JPH06275699A - Vacuum processor - Google Patents
Vacuum processorInfo
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- JPH06275699A JPH06275699A JP8934493A JP8934493A JPH06275699A JP H06275699 A JPH06275699 A JP H06275699A JP 8934493 A JP8934493 A JP 8934493A JP 8934493 A JP8934493 A JP 8934493A JP H06275699 A JPH06275699 A JP H06275699A
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- lock chamber
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は真空処理装置に係り、特
にウエハを入れて搬送する真空容器と、この真空容器に
接続可能でありウエハを真空容器との間で出し入れする
ロードロック室と、このロードロック室にゲートバルブ
を介して接続されウエハに真空処理を施す真空プロセス
室とを備えた真空処理装置の改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly to a vacuum container for loading and transporting wafers, and a load lock chamber connectable to the vacuum container for loading and unloading wafers to and from the vacuum container. The present invention relates to an improvement in a vacuum processing apparatus including a vacuum process chamber connected to the load lock chamber via a gate valve and performing a vacuum process on a wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体を製造する過程でウエハは半導体
プロセス装置に搬入される前や、所定の工程を経て次の
工程に搬送する間、ウエハ表面の酸化等を防止するため
に真空容器に入れて保管及び搬送することが提案されて
いる。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor, a wafer is placed in a vacuum container before being loaded into a semiconductor processing apparatus or while being transported to the next step after a predetermined step, in order to prevent oxidation of the wafer surface. It is proposed to store and transport it by
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ウエハは通常フッ酸に
より洗浄されるが、このフッ酸による洗浄後、ウエハの
表面は水素終結された保護膜により覆われている。しか
し、従来の方法においては、この保護膜は大気圧下に置
いておくと大気分子の衝突により２−３時間で破壊され
てしまう。また真空中の雰囲気においても、表面の水素
がだんだん離れていき、真空中の残留酸素、水分等によ
って酸化膜が生じてしまう。本発明は、上述の事情に鑑
みなされたもので、真空容器内に少量の水素を吹き込む
ことによりシリコンウエハ表面の水素終結された保護膜
を長時間もたせることができる真空処理装置を提供する
ことを目的とする。なお、真空容器内の水素濃度は低い
為、爆発の危険性もなく、使用上安全である。The wafer is usually washed with hydrofluoric acid. After the washing with hydrofluoric acid, the surface of the wafer is covered with a hydrogen-terminated protective film. However, in the conventional method, if this protective film is left under atmospheric pressure, it will be destroyed in 2-3 hours due to collision of atmospheric molecules. Further, even in an atmosphere of vacuum, hydrogen on the surface gradually separates, and an oxide film is formed by residual oxygen, moisture, etc. in vacuum. The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a vacuum processing apparatus capable of holding a hydrogen-terminated protective film on the surface of a silicon wafer for a long time by blowing a small amount of hydrogen into a vacuum container. To aim. Since the hydrogen concentration in the vacuum container is low, there is no danger of explosion and it is safe to use.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ため、本発明の真空処理装置はウエハを入れて搬送する
真空容器と、この真空容器に接続可能でありウエハを真
空容器との間で出し入れするロードロック室と、このロ
ードロック室にゲートバルブを介して接続されウエハに
真空処理を施す真空プロセス室とを備えた真空処理装置
において、前記真空容器を容器本体とこの容器本体の下
部開口を開閉可能に閉塞する下部プレートとで構成し、
前記ロードロック室を水素源に連通させ、前記下部プレ
ートを容器本体から離間させた状態で容器本体内に水素
を吹き込むことを特徴とするものである。In order to achieve the above-mentioned object, the vacuum processing apparatus of the present invention includes a vacuum container in which a wafer is loaded and transferred, and a wafer which can be connected to the vacuum container and is connected to the vacuum container. A vacuum processing apparatus comprising: a load lock chamber for loading and unloading; and a vacuum process chamber connected to the load lock chamber via a gate valve to vacuum-process a wafer, wherein the vacuum container is a container body and a lower opening of the container body. Is composed of a lower plate that can be opened and closed.
The load lock chamber is communicated with a hydrogen source, and hydrogen is blown into the container body with the lower plate being separated from the container body.
【作用】前述した構成からなる本発明によれば、下部プ
レートを容器本体から離間させた状態で容器本体内に水
素を吹き込むことができ、真空容器内は残留ガスの主成
分が水素である真空状態に保たれる。したがって、本発
明によれば、ウエハの水素終端を継続させることができ
る。According to the present invention having the above-described structure, hydrogen can be blown into the container body with the lower plate being separated from the container body, and the vacuum container in which the main component of the residual gas is hydrogen. Be kept in a state. Therefore, according to the present invention, the hydrogen termination of the wafer can be continued.
【０００５】[0005]
【実施例】以下、本発明に係る真空処理装置の一実施例
を図１乃至図５を参照して説明する。本実施例において
は、被処理材としてウエハを例に挙げて説明する。真空
処理装置は図１に示されるようにウエハを入れて搬送す
る真空容器１と、この真空容器１に接続可能でありウエ
ハを真空容器１との間で出し入れするロードロック室１
０と、このロードロック室１０にゲートバルブ１８を介
して接続されウエハの移載を行うロボットが配置されて
いるロボット室１９と、ウエハに処理を施す真空プロセ
ス室（図示せず）とを備えている。真空容器１は略円筒
容器状の容器本体２と、この容器本体２の下部開口を開
閉可能に閉塞する下部プレート３とを備えている。図２
に示されるように容器本体２の外周面には発熱体４が設
けられている。この発熱体４は電気絶縁層と、この電気
絶縁層上に形成された通電によって発熱する発熱層とか
らなっている。なお、容器本体２及び下部プレート３は
Ａｌ，ＳＵＳ３０４等の非磁性体にて形成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the vacuum processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In this embodiment, a wafer will be described as an example of the material to be processed. As shown in FIG. 1, the vacuum processing apparatus includes a vacuum container 1 in which a wafer is loaded and transferred, and a load lock chamber 1 which can be connected to the vacuum container 1 and which transfers a wafer into and out of the vacuum container 1.
0, a robot chamber 19 in which a robot for transferring wafers is connected to the load lock chamber 10 via a gate valve 18, and a vacuum process chamber (not shown) for processing the wafers. ing. The vacuum container 1 includes a container body 2 having a substantially cylindrical container shape, and a lower plate 3 that closes a lower opening of the container body 2 so as to open and close. Figure 2
As shown in FIG. 3, a heating element 4 is provided on the outer peripheral surface of the container body 2. The heating element 4 is composed of an electric insulation layer and a heat generation layer formed on the electric insulation layer to generate heat by energization. The container body 2 and the lower plate 3 are made of a non-magnetic material such as Al or SUS304.
【０００６】また下部プレート３には、真空シール用の
Ｏリング６が容器本体２のフランジ部２ａとの接触面に
設けられている。下部プレート３の上面にはウエハＷを
段状に収納するウエハキャリア７が固定され、下面には
磁性体８が設けられている。On the lower plate 3, an O-ring 6 for vacuum sealing is provided on the contact surface with the flange portion 2a of the container body 2. A wafer carrier 7 for accommodating wafers W in a stepwise manner is fixed to the upper surface of the lower plate 3, and a magnetic body 8 is provided to the lower surface.
【０００７】一方、図１に示されるように、ロードロッ
ク室１０の上部は内方に突出したシール部１１を形成し
ており、このシール部１１の上面にＯリング１２が設け
られており、真空容器１のフランジ部２ａとＯリング１
２が密接して真空容器１とロードロック室１０との間の
真空シールがなされるようになっている。On the other hand, as shown in FIG. 1, an upper portion of the load lock chamber 10 is formed with a seal portion 11 protruding inward, and an O ring 12 is provided on the upper surface of the seal portion 11. Flange 2a and O-ring 1 of vacuum container 1
The two are in close contact with each other to form a vacuum seal between the vacuum container 1 and the load lock chamber 10.
【０００８】また、ロードロック室１０内には昇降機構
１３により昇降する昇降台１４が配設されており、昇降
台１４の上面にはＯリング１５が設けられていて、前記
シール部１１の下面と、昇降台１４の上面とがＯリング
１５を介して密接するようになっている。これによっ
て、昇降台１４がシール部１１と係合したときに（図１
に示す状態）前記ロードロック室１０は上部ロードロッ
ク室１０Ａと下部ロードロック室１０Ｂとに仕切られる
ようになっている。そして、上部ロードロック室１０Ａ
はバルブＶ１を介して真空排気系１６に接続されるとと
もに、バルブＶ２を介して水素源１７に接続されてい
る。また、下部ロードロック室１０ＢはバルブＶ３を介
して水素源１７に接続されるとともにバルブＶ４を介し
て真空排気系１６に接続されている。An elevating table 14 which is moved up and down by an elevating mechanism 13 is provided in the load lock chamber 10. An O ring 15 is provided on the upper surface of the elevating table 14 and a lower surface of the seal portion 11. And the upper surface of the lifting table 14 are in close contact with each other via the O-ring 15. As a result, when the lift 14 is engaged with the seal portion 11 (see FIG.
(State shown in FIG. 2) The load lock chamber 10 is divided into an upper load lock chamber 10A and a lower load lock chamber 10B. And the upper load lock chamber 10A
Is connected to the vacuum exhaust system 16 via a valve V1 and is connected to a hydrogen source 17 via a valve V2. The lower load lock chamber 10B is connected to the hydrogen source 17 via the valve V3 and to the vacuum exhaust system 16 via the valve V4.
【０００９】また、ロードロック室１０はゲートバルブ
１８を介してロボット室１９と接続されるようになって
いる。The load lock chamber 10 is connected to a robot chamber 19 via a gate valve 18.
【００１０】前記昇降台１４の上部には、図３に示され
るように遠赤外線ヒータ２０が設けられており、この遠
赤外線ヒータ２０は透光ガラス２１及びこの透光ガラス
２１を固定するガラス押え２２によって上部ロードロッ
ク室１０Ａに露出しないようにカバーされている。そし
て遠赤外線ヒータ２０は昇降台１４内の内部空間１４ａ
に配置された給電線２３を介して遠赤外線用電源２４に
接続されている（図１参照）。なお、透光ガラス２１と
昇降台１４との間には真空シール用のＯリング２５が介
装されている。As shown in FIG. 3, a far-infrared heater 20 is provided on the upper and lower parts of the elevating table 14, and the far-infrared heater 20 has a transparent glass 21 and a glass holder for fixing the transparent glass 21. It is covered by 22 so as not to be exposed to the upper load lock chamber 10A. The far-infrared heater 20 is installed in the inner space 14a inside the lift 14.
It is connected to the far-infrared power source 24 via the power supply line 23 arranged in (see FIG. 1). An O-ring 25 for vacuum sealing is interposed between the translucent glass 21 and the lifting table 14.
【００１１】前記昇降台１４の上面には真空容器１の下
部プレート３を吸着する吸着部２６が設置されている。
吸着部２６は、図３に示されるようにベローズ２７を介
して上下動可能な吸着板２８と、この吸着板２８及びベ
ローズ２７内に配設された電磁石２９とを備えており、
吸着板２８の上部位置はストッパー３０で規制されるよ
うになっている。そして電磁石２９は給電線３０を介し
て電磁石用直流電源３１に接続されている（図１参
照）。On the upper surface of the elevating table 14, a suction portion 26 for sucking the lower plate 3 of the vacuum container 1 is installed.
As shown in FIG. 3, the attracting portion 26 includes an attracting plate 28 that can move up and down via a bellows 27, and an electromagnet 29 disposed in the attracting plate 28 and the bellows 27.
The upper position of the suction plate 28 is regulated by the stopper 30. The electromagnet 29 is connected to the electromagnet DC power supply 31 via the power supply line 30 (see FIG. 1).
【００１２】また昇降台１４の内部空間１４ａは圧縮空
気源３２に連通されており、この圧縮空気源３２によっ
て供給される圧縮空気の圧力によって前記ベローズ２７
が伸展して吸着板２８がストッパー３０に係合する上部
位置まで上昇するようになっている。そして圧縮空気源
３２からの圧縮空気の供給が停止されると、前記ベロー
ズ２７は自身の剛性によって縮退し、吸着板２８はスト
ッパー３０から離間する下部位置に位置されるようにな
っている。なお昇降台１４の下部とロードロック室１０
との間にはベローズ３３が配置されており、昇降台１４
とロードロック室１０との間を密封している。The internal space 14a of the lift 14 communicates with a compressed air source 32, and the bellows 27 is driven by the pressure of the compressed air supplied by the compressed air source 32.
Are extended and the suction plate 28 is raised to an upper position where it engages with the stopper 30. When the supply of the compressed air from the compressed air source 32 is stopped, the bellows 27 contracts due to its own rigidity, and the suction plate 28 is positioned at a lower position apart from the stopper 30. The lower part of the lift 14 and the load lock chamber 10
Bellows 33 is arranged between
And the load lock chamber 10 are sealed.
【００１３】次に前述のように構成された真空処理容器
の動作を説明する。 （１）大気圧から真空への工程 図４は真空処理装置の一例を示す図であり、図１に示す
ロードロック室１０に隣接してロボット室１９が設けら
れ、このロボット室１９に隣接してロードロック室３５
が設けられている。ロードロック室３５には開閉扉３６
が設けられている。昇降台１４は上昇した位置にあり、
下部ロードロック室１０Ｂは真空状態、真空容器１内及
び上部ロードロック室１０Ａ内はいずれも大気圧状態に
ある。ウエハを収納していないウエハキャリア７を固定
した下部プレート３を吸着部２６の上に置き、電磁石２
９をＯＮし下部プレート３を吸着する。容器本体２をロ
ードロック室１０のシール部１１の上に置き、ウエハキ
ャリア７を容器本体２内に収納するとともに容器本体２
を図示されない押え手段で押さえ、バルブＶ１を開けて
上部ロードロック室１０Ａの圧力を大気圧から真空に引
く。Next, the operation of the vacuum processing container configured as described above will be described. (1) Process from Atmospheric Pressure to Vacuum FIG. 4 is a diagram showing an example of a vacuum processing apparatus. A robot chamber 19 is provided adjacent to the load lock chamber 10 shown in FIG. Load lock room 35
Is provided. Open / close door 36 in the load lock chamber 35
Is provided. The lift 14 is in the raised position,
The lower load lock chamber 10B is in a vacuum state, and the inside of the vacuum container 1 and the upper load lock chamber 10A are all in the atmospheric pressure state. The lower plate 3 to which the wafer carrier 7 containing no wafer is fixed is placed on the attracting portion 26, and the electromagnet 2
9 is turned on and the lower plate 3 is adsorbed. The container body 2 is placed on the seal portion 11 of the load lock chamber 10, the wafer carrier 7 is housed in the container body 2, and the container body 2
Is pressed by a holding means (not shown), the valve V1 is opened, and the pressure in the upper load lock chamber 10A is pulled from atmospheric pressure to vacuum.
【００１４】次に、昇降台１４を下げ、下部プレート３
及びウエハキャリア７をロードロック室１０内に位置さ
せ、発熱体４及び遠赤外線ヒータ２０をＯＮにして、容
器本体２及び下部プレート３を外面から加熱して、容器
本体２、下部プレート３及びウエハキャリア７のベーキ
ングを行う。発熱体４及び遠赤外線ヒータ２０をＯＦＦ
にしてベーキングを終了する。Next, the elevating table 14 is lowered, and the lower plate 3
Also, the wafer carrier 7 is positioned in the load lock chamber 10, the heating element 4 and the far infrared heater 20 are turned on, and the container body 2 and the lower plate 3 are heated from the outer surface, so that the container body 2, the lower plate 3 and the wafer. The carrier 7 is baked. Turn off heating element 4 and far infrared heater 20
And finish the baking.
【００１５】一方、扉３６を開放して洗浄済みのウエハ
Ｗをウエハキャリア４０ごとロードロック室３５に入
れ、バルブＶ５を開けて真空排気系３７を稼働させてロ
ードロック室３５内を真空にする。この後、ゲートバル
ブ１８及び３８を開けて、二つのロードロック室１０，
３５を連通状態にする。そして、ロボット室１９内のロ
ボット１９ａを稼働させてロードロック室３５内のウエ
ハＷをロードロック室１０内のウエハキャリア７に順次
移載する。この移載が終了した後、二つのゲートバルブ
１８，３８を閉じ、水素吹込み工程を行う。この水素吹
き込み工程はバルブＶ３を開けて下部ロードロック室１
０Ａに水素源１７より水素（Ｈ2） を流すことにより行
う。これによって、真空容器１内及び上下部ロードロッ
ク室１０Ａ，１０Ｂが水素雰囲気になる。このときの真
空圧は、例えば、１Ｔｏｒｒ〜１０-3Ｔｏｒｒ程度にな
るように水素を吹き込む。そして、昇降台１４を上昇さ
せ、ロードロック室１０を上部ロードロック室１０Ａと
下部ロードロック室１０Ｂとに仕切る。また圧縮空気源
３２から昇降台１４の内部空間１４ａに圧縮空気を供給
して吸着部２６の吸着板２８を上部位置に上昇させる。
この後、上部ロードロック室１０Ａ内の圧力を真空から
大気圧に戻す。次に、電磁石２９をＯＦＦし、昇降台１
４の内部空間１４ａへの圧縮空気の供給を停止して吸着
部２６の吸着板２８を下部位置に下げる。そして、内部
にウエハを収納するとともに内部の残留ガスの主成分が
水素である真空容器１を別のプロセス装置に搬送する。On the other hand, the door 36 is opened to put the cleaned wafer W together with the wafer carrier 40 into the load lock chamber 35, the valve V5 is opened, and the vacuum exhaust system 37 is operated to evacuate the load lock chamber 35. . After this, the gate valves 18 and 38 are opened and the two load lock chambers 10,
35 is put into a communication state. Then, the robot 19a in the robot chamber 19 is operated to sequentially transfer the wafer W in the load lock chamber 35 onto the wafer carrier 7 in the load lock chamber 10. After the transfer is completed, the two gate valves 18 and 38 are closed and the hydrogen blowing process is performed. In this hydrogen blowing process, the valve V3 is opened and the lower load lock chamber 1 is opened.
It is performed by flowing hydrogen (H 2 ) from the hydrogen source 17 to OA. As a result, the inside of the vacuum container 1 and the upper and lower load lock chambers 10A and 10B are brought into a hydrogen atmosphere. At this time, hydrogen is blown so that the vacuum pressure is, for example, about 1 Torr to 10 −3 Torr. Then, the elevating table 14 is raised to partition the load lock chamber 10 into an upper load lock chamber 10A and a lower load lock chamber 10B. Further, compressed air is supplied from the compressed air source 32 to the internal space 14a of the lift 14 to raise the suction plate 28 of the suction unit 26 to the upper position.
Then, the pressure in the upper load lock chamber 10A is returned from vacuum to atmospheric pressure. Next, the electromagnet 29 is turned off, and the elevator 1
The supply of compressed air to the internal space 14a of No. 4 is stopped, and the suction plate 28 of the suction unit 26 is lowered to the lower position. Then, the wafer is housed inside and the vacuum container 1 in which the main component of the residual gas inside is hydrogen is transported to another process apparatus.
【００１６】（２）真空から真空への工程 図５は真空処理装置の他の例を示す図であり、図１に示
すロードロック室に隣接してロボット室１９が設けら
れ、このロボット室１９に隣接して真空プロセス室３９
が設けられている。昇降台１４は上昇した位置にあり、
下部ロードロック室１０Ｂは真空状態、上部ロードロッ
ク室１０Ａは大気圧状態、真空容器１内は真空状態にあ
る。昇降台１４の内部空間１４ａへ圧縮空気源３２から
圧縮空気を供給して吸着部２６の吸着板２８を上昇さ
せ、ウエハＷが入った真空容器１を吸着部２６上に載せ
る。電磁石２９をＯＮし、下部プレート３を吸着板２８
により吸着した後、圧縮空気の供給を停止して吸着板２
８を下部位置に下げ、容器本体２のフランジ部２ａをシ
ール部１１の上面に載せる。その後、バルブＶ１を開け
て上部ロードロック室１０Ａの圧力を大気圧から真空に
する。昇降台１４の内部空間１４ａに圧縮空気を供給し
て再び吸着板２８を上部位置に上昇させる。次に、昇降
台１４を下げ、ロボット１９ａがウエハＷをキャリアボ
ックス７から真空プロセス室３９へ移載する。次に、昇
降台１４を上昇させ、上部ロードロック室１０Ａ内の圧
力を真空から大気圧にする。吸着部２６の電磁石２９を
ＯＦＦにして内部空間１４ａへの圧縮空気の供給を停止
し、吸着部２６の吸着板２８を下げる。その後、内部が
空の真空容器１を搬送する。(2) Process from Vacuum to Vacuum FIG. 5 is a diagram showing another example of the vacuum processing apparatus. A robot chamber 19 is provided adjacent to the load lock chamber shown in FIG. Adjacent to the vacuum process chamber 39
Is provided. The lift 14 is in the raised position,
The lower load lock chamber 10B is in a vacuum state, the upper load lock chamber 10A is in an atmospheric pressure state, and the inside of the vacuum container 1 is in a vacuum state. Compressed air is supplied from the compressed air source 32 to the internal space 14a of the lift 14 to raise the suction plate 28 of the suction unit 26, and the vacuum container 1 containing the wafer W is placed on the suction unit 26. The electromagnet 29 is turned on, and the lower plate 3 is attached to the adsorption plate 28.
After adsorbing by, the supply of compressed air is stopped and the adsorption plate 2
8 is lowered to the lower position, and the flange portion 2a of the container body 2 is placed on the upper surface of the seal portion 11. Then, the valve V1 is opened to change the pressure in the upper load lock chamber 10A from atmospheric pressure to vacuum. Compressed air is supplied to the internal space 14a of the lift 14 to raise the suction plate 28 to the upper position again. Next, the elevating table 14 is lowered, and the robot 19a transfers the wafer W from the carrier box 7 to the vacuum process chamber 39. Next, the elevating table 14 is raised to change the pressure in the upper load lock chamber 10A from vacuum to atmospheric pressure. The electromagnet 29 of the adsorption unit 26 is turned off to stop the supply of compressed air to the internal space 14a, and the adsorption plate 28 of the adsorption unit 26 is lowered. Then, the vacuum container 1 having an empty inside is conveyed.
【００１７】（３）真空から大気圧への工程 昇降台１４は上昇した位置にあり、下部ロードロック室
１０Ｂは真空状態、上部ロードロック室１０Ａは大気圧
状態、真空容器１内は真空状態にある。吸着部２６の吸
着板２８を上昇させ、ウエハＷが入った真空容器１を吸
着部２６の上に載せる。電磁石２９をＯＮし、吸着部２
６の吸着板２８を下降させる。図示されていない押え手
段で真空容器１を押え、真空シール１２をきかせバルブ
Ｖ１を開けて上部ロードロック室１０Ａの圧力を大気圧
から真空にする。昇降台１４を下部プレート３とともに
下げた後、再び昇降台１４を上げる。このとき、下部プ
レート３と容器本体２との間には若干隙間が形成され
る。上部ロードロック室１０Ａの圧力を真空から大気圧
へするとともに真空容器１内の圧力も大気圧にする。吸
着部２６の電磁石２９をＯＦＦし、真空容器１を搬送す
る。(3) Process from vacuum to atmospheric pressure The elevator 14 is in a raised position, the lower load lock chamber 10B is in a vacuum state, the upper load lock chamber 10A is in an atmospheric pressure state, and the inside of the vacuum container 1 is in a vacuum state. is there. The suction plate 28 of the suction unit 26 is lifted, and the vacuum container 1 containing the wafer W is placed on the suction unit 26. The electromagnet 29 is turned on, and the attraction unit 2
The suction plate 28 of 6 is lowered. The vacuum container 1 is pressed by a holding means (not shown), the vacuum seal 12 is opened, the valve V1 is opened, and the pressure in the upper load lock chamber 10A is changed from atmospheric pressure to vacuum. After lowering the lift 14 together with the lower plate 3, the lift 14 is raised again. At this time, a slight gap is formed between the lower plate 3 and the container body 2. The pressure of the upper load lock chamber 10A is changed from vacuum to atmospheric pressure, and the pressure in the vacuum container 1 is also atmospheric pressure. The electromagnet 29 of the adsorption unit 26 is turned off, and the vacuum container 1 is transported.
【００１８】上述の（１）の工程では下部ロードロック
室１０Ｂに水素を吹き込むようにしたが、上部ロードロ
ック室１０Ａに水素を吹き込むこともできる。即ち、
（１）でウエハＷを移載した後、昇降台１４を上昇さ
せ、ロードロック室１０を上部ロードロック室１０Ａと
下部ロードロック室１０Ｂとに仕切った後、吸着部２６
の吸着板２８を下げ、バルブＶ２を開け水素を吹き込
む。これにより、上部ロードロック室１０Ａ及び真空容
器１内は残留ガスの主成分は水素である真空状態に保た
れる。この後、吸着板２８を上げ、下部プレート３と容
器本体２とを接触させる。In the above step (1), hydrogen is blown into the lower load lock chamber 10B, but hydrogen can be blown into the upper load lock chamber 10A. That is,
After the wafer W is transferred in (1), the elevating table 14 is raised to partition the load lock chamber 10 into the upper load lock chamber 10A and the lower load lock chamber 10B, and then the suction unit 26.
The adsorption plate 28 is lowered, the valve V2 is opened, and hydrogen is blown. As a result, the inside of the upper load lock chamber 10A and the vacuum container 1 is kept in a vacuum state where the main component of the residual gas is hydrogen. After that, the suction plate 28 is raised to bring the lower plate 3 and the container body 2 into contact with each other.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、下
部プレートを容器本体から離間させた状態で容器本体内
に水素を吹き込むことができ、真空容器内は残留ガスの
主成分が水素である真空状態に保たれる。したがって、
本発明によれば、ウエハの水素終結を継続させることが
でき、この水素終結された保護膜によりウエハの酸化膜
の発生を防止することができる。As described above, according to the present invention, hydrogen can be blown into the container body with the lower plate being separated from the container body, and the main component of the residual gas is hydrogen in the vacuum container. Maintained in a vacuum. Therefore,
According to the present invention, the hydrogen termination of the wafer can be continued, and the generation of the oxide film on the wafer can be prevented by the hydrogen termination protective film.
【図１】本発明に係る真空処理装置の一実施例を示す断
面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a vacuum processing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係る真空処理装置の真空容器の詳細を
示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing details of a vacuum container of the vacuum processing apparatus according to the present invention.
【図３】本発明に係る真空処理装置のロードロック室及
び下部プレートの詳細を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing details of a load lock chamber and a lower plate of the vacuum processing apparatus according to the present invention.
【図４】本発明に係る真空処理装置の使用例を説明した
説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating an example of use of the vacuum processing apparatus according to the present invention.
【図５】本発明に係る真空処理装置の使用例を説明した
説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating an example of use of the vacuum processing apparatus according to the present invention.
１ 真空容器 ２ 容器本体 ３ 下部プレート ４ 発熱体 ７ ウエハキャリア ８ 磁性体 １０，３５ ロードロック室 １１ シール部 １４ 昇降台 １６ 真空排気系 １７ 水素源 １８，３８ ゲートバルブ １９ ロボット室 ２０ 遠赤外線ヒータ ２１ 透光ガラス ２４ 遠赤外線用電源 ２６ 吸着部 ２７ ベローズ ２８ 吸着板 ２９ 電磁石 ３９ 真空プロセス室 1 Vacuum Container 2 Container Body 3 Lower Plate 4 Heating Element 7 Wafer Carrier 8 Magnetic Material 10,35 Load Lock Chamber 11 Sealing Part 14 Lifting Table 16 Vacuum Exhaust System 17 Hydrogen Source 18,38 Gate Valve 19 Robot Chamber 20 Far Infrared Heater 21 Transparent glass 24 Far-infrared power supply 26 Adsorption part 27 Bellows 28 Adsorption plate 29 Electromagnet 39 Vacuum process chamber
Claims (1)
の真空容器に接続可能でありウエハを真空容器との間で
出し入れするロードロック室と、このロードロック室に
ゲートバルブを介して接続されウエハに真空処理を施す
真空プロセス室とを備えた真空処理装置において、前記
真空容器を容器本体とこの容器本体の下部開口を開閉可
能に閉塞する下部プレートとで構成し、前記ロードロッ
ク室を水素源に連通させ、前記下部プレートを容器本体
から離間させた状態で容器本体内に水素を吹き込むこと
を特徴とする真空処理装置。1. A vacuum container for loading and transporting a wafer, a load lock chamber connectable to the vacuum container for loading and unloading a wafer to and from the vacuum container, and a load lock chamber connected to the load lock chamber via a gate valve. In a vacuum processing apparatus including a vacuum process chamber for performing vacuum processing on a wafer, the vacuum container is composed of a container main body and a lower plate that opens and closes a lower opening of the container main body, and the load lock chamber is hydrogen. A vacuum processing apparatus, characterized in that hydrogen is blown into the container body with the lower plate separated from the container body.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8934493A JPH06275699A (en) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | Vacuum processor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8934493A JPH06275699A (en) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | Vacuum processor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275699A true JPH06275699A (en) | 1994-09-30 |
Family
ID=13968092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8934493A Pending JPH06275699A (en) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | Vacuum processor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275699A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100373803B1 (en) * | 1998-02-09 | 2003-02-26 | 닛본 에이. 에스. 엠 가부시끼가이샤 | Device and Method for Load Locking for Semiconductor Processing |
| WO2004102655A1 (en) * | 2003-05-15 | 2004-11-25 | Tdk Corporation | Clean device with clean box-opening/closing device |
| JP2019530252A (en) * | 2016-09-07 | 2019-10-17 | サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェサイアンティフィク（セエヌエールエス） | Method for transferring and storing semiconductor plates in a sealed container |
-
1993
- 1993-03-24 JP JP8934493A patent/JPH06275699A/en active Pending
Cited By (4)
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| US7674083B2 (en) | 2003-05-15 | 2010-03-09 | Tdk Corporation | Clean device with clean box-opening/closing device |
| JP2019530252A (en) * | 2016-09-07 | 2019-10-17 | サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェサイアンティフィク（セエヌエールエス） | Method for transferring and storing semiconductor plates in a sealed container |
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