JPH06256962A - Electroless ni-sn-p alloy plating solution - Google Patents
Electroless ni-sn-p alloy plating solutionInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【従来技術とその課題】この発明は、Sn含有量の高いNi
−Sn−P合金めっき皮膜を安定して形成することができ
る“無電解Ni−Sn−P合金めっき液”に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is directed to Ni containing a high Sn content.
The present invention relates to an "electroless Ni-Sn-P alloy plating solution" capable of stably forming a -Sn-P alloy plating film.
【0002】[0002]
【従来技術とその課題】プリント回路基板用として用い
られる銅箔では、これまでは表面性状の経時的劣化を防
止する目的で表面にCr薄膜を形成する“防錆処理”が施
されてきたが、最近になって、耐薬品性,耐熱性,ハン
ダ付け性等の点でも有利であるということからNi−Sn合
金めっきの薄膜を付与することが提案されている(例え
ば特開平4−206889号公報)。2. Description of the Related Art Copper foils used for printed circuit boards have hitherto been subjected to a "rust preventive treatment" in which a Cr thin film is formed on the surface for the purpose of preventing deterioration of surface properties over time. Recently, it has been proposed to provide a thin film of Ni—Sn alloy plating because it is advantageous in terms of chemical resistance, heat resistance, solderability, etc. (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-206888). Gazette).
【0003】このように、Ni−Sn合金めっきが耐食性に
優れることは良く知られていることであり、その耐食性
はめっき皮膜中のSn含有量が高くなるにつれて向上する
とされている。また、次亜リン酸還元による無電解めっ
きにて形成した“Ni−Sn合金めっき”では、めっき皮膜
中に還元剤として使用する次亜リン酸からのPが含有さ
れることになるが、このように“Pを数%から十数%含
有したNi−Sn合金めっき”はNiとSnのみから成るものに
比べて耐食性が更に改善されると言われている。勿論、
このNi−Sn−P合金めっきにおいても、Sn含有量が高く
なるほど耐食性が向上するものと考えられた。As described above, it is well known that Ni-Sn alloy plating is excellent in corrosion resistance, and it is said that the corrosion resistance improves as the Sn content in the plating film increases. Further, in "Ni-Sn alloy plating" formed by electroless plating by reduction of hypophosphorous acid, P from hypophosphorous acid used as a reducing agent is contained in the plating film. As described above, the "Ni-Sn alloy plating containing P in the range of several% to several tens of%" is said to further improve the corrosion resistance as compared with the case of using only Ni and Sn. Of course,
Also in this Ni-Sn-P alloy plating, it was considered that the higher the Sn content, the higher the corrosion resistance.
【0004】一方、特開平1−169811号公報によ
ると、Snを含有する透明導電膜にリ−ド線や電子部品等
をハンダ付けする際、この透明導電膜上にNi−Sn−P合
金の無電解めっきを施しておくとハンダ付性が向上し、
強固な接続が可能になるとされており、このNi−Sn−P
合金無電解めっき皮膜の形成手段として「表面の粗面化
を行った基材をスズ酸ナトリウム,クエン酸ナトリウ
ム,硫酸ニッケル,塩化アンモニウム並びに次亜リン酸
ナトリウムを含むpH9の水溶液(90℃)中で処理す
る方法」が紹介されている。On the other hand, according to Japanese Patent Laid-Open No. 1-169811, when a lead wire, an electronic component, or the like is soldered to a transparent conductive film containing Sn, a Ni--Sn--P alloy is deposited on the transparent conductive film. Applying electroless plating improves solderability,
It is said that a strong connection will be possible, and this Ni-Sn-P
As a means for forming an alloy electroless plating film, "the surface-roughened substrate is in an aqueous solution (90 ° C) of pH 9 containing sodium stannate, sodium citrate, nickel sulfate, ammonium chloride and sodium hypophosphite. "How to process in." Is introduced.
【0005】更に、特開平2−208816号公報に
は、アルミニウム合金基板上に順次非磁性めっき処理
層,クロム等の下地層,コバルト系合金の磁性薄膜層,
炭素質の保護膜層を被覆して成る磁気記録媒体におい
て、その非磁性めっき処理層をNi−Sn−P合金無電解め
っき皮膜とした場合にはノイズが抑制されS/N値が向
上することが開示されており、そのNi−Sn−P合金無電
解めっき皮膜の形成手段として「基材をニッケル:6g/
L(リットル) ,リン酸:13g/L ,スズ:200mg/Lの無電
解めっき浴(90℃)中で処理する方法」が紹介されて
いる。Further, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-208816, a nonmagnetic plating layer, an underlayer such as chromium, a magnetic thin film layer of a cobalt-based alloy are sequentially formed on an aluminum alloy substrate.
In a magnetic recording medium coated with a carbonaceous protective film layer, noise is suppressed and the S / N value is improved when the non-magnetic plated layer is a Ni-Sn-P alloy electroless plated film. Is disclosed as a means for forming the Ni-Sn-P alloy electroless plating film, "the base material is nickel: 6 g /
A method of treating in an electroless plating bath (90 ° C.) of L (liter), phosphoric acid: 13 g / L, tin: 200 mg / L ”is introduced.
【0006】このように、Ni−Sn−P合金のめっき皮膜
には様々な用途が考えられたが、一方で次のような問題
があった。即ち、電気めっき法によった場合にはSn含有
量が48at%(65重量%)という高Sn含有皮膜が得ら
れるとの報告があるものの、無電解めっき法ではこれま
で精々Sn含有量が10at%程度までの皮膜しか得られて
おらず、そのため実際の用途は制限されざるを得なかっ
たのである。As described above, the Ni—Sn—P alloy plating film has various uses, but on the other hand, it has the following problems. That is, although it has been reported that a high Sn content coating with an Sn content of 48 at% (65 wt%) can be obtained by the electroplating method, the Sn content of up to 10 at Only a coating of up to about 10% was obtained, so the actual application had to be limited.
【0007】従って、無電解Ni−Sn−P合金めっきによ
って得られるめっき皮膜中のSn含有量を増やすことがで
きれば、耐食性を始めとした更なる皮膜性能の向上が期
待でき、基材の種類を選ばずに皮膜形成が容易に行える
という無電解めっきの特長も活かされてその用途は一段
と広範になると考えられた。[0007] Therefore, if the Sn content in the plating film obtained by electroless Ni-Sn-P alloy plating can be increased, further improvement of the film performance including corrosion resistance can be expected, and the type of substrate can be changed. It was thought that the use of electroless plating could be broadened by taking advantage of the advantage of electroless plating, which allows easy film formation without selection.
【0008】このようなことから、本発明が目的とした
のは、Sn含有量のより高いNi−Sn−P合金めっき皮膜を
安定して形成することが可能な無電解めっき手段を確立
することである。Therefore, the object of the present invention is to establish an electroless plating means capable of stably forming a Ni-Sn-P alloy plating film having a higher Sn content. Is.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は上
記目的を達成すべく数多くの試験を重ねながら鋭意研究
を行った結果、次のような知見を得ることができた。即
ち、クエン酸を含むアルカリ性水溶液に金属イオンとし
て2価のNiイオン及びSnイオンを添加し、更に還元剤と
しての次亜リン酸イオンを含有させたNi−Sn系無電解め
っき液において、その2価のNiイオン,2価のSnイオン
及び次亜リン酸イオンの含有割合、並びにクエン酸と2
価のNiイオンとのモル比を特定の範囲に規制すると共
に、液のpHをNaOH,KOHあるいはLiOH等といっ
た水酸化アルカリ金属等により特定範囲に調整した場合
には、これまで無電解めっきによっては実現できなかっ
た高いSn含有量のNi−Sn−P合金皮膜を種々の基材上に
安定して形成できるようになることを見出したのであ
る。Therefore, the inventors of the present invention have made extensive studies in order to achieve the above-mentioned object, and as a result of diligent research, the following knowledge has been obtained. That is, in a Ni-Sn electroless plating solution prepared by adding divalent Ni ions and Sn ions as metal ions to an alkaline aqueous solution containing citric acid, and further containing hypophosphite ions as a reducing agent, Content of divalent Ni ion, divalent Sn ion and hypophosphite ion, and citric acid and 2
If the pH of the solution is adjusted to a specific range with alkali metal hydroxide such as NaOH, KOH or LiOH, etc., while controlling the molar ratio of valence Ni ions to a specific range It was discovered that a Ni—Sn—P alloy coating having a high Sn content, which could not be realized, can be stably formed on various substrates.
【0010】本発明は、上記知見事項等を基に完成され
たものであり、「無電解Ni−Sn−P合金めっき液を、2
価のNiイオン:0.05〜0.12mol/L,2価のNiイオンに対す
るクエン酸イオンのモル比: 1.3以上3未満,2価のSn
イオン: 0.002〜 0.004mol/L,次亜リン酸イオン: 0.1
〜 0.3mol/Lを含み、 pHが8〜12に調整された水溶
液から成る構成としたことにより、 高Sn含有量のNi−Sn
−P合金めっき皮膜を安定形成できるようにした点」に
大きな特徴を有している。The present invention has been completed on the basis of the above-mentioned findings and the like. The "electroless Ni-Sn-P alloy plating solution
Valent Ni ion: 0.05-0.12mol / L, molar ratio of citrate ion to divalent Ni ion: 1.3 or more and less than 3, divalent Sn
Ion: 0.002 to 0.004mol / L, hypophosphite ion: 0.1
Ni-Sn with a high Sn content can be obtained by using an aqueous solution containing ~ 0.3mol / L and pH adjusted to 8-12.
-The point that a P alloy plating film can be stably formed "is a major feature.
【0011】以下、本発明においてめっき液成分の濃度
並びにめっき液のpHを前記の如くに限定した理由を、
その作用・効果と共に説明する。The reasons for limiting the concentrations of the plating solution components and the pH of the plating solution in the present invention are as follows.
It will be explained together with its action and effect.
a) 2価のNiイオン めっき液中の2価のNiイオン濃度は、 0.05mol/L未満で
あるとめっき反応が遅くなって実用に適さなくなり、一
方、0.12mol/L を超えると析出物(めっき皮膜)のSn含
有量が低下することから0.05〜0.12mol/L と定めたが、
より好ましい範囲は0.06〜0.10mol/L である。なお、2
価のNiイオンは硫酸塩や塩化物の形態で供給すれば良
い。a) Divalent Ni ion If the divalent Ni ion concentration in the plating solution is less than 0.05 mol / L, the plating reaction will be delayed, making it unsuitable for practical use, while if it exceeds 0.12 mol / L, precipitates ( Since the Sn content of the plating film) decreases, it was set at 0.05 to 0.12 mol / L.
A more preferable range is 0.06 to 0.10 mol / L. 2
The valent Ni ions may be supplied in the form of sulfate or chloride.
【0012】b) 2価のNiイオンに対するクエン酸イオ
ンのモル比 クエン酸(R)イオンはSnイオンに対するよりも優先的
にNiイオンの錯化剤として作用し、Ni−R,Ni−R2 ,
Ni−R3 のキレ−ト(錯体)を形成してSnの析出を促進
する働きをする。しかし、2価のNiイオンに対するクエ
ン酸イオンのモル比“クエン酸イオン/2価のNiイオン
のモル比”が 1.3未満であると2価のNiイオンに対する
錯化力が低下するのでNiの析出が促進され、析出物中の
Ni含有量が多くなり、そのため従来以上のめっき皮膜中
Sn含有量を確保できない。一方、“クエン酸イオン/2
価のNiイオンのモル比”が3以上であると2価のNiイオ
ンがクエン酸イオンと安定度の高いキレ−トを形成し、
次亜リン酸イオンをもってしても還元されなくなってめ
っき反応が起こらなくなる。このため、2価のNiイオン
に対しモル比で 1.3倍以上3倍未満のクエン酸イオンを
含有させることと定めたが、より好ましいモル比の範囲
は 1.5〜 2.5である。B) Molar ratio of citrate ion to divalent Ni ion The citrate (R) ion acts as a complexing agent for Ni ion preferentially over Sn ion, and Ni-R, Ni-R 2 ,
It forms a chelate (complex) of Ni-R 3 and promotes the precipitation of Sn. However, if the molar ratio of the citrate ion to the divalent Ni ion "citrate ion / divalent Ni ion molar ratio" is less than 1.3, the complexing power with respect to the divalent Ni ion decreases, so precipitation of Ni occurs. Is promoted in the precipitate
The Ni content is high, so that the plating film is better than before.
Sn content cannot be secured. On the other hand, "citrate ion / 2
When the molar ratio of valent Ni ions is 3 or more, the divalent Ni ions form a highly stable chelate with citrate ions,
Even with hypophosphite ions, they are not reduced and the plating reaction does not occur. For this reason, it has been determined that the citrate ion is contained in a molar ratio of 1.3 times or more and less than 3 times the divalent Ni ion, but a more preferable molar ratio range is 1.5 to 2.5.
【0013】なお、めっき液中のクエン酸イオン源とし
ては、クエン酸,クエン酸塩の何れによっても差支えな
いことは言うまでもない。Needless to say, the citric acid ion source in the plating solution may be citric acid or citrate.
【0014】c) 2価のSnイオン めっき液中の2価のSnイオン濃度が0.002mol/L未満であ
ると、析出物中のSn含有量が低下して従来以上のめっき
皮膜中Sn含有量を確保することができない。そして、Sn
イオンは元々還元反応の触媒毒であるが、特にめっき液
中の2価のSnイオン濃度が0.004mol/Lを超えると次亜リ
ン酸イオンの還元力が失われてめっき反応が起こらなく
なる。従って、2価のSnイオン濃度を 0.002〜 0.004mo
l/L と定めたが、より好ましい範囲は0.0025〜0.0035mo
l/L である。C) Divalent Sn ion If the divalent Sn ion concentration in the plating solution is less than 0.002 mol / L, the Sn content in the deposit will decrease and the Sn content in the plating film will be higher than in the past. Cannot be secured. And Sn
Ions are originally catalyst poisons for reduction reactions, but especially when the divalent Sn ion concentration in the plating solution exceeds 0.004 mol / L, the reducing power of hypophosphite ions is lost and the plating reaction does not occur. Therefore, the divalent Sn ion concentration is 0.002-0.004mo.
L / L was set, but a more preferable range is 0.0025 to 0.0035mo.
l / L.
【0015】なお、2価のSnイオン源としては塩化物等
が一般的であるが、例えば次のような処理を施して溶解
し、使用すれば良い。即ち、例えば塩化第一スズを水に
溶解し、NaOH溶液を滴下する。この処理によって最初
は白色の沈澱ができるが、NaOHの滴下を続けると液は
透明になる。この際の反応式は下記の通りである。 SnCl2+4NaOH→ Na2SnO2 +2NaCl+2H2 O これをろ過して使用する。As the divalent Sn ion source, chloride or the like is generally used. For example, the following treatment may be carried out to dissolve it before use. That is, for example, stannous chloride is dissolved in water, and a NaOH solution is added dropwise. A white precipitate is initially formed by this treatment, but the liquid becomes transparent when NaOH is added dropwise. The reaction formula in this case is as follows. SnCl 2 + 4NaOH → Na 2 SnO 2 + 2NaCl + 2H 2 O used in filtration.
【0016】d) 次亜リン酸イオン 次亜リン酸イオンは、Ni,Snを析出させるための還元剤
としての働きをすると同時に、析出物中にPを供給する
P供給源としての役割をも担っているが、その濃度が0.
1mol/L未満では上記作用による所望の効果が得られず、
一方、0.3mol/Lを超えて含有させることは効果面を考え
ると経済的に不利であると判断される。従って、めっき
液中の次亜リン酸イオン濃度は 0.1〜 0.3mol/L と定め
たが、より好ましい範囲は0.15〜0.25mol/L である。な
お、次亜リン酸イオンは次亜リン酸,次亜リン酸塩の何
れの形態で供給しても差支えはない。D) Hypophosphite ion The hypophosphite ion functions as a reducing agent for precipitating Ni and Sn, and at the same time, it also functions as a P supply source for supplying P into the precipitate. I am responsible, but the concentration is 0.
If it is less than 1 mol / L, the desired effect due to the above action cannot be obtained,
On the other hand, containing more than 0.3 mol / L is considered to be economically disadvantageous considering the effect. Therefore, the hypophosphite ion concentration in the plating solution was set to 0.1 to 0.3 mol / L, but a more preferable range is 0.15 to 0.25 mol / L. It should be noted that the hypophosphite ion may be supplied in any form of hypophosphite and hypophosphite.
【0017】〔めっき液のpH〕本発明めっき液の浴組
成であると、めっき液のpHが8未満では次亜リン酸イ
オンの還元力が失われてしまい、一方、pHが12を超
えると副反応である次亜リン酸の分解が激しくなってめ
っき作業に悪影響が出てくることから、めっき液pHは
8〜12と定めたが、好ましくは9〜10に調整するの
が良い。[PH of plating solution] With the bath composition of the plating solution of the present invention, the reducing power of hypophosphite ions is lost when the pH of the plating solution is less than 8, while when the pH exceeds 12, Since the decomposition of hypophosphorous acid, which is a side reaction, becomes severe and adversely affects the plating operation, the pH of the plating solution was set to 8 to 12, but it is preferable to adjust it to 9 to 10.
【0018】次いで、本発明を実施例により更に具体的
に説明する。Next, the present invention will be described more specifically by way of examples.
【実施例】めっき試験板として圧延銅箔(厚さ70μ
m,幅20mm,長さ30mm)を準備し、これに脱脂,酸
洗,ソフトエッチング,Pd触媒付与といった通常の無電
解めっき用活性化処理を施してからめっき試験に供し
た。[Example] As a plating test plate, rolled copper foil (thickness 70μ
m, width 20 mm, length 30 mm) were prepared and subjected to usual activation treatments for electroless plating such as degreasing, pickling, soft etching and addition of Pd catalyst, and then subjected to a plating test.
【0019】めっき試験において使用しためっき液の組
成,pH及び液温は表1に示した通りであるが、その調
合には1リットルビ−カを用いた。そして、この際、p
H調整はNaOHにより行った。また、めっき試験では、
上記めっき液を表1に示した所定温度に維持し、これに
上述の活性化処理した試験板を10分間浸漬して表面に
めっき皮膜を無電解析出させた。The composition, pH and solution temperature of the plating solution used in the plating test are as shown in Table 1, but a 1 liter beaker was used for the formulation. And at this time, p
H adjustment was performed with NaOH. In the plating test,
The plating solution was maintained at the predetermined temperature shown in Table 1, and the activation-treated test plate was immersed in this for 10 minutes to electrolessly deposit a plating film on the surface.
【0020】[0020]
【表1】 [Table 1]
【0021】このようにして形成されためっき析出物
(皮膜)の“組成”及び“析出速度”の測定結果を、表
1に併せて示す。なお、めっき析出物の組成は、めっき
物を基材の銅と共に酸に溶解した後、ICP(発光分光
分析)で分析する方法にて測定した。また、めっきの析
出速度については、めっき前後の重量差より求めためっ
き膜厚を基に算出した。Table 1 also shows the measurement results of the "composition" and "deposition rate" of the plating deposits (films) thus formed. The composition of the plated deposit was measured by a method in which the plated product was dissolved in an acid together with copper as a base material and then analyzed by ICP (emission spectroscopy). The deposition rate of plating was calculated based on the plating film thickness obtained from the weight difference before and after plating.
【0022】前記表1に示される結果からも明らかなよ
うに、本発明で規定する条件に従った場合には、Sn含有
量の高いNi−Sn−P合金めっき皮膜を無電解めっきによ
って実用上支障のない析出速度でもって安定形成できる
ことを確認できる。As is clear from the results shown in Table 1 above, when the conditions specified in the present invention are followed, a Ni-Sn-P alloy plating film having a high Sn content is practically applied by electroless plating. It can be confirmed that stable formation can be achieved with a deposition rate that does not hinder.
【0023】[0023]
【効果の総括】以上に説明した如く、この発明によれ
ば、無電解めっきによって10 atm%を超えるSn含有量
のNi−Sn−P合金めっき皮膜を安定形成することがで
き、無電解Ni−Sn−P合金めっき適用分野の更なる拡大
が可能になるなど、産業上非常に有用な効果がもたらさ
れる。[Summary of Effects] As described above, according to the present invention, a Ni-Sn-P alloy plating film having a Sn content of more than 10 atm% can be stably formed by electroless plating. The industrially very useful effect is brought about, for example, the field of application of Sn-P alloy plating can be further expanded.
Claims (1)
のNiイオンに対するクエン酸イオンのモル比: 1.3以上
3未満,2価のSnイオン: 0.002〜 0.004mol/L,次亜リ
ン酸イオン: 0.1〜 0.3mol/Lを含み、pHが8〜12
に調整された水溶液から成ることを特徴とする、無電解
Ni−Sn−P合金めっき液。1. Divalent Ni ion: 0.05 to 0.12 mol / L, molar ratio of citrate ion to divalent Ni ion: 1.3 to less than 3, divalent Sn ion: 0.002 to 0.004 mol / L, Phosphite ion: contains 0.1 to 0.3 mol / L and has a pH of 8 to 12
Electroless, characterized by comprising an aqueous solution adjusted to
Ni-Sn-P alloy plating solution.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6935093A JPH06256962A (en) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | Electroless ni-sn-p alloy plating solution |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6935093A JPH06256962A (en) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | Electroless ni-sn-p alloy plating solution |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06256962A true JPH06256962A (en) | 1994-09-13 |
Family
ID=13400027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6935093A Pending JPH06256962A (en) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | Electroless ni-sn-p alloy plating solution |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06256962A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015021178A (en) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 株式会社クオルテック | ELECTROLESS Ni-P-Sn PLATING SOLUTION |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP6935093A patent/JPH06256962A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015021178A (en) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 株式会社クオルテック | ELECTROLESS Ni-P-Sn PLATING SOLUTION |
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