JPH062679U - Semiconductor material fluid supply device - Google Patents
Semiconductor material fluid supply deviceInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体材料ガスの容器(ボンベ)交換及び残
溜ガスパージの作業に一般工事配管のガスを利用する。
【構成】 半導体材料ガスパージとしてバッファタンク
11′を設け、そのタンク11′内に工場配管14から
の不活性ガスを一定量(圧力10kg/cm2未満)充
填し、その不活性ガスをパージ用として利用する。
(57) [Summary] [Purpose] Use the gas from the general work piping for semiconductor material gas container (cylinder) replacement and residual gas purge work. [Structure] A buffer tank 11 'is provided as a semiconductor material gas purge, and the tank 11' is filled with a certain amount (pressure less than 10 kg / cm 2 ) of an inert gas from a factory pipe 14, and the inert gas is used for purging. To use.
Description
【0001】[0001]
本考案は、半導体材料流体供給装置(シリンダボックス)、特に装置内部の容 器交換及び配管内の残溜ガスパージを行う機構に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor material fluid supply device (cylinder box), and more particularly to a mechanism for replacing a container inside the device and purging residual gas in a pipe.
【0002】[0002]
図2は、従来の半導体材料ガス供給装置を示す配管系統図である。 FIG. 2 is a piping system diagram showing a conventional semiconductor material gas supply device.
【0003】 図2において、容器(ボンベ)1の元栓2を閉じた状態で遮断弁3を開き減圧 弁4を通して、排出バルブ5を開いて残溜ガスを排出する。In FIG. 2, with the main plug 2 of the container (cylinder) 1 closed, the shutoff valve 3 is opened, the pressure reducing valve 4 is passed, and the discharge valve 5 is opened to discharge the residual gas.
【0004】 その後パージガス導入バルブ7を開き不活性ガスボンベ11から不活性ガス( N2ガス)を流し、配管内の残溜ガスをパージする。その際に不活性ガス側に半 導体材料ガスの在留ガスが逆流しないように配管系に圧力スイッチ8と自動弁9 及び逆流防止弁10を設けてある。After that, the purge gas introduction valve 7 is opened to flow an inert gas (N 2 gas) from the inert gas cylinder 11 to purge the residual gas in the pipe. At this time, a pressure switch 8, an automatic valve 9 and a backflow prevention valve 10 are provided in the piping system so that the residual gas of the semiconductor material gas does not flow back to the inert gas side.
【0005】[0005]
ところが、不活性ガスとしてN2ガスボンベを利用すると、1本或いは2本の 半導体材料ガスボンベ1当り1本の割合で不活性ガスボンベ11を使用すること になり、高圧ガス取締法から見て保管量が増大する(届け出をすれば別)。However, if an N 2 gas cylinder is used as the inert gas, one or two semiconductor material gas cylinders will be used at a ratio of one inert gas cylinder 11, and the amount of storage will be small in view of the High Pressure Gas Control Law. Increase (except if notified).
【0006】 また工場内配管ガスの利用の方法があるが、操作ミスなどによる配管系に逆流 発生などの危険性の問題点があった。Further, there is a method of using piping gas in a factory, but there is a problem of a risk such as occurrence of backflow in the piping system due to an operation error or the like.
【0007】 本考案の目的は、不活性ガスボンベ保管量の増大を抑えた半導体材料流体供給 装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor material fluid supply device that suppresses an increase in the storage amount of an inert gas cylinder.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】 前記目的を達成するため、本考案に係る半導体材料流体供給装置は、流体供給 配管系及びパージ流体供給配管系と、バッファタンクとを有し、半導体材料ガス 等の有害流体利用設備に使用する半導体材料流体供給装置であって、 流体供給配管系は、半導体材料ガス等の流体を供給するものであり、 パージ流体供給配管系は、パージ用流体を流体供給配管系に供給するものであ り、 バッファタンクは、流体取入口を工場配管に、流体取出口をパージ流体供給配 管系にそれぞれ弁機構を介して連通・遮断可能に接続し、工場配管内の低圧の流 体を一時貯蔵するものである。In order to achieve the above object, a semiconductor material fluid supply device according to the present invention has a fluid supply piping system, a purge fluid supply piping system, and a buffer tank. Is a semiconductor material fluid supply device for use in the hazardous fluid utilization facility of, the fluid supply piping system supplies fluid such as semiconductor material gas, and the purge fluid supply piping system supplies the purging fluid to the fluid supply piping. The buffer tank connects the fluid intake port to the factory piping and the fluid intake port to the purge fluid supply piping system so that they can communicate and shut off via the valve mechanism. It temporarily stores low-pressure fluid.
【0009】[0009]
図1に示すようにガス供給装置の配管系統は既存のままで、パージ用不活性ボ ンベの代りに空容器ボンベ或いはボンベ相当品を設け、工場配管の不活性ガスを 一旦貯え、その後配管系ガス導入側を閉じ、貯えた不活性ガスをパージガスとし て供給する。 As shown in Fig. 1, the piping system of the gas supply system remains the same as before, but instead of the inert gas for purging, an empty container cylinder or a cylinder equivalent product is installed to temporarily store the inert gas in the factory piping and then the piping system. The gas inlet side is closed and the stored inert gas is supplied as purge gas.
【0010】[0010]
以下、本考案の一実施例を図により説明する。図1は、本考案の一実施例に係 るガス供給装置を示す配管図である。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a piping diagram showing a gas supply device according to an embodiment of the present invention.
【0011】 図1において、半導体材料ガスボンベ1に取付けた元栓2の出口に2系統の配 管系L1,L2を接続する。In FIG. 1, two pipes L 1 and L 2 are connected to the outlet of a main plug 2 attached to a semiconductor material gas cylinder 1.
【0012】 2系統の配管系L1,L2のうち、一方の配管系L1には遮断弁3と、減圧弁4 と、排出バルブ5と、送気バルブ6とが設けられている。[0012] piping system L 1 of the two systems, one of L 2, the shut-off valve 3 in one of the pipeline L 1, a pressure reducing valve 4, the exhaust valve 5 is provided with air valve 6.
【0013】 本考案では、他方の配管系L2に、不活性導入バルブ7と、圧力スイッチ8と 、自動弁9と、逆止弁10とを有し、該配管系L2の末端をバッファタンク11 ′のガス取出口に接続してある。In the present invention, the other piping system L 2 has an inert introduction valve 7, a pressure switch 8, an automatic valve 9 and a check valve 10, and the end of the piping system L 2 is buffered. It is connected to the gas outlet of the tank 11 '.
【0014】 さらに、バッファタンク11′のガス取入口には、工場配管14が接続してあ る。また、バッファタンク11′のガス取入口と工場配管14との間には、自動 弁13及び圧力スイッチ12が取付けられている。Further, a factory pipe 14 is connected to the gas inlet of the buffer tank 11 '. An automatic valve 13 and a pressure switch 12 are mounted between the gas intake of the buffer tank 11 'and the factory piping 14.
【0015】 ここに、工場配管14は、半導体装置製造工程に間接的に関与する半導体材料 ガスの置換等の作業を行うために工場内に敷設されたものであり、その内部を流 れるガスは不活性ガスであって、その圧力値は、高圧ガス取締法で決められた消 費圧力値10kg/cm2未満である。Here, the factory piping 14 is laid inside the factory to perform operations such as replacement of the semiconductor material gas that is indirectly involved in the semiconductor device manufacturing process, and the gas flowing inside the factory piping 14 is It is an inert gas, and its pressure value is less than the consumption pressure value of 10 kg / cm 2 determined by the High Pressure Gas Control Law.
【0016】 バッファタンク11′では、不活性ガス導入バルブ7を閉じた状態で工場配管 14から10kg/cm2以下の圧力値をもつ不活性ガスが導入される。バッフ ァタンク11′内の圧力値が10kg/cm2未満に設定した値に達した時点で 圧力スイッチ12及び自動弁13が差動して工場配管14からの不活性ガスの供 給が停止される構成になっている。In the buffer tank 11 ′, an inert gas having a pressure value of 10 kg / cm 2 or less is introduced from the factory piping 14 with the inert gas introduction valve 7 closed. When the pressure value in the buffer tank 11 'reaches a value set to less than 10 kg / cm 2 , the pressure switch 12 and the automatic valve 13 are actuated to stop the supply of the inert gas from the factory piping 14. It is configured.
【0017】 実施例において、半導体材料ガスボンベ1の元栓2を閉じるとともに、遮蔽弁 3及び排出バルブ5を開き、減圧弁4を通して残溜ガスを配管系L1から排出す る。In the embodiment, the main valve 2 of the semiconductor material gas cylinder 1 is closed, the shielding valve 3 and the discharge valve 5 are opened, and the residual gas is discharged from the piping system L 1 through the pressure reducing valve 4.
【0018】 次に、パージガス導入バルブ7を開き、バッファタンク11′内の不活性ガス を配管系L2に通して配管系L1に導入し、配管系L1内をパージする。Next, open a purge gas introduction valve 7, and introduced into the piping system L 1 through the inert gas in the buffer tank 11 'to the piping system L 2, to purge the inside of the piping system L 1.
【0019】 その際、配管系L2からバッファタンク11′内への逆流は、圧力スイッチ8 と自動弁9と逆流防止弁10により阻止される。At this time, the backflow from the piping system L 2 into the buffer tank 11 ′ is blocked by the pressure switch 8, the automatic valve 9 and the backflow prevention valve 10.
【0020】 また、バッファタンク11′から工場配管14への逆流は、圧力スイッチ12 及び自動弁13により阻止される。The reverse flow from the buffer tank 11 ′ to the factory pipe 14 is blocked by the pressure switch 12 and the automatic valve 13.
【0021】 尚、実施例では、不活性ガスとしてN2ガスを使用しているが、N2ガスに限定 されるものではない。また、本考案は、薬液の圧送にも利用できるという利点が ある。In the embodiment, N 2 gas is used as the inert gas, but it is not limited to N 2 gas. Further, the present invention has an advantage that it can also be used for pumping a chemical solution.
【0022】[0022]
以上説明したように本考案は、高圧ガス取締法で決められた消費圧力値未満の 不活性ガスを工場配管からバッファタンク内に導入して一旦貯蔵し、そのバッフ ァタンク内の不活性ガスを用いてパージを行うため、半導体材料ガスボンベと組 をなす高圧の不活性ガスボンベを使用する必要がなくなる。 As described above, the present invention uses the inert gas in the buffer tank to store the inert gas, which is less than the consumption pressure value determined by the High Pressure Gas Control Law, by introducing it from the factory piping into the buffer tank and temporarily storing it. Since the purging is performed by using the semiconductor material gas cylinder, it is not necessary to use a high-pressure inert gas cylinder in combination with the semiconductor material gas cylinder.
【0023】 従来でも不活性ガスボンベ内の高圧の不活性ガスボンベを低圧に圧力を下げて パージガスとしているが、ボンベそのものの内部圧力は150kg/cm2とい う高圧であるため、その保管量の増大により高圧ガス取締法による届出を必要と する。[0023] are the conventional, even by lowering the pressure of an inert gas cylinder to the low pressure of the high pressure in the inert gas cylinder purge gas, but since the internal pressure of the cylinder itself is 150 kg / cm 2 gutter cormorants pressure, the increase of its storage volume Notification by the High Pressure Gas Control Law is required.
【0024】 これに対して本考案は、半導体産業上必要な工場配管内の不活性ガスを使用し ている。このガス圧力は10kg/cm2以下であり、その取扱いが容易、かつ 安全であることに着目し、このガスを用いてパージを行うものである。On the other hand, the present invention uses the inert gas in the factory piping which is necessary for the semiconductor industry. This gas pressure is 10 kg / cm 2 or less, and attention is paid to its easy handling and safety, and purging is performed using this gas.
【0025】 本考案は、この低圧ガスを有効利用するため、工場配管をバッファタンク内に 一旦貯蔵し、バッファタンクを工場配管から遮断して該バッファタンクからパー ジガスとして供給する構造とし、操作ミス等による工場配管への逆流防止対策を 施して安全な作業を行うことができるという効果を有する。In order to effectively use this low-pressure gas, the present invention has a structure in which the factory piping is temporarily stored in the buffer tank, the buffer tank is shut off from the factory piping, and is supplied as purge gas from the buffer tank. It has the effect that safe work can be performed by taking measures to prevent backflow into the factory piping.
【図1】本考案の一実施例に係るガス供給装置を示す配
管図である。FIG. 1 is a piping diagram showing a gas supply device according to an embodiment of the present invention.
【図2】従来例に係るガス供給装置を示す配管図であ
る。FIG. 2 is a piping diagram showing a gas supply device according to a conventional example.
1 半導体材料ガスボンベ 2 元栓 3 遮断弁 4 減圧弁 5 排出バルブ 6 送気バルブ 7 パージガス導入バルブ 8 圧力スイッチ 9 自動弁 10 逆止弁 11 不活性ガスボンベ 11′ バッファタンク 12 圧力スイッチ 13 自動弁 14 工場配管 1 semiconductor material gas cylinder 2 main stopper 3 shut-off valve 4 pressure reducing valve 5 discharge valve 6 air supply valve 7 purge gas introduction valve 8 pressure switch 9 automatic valve 10 check valve 11 inert gas cylinder 11 'buffer tank 12 pressure switch 13 automatic valve 14 factory piping
Claims (1)
系と、バッファタンクとを有し、半導体材料ガス等の有
害流体利用設備に使用する半導体材料流体供給装置であ
って、 流体供給配管系は、半導体材料ガス等の流体を供給する
ものであり、 パージ流体供給配管系は、パージ用流体を流体供給配管
系に供給するものであり、 バッファタンクは、流体取入口を工場配管に、流体取出
口をパージ流体供給配管系にそれぞれ弁機構を介して連
通・遮断可能に接続し、工場配管内の低圧の流体を一時
貯蔵するものであることを特徴とする半導体材料流体供
給装置。1. A semiconductor material fluid supply device having a fluid supply piping system, a purge fluid supply piping system, and a buffer tank for use in a facility for utilizing a harmful fluid such as a semiconductor material gas, wherein the fluid supply piping system is , A fluid such as semiconductor material gas, the purge fluid supply piping system supplies the purging fluid to the fluid supply piping system, and the buffer tank uses the fluid intake port to the factory piping and the fluid intake A semiconductor material fluid supply device, characterized in that the outlet is connected to a purge fluid supply pipe system via a valve mechanism so that they can communicate with each other and can be shut off, to temporarily store a low-pressure fluid in a factory pipe.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4482292U JPH062679U (en) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | Semiconductor material fluid supply device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4482292U JPH062679U (en) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | Semiconductor material fluid supply device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH062679U true JPH062679U (en) | 1994-01-14 |
Family
ID=12702150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4482292U Pending JPH062679U (en) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | Semiconductor material fluid supply device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH062679U (en) |
-
1992
- 1992-06-04 JP JP4482292U patent/JPH062679U/en active Pending
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