JPH0627140A - サンプリング・プローブ装置 - Google Patents
サンプリング・プローブ装置Info
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- JPH0627140A JPH0627140A JP4291933A JP29193392A JPH0627140A JP H0627140 A JPH0627140 A JP H0627140A JP 4291933 A JP4291933 A JP 4291933A JP 29193392 A JP29193392 A JP 29193392A JP H0627140 A JPH0627140 A JP H0627140A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R13/00—Arrangements for displaying electric variables or waveforms
- G01R13/20—Cathode-ray oscilloscopes
- G01R13/22—Circuits therefor
- G01R13/34—Circuits for representing a single waveform by sampling, e.g. for very high frequencies
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
- G11C27/02—Sample-and-hold arrangements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
- G11C27/02—Sample-and-hold arrangements
- G11C27/024—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】極めて広帯域で、極めて入力静電容量が低く、
損傷しにくく、低アベレーションであり、信号源に対す
る影響が極めて少ないサンプリング・プローブ装置を提
供すること。 【構成】入力信号を受けるプローブ・チップ312と、
プローブ・チップからの入力信号の振幅及び直流レベル
を調整する入力緩衝増幅手段30と、ストローブ信号に
応じて第1の時間間隔中、入力信号を蓄積する第1(高
速)トラック・ホールド回路40と、上記ストローブ信
号に応じて上記第1の時間間隔より長い第2の時間間隔
を発生するタイミング発生回路80と、第2の時間間隔
中に第1トラック・ホールド回路40の出力信号を蓄積
する第2(低速)トラック・ホールド回路50とを備え
るサンプリング・プローブ装置。
損傷しにくく、低アベレーションであり、信号源に対す
る影響が極めて少ないサンプリング・プローブ装置を提
供すること。 【構成】入力信号を受けるプローブ・チップ312と、
プローブ・チップからの入力信号の振幅及び直流レベル
を調整する入力緩衝増幅手段30と、ストローブ信号に
応じて第1の時間間隔中、入力信号を蓄積する第1(高
速)トラック・ホールド回路40と、上記ストローブ信
号に応じて上記第1の時間間隔より長い第2の時間間隔
を発生するタイミング発生回路80と、第2の時間間隔
中に第1トラック・ホールド回路40の出力信号を蓄積
する第2(低速)トラック・ホールド回路50とを備え
るサンプリング・プローブ装置。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、オシロスコープ等の測
定に好適なサンプリング・プローブ装置に関する。
定に好適なサンプリング・プローブ装置に関する。
【0002】
【従来技術】図12において、従来のデジタル・オシロ
スコープ10は、入力電気信号を表すデジタル的に再生
した波形12を表示している。この入力電気信号は、被
測定装置14からプローブ16及びケーブル18を介し
てデジタル・オシロスコープ10に取り込まれたもので
ある。デジタル・オシロスコープ10は、一様な時間間
隔で入力信号のサンプルを取り込み、これらのサンプル
をアナログ・デジタル変換器によって量子化サンプルに
変換し、波形メモリに記憶し、そのデータを読出して波
形12を再生表示する。
スコープ10は、入力電気信号を表すデジタル的に再生
した波形12を表示している。この入力電気信号は、被
測定装置14からプローブ16及びケーブル18を介し
てデジタル・オシロスコープ10に取り込まれたもので
ある。デジタル・オシロスコープ10は、一様な時間間
隔で入力信号のサンプルを取り込み、これらのサンプル
をアナログ・デジタル変換器によって量子化サンプルに
変換し、波形メモリに記憶し、そのデータを読出して波
形12を再生表示する。
【0003】アンドリュースの米国特許第449558
6号(対応出願:特公平4−47269号)に開示され
たオシロスコープは、高周波の電気信号を取り込み、複
数の量子化信号サンプルを波形メモリに記憶し、その波
形を読み出して表示することが出来る。このデジタル・
オシロスコープは、入力信号の各繰り返し毎に複数のサ
ンプルを取り込み、サンプルを量子化して波形メモリの
所定のアドレス位置に記憶する。時間間隔測定ユニット
及びプリセット可能カウンタにより、各信号サンプルが
量子化された時点に対応するメモリ内の正しいアドレス
位置が決定される。このように入力信号の繰り返し毎に
反復実行するこの動作は、等価時間サンプリング動作と
して知られている。このデジタル・オシロスコープにお
いては、オシロスコープから離れた位置でプローブによ
り信号を捕らえ、ケーブルを介してオシロスコープに信
号が伝達される。オシロスコープの内部回路により、こ
の入力信号が増幅され、サンプリングされ、量子化され
る。
6号(対応出願:特公平4−47269号)に開示され
たオシロスコープは、高周波の電気信号を取り込み、複
数の量子化信号サンプルを波形メモリに記憶し、その波
形を読み出して表示することが出来る。このデジタル・
オシロスコープは、入力信号の各繰り返し毎に複数のサ
ンプルを取り込み、サンプルを量子化して波形メモリの
所定のアドレス位置に記憶する。時間間隔測定ユニット
及びプリセット可能カウンタにより、各信号サンプルが
量子化された時点に対応するメモリ内の正しいアドレス
位置が決定される。このように入力信号の繰り返し毎に
反復実行するこの動作は、等価時間サンプリング動作と
して知られている。このデジタル・オシロスコープにお
いては、オシロスコープから離れた位置でプローブによ
り信号を捕らえ、ケーブルを介してオシロスコープに信
号が伝達される。オシロスコープの内部回路により、こ
の入力信号が増幅され、サンプリングされ、量子化され
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このデジタル・オシロ
スコープ10の設計者は、極めて高周波の入力信号のサ
ンプルを再生した表示波形12の忠実度を改善する方法
を長い間模索してきた。再生波形の忠実度は、サンプリ
ング及び量子化に用いる種々の回路の速度と精度との関
数である。高周波の信号は、単位時間当たり高速に電圧
が変化するエッジを含んでいる。このような信号の電圧
を正確に所定の瞬時値で捕らえる為には、それに対応す
る狭いサンプリング期間中に信号のサンプルを取り込ま
なければならない。更に、これらの取り込んだサンプル
の量子化が完了するまでそれらのサンプル値を安定的に
保持することも要する。信号サンプリングの精度及び安
定性は、各サンプルを取り込むサンプリング期間に依存
している。
スコープ10の設計者は、極めて高周波の入力信号のサ
ンプルを再生した表示波形12の忠実度を改善する方法
を長い間模索してきた。再生波形の忠実度は、サンプリ
ング及び量子化に用いる種々の回路の速度と精度との関
数である。高周波の信号は、単位時間当たり高速に電圧
が変化するエッジを含んでいる。このような信号の電圧
を正確に所定の瞬時値で捕らえる為には、それに対応す
る狭いサンプリング期間中に信号のサンプルを取り込ま
なければならない。更に、これらの取り込んだサンプル
の量子化が完了するまでそれらのサンプル値を安定的に
保持することも要する。信号サンプリングの精度及び安
定性は、各サンプルを取り込むサンプリング期間に依存
している。
【0005】緩衝増幅器及びサンプラを分離してプロー
ブ内に設け、プローブからケーブルを介してオシロスコ
ープのような測定機器に接続するリモート・サンプリン
グ・ヘッド装置や測定方法は、従来から既知である。オ
レゴン州ビーバートンのテクトロニクス社は、1960
年代に585型オシロスコープのアクセサリとして、そ
のような低静電容量型の能動プローブの製造を開始し
た。その後、テクトロニクス社を含む種々の製造業者か
らFETプローブが入手できるようになった。しかし、
これらの装置では、大振幅の信号又は直流成分の大きな
信号を正確に取り込む為には比較的高い電圧で動作させ
る必要があった。
ブ内に設け、プローブからケーブルを介してオシロスコ
ープのような測定機器に接続するリモート・サンプリン
グ・ヘッド装置や測定方法は、従来から既知である。オ
レゴン州ビーバートンのテクトロニクス社は、1960
年代に585型オシロスコープのアクセサリとして、そ
のような低静電容量型の能動プローブの製造を開始し
た。その後、テクトロニクス社を含む種々の製造業者か
らFETプローブが入手できるようになった。しかし、
これらの装置では、大振幅の信号又は直流成分の大きな
信号を正確に取り込む為には比較的高い電圧で動作させ
る必要があった。
【0006】テクトロニクス社製のS−3型のような従
来の信号サンプリング・プローブでは、1GHzのサン
プリング帯域幅と僅か2pFの入力静電容量を達成して
いる。しかし、このような信号サンプリング・プローブ
では、オシロスコープが発生したサンプリング・ストロ
ーブ信号は、差動的に駆動される同軸ケーブルを介して
サンプリング・ヘッドに伝達される。サンプリング・ス
トローブ信号がサンプリング・ヘッドに供給されると、
信号源に望ましくない信号成分が注入され、サンプリン
グされた信号が乱れる所謂アベレーションが生じる。リ
モート・サンプリング・ヘッド装置においてケーブルを
曲げたり動かしたりすると、直流オフセットが変化した
り、サンプリング遅延時間が変化したりする原因とな
る。リモート・サンプリング・ヘッド装置は、損傷し易
く、サービス・コスト及び製造コストが比較的高い。
来の信号サンプリング・プローブでは、1GHzのサン
プリング帯域幅と僅か2pFの入力静電容量を達成して
いる。しかし、このような信号サンプリング・プローブ
では、オシロスコープが発生したサンプリング・ストロ
ーブ信号は、差動的に駆動される同軸ケーブルを介して
サンプリング・ヘッドに伝達される。サンプリング・ス
トローブ信号がサンプリング・ヘッドに供給されると、
信号源に望ましくない信号成分が注入され、サンプリン
グされた信号が乱れる所謂アベレーションが生じる。リ
モート・サンプリング・ヘッド装置においてケーブルを
曲げたり動かしたりすると、直流オフセットが変化した
り、サンプリング遅延時間が変化したりする原因とな
る。リモート・サンプリング・ヘッド装置は、損傷し易
く、サービス・コスト及び製造コストが比較的高い。
【0007】本発明の目的は、広範囲の電圧、周波数及
びインピーダンスのパラメータを持つ入力信号に対して
高速且つ正確なサンプリング性能を達成可能なサンプリ
ング・プローブ装置を提供することである。
びインピーダンスのパラメータを持つ入力信号に対して
高速且つ正確なサンプリング性能を達成可能なサンプリ
ング・プローブ装置を提供することである。
【0008】本発明の他の目的は、極めて広帯域で、極
めて入力静電容量が低く、損傷しにくく、低アベレーシ
ョンであり、信号源に対する影響が極めて少ないサンプ
リング・プローブ装置を提供することである。
めて入力静電容量が低く、損傷しにくく、低アベレーシ
ョンであり、信号源に対する影響が極めて少ないサンプ
リング・プローブ装置を提供することである。
【0009】本発明の更に別の目的は、低電圧で駆動可
能であり、ケーブルの曲がりや動きによって影響を受け
ないサンプリング・プローブ装置を提供することであ
る。
能であり、ケーブルの曲がりや動きによって影響を受け
ないサンプリング・プローブ装置を提供することであ
る。
【0010】
【課題を解決する為の手段】本発明のサンプリング・プ
ローブ装置は、電気信号に接触するプローブ手段と、こ
のプローブ手段からの入力信号の振幅及び直流レベルを
調整する入力緩衝増幅手段と、ストローブ信号に応じて
第1の時間間隔中、上記入力緩衝増幅手段の出力信号を
蓄積する第1トラック・ホールド手段と、ストローブ信
号に応じて上記第1の時間間隔より長い第2の時間間隔
を発生するタイミング発生手段と、第2の時間間隔中に
上記第1トラック・ホールド手段の出力信号を蓄積する
第2トラック・ホールド手段とを備えている。
ローブ装置は、電気信号に接触するプローブ手段と、こ
のプローブ手段からの入力信号の振幅及び直流レベルを
調整する入力緩衝増幅手段と、ストローブ信号に応じて
第1の時間間隔中、上記入力緩衝増幅手段の出力信号を
蓄積する第1トラック・ホールド手段と、ストローブ信
号に応じて上記第1の時間間隔より長い第2の時間間隔
を発生するタイミング発生手段と、第2の時間間隔中に
上記第1トラック・ホールド手段の出力信号を蓄積する
第2トラック・ホールド手段とを備えている。
【0011】
【実施例】図2は、本発明のプローブ装置の上端面図を
示している。この装置では、アナログASIC(Applic
ation Specific Integrated Circuit)20と厚膜ハイ
ブリッド回路22をプローブ24内に設け、信号取り込
みプローブ・システムを実現している。
示している。この装置では、アナログASIC(Applic
ation Specific Integrated Circuit)20と厚膜ハイ
ブリッド回路22をプローブ24内に設け、信号取り込
みプローブ・システムを実現している。
【0012】図1は、本発明のプローブ装置の回路構成
を示すブロック図である。入力緩衝増幅器30は、低消
費電力で動作可能な分流帰還型の回路構成であり、入力
信号の大きな直流成分を相殺できるリモート・オフセッ
ト機能を有し、動作点の条件が略一定であり、バイアス
電流の補償機能を有し、損傷の原因となる過渡電圧に対
して抵抗器を接続して広帯域を実現するように入力静電
容量を極めて低く構成している。
を示すブロック図である。入力緩衝増幅器30は、低消
費電力で動作可能な分流帰還型の回路構成であり、入力
信号の大きな直流成分を相殺できるリモート・オフセッ
ト機能を有し、動作点の条件が略一定であり、バイアス
電流の補償機能を有し、損傷の原因となる過渡電圧に対
して抵抗器を接続して広帯域を実現するように入力静電
容量を極めて低く構成している。
【0013】1対の差動サンプリング・ブリッジの組み
合わせで構成された高速トラック・ホールド回路段40
の後に低速トラック・ホールド回路段50が接続されて
いる。高速トラック・ホールド回路段40は、ショット
キー・ダイオードのスイッチング・ブリッジ42A及び
42Bと、高速トラッキングの為の低容量の蓄積コンデ
ンサ44A及び44Bとを有する。低速トラック・ホー
ルド回路段50は、信号漏れの少ないダイオード接続の
トランジスタ・ブリッジ52A及び52Bと、FET緩
衝段(後述)と、大容量の蓄積コンデンサ54A及び5
4Bとを有し、高速トラック・ホールド回路段40の出
力を取り込み、量子化するのに十分な取り込み時間を与
える。高速トラック・ホールド回路段40の出力と低速
トラック・ホールド回路段50の出力は、夫々利得1の
差動緩衝増幅器60及び70を駆動する。緩衝増幅器7
0は、同軸ケーブル72に好適な低インピーダンスのシ
ングル・エンド出力信号を発生する。
合わせで構成された高速トラック・ホールド回路段40
の後に低速トラック・ホールド回路段50が接続されて
いる。高速トラック・ホールド回路段40は、ショット
キー・ダイオードのスイッチング・ブリッジ42A及び
42Bと、高速トラッキングの為の低容量の蓄積コンデ
ンサ44A及び44Bとを有する。低速トラック・ホー
ルド回路段50は、信号漏れの少ないダイオード接続の
トランジスタ・ブリッジ52A及び52Bと、FET緩
衝段(後述)と、大容量の蓄積コンデンサ54A及び5
4Bとを有し、高速トラック・ホールド回路段40の出
力を取り込み、量子化するのに十分な取り込み時間を与
える。高速トラック・ホールド回路段40の出力と低速
トラック・ホールド回路段50の出力は、夫々利得1の
差動緩衝増幅器60及び70を駆動する。緩衝増幅器7
0は、同軸ケーブル72に好適な低インピーダンスのシ
ングル・エンド出力信号を発生する。
【0014】オシロスコープは、ケーブル72を介して
第1段のストローブ信号をタイミング発生器80に供給
する。この第1段のストローブ信号は、同時に、高速ト
ラック・ホールド回路段40に入力信号をサンプリング
させ、更に、タイミング発生器80に第2段のストロー
ブ信号を発生させ、この第2段のストローブ信号により
低速トラック・ホールド回路段50に高速トラック・ホ
ールド回路段40の出力をサンプリングさせ、更に長い
期間にわたりそのサンプル値を保持させる。このよう
に、高速トラック・ホールド回路段40の広帯域特性
は、低速トラック・ホールド回路段50の高精度特性と
組み合わせが実現出来る。
第1段のストローブ信号をタイミング発生器80に供給
する。この第1段のストローブ信号は、同時に、高速ト
ラック・ホールド回路段40に入力信号をサンプリング
させ、更に、タイミング発生器80に第2段のストロー
ブ信号を発生させ、この第2段のストローブ信号により
低速トラック・ホールド回路段50に高速トラック・ホ
ールド回路段40の出力をサンプリングさせ、更に長い
期間にわたりそのサンプル値を保持させる。このよう
に、高速トラック・ホールド回路段40の広帯域特性
は、低速トラック・ホールド回路段50の高精度特性と
組み合わせが実現出来る。
【0015】図1、図2及び図3を参照して説明する。
入力緩衝増幅器30は、図2のIC(集積回路)20上
に形成された信号増幅器302とバイアス補償増幅器3
04とを含んでいる。このIC20は、テクトロニクス
社の「QUICKCHIP」(登録商標)と呼ばれるア
ナログASICプロセス技術により製造しても良い。必
要な性能に応じて、IC20をテクトロニクス社のフル
・カスタム又はセミ・カスタムのプロセス技術で形成し
ても良い。あるいは、ユーザーの要求を満たせば、分離
した別々の回路素子を組み合わせて構成しても良い。
入力緩衝増幅器30は、図2のIC(集積回路)20上
に形成された信号増幅器302とバイアス補償増幅器3
04とを含んでいる。このIC20は、テクトロニクス
社の「QUICKCHIP」(登録商標)と呼ばれるア
ナログASICプロセス技術により製造しても良い。必
要な性能に応じて、IC20をテクトロニクス社のフル
・カスタム又はセミ・カスタムのプロセス技術で形成し
ても良い。あるいは、ユーザーの要求を満たせば、分離
した別々の回路素子を組み合わせて構成しても良い。
【0016】信号増幅器302の入力回路網は、100
KΩの入力抵抗器306、減衰抵抗器308、入力ピー
キング・コンデンサ310を含む。図2及び図3には、
この入力回路網の好適な構成状態を示している。入力抵
抗器306は、ハイブリッド回路22の上端面に形成さ
れ、その一端がプローブ・チップ312の極めて近傍に
位置している。入力抵抗器306の他端は、ピーキング
・コンデンサ310の一方のプレートを形成している。
減衰抵抗器308及びピーキング・コンデンサ310の
他方のプレートは、ハイブリッド回路22の底面に形成
され、上端面の一方のプレートに対応するように配置さ
れている。入力抵抗器306及び減衰抵抗器308は、
周知の手段によるレーザー・トリミングで正確な抵抗値
に調整されている。ピーキング・コンデンサ310の容
量は、図3のコンデンサ310の底面プレートを形成す
るフィンガ部分を離間させることにより、調整される。
KΩの入力抵抗器306、減衰抵抗器308、入力ピー
キング・コンデンサ310を含む。図2及び図3には、
この入力回路網の好適な構成状態を示している。入力抵
抗器306は、ハイブリッド回路22の上端面に形成さ
れ、その一端がプローブ・チップ312の極めて近傍に
位置している。入力抵抗器306の他端は、ピーキング
・コンデンサ310の一方のプレートを形成している。
減衰抵抗器308及びピーキング・コンデンサ310の
他方のプレートは、ハイブリッド回路22の底面に形成
され、上端面の一方のプレートに対応するように配置さ
れている。入力抵抗器306及び減衰抵抗器308は、
周知の手段によるレーザー・トリミングで正確な抵抗値
に調整されている。ピーキング・コンデンサ310の容
量は、図3のコンデンサ310の底面プレートを形成す
るフィンガ部分を離間させることにより、調整される。
【0017】信号増幅器302は、10KΩの帰還抵抗
器314及び帰還コンデンサ316を含む帰還回路網も
有する。入力回路網の構成要素と帰還回路網の構成要素
とが加算接続点318で加算されて信号増幅器302の
分流帰還回路が構成される。加算接続点318は、仮想
接地点であり、寄生容量は極めて小さい。この結果、信
号増幅器302のプローブ入力容量は、およそ0.25
pFとなる。この好適実施例では、信号増幅器302の
帰還回路網により減衰比を10:1に設定している。
器314及び帰還コンデンサ316を含む帰還回路網も
有する。入力回路網の構成要素と帰還回路網の構成要素
とが加算接続点318で加算されて信号増幅器302の
分流帰還回路が構成される。加算接続点318は、仮想
接地点であり、寄生容量は極めて小さい。この結果、信
号増幅器302のプローブ入力容量は、およそ0.25
pFとなる。この好適実施例では、信号増幅器302の
帰還回路網により減衰比を10:1に設定している。
【0018】ケーブル72は、デジタル・オシロスコー
プ10の如き外部信号源から供給されるオフセット電圧
も伝達する。このオフセット電圧は、オフセット抵抗器
320を介して加算接続点318に印加される。オフセ
ット電圧は、デジタル・オシロスコープ10のオペレー
タにより入力信号の直流成分を補償するように手動調整
される。信号増幅器302のこれらの信号減衰機能及び
オフセット機能による信号の調整を「信号コンディショ
ニング」と呼ぶことにする。
プ10の如き外部信号源から供給されるオフセット電圧
も伝達する。このオフセット電圧は、オフセット抵抗器
320を介して加算接続点318に印加される。オフセ
ット電圧は、デジタル・オシロスコープ10のオペレー
タにより入力信号の直流成分を補償するように手動調整
される。信号増幅器302のこれらの信号減衰機能及び
オフセット機能による信号の調整を「信号コンディショ
ニング」と呼ぶことにする。
【0019】図1において、バイアス補償増幅器304
は、自身の入力段を信号増幅器302の入力段と熱的及
び回路構成上で整合するように設計されている。バイア
ス補償増幅器304は、信号増幅器302の帰還抵抗器
314に整合させた10KΩの帰還抵抗器322とバイ
アス補償増幅器304を安定化させるのに十分な程度の
容量を持ったバイパス・コンデンサ324とから成る帰
還回路網を有する。バイアス補償増幅器304の出力
は、帰還抵抗器314に整合させた補償抵抗器326を
介して信号増幅器302の加算接続点318に供給され
る。バイアス補償増幅器304は、信号増幅器302か
ら加算接続点318に出力されるバイアス電流に起因す
る直流電圧シフトを相殺する。
は、自身の入力段を信号増幅器302の入力段と熱的及
び回路構成上で整合するように設計されている。バイア
ス補償増幅器304は、信号増幅器302の帰還抵抗器
314に整合させた10KΩの帰還抵抗器322とバイ
アス補償増幅器304を安定化させるのに十分な程度の
容量を持ったバイパス・コンデンサ324とから成る帰
還回路網を有する。バイアス補償増幅器304の出力
は、帰還抵抗器314に整合させた補償抵抗器326を
介して信号増幅器302の加算接続点318に供給され
る。バイアス補償増幅器304は、信号増幅器302か
ら加算接続点318に出力されるバイアス電流に起因す
る直流電圧シフトを相殺する。
【0020】図4は、信号増幅器302及びバイアス補
償増幅器304の詳細な回路構成を示す回路図である。
信号増幅器302の差動入力段は、1対の複合バイポー
ラ・トランジスタ328A、328B及び328C並び
に330A、330B及び330C(各々まとめてトラ
ンジスタ328及びトランジスタ330と記す。)によ
り構成されている。同様に、バイアス補償増幅器304
は、同様の1対の複合トランジスタ332A、332B
及び332C並びに334A、334B及び334C
(まとめて夫々トランジスタ332及び334と記
す。)により構成された差動入力段を有する。トランジ
スタ328、330、332及び334の複合回路構成
により、各々のトランジスタのβ(電流増幅率)を乗算
した実効βを実現している。この回路は、開ループ利得
により増幅器の帯域幅も増加している。この開ループ利
得は比較的低いので、電流源336及び337は、夫々
の負荷抵抗器338及び340に要する電流に正確に追
従した出力を発生することが出来る。よって、電流源3
36の発生する電流は、電圧Vcc−VBE350A−VBE350B
に追従すべきである。
償増幅器304の詳細な回路構成を示す回路図である。
信号増幅器302の差動入力段は、1対の複合バイポー
ラ・トランジスタ328A、328B及び328C並び
に330A、330B及び330C(各々まとめてトラ
ンジスタ328及びトランジスタ330と記す。)によ
り構成されている。同様に、バイアス補償増幅器304
は、同様の1対の複合トランジスタ332A、332B
及び332C並びに334A、334B及び334C
(まとめて夫々トランジスタ332及び334と記
す。)により構成された差動入力段を有する。トランジ
スタ328、330、332及び334の複合回路構成
により、各々のトランジスタのβ(電流増幅率)を乗算
した実効βを実現している。この回路は、開ループ利得
により増幅器の帯域幅も増加している。この開ループ利
得は比較的低いので、電流源336及び337は、夫々
の負荷抵抗器338及び340に要する電流に正確に追
従した出力を発生することが出来る。よって、電流源3
36の発生する電流は、電圧Vcc−VBE350A−VBE350B
に追従すべきである。
【0021】図5は、総てNPNトランジスタ構成のト
ラッキング電流源336及び337を示す回路図であ
る。抵抗器342A、342B、342C及び342D
は、実質的に同一の抵抗値を有する。帰還により、トラ
ンジスタ344のエミッタと電源VEE間の電圧は、電圧
源VCCに正確に追従させられる。よって、電流基準抵抗
器RREF、トランジスタ348、抵抗器350で構成さ
れた回路網の両端間の電圧は、VCC−0に等しくなる。
従って、抵抗器RREFの両端間電圧と抵抗器R350の両端
間電圧との和は、所望値VCC−2VBEに等しくなる。
ラッキング電流源336及び337を示す回路図であ
る。抵抗器342A、342B、342C及び342D
は、実質的に同一の抵抗値を有する。帰還により、トラ
ンジスタ344のエミッタと電源VEE間の電圧は、電圧
源VCCに正確に追従させられる。よって、電流基準抵抗
器RREF、トランジスタ348、抵抗器350で構成さ
れた回路網の両端間の電圧は、VCC−0に等しくなる。
従って、抵抗器RREFの両端間電圧と抵抗器R350の両端
間電圧との和は、所望値VCC−2VBEに等しくなる。
【0022】図6は、βが10を超えるPNPトランジ
スタの場合に使用可能なPNPトランジスタ構成のより
簡単なトラッキング電流源336及び337の構成を示
す回路図である。電圧源VCCは、抵抗器RREF並びに1
対のトランジスタ352及び354で形成された回路網
の両端間に印加される。抵抗器RREFの両端間電圧は、
VCC−VBE352−VBE354に等しくなり、所望の基準電流
が流れる。
スタの場合に使用可能なPNPトランジスタ構成のより
簡単なトラッキング電流源336及び337の構成を示
す回路図である。電圧源VCCは、抵抗器RREF並びに1
対のトランジスタ352及び354で形成された回路網
の両端間に印加される。抵抗器RREFの両端間電圧は、
VCC−VBE352−VBE354に等しくなり、所望の基準電流
が流れる。
【0023】図4において、負荷抵抗器338の両端間
の信号は、複合トランジスタのエミッタ・フォロワ回路
を構成しているトランジスタ350A、350B及び3
50Cの出力段に供給される。増幅器の出力352は、
トランジスタ350Cのエミッタから出力される。増幅
器の出力352は、接地端を基準とするシングル・エン
ド出力である。他の実施例として、差動出力構成にする
ことも可能である。
の信号は、複合トランジスタのエミッタ・フォロワ回路
を構成しているトランジスタ350A、350B及び3
50Cの出力段に供給される。増幅器の出力352は、
トランジスタ350Cのエミッタから出力される。増幅
器の出力352は、接地端を基準とするシングル・エン
ド出力である。他の実施例として、差動出力構成にする
ことも可能である。
【0024】入力緩衝増幅器30の別の実施例として、
バイポーラとFETの組み合わせ(「バイFET」と略
す)の集積回路プロセスを採用し、入力容量の増加を僅
かに抑制しつつ入力抵抗を更に高めるようにしても良
い。このバイFETプロセスによれば、補償増幅器30
4を省略出来る。この入力抵抗の増加により、入力抵抗
器306の抵抗値を増加することが出来る。関連する入
力回路網及び帰還回路網の要素の値を調整して信号に対
するプローブの負荷特性を極めて低くすることが出来
る。入力緩衝増幅器30の更に別の実施例は、損傷もな
く、性能を犠牲にすることなく、24Vより低い電源電
圧で動作させることが出来る。好適実施例の回路は、性
能を低下させずに±5Vの電源から動作する。
バイポーラとFETの組み合わせ(「バイFET」と略
す)の集積回路プロセスを採用し、入力容量の増加を僅
かに抑制しつつ入力抵抗を更に高めるようにしても良
い。このバイFETプロセスによれば、補償増幅器30
4を省略出来る。この入力抵抗の増加により、入力抵抗
器306の抵抗値を増加することが出来る。関連する入
力回路網及び帰還回路網の要素の値を調整して信号に対
するプローブの負荷特性を極めて低くすることが出来
る。入力緩衝増幅器30の更に別の実施例は、損傷もな
く、性能を犠牲にすることなく、24Vより低い電源電
圧で動作させることが出来る。好適実施例の回路は、性
能を低下させずに±5Vの電源から動作する。
【0025】図1において、信号増幅器の出力352
は、スイッチング・ブリッジ42Aの入力端に接続され
ている。スイッチング・ブリッジ42Bの入力端は接地
されている。本発明によれば、図7に関して後述する4
つの同様のスイッチング・ブリッジを含んでいる。この
代表として、スイッチング・ブリッジ42A及び42B
(まとめてスイッチング・ブリッジ42と記す。)を図
示している。スイッチング・ブリッジ42は、4個1組
のショットキー・スイッチング・ダイオード420A、
420B、420C及び420Dから構成される。スイ
ッチング・ブリッジ42の入力端は、ダイオード420
A及び420Bの接続点に形成される。スイッチング・
ブリッジ42の出力端は、ダイオード420C及び42
0Dの接続点に形成され、蓄積コンデンサ44に接続さ
れる。スイッチング・ブリッジ42は、ダイオード42
0A、420B、420C及び420Dに順方向に電流
が流れる時にオン状態となり、ダイオード420A、4
20B、420C及び420Dが逆バイアスになり、こ
れらのダイオードに電流が流れなくなる時にオフ状態と
なる。
は、スイッチング・ブリッジ42Aの入力端に接続され
ている。スイッチング・ブリッジ42Bの入力端は接地
されている。本発明によれば、図7に関して後述する4
つの同様のスイッチング・ブリッジを含んでいる。この
代表として、スイッチング・ブリッジ42A及び42B
(まとめてスイッチング・ブリッジ42と記す。)を図
示している。スイッチング・ブリッジ42は、4個1組
のショットキー・スイッチング・ダイオード420A、
420B、420C及び420Dから構成される。スイ
ッチング・ブリッジ42の入力端は、ダイオード420
A及び420Bの接続点に形成される。スイッチング・
ブリッジ42の出力端は、ダイオード420C及び42
0Dの接続点に形成され、蓄積コンデンサ44に接続さ
れる。スイッチング・ブリッジ42は、ダイオード42
0A、420B、420C及び420Dに順方向に電流
が流れる時にオン状態となり、ダイオード420A、4
20B、420C及び420Dが逆バイアスになり、こ
れらのダイオードに電流が流れなくなる時にオフ状態と
なる。
【0026】動作を説明する。スイッチング・ブリッジ
42を流れる電流の制御は以下のように行われる。1対
の電流源422A及び422Bの各々は、差動スイッチ
ング・トランジスタ対424A/424B及び426A
/426Bのエミッタに夫々別々に接続されている。一
方のスイッチング・トランジスタ対のコレクタが他方の
スイッチング・トランジスタ対のコレクタに交差接続さ
れ、電流スイッチ回路が形成されている。トランジスタ
424Aのベースは、このスイッチ回路の正入力端42
8を形成し、トランジスタ426Bのベースは、同スイ
ッチ回路の負入力端を形成している。電流源422A及
び422Bの出力電流は、正入力端428及び負入力端
430に供給される信号の制御に基づき、スイッチ回路
のノード432A及び432Bの何れか一方に流れる電
流を発生する。ノード432A及び432Bは、1対の
カスコード接続されたトランジスタ432A及び432
Bによりスイッチング・ブリッジ42から緩衝されてい
る。1対のクランプ・ダイオード436A及び436B
は、スイッチング・ブリッジ42に印加される逆バイア
ス電圧を制限する。この制限された逆バイアス電圧によ
り、ダイオード420A、420B、420C及び42
0Dの蓄積電荷及び漏れ電流が低減し、スイッチング時
間が短くなって高速動作し、電圧の誤差を低減する。
42を流れる電流の制御は以下のように行われる。1対
の電流源422A及び422Bの各々は、差動スイッチ
ング・トランジスタ対424A/424B及び426A
/426Bのエミッタに夫々別々に接続されている。一
方のスイッチング・トランジスタ対のコレクタが他方の
スイッチング・トランジスタ対のコレクタに交差接続さ
れ、電流スイッチ回路が形成されている。トランジスタ
424Aのベースは、このスイッチ回路の正入力端42
8を形成し、トランジスタ426Bのベースは、同スイ
ッチ回路の負入力端を形成している。電流源422A及
び422Bの出力電流は、正入力端428及び負入力端
430に供給される信号の制御に基づき、スイッチ回路
のノード432A及び432Bの何れか一方に流れる電
流を発生する。ノード432A及び432Bは、1対の
カスコード接続されたトランジスタ432A及び432
Bによりスイッチング・ブリッジ42から緩衝されてい
る。1対のクランプ・ダイオード436A及び436B
は、スイッチング・ブリッジ42に印加される逆バイア
ス電圧を制限する。この制限された逆バイアス電圧によ
り、ダイオード420A、420B、420C及び42
0Dの蓄積電荷及び漏れ電流が低減し、スイッチング時
間が短くなって高速動作し、電圧の誤差を低減する。
【0027】実施例によれば、スイッチング・ブリッジ
42がオフ状態の時、電圧源VCCから抵抗器438Bを
介してトランジスタ434Bのコレクタに電流が流れ
る。また、スイッチング・ブリッジ42がオフ状態の
時、トランジスタ434Aのコレクタに電流が流れない
ので、電圧源VCCから抵抗器438A及びクランプ・ダ
イオード436Aを介して電流が流れる。トランジスタ
434Bのコレクタ電圧は、クランプ・ダイオード43
6Bの導通により、クランプ電圧から1個のダイオード
の順方向電圧降下した電圧にクランプされる。トランジ
スタ434Aのコレクタ電圧は、クランプ・ダイオード
436Aの導通により、クランプ電圧から1個のダイオ
ードの順方向電圧分だけ高い電圧にクランプされる。ス
イッチング・ブリッジ42の両端間の逆バイアス電圧
は、クランプ・ダイオード436A及び436Bが導通
した時、これらのダイオードの両端間の順方向電圧降下
により与えられる。ダイオード420A、420B、4
20C及び420Dが逆バイアスの時、これらのダイオ
ードは導通が阻止され、高抵抗状態によりブリッジ入力
を蓄積コンデンサ44から効果的に絶縁する。
42がオフ状態の時、電圧源VCCから抵抗器438Bを
介してトランジスタ434Bのコレクタに電流が流れ
る。また、スイッチング・ブリッジ42がオフ状態の
時、トランジスタ434Aのコレクタに電流が流れない
ので、電圧源VCCから抵抗器438A及びクランプ・ダ
イオード436Aを介して電流が流れる。トランジスタ
434Bのコレクタ電圧は、クランプ・ダイオード43
6Bの導通により、クランプ電圧から1個のダイオード
の順方向電圧降下した電圧にクランプされる。トランジ
スタ434Aのコレクタ電圧は、クランプ・ダイオード
436Aの導通により、クランプ電圧から1個のダイオ
ードの順方向電圧分だけ高い電圧にクランプされる。ス
イッチング・ブリッジ42の両端間の逆バイアス電圧
は、クランプ・ダイオード436A及び436Bが導通
した時、これらのダイオードの両端間の順方向電圧降下
により与えられる。ダイオード420A、420B、4
20C及び420Dが逆バイアスの時、これらのダイオ
ードは導通が阻止され、高抵抗状態によりブリッジ入力
を蓄積コンデンサ44から効果的に絶縁する。
【0028】スイッチング・ブリッジ42をオン状態に
する為に、正入力端428を正方向に負入力端430を
負方向に駆動し、上述のスイッチ回路によりトランジス
タ434Bからトランジスタ434Aにスイッチング電
流を流す。この瞬間、電圧源VCCから抵抗器438Aを
介してトランジスタ434Aのコレクタに電流が流れ
る。しかし、電圧源VCCから抵抗器438B並びにダイ
オード420A、420B、420C及び420Dを介
してトランジスタ434Aのコレクタにも電流が流れ、
スイッチング・ブリッジ42がオン状態となる。ダイオ
ード420A、420B、420C及び420Dが導通
すると、低抵抗状態となり、ブリッジは蓄積コンデンサ
44に有効に接続される。
する為に、正入力端428を正方向に負入力端430を
負方向に駆動し、上述のスイッチ回路によりトランジス
タ434Bからトランジスタ434Aにスイッチング電
流を流す。この瞬間、電圧源VCCから抵抗器438Aを
介してトランジスタ434Aのコレクタに電流が流れ
る。しかし、電圧源VCCから抵抗器438B並びにダイ
オード420A、420B、420C及び420Dを介
してトランジスタ434Aのコレクタにも電流が流れ、
スイッチング・ブリッジ42がオン状態となる。ダイオ
ード420A、420B、420C及び420Dが導通
すると、低抵抗状態となり、ブリッジは蓄積コンデンサ
44に有効に接続される。
【0029】本発明では、スイッチング・ブリッジ42
としては、高速のトラック・ホールド回路構成が用いら
れ、蓄積コンデンサ44の好適容量値は、0.2pFで
あり、この容量は、浮遊容量とスイッチング・ブリッジ
42の出力端子の金属導体とで与えられる。蓄積コンデ
ンサ44に蓄積された電荷の漏れを最少にして、広帯域
信号路を維持する為に、高インピーダンスの緩衝段が複
合接続したトランジスタ430A、430B及び430
Cにより形成されている。この緩衝段は、トランジスタ
430B及び430Cのエミッタに出力を発生する。こ
の結果、高速のトラック・ホールド段40は、非常に広
いトラッキング帯域幅を有するが、出力432の電圧の
大きな低下の原因となる蓄積コンデンサ44の電荷の漏
れの発生する前の電荷保持時間が比較的短くなる。
としては、高速のトラック・ホールド回路構成が用いら
れ、蓄積コンデンサ44の好適容量値は、0.2pFで
あり、この容量は、浮遊容量とスイッチング・ブリッジ
42の出力端子の金属導体とで与えられる。蓄積コンデ
ンサ44に蓄積された電荷の漏れを最少にして、広帯域
信号路を維持する為に、高インピーダンスの緩衝段が複
合接続したトランジスタ430A、430B及び430
Cにより形成されている。この緩衝段は、トランジスタ
430B及び430Cのエミッタに出力を発生する。こ
の結果、高速のトラック・ホールド段40は、非常に広
いトラッキング帯域幅を有するが、出力432の電圧の
大きな低下の原因となる蓄積コンデンサ44の電荷の漏
れの発生する前の電荷保持時間が比較的短くなる。
【0030】スイッチング・ブリッジ42の別の構成
が、図1の低速トラック・ホールド段50に用いられ
る。スイッチング・ブリッジ52A及び52Bは、ショ
ットキー・ダイオードよりスイッチングが低速だがオフ
状態の漏れ電流が少ないダイオード接続のバイポーラ・
トランジスタで構成されている。蓄積コンデンサ44及
びトランジスタ430は、図8の回路により置換され
る。図1の蓄積コンデンサ54A及び54Bを約1.5
pFの容量の蓄積コンデンサ44で表している。蓄積コ
ンデンサ54からの漏れ電流を更に低減する為に、図7
のトランジスタ430で構成された緩衝段をFET段5
40で置換する。この結果、低速のトラック・ホールド
段50は、必要なサンプリング性能に応じて、スイッチ
や非ブリッジ構成その他形式の回路により中位の速度の
信号取り込み時間を実現出来る。
が、図1の低速トラック・ホールド段50に用いられ
る。スイッチング・ブリッジ52A及び52Bは、ショ
ットキー・ダイオードよりスイッチングが低速だがオフ
状態の漏れ電流が少ないダイオード接続のバイポーラ・
トランジスタで構成されている。蓄積コンデンサ44及
びトランジスタ430は、図8の回路により置換され
る。図1の蓄積コンデンサ54A及び54Bを約1.5
pFの容量の蓄積コンデンサ44で表している。蓄積コ
ンデンサ54からの漏れ電流を更に低減する為に、図7
のトランジスタ430で構成された緩衝段をFET段5
40で置換する。この結果、低速のトラック・ホールド
段50は、必要なサンプリング性能に応じて、スイッチ
や非ブリッジ構成その他形式の回路により中位の速度の
信号取り込み時間を実現出来る。
【0031】図1において、高速トラック・ホールド段
40の出力が、利得1の差動緩衝増幅器60を介して低
速トラック・ホールド段50の入力に供給される。利得
1の差動緩衝増幅器70は、低速トラック・ホールド段
50の出力をケーブル72に出力する。緩衝増幅器60
及び70は、高い同相分除去比を有し、蓄積コンデンサ
44A及び44B並びに54A及び54Bに生じるスイ
ッチング時の「ステップ現象」の発生を低減する。同様
に、蓄積コンデンサ44A及び44Bと54A及び54
Bに共通の電圧降下誤差も緩衝増幅器60及び70によ
り相殺されよう。
40の出力が、利得1の差動緩衝増幅器60を介して低
速トラック・ホールド段50の入力に供給される。利得
1の差動緩衝増幅器70は、低速トラック・ホールド段
50の出力をケーブル72に出力する。緩衝増幅器60
及び70は、高い同相分除去比を有し、蓄積コンデンサ
44A及び44B並びに54A及び54Bに生じるスイ
ッチング時の「ステップ現象」の発生を低減する。同様
に、蓄積コンデンサ44A及び44Bと54A及び54
Bに共通の電圧降下誤差も緩衝増幅器60及び70によ
り相殺されよう。
【0032】図9は、利得1の差動緩衝増幅器60の好
適実施例の構成を示す回路図である。入力段は、カスコ
ード接続された差動増幅器、トランジスタ602A、6
02B、604A及び604Bにより構成される。エミ
ッタ抵抗器606A及び606Bは、負荷抵抗器608
A及び608Bに整合しており、利得1の平衡差動入力
段を構成している。電流源610によってエミッタ電流
が供給される。トラン612A、612B、614及び
616並びに抵抗器618A、618B及び620で構
成された電流ミラー回路によりコレクタ電流が流れる。
バイアス電流は、抵抗器622とダイオード接続のトラ
ンジスタ623A、623B及び623Cとの直列回路
に流れる。抵抗器608A及び608Bの両端の緩衝増
幅器の電圧は、ダーリントン接続のエミッタ・フォロワ
段624A及び624Bにより緩衝され、差動出力信号
が発生する。この出力信号は、利得1の差動緩衝増幅器
60の場合のように、差動的に接続しても良い。
適実施例の構成を示す回路図である。入力段は、カスコ
ード接続された差動増幅器、トランジスタ602A、6
02B、604A及び604Bにより構成される。エミ
ッタ抵抗器606A及び606Bは、負荷抵抗器608
A及び608Bに整合しており、利得1の平衡差動入力
段を構成している。電流源610によってエミッタ電流
が供給される。トラン612A、612B、614及び
616並びに抵抗器618A、618B及び620で構
成された電流ミラー回路によりコレクタ電流が流れる。
バイアス電流は、抵抗器622とダイオード接続のトラ
ンジスタ623A、623B及び623Cとの直列回路
に流れる。抵抗器608A及び608Bの両端の緩衝増
幅器の電圧は、ダーリントン接続のエミッタ・フォロワ
段624A及び624Bにより緩衝され、差動出力信号
が発生する。この出力信号は、利得1の差動緩衝増幅器
60の場合のように、差動的に接続しても良い。
【0033】図1に示したシステムの信号取り込み及び
サンプリングの性能は、高速トラック・ホールド段40
と低速トラック・ホールド段50とのタイミングに依存
している。動作中、ケーブル72は、15ns(ナノ
秒)のストローブ信号をブリッジ・ドライバの入力端4
28A、430A、428B及び430Bに供給すると
共に、タイミング発生器80の正入力端702及び負入
力端704にも供給する。
サンプリングの性能は、高速トラック・ホールド段40
と低速トラック・ホールド段50とのタイミングに依存
している。動作中、ケーブル72は、15ns(ナノ
秒)のストローブ信号をブリッジ・ドライバの入力端4
28A、430A、428B及び430Bに供給すると
共に、タイミング発生器80の正入力端702及び負入
力端704にも供給する。
【0034】図1及び図10を参照して説明する。タイ
ミング発生器80は、第1段のストローブ信号の前縁に
よってトリガされ、4nsのストローブ信号をブリッジ
・ドライバ入力端428C、430C、428D及び4
30Dに供給する。蓄積コンデンサ44A及び44Bに
保持された信号は、15ns以内では殆ど減衰しないの
で、低速トラック・ホールド段50は、第2段のストロ
ーブ信号により与えられた4nsの期間中に、高速トラ
ック・ホールド段40の出力を正確に取り込んで保持す
ることが出来る。低速トラック・ホールド段50から緩
衝段を経た出力は、ストローブ信号の比較的低い周波数
に対しても安定出力を維持する。ストローブ信号の最小
繰り返し期間は、約50nsであり、これは、次の第1
段のストローブ信号の前にサンプリング回路とスイッチ
ング回路の為に35nsのセトリング・タイム(整定時
間)を与える。上述のタイミングの設定により、20M
Hzまでの信号サンプリング周波数を実現出来る。要求
性能の異なる応用例によっては、他のタイミング周期を
採用することも出来る。
ミング発生器80は、第1段のストローブ信号の前縁に
よってトリガされ、4nsのストローブ信号をブリッジ
・ドライバ入力端428C、430C、428D及び4
30Dに供給する。蓄積コンデンサ44A及び44Bに
保持された信号は、15ns以内では殆ど減衰しないの
で、低速トラック・ホールド段50は、第2段のストロ
ーブ信号により与えられた4nsの期間中に、高速トラ
ック・ホールド段40の出力を正確に取り込んで保持す
ることが出来る。低速トラック・ホールド段50から緩
衝段を経た出力は、ストローブ信号の比較的低い周波数
に対しても安定出力を維持する。ストローブ信号の最小
繰り返し期間は、約50nsであり、これは、次の第1
段のストローブ信号の前にサンプリング回路とスイッチ
ング回路の為に35nsのセトリング・タイム(整定時
間)を与える。上述のタイミングの設定により、20M
Hzまでの信号サンプリング周波数を実現出来る。要求
性能の異なる応用例によっては、他のタイミング周期を
採用することも出来る。
【0035】図11は、タイミング発生器80の好適実
施例の構成を示す回路図である。増幅器/スイッチ段7
06は、エミッタ結合トランジスタ対706A及び70
6Bの周囲に形成されている。比較段708は、エミッ
タ結合トランジスタ708A及び708Bの周囲に形成
され、差動ANDゲート710は、トランジスタ71、
710B、711A及び711Bの周囲に形成され、出
力段712は、トランジスタ712A、712B、71
4A及び714Bの周囲に形成されている。
施例の構成を示す回路図である。増幅器/スイッチ段7
06は、エミッタ結合トランジスタ対706A及び70
6Bの周囲に形成されている。比較段708は、エミッ
タ結合トランジスタ708A及び708Bの周囲に形成
され、差動ANDゲート710は、トランジスタ71、
710B、711A及び711Bの周囲に形成され、出
力段712は、トランジスタ712A、712B、71
4A及び714Bの周囲に形成されている。
【0036】増幅器/スイッチ段706は、第1段のス
トローブ信号を正入力端702及び負入力端704に受
ける。基準電圧VREFがトランジスタ716により出力
され、トランジスタ706のコレクタ電圧を、1対のク
ランプ・ダイオード718A及び718BによりVREF
からダイオード1個の順方向バイアス電圧だけ低い最小
値にクランプする。第1段のストローブ信号が現れない
時、トランジスタ706Aが導通し、トランジスタ70
6Bは導通しない。これにより、トランジスタ720
は、放電電流制限抵抗器724を介してコンデンサ72
2を放電する。ストローブ信号が供給されると、トラン
ジスタ706Aは非導通となり、トランジスタ706B
が導通するので、トランジスタ720は、逆方向にバイ
アスされる。コンデンサ722は、その後電流源726
により充電し得る。
トローブ信号を正入力端702及び負入力端704に受
ける。基準電圧VREFがトランジスタ716により出力
され、トランジスタ706のコレクタ電圧を、1対のク
ランプ・ダイオード718A及び718BによりVREF
からダイオード1個の順方向バイアス電圧だけ低い最小
値にクランプする。第1段のストローブ信号が現れない
時、トランジスタ706Aが導通し、トランジスタ70
6Bは導通しない。これにより、トランジスタ720
は、放電電流制限抵抗器724を介してコンデンサ72
2を放電する。ストローブ信号が供給されると、トラン
ジスタ706Aは非導通となり、トランジスタ706B
が導通するので、トランジスタ720は、逆方向にバイ
アスされる。コンデンサ722は、その後電流源726
により充電し得る。
【0037】比較段708は、コンデンサ722の減衰
電圧による電荷の蓄積による電圧とVREFとの間の電位
差を検出する。第1段のストローブ信号を受けてから4
ns後に、比較段708は、コンデンサ722上の傾斜
電圧が基準電圧VREFより低くなったことを検出し、ト
ランジスタ708Bが導通し、トランジスタ708Aが
非導通となる。この結果、1対の負荷抵抗器728A及
び728Bの両端間に電位差が発生し、この電圧が1対
のエミッタ・フォロワ730A及び730Bを介してト
ランジスタ710に供給される。このようにして、第1
段のストローブ信号から4ns遅延した信号が差動AN
Dゲート段710に供給される。
電圧による電荷の蓄積による電圧とVREFとの間の電位
差を検出する。第1段のストローブ信号を受けてから4
ns後に、比較段708は、コンデンサ722上の傾斜
電圧が基準電圧VREFより低くなったことを検出し、ト
ランジスタ708Bが導通し、トランジスタ708Aが
非導通となる。この結果、1対の負荷抵抗器728A及
び728Bの両端間に電位差が発生し、この電圧が1対
のエミッタ・フォロワ730A及び730Bを介してト
ランジスタ710に供給される。このようにして、第1
段のストローブ信号から4ns遅延した信号が差動AN
Dゲート段710に供給される。
【0038】差動ANDゲート段710は、第1段のス
トローブ信号をトランジスタ711A及び711Bを介
して受ける。この第1段のストローブ信号と、エミッタ
・フォロワ730A及び730Bから受けた4nsの信
号との論理積をとり、その出力が1対の負荷抵抗器73
4A及び734Bの両端に得られる。出力段712は、
トランジスタ712A及び712BにこのAND信号を
受け、レベル・シフトとクランプ動作をダイオード73
6A、736B、736C及び736Dにより実行し、
トランジスタ714A及び714Bのエミッタに第2段
のストローブ信号を発生する。
トローブ信号をトランジスタ711A及び711Bを介
して受ける。この第1段のストローブ信号と、エミッタ
・フォロワ730A及び730Bから受けた4nsの信
号との論理積をとり、その出力が1対の負荷抵抗器73
4A及び734Bの両端に得られる。出力段712は、
トランジスタ712A及び712BにこのAND信号を
受け、レベル・シフトとクランプ動作をダイオード73
6A、736B、736C及び736Dにより実行し、
トランジスタ714A及び714Bのエミッタに第2段
のストローブ信号を発生する。
【0039】上述のように、本発明のプローブ装置は、
正確に且つ安定的に高速信号をサンプリングすることが
可能であり、広範囲の電圧及び周波数の入力信号を検出
可能である。このプローブ装置は、広帯域特性を備え、
入力静電容量が低く、損傷しにくく、信号のアベレーシ
ョンも少ない。更に、低電圧で動作可能であり、ケーブ
ルの捩れや曲がりに対しても影響を受けない。
正確に且つ安定的に高速信号をサンプリングすることが
可能であり、広範囲の電圧及び周波数の入力信号を検出
可能である。このプローブ装置は、広帯域特性を備え、
入力静電容量が低く、損傷しにくく、信号のアベレーシ
ョンも少ない。更に、低電圧で動作可能であり、ケーブ
ルの捩れや曲がりに対しても影響を受けない。
【0040】以上本発明の好適実施例について説明した
が、本発明はここに説明した実施例のみに限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱することなく必要に応
じて種々の変形及び変更を実施し得ることは当業者には
明らかである。
が、本発明はここに説明した実施例のみに限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱することなく必要に応
じて種々の変形及び変更を実施し得ることは当業者には
明らかである。
【0041】
【発明の効果】本発明によれば、入力信号の振幅及び直
流レベルを調整する入力緩衝増幅手段を設け、更に、高
速トラック・ホールド手段で捕らえたサンプルを低速ト
ラック・ホールド手段で更に長時間保持するように構成
したので、高速性と正確性を両立させると共に、トラッ
ク・ホールド手段の損傷を防止し、入力静電容量を低く
できるので被測定系に悪影響を与えることがなく、広帯
域特性の劣化も防止できる。
流レベルを調整する入力緩衝増幅手段を設け、更に、高
速トラック・ホールド手段で捕らえたサンプルを低速ト
ラック・ホールド手段で更に長時間保持するように構成
したので、高速性と正確性を両立させると共に、トラッ
ク・ホールド手段の損傷を防止し、入力静電容量を低く
できるので被測定系に悪影響を与えることがなく、広帯
域特性の劣化も防止できる。
【図1】本発明の一実施例の構成を示す回路図である。
【図2】本発明の一実施例の部品構成を示す平面図であ
る。
る。
【図3】図2の装置の一部分の底面図である。
【図4】図1の入力緩衝増幅器の一実施例を示す回路図
である。
である。
【図5】図4のトラッキング電流源の一実施例を示す回
路図である。
路図である。
【図6】図4のトラッキング電流源の他の実施例を示す
回路図である。
回路図である。
【図7】本発明に係るトラック・ホールド回路内のサン
プリング・ブリッジ、ブリッジ・ドライバ及び緩衝増幅
器の一実施例を示す回路図である。
プリング・ブリッジ、ブリッジ・ドライバ及び緩衝増幅
器の一実施例を示す回路図である。
【図8】図7の緩衝増幅器の別の実施例の回路図であ
る。
る。
【図9】利得1の緩衝増幅器の実施例を示す回路図であ
る。
る。
【図10】本発明の一実施例の動作を説明する為のタイ
ミング波形図である。
ミング波形図である。
【図11】本発明に係るタイミング発生器の一実施例を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図12】従来のプローブ装置及び測定器のシステムの
一例を示す斜視図である。
一例を示す斜視図である。
312 プローブ・チップ 30 入力緩衝増幅器 40 第1(高速)トラック・ホールド回路 50 第2(低速)トラック・ホールド回路 80 タイミング発生器
Claims (1)
- 【請求項1】 電気信号に接触するプローブ手段と、 該プローブ手段からの入力信号の振幅及び直流レベルを
調整する入力緩衝増幅手段と、 ストローブ信号に応じて第1の時間間隔中、上記入力信
号調整手段の出力信号を蓄積する第1トラック・ホール
ド手段と、 上記ストローブ信号に応じて上記第1の時間間隔より長
い第2の時間間隔を発生するタイミング発生手段と、 上記第2の時間間隔中に上記第1トラック・ホールド手
段の出力信号を蓄積する第2トラック・ホールド手段と
を備えることを特徴とするサンプリング・プローブ装
置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/773,057 US5225776A (en) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | Method and apparatus for probing and sampling an electrical signal |
US773057 | 1991-10-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0627140A true JPH0627140A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=25097073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4291933A Pending JPH0627140A (ja) | 1991-10-07 | 1992-10-07 | サンプリング・プローブ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5225776A (ja) |
JP (1) | JPH0627140A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007171184A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Tektronix Inc | アクセサリ・デバイス電圧管理システム |
JP2015040858A (ja) * | 2013-08-22 | 2015-03-02 | テクトロニクス・インコーポレイテッドTektronix,Inc. | プローブ及びその使用方法 |
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US8542005B2 (en) | 2010-04-28 | 2013-09-24 | Teradyne, Inc. | Connecting digital storage oscilloscopes |
US8502522B2 (en) | 2010-04-28 | 2013-08-06 | Teradyne, Inc. | Multi-level triggering circuit |
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1991
- 1991-10-07 US US07/773,057 patent/US5225776A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-10-07 JP JP4291933A patent/JPH0627140A/ja active Pending
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Also Published As
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---|---|
US5225776A (en) | 1993-07-06 |
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