JPH06258144A - Temperature sensor - Google Patents
Temperature sensorInfo
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- JPH06258144A JPH06258144A JP6941793A JP6941793A JPH06258144A JP H06258144 A JPH06258144 A JP H06258144A JP 6941793 A JP6941793 A JP 6941793A JP 6941793 A JP6941793 A JP 6941793A JP H06258144 A JPH06258144 A JP H06258144A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、温度センサに関し、詳
しくは、被測定対象の温度を正確に測定できる小型・軽
量の温度センサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temperature sensor, and more particularly to a small and lightweight temperature sensor capable of accurately measuring the temperature of an object to be measured.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、温度センサ、特に被測定対象から
の放射エネルギーによりその温度を測定する温度センサ
としては、サーモパイル装置がある。2. Description of the Related Art Conventionally, as a temperature sensor, particularly a temperature sensor for measuring its temperature by radiation energy from an object to be measured, there is a thermopile device.
【０００３】従来のサーモパイル装置は、ケーシングに
よりその内部に所定の大きさを有する中空部が形成さ
れ、中空部内には、基板が配設されている。基板には、
１対の電極が接続されており、電極には、サーモパイル
が接続されている。このサーモパイルと基板とは、電極
により所定の間隔が設けられている。サーモパイルは、
複数の熱電対を直列に接続したものが使用され、その温
接点が中空部の中央部に、その冷接点がヒートシンクの
周辺部に設けられている。このサーモパイルの温接点の
上部には、赤外線フィルタが設けられており、この赤外
線フィルタの位置する部分のケーシングには、外部から
の放射線を赤外線フィルタに導入する窓が形成されてい
る。また、前記基板には、２本リード端子が接続されて
おり、リード端子は、基板を介してそれぞれ電極に接続
されている。In the conventional thermopile device, a hollow portion having a predetermined size is formed inside the casing, and a substrate is arranged in the hollow portion. On the board
A pair of electrodes are connected, and a thermopile is connected to the electrodes. The thermopile and the substrate are provided with a predetermined gap by an electrode. Thermopile is
A plurality of thermocouples connected in series is used, with its hot junction provided at the center of the hollow portion and its cold junction provided at the peripheral portion of the heat sink. An infrared filter is provided above the hot junction of the thermopile, and a window for introducing radiation from the outside to the infrared filter is formed in the casing of the portion where the infrared filter is located. Also, two lead terminals are connected to the substrate, and the lead terminals are connected to the electrodes via the substrate.
【０００４】したがって、サーモパイル装置は、ケーシ
ングの窓及び赤外線フィルタを通して、被測定対象から
の赤外線が中空部内に導入され、サーモパイルの温接点
に照射される。このサーモパイルの温接点は、照射され
る赤外線により温度が上昇し、サーモパイル６は、この
温接点と冷接点との温度差に対応する出力電圧を前記電
極を介して出力する。Therefore, in the thermopile device, the infrared rays from the object to be measured are introduced into the hollow portion through the window of the casing and the infrared filter, and the hot junction of the thermopile is irradiated with the infrared rays. The temperature of the hot junction of the thermopile rises due to the infrared rays emitted, and the thermopile 6 outputs an output voltage corresponding to the temperature difference between the hot junction and the cold junction via the electrode.
【０００５】すなわち、従来のサーモパイル装置は、そ
のサーモパイルの冷接点の温度を基準温度とし、この冷
接点の基準温度と被測定対象の温度を示す温接点の温度
との温度差に対応する出力電圧を発生する。そのため、
従来のサーモパイル装置は、サーモパイルの温接点と冷
接点との温度差を正確に保持するために、中空部を充分
大きくしている。That is, in the conventional thermopile device, the temperature of the cold junction of the thermopile is used as a reference temperature, and the output voltage corresponding to the temperature difference between the reference temperature of the cold junction and the temperature of the hot junction indicating the temperature of the object to be measured. To occur. for that reason,
In the conventional thermopile device, the hollow portion is made sufficiently large in order to accurately maintain the temperature difference between the hot junction and the cold junction of the thermopile.
【０００６】そのため、従来のサーモパイル装置は、通
常、そのケーシングの幅が９．１mm、そのケーシングの
高さが６．４mm、そのリード端子の長さが１７．６mmに
形成されている。Therefore, in the conventional thermopile device, the casing width is usually 9.1 mm, the casing height is 6.4 mm, and the lead terminal length is 17.6 mm.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の温度センサにあっては、サーモパイルの温接
点と冷接点との温度差を正確に保持するため、中空部を
充分大きくしている。その結果、温度センサ自体が大型
化し、小型の電子機器等に組み込むことができないとい
う問題があった。また、このような従来の温度センサに
あっては、そのサーモパイルの冷接点を基準温度とし、
この冷接点の基準温度と被測定対象の温度を示す温接点
との温度差に対応する出力電圧を発生させていたため、
小型の電子機器等に組み込むと、その電子機器等や被測
定対象物等の影響を受け、基準温度が変化する。その結
果、基準温度を測定する別の温度センサ装置を電子機器
に組み込む必要があり、小型の電子機器等への組み込み
がさらに困難になるという問題があった。従来、この中
空部の大きさを小さくするために、サーモパイルの冷接
点部分にヒートシンクを設けるものもあるが、被測定対
象の温度が高い場合には、やはり冷接点温度が被測定対
象の温度の影響を受け、正確な温度を測定することがで
きない。また、これを防止するためにヒートシンクを大
きくすると、温度センサ自体が大型化するという問題が
あった。However, in such a conventional temperature sensor, the hollow portion is made sufficiently large in order to accurately maintain the temperature difference between the hot contact point and the cold contact point of the thermopile. As a result, there is a problem that the temperature sensor itself becomes large and cannot be incorporated in a small electronic device or the like. Further, in such a conventional temperature sensor, the cold junction of the thermopile is used as a reference temperature,
Because the output voltage corresponding to the temperature difference between the reference temperature of this cold junction and the hot junction indicating the temperature of the measured object was generated,
When incorporated in a small electronic device or the like, the reference temperature changes due to the influence of the electronic device or the object to be measured. As a result, another temperature sensor device for measuring the reference temperature needs to be incorporated in the electronic device, which makes it more difficult to incorporate it in a small electronic device or the like. Conventionally, in order to reduce the size of the hollow portion, there is a heat sink provided at the cold junction part of the thermopile. However, when the temperature of the measured object is high, the cold junction temperature is also the Affected, unable to measure accurate temperature. In addition, if the heat sink is enlarged to prevent this, the temperature sensor itself becomes large.
【０００８】そこで、本発明は、ＴＦＴを用いた高感度
で小型の温度センサを提供することを目的としている。Therefore, an object of the present invention is to provide a highly sensitive and small temperature sensor using a TFT.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の温度センサは、
基板上に形成されチャネル領域と該チャネル領域を挟ん
で相対抗するソース領域とドレイン領域とを有するシリ
コン薄膜層と、前記シリコン薄膜層を覆う絶縁膜と、前
記シリコン薄膜層上に形成されたゲート電極と、前記ソ
ース領域に接続されたソース電極と、前記ドレイン領域
に接続されたドレイン電極と、が積層されることにより
形成された温度センサであって、前記各電極にドレイン
電流がリーク電流のみとなるバイアス設定の電圧を印加
して、被測定対象からの赤外線吸収により発生するキャ
リアによるドレイン電流の変化により温度を検出するこ
とにより、上記目的を達成している。The temperature sensor of the present invention comprises:
A silicon thin film layer formed on a substrate, having a channel region and a source region and a drain region opposed to each other with the channel region interposed therebetween, an insulating film covering the silicon thin film layer, and a gate formed on the silicon thin film layer. A temperature sensor formed by stacking an electrode, a source electrode connected to the source region, and a drain electrode connected to the drain region, wherein a drain current of each electrode is only a leak current. The above-mentioned object is achieved by applying a bias setting voltage that is such that the temperature is detected by the change in the drain current due to the carriers generated by the infrared absorption from the object to be measured.
【００１０】この場合、前記基板は、例えば、請求項２
に記載するように、赤外線フィルタであってもよい。In this case, the substrate may be, for example, as defined in claim 2.
It may be an infrared filter, as described in.
【００１１】[0011]
【作用】本発明の温度センサによれば、ＴＦＴ（thin f
ilm transistor）構造を有する温度センサのゲート電
極、ドレイン電極及びソース電極に印加する電圧を、ド
レイン電流がリーク電流のみとなるバイアス設定とし、
この状態で、被測定対象からの赤外線吸収により発生す
るキャリアによるドレイン電流の変化により温度を検出
しているので、温度センサを小型・軽量なものとするこ
とができるとともに、精度良く温度を検出することがで
きる。According to the temperature sensor of the present invention, the TFT (thin f
The voltage applied to the gate electrode, the drain electrode and the source electrode of the temperature sensor having an
In this state, the temperature is detected by the change in the drain current due to the carriers generated by the infrared absorption from the object to be measured, so the temperature sensor can be made small and lightweight, and the temperature can be detected accurately. be able to.
【００１２】また、赤外線フィルタ上にＴＦＴ構造の温
度センサを形成しているので、被測定対象からの赤外線
を効率良く吸収することができ、より一層精度を向上さ
せることができる。Further, since the temperature sensor having the TFT structure is formed on the infrared filter, infrared rays from the object to be measured can be efficiently absorbed and the accuracy can be further improved.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
図１〜図４は、温度センサの一実施例を示す図である。
図１は、その温度センサ１の正面断面図であり、温度セ
ンサ１は、基板２上に熱絶縁膜３、シリコン薄膜４、絶
縁膜５、ソース電極６、ドレイン電極７及びゲート電極
８が積層されて形成されたものである。EXAMPLES The present invention will be described below based on examples.
1 to 4 are views showing an embodiment of the temperature sensor.
FIG. 1 is a front sectional view of the temperature sensor 1. The temperature sensor 1 includes a substrate 2, on which a thermal insulating film 3, a silicon thin film 4, an insulating film 5, a source electrode 6, a drain electrode 7 and a gate electrode 8 are laminated. It is formed by being formed.
【００１４】基板２は、単結晶シリコンにより形成され
ており、赤外線のみを透過して、赤外線フィルタとして
機能する。熱絶縁膜３は、温度センサ１と外部との熱を
絶縁する材料により、基板２上を全て覆うように形成さ
れている。The substrate 2 is made of single crystal silicon, transmits only infrared rays, and functions as an infrared filter. The heat insulating film 3 is formed of a material that insulates the heat between the temperature sensor 1 and the outside so as to cover the entire surface of the substrate 2.
【００１５】シリコン薄膜４は、多結晶シリコンにより
形成されており、真性多結晶シリコンからなるチャネル
領域４ａ、ｎ型多結晶シリコンからなるソース領域４ｂ
及びドレイン領域４ｃで構成されている。このシリコン
薄膜４を覆うように絶縁膜５が形成されている。The silicon thin film 4 is made of polycrystalline silicon, and has a channel region 4a made of intrinsic polycrystalline silicon and a source region 4b made of n-type polycrystalline silicon.
And a drain region 4c. An insulating film 5 is formed so as to cover the silicon thin film 4.
【００１６】ソース電極６は、絶縁膜５を挟んでシリコ
ン薄膜４のソース領域４ｂ上に形成されており、ソース
電極６は、このシリコン薄膜４のソース領域４ｂに接続
されている。また、ドレイン電極７は、絶縁膜５を挟ん
でシリコン薄膜４のドレイン領域４ｃ上に形成されてお
り、ドレイン電極７は、このシリコン薄膜４のドレイン
領域４ｃに接続されている。The source electrode 6 is formed on the source region 4b of the silicon thin film 4 with the insulating film 5 interposed therebetween, and the source electrode 6 is connected to the source region 4b of the silicon thin film 4. The drain electrode 7 is formed on the drain region 4c of the silicon thin film 4 with the insulating film 5 interposed therebetween, and the drain electrode 7 is connected to the drain region 4c of the silicon thin film 4.
【００１７】これらの上部を保護膜９が覆っており、こ
の保護膜９上を、赤外線を吸収する金属黒あるいはシリ
コンカーバイト（ＳｉＣ）からなる熱吸収膜１０で覆っ
ている。A protective film 9 covers these upper parts, and the protective film 9 is covered with a heat absorption film 10 made of metal black or silicon carbide (SiC) that absorbs infrared rays.
【００１８】次に、作用を説明する。このような構成の
温度センサ１は、被測定対象から放射された放射線が、
基板２側から照射されると、その放射線のうち赤外線の
みが基板２及び絶縁膜３を通して、シリコン薄膜４に照
射される。シリコン薄膜４は、赤外線が照射されると、
照射される赤外線の量に応じて温度が上昇し、後述する
ように、温度に対応したドレイン電流ＩD が流れる。Next, the operation will be described. In the temperature sensor 1 having such a configuration, the radiation emitted from the measurement target is
When irradiated from the substrate 2 side, only infrared rays of the radiation are irradiated to the silicon thin film 4 through the substrate 2 and the insulating film 3. When the silicon thin film 4 is irradiated with infrared rays,
The temperature rises according to the amount of infrared rays that are irradiated, and a drain current ID corresponding to the temperature flows, as described later.
【００１９】すなわち、温度センサ１は、上述のよう
に、ｎチャネルＴＦＴ構造をしているため、ゲート電極
８に正の電圧（ＶG ＞０）を印加すると、シリコン薄膜
４のチャネル層４ａとゲート電極８との間の絶縁膜５と
の界面部に電子が引き寄せられ、低抵抗のチャネルが形
成される。この状態で、ドレイン電極７に、ドレイン−
ソース電極間に５［Ｖ］の正電圧を印加すると、図２に
温度センサ１のゲート電圧ＶG −ドレイン電流ＩD 特性
曲線を示すように、ドレイン電流ＩD は、ゲート電圧Ｖ
G が０［Ｖ］あたりで急激に増加し、その後、飽和す
る。そして、このゲート電圧ＶG が正のときのドレイン
電流ＩD は、温度にほとんど依存しない。[0019] That is, the temperature sensor 1, as described above, since the n-channel TFT structure, the gate electrode 8 for applying a positive voltage (V G> 0), the channel layer 4a of the silicon thin film 4 Electrons are attracted to the interface between the gate electrode 8 and the insulating film 5, and a low-resistance channel is formed. In this state, the drain electrode 7 has a drain-
When a positive voltage of 5 [V] is applied between the source electrodes, the drain current ID becomes equal to the gate voltage V G as shown in the gate voltage VG-drain current ID characteristic curve of the temperature sensor 1 in FIG.
G increases sharply around 0 [V] and then saturates. The drain current I D when the gate voltage V G is positive hardly depends on the temperature.
【００２０】一方、ゲート電極８に負の電圧（ＶG ）を
印加すると、シリコン薄膜４のチャネル層４ａと絶縁膜
５との界面部に正孔が引き寄せられ、チャネル領域４ａ
とｎ型不純物領域であるソース領域４ｂの界面部及びチ
ャネル領域４ａとｎ型不純物領域であるドレイン領域４
ｃとの界面部にゲート電圧誘起ｐ−ｎ接合が形成され
る。この状態で、ドレイン電極７に印加するドレイン電
圧ＶD を５［Ｖ］に設定すると、ドレイン電圧ＶD は、
ドレイン領域４ｃ側のｐ−ｎ接合に集中する。Meanwhile, when a negative voltage is applied (V G) to the gate electrode 8, holes are attracted to the interface portion between the channel layer 4a and the insulating film 5 of the silicon thin film 4, a channel region 4a
And the interface between the source region 4b which is an n-type impurity region and the channel region 4a and the drain region 4 which is an n-type impurity region.
A gate voltage induced pn junction is formed at the interface with c. In this state, when the drain voltage V D applied to the drain electrode 7 is set to 5 [V], the drain voltage V D becomes
It concentrates on the pn junction on the drain region 4c side.
【００２１】このバイアス設定状態では、温度センサ１
の温度に起因して、チャネル領域４ａに発生する電子・
正孔対に起因するドレイン電流ＩD 、すなわち、リーク
電流がわずかに流れるだけである。そして、ゲート電圧
ＶG が負の状態でのドレイン電流ＩD は、図２に示す温
度センサ１の温度が１００度［Ｃ］のときの特性曲線Ｔ
１、８０度［Ｃ］のときの特性曲線Ｔ２、６０度［Ｃ］
のときの特性曲線Ｔ３及び４０度［Ｃ］のときの特性曲
線Ｔ４から分かるように、温度センサ１の温度が高くな
るに従って増加する。また、このドレイン電流ＩD の対
数ｌｏｇ（ＩD）を温度センサ１の温度Ｔの逆数（１０
００／Ｔ）でプロットすると、図３にゲート電圧ＶG が
−５［Ｖ］のときの特性曲線Ｇ１、−１５［Ｖ］のとき
の特性曲線Ｇ２、−２０［Ｖ］のときの特性曲線Ｇ３及
び−２５［Ｖ］のときの特性曲線Ｇ４で示すように、ド
レイン電圧ＶD の対数と温度の逆数は直線関係にある。In this bias setting state, the temperature sensor 1
Of electrons generated in the channel region 4a due to the temperature of
The drain current I D caused by the hole pair, that is, the leak current flows only slightly. The drain current ID when the gate voltage V G is negative is the characteristic curve T when the temperature of the temperature sensor 1 shown in FIG. 2 is 100 degrees [C].
Characteristic curve T2 at 1 and 80 degrees [C], 60 degrees [C]
As can be seen from the characteristic curve T3 in the case of and the characteristic curve T4 in the case of 40 degrees [C], the temperature increases as the temperature of the temperature sensor 1 increases. Also, the logarithm log ( ID ) of this drain current ID is the reciprocal of the temperature T of the temperature sensor 1 (10
00 / T), the characteristic curve G1 when the gate voltage V G is −5 [V], the characteristic curve G2 when the gate voltage V G is −15 [V], and the characteristic curve when the gate voltage V G is −20 [V] in FIG. As shown by the characteristic curve G4 at G3 and −25 [V], the logarithm of the drain voltage V D and the reciprocal of temperature have a linear relationship.
【００２２】すなわち、ドレイン電流ＩD と温度Ｔ度
［Ｋ］とはThat is, the drain current ID and the temperature T degree [K] are
【００２３】[0023]
【数１】 の関係が成立する。[Equation 1] The relationship is established.
【００２４】このように、温度センサ１がＴＦＴ構造を
しており、ドレイン電圧ＶD （対数）と温度センサ１の
温度の逆数とが、上述のような直線関係にあることか
ら、温度センサ１の各電極６、７、８に印加する電圧関
係を、上述のように、ドレイン電流ＩD がリーク電流と
なるバイアス関係に設定し、そのときのドレイン電流Ｉ
D を検出することにより、温度センサ１の温度、すなわ
ち、被測定対象の温度を精度良く検出することができ
る。図３からこの温度センサ１の感度を概算してみる
と、１０ＭΩの抵抗を用いて、約０．３ｍＶ／℃の出力
電圧を得ることができる。As described above, the temperature sensor 1 has the TFT structure.
And the drain voltage VD(Logarithm) and temperature sensor 1
Is there a linear relationship with the reciprocal of temperature as described above?
Voltage applied to each electrode 6, 7, 8 of the temperature sensor 1.
As described above, the drain current IDIs the leakage current
And the drain current I at that time
DBy detecting the temperature of the temperature sensor 1,
The temperature of the measured object can be detected accurately.
It Try to roughly estimate the sensitivity of this temperature sensor 1 from FIG.
And output of about 0.3 mV / ° C using a 10 MΩ resistor
The voltage can be obtained.
【００２５】上記温度センサ１は、小型・軽量で被測定
対象の温度を正確に測定できることから、図４に示すよ
うに、小型電子機器、例えば、電子腕時計に組み込ん
で、体温測定用の温度センサ等として適用することがで
きる。Since the temperature sensor 1 is small and lightweight and can accurately measure the temperature of the object to be measured, as shown in FIG. 4, the temperature sensor 1 is incorporated in a small electronic device such as an electronic wristwatch to measure a body temperature. And so on.
【００２６】すなわち、図４において、電子機器のケー
ス２０には、開口部２１が形成されており、該ケース２
０内の開口部２１に上記温度センサ１が取り付けられ
る。温度センサ１は、その基板２が該開口部２１に面す
る状態で取り付けられ、この温度センサ１の前記ソース
電極６、ドレイン電極７及びゲート電極８には、図示し
ないリード線が接続される。このリード線を介してソー
ス電極６、ドレイン電極７及びゲート電極８に上記バイ
アス状態の電圧を印加し、ドレイン電流ＩD を検出する
ことにより、該開口部２１から被測定対象からの温度を
非接触で直接測定することができる。That is, in FIG. 4, an opening 21 is formed in the case 20 of the electronic device, and the case 2 is formed.
The temperature sensor 1 is attached to the opening 21 in the opening 0. The temperature sensor 1 is attached such that the substrate 2 faces the opening 21, and lead wires (not shown) are connected to the source electrode 6, the drain electrode 7 and the gate electrode 8 of the temperature sensor 1. By applying the bias voltage to the source electrode 6, the drain electrode 7 and the gate electrode 8 through the lead wire and detecting the drain current I D , the temperature from the object to be measured can be controlled from the opening 21. It can be measured directly by contact.
【００２７】すなわち、温度センサ１は、被測定対象か
ら開口部２１を通して放射線が照射されると、放射線の
うち赤外線のみが基板２及び絶縁膜３を通してシリコン
薄膜４に入射され、シリコン薄膜４の温度が入射される
赤外線の量に対応して上昇する。シリコン薄膜４の温度
が上昇すると、チャネル領域４ａで、この温度に対応し
た電子−正孔対が発生し、この発生したキャリアの量に
応じたドレイン電流ＩD が流れる。このドレイン電流Ｉ
D を検出することにより、被測定対象の温度を非接触で
直接測定することができる。That is, when the temperature sensor 1 is irradiated with radiation from the object to be measured through the opening 21, only infrared rays of the radiation are incident on the silicon thin film 4 through the substrate 2 and the insulating film 3, and the temperature of the silicon thin film 4 is increased. Rises according to the amount of infrared rays that are incident. When the temperature of the silicon thin film 4 rises, electron-hole pairs corresponding to this temperature are generated in the channel region 4a, and a drain current ID corresponding to the amount of generated carriers flows. This drain current I
By detecting D , the temperature of the measurement target can be directly measured without contact.
【００２８】なお、上述の実施例において、熱吸収膜１
０は、基板２側に設けてもよいものである。In the above embodiment, the heat absorption film 1
0 may be provided on the substrate 2 side.
【００２９】また、温度センサ１は、各電極を透明とす
れば、ボトムゲート型とすることもできる。Further, the temperature sensor 1 can be of a bottom gate type if each electrode is transparent.
【００３０】[0030]
【発明の効果】本発明の温度センサによれば、ＴＦＴ構
造を有する温度センサのゲート電極、ドレイン電極及び
ソース電極に印加する電圧を、ドレイン電流がリーク電
流のみとなるバイアス設定とし、この状態で温度に対応
したドレイン電流の変化を検出しているので、温度セン
サを小型・軽量なものとすることができるとともに、精
度良く温度を検出することができる。According to the temperature sensor of the present invention, the voltage applied to the gate electrode, the drain electrode and the source electrode of the temperature sensor having the TFT structure is set to the bias such that the drain current is only the leak current, and in this state. Since the change in the drain current corresponding to the temperature is detected, the temperature sensor can be made small and lightweight, and the temperature can be detected accurately.
【００３１】また、赤外線フィルタ上にＴＦＴ構造の温
度センサを形成しているので、被測定対象からの赤外線
を効率良く吸収することができ、より一層精度を向上さ
せることができる。Further, since the temperature sensor having the TFT structure is formed on the infrared filter, infrared rays from the object to be measured can be efficiently absorbed and the accuracy can be further improved.
【図１】本発明に係る温度センサの一実施例の正面断面
図。FIG. 1 is a front sectional view of an embodiment of a temperature sensor according to the present invention.
【図２】図１の温度センサのドレイン電流−ゲート電圧
の特性曲線図。FIG. 2 is a characteristic curve diagram of drain current-gate voltage of the temperature sensor of FIG.
【図３】負のゲート電圧をパラメータとする温度の逆数
とドレイン電流の対数との関係を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a reciprocal of temperature and a logarithm of drain current with a negative gate voltage as a parameter.
【図４】図１の温度センサを小型電子機器に取り付けた
状態の正面断面図。FIG. 4 is a front sectional view of the temperature sensor of FIG. 1 attached to a small electronic device.
１ 温度センサ ２ 基板 ３ 絶縁膜 ４ シリコン薄膜 ５ 絶縁膜 ６ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ ゲート電極 1 Temperature Sensor 2 Substrate 3 Insulating Film 4 Silicon Thin Film 5 Insulating Film 6 Source Electrode 7 Drain Electrode 8 Gate Electrode
Claims (2)
ネル領域を挟んで相対抗するソース領域とドレイン領域
とを有するシリコン薄膜層と、 前記シリコン薄膜層を覆う絶縁膜と、 前記シリコン薄膜層上に形成されたゲート電極と、 前記ソース領域に接続されたソース電極と、 前記ドレイン領域に接続されたドレイン電極と、 が積層されることにより形成された温度センサであっ
て、 前記各電極にドレイン電流がリーク電流のみとなるバイ
アス設定の電圧を印加して、被測定対象からの赤外線吸
収により発生するキャリアによるドレイン電流の変化に
より温度を検出することを特徴とする温度センサ。1. A silicon thin film layer formed on a substrate, having a channel region and a source region and a drain region opposed to each other with the channel region interposed therebetween, an insulating film covering the silicon thin film layer, and the silicon thin film layer. A temperature sensor formed by stacking a gate electrode formed on a substrate, a source electrode connected to the source region, and a drain electrode connected to the drain region, the drain being connected to each electrode. A temperature sensor characterized in that a temperature is detected by applying a bias-setting voltage such that a current is only a leak current, and detecting a change in drain current due to carriers generated by infrared absorption from an object to be measured.
を特徴とする請求項１記載の温度センサ。2. The temperature sensor according to claim 1, wherein the substrate is an infrared filter.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6941793A JPH06258144A (en) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | Temperature sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6941793A JPH06258144A (en) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | Temperature sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06258144A true JPH06258144A (en) | 1994-09-16 |
Family
ID=13402019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6941793A Pending JPH06258144A (en) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | Temperature sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06258144A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010048645A (en) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Yazaki Corp | Concentration measuring instrument |
| JP2011172798A (en) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | Electric rice cooker |
| US8664510B2 (en) | 2006-01-25 | 2014-03-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Infrared absorber and thermal infrared detector |
| JP2015108545A (en) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | ソニー株式会社 | Infrared ray detector and detection method thereof, and electronic apparatus |
-
1993
- 1993-03-03 JP JP6941793A patent/JPH06258144A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8664510B2 (en) | 2006-01-25 | 2014-03-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Infrared absorber and thermal infrared detector |
| JP2010048645A (en) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Yazaki Corp | Concentration measuring instrument |
| JP2011172798A (en) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | Electric rice cooker |
| JP2015108545A (en) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | ソニー株式会社 | Infrared ray detector and detection method thereof, and electronic apparatus |
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