JPH06250375A - Photomask and its production - Google Patents

Photomask and its production

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Publication number
JPH06250375A
JPH06250375A JP3303793A JP3303793A JPH06250375A JP H06250375 A JPH06250375 A JP H06250375A JP 3303793 A JP3303793 A JP 3303793A JP 3303793 A JP3303793 A JP 3303793A JP H06250375 A JPH06250375 A JP H06250375A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
film
transparent
silicon oxide
mixture
Prior art date
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Pending
Application number
JP3303793A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuyoshi Tanabe
容由 田邊
Yoko Iwabuchi
陽子 岩渕
Atsushi Shioda
淳 潮田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3303793A priority Critical patent/JPH06250375A/en
Publication of JPH06250375A publication Critical patent/JPH06250375A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To easily produce a photomask having a resolution improving effect to an isolated pattern and excellent in acid and light resistance. CONSTITUTION:A Cr-SiO2 combined target is sputtered with a gas mixed with oxygen to form a thin-film 2 of a chromium oxide-silicon oxide mixture on a glass substrate 1. The compsn. of the thin film 2 is varied by varying the area ratio between Cr and SiO2 in the combined target and the transmissivity of the thin film 2 can be regulated by varying the compsn. of the thin film 2.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、投影露光装置で使用す
るフォトマスクに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask used in a projection exposure apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】特公昭62−50811号公報(文献
1)には、投影露光装置によりウエファ上にマスクパタ
ーンを転写する場合に解像度を向上させる一手法とし
て、透明部と不透明部から構成されたフォトマスク上の
隣接する透明部の少なくとも一方に位相部材を付与し、
両側を透過する照明光に位相差を与える方法が述べられ
ている。この手法は、透明部が近接したパターンの解像
度を向上させるが、孤立したパターンの解像度は向上さ
せない。
2. Description of the Related Art Japanese Patent Publication No. 62-50811 (Reference 1) is composed of a transparent portion and an opaque portion as one method for improving resolution when a mask pattern is transferred onto a wafer by a projection exposure apparatus. Add a phase member to at least one of the adjacent transparent parts on the photomask,
The method of giving a phase difference to the illumination light transmitted through both sides is described. This method improves the resolution of patterns in which transparent portions are close to each other, but does not improve the resolution of isolated patterns.

【0003】この問題を解決するため、特開昭62−6
7514号公報(文献2)では、第1の透明部の周囲に
微細な第2の補助透明部を設け、第1の透明部または第
2の補助透明部いずれか一方に位相部材を付与する手法
が述べられている。第2の補助透明部を光学系の解像限
界以下の微細なパターンにすると、第2の補助透明部は
転写されず、同時に第1の透明部の解像度が向上する。
第1の透明部のみが転写されるため、この手法は孤立し
たパターンに対しても有効である。
In order to solve this problem, Japanese Patent Laid-Open No. 62-6
In Japanese Patent Publication No. 7514 (Reference 2), a fine second auxiliary transparent part is provided around the first transparent part, and a phase member is provided to either the first transparent part or the second auxiliary transparent part. Is stated. If the second auxiliary transparent portion is formed into a fine pattern that is equal to or less than the resolution limit of the optical system, the second auxiliary transparent portion is not transferred, and at the same time, the resolution of the first transparent portion is improved.
This method is also effective for an isolated pattern because only the first transparent portion is transferred.

【0004】上記の2種類の手法では、フォトマスク
は、不透明部、位相材部を付与しない透明部、位相部材
を付与した透明部の3種類の部分で構成されている。こ
のためフォトマスクの製造工程は複雑なものとなる。こ
れに対し、特開平4−136854号公報(文献3)に
は透明部と半透明部の2種類から構成されるフォトマス
クが述べられている。透明部と半透明部を通過する光の
位相差は180度になるようにしている。このフォトマ
スクは2種類の部分から構成されているため、文献1お
よび2などの3種類の部分から構成されるフォトマスク
に比べ構造が単純であり、それゆえ製造工程も比較的簡
単になる。
According to the above-mentioned two kinds of methods, the photomask is composed of three kinds of portions, that is, an opaque portion, a transparent portion not provided with a phase material portion, and a transparent portion provided with a phase member. Therefore, the manufacturing process of the photomask becomes complicated. On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-136854 (Document 3) describes a photomask composed of two types of a transparent portion and a semitransparent portion. The phase difference between the light passing through the transparent part and the semi-transparent part is 180 degrees. Since this photomask is composed of two types of parts, its structure is simpler than that of a photomask composed of three types of parts such as Documents 1 and 2, and therefore the manufacturing process is relatively simple.

【0005】文献3中には実施例として以下の5種類の
フォトマスクが述べられている。第1は、吸光剤を添加
した塗布ガラス膜で半透明部を形成したフォトマスクで
ある。第2は、半透明な薄いCr膜(膜厚40nm以
下)と塗布ガラス膜の2層で半透明部を形成したフォト
マスクである。第3は、半透明な薄いCr膜で半透明部
を形成し、透明部となるガラス基板をエッチングするこ
とにより透明部と半透明部との間に位相差を与えたフォ
トマスクである。第4は、塗布ガラス膜と半透明な薄い
Cr膜とエッチングストッパ膜の3層で半透明部を形成
したフォトマスクである。第5は、吸光剤を添加した塗
布ガラス膜とエッチングストッパ膜の2層で半透明部を
形成したフォトマスクである。
Reference 3 describes the following five types of photomasks as examples. The first is a photomask in which a translucent part is formed by a coated glass film to which a light absorber is added. The second is a photomask in which a semitransparent portion is formed by two layers of a semitransparent thin Cr film (film thickness of 40 nm or less) and a coated glass film. The third is a photomask in which a semitransparent portion is formed of a semitransparent thin Cr film, and a glass substrate to be the transparent portion is etched to give a phase difference between the transparent portion and the semitransparent portion. The fourth is a photomask in which a semitransparent portion is formed by three layers of a coated glass film, a semitransparent thin Cr film, and an etching stopper film. Fifth is a photomask in which a semitransparent portion is formed by two layers of a coated glass film added with a light absorber and an etching stopper film.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】塗布ガラスに吸光剤を
添加した場合、塗布ガラスの酸洗浄に対する耐性および
長時間露光したときの耐光性が低下する。半透明なCr
膜を用いた場合には、膜厚を40nm以下と非常に薄く
する必要がある。このような膜を無欠陥かつ膜厚を正確
に制御して製作することは非常に困難である。またエッ
チングに関しても、半透明部がCr膜と塗布ガラス膜の
2層構造の場合に上層と下層を精度良く揃えてエッチン
グすること、あるいは半透明部がCr膜だけの場合に透
明部のガラス基板を所定の深さに調節してエッチングす
ることは容易ではない。
When a light absorber is added to the coated glass, the resistance of the coated glass to acid cleaning and the light resistance after long-term exposure are lowered. Translucent Cr
When a film is used, it is necessary to make the film thickness as thin as 40 nm or less. It is very difficult to manufacture such a film without defects and accurately controlling the film thickness. Regarding the etching, when the semi-transparent portion has a two-layer structure of a Cr film and a coated glass film, the upper layer and the lower layer are accurately aligned and etched, or when the semi-transparent portion is only the Cr film, the glass substrate of the transparent portion is used. It is not easy to adjust the depth to a predetermined depth for etching.

【0007】本発明の目的は、孤立パターンに対して解
像度を向上させる効果を持ち、作成が簡便かつ耐酸性,
耐光性の優れたフォトマスクおよびその製造方法を提供
することにある。
The object of the present invention is to have the effect of improving the resolution for isolated patterns, to make it simple and to resist acid.
It is to provide a photomask having excellent light resistance and a method for manufacturing the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】第1の発明は、透明基板
あるいはエッチングストッパ膜が付着した透明基板上に
被露光パターンを半透明な位相部材を用いて設けたフォ
トマスクにおいて、前記位相部材が酸化クロムと酸化ケ
イ素の混合物より構成されることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a photomask in which a pattern to be exposed is provided on a transparent substrate or a transparent substrate having an etching stopper film attached thereto by using a semitransparent phase member. It is characterized by being composed of a mixture of chromium oxide and silicon oxide.

【0009】第2の発明のフォトマスクの製造方法は、
透明基板あるいはエッチングストッパ膜が付着した透明
基板上に、酸化クロムと酸化ケイ素の混合物より構成さ
れる半透明な位相部材を、Cr2 3 とSiO2 の混合
物より構成されるターゲットをスパッタすることにより
形成する工程と、前記位相部材の所望の部分を除去し所
望のパターンとする工程とを含むことを特徴とする。
The photomask manufacturing method of the second invention is
A semitransparent phase member composed of a mixture of chromium oxide and silicon oxide and a target composed of a mixture of Cr 2 O 3 and SiO 2 are sputtered on a transparent substrate or a transparent substrate having an etching stopper film attached thereto. And a step of removing a desired portion of the phase member to obtain a desired pattern.

【0010】第3の発明のフォトマスクの製造方法は、
透明基板あるいはエッチングストッパ膜が付着した透明
基板上に、酸化クロムと酸化ケイ素の混合物より構成さ
れる半透明な位相部材を、酸素を混合したガスを用いて
CrとSiO2 の2種類のターゲットを同時にスパッタ
することにより形成する工程と、前記位相部材の所望の
部分を除去し所望のパターンとする工程とを含むことを
特徴とする。
The photomask manufacturing method of the third invention is
On a transparent substrate or a transparent substrate with an etching stopper film attached, a semi-transparent phase member composed of a mixture of chromium oxide and silicon oxide, and two types of targets of Cr and SiO 2 using a gas mixed with oxygen. The method is characterized by including a step of forming by sputtering at the same time and a step of removing a desired portion of the phase member to obtain a desired pattern.

【0011】[0011]

【作用】図1を参照して、本発明のフォトマスクにより
孤立パターンの解像度が向上する理由を説明する。透明
基板1に付着した酸化クロムと酸化ケイ素の混合物より
構成される半透明な位相部材2の膜厚は、透過光の位相
を180度シフトさせる値となっている。この膜厚は数
百nmとなり、文献3で必要とされる半透明なCr膜の
膜厚よりずっと厚いため膜厚制御が簡単である。また、
単層構造であるため、マスクパターンをエッチングによ
り精度よく形成可能である。位相部材2の透過率は透過
光の強度がフォトレジストの感度より低くなるように調
節される。このとき半透明部4は強度が弱いためレジス
トには転写されない。また同時に、半透明部4の透過光
は透明部3の透過光とは位相が180度異なるため、透
明部3の透過光の回折に横方向への広がりを抑えてい
る。それゆえ、本発明のフォトマスクを用いると孤立パ
ターンの解像度が向上する。図1(b),(c)は、本
発明のフォトマスクを用いて露光した場合のウェファ上
での透過光の振幅および光強度の分布をそれぞれ示して
いる。
The reason why the photomask of the present invention improves the resolution of an isolated pattern will be described with reference to FIG. The film thickness of the semitransparent phase member 2 made of a mixture of chromium oxide and silicon oxide attached to the transparent substrate 1 is a value that shifts the phase of transmitted light by 180 degrees. This film thickness is several hundreds nm, which is much thicker than the film thickness of the semitransparent Cr film required in Reference 3, so that the film thickness control is easy. Also,
Since it has a single-layer structure, the mask pattern can be accurately formed by etching. The transmittance of the phase member 2 is adjusted so that the intensity of transmitted light is lower than the sensitivity of the photoresist. At this time, the semi-transparent portion 4 has a weak strength and is not transferred to the resist. At the same time, since the transmitted light of the semi-transparent portion 4 has a phase difference of 180 degrees from the transmitted light of the transparent portion 3, the spread of the transmitted light of the transparent portion 3 in the lateral direction is suppressed. Therefore, the use of the photomask of the present invention improves the resolution of isolated patterns. 1B and 1C respectively show the amplitude and light intensity distribution of transmitted light on a wafer when exposed using the photomask of the present invention.

【0012】酸化クロムは、従来のフォトマスクにおい
てCrの反射防止膜として用いられているものであり耐
酸性,耐光性に優れている。酸化ケイ素も酸化クロムと
同様に耐酸性,耐光性に優れている。
Chromium oxide is used as an antireflection film for Cr in conventional photomasks and has excellent acid resistance and light resistance. Similar to chromium oxide, silicon oxide has excellent acid resistance and light resistance.

【0013】[0013]

【実施例】第1の発明の実施例のフォトマスクを図1
(a)に示す。透明なガラス基板1に、酸化クロムと酸
化ケイ素の混合物より構成される半透明な位相部材2が
付着している。位相を180度シフトさせる膜厚dは次
の式で与えられる。
FIG. 1 shows a photomask of an embodiment of the first invention.
It shows in (a). A semitransparent phase member 2 composed of a mixture of chromium oxide and silicon oxide is attached to a transparent glass substrate 1. The film thickness d for shifting the phase by 180 degrees is given by the following equation.

【0014】d=λ/2(n−1) ここでλは露光光源の波長、nは位相部材2の屈折率で
ある。露光光源としてKrFエキシマレーザを用いる
と、その波長は248nmとなる。この波長における酸
化クロムの屈折率は約2.0であり、酸化ケイ素の屈折
率は約1.5である。酸化クロムと酸化ケイ素の混合物
はその中間の屈折率を持ち、前式より計算される膜厚は
120〜240nmとなる。酸化クロムと酸化ケイ素の
混合比により半透明膜の透過率Tが決まり、その値は次
の式で与えられる。
D = λ / 2 (n-1) where λ is the wavelength of the exposure light source and n is the refractive index of the phase member 2. When a KrF excimer laser is used as the exposure light source, its wavelength is 248 nm. At this wavelength, chromium oxide has a refractive index of about 2.0 and silicon oxide has a refractive index of about 1.5. The mixture of chromium oxide and silicon oxide has an intermediate refractive index, and the film thickness calculated by the above equation is 120 to 240 nm. The transmissivity T of the semitransparent film is determined by the mixing ratio of chromium oxide and silicon oxide, and its value is given by the following equation.

【0015】T=exp(−4πkd/λ)=exp
(−2πk/(n−1)) ここでkは位相部材2の吸収係数である。波長248n
mにおける酸化クロムの吸収係数は約0.8、酸化ケイ
素の吸収係数はほぼ0である。透過光の強度はフォトレ
ジストの感度よりも小さくする必要があるため、透過率
は1〜30%の範囲にあることが好ましい。本実施例で
は酸化クロムと酸化ケイ素の混合比を8:2とした。こ
のときn=1.9、k=0.6となりT=1.5%が得
られた。このマスクを用いて孤立ホールパターンを露光
したところ、従来0.35μm径のホールパターン形成
が限界だった光学系で0.3μm径のホールパターンが
形成できた。
T = exp (-4πkd / λ) = exp
(−2πk / (n−1)) where k is the absorption coefficient of the phase member 2. Wavelength 248n
The absorption coefficient of chromium oxide at m is about 0.8, and the absorption coefficient of silicon oxide is almost zero. Since the intensity of the transmitted light needs to be lower than the sensitivity of the photoresist, the transmittance is preferably in the range of 1 to 30%. In this embodiment, the mixing ratio of chromium oxide and silicon oxide is 8: 2. At this time, n = 1.9 and k = 0.6, and T = 1.5% was obtained. When an isolated hole pattern was exposed using this mask, it was possible to form a hole pattern having a diameter of 0.3 μm with an optical system, which had been limited to forming a hole pattern having a diameter of 0.35 μm.

【0016】上記のフォトマスクを製造するため、第2
の発明の一実施例として以下の製造方法を用いた。図2
に示されるスパッタ装置5の下部にガラス基板1を置
き、上部にCr2 3 とSiO2 の混合物を焼結して作
成したターゲット6を置いた。このターゲット6をAr
ガス7でスパッタエッチすると、ガラス基板1上に酸化
クロムと酸化ケイ素の混合物からなる半透明膜が形成さ
れる。レジストを塗布し、EB露光によりレジストパタ
ーンを形成した後にエッチングすることにより、マスク
が完成する。エッチングガスには、Crあるいは酸化ク
ロムをエッチングするときに用いられるCCl4 を使用
した。
In order to manufacture the above photomask, a second
The following manufacturing method was used as an example of the invention of. Figure 2
The glass substrate 1 was placed below the sputtering device 5 shown in FIG. 1 and the target 6 made by sintering a mixture of Cr 2 O 3 and SiO 2 was placed above. This target 6 is Ar
When the gas 7 is sputter-etched, a semitransparent film made of a mixture of chromium oxide and silicon oxide is formed on the glass substrate 1. A mask is completed by applying a resist, forming a resist pattern by EB exposure, and then etching. As the etching gas, CCl 4 used when etching Cr or chromium oxide was used.

【0017】半透明膜は酸化クロムと酸化ケイ素の混合
物で形成されており、酸化ケイ素はCCl4 ではエッチ
ングが困難であるため半透明膜のエッチング速度はCr
あるいは酸化クロムのエッチング速度に比べずっと遅く
なった。酸化クロムと酸化ケイ素の混合比が8:2の場
合にはCCl4 でもエッチングできたが、半透明膜の透
過率を上げるため酸化ケイ素の混合比を高めるとエッチ
ング不能となった。酸化ケイ素の混合比の高い半透明膜
をエッチングするためには、CCl4 とCF4の混合ガ
スを用いる必要があった。このとき、ガラス基板もエッ
チングされてしまうため、エッチングストッパの付着し
たガラス基板を用いる必要があった。
The semitransparent film is formed of a mixture of chromium oxide and silicon oxide, and since it is difficult to etch silicon oxide with CCl 4 , the etching rate of the semitransparent film is Cr.
Alternatively, it was much slower than the etching rate of chromium oxide. When the mixing ratio of chromium oxide and silicon oxide was 8: 2, etching was possible even with CCl 4 , but etching was impossible when the mixing ratio of silicon oxide was increased to increase the transmittance of the semitransparent film. In order to etch a semitransparent film having a high mixing ratio of silicon oxide, it was necessary to use a mixed gas of CCl 4 and CF 4 . At this time, since the glass substrate is also etched, it is necessary to use the glass substrate to which the etching stopper is attached.

【0018】第2の発明ではCr2 3 とSiO2 の混
合物を焼結して作成したターゲット6を用いた。しか
し、ターゲット6を2,3回スパッタで使用すると、タ
ーゲット6に亀裂が入る問題が生じた。これはターゲッ
ト6が焼結して作成されているため脆弱で、スパッタ中
に生じる温度変化に耐えられないのが原因である。そこ
で第3の発明の製造方法の一実施例として、図3(b)
に示される様なCrターゲット10とSiO2 ターゲッ
ト11よりなる複合ターゲット8を用いて図3(a)に
示されるようにスパッタを行った。このときスパッタガ
スとしてArとO2 の混合ガス9を用いたため、ガラス
基板1上に酸化クロムと酸化ケイ素の混合物よりなる半
透明膜がリアクティブスパッタにより形成された。Cr
ターゲット10およびSiO2 ターゲット11は両方と
も堅固で、スパッタ後の亀裂は認められなかった。その
後、レジストを塗布し、EB露光によりレジストパター
ンを形成した後にエッチングすることにより、マスクが
完成した。複合ターゲット8におけるCrとSiO2
面積比を変えることにより半透明膜の組成が変化し、こ
れにより半透明膜の透過率を調節することができる。
In the second invention, a target 6 made by sintering a mixture of Cr 2 O 3 and SiO 2 was used. However, when the target 6 was used for sputtering a few times, there was a problem that the target 6 was cracked. This is because the target 6 is fragile because it is made by sintering and cannot withstand the temperature change that occurs during sputtering. Therefore, as one embodiment of the manufacturing method of the third invention, FIG.
Sputtering was performed as shown in FIG. 3A using a composite target 8 composed of a Cr target 10 and a SiO 2 target 11 as shown in FIG. At this time, since a mixed gas 9 of Ar and O 2 was used as a sputtering gas, a semitransparent film made of a mixture of chromium oxide and silicon oxide was formed on the glass substrate 1 by reactive sputtering. Cr
Both the target 10 and the SiO 2 target 11 were firm and no cracks were observed after sputtering. After that, a resist was applied, a resist pattern was formed by EB exposure, and then etching was performed to complete a mask. By changing the area ratio of Cr and SiO 2 in the composite target 8, the composition of the semitransparent film changes, and the transmittance of the semitransparent film can be adjusted by this.

【0019】なお、以上の実施例では露光光源としてK
rFエキシマレーザを用いたが、露光光源として水銀ラ
ンプのi線,g線、ArFエキシマレーザ等でも酸化ク
ロムと酸化ケイ素の混合比を変え、それぞれの波長にお
ける半透明膜の透過率を調節することにより同様の効果
を得ることができる。エッチングガスは、酸化クロムと
酸化ケイ素の混合物がエッチングできるならばCC
4 ,CF4 以外のものを用いても良い。レジストパタ
ーンは、EB露光以外にレーザー直描等によっても形成
可能である。また、CrとSiO2 の複合ターゲットの
代わりにCrとSiO2 を別々のターゲットとしてもよ
い。
In the above embodiment, K is used as the exposure light source.
Although the rF excimer laser was used, the transmissivity of the semitransparent film at each wavelength can be adjusted by changing the mixing ratio of chromium oxide and silicon oxide even with a mercury lamp i-line, g-line, ArF excimer laser, etc. as an exposure light source. Can obtain the same effect. The etching gas is CC if a mixture of chromium oxide and silicon oxide can be etched.
l 4, CF 4 may be used other than. The resist pattern can be formed by laser direct drawing or the like other than EB exposure. Moreover, Cr and SiO 2 may be separate targets in place of the composite target of Cr and SiO 2.

【0020】[0020]

【発明の効果】本発明のフォトマスクは、透明基板に酸
化クロムと酸化ケイ素の混合物でできた半透明膜を付着
させただけの簡単な構造なので、作成が非常に容易であ
る。半透明膜の膜厚は数百nmと厚くとれるため、欠陥
も生じにくく膜厚制御も簡単である。また、この半透明
膜は耐酸性,耐光性に優れている。本発明のフォトマス
クを用いることにより、孤立パターンをパターンの一部
として有するフォトマスクの転写パターンの解像度を向
上させることができた。
The photomask of the present invention has a simple structure in which a semitransparent film made of a mixture of chromium oxide and silicon oxide is adhered to a transparent substrate, and therefore, the photomask is very easy to manufacture. Since the thickness of the semitransparent film can be as thick as several hundreds of nm, defects are unlikely to occur and the film thickness control is easy. Moreover, this semi-transparent film is excellent in acid resistance and light resistance. By using the photomask of the present invention, the resolution of the transfer pattern of the photomask having the isolated pattern as a part of the pattern could be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1の発明の実施例を示すフォトマスク断面
図、およびこのフォトマスクを使用した場合のウエファ
上での透過光の振幅および強度を示す図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a photomask showing an embodiment of the first invention, and a diagram showing the amplitude and intensity of transmitted light on a wafer when this photomask is used.

【図2】第2の発明の実施例を示すスパッタによる製膜
方法を説明するための図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining a film forming method by sputtering showing an embodiment of the second invention.

【図3】第3の発明の実施例を示すスパッタによる製膜
方法を説明するための図、およびCrとSiO2 の複合
ターゲットを示す図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a film forming method by sputtering showing an embodiment of the third invention and a diagram showing a composite target of Cr and SiO 2 .

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 酸化クロムと酸化ケイ素の混合物でできた半透明な
位相部材 3 透明部 4 位相差180°を与える半透明部 8 CrとSiO2 の複合ターゲット
1 glass substrate 2 semi-transparent phase member made of a mixture of chromium oxide and silicon oxide 3 transparent part 4 semi-transparent part giving a phase difference of 180 ° 8 composite target of Cr and SiO 2

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】透明基板あるいはエッチングストッパ膜が
付着した透明基板上に被露光パターンを半透明な位相部
材を用いて設けたフォトマスクにおいて、 前記位相部材が酸化クロムと酸化ケイ素の混合物より構
成されることを特徴とするフォトマスク。
1. A photomask in which an exposed pattern is provided on a transparent substrate or a transparent substrate having an etching stopper film attached thereto by using a semitransparent phase member, wherein the phase member is composed of a mixture of chromium oxide and silicon oxide. A photomask characterized by the following.
【請求項2】透明基板あるいはエッチングストッパ膜が
付着した透明基板上に、酸化クロムと酸化ケイ素の混合
物より構成される半透明な位相部材を、Cr2 3 とS
iO2 の混合物より構成されるターゲットをスパッタす
ることにより形成する工程と、 前記位相部材の所望の部分を除去し所望のパターンとす
る工程とを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方
法。
2. A semi-transparent phase member made of a mixture of chromium oxide and silicon oxide is provided on a transparent substrate or a transparent substrate having an etching stopper film attached thereto, with Cr 2 O 3 and S.
A method of manufacturing a photomask, comprising: a step of forming a target composed of a mixture of iO 2 by sputtering; and a step of removing a desired portion of the phase member to obtain a desired pattern.
【請求項3】透明基板あるいはエッチングストッパ膜が
付着した透明基板上に、酸化クロムと酸化ケイ素の混合
物より構成される半透明な位相部材を、酸素を混合した
ガスを用いてCrとSiO2 の2種類のターゲットを同
時にスパッタすることにより形成する工程と、 前記位相部材の所望の部分を除去し所望のパターンとす
る工程とを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方
法。
3. A semi-transparent phase member made of a mixture of chromium oxide and silicon oxide is formed on a transparent substrate or a transparent substrate having an etching stopper film attached thereto by using a mixed gas of oxygen and Cr and SiO 2 . A method of manufacturing a photomask, comprising: a step of forming two types of targets by sputtering at the same time; and a step of removing a desired portion of the phase member to obtain a desired pattern.
JP3303793A 1993-02-23 1993-02-23 Photomask and its production Pending JPH06250375A (en)

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JP3303793A JPH06250375A (en) 1993-02-23 1993-02-23 Photomask and its production

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