JPH0624636B2 - Catalyst support, and a manufacturing method thereof - Google Patents

Catalyst support, and a manufacturing method thereof

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JPH0624636B2 JP60185859A JP18585985A JPH0624636B2 JP H0624636 B2 JPH0624636 B2 JP H0624636B2 JP 60185859 A JP60185859 A JP 60185859A JP 18585985 A JP18585985 A JP 18585985A JP H0624636 B2 JPH0624636 B2 JP H0624636B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高い強度、大きな比表面積と細孔容積を有する多孔炭化ケイ素質焼結体からなる触媒担体およびその製造方法に関する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention is high strength [BACKGROUND OF THE] relates to a catalyst carrier and a manufacturing method thereof comprising a porous silicon carbide sintered body having a large specific surface area and pore volume.

〔従来技術〕 [Prior art]

炭化ケイ素は高い硬度、優れた耐摩耗性、優れた耐酸化性、優れた耐蝕性、良好な熱伝導率、低い熱膨張率、高い耐熱衝撃性ならびに高温での高い強度等の化学的および物理的に優れた特性を有し、メカニカルシールや軸受け等の耐摩耗材料、高温炉用の耐火材、熱交換器、燃焼管等の耐熱構造材料、酸およびアルカリ等の強い腐蝕性を有する溶液のポンプ部品等の耐蝕性材料として広く使用可能な材料である。 Silicon carbide is a high hardness, excellent wear resistance, excellent oxidation resistance, excellent corrosion resistance, good thermal conductivity, low coefficient of thermal expansion, such as high strength at high thermal shock resistance and high-temperature chemical and physical has to excellent properties, wear resistant material, such as mechanical seals and bearings, the refractory material for high temperature furnaces, heat exchangers, thermostructural material such as a combustion tube, a solution having a strong corrosive of acids and alkalis is widely available materials as corrosion resistant material of the pump parts.

一方、これらの性質を有する炭化ケイ素と、その結晶が形成する通気性を有するところの気孔、すなわち開放気孔とからなる多孔質炭化ケイ素質焼結体は、前記炭化ケイ素の特徴を生かして、高温雰囲気、酸化性雰囲気および/または腐蝕性雰囲気下における耐熱・耐蝕性物質分離材料として利用可能であり、例えば内燃機関の排気ガス、特にディーゼルエンジンの排気ガス等の高温気体中に含まれる微粒子カーボン等の微粒子物質の除去のために使用されるフィルターとして利用しうることが考えられる。 On the other hand, a silicon carbide having these properties, the pores where having breathability crystal forms, ie porous silicon carbide sintered body made of an open pore, taking advantage of the characteristics of the silicon carbide, hot atmosphere, is available as heat-corrosion resistant material separation material in an oxidizing atmosphere and / or corrosive atmosphere, for example an exhaust gas of an internal combustion engine, particulate carbon such as in particular contained in a hot gas such as exhaust gas of diesel engines it is contemplated that the can be utilized as a filter used for the removal of particulate matter.

さらに、この多孔質炭化ケイ素フィルター表面に、酸化反応用触媒成分を担持せしめた場合には、可熱性のカーボン微粒子を燃焼せしめ、ガスに転化させることも可能で、この場合、この多孔質炭化ケイ素フィルターは、耐熱・耐蝕触媒としても機能することになる。 Further, this porous silicon carbide filter surface, when brought into carrying the catalyst component for the oxidation reaction, burned the variable heat carbon fine particles, also possible be converted into a gas, in this case, the porous silicon carbide filter functions also as a heat-corrosion catalyst.

また最近、主として環境汚染防止の観点から、内燃機関やガスタービン用ボイラーなどの工業用燃焼装置、あるいは石油ストーブなどの民生用燃焼装置の分野において、低NOx燃焼技術の研究開発が行なわれており、その一つとして燃焼触媒を用いる触媒燃焼技術が注目を集めている。 Recently, from the viewpoint of preventing primarily environmental pollution, industrial combustion apparatus such as an internal combustion engine or gas turbine for boilers, or in the field of consumer combustion apparatus such as a kerosene stove, and research and development of low-NOx combustion technology is performed , catalytic combustion technique using a combustion catalyst as one has attracted attention.

この触媒燃焼技術の開発における最も重要な要素は、触媒の開発であり、触媒の開発においては活性な酸化反応用触媒物質の開発と並んで、活性成分を分散、担持するための担体の開発が極めて重要である。 The most important element in the development of the catalytic combustion technology is the development of catalysts, along the development of catalysts and developing active oxidation catalyst material, dispersing the active ingredient, the development of carriers for carrying it is extremely important.

燃焼触媒用担体においては、触媒表面で進行する燃焼反応、すなわち、酸化反応を迅速に生起せしめるために表面積が大きいことに加えて、発生する反応熱を有効に伝達、除去できるような良好な熱伝導度を有することおよび触媒細孔内の物質移動を有効に行なわせるために、ガス等の流体の通過抵抗が小さいこと、すなわち、細孔容積が大きいこと、さらに、成型体相互のぶつかり合いによるアブレイジョン、すなわち磨滅に強いことおよび成型体自身が十分の機械的強度を有すること、そして、これらの特性が長期間の使用に対して安定していることなど、多くの要求を満足することが必要である。 In the combustion catalyst carrier, a combustion reaction proceeds in the catalyst surface, i.e., in addition to the surface area to allowed to quickly rise to the oxidation reaction is large, effectively convey the reaction heat generated, good heat that can be removed to effectively performed that have a conductivity and mass transfer in the catalyst pores, that flow resistance of a fluid such as gas is small, i.e., due to the pore volume is large, further, clash of the molded body mutual abradable John, i.e. stronger and molded itself to wear have a mechanical strength sufficient, and, like that these characteristics are stable to long-term use, to satisfy many requirements is necessary.

このような要件は、燃焼触媒のみならず、一般に反応熱の発生を伴なう化学反応用の触媒担体、あるいは、高温で使用される触媒用の担体についても共通的にいえることである。 Such requirement is not only combustion catalyst, typically a catalyst carrier for accompanied chemistry generation of reaction heat or is to say in common also supports for catalysts used in high temperatures.

一方、多孔質炭化ケイ素質焼結体の製造方法としては、 On the other hand, as the method for producing a porous silicon carbide sintered body,
(1)骨材となる炭化ケイ素粒子にガラス質フラックス、 (1) vitreous flux in the silicon carbide particles to be the bone material,
あるいは粘土質などの結合材を加え成形した後、その成形体を前記結合材が溶融する温度で焼き固めて製造する方法、(2)粗大粒の炭化ケイ粗粒子と微細な炭化ケイ粗粒子を混合し成形した後、2000℃以上の高温で焼成して製造する方法、あるいは、(3)特開昭48−39515号の発明で開示されている炭化ケイ素粉に炭素粉を加え、または加えずに炭素質バインダーを加えると共に、この炭素粉及び焼成時に生成されるハインダーからの遊離炭素と反応する理論量のケイ素質粉を添加して形成し、しかる後、この成形体の炭素粉中で1900〜2400℃に加熱して成形体中の炭素分をケイ素化することを特徴とする均質多孔性結晶炭化ケイ素体の製造方法等が従来知られている。 Or after binder was added forming such clay, a method of the molded article wherein the bond material is prepared baked at a temperature to melt, (2) coarse grains of silicon carbide coarse particles and fine silicon carbide coarse particles after the mixture was molded, a method for producing and fired at a temperature higher than 2000 ° C., or (3) a carbon powder added to the silicon carbide powder as disclosed in the invention of JP 48-39515, or added without with added carbonaceous binder, formed by adding the theoretical amounts of siliceous powder that reacts with the free carbon from Hainda generated during the carbon powder and firing, after which 1900 carbon powder in the molded body 2400 production method such as a homogeneity porous silicon carbide body is heated in ℃ the carbon content in the compact, characterized in that silicon reduction is conventionally known.

しかしながら、上記(1)項のごとき結合材としてガラス質フラックス、あるいは粘土を加え製造した多孔質体の強度は、結合材が1000〜1400℃で溶融するため、多孔質体はこの温度域、特にガラス化転移温度付近で変形し、 However, the intensity of the (1) glassy flux, or clay was added manufacturing porous bodies as such binder terms, since the bonding material is melted at 1000 to 1400 ° C., the porous body in this temperature range, in particular deformed around vitrification transition temperature,
著しく強度が低下するだけでなく、耐薬品性、耐酸化性が要求される分野における使用がかぎられるという欠点がある。 Not only significantly strength is reduced, there is a disadvantage that the chemical resistance, is used in the art to which the oxidation resistance is required is limited.

一方、上記(2)項及び(3)項の方法で製造された多孔質体の構造をモデル的に図示すれば、図面に示すごとき構造のものであり、多孔質炭化ケイ素骨材1とその骨材を被覆して、骨材同志を結合する炭化ケイ素質結合材あるいは炭素質結合材2および間隙3とから構成される。 On the other hand, if the (2) and (3) structural model to illustrate the porous body produced by the method of claim, is of such structure is shown in the drawings, the porous silicon carbide aggregate 1 and its covering the aggregate, and a silicon carbide binder or carbonaceous binder 2 and the gap 3 which binds the aggregate each other.

前記多孔質体の間隙3、すなわち開放気孔は殆んど成形時に骨材粒子の配置によって決定され、多孔質体の細孔容積は高々0.2ml/gである。 The porous body of the gap 3, i.e. open porosity is determined by the arrangement of aggregate particles during throat forming N 殆, pore volume of the porous body is at most 0.2 ml / g.

また、多孔質体中の細孔容積を大きくしようとすると、 In addition, when you try to increase the pore volume of the porous body,
骨材粒子となる粗大粒子を多く必要とし、その結果骨材粒子の接触点が少なくなり、多孔質体の強度は著しく低下し、しかも比表面積は0.5m 2 /g以下で著しく小さいものになる。 Coarse particles as the aggregate particles and many require, as a result the less contact points of the aggregate particles, the strength of the porous body is significantly reduced, yet the specific surface area to those very small below 0.5 m 2 / g Become.

一方、強度の高い多孔質体とするためには骨材の粒度配合を粗粒と中程度の粒子および/または微粒子と適度に混合し形成することが必要であり、その結果、多孔質体の細孔容積は高々0.1ml/gで著しく小さく,極端な場合、一部の開放気孔が閉塞してしまう傾向がある。 Meanwhile, in order to provide a highly porous material strength it is required to be formed properly mixed with particles and / or particulates moderate and coarse particle size formulation of the aggregate, as a result, the porous body the pore volume at most significantly smaller at 0.1 ml / g, in an extreme case, there is a tendency that a portion of the open pores clogged.

このため、このような多孔質体を流体が通過する際の抵抗は著しく高くなり、物質分離用フィルターや、触媒担体等として利用する場合、著しく不利益となる。 Therefore, such a resistance of porous body when the fluid passes significantly higher, when utilizing and material separation filter, as a catalyst carrier or the like, becomes significantly disadvantageous.

したがって、触媒担体として好適な特性を有する炭化ケイ素質焼結体、すなわち、取扱いに容易な強度を有し、 Thus, a silicon carbide sintered body having properties suitable for use as catalyst support, i.e., easy strength in handling,
しかも細孔容積が0.2m 2 /gより大きく、比表面積が3m 2 /gよりも大きな多孔質炭化ケイ素質焼結体は存在しないのが現状である。 Moreover greater than the pore volume is 0.2 m 2 / g, a large porous silicon carbide sintered body than a specific surface area of 3m 2 / g at present, no.

〔発明の目的〕 [The purpose of the invention]

そこで本発明者らは、前記従来の技術の欠点を解消し、 The present inventors have overcome the drawbacks of the prior art,
かつ改善して、耐熱触媒担体として必要な特性を有する多孔質炭化ケイ素質焼結体からなる触媒担体を供給することを目的として種々研究を重ねた結果、比表面積が大きく、特定の不純物成分の少ない炭化ケイ素粉末を出発原料とし、特定の雰囲気および温度範囲内で焼結することによって、比表面積および細孔容積の減少を抑え、しかも高い強度を有する多孔質炭化ケイ素質焼結体を生成させ、その多孔質炭化ケイ素質焼結体の表面に酸化物被膜を形成させることにより、触媒担体として利用する場合に必要な比表面積が大きくしかも活性な表面を有する酸化物被覆多孔質炭化ケイ素質焼結体からなる触媒担体を製造する方法を発明するに至った。 And to improve, as a result of various studies for the purpose of supplying a catalyst support made of porous silicon carbide sintered body having the necessary properties as a heat-resistant catalyst support, the specific surface area is large, the specific impurity component less silicon carbide powder as a starting material, by sintering at a particular ambient and temperature range, to suppress the decrease in specific surface area and pore volume, yet to produce a porous silicon carbide sintered body having high strength , the by forming an oxide film on the surface of the porous silicon carbide sintered body, the oxide coated porous silicon carbide sintered with a large specific surface area yet active surface required when used as a catalyst carrier the method for producing a catalyst carrier comprising a sintered body which resulted in the invention. 本発明は上述のごとき酸化物被覆多孔質炭化ケイ素質焼結体からなる触媒担体及びその製造方法を提供することを目的としたものである。 The present invention is intended to provide a catalyst support and a manufacturing method thereof consists above such as oxide-coated porous silicon carbide sintered body.

〔発明の構成〕 [Configuration of the Invention

すなわち、本発明の触媒担体は、主として炭化ケイ素よりなる結晶が三次元の網目構造をなし、開放気孔を有し、細孔容積が0.2〜2.0ml/gの範囲にあり、比表面積が3m 2 /g以上で、かつ平均圧縮強度が300kgf/ In other words, the catalyst support of the present invention is mainly composed of silicon carbide crystals form a three-dimensional network structure, has an open pore, the pore volume is in the range of 0.2 to 2.0 / g, a specific surface area in There 3m 2 / g or more, and an average compressive strength of 300 kgf /
cm 2以上の多孔質炭化ケイ素質焼結体の多孔質炭化ケイ素質焼結体の表面に、シリカ膜または/およびアルミナ膜の被覆を有しており、その比表面積が10m 2 /g以上であることを特徴とし、更に、その製造方法は、(1)比表面積が3m 2 /g以上で、ホウ素,アルミニウムおよび鉄の含有量の合計が元素に換算して0.3重量%以下である炭化ケイ素粉末を所望の形状に成形する工程、(2)前記(1)の工程により得られた成形体を耐熱性の容器に装入して、1400℃〜2000℃の温度範囲内において、少なくとも10分間COあるいはN 2の少なくともいづれかのガス分圧が100 Pa以上に維持された非酸化性雰囲気中で焼成する工程、(3)前記成形体を1600℃〜2000℃の最高温度で焼成する工程の、および(4)生成する焼結体にシリカ膜または/およびアルミナ膜を被覆する工 In the porous surface of the silicon carbide sintered body cm 2 or more porous silicon carbide sintered body has a coating of silica film and / or an alumina film, a specific surface area of 10 m 2 / g or more and wherein there further manufacturing method, (1) a specific surface area of 3m 2 / g or more, boron, the total content of aluminum and iron in terms of elemental is 0.3 wt% or less shaping silicon carbide powder to a desired shape, (2) said charged molded body obtained by the step (1) into a container of heat resistance in a temperature range of 1400 ° C. to 2000 ° C., at least process at least Izure of gas partial pressure of 10 min CO or N 2 is fired in non-oxidizing atmosphere is maintained above 100 Pa, firing (3) maximum temperature of the shaped body 1600 ° C. to 2000 ° C. , and (4) Engineering covering the silica film and / or an alumina film on the sintered body to produce 程、シーケンスから構成される。 Degree, consisting of the sequence.

〔実施例〕 〔Example〕

以下本発明の詳細を説明するが、まず、本発明の触媒担体のベース物質は、主として炭化ケイ素よりなる結晶が三次元の網目構造をなし、開放気孔を有する多孔質炭化ケイ素質焼結体であって、その細孔容積が0.2〜2. While the present invention will be described in detail below, first, the base material of the catalyst carrier of the present invention is mainly composed of silicon carbide crystals form a three-dimensional network structure, a porous silicon carbide sintered body having an open porosity there is, the pore volume is 0.2 to 2.
0ml/gの範囲であることが必要である。 It is required to be in the range of 0ml / g.

ここで、細孔容積は置換法により求めた値であり、その理由は、前記多孔質体の細孔容積が0.2ml/gより小さいと、細孔内での物質移動が阻害され、触媒担体として利用する場合不利であり、また2.0ml/gより大きいと、多孔質体炭化ケイ素質焼結体の強度が低下し、実用上の取り扱いが困難となるためである。 Here, the pore volume is a value determined by the displacement method, because the the pore volume of the porous body is 0.2 ml / g less than the mass transfer in the pores is inhibited, the catalyst is disadvantageous when used as a carrier, also larger than 2.0 ml / g, the strength of the porous body silicon carbide sintered body is lowered, because the practical handling becomes difficult. なかでも0. Among them, 0.
3〜1.5ml/gの細孔容積であることが触媒担体として良好な結果を期待することができる。 It is the pore volume of 3~1.5ml / g can be expected good results as the catalyst support.

また、本発明の炭化ケイ素質焼結体の比表面積は、少なくとも3m 2 /gであることが必要であり、その理由は比表面積が3m 2 /gよりも小さいと、触媒担体等としては実用に耐えないためである。 The specific surface area of the silicon carbide sintered body of the present invention is at least 3m is that required is 2 / g, the reason the specific surface area is less than 3m 2 / g, practical use as a catalyst carrier or the like This is because to not endure. なお、前記比表面積は窒素吸着によるBET法によって求められる値である。 Incidentally, the specific surface area is a value determined by the BET method by nitrogen adsorption.

さらに本発明の炭化ケイ素質焼結体の平均圧縮強度は少なくとも300kgf/cm 2であることが必要である。 Furthermore the average compressive strength of silicon carbide sintered body of the present invention should be at least 300 kgf / cm 2. その理由は平均圧縮強度が300kgf/cm 2よりも小さいと、実用上の取り扱いが困難となるからであり、なかでも、前記炭化ケイ素質焼結体の平均圧縮強度は500kgf/cm 2以上であることが、種々の形状を持った触媒担体として使用する上でより有利である。 The reason is the average compressive strength is less than 300 kgf / cm 2, is because practical handling becomes difficult, inter alia, the mean compressive strength of silicon carbide sintered body is 500 kgf / cm 2 or more it is more advantageous for use as a catalyst support having various shapes.

次に、本発明の被覆多孔質炭化ケイ素質焼結体からなる触媒担体の製造方法について詳細に説明する。 Next, a method of manufacturing a catalyst carrier comprising covering a porous silicon carbide sintered body of the present invention will be described in detail.

本発明の製造方法は下記(1)、(2)および(3)の各工程のシーケンスからなるものである。 Production method of the present invention is the following (1), is made of a sequence of steps (2) and (3).

(1) 比表面積が3m 2 /g以上で、ホウ素,アルミニウムおよび鉄の含有量の合計が元素に換算して0.3重量%以下である炭化ケイ素粉末を所望の形状に成形する工程。 (1) a specific surface area of 3m 2 / g or more, boron, shaping the aluminum and silicon carbide powder total in terms of elemental 0.3 wt% or less of iron content into the desired shape.

(2) 上記(1)の工程により得られた成形体を耐熱性の容器に装入して、1400℃〜2000℃の温度範囲内において、 (2) the molded body obtained by the step (1) was charged into a container of heat resistance in a temperature range of 1400 ° C. to 2000 ° C.,
少なくとも10分間COあるいはN 2の少なくともいづれかのガス分圧が100 Pa以上に維持された非酸化性雰囲気中で焼成する工程。 Process at least Izure of gas partial pressure of at least 10 minutes CO or N 2 is fired in non-oxidizing atmosphere is maintained above 100 Pa.

(3) 前記成形体1600℃〜2000℃の最高温度で焼成する工程。 (3) calcining at the maximum temperature of the molded body 1600 ° C. to 2000 ° C..

(4)生成する焼結体にシリカ膜または/およびアルミナ膜を被覆する工程。 (4) a step of the sintered body covering the silica film and / or an alumina film to be produced.

まず上記三工程によって細孔容積が0.2〜2.0ml/ First pore volume by the above third step is 0.2 to 2.0 /
g、比表面積が3m 2 /g以上、そして平均圧縮強度が30 g, the specific surface area of 3m 2 / g or more, and the average compressive strength is 30
0kgf/cm 2以上である多孔質炭化ケイ素質焼結体からなる触媒担体を製造することができる。 It is possible to produce a catalyst carrier comprised of 0 kgf / cm 2 or more at which the porous silicon carbide sintered body.

本発明によれば、前記出発原料は、少なくとも3m 2 /g According to the present invention, the starting material is at least 3m 2 / g
の比表面積を有する炭化ケイ素粉末であることが必要であり、この理由は比表面積が3m 2 /gより小さい出発原料を用いた成形体は、焼結の後、比表面積を増加させることが困難であり、少なくとも3m 2 /gの比表面積を有する炭化ケイ素質焼結体を得ることが困難となるからである。 Must be a silicon carbide powder having a specific surface area of the shaped body The reason for this is that the specific surface area was used 3m 2 / g less than the starting material, after sintering, it is difficult to increase the specific surface area , and the because is possible to obtain a silicon carbide sintered body having a specific surface area of at least 3m 2 / g is difficult.

また、出発原料として使用される炭化ケイ素は、α型、 Further, silicon carbide, alpha type used as a starting material,
β型および/または非晶質炭化ケイ素のいづれも使用することができるが、なかでも大きな比表面積をもつ微粒子を安価に、しかも容易に製造できるβ型炭化ケイ素をより効果的に使用することができる。 Izure of β-type and / or amorphous silicon carbide can be used, but that inter alia particles an inexpensive having a large specific surface area, yet more effectively use the β-type silicon carbide can be easily manufactured it can.

また、本発明によれば、出発原料に含まれる炭化ケイ素粉末 100重量%に対し、ホウ素,アルミニウムおよび鉄の含有量の合計が元素に換算して0.3重量%以下であることが必要である。 Further, according to the present invention, with respect to the silicon carbide powder 100 wt% contained in the starting material, boron, is necessary that the total content of aluminum and iron in terms of elemental 0.3 wt% or less is there.

その理由は、前記ホウ素,アルミニウムおよび鉄の含有量の合計が元素に換算して0.3重量%より多いと、炭化ケイ素粉末中に含有されている遊離炭素と相互作用によって焼結時に焼成収縮し易く、細孔容積が減少し、本発明の目的とする0.2ml/g以上の細孔容積を有する炭化ケイ素質焼結体を得ることが困難になるからである。 The reason is that the boron, the total content of aluminum and iron is more than 0.3 wt% in terms of element, firing shrinkage during sintering by free carbon and interactions are contained in the silicon carbide powder to facilitate, because the pore volume is reduced, to obtain a silicon carbide sintered body is difficult to have a 0.2 ml / g or more pore volume, which is an object of the present invention.

なお、上記炭化ケイ素粉末に5重量%以下の遊離炭素を含有させるべく炭素質物質を添加することができる。 Incidentally, it is possible to add a carbonaceous material so as to contain free carbon of 5% by weight or less to the silicon carbide powder.

上記遊離炭素は結晶粉の粗大化を抑制する作用を有しており、出発原料中に存在させることにより、炭化ケイ素結晶粒径を均一化し、比表面積の減少を抑制することができる上、比較的高強度の焼結体を得ることができる。 The free carbon has an effect of suppressing coarsening of crystal powder, by the presence in the starting material, homogenizing the silicon carbide crystal grain size, on which can suppress a decrease in specific surface area, compared it is possible to obtain a sintered body of specific high strength.

また、上記遊離炭素の含有量を5重量%以下とする理由は、5重量%よりも多いと炭化ケイ素粉末粒子間に過剰の炭素が存在することになり、粒と粒との結合を著しく阻害するため、焼結体の強度が劣化するからである。 The reason why the content of the free carbon 5 wt% or less, will be an excess of carbon is present between the silicon carbide powder particles and greater than 5 wt%, significantly the binding of particle and particle inhibition to is the strength of the sintered body is deteriorated.

上記炭化物質としては、焼結開始時に炭素を存在させられるものであればよく、例えばフエノール樹脂、リグニンスルホン酸塩、ポリビニルアルコール、コンスターチ、糖類、コールタールピッチ、アルギン酸塩のような各種有機物質、あるいはカーボンブラック、アセチレンブラックのような熱分解炭素を有利に使用することができる。 As the carbonized material, as long as it is the presence of carbon at the start sintering, for example phenolic resins, lignin sulfonate, polyvinyl alcohol, corn starch, sugars, coal tar pitch, various organic materials such as alginates, or it can advantageously be used carbon black, pyrolytic carbon, such as acetylene black.

本発明においては、前記成形体中に占める炭化ケイ素質は生成形態 100容量%に対し、10〜60容量%であることが好ましく、その理由は成形体中の炭化ケイ素質が10容量%よりも少ないと、前記炭化ケイ素質焼結体の強度が低下するからであり、60容量%より大きいと、前記炭化ケイ素質焼結体の細孔容積が0.2ml/g以下となるためであり、なかでも17〜55容量%であることがより好ましい結果を与える。 In the present invention, the silicon carbide occupying the compacts to produce form 100 volume%, preferably 10 to 60 volume%, because than 10% by volume silicon carbide in the compact less when, and the strength of the silicon carbide sintered body is reduced, and greater than 60 volume%, the pore volume of the silicon carbide sintered body is because the following 0.2 ml / g, it is inter alia 17-55% by volume gives a more favorable result.

本発明によれば、前記出発原料を所望される形状に成形する方法としては、セラミック業界において一般に使用されている従来形式の成形法、例えばダイプレス成形、 According to the present invention, as a method of molding into a shape that is desired the starting material, molding method of the conventional type are commonly used in the ceramic industry, for example a die press molding,
射出成形、押出成形あるいは鋳込み成形等のいづれでも適用可能であるが、量産性に富み、しかも生成形体の気孔率を容易に、しかも任意に変えることのできるダイプレス成形、射出成形、押出成形をより有利に適用できる。 Injection molding is applicable even Izure of molding extrusion molding or casting, rich in mass production, yet easily porosity of raw formed body, moreover die press molding can be arbitrarily changed, injection molding, extrusion molding and more It can be advantageously applied.

そして、前記成形体中に占める炭化ケイ素質を10〜60容量%とすべく、成形圧力および成形助剤の添加量を任意に選択することができる。 Then, in order to the silicon carbide occupied in the green body 10 to 60 volume%, it is possible to arbitrarily select the amount of molding pressure, and a molding aid.

例えば、炭素ケイ素質の含まれる割合を小さくするには、成形圧を比較的小さくし、成形助剤の量を多くする方法を適用することができる。 For example, it is possible to apply the method to reduce the proportion contained of carbon siliceous is the molding pressure was relatively small, to increase the amount of molding aid.

また、本発明によれば、前記成形形体は1400℃〜2000℃ Further, according to the present invention, the molding form is 1400 ° C. to 2000 ° C.
の温度範囲内において少なくとも10分間雰囲気中のCOあるいはN 2の少なくともいずれかのガス分圧が100 Pa以上に維持された非酸化性雰囲気中で焼成されることが必要であり、その理由は上記温度雰囲気内において少なくとも10分間雰囲気中のCOあるいはN 2の少なくともいづれかのガス分圧を100 Pa以上とすることによって、ネックの成長を促進させ、かつ炭化ケイ素の焼結時における焼成収縮を効果的に抑制することができ、その結果、炭化ケイ素の結晶同志の接合強度が高くなり、高い強度を有する焼結体を得ることができ、しかも大きな細孔容積を得ることができるからであり、なかでも少なくとも30分間上記の雰囲気中で焼成されることがより好ましい。 At least at least one of the gas partial pressure of CO or N 2 for 10 minutes in an atmosphere is required to be fired in a non-oxidizing atmosphere is maintained above 100 Pa, because the within temperature range by at least 10 minutes in an atmosphere of CO or N 2 at least Izure or gas partial pressure 100 Pa or more in a temperature atmosphere, to promote the growth of the neck, and effective firing shrinkage during sintering of silicon carbide can be suppressed to a result, the bonding strength of the crystal comrades of silicon carbide is increased, it is possible to obtain a sintered body having a high strength, yet it is able to obtain a large pore volume, Naka But it is more preferably baked at least 30 minutes in the above atmosphere.

また、本発明によれば、上記成形体を焼成雰囲気を制御することのできる耐熱性容器内に装入し、焼成することが有利である。 Further, according to the present invention, was charged into the heat resistance vessel capable of controlling the firing atmosphere the molded body, it is advantageous to firing.

このように耐熱性の容器内に装入して焼成雰囲気を制御しつつ焼成することが有利である理由は隣接する炭化ケイ素の結晶同志の結合およびネックの成長を促進させることができるからである。 Since this reason it is advantageous to firing while controlling the charged to the sintering atmosphere in heat resistance in the container so that it is possible to promote the binding and the neck growth of the crystal comrades of silicon carbide adjacent .

前述のごとく、耐熱性の容器内に生成形体を装入して焼成雰囲気を制御しつつ焼成することによって隣接する炭化ケイ素結晶同志の結合およびネックの成長を促進させることができる理由は、炭化ケイ素粒子間における炭化ケイ素の蒸発−再凝縮および/または表面拡散による移動を促進することができるためと考えられ、強度の高い炭化ケイ素質焼結体を得ることができる。 As described earlier, the reason for it is possible to facilitate the binding and the neck growth of silicon carbide crystals each other adjacent by firing while controlling the charging to the firing atmosphere generated form the heat-resistant vessel, silicon carbide evaporation of silicon carbide between the particles - considered since it is possible to facilitate movement by recondensation and / or surface diffusion, it is possible to obtain a high strength silicon carbide sintered body.

上記耐熱性の容器としては、黒鉛や炭化ケイ素などの材質のよびこれらと同等の機能を有するものを有利に使用することができる。 Examples of the heat-resistant container can be advantageously used which has the same function as these and materials such as graphite or silicon carbide.

また、上記生成形体を焼成雰囲気を制御することのできる耐熱性容器中に装入して焼成することにより、焼成時における炭化ケイ素の揮散率を5重量%以下に制御することが有利である。 Further, by firing was charged into the heat resistant container capable of controlling the firing atmosphere of the raw molded body, it is advantageous to control the volatilization rate of the silicon carbide during sintering to 5% by weight or less.

更に、本発明によれば、上記の成形体を1600℃〜2000℃ Further, according to the present invention, 1600 ° C. The molded body of the to 2000 ° C.
の範囲の最高温度で焼成することが必要であり、その理由は、焼成温度が1600℃よりも低いと粒子の成長が不十分であり、高い強度を有する焼結体を得ることが困難であり、2000℃よりも高い温度になると、炭化ケイ素の粒成長が非常に活発となり、粒子が粗大化するため、比表面積が著しく減少し、しかも分解が盛んになり、発達した炭化ケイ素結晶が逆にやせ細ってしまい、その結果、 It is necessary to firing in the range of maximum temperature, because the growth of lower and particles than the firing temperature is 1600 ° C. is insufficient, it is difficult to obtain a sintered body having a high strength , at a temperature higher than 2000 ° C., the grain growth of silicon carbide becomes very active, for coarse particles, significantly reduces the specific surface area, yet degradation flourished, conversely silicon carbide crystals that developed dwindling will be, as a result,
高い強度を持った焼結体を得ることが困難となるためであり、なかでも1700℃〜1950℃の間で焼成することが好適である。 Is because it becomes difficult to obtain a sintered body having a high strength, it is preferable to calcination between inter alia 1700 ℃ ~1950 ℃.

上記の方法によって製造された多孔質炭化ケイ素質焼結体は、耐熱、耐蝕性にすぐれ、かつアルミナや窒化ケイ素等の酸化物、窒化物系セラミックス多孔体に比べ2〜 Porous silicon carbide sintered body produced by the method described above, heat, excellent corrosion resistance, and oxides such as alumina or silicon nitride, 2 compared with a nitride-based ceramic porous body
4倍程度、ステンレス鋼S58Cとほぼ同程度の良好な熱伝導率を有している。 4 times, and has good thermal conductivity substantially the same as the stainless steel S58C.

これらの特性は、燃焼触媒など高温条件下で使用され、 These properties are used in high temperature conditions such as the combustion catalyst,
かつ反応熱のすみやかな伝達及び除去を必要とする触媒の担体として使用した場合に効果的である。 And it is effective when used as a catalyst carrier which requires rapid transfer and removal of the reaction heat.

このようにして得られた炭化ケイ素質焼結体の表面をシリカあるいは/およびアルミナ等の活性酸化物の薄膜で被覆することにより、触媒成分を担持分散させるに当って好適な表面活性と、その焼結体の表面積よりもさらに大きな表面積を付与することができる。 By coating the surface of the thus obtained silicon carbide sintered body with a thin film of active oxide such as silica or / and alumina, and suitable surface active hitting a catalyst component is supported dispersed, its than the surface area of ​​the sintered body can be further imparted a large surface area.

炭化ケイ素質焼結体の表面に酸化物被膜を形成する場合、シリカ(SiO 2 )被膜単独の被覆のほか、シリカ被膜上にさらにアルミナ(Al 2 O 3 )等の酸化物被膜を形成させ、シリカ/アルミナ等の複合酸化物被膜を形成させる方法が、活性表面と大表面積を得るには好適である。 When forming the oxide film on the surface of the silicon carbide sintered body, silica (SiO 2) In addition to coating a single coating on the silica coating is further formed an oxide film such as alumina (Al 2 O 3), method of forming a composite oxide coating such as silica / alumina, is suitable for obtaining a large surface area and active surface.

この場合、シリカ被膜は基体である炭化ケイ素質焼結体と化学的に強い結合を作るのできわめて安定性がよい。 In this case, the silica coating is extremely good stability since making silicon carbide sintered body and chemically strong bond is base.

このようにして形成されたシリカ被膜はそれ自身アルミナ、チタニア(TiO 2 )ジルコニア(ZrO 2 )などの他の金属酸化物に対して強い親和性をもつので、このシリカ被膜上にさらにこれら別種の金属酸化物被膜を形成させることができる。 Thus the silica coating film formed by itself alumina, titania because it has a strong affinity for (TiO 2) zirconia (ZrO 2) other metal oxides, such as, more of these different type on the silica coating thereby forming a metal oxide coating.

このようにして製造された酸化物被膜の多孔質炭化ケイ素質焼結体は、表面は触媒担体として好適なシリカ、アルミナ、チタニアなどと同等の特性を有し、同時にバルク特性としては、耐熱、耐蝕、良熱伝導性の炭化ケイ素の性質をもつことができ、上記触媒担体としてきわめて有効な素材となる。 Porous silicon carbide sintered body thus produced in the oxide film, the surface has a suitable silica as catalyst support, alumina, comparable properties and titania, as bulk properties simultaneously, heat, corrosion, it can have the properties of good thermal conductivity of silicon carbide, an extremely effective material as the catalyst support.

次に、本発明を、本発明の各実施例およびその比較例について説明すると、まず、本発明の実施例1の出発原料として使用した炭化ケイ素粉末は、94.6重量%がβ型結晶で残部が実質的に2H型結晶よりなり、0.29重量%の遊離炭素、0.17重量%の酸素、0.03重量%の鉄、0.03重量%のアルミニウムを主として含有し、ホウ素は検出されなかった。 Next, the present invention will be described for each example and comparative examples of the present invention, first, silicon carbide powder used as the starting material in Example 1 of the present invention, the balance being 94.6 wt% β-type crystal substantially consists 2H-type crystals, 0.29 wt% of free carbon, 0.17 wt% oxygen, 0.03 wt% of iron, mainly 0.03% by weight of aluminum, boron was not detected.

また、この原料粉末は0.28μmの平均粒径を有しており、その比表面積は18.7m 2 /gであった。 The resultant powder has an average particle size of 0.28 .mu.m, the specific surface area was 18.7m 2 / g.

上記炭化ケイォ粉末 100重量%に対し、ポリビニルアルコール5重量%、水 300重量%を配合し、ボールミルの中で5時間混合した後乾燥した。 The carbonized Keio powder 100 wt% with respect to polyvinyl alcohol 5% by weight, blended with 300% by weight of water, and dried after mixing 5 hours in a ball mill.

この乾燥混合物を適量採取して、顆粒化した後金属製押し型を用いて50kg/cm 2の圧力で成形した結果、この生成形体のうち炭化ケイ素の占める割合は全体の42.9容量%であった。 The dry mixture was proper amount collected results molded at a pressure of 50 kg / cm 2 using a metal press mold after granulating, the proportion of silicon carbide of the raw formed body was 42.9% by volume of the total .

上記の生成形体を耐熱性の容器である黒鉛製ルツボに装入し、タンマン型焼成炉を使用して1気圧の主としてアルゴンガス雰囲気中で焼成した。 The above product form was charged into a graphite crucible is a container of heat resistance was primarily sintered in an argon gas atmosphere at 1 atm by using a Tamman type firing furnace.

昇温過程は 450℃/時間で1400℃まで昇温し、1400℃から1600までの間を 150℃/時間で昇温し、CO濃度を100 Heating process is raised to 1400 ° C. at 450 ° C. / time, the period from 1400 ° C. to 1600 was raised at 0.99 ° C. / time 100 the CO concentration
Pa以下にした。 Pa was below.

その後、最高温度1900℃まで 300℃/時間の割合で昇温し、最高温度で4時間保持した。 Thereafter, the temperature was raised at a rate of 300 ° C. / time to a maximum temperature of 1900 ° C., held for 4 hours at the maximum temperature.

なお、1500℃から1900℃までの温度範囲内でCO濃度が20 Incidentally, the CO concentration in the temperature range from 1500 ° C. to 1900 ° C. 20
分間 300±50 Paの範囲内になるようにアルゴンガス流量を適宜調整した。 Was adjusted to an argon gas flow rate so that the minute 300 within a range of ± 50 Pa.

得られた焼結体の密度は1.36g/cm 3であり、細孔容積は0.42ml/g、比表面積は17.9m 2 /gであり、この焼結体の平均圧縮強度は1220kgf/cm 2の高い値を有していた。 The density of the sintered body is 1.36 g / cm 3, pore volume 0.42 ml / g, specific surface area of 17.9m 2 / g, the average compressive strength of the sintered body 1220kgf / cm 2 It had a high value.

次に、上記実施例1に対比させるための比較例1にて、 Next, in Comparative Example 1 for making the comparison in Example 1 above,
その出発原料として使用した炭化ケイ素粉末は、92.8重量%がβ型結晶で残部が実質的に2H型結晶よりなり、 As the silicon carbide powder used as a starting material, the balance being substantially above 2H-type crystals in 92.8% by weight β-type crystal,
0.21重量%の遊離炭素、0.17重量%の酸素、0.05重量% 0.21 wt% of free carbon, 0.17 wt% oxygen, 0.05 wt%
の鉄、0.1重量%のアルミニウム、0.4重量%のホウ素を主として含有し、0.27μmの平均粒径を有する炭化ケイ素粉末であり、その比表面積は16.8m 2 /gであった。 Iron, 0.1 wt% of aluminum, containing mainly 0.4 wt% boron, a silicon carbide powder having an average particle diameter of 0.27 [mu] m, the specific surface area was 16.8 m 2 / g.

この出発原料を用いて、実施例1と同様の方法で炭化ケイ素質焼結体を得たところ、焼結体の密度は1.97g/cm Using this starting material, was obtained a silicon carbide sintered body in the same manner as in Example 1, the density of the sintered body 1.97 g / cm
2であり、細孔容積は0.19ml/gであり、比表面積は1.8m 2 /gと著しく低いものであった。 2, a pore volume of 0.19 ml / g, specific surface area was as significantly low as 1.8 m 2 / g.

次に、本発明の実施例2の出発原料として使用した炭化ケイ素粉末は、96.3重量%がβ型結晶であり、残部が実質的に2H型結晶よりなり、0.81重量%の遊離炭素、0. Next, the silicon carbide powder used as the starting material in Example 2 of the present invention is 96.3 wt% β-type crystal, the balance being substantially above 2H-type crystals, 0.81 wt% of free carbon, 0.
11重量%の酸素、0.01重量%のアルミニウムを主として含有し、鉄およびホウ素は検出されない原料粉末であった。 11 wt% of oxygen, contains mainly 0.01% by weight of aluminum, iron and boron were raw material powder is not detected.

また、この粉末の平均粒径は0.15μmであり、比表面積は51.2m 2 /gであった。 The average particle size of the powder is 0.15 [mu] m, a specific surface area of 51.2m 2 / g.

この出発原料100重量%に対し、比表面積128m 2 /gのカーボンブラック粉末2重量%、ポリオキシエチレンノニルフエニルエーテル0.4重量%、水20重量%およびメチルセルロース粉末200 重量%を添加し、ニーダーによって加圧混練した後、押し出し圧力20kgf/cm 2で押出成形を行い、径5mm、長さ5mmのペレットを成形した。 To this starting material 100 wt%, carbon black powder 2 wt% of the specific surface area of 128m 2 / g, a polyoxyethylene nonylphenyl ether 0.4 weight%, water 20 wt% and cellulose powder 200 wt% was added, after pressurizing圧混kneaded by a kneader, performs extrusion at an extrusion pressure of 20 kgf / cm 2, were molded diameter 5mm, length 5mm pellets.

この成形体の炭化ケイ素の占める割合は、25.3容量%であった。 The proportion of silicon carbide of the molded body was 25.3% by volume.

上記の成形体を2℃/時間で 300℃まで脱脂を行った後、黒鉛製ルツボに装入し、タンマン炉を使用して1気圧の主としてアルゴンガス雰囲気中で焼成した。 After degreasing the molded body up to 300 ° C. at 2 ° C. / time, charged into a graphite crucible, it was primarily sintered in an argon gas atmosphere at 1 atm by using a Tammann furnace.

その昇温過程は1400℃まで 250℃/時間で昇温し、1400 Its heating process is heated at 250 ° C. / time to 1400 ° C., 1400
℃から1500℃までの間を60℃/時間で昇温し、CO濃度を ° C. between until 1500 ° C. The temperature was raised at 60 ° C. / time, the CO concentration
100 Pa以下にした。 It was below 100 Pa.

その後、最高温度1750℃まで 900℃/時間で昇温し、17 Thereafter, the temperature was raised at 900 ° C. / time to a maximum temperature of 1750 ° C., 17
50℃で10分間保持したが、1500℃以降の焼成過程中の雰囲気はすべてN 2濃度が 500±100 PaになるようにN 2ガスを適宜注入した。 50 and ° C. at for 10 minutes, but all N 2 concentration atmosphere in the firing process after the 1500 ° C. was appropriately injected N 2 gas to be 500 ± 100 Pa.

得られた焼結体の密度は0.77g/cm 3であり、細孔容積は0.99ml/g、比表面積は38.1m 2 /gであり、この焼結体の平均圧縮強度は550kgf/cm 2の高い値を有していた。 The density of the sintered body is 0.77 g / cm 3, pore volume 0.99 ml / g, specific surface area of 38.1m 2 / g, the average compressive strength of the sintered body is 550 kgf / cm 2 It had a high value.

さらに、本発明の実施例3として、例えば国産のコロイダルシリカ(スノーテックス20,固形分濃度約20%)を蒸留水で2倍に希釈し、PH=10に調整した。 Furthermore, as an embodiment 3 of the present invention, for example, domestic colloidal silica (Snowtex 20, a solid concentration of about 20%) was diluted two-fold with distilled water, it was adjusted to PH = 10.

一方、実施例1において得られた多孔質炭化ケイ素質焼結体(比表面積17.9m 2 /g)を真空容器中に装入し、10 On the other hand, was charged resulting porous silicon carbide sintered body in Example 1 (specific surface area 17.9m 2 / g) in a vacuum vessel, 10
-2 mmHgで脱ガス処理した後、上記コロイダルシリカ溶液を同容器内に注入し、しかる後、大気圧までパージした。 After degassing at -2 mmHg, the colloidal silica solution was poured into the vessel, thereafter was purged to atmospheric pressure.

パージ後、焼結体をコロイダルシリカ溶液から取出し、 After purging, taking out the sintered body from the colloidal silica solution,
乾燥器中 100℃で乾燥した後、シリコニット炉に装入し、1400℃で、50重量%水蒸気−空気混合ガス5/分流通下で5時間保持し焼成した。 After drying at 100 ° C. in a drying oven, it was charged into siliconit furnace at 1400 ° C., 50 wt% water vapor - was fired for 5 hours in an air gas mixture 5 / min under a stream.

得られたシリカ被覆の多孔質炭化ケイ素質焼結体の重量増加は13.5%であり、比表面積は16.8m 2 /gであった。 Weight increase of the porous silicon carbide sintered body obtained silica coating was 13.5%, a specific surface area of 16.8 m 2 / g.

電子顕微鏡観察により、炭化ケイ素表面に、0.3μm By electron microscopy, the silicon carbide surface, 0.3 [mu] m
の厚さでシリカ被膜が形成されていることが確かめられた。 That the silica coating is formed was confirmed in a thickness of.

また、本発明の実施例4として、例えば国産のアルミナゾル(アルミナゾル−1000,固形分濃度10%)に蒸留水を加え、PH=4に調整した。 Further, in Example 4 of the present invention, for example, domestic alumina sol (Alumina Sol -1000, solid concentration 10%) Distilled water was added to, was adjusted to PH = 4.

一方、実施例3で得られたシリカ被膜の多孔質炭化ケイ素質焼結体(比表面積16.8m 2 /g)を、上記アルミナゾルに実施例3と同様の方法で真空含浸し、アルミナゾルから取出した後、乾燥気中で50℃で乾燥した。 On the other hand, a porous silicon carbide sintered body of the silica coating film obtained in Example 3 (specific surface area 16.8 m 2 / g), and vacuum impregnation in the same manner as in Example 3 above alumina sol was removed from the alumina sol after, and then dried at 50 ℃ in a drying care.

その乾燥体をエレマ炉中に装入し、空気中500 ℃で2時間保持して焼成した。 It was charged with the dried body in Elema furnace, and was fired by holding for 2 hours at 500 ° C. in air. .

得られたシリカ/アルミナ複合酸化物被覆の多孔質炭化ケイ素焼結体の重量増加は8.2%、比表面積は52.5m 2 Weight gain 8.2% of the porous silicon carbide sintered body obtained silica / alumina composite oxide coated, specific surface area 52.5M 2
/gであった。 It was / g.

そこで、電子顕微鏡観察により、シリカ被覆多孔質炭化ケイ素質焼結体の表面に、0.15μmの厚さでアルミナ被覆が形成されていることが確かめられた。 Therefore, the electron microscopic observation, the surface of the silica-coated porous silicon carbide sintered body, it was confirmed that the alumina coating is formed at a thickness of 0.15 [mu] m.

〔発明の効果〕 〔Effect of the invention〕

従って、本発明では、耐熱、耐蝕性で、かつ良熱伝導性の耐熱触媒として必要な特性を有する多孔質炭化ケイ素質焼結体の表面にシリカ膜または/およびアルミナ膜からなる酸化物被膜を形成させることにより、高い比表面積を付与できるのみならず、シリカおよびアルミナの有する触媒担体として好適な特性と、炭化ケイ素質焼結体の有する良好な耐熱性、耐蝕性、熱伝導性とを兼ね備えた優れた触媒担体を提供できる。 Accordingly, in the present invention, heat, in corrosion resistance, and good thermal conductivity of the oxide film on the surface of the porous silicon carbide sintered body made of silica film and / or an alumina film having the necessary properties as a heat-resistant catalyst by forming not only can impart a high specific surface area, it combines the properties suitable as a catalyst carrier having a silica and alumina, good heat resistance having a silicon carbide sintered body, corrosion resistance, and thermal conductivity It can provide an excellent catalyst support has.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

図面は多孔質体の構造をモデル的に図示した拡大図である。 Drawings is an enlarged view illustrating the structure of the porous body model basis.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−26795(JP,A) 特開 昭50−53290(JP,A) 特開 昭62−4446(JP,A) ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (56) reference Patent Sho 50-26795 (JP, a) JP Akira 50-53290 (JP, a) JP Akira 62-4446 (JP, a)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】主として炭化ケイ素よりなる結晶が三次元の網目構造をなし、開放気孔を有し、細孔容積が0.2 〜 1. A predominantly consisting of silicon carbide crystals form a three-dimensional network structure, has an open pore, pore volume of 0.2 to
    2.0 ml/gの範囲にあり、比表面積が3m 2 /g以上で、かつ平均圧縮強度が300kgf/cm 2以上である多孔質炭化ケイ素質焼結体の表面に、シリカ膜または/およびアルミナ膜の被覆を有しており、その比表面積が10m 2 /g以上である触媒担体。 In the range of 2.0 ml / g, the surface of a specific surface area of 3m 2 / g or more, and an average compressive strength of 300 kgf / cm 2 or more porous silicon carbide sintered body, a silica film and / or an alumina film has a coating, the catalyst support is a specific surface area of 10 m 2 / g or more.
  2. 【請求項2】細孔容積が0.2 〜2.0 ml/gの範囲にあり、 Wherein the pore volume is in the range of 0.2 ~2.0 ml / g,
    比表面積が3m 2 /g以上で、かつ平均圧縮強度が少なくとも300kgf/cm 2である多孔質炭化ケイ素質焼結体の表面にシリカ膜または/およびアルミナ膜の被覆を有しており、その比表面積が10m 2 /g以上である触媒担体の製造方法であって、(1)比表面積が3m 2 /g以上で、ホウ素、アルミニウムおよび鉄の含有量の合計が元素に換算して0. A specific surface area of 3m 2 / g or more, and an average compressive strength has a coating of silica film and / or an alumina film on the porous surface of the silicon carbide sintered body is at least 300 kgf / cm 2, the ratio surface area a method of manufacturing a catalyst carrier is 10 m 2 / g or more, (1) a specific surface area of 3m 2 / g or more, boron, the total content of aluminum and iron in terms of elemental 0.
    3 重量%以下である炭化ケイ素粉末を所望の形状に成形する工程、(2)前記(1)の工程により得られた成形体を耐熱性の容器内に装入して、1400℃〜2000℃の温度範囲内において少なくとも10分間、COあるいはN 2の少なくともいずれかのガス分圧が100Pa 以上に維持された非酸化性雰囲気中で焼成する工程、(3)前記成形体を1600℃〜200 3 shaping the silicon carbide powder is less than weight percent into a desired shape, (2) was charged to the (1) in the container of the heat resistance and the resulting molded body by step, 1400 ° C. to 2000 ° C. process at least 10 minutes, at least one gas partial pressure of CO or N 2 is fired in non-oxidizing atmosphere is maintained above 100Pa in a temperature range of, (3) the shaped body 1600 ° C. to 200 DEG
    0℃の最高温度で焼成する工程、および(4)生成する焼結体にシリカ膜または/およびアルミナ膜を被覆する工程、のシーケンスからなる、多孔質炭化ケイ素質焼結体の表面にシリカ膜または/およびアルミナ膜の被覆を有する触媒担体の製造方法。 Step firing at a maximum temperature of 0 ° C., and (4) a step of coating a silica film and / or an alumina film on the sintered body to produce, consists of a sequence, the silica film on the surface of the porous silicon carbide sintered body or / and the manufacturing method of the catalyst support having a coating of the alumina film.
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