた反りは打ち消され、反りを殆ど無くすることが
できる。ここでの電流密度の値は経験的に得られた図２
に示す電流密度と電着応力との関係により適宜決定し、
電流密度の変更は例えばウエハと対向する電極間に印加
する電圧を変更することにより行われる。
程を説明する。図１(a) に示すように、例えばＩｎＰか
らなる反りが全く生じていないウエハ１に所要の電流密
度でもって、電解Ａｕメッキによりメッキ膜２ａを形成
する。この際、電着応力がこのウエハ１において図２に
示すような圧縮応力（σａ）が作用する電流密度（Ｉa
）であった場合、ウエハは図１(b) に示す状態とな
る。次に、このウエハ１をメッキ装置内から取り出し、
ウエハ１の反りを測定する。次に、ウエハ１を再びメッ
キ装置内の所定位置に配置し、図２に示す上記の圧縮応
力（σａ）を打ち消すような、ウエハ１に対して引っ張
り応力（σｃ）が作用する電流密度（Ｉｃ）に電流密度
を変更し、この条件でメッキ膜２ａ上に新たにメッキ膜
２ｂを形成すると、図１(c) に示すようにウエハ１に生
じていた反りは打ち消され、反りを殆ど無くすることが
できる。ここでの電流密度の値は経験的に得られた図２
に示す電流密度と電着応力との関係により適宜決定し、
電流密度の変更は例えばウエハと対向する電極間に印加
する電圧を変更することにより行われる。
【００１４】このように本実施例のメッキ方法では、メ
ッキ膜２ａの形成時に圧縮応力によって生じたウエハの
反りを、ウエハに対して引張応力となる電着応力が作用
する電流密度でメッキ膜２ｂを形成することにより、打
ち消すようにしたので、ウエハの反りを殆ど無くすこと
ができ、その結果、ウエハの反りや亀裂によって生ずる
半導体装置の特性劣化を防止することができる。
ッキ膜２ａの形成時に圧縮応力によって生じたウエハの
反りを、ウエハに対して引張応力となる電着応力が作用
する電流密度でメッキ膜２ｂを形成することにより、打
ち消すようにしたので、ウエハの反りを殆ど無くすこと
ができ、その結果、ウエハの反りや亀裂によって生ずる
半導体装置の特性劣化を防止することができる。
【００１５】尚、上記実施例では、メッキ膜２ａの形成
時に、ウエハ１に対して圧縮応力が作用する場合につい
て説明したが、逆にメッキ膜２ａの形成時にウエハに対
して引張応力が作用する場合であっても、新たに形成す
るメッキ膜２ｂの形成条件を、ウエハに対して圧縮応力
が作用する電流密度に設定すれば、上記実施例と同様の
効果を得ることができる。
時に、ウエハ１に対して圧縮応力が作用する場合につい
て説明したが、逆にメッキ膜２ａの形成時にウエハに対
して引張応力が作用する場合であっても、新たに形成す
るメッキ膜２ｂの形成条件を、ウエハに対して圧縮応力
が作用する電流密度に設定すれば、上記実施例と同様の
効果を得ることができる。
【００１６】また、上記実施例では、メッキ膜を２層形
成するようにしたが、メッキ膜２ｂ上に更にメッキ膜を
所要の電流密度で形成することにより、ウエハに更に所
要の圧縮または引張応力を作用させて、ウエハの平坦性
を一層向上させることもできる。
成するようにしたが、メッキ膜２ｂ上に更にメッキ膜を
所要の電流密度で形成することにより、ウエハに更に所
要の圧縮または引張応力を作用させて、ウエハの平坦性
を一層向上させることもできる。
【００１７】また、上記実施例では、メッキ膜２ａの形
成によってウエハに反りが生ずる場合を説明したが、ウ
エハ自身が既に反りが生じていた場合や、メッキ形成前
の他のウエハプロセスにおいて、図示しないウエハ上の
メッキ膜の下地となる他の層の形成時にウエハに反りが
生じた場合も、これらの反りを打ち消す方向に電着応力
が作用するよう電流密度を設定してメッキ膜を形成すれ
ば、上記実施例と同様に一旦ウエハに生じた反りを殆ど
無くすことができる。
成によってウエハに反りが生ずる場合を説明したが、ウ
エハ自身が既に反りが生じていた場合や、メッキ形成前
の他のウエハプロセスにおいて、図示しないウエハ上の
メッキ膜の下地となる他の層の形成時にウエハに反りが
生じた場合も、これらの反りを打ち消す方向に電着応力
が作用するよう電流密度を設定してメッキ膜を形成すれ
ば、上記実施例と同様に一旦ウエハに生じた反りを殆ど
無くすことができる。
【００１８】実施例２．図３はこの発明の実施例２によ
るウエハへのメッキ膜の形成を行うメッキ装置内の概略
図であり、図において、図１と同一符号は同一または相
当する部分を示し、３はレーザ光源、４ａは入射光、４
ｂは反射光、５はディテクタである。ここで、このメッ
キ装置内の動作を簡単に説明すると、レーザ光源３から
ウエハ１上に形成されるメッキ膜２ａにレーザ光４ａが
照射され、この照射光４ａはウエハの反りに応じた角度
２θで反射し、この反射光４ｂがメッキ装置内に配置さ
れたディテクタ５によって検知され、ディテクタ５に繋
がれた図示しない装置外に別途設けられた計算機によ
り、予め分かっているレーザ光源３の位置とディテクタ
５の光の検出位置から反射角θが求められる。
るウエハへのメッキ膜の形成を行うメッキ装置内の概略
図であり、図において、図１と同一符号は同一または相
当する部分を示し、３はレーザ光源、４ａは入射光、４
ｂは反射光、５はディテクタである。ここで、このメッ
キ装置内の動作を簡単に説明すると、レーザ光源３から
ウエハ１上に形成されるメッキ膜２ａにレーザ光４ａが
照射され、この照射光４ａはウエハの反りに応じた角度
２θで反射し、この反射光４ｂがメッキ装置内に配置さ
れたディテクタ５によって検知され、ディテクタ５に繋
がれた図示しない装置外に別途設けられた計算機によ
り、予め分かっているレーザ光源３の位置とディテクタ
５の光の検出位置から反射角θが求められる。
【００１９】以下、メッキ膜の形成工程を説明する。ウ
エハ１に対して電解Ａｕメッキにより所要の電流密度で
メッキ膜の形成を開始した後、上述した動作により、逐
次成長するメッキ膜２ａにレーザ光４ａを照射し、この
レーザ光４ａの反射角θと、予め分かっているウエハ１
との距離Ｌ及びレーザ光源３とディテクタ５との間隔ｌ
とからウエハ１の反り方向と量を求め、その都度この反
り量をゼロにする電着応力が上記ウエハ１に作用するよ
うに上記電流密度を変更する。この電流密度を変更する
期間は全体の所要とするメッキ膜の厚みに応じて適宜決
定される。尚、ここでの電流密度の変更は例えばメッキ
装置内のウエハ１と対向する図示しない電極間に印加す
る電圧を変更することにより行われ、上記計算機により
求められた反りの方向と量から、前述した図２に示した
特性に基づいて人間が手動で所要の電流密度に変更する
か、或いは、予め図２に示した特性に基づいて作成され
た制御プログラムを格納したマイコンにより所要の電流
密度に変更される。
エハ１に対して電解Ａｕメッキにより所要の電流密度で
メッキ膜の形成を開始した後、上述した動作により、逐
次成長するメッキ膜２ａにレーザ光４ａを照射し、この
レーザ光４ａの反射角θと、予め分かっているウエハ１
との距離Ｌ及びレーザ光源３とディテクタ５との間隔ｌ
とからウエハ１の反り方向と量を求め、その都度この反
り量をゼロにする電着応力が上記ウエハ１に作用するよ
うに上記電流密度を変更する。この電流密度を変更する
期間は全体の所要とするメッキ膜の厚みに応じて適宜決
定される。尚、ここでの電流密度の変更は例えばメッキ
装置内のウエハ１と対向する図示しない電極間に印加す
る電圧を変更することにより行われ、上記計算機により
求められた反りの方向と量から、前述した図２に示した
特性に基づいて人間が手動で所要の電流密度に変更する
か、或いは、予め図２に示した特性に基づいて作成され
た制御プログラムを格納したマイコンにより所要の電流
密度に変更される。
【００２０】このような本実施例のメッキ膜の形成方法
では、メッキ膜の成長に伴って生じるウエハの反りの方
向と量を逐次測定し、その都度電流密度をこの反りを打
ち消すような電着応力が作用するような値に変更するた
め、ウエハに生ずる反りを軽減してメッキ膜を形成する
ことができ、その結果、ウエハの反りや亀裂によって生
ずる半導体装置の特性劣化を防止することができる。
では、メッキ膜の成長に伴って生じるウエハの反りの方
向と量を逐次測定し、その都度電流密度をこの反りを打
ち消すような電着応力が作用するような値に変更するた
め、ウエハに生ずる反りを軽減してメッキ膜を形成する
ことができ、その結果、ウエハの反りや亀裂によって生
ずる半導体装置の特性劣化を防止することができる。
【００２１】実施例３．図４は、この発明の実施例３に
よるウエハへのメッキ膜の形成を行うメッキ装置内の概
略図であり、図において、図１と同一符号は同一または
相当する部分を示し、６ａ，６ｂはＴＥＧ（テスト・エ
レメント・グループ）電極、７は電源、８は電流計であ
る。ここで、このメッキ装置内の動作を簡単に説明する
と、ウエハ１の裏面側に設けられたＴＥＧ電極６ａ，６
ｂ間に電源７により電圧を印加することにより、電流計
８から電流値を測定するわけであるが、ウエハ１が反っ
た場合、ウエハにかかる応力によってウエハの抵抗が変
化し、その電流値が変化する。従って、この電流値の変
化をみることにより基板にかかる応力を測定することが
できる。尚、図示していないが、電流計８の値はメッキ
装置外においてもモニタできるようになっている。
よるウエハへのメッキ膜の形成を行うメッキ装置内の概
略図であり、図において、図１と同一符号は同一または
相当する部分を示し、６ａ，６ｂはＴＥＧ（テスト・エ
レメント・グループ）電極、７は電源、８は電流計であ
る。ここで、このメッキ装置内の動作を簡単に説明する
と、ウエハ１の裏面側に設けられたＴＥＧ電極６ａ，６
ｂ間に電源７により電圧を印加することにより、電流計
８から電流値を測定するわけであるが、ウエハ１が反っ
た場合、ウエハにかかる応力によってウエハの抵抗が変
化し、その電流値が変化する。従って、この電流値の変
化をみることにより基板にかかる応力を測定することが
できる。尚、図示していないが、電流計８の値はメッキ
装置外においてもモニタできるようになっている。
【００２２】以下、この図に基づいてメッキ膜の形成工
程を説明する。ウエハ１の上面に電解Ａｕメッキにより
所要の電流密度でもってメッキ膜２ａの成長を開始す
る。この後、逐次、電流計８によりモニタして、ウエハ
１にかかっている応力を測定し、その都度この応力を打
ち消す電着応力が作用する電流密度に変更してメッキ膜
の形成を行う。この電流密度を変更する期間は全体の所
要とするメッキ膜の厚みに応じて適宜決定される。尚、
ここでの電流密度の変更は例えばメッキ装置内のウエハ
１と対向する図示しない電極間に印加する電圧を変更す
ることにより行われ、上記計算機により求められた反り
の方向と量から、前述した図２に示した特性に基づいて
人間が手動で所要の電流密度に変更するか、或いは、予
め図２に示した特性に基づいて作成された制御プログラ
ムを格納したマイコンにより所要の電流密度に変更され
る。
程を説明する。ウエハ１の上面に電解Ａｕメッキにより
所要の電流密度でもってメッキ膜２ａの成長を開始す
る。この後、逐次、電流計８によりモニタして、ウエハ
１にかかっている応力を測定し、その都度この応力を打
ち消す電着応力が作用する電流密度に変更してメッキ膜
の形成を行う。この電流密度を変更する期間は全体の所
要とするメッキ膜の厚みに応じて適宜決定される。尚、
ここでの電流密度の変更は例えばメッキ装置内のウエハ
１と対向する図示しない電極間に印加する電圧を変更す
ることにより行われ、上記計算機により求められた反り
の方向と量から、前述した図２に示した特性に基づいて
人間が手動で所要の電流密度に変更するか、或いは、予
め図２に示した特性に基づいて作成された制御プログラ
ムを格納したマイコンにより所要の電流密度に変更され
る。
【００２３】このような本実施例のメッキ膜の形成方法
では、メッキ膜の成長に伴って生じるウエハにかかる応
力を逐次測定し、その都度電流密度をこの応力をゼロに
近づける電着応力が作用するような値に変更するため、
ウエハに生ずる反りを軽減してメッキ膜を形成すること
ができ、その結果、ウエハの反りや亀裂によって生ずる
半導体装置の特性劣化を防止することができる。
では、メッキ膜の成長に伴って生じるウエハにかかる応
力を逐次測定し、その都度電流密度をこの応力をゼロに
近づける電着応力が作用するような値に変更するため、
ウエハに生ずる反りを軽減してメッキ膜を形成すること
ができ、その結果、ウエハの反りや亀裂によって生ずる
半導体装置の特性劣化を防止することができる。
【００２４】尚、上記何れの実施例においても、Ａｕメ
ッキによるメッキ膜の形成について説明したが、電流密
度条件によって電着応力の方向が図２に示すように変化
する電解メッキであれば、他のメッキ金属を用いても、
同様の効果を得ることができる。
ッキによるメッキ膜の形成について説明したが、電流密
度条件によって電着応力の方向が図２に示すように変化
する電解メッキであれば、他のメッキ金属を用いても、
同様の効果を得ることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ウエ
ハに一旦生じた反りを打ち消す方向に電着応力が作用す
る電流密度でもってメッキ膜を形成するようにしたの
で、ウエハに生じた反りを軽減しつつメッキ膜を形成す
ることができ、その結果、ウエハの反りや亀裂によって
生ずる半導体装置の特性劣化を防止できる効果がある。
ハに一旦生じた反りを打ち消す方向に電着応力が作用す
る電流密度でもってメッキ膜を形成するようにしたの
で、ウエハに生じた反りを軽減しつつメッキ膜を形成す
ることができ、その結果、ウエハの反りや亀裂によって
生ずる半導体装置の特性劣化を防止できる効果がある。
【００２６】更に、この発明によれば、メッキ膜の成長
に伴って生ずるウエハの反り或いはウエハにかかる応力
を逐次測定し、その都度反り或いは応力が減少する方向
に電着応力が作用するように電流密度を変更してメッキ
膜を形成するようにしたので、ウエハの反りを軽減しつ
つメッキ膜を形成することができ、その結果、ウエハの
反りや亀裂によって生ずる半導体装置の特性劣化を防止
できる効果がある。
に伴って生ずるウエハの反り或いはウエハにかかる応力
を逐次測定し、その都度反り或いは応力が減少する方向
に電着応力が作用するように電流密度を変更してメッキ
膜を形成するようにしたので、ウエハの反りを軽減しつ
つメッキ膜を形成することができ、その結果、ウエハの
反りや亀裂によって生ずる半導体装置の特性劣化を防止
できる効果がある。
【図１】この発明の実施例１によるウエハ上へのメッキ
膜の形成工程を示す工程別断面図である。
膜の形成工程を示す工程別断面図である。
【図２】図１のメッキ膜の形成工程に用いる電解Ａｕメ
ッキの電流密度と電着応力との関係を示す図である。
ッキの電流密度と電着応力との関係を示す図である。
【図３】この発明の実施例２によるメッキ膜の形成方法
を説明するためのメッキ装置内の概略構成図である。
を説明するためのメッキ装置内の概略構成図である。
【図４】この発明の実施例３によるメッキ膜の形成方法
を説明するためのメッキ装置内の概略構成図である。
を説明するためのメッキ装置内の概略構成図である。
【図５】電解Ａｕメッキにおける電流密度と電着応力と
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図６】従来のメッキ膜の形成方法によりその上面にメ
ッキ膜を形成したウエハの断面図である。
ッキ膜を形成したウエハの断面図である。
１ 基板 ２ メッキ膜 ２ａ メッキ膜 ２ｂ メッキ膜 ３ レーザ光源 ４ａ 入射光 ４ｂ 反射光 ５ ディテクタ ６ａ ＴＥＧ電極 ６ｂ ＴＥＧ電極 ７ 電源 ８ 電流計
Claims (4)
- 【請求項１】 ウエハ上にメッキ膜を形成する半導体装
置のメッキ方法であって、 圧縮或いは引張方向に反りが生じたウエハに、この反り
を打ち消す方向の電着応力が作用する電流密度でもって
メッキ膜を形成することを特徴とする半導体装置のメッ
キ方法。 - 【請求項２】 ウエハ上にメッキ膜を形成する半導体装
置のメッキ方法であって、 メッキ膜の成長に伴って生ずるウエハの反りが打ち消さ
れるように、逐次電流密度を変更してメッキ膜を形成す
るようにしたことを特徴とする半導体装置のメッキ方
法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体装置のメッキ方
法において、 上記ウエハに生ずる反りの方向と反り量は、成長するメ
ッキ膜表面に照射するレーザ光の反射角度によって検出
し、この検出結果に応じて上記ウエハに上記反りとは反
対方向の反りを生じさせる電着応力が作用するように上
記電流密度を変更することを特徴とする半導体装置のメ
ッキ方法。 - 【請求項４】 請求項２に記載の半導体装置のメッキ方
法において、 上記ウエハのメッキ膜の形成面とは異なる裏面側に張り
つけた２つの電極間に電圧を印加し、メッキ膜の成長中
の該電極間に流れる電流をモニタすることにより上記ウ
エハにかかる応力を測定し、該応力を減少させる電着応
力が得られるように上記電流密度を変更することを特徴
とする半導体装置のメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10208593A JPH06314664A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 半導体装置のメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10208593A JPH06314664A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 半導体装置のメッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314664A true JPH06314664A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14317942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10208593A Pending JPH06314664A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 半導体装置のメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06314664A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100652395B1 (ko) * | 2005-01-12 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | 다이-휨이 억제된 반도체 소자 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP10208593A patent/JPH06314664A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100652395B1 (ko) * | 2005-01-12 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | 다이-휨이 억제된 반도체 소자 및 그 제조방법 |
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