JPH06310588A - Plasma processing device and dry-cleaning method in its device - Google Patents
Plasma processing device and dry-cleaning method in its deviceInfo
- Publication number
- JPH06310588A JPH06310588A JP9824293A JP9824293A JPH06310588A JP H06310588 A JPH06310588 A JP H06310588A JP 9824293 A JP9824293 A JP 9824293A JP 9824293 A JP9824293 A JP 9824293A JP H06310588 A JPH06310588 A JP H06310588A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- cleaning
- plasma processing
- processing apparatus
- heating element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造工程でプ
ラズマ雰囲気中に被処理ウエハを保持するウエハホール
ダが、静電吸着力で被処理体を保持する静電チャックを
用いて構成されるプラズマ処理装置、ならびにこの装置
において、静電チャックを内包する空間およびこの空間
と連通する空間の内部を該両空間内にエッチングガスを
導入してクリーニングする際のクリーニング方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to plasma processing in which a wafer holder for holding a wafer to be processed in a plasma atmosphere in a semiconductor manufacturing process is constructed by using an electrostatic chuck for holding an object to be processed by electrostatic attraction. The present invention relates to an apparatus and a cleaning method for cleaning the inside of a space containing the electrostatic chuck and the space communicating with this space by introducing an etching gas into the both spaces.
【0002】[0002]
【従来の技術】静電吸着力を利用して被処理体を保持す
る静電チャックは、絶縁体の表面近傍に電極を埋設し、
埋設する電極が1対の場合は両電極をそれぞれ直流電源
の両極に接続し、埋設する電極が1個の場合は電極と被
処理体とがそれぞれ直流電源の両極に接続されるように
して、被処理体と電極との間に電界を発生させ、この電
界を構成する電気力線を介して被処理体を絶縁体の表面
に吸着,保持する機能を備えている。2. Description of the Related Art An electrostatic chuck that holds an object to be processed by using electrostatic attraction force has electrodes embedded in the vicinity of the surface of an insulator.
When the buried electrode is a pair, both electrodes are respectively connected to both poles of the DC power source, and when there is one buried electrode, the electrode and the object to be processed are respectively connected to both poles of the DC power source, It has a function of generating an electric field between the object to be processed and the electrode, and adsorbing and holding the object to be processed on the surface of the insulator through the lines of electric force forming the electric field.
【0003】一方、半導体製造工程で用いられるプラズ
マ処理装置では、ウエハ表面への薄膜形成時に薄膜原料
ガスを装置内に導入してマイクロ波電界や高周波電界に
より電離してプラズマ化し、このプラズマ雰囲気中にあ
るウエハ表面に膜を堆積させる。しかし、装置は運転を
重ねるに従い、内壁面にも膜が堆積し、この膜が剥離し
てパーティクルが増加したり、膜特性が変動したりす
る。この問題を解決するため、所定回数の装置運転後に
は装置内部のクリーニングを行って装置内部の状態を更
新することが行われており、このクリーニングを簡潔に
行う方法として、装置を分解することなく、装置内にク
リーニングガスとしてエッチングガスを導入してプラズ
マ化し、化学反応によって装置内部の膜を除去するドラ
イクリーニングが行われている。このようにして、成膜
工程と、ドライクリーニングとを交互に行うことによ
り、装置特性を維持しながら装置を稼働させることが一
般的な運転方法となっている。On the other hand, in a plasma processing apparatus used in a semiconductor manufacturing process, at the time of forming a thin film on a wafer surface, a thin film material gas is introduced into the apparatus and ionized by a microwave electric field or a high frequency electric field to form a plasma. A film is deposited on the wafer surface at. However, as the apparatus is repeatedly operated, a film is deposited on the inner wall surface, and the film is peeled off to increase particles and the film characteristics are changed. In order to solve this problem, the inside of the device is cleaned and the state inside the device is updated after the device has been operated a predetermined number of times.As a simple method for this cleaning, it is possible to disassemble the device without disassembling it. Dry cleaning is performed in which an etching gas is introduced into the apparatus as a cleaning gas to generate plasma, and a film inside the apparatus is removed by a chemical reaction. In this way, it is a general operation method to operate the device while maintaining the device characteristics by alternately performing the film forming process and the dry cleaning.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ドライクリーニング時
間は装置の稼働率に関わるため、短いほど好ましい。一
方、装置内壁のクリーニング速度は一様でないので、ク
リーニング終了時間は、クリーニング速度の最も遅い部
分で決まる。現在、クリーニング速度の最も遅い部分は
静電チャック表面であり、この部分のクリーニング速度
を向上させることが、装置の稼働率を向上させることに
つながる。Since the dry cleaning time is related to the operation rate of the apparatus, the shorter the dry cleaning time, the better. On the other hand, since the cleaning speed of the inner wall of the apparatus is not uniform, the cleaning end time is determined by the slowest part of the cleaning speed. At present, the portion having the slowest cleaning speed is the electrostatic chuck surface, and improving the cleaning speed of this portion leads to the improvement of the operating rate of the apparatus.
【0005】本発明の目的は、ドライクリーニング時の
クリーニング速度を向上させるためのプラズマ処理装置
の構成と、このように構成されたプラズマ処理装置にお
けるドライクリーニング方法とを提供することである。An object of the present invention is to provide a structure of a plasma processing apparatus for improving a cleaning speed during dry cleaning, and a dry cleaning method in the plasma processing apparatus having such a structure.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明においては、プラズマ雰囲気中に被処理ウエ
ハを保持するウエハホールダが、静電吸着力で被処理体
を保持する静電チャックを用いて構成されるプラズマ処
理装置を、静電チャックが被処理体を保持する保持部位
を温度上昇させるための発熱体を内蔵した装置とする。In order to solve the above problems, according to the present invention, a wafer holder for holding a wafer to be processed in a plasma atmosphere is an electrostatic chuck for holding an object to be processed by electrostatic attraction. The plasma processing apparatus configured by using the apparatus has a built-in heating element for increasing the temperature of the holding portion for holding the object to be processed by the electrostatic chuck.
【0007】ここで、保持部位を温度上昇させるための
発熱体を内蔵する静電チャックは、平坦な被吸着面を有
する被処理体を保持するための平坦な吸着面を有する絶
縁体中に、抵抗加熱材からなる平坦な板状もしくは箔状
の発熱体を、前記吸着面を一方の表面とする絶縁層が形
成されるように埋め込んだものとすれば極めて好適であ
る。Here, the electrostatic chuck having a built-in heating element for raising the temperature of the holding portion has an insulator having a flat attracting surface for holding an object having a flat attracting surface. It is very suitable if a flat plate-shaped or foil-shaped heating element made of a resistance heating material is embedded so as to form an insulating layer having the adsorption surface as one surface.
【0008】また、静電チャックを用いて構成されるウ
エハホールダは、静電チャックを用いて構成されるウエ
ハホールダは、静電チャックを保持するホールダ本体が
媒熱流体の通流可能に形成され、静電チャックに保持さ
れた被処理体をホールダ本体により静電チャックを介し
て冷熱可能としたものとすれば極めて好適である。ま
た、これらの装置において、静電チャックを内包する空
間およびこの空間と連通する空間の内部を該両空間内に
エッチングガスを導入してクリーニングする際のクリー
ニング方法は、クリーニング中、静電チャックに内蔵さ
れた発熱体に発熱エネルギーが供給されるクリーニング
方法とする。A wafer holder formed by using an electrostatic chuck is a wafer holder formed by using an electrostatic chuck, in which a holder body for holding the electrostatic chuck is formed so that a heat medium fluid can flow therethrough. It is extremely suitable if the object held by the electric chuck can be cooled by the holder body through the electrostatic chuck. Further, in these devices, a cleaning method for cleaning the space containing the electrostatic chuck and the space communicating with this space by introducing an etching gas into the both spaces is as follows. A cleaning method in which heat generation energy is supplied to a built-in heating element.
【0009】また、静電チャックを保持するウエハホー
ルダの本体が媒熱流体の通流可能に形成されたプラズマ
処理装置では、ドライクリーニングの方法を、クリーニ
ング中、静電チャックに内蔵された発熱体に発熱エネル
ギーが供給されるとともに、クリーニング終了につづく
被処理体処理のための被処理体温度が静電チャック内発
熱体への発熱エネルギー供給停止の状態で得られるよう
な量の媒熱流体が静電チャックを保持するウエハホール
ダ本体に通流させられているクリーニング方法とすれば
極めて好適である。Further, in the plasma processing apparatus in which the main body of the wafer holder for holding the electrostatic chuck is formed so that the heat transfer fluid can flow therethrough, the dry cleaning method is applied to the heating element built in the electrostatic chuck during cleaning. The heat energy is supplied, and the amount of heat transfer fluid is such that the temperature of the object to be processed for cleaning the object following the completion of cleaning is obtained when the heating energy supply to the heating element in the electrostatic chuck is stopped. A cleaning method in which the wafer holder body holding the electric chuck is caused to flow is extremely suitable.
【0010】[0010]
【作用】ドライクリーニングは、エッチングガスをプラ
ズマ化して反応活性を増し、化学反応により装置内部に
付着した膜を除去するものであり、エッチング速度が温
度に比例するため、温度が高いほどエッチング速度が大
きい。従って、クリーニングを短時間で終わらせるため
には、その部分の温度を高めることが有効な手段とな
る。[Function] Dry cleaning is to remove the film adhering to the inside of the device by chemical reaction by increasing the reaction activity by converting the etching gas into plasma. Since the etching rate is proportional to the temperature, the higher the temperature, the higher the etching rate. large. Therefore, in order to finish the cleaning in a short time, raising the temperature of the portion is an effective means.
【0011】プラズマ処理装置の場合、被処理ウエハが
置かれるプラズマ雰囲気は、通常、プラズマ密度が最も
高くなるプラズマ発生領域で発生されたプラズマが拡
散,失活もしくは消滅しながら輸送される輸送路の途中
もしくは末端近傍にあり、プラズマの密度および活性が
低く、これに伴い、クリーニングされる静電チャックの
温度も低い。従って、静電チャックに発熱体を内蔵さ
せ、この発熱体に発熱エネルギーを供給しながらクリー
ニングを行うことにより、静電チャックのクリーニング
速度ひいては装置のクリーニング速度が向上し、装置の
稼働率が向上する。In the case of a plasma processing apparatus, the plasma atmosphere in which a wafer to be processed is placed is usually a transportation path through which the plasma generated in the plasma generation region where the plasma density is highest is transported while diffusing, deactivating or extinguishing. Since the plasma density and activity are low in the middle or near the end, the temperature of the electrostatic chuck to be cleaned is low accordingly. Therefore, by incorporating a heating element in the electrostatic chuck and performing cleaning while supplying heating energy to the heating element, the cleaning speed of the electrostatic chuck and thus the cleaning speed of the apparatus are improved, and the operation rate of the apparatus is improved. .
【0012】この場合、発熱体を内蔵する静電チャック
を、平坦な被吸着面を有する被処理体を保持するための
平坦な吸着面を有する絶縁体中に、抵抗加熱材からなる
平坦な板状もしくは箔状の発熱体を、前記吸着面を一方
の表面とする絶縁層が形成されるように埋め込んだもの
とすれば、この絶縁層の厚さは、静電チャックの絶縁体
の材質をAl2 O3 等の耐熱セラミックス材とする場合
には300〜800μm程度とするので極めて薄く、絶
縁層表面の温度を室温から装置内での1ランク上のクリ
ーニングを示す部位のクリーニング速度と同等のクリー
ニング速度とするための温度に上げるのに10〜20秒
程度の時間しか要せず、クリーニング時間が顕著に短縮
される。In this case, a flat plate made of a resistance heating material is used in an electrostatic chuck having a built-in heating element in an insulator having a flat attracting surface for holding a subject having a flat attracting surface. If a sheet-shaped or foil-shaped heating element is embedded so that an insulating layer having the suction surface as one surface is formed, the thickness of this insulating layer is determined by the material of the insulator of the electrostatic chuck. When using a heat-resistant ceramic material such as Al 2 O 3 , the thickness is about 300 to 800 μm, so it is extremely thin, and the temperature of the surface of the insulating layer is equal to the cleaning speed of the part showing cleaning one rank higher in the device from room temperature. Only about 10 to 20 seconds are required to raise the temperature to the cleaning speed, and the cleaning time is significantly shortened.
【0013】周知のように、静電チャックは、被処理体
が平坦な被吸着面を有するウエハの場合、被吸着面を平
坦な吸着面に全面密着状態に保持可能なことから、被処
理体を保持するという目的のほかに、吸着面である絶縁
層表面を熱伝達面として成膜処理時に被処理体を冷却す
る手段として用いられ、成膜処理中、静電チャックは冷
媒によって一定温度に保たれる。この冷媒は、静電チャ
ック本体を構成している絶縁体を分厚く形成し、絶縁体
中に冷媒の流路を形成してこの流路を通流させるように
することも不可能ではない。しかし、このように絶縁体
を分厚く形成すると、静電チャックの熱容量が増し、発
熱体に発熱エネルギーを供給して吸着面の温度を上げよ
うとするときの温度上昇速度が小さくなり、装置稼働率
の向上が効果的に行われなくなる。しかし、上述のごと
く,静電チャックを保持するホールダ本体を媒熱流体の
通流が可能となるように形成することにより、静電チャ
ックが小型化され、温度上昇が速くなり、クリーニング
時間が効果的に短縮される。この場合、静電チャックの
熱容量が小さいことを利用して、ホールダ本体側から静
電チャックの吸着面を温度上昇させることも考えられ
る。しかし、この場合には、長い流路を循環する媒熱流
体の加熱、質量の大きいホールダ本体の昇温が必要であ
り、目的を効果的に達成することは困難である。As is well known, when an object to be processed is a wafer having a flat surface to be adsorbed, the electrostatic chuck can hold the surface to be adsorbed on the entire surface of the object to be adhering to the flat surface to be adhered. In addition to the purpose of holding, the insulating layer surface, which is the adsorption surface, is used as a heat transfer surface to cool the object to be processed during the film forming process. To be kept. It is not impossible to form a thick insulator for the coolant that forms the electrostatic chuck body, form a coolant passage in the insulator, and allow the coolant to flow therethrough. However, if the insulator is made thick in this way, the heat capacity of the electrostatic chuck increases, and the temperature rise rate when supplying heat energy to the heating element to raise the temperature of the adsorption surface decreases, resulting in a device operating rate Will not be effectively improved. However, as described above, by forming the holder body holding the electrostatic chuck so that the heat transfer fluid can flow, the electrostatic chuck can be downsized, the temperature rises faster, and the cleaning time is longer. Be shortened. In this case, it is possible to raise the temperature of the adsorption surface of the electrostatic chuck from the holder body side by utilizing the small heat capacity of the electrostatic chuck. However, in this case, it is necessary to heat the heat transfer fluid circulating in the long flow path and to raise the temperature of the holder body having a large mass, and it is difficult to effectively achieve the purpose.
【0014】なお、静電チャックに発熱体を内蔵させる
目的は、プラズマ処理装置の稼働率を向上させることに
あり、上述の装置構成およびクリーニング方法により折
角クリーニング時間を短縮することができても、成膜工
程を含む全体の装置稼働率が向上しなければ、上記装置
構成および方法の効果が十分生かされない。そこで、ク
リーニング方法として、クリーニング中、静電チャック
に内蔵された発熱体に発熱エネルギーが供給されるとと
もに、クリーニング終了につづく被処理体処理のための
被処理体温度が静電チャック内発熱体への発熱エネルギ
ー供給停止の状態で得られるような量の媒熱流体ガ静電
チャックを保持するウエハホールダ本体に通流させられ
ている方法とすれば、クリーニング中に発熱体に供給す
る発熱エネルギーは多少増すものの、クリーニング終了
と同時に発熱エネルギーの供給を停止することにより、
静電チャックは熱容量が小さいので急速に温度降下して
所望の温度に達し、殆ど待ち時間なく次の処理工程に入
ることができる。The purpose of incorporating a heating element in the electrostatic chuck is to improve the operating rate of the plasma processing apparatus. Even if the above-described apparatus configuration and cleaning method can shorten the corner cleaning time, Unless the overall operation rate of the apparatus including the film forming step is improved, the effects of the above apparatus configuration and method cannot be fully utilized. Therefore, as a cleaning method, heat energy is supplied to the heating element built in the electrostatic chuck during cleaning, and the temperature of the processing object for processing the processing object after the completion of cleaning is transferred to the heating element in the electrostatic chuck. If the method in which the heat transfer fluid is passed through the wafer holder body that holds the electrostatic chuck in an amount that can be obtained when the heat energy supply is stopped, However, by stopping the supply of heat generation energy at the same time as the end of cleaning,
Since the electrostatic chuck has a small heat capacity, the temperature rapidly drops to reach a desired temperature, and the electrostatic chuck can enter the next processing step with almost no waiting time.
【0015】[0015]
【実施例】図1に、本発明による静電チャックを用いて
構成されたウエハホールダ構造の一実施例を示す。静電
チャック100は、Al2 O3 等のセラミックス材で形
成された円板状の絶縁体100A中に、ウエハ5を絶縁
体100Aの吸着面( 図の下面)に吸着,保持するた
めの1対の電極51,52と、絶縁体100Aの吸着面
を所望の温度に温度上昇させるための1枚の箔状発熱体
53とが2層に埋め込まれ形成されている。この埋め込
み構造を実現するために、電極51,52の静電チャッ
ク吸着面側絶縁層の厚み(およそ300〜400μm)
と同等の厚みをもつセラミックス板の一方の面に印刷に
より、ここではタングステンの層を10〜25μmの厚
みに形成する。このセラミックス板と、同様にして電極
51,52が印刷されたセラミックス板とを、発熱体5
3のウエハホールダ側絶縁ベースの上に順に載せ、加
熱,一体化する。発熱体53は印刷により形成されるた
め、その電路の幅や形状を任意に構成することができ、
所望のワット数を容易に得ることができる。また、電極
51,52はそれぞれ直流電源13の両極に接続され、
それぞれ絶縁体100Aの吸着面にもたらされたウエハ
5との間に電界を作り、電界を構成する電気力線を介し
てウエハ5に静電吸着力を働かせる。FIG. 1 shows an embodiment of a wafer holder structure constructed by using an electrostatic chuck according to the present invention. The electrostatic chuck 100 has a disk-shaped insulator 100A made of a ceramic material such as Al 2 O 3 for holding the wafer 5 on the suction surface (lower surface in the figure) of the insulator 100A. A pair of electrodes 51, 52 and one foil-shaped heating element 53 for raising the temperature of the adsorption surface of the insulator 100A to a desired temperature are embedded and formed in two layers. In order to realize this embedded structure, the thickness of the insulating layer of the electrodes 51 and 52 on the electrostatic chuck adsorption surface side (approximately 300 to 400 μm).
By printing on one surface of a ceramic plate having the same thickness as in the above, a tungsten layer is formed here to a thickness of 10 to 25 μm. This ceramic plate and a ceramic plate on which electrodes 51 and 52 are printed in the same manner are used as the heating element 5
3 is sequentially placed on the wafer holder side insulating base, and heated and integrated. Since the heating element 53 is formed by printing, the width and shape of the electric path can be arbitrarily configured,
The desired wattage can be easily obtained. The electrodes 51 and 52 are connected to both electrodes of the DC power supply 13,
An electric field is generated between the wafer 5 and the wafer 5 brought to the suction surface of the insulator 100A, and an electrostatic attraction force is exerted on the wafer 5 through the lines of electric force forming the electric field.
【0016】このように構成された静電チャック100
は、ウエハホールダ本体先端部のベース201に取り付
けられる。ベース201は内部に冷媒の流路が形成さ
れ、ウエハ5の成膜処理中、冷媒が一定温度でベース2
01内の流路を流れ、プラズマからウエハ5に与えられ
た熱を、静電チャック100を介して奪い、ウエハ5を
所定温度に維持する。なお、図中の符号202は、ウエ
ハホールダ200周壁面への膜の付着を防止するシール
ドである。The electrostatic chuck 100 having the above structure
Is attached to the base 201 at the tip of the wafer holder body. A flow path for a coolant is formed inside the base 201, and the coolant is kept at a constant temperature during the film formation process of the wafer 5.
The heat given to the wafer 5 from the plasma flowing through the flow path in 01 is removed via the electrostatic chuck 100 to maintain the wafer 5 at a predetermined temperature. Reference numeral 202 in the figure is a shield for preventing the film from adhering to the peripheral wall surface of the wafer holder 200 .
【0017】図2に、本発明が対象としたプラズマ処理
装置として、マイクロ波プラズマをウエハ表面の処理に
利用する装置の一実施例を示す。装置は、本体先端部の
ベース201の下面に静電チャック100が固定された
ウエハホールダ200と、静電チャック100まわりに
プラズマ雰囲気を保持する反応室1と、プラズマを生成
するプラズマ室2と、プラズマ室2内でのプラズマ生成
を効率よく行わせるとともに生成されたプラズマを反応
室1内へ輸送するための発散磁界を形成するコイル8
と、プラズマ生成のためにプラズマ室2内に導入される
マイクロ波を図示されないマイクロ波発生源から伝達す
るための導波管7とを主要構成要素として構成されてい
る。FIG. 2 shows an embodiment of a plasma processing apparatus targeted by the present invention, which uses microwave plasma for processing a wafer surface. The apparatus comprises a wafer holder 200 having an electrostatic chuck 100 fixed to the lower surface of a base 201 at the tip of the main body, a reaction chamber 1 for holding a plasma atmosphere around the electrostatic chuck 100, a plasma chamber 2 for generating plasma, and a plasma chamber. A coil 8 for efficiently generating plasma in the chamber 2 and forming a divergent magnetic field for transporting the generated plasma into the reaction chamber 1.
And a waveguide 7 for transmitting a microwave introduced into the plasma chamber 2 for plasma generation from a microwave generation source (not shown) as main constituent elements.
【0018】反応室1内のプラズマ雰囲気中に保持され
るウエハ5は、図には示されていないゲートバルブで開
閉可能なウエハ搬送口32から図示のない搬送機構で出
し入れされ、静電チャック100の表面に吸着保持され
る。ガス供給口41、42は、図示のないガス供給シス
テムと接続されており、成膜処理時には成膜用ガス、ド
ライクリーニング時にはエッチング用ガスが供給され
る。排気口16は、図示のない排気システムと接続さ
れ、ガスを導入しつつ反応室1内の圧力を一定に保つこ
とができる。The wafer 5 held in the plasma atmosphere in the reaction chamber 1 is loaded / unloaded by a transport mechanism (not shown) from the wafer transport port 32 which can be opened / closed by a gate valve (not shown), and the electrostatic chuck 100 is moved. Is adsorbed and held on the surface of. The gas supply ports 41 and 42 are connected to a gas supply system (not shown), and a film forming gas is supplied during the film forming process and an etching gas is supplied during the dry cleaning. The exhaust port 16 is connected to an exhaust system (not shown) so that the pressure in the reaction chamber 1 can be kept constant while introducing gas.
【0019】ドライクリーニングの際は、ガス供給口4
1,42からエッチングガスを供給し、プラズマ発生の
ためにマイクロ波をプラズマ室1内に導入するとともに
磁界発生用コイル8に電流を供給する。図3に、上記装
置をCVDとして使用し、SiO2膜を反応室内に堆積
させた後、静電チャックを加熱せず、NF3 ガスをエッ
チングガスとしてクリーニング処理をおこなった場合
の、装置内壁各部のエッチング速度を示す。最もエッチ
ングの遅い部分は静電チャック表面である。At the time of dry cleaning, the gas supply port 4
An etching gas is supplied from 1, 42 to introduce a microwave into the plasma chamber 1 for generating plasma and supply a current to the magnetic field generating coil 8. In FIG. 3, after the SiO 2 film is deposited in the reaction chamber by using the above apparatus as a CVD, the electrostatic chuck is not heated and a cleaning process is performed using NF 3 gas as an etching gas. The etching rate is shown. The slowest etching portion is the electrostatic chuck surface.
【0020】図4に、図1の実施例で示した,発熱体内
蔵の静電チャックに通電して発熱体に発熱エネルギーを
供給しクリーニングを行った場合の、静電チャック表面
温度と静電チャック表面上SiO2膜のエッチング速度
との関係を示す。従来にくらべ、エッチング速度が約3
倍となり、クリーニング時間が1/3に短縮できること
が可能となった。FIG. 4 shows the electrostatic chuck surface temperature and electrostatic capacity when the electrostatic chuck with a built-in heating element shown in the embodiment of FIG. 1 is energized to supply heating energy to the heating element for cleaning. The relationship with the etching rate of the SiO2 film on the chuck surface is shown. Etching rate is about 3 compared to conventional
It has become possible to reduce the cleaning time to 1/3.
【0021】[0021]
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、静電
チャック内部に発熱体を内蔵させ、静電チャックを加熱
しつつ装置のクリーニングを行うようにしたので、クリ
ーニング時間を大幅に短縮することができた。しかも、
成膜処理時とクリーニング時の静電チャック温度が異な
る場合でも、静電チャック温度の変更は短時間で行える
ため、余分な待ち時間はほとんど発生しない。これらに
より、プラズマ処理装置の稼働率の大幅な向上が可能と
なった。As described above, according to the present invention, since the heating element is built in the electrostatic chuck and the apparatus is cleaned while heating the electrostatic chuck, the cleaning time is greatly shortened. I was able to. Moreover,
Even if the electrostatic chuck temperature at the time of film formation is different from that at the time of cleaning, the electrostatic chuck temperature can be changed in a short time, so that an extra waiting time hardly occurs. As a result, it has become possible to significantly improve the operating rate of the plasma processing apparatus.
【図1】本発明の一実施例による静電チャックを用いて
構成されたウエハホールダ構造の一実施例を示す断面図FIG. 1 is a sectional view showing an example of a wafer holder structure configured by using an electrostatic chuck according to an example of the present invention.
【図2】本発明による静電チャックを用いて構成される
ウエハホールダを備えたプラズマ処理装置構造の一実施
例を示す断面図FIG. 2 is a sectional view showing an embodiment of a plasma processing apparatus structure including a wafer holder configured by using an electrostatic chuck according to the present invention.
【図3】図2のプラズマ処理装置において、静電チャッ
クに内蔵された発熱体に発熱エネルギーを供給せずに装
置内SiO2 膜除去のためのドライクリーニングを行っ
たときの装置内各部のエッチング速度を示す図FIG. 3 is a view illustrating etching of various parts in the apparatus when dry cleaning for removing a SiO 2 film in the apparatus is performed without supplying heat generation energy to a heating element incorporated in an electrostatic chuck in the plasma processing apparatus of FIG. 2; Diagram showing speed
【図4】本発明による静電チャックの吸着面の温度と吸
着面上SiO2 膜のエッチング速度との関係を示す図FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the temperature of the attraction surface of the electrostatic chuck according to the present invention and the etching rate of the SiO 2 film on the attraction surface.
1 反応室 2 プラズマ室 5 ウエハ 51 電極 52 電極 53 発熱体 100 静電チャック 100A 絶縁体200 ウエハホールダ 201 ベース1 Reaction Chamber 2 Plasma Chamber 5 Wafer 51 Electrode 52 Electrode 53 Heating Element 100 Electrostatic Chuck 100A Insulator 200 Wafer Holder 201 Base
Claims (5)
るウエハホールダが、静電吸着力で被処理体を保持する
静電チャックを用いて構成されるプラズマ処理装置にお
いて、静電チャックが被処理体を保持する保持部位を温
度上昇させるための発熱体を内蔵していることを特徴と
するプラズマ処理装置。1. A plasma processing apparatus in which a wafer holder for holding a wafer to be processed in a plasma atmosphere is formed by using an electrostatic chuck for holding an object to be processed by electrostatic attraction force. A plasma processing apparatus having a built-in heating element for increasing the temperature of a holding portion holding the.
おいて、保持部位を温度上昇させるための発熱体を内蔵
する静電チャックは、平坦な被吸着面を有する被処理体
を保持するための平坦な吸着面を有する絶縁体中に、抵
抗加熱材からなる平坦な板状もしくは箔状の発熱体を、
前記吸着面を一方の表面とする絶縁層が形成されるよう
に埋め込んでなることを特徴とするプラズマ処理装置。2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the electrostatic chuck containing a heating element for raising the temperature of the holding portion holds the object to be processed having a flat attracted surface. A flat plate-shaped or foil-shaped heating element made of a resistance heating material in an insulator having a flat attracting surface of
A plasma processing apparatus, wherein an insulating layer having the suction surface as one surface is embedded so as to be formed.
マ処理装置において、静電チャックを用いて構成される
ウエハホールダは、静電チャックを保持するホールダ本
体が媒熱流体の通流可能に形成され、静電チャックに保
持された被処理体をホールダ本体により静電チャックを
介して冷熱可能としたことを特徴とするプラズマ処理装
置。3. The plasma processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein a wafer holder configured by using an electrostatic chuck has a holder body holding the electrostatic chuck capable of passing a heat transfer fluid. A plasma processing apparatus characterized in that the object to be processed formed on the electrostatic chuck can be cooled by the holder body through the electrostatic chuck.
のプラズマ処理装置において、静電チャックを内包する
空間およびこの空間と連通する空間の内部を該両空間内
にエッチングガスを導入してクリーニングする際のクリ
ーニング方法であって、クリーニング中、静電チャック
に内蔵された発熱体に発熱エネルギーが供給されること
を特徴とするプラズマ処理装置のドライクリーニング方
法。4. The plasma processing apparatus according to claim 1, 2, or 3, wherein an etching gas is formed in both of the space containing the electrostatic chuck and the space communicating with the space. A method for dry cleaning of a plasma processing apparatus, wherein the heating energy is supplied to a heating element incorporated in an electrostatic chuck during the cleaning by introducing the above.
おいて、静電チャックを内包する空間およびこの空間と
連通する空間の内部を該両空間内にエッチングガスを導
入してクリーニングする際のクリーニング方法であっ
て、クリーニング中、静電チャックに内蔵された発熱体
に発熱エネルギーが供給されるとともに、クリーニング
終了につづく被処理体処理のための被処理体温度が静電
チャック内発熱体への発熱エネルギー供給停止の状態で
得られるような量の媒熱流体ガ静電チャックを保持する
ウエハホールダ本体に通流させられていることを特徴と
するプラズマ処理装置のドライクリーニング方法。5. The plasma processing apparatus according to claim 3, wherein the space containing the electrostatic chuck and the space communicating with this space are cleaned by introducing an etching gas into both spaces. During the cleaning, heating energy is supplied to the heating element built in the electrostatic chuck during cleaning, and the temperature of the processing object for processing the processing object after the completion of cleaning is transferred to the heating element in the electrostatic chuck. The dry cleaning method for a plasma processing apparatus, wherein the heat transfer fluid is passed through a wafer holder main body holding an electrostatic chuck of an amount of heat transfer fluid.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9824293A JPH06310588A (en) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | Plasma processing device and dry-cleaning method in its device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9824293A JPH06310588A (en) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | Plasma processing device and dry-cleaning method in its device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06310588A true JPH06310588A (en) | 1994-11-04 |
Family
ID=14214499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9824293A Pending JPH06310588A (en) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | Plasma processing device and dry-cleaning method in its device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06310588A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010037042A (en) * | 1999-10-13 | 2001-05-07 | 윤종용 | Dry etching apparatus utilizing the plasma for manufacturing semiconductor device |
US7025855B2 (en) | 2001-12-04 | 2006-04-11 | Anelva Corporation | Insulation-film etching system |
-
1993
- 1993-04-26 JP JP9824293A patent/JPH06310588A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010037042A (en) * | 1999-10-13 | 2001-05-07 | 윤종용 | Dry etching apparatus utilizing the plasma for manufacturing semiconductor device |
US7025855B2 (en) | 2001-12-04 | 2006-04-11 | Anelva Corporation | Insulation-film etching system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH06158361A (en) | Plasma treating device | |
JP5224855B2 (en) | Electrode unit, substrate processing apparatus, and temperature control method for electrode unit | |
US8419859B2 (en) | Method of cleaning plasma-treating apparatus, plasma-treating apparatus where the cleaning method is practiced, and memory medium memorizing program executing the cleaning method | |
CN101410941B (en) | Post-etch treatment system for removing residue on a substrate | |
JP2010520649A (en) | Processing system and method for performing high-throughput non-plasma processing | |
JP2003306772A (en) | Treating apparatus, treating method, and mounting member | |
JP2000299288A (en) | Plasma treatment apparatus | |
JP2010045170A (en) | Sample mounting electrode | |
JPH09213780A (en) | Electrostatic chuck device, and method of separating electrostatic chuck | |
JP2004014752A (en) | Electrostatic chuck, work piece placement table, and plasma treating apparatus | |
JPH06310588A (en) | Plasma processing device and dry-cleaning method in its device | |
JP2021077837A (en) | Substrate processing device | |
JP4129152B2 (en) | Substrate mounting member and substrate processing apparatus using the same | |
JP2001004505A (en) | Gate valve, sample treatment device equipped therewith and sample treatment method | |
JPH11111620A (en) | Plasma processing equipment and sputtering equipment | |
JP4039645B2 (en) | Vacuum processing equipment | |
JPH08213362A (en) | Plasma treatment equipment and plasma treatment method | |
JP3831582B2 (en) | Control method of plasma processing apparatus and plasma processing apparatus | |
TWI749309B (en) | Etching device and operating method thereof | |
JP6374735B2 (en) | Vacuum processing apparatus and dry cleaning method | |
JP2846157B2 (en) | Electrostatic attraction electrode | |
TWI857347B (en) | Plasma processing apparatus | |
JP3178332B2 (en) | Operating method of plasma processing apparatus | |
JPH098010A (en) | Plasma processor | |
JPH07211769A (en) | Method and apparatus for plasma processing |