JPH06237043A - Semiconductor laser - Google Patents
Semiconductor laserInfo
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- JPH06237043A JPH06237043A JP50A JP4327993A JPH06237043A JP H06237043 A JPH06237043 A JP H06237043A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 4327993 A JP4327993 A JP 4327993A JP H06237043 A JPH06237043 A JP H06237043A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザーに関
し、特に、基板面と垂直な方向にレーザー光を出射する
半導体レーザー、すなわち面発光レーザーとして用いて
好適なものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser, and more particularly, it is suitable for use as a semiconductor laser that emits laser light in a direction perpendicular to the substrate surface, that is, a surface emitting laser.
【０００２】[0002]
【従来の技術】面発光レーザーは、二次元集積化が可能
なことや、ウエハ状態で動作チェックを行うことができ
ることなどにより注目を集めており、活発に研究が行わ
れている。この面発光レーザーは、そのレーザー共振器
構造の点から、垂直共振器型、水平共振器型および曲が
り共振器型の三種類に大別される。2. Description of the Related Art Surface-emitting lasers have attracted attention due to their ability to be two-dimensionally integrated and their operation can be checked in a wafer state, and are being actively researched. This surface emitting laser is roughly classified into three types, that is, a vertical cavity type, a horizontal cavity type, and a curved cavity type, in terms of its laser cavity structure.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
垂直共振器型の面発光レーザーでは通常、出力はμＷレ
ベルからせいぜい数ｍＷレベルであり、それ以上の高出
力化は望めない。また、信頼性に関してもこれまでに報
告例がなく、今後、並列光演算素子などへの応用を考え
ると問題となる（例えば、Jpn.Appl.Phys.18,2329(197
9) およびAppl.Phys.Lett.55(3),221(1989)）。However, in the conventional vertical cavity surface emitting laser, the output is usually from the μW level to a few mW level at most, and further higher output cannot be expected. Also, regarding reliability, there have been no reports so far, and it will become a problem when considering application to parallel optical operation elements in the future (for example, Jpn.Appl.Phys.18,2329 (197
9) and Appl. Phys. Lett. 55 (3), 221 (1989)).
【０００４】一方、従来の水平共振器型の面発光レーザ
ーや曲がり共振器型の面発光レーザーでは、外部に４５
度の反射鏡を形成したり、内部に４５度の反射鏡や回折
格子を形成したりすることにより面発光を実現している
が、外部の反射鏡を用いた場合にはその面積分だけ面発
光レーザー１個当たりの占有面積が大きくなるため集積
化する場合に不利であり、また、レーザー構造と同時に
反射鏡や回折格子を形成すると製造プロセスが複雑にな
ってしまうという問題がある（例えば、Appl.Phys.Let
t.57(20),2048(1990)、Appl.Phys.Lett.50(24),1705(19
87)および"Conf.on Lasers and Electro-Optics(CLE
O)",402(1989)）。On the other hand, in the conventional horizontal cavity surface emitting laser and curved cavity surface emitting laser, 45
Surface emission is realized by forming a 45-degree reflecting mirror or a 45-degree reflecting mirror or diffraction grating inside. However, when an external reflecting mirror is used, the surface area is reduced by that area. The area occupied by each light emitting laser becomes large, which is disadvantageous in the case of integration, and there is also a problem that the manufacturing process becomes complicated if a reflecting mirror and a diffraction grating are formed at the same time as the laser structure (for example, Appl.Phys.Let
t.57 (20), 2048 (1990), Appl.Phys.Lett.50 (24), 1705 (19
87) and "Conf.on Lasers and Electro-Optics (CLE
O) ", 402 (1989)).
【０００５】従って、この発明の目的は、製造プロセス
が簡単でしかも集積化する場合にも有利な面発光レーザ
ーを実現することができる半導体レーザーを提供するこ
とにある。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor laser which can realize a surface emitting laser which has a simple manufacturing process and is advantageous even when integrated.
【０００６】この発明の他の目的は、高出力かつ高信頼
性の面発光レーザーを実現することができる半導体レー
ザーを提供することにある。Another object of the present invention is to provide a semiconductor laser capable of realizing a surface emitting laser with high output and high reliability.
【０００７】この発明のさらに他の目的は、任意のコヒ
ーレンス性やビーム形状を有するレーザー光が得られる
面発光レーザーを実現することができる半導体レーザー
を提供することにある。Still another object of the present invention is to provide a semiconductor laser capable of realizing a surface emitting laser capable of obtaining laser light having an arbitrary coherence property and beam shape.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１の発明は、光場の中に散乱体（７）
が設けられている半導体レーザーである。In order to achieve the above object, the first invention of the present invention provides a scatterer (7) in an optical field.
Is a semiconductor laser provided with.
【０００９】この発明の第２の発明は、第１の発明によ
る半導体レーザーにおいて、水平共振器構造を有する半
導体レーザーである。A second invention of the present invention is the semiconductor laser according to the first invention, which has a horizontal resonator structure.
【００１０】この発明の第３の発明は、第１の発明また
は第２の発明による半導体レーザーにおいて、散乱体は
溝である半導体レーザーである。A third invention of the present invention is the semiconductor laser according to the first invention or the second invention, wherein the scatterer is a groove.
【００１１】この発明の第４の発明は、第１の発明また
は第２の発明による半導体レーザーにおいて、散乱体は
高屈折率の材料から成る半導体レーザーである。A fourth invention of the present invention is the semiconductor laser according to the first invention or the second invention, wherein the scatterer is made of a material having a high refractive index.
【００１２】この発明の第５の発明は、第１の発明、第
２の発明、第３の発明または第４の発明による半導体レ
ーザーにおいて、光場の光を基板（１）と反対側に反射
させるための第１の反射鏡（２）が設けられている半導
体レーザーである。A fifth invention of the present invention is the semiconductor laser according to the first invention, the second invention, the third invention or the fourth invention, wherein the light of the optical field is reflected to the side opposite to the substrate (1). This is a semiconductor laser provided with a first reflecting mirror (2) for causing the reflection.
【００１３】この発明の第６の発明は、第２の発明、第
３の発明、第４の発明または第５の発明による半導体レ
ーザーにおいて、水平共振器の反射端面に第２の反射鏡
（９）が設けられている半導体レーザーである。A sixth invention of the present invention is the semiconductor laser according to the second invention, the third invention, the fourth invention or the fifth invention, wherein the second reflecting mirror (9) is provided on the reflecting end face of the horizontal resonator. ) Is a semiconductor laser provided.
【００１４】[0014]
【作用】第１の発明による半導体レーザーによれば、動
作時に共振器内に発生する光場の中に散乱体（７）が設
けられているので、この散乱体（７）により光場の光を
散乱させることができる。従って、この散乱光のうち基
板と反対側に出射する光を用いることにより、さらには
残りの散乱光をも反射鏡などを用いて基板と反対側に出
射させるようにすることにより、従来の水平共振器型の
面発光レーザーや曲がり共振器型の面発光レーザーのよ
うに４５度反射鏡や回折格子を用いないでも面発光を実
現することができる。そして、４５度反射鏡や回折格子
を形成しないで済むため、簡単な製造プロセスで面発光
レーザーを製造することができるとともに、面発光レー
ザー１個当たりの占有面積を小さくすることができるこ
とにより集積化する場合に有利である。さらに、散乱体
（７）の形状、大きさ、数などを適当に選択することに
よって、任意のコヒーレンス性やビーム形状を有するレ
ーザー光を得ることができ、多様な用途に対応すること
ができる。According to the semiconductor laser of the first invention, since the scatterer (7) is provided in the light field generated in the resonator during operation, the light of the light field is generated by this scatterer (7). Can be scattered. Therefore, by using the light emitted to the side opposite to the substrate out of the scattered light, and further making the remaining scattered light also emitted to the side opposite to the substrate by using a reflecting mirror, etc. It is possible to realize surface emission without using a 45-degree reflecting mirror or a diffraction grating as in a cavity-type surface emitting laser and a curved resonator type surface emitting laser. Further, since it is not necessary to form a 45-degree reflecting mirror or a diffraction grating, the surface emitting laser can be manufactured by a simple manufacturing process, and the area occupied by each surface emitting laser can be reduced, thereby achieving integration. It is advantageous when Further, by appropriately selecting the shape, size, number, etc. of the scatterer (7), it is possible to obtain laser light having an arbitrary coherence property and beam shape, and it is possible to cope with various uses.
【００１５】第２の発明による半導体レーザーによれ
ば、水平共振器構造を有することにより、従来の垂直共
振器型の面発光レーザーに比べて高出力かつ高信頼性の
面発光レーザーを実現することができる。According to the semiconductor laser of the second aspect of the present invention, by having the horizontal cavity structure, it is possible to realize a surface emitting laser having higher output and higher reliability than the conventional vertical cavity surface emitting laser. You can
【００１６】第３の発明および第４の発明による半導体
レーザーによれば、エッチング技術やエピタキシャル成
長技術により、散乱体を容易に形成することができる。According to the semiconductor lasers of the third and fourth aspects, the scatterer can be easily formed by the etching technique or the epitaxial growth technique.
【００１７】第５の発明による半導体レーザーによれ
ば、散乱体により散乱された光場の光のうち基板（１）
側に散乱された光を第１の反射鏡（２）により基板
（１）と反対側に反射させることができるため、基板面
と垂直方向に効率良くレーザー光を取り出すことができ
る。さらに、共振器内で発生する自然放出光も、第１の
反射鏡（２）により反射されて活性層に戻される。これ
らによって、低しきい値電流密度、低しきい値電流およ
び低消費電力の面発光レーザーを実現することができ
る。According to the semiconductor laser of the fifth invention, the substrate (1) out of the light of the light field scattered by the scatterer.
Since the light scattered to the side can be reflected by the first reflecting mirror (2) to the side opposite to the substrate (1), laser light can be efficiently extracted in the direction perpendicular to the substrate surface. Further, the spontaneous emission light generated in the resonator is also reflected by the first reflecting mirror (2) and returned to the active layer. With these, a surface emitting laser with low threshold current density, low threshold current and low power consumption can be realized.
【００１８】第６の発明による半導体レーザーによれ
ば、水平共振器の反射端面に第２の反射鏡（９）が設け
られていることにより、水平共振器の反射端面から光場
の光が出射するのを有効に防止することができる。これ
によって、散乱体により散乱された光場の光を基板面と
垂直方向に効率良く取り出すことができ、従って低しき
い値電流密度、低しきい値電流および低消費電力の面発
光レーザーを実現することができる。According to the semiconductor laser of the sixth invention, since the second reflecting mirror (9) is provided on the reflecting end surface of the horizontal resonator, the light of the optical field is emitted from the reflecting end surface of the horizontal resonator. Can be effectively prevented. As a result, the light of the light field scattered by the scatterer can be efficiently extracted in the direction perpendicular to the substrate surface, thus realizing a surface emitting laser with low threshold current density, low threshold current and low power consumption. can do.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照しながら説明する。なお、実施例の全図において、同
一または対応する部分には同一の符号を付す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In all the drawings of the embodiments, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals.
【００２０】図１はこの発明の一実施例による面発光レ
ーザーを示す。FIG. 1 shows a surface emitting laser according to an embodiment of the present invention.
【００２１】図１に示すように、この実施例による面発
光レーザーにおいては、ｎ型半導体基板１上に、低屈折
率の半導体膜２ａと高屈折率の半導体膜２ｂとが交互に
積層された分布反射型（Distributed Bragg Reflector,
ＤＢＲ）半導体多層膜２、ｎ型クラッド層３、活性層
４、ｐ型クラッド層５およびｐ型キャップ層６が順次設
けられている。そして、ｎ型クラッド層３、活性層４お
よびｐ型クラッド層５により、ダブルヘテロ（ＤＨ）構
造の水平共振器が形成されている。As shown in FIG. 1, in the surface emitting laser according to this embodiment, a low refractive index semiconductor film 2a and a high refractive index semiconductor film 2b are alternately laminated on an n-type semiconductor substrate 1. Distributed Bragg Reflector,
A DBR semiconductor multilayer film 2, an n-type cladding layer 3, an active layer 4, a p-type cladding layer 5 and a p-type cap layer 6 are sequentially provided. The n-type clad layer 3, the active layer 4, and the p-type clad layer 5 form a horizontal resonator having a double hetero (DH) structure.
【００２２】後述のように、ＤＢＲ半導体多層膜２は高
効率の面発光を実現するための反射鏡として用いられる
ものであるが、高い反射率を得るための低屈折率の半導
体膜２ａと高屈折率の半導体膜２ｂとの一層当たりの最
適な膜厚ｄi は、真空中の光の波長をλ、半導体の屈折
率をｎとすると、次式で示される。 ｄi ＝（２ｍ＋１）×（λ／４ｎ） （ｍ＝０、１、２、３、…） (1) (1)式の条件を満たす膜厚ｄi を有する低屈折率の半導
体膜２ａと高屈折率の半導体膜２ｂとを交互に積層する
ことにより、反射率が高いＤＢＲ半導体多層膜２を得る
ことができる。ここで、低屈折率の半導体膜２ａと高屈
折率の半導体膜２ｂとは、１０層以上、すなわち５周期
以上積層するのが好ましい。As will be described later, the DBR semiconductor multilayer film 2 is used as a reflecting mirror for realizing highly efficient surface emission, but it has a low refractive index semiconductor film 2a and a high refractive index semiconductor film 2a for obtaining a high reflectance. The optimum film thickness d i of the refractive index per one layer with the semiconductor film 2b is expressed by the following equation, where λ is the wavelength of light in vacuum and n is the refractive index of the semiconductor. d i = (2m + 1) × (λ / 4n) (m = 0, 1, 2, 3, ...) (1) A low-refractive-index semiconductor film 2a having a film thickness d i satisfying the condition (1). The DBR semiconductor multilayer film 2 having high reflectance can be obtained by alternately stacking the high refractive index semiconductor films 2b. Here, it is preferable that the low-refractive-index semiconductor film 2a and the high-refractive-index semiconductor film 2b are stacked in 10 layers or more, that is, 5 cycles or more.
【００２３】この実施例による面発光レーザーにおいて
は、ｐ型クラッド層５に、後述のように光の散乱体とな
る縦方向（基板面に垂直な方向）の溝７が形成されてい
る。この溝７は、活性層４の直上までの深さを有し、か
つ、水平共振器の一端から他端にわたって形成されてい
る。In the surface emitting laser according to this embodiment, the p-type cladding layer 5 is provided with a groove 7 in the vertical direction (direction perpendicular to the substrate surface) which serves as a light scatterer as described later. The groove 7 has a depth right above the active layer 4 and is formed from one end to the other end of the horizontal resonator.
【００２４】また、ｐ型キャップ層６のうち溝７の周辺
の部分は除去されており、この除去部における溝７以外
の部分のｐ型クラッド層５の表面には、例えばＳｉ3 Ｎ
4 膜のような誘電体膜から成る反射防止膜８が形成され
ている。この反射防止膜８の膜厚ｄ´は、この反射防止
膜８を形成する材料の屈折率をｎ´とすると、 ｄ´＝λ／（４ｎ´） (2) に選ばれる。The portion of the p-type cap layer 6 around the groove 7 is removed, and the surface of the p-type clad layer 5 other than the groove 7 in the removed portion has, for example, Si 3 N.
An antireflection film 8 made of a dielectric film such as four films is formed. The film thickness d ′ of the antireflection film 8 is selected as follows: d ′ = λ / (4n ′) (2), where n ′ is the refractive index of the material forming the antireflection film 8.
【００２５】さらに、この実施例による面発光レーザー
の基板面に垂直な側面には、 (1)式と同様な条件を満足
する膜厚を有する低屈折率の誘電体膜と高屈折率の誘電
体膜とが交互に積層された高反射率の誘電体多層膜９が
形成されている。Further, on the side surface vertical to the substrate surface of the surface emitting laser according to this embodiment, a low refractive index dielectric film and a high refractive index dielectric film having a film thickness satisfying the same condition as the expression (1) are provided. A high reflectance dielectric multilayer film 9 is formed by alternately stacking body films.
【００２６】一方、ｎ型半導体基板１の裏面にはｎ側の
オーミック電極１０が形成され、ｐ型キャップ層６上に
はｐ側のオーミック電極１１が形成されている。On the other hand, an n-side ohmic electrode 10 is formed on the back surface of the n-type semiconductor substrate 1, and a p-side ohmic electrode 11 is formed on the p-type cap layer 6.
【００２７】次に、上述のように構成されたこの実施例
による面発光レーザーの製造方法について説明する。Next, a method of manufacturing the surface emitting laser according to this embodiment having the above-mentioned structure will be described.
【００２８】図１に示すように、まず、例えば有機金属
化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法や分子線エピタキシー
（ＭＢＥ）法により、ｎ型半導体基板１上に、ＤＢＲ半
導体多層膜２、ｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラ
ッド層５およびｐ型キャップ層６を順次エピタキシャル
成長させる。As shown in FIG. 1, first, a DBR semiconductor multilayer film 2 and an n-type clad are formed on an n-type semiconductor substrate 1 by, for example, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method or molecular beam epitaxy (MBE) method. The layer 3, the active layer 4, the p-type cladding layer 5, and the p-type cap layer 6 are sequentially epitaxially grown.
【００２９】次に、ｐ型キャップ層６の所定部分をエッ
チング除去して図１に示すような形状とした後、この除
去部に露出したｐ型クラッド層５の所定部分を活性層４
の直上までエッチング除去して溝７を形成する。この溝
７を形成するためのエッチングは、例えば反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）法のようなドライエッチング法や
ウエットエッチング法により行うことができる。Next, a predetermined portion of the p-type cap layer 6 is removed by etching to form a shape as shown in FIG. 1, and then the predetermined portion of the p-type cladding layer 5 exposed at this removed portion is removed by the active layer 4.
Then, the groove 7 is formed by etching and removing just above. The etching for forming the groove 7 can be performed by a dry etching method such as a reactive ion etching (RIE) method or a wet etching method.
【００３０】次に、溝７の周辺の部分のｐ型クラッド層
５上に反射防止膜８を形成した後、ｐ型キャップ層６上
にｐ側のオーミック電極１１を形成するとともに、ｎ型
半導体基板１の裏面にｎ側のオーミック電極１０を形成
する。Next, an antireflection film 8 is formed on the p-type cladding layer 5 around the groove 7, and then a p-side ohmic electrode 11 is formed on the p-type cap layer 6 and an n-type semiconductor is formed. An n-side ohmic electrode 10 is formed on the back surface of the substrate 1.
【００３１】次に、このようにしてレーザー構造が形成
されたｎ型半導体基板１を例えばバー状に劈開し、この
劈開面に誘電体多層膜９を形成した後、このバーをチッ
プ化する。なお、劈開を行う代わりに、ドライエッチン
グやウエットエッチングを行ってもよい。Next, the n-type semiconductor substrate 1 thus formed with the laser structure is cleaved into, for example, a bar shape, a dielectric multilayer film 9 is formed on the cleaved surface, and then the bar is made into a chip. Note that dry etching or wet etching may be performed instead of performing cleavage.
【００３２】以上のようにして、図１に示すような面発
光レーザーが完成される。As described above, the surface emitting laser as shown in FIG. 1 is completed.
【００３３】次に、この実施例による面発光レーザーの
動作原理について説明する。Next, the operating principle of the surface emitting laser according to this embodiment will be described.
【００３４】いま、図１に示すようにｘ、ｙ、ｚ軸をと
り、マクスウェル方程式より、ｎ型クラッド層３、活性
層４およびｐ型クラッド層５から成るＤＨ構造の水平共
振器内に発生する光場の光の電界ベクトル成分Ｅy を求
めると、次式のようになる。ただし、活性層４の厚さ方
向の中心にｘ軸の原点をとり、また、活性層４の厚さを
ｄとする。 Ｅy ＝Ａ exp（−κ（ｘ−（ｄ／２））） （ｘ＞ｄ／２） Ｅy ＝Ｂ cos（ｋy ｘ）＋Ｃ sin（ｋy ｘ）（ｄ／２≧ｘ≧−ｄ／２） (3) Ｅy ＝Ｄ exp（κ（ｘ＋（ｄ／２））） （ｘ＜−ｄ／２） ここで、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは定数、ｋy は波数ベクトルの
ｙ成分である。また、κはｋy とκ2 ＋ｋy 2 ＝（ｎ2
2 −ｎ1 2 ）ｋ0 2 （ただし、ｎ1 はｎ型クラッド層３
およびｐ型クラッド層５の屈折率、ｎ2 は活性層４の屈
折率、ｋ0 は真空中の光の波数）なる関係を有する量で
ある。Now, as shown in FIG. 1, the x, y, and z axes are taken and generated in the horizontal resonator of the DH structure composed of the n-type clad layer 3, the active layer 4, and the p-type clad layer 5 according to the Maxwell equation. When the electric field vector component E y of the light of the light field is calculated, the following equation is obtained. However, the origin of the x-axis is set at the center of the active layer 4 in the thickness direction, and the thickness of the active layer 4 is d. E y = A exp (-κ ( x- (d / 2))) (x> d / 2) E y = B cos (k y x) + C sin (k y x) (d / 2 ≧ x ≧ - d / 2) (3) E y = D exp (κ (x + (d / 2))) (x <-d / 2) where, a, B, C, D is a constant, k y is the wavevector It is the y component. Also, κ is k y and κ 2 + k y 2 = (n 2
2 −n 1 2 ) k 0 2 (where n 1 is the n-type cladding layer 3
And the refractive index of the p-type cladding layer 5, n 2 is the refractive index of the active layer 4, and k 0 is the wave number of light in vacuum).
【００３５】(3)式は、ｎ型クラッド層３およびｐ型ク
ラッド層４では減衰解を有し、活性層４では振動解を有
することを意味する。Equation (3) means that the n-type cladding layer 3 and the p-type cladding layer 4 have damping solutions, and the active layer 4 has vibration solutions.
【００３６】ここで、 (3)式に基づいて光強度｜Ｅy ｜
2 の分布を計算により求めた結果の一例を示すと、図２
に示すようになる。ただし、この計算においては、活性
層４として厚さ８０ｎｍのＧａＡｓ層（ｎ2 ＝３．５６
６）を用い、ｎ型クラッド層３およびｐ型クラッド層５
としてそれぞれｎ型ＡｌＧａＡｓ層およびｐ型ＡｌＧａ
Ａｓ層を用いた（ｎ1 ＝３．２８７）。この場合、発振
されるレーザー光の波長は８６０ｎｍである。Here, based on the equation (3), the light intensity | E y |
An example of the result of calculating the distribution of 2 is shown in FIG.
As shown in. However, in this calculation, as the active layer 4, a GaAs layer (n 2 = 3.56) having a thickness of 80 nm is used.
6) using the n-type clad layer 3 and the p-type clad layer 5
As n-type AlGaAs layer and p-type AlGa, respectively
An As layer was used (n 1 = 3.287). In this case, the wavelength of the oscillated laser light is 860 nm.
【００３７】図２から明らかなように、ｎ型クラッド層
３、活性層４およびｐ型クラッド層５から成るＤＨ構造
の水平共振器が活性層４に関してｘ軸方向に対称な屈折
率分布を有することを反映して、活性層４の近傍に光場
が存在する。この場合、光強度｜Ｅy ｜2 の分布の半値
幅は０．２３μｍであり、また、光強度｜Ｅy ｜2 がそ
のピーク値の１／ｅ2 （ｅは自然対数の底）になるとこ
ろでの分布の全幅で光場の大きさを示すとすると、それ
は約０．６μｍになる。As is apparent from FIG. 2, the horizontal resonator having the DH structure composed of the n-type cladding layer 3, the active layer 4 and the p-type cladding layer 5 has a refractive index distribution symmetrical with respect to the active layer 4 in the x-axis direction. Reflecting this, an optical field exists near the active layer 4. In this case, the half-value width of the distribution of the light intensity | E y | 2 is 0.23 μm, and the light intensity | E y | 2 is 1 / e 2 (e is the base of natural logarithm) of its peak value. If the full width of the distribution indicates the magnitude of the optical field, it is about 0.6 μm.
【００３８】この実施例による面発光レーザーにおいて
は、ｐ型クラッド層５に形成された溝７は、活性層４の
近傍の光場の中に入っている。この溝７は、典型的に
は、活性層４から〜０．８μｍ以内の距離のところに形
成される。この場合、この溝７は光場の光に対する散乱
体として働く。すなわち、図３に示すように、動作時に
オーミック電極１０、１１の間に順方向電流を流すこと
により共振器内に発生する光場の光は、溝７により任意
の方向に散乱される。この溝７による散乱光のうちｎ型
半導体基板１と反対側（図３中、上方）に散乱された光
は、そのまま上面から出射される。また、溝７による散
乱光のうちｎ型半導体基板１側（図３中、下方）に散乱
された光は、反射鏡としてのＤＢＲ半導体多層膜２によ
りｎ型半導体基板１と反対側に反射され、従って上面か
ら出射されることになる。以上により、ｎ型半導体基板
１と反対側に効率良くレーザー光を取り出すことができ
る。そして、これによって、水平共振器を用いて面発光
を実現することができる。In the surface emitting laser according to this embodiment, the groove 7 formed in the p-type cladding layer 5 is in the optical field near the active layer 4. The groove 7 is typically formed at a distance within 0.8 μm from the active layer 4. In this case, this groove 7 acts as a scatterer for the light of the light field. That is, as shown in FIG. 3, the light of the optical field generated in the resonator by causing the forward current to flow between the ohmic electrodes 10 and 11 during operation is scattered by the groove 7 in an arbitrary direction. The light scattered by the groove 7 on the side opposite to the n-type semiconductor substrate 1 (upper side in FIG. 3) is directly emitted from the upper surface. Of the light scattered by the groove 7, the light scattered to the n-type semiconductor substrate 1 side (downward in FIG. 3) is reflected to the opposite side to the n-type semiconductor substrate 1 by the DBR semiconductor multilayer film 2 as a reflecting mirror. Therefore, the light is emitted from the upper surface. As described above, the laser light can be efficiently extracted to the side opposite to the n-type semiconductor substrate 1. Then, by this, surface emission can be realized by using the horizontal resonator.
【００３９】この場合、水平共振器の反射端面には高反
射率の誘電体多層膜９が形成されているため、この水平
共振器の反射端面から光が出射されるのを防止すること
ができる。また、溝７の上方の部分のｐ型キャップ層６
が除去されていることから、ｎ型半導体基板１と反対側
に出射されるレーザー光がｐ型キャップ層６で吸収され
るのを防止することができる。さらにまた、溝７の周辺
の部分のｐ型クラッド層５上には反射防止膜８が形成さ
れているので、ｐ型クラッド層５の上面の反射率を小さ
くすることができる。これらにより、ｎ型半導体基板１
と反対側にレーザー光を一層効率良く取り出すことがで
きる。そして、これによって、面発光レーザーのしきい
値電流密度およびしきい値電流の低減を図ることがで
き、従って面発光レーザーの低消費電力化を図ることが
できる。In this case, since the dielectric multilayer film 9 having a high reflectance is formed on the reflecting end surface of the horizontal resonator, it is possible to prevent light from being emitted from the reflecting end surface of the horizontal resonator. . In addition, the p-type cap layer 6 above the groove 7
Since this is removed, it is possible to prevent the laser light emitted to the side opposite to the n-type semiconductor substrate 1 from being absorbed by the p-type cap layer 6. Furthermore, since the antireflection film 8 is formed on the p-type cladding layer 5 around the groove 7, the reflectance of the upper surface of the p-type cladding layer 5 can be reduced. By these, the n-type semiconductor substrate 1
The laser light can be more efficiently extracted to the opposite side. As a result, it is possible to reduce the threshold current density and the threshold current of the surface emitting laser, and thus to reduce the power consumption of the surface emitting laser.
【００４０】また、この実施例による面発光レーザーに
よれば、反射鏡としてのＤＢＲ半導体多層膜２を有する
ことにより、水平共振器内に発生する自然放出光がこの
ＤＢＲ半導体多層膜２で反射されて活性層４に戻される
ため（いわゆるフォトンリサイクリング）、これによっ
ても従来の面発光レーザーに比べてしきい値電流密度の
低減を図ることができる。Further, according to the surface emitting laser of this embodiment, since the DBR semiconductor multilayer film 2 as the reflecting mirror is provided, the spontaneous emission light generated in the horizontal resonator is reflected by the DBR semiconductor multilayer film 2. Since it is returned to the active layer 4 (so-called photon recycling), the threshold current density can be reduced as compared with the conventional surface emitting laser.
【００４１】さらに、この実施例による面発光レーザー
は、水平共振器構造を有することから、従来の垂直共振
器型の面発光レーザーに比べて、出力および信頼性の向
上を図ることができる。また、この実施例による面発光
レーザーは、従来の水平共振器型の面発光レーザーや曲
がり共振器型の面発光レーザーのように４５度反射鏡や
回折格子を用いていないことから、製造プロセスが簡単
である上に、面発光レーザー１個当たりの占有面積を小
さくすることができることにより集積化する場合に有利
である。Furthermore, since the surface emitting laser according to this embodiment has the horizontal cavity structure, the output and reliability can be improved as compared with the conventional vertical cavity surface emitting laser. Further, the surface emitting laser according to this embodiment does not use a 45-degree reflecting mirror or a diffraction grating unlike the conventional horizontal cavity surface emitting laser and curved cavity surface emitting laser. In addition to being simple, the area occupied by one surface emitting laser can be reduced, which is advantageous in the case of integration.
【００４２】さらにまた、光場の光に対する散乱体とし
て働く溝７の形状、大きさ、数などを適切に設計するこ
とにより、レーザー光のコヒーレンス性やビーム形状な
どのレーザー特性を任意に変えることができる。Furthermore, by appropriately designing the shape, size, number, etc. of the grooves 7 which act as scatterers for the light of the light field, the laser characteristics such as the coherence of the laser light and the beam shape can be arbitrarily changed. You can
【００４３】次に、この実施例による面発光レーザーの
特性の測定結果の一例について説明する。ただし、この
測定には図４に示すような構造を有する面発光レーザー
を用いた。図４中、符号１２は、図１においては図示さ
れていない絶縁膜を示す。また、図４においては、図１
に示されている反射防止膜８および誘電体多層膜９の図
示を省略した。Next, an example of the measurement result of the characteristics of the surface emitting laser according to this embodiment will be described. However, a surface emitting laser having a structure as shown in FIG. 4 was used for this measurement. In FIG. 4, reference numeral 12 indicates an insulating film not shown in FIG. In addition, in FIG.
The antireflection film 8 and the dielectric multilayer film 9 shown in FIG.
【００４４】図４において、ｎ型半導体基板１としては
ｎ型ＧａＡｓ基板、ｎ型クラッド層３としては厚さ１．
５μｍのｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ層、活性層４として
は厚さ８０ｎｍのＧａＡｓ層、ｐ型クラッド層５として
は厚さ１．５μｍのｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ層、ｐ型
キャップ層６としてはｐ型ＧａＡｓ層を用いた。ＤＢＲ
半導体多層膜２としては、低屈折率の半導体膜２ａとし
ての厚さ６５．５ｎｍのＡｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓ層と高屈
折率の半導体膜２ｂとしての厚さ５９．５ｎｍのＧａＡ
ｓ層とを２０周期積層したものを用いた。このＤＢＲ半
導体多層膜２の反射率としては、〜９０％が得られた。
ＤＢＲ半導体多層膜２、ｎ型クラッド層３、活性層４、
ｐ型クラッド層５およびｐ型キャップ層６は、いずれも
ＭＯＣＶＤ法により形成した。また、溝７としては、ｐ
型クラッド層５を活性層４の直上〜０．２μｍの深さま
でＲＩＥ法により基板面に対して垂直にエッチングする
ことにより形成された幅６μｍの溝を用いた。さらに、
水平共振器の反射端面は劈開により形成し、この反射端
面に誘電体多層膜９としてＡｌ2 Ｏ3 膜とＳｉ膜とを４
周期積層したものを形成した。この誘電体多層膜９の反
射率としては、約９８％が得られた。この図４に示す面
発光レーザーの共振器長Ｌは３００μｍであり、ストラ
イプ幅Ｓは１００μｍである。In FIG. 4, the n-type semiconductor substrate 1 is an n-type GaAs substrate, and the n-type cladding layer 3 has a thickness of 1.
5 μm n-type Al 0.45 Ga 0.55 As layer, 80 nm thick GaAs layer as the active layer 4, 1.5 μm thick p-type Al 0.45 Ga 0.55 As layer as the p-type cladding layer 5, and p-type cap layer 6 A p-type GaAs layer was used as the. DBR
As the semiconductor multilayer film 2, an Al 0.45 Ga 0.55 As layer having a thickness of 65.5 nm as a low refractive index semiconductor film 2 a and a GaA having a thickness of 59.5 nm as a high refractive index semiconductor film 2 b are used.
The s layer and 20 cycles were used. The DBR semiconductor multilayer film 2 has a reflectance of 90%.
DBR semiconductor multilayer film 2, n-type cladding layer 3, active layer 4,
Both the p-type clad layer 5 and the p-type cap layer 6 were formed by MOCVD. Further, as the groove 7, p
A groove having a width of 6 μm formed by etching the mold clad layer 5 right above the active layer 4 to a depth of 0.2 μm by the RIE method perpendicularly to the substrate surface was used. further,
The reflection end face of the horizontal resonator is formed by cleavage, and an Al 2 O 3 film and a Si film are formed as a dielectric multilayer film 9 on this reflection end face.
A periodic stack was formed. The reflectance of the dielectric multilayer film 9 was about 98%. The cavity length L of the surface emitting laser shown in FIG. 4 is 300 μm, and the stripe width S is 100 μm.
【００４５】図４に示す面発光レーザーの光出力−電流
特性（Ｌ−Ｉ特性）の測定結果の一例を図５に示す。図
５より、光出力として十数ｍＷが得られていることがわ
かる。この光出力の値は従来の垂直共振器型の面発光レ
ーザーに比較して数倍程度高い。また、図５より求めら
れるしきい値電流から計算されるしきい値電流密度は〜
０．７ｋＡ／ｃｍ2 であり、この値は通常の水平共振器
型の半導体レーザーのしきい値電流密度と同程度または
それ以下である。FIG. 5 shows an example of the measurement result of the light output-current characteristics (LI characteristics) of the surface emitting laser shown in FIG. From FIG. 5, it can be seen that a light output of over ten mW is obtained. The value of this optical output is several times higher than that of the conventional vertical cavity surface emitting laser. Further, the threshold current density calculated from the threshold current obtained from FIG.
The value is 0.7 kA / cm 2, which is equal to or less than the threshold current density of a normal horizontal cavity type semiconductor laser.
【００４６】図６は図４に示す面発光レーザーの遠視野
像（Far Field Pattern 、ＦＦＰ）の測定結果の一例を
示す。図６の横軸の角度の定義を図７に示す。図６から
わかるように、ストライプ幅Ｓが１００μｍと大きいに
もかかわらず、ＦＦＰの半値全角は約２６度になり、こ
れは同程度の広い発光面積を有する従来の垂直共振器型
の面発光レーザーで得られる半値全角の値〜１０度に比
べて大きい。ここで、発光面積が広い従来の垂直共振器
型の面発光レーザーで得られる半値全角が小さいのは、
回折の効果がなくなることにより、出射されるコヒーレ
ンス性の高い光の波面が平面波に近くなるからである。
これに対して、図４に示す面発光レーザーで得られる半
値全角が従来の垂直共振器型の面発光レーザーで得られ
る半値全角に比べて大きいのは、空間的コヒーレンス性
が減少しているためであると考えられる。そして、この
ように図４に示す面発光レーザーが従来の垂直共振器型
の面発光レーザーとコヒーレンス性が異なるのは、溝７
による散乱光を用いて面発光を得ているためと考えら
れ、従って溝７の形状、大きさ、数などを変えることに
よって任意のコヒーレンス性を有するレーザー光を得る
ことができる。このような任意のコヒーレンス性を有す
るレーザー光が得られる面発光レーザーは、例えば、ス
ペックルノイズを小さくしたディスプレイ用の光源など
に用いることができる。FIG. 6 shows an example of the measurement results of the far field pattern (FFP) of the surface emitting laser shown in FIG. The definition of the angle on the horizontal axis of FIG. 6 is shown in FIG. As shown in FIG. 6, although the stripe width S is as large as 100 μm, the full width at half maximum of the FFP is about 26 degrees, which is a conventional vertical cavity surface emitting laser having a comparable emission area. It is larger than the full-width half-maximum value obtained at 10 degrees. Here, the full width at half maximum obtained with a conventional vertical cavity surface emitting laser with a large light emitting area is small.
This is because the wavefront of the emitted light with high coherence becomes closer to a plane wave because the diffraction effect disappears.
On the other hand, the full width at half maximum obtained by the surface emitting laser shown in FIG. 4 is larger than that obtained by the conventional vertical cavity surface emitting laser because the spatial coherence is reduced. Is considered to be. As described above, the surface emitting laser shown in FIG. 4 is different from the conventional vertical cavity surface emitting laser in coherence due to the groove 7
It is considered that this is because the surface light emission is obtained by using the scattered light due to, and therefore, the laser light having an arbitrary coherence can be obtained by changing the shape, size, number, etc. of the grooves 7. The surface emitting laser that can obtain laser light having such arbitrary coherence can be used, for example, as a light source for a display with reduced speckle noise.
【００４７】図１または図４に示す面発光レーザーにお
いては、四角柱状の水平共振器を用いているが、水平共
振器としては面発光の方向を軸とする柱状のものであれ
ば任意の形状のものを用いることができる。例えば、図
８Ａに示すような三角柱状の水平共振器、図８Ｂに示す
ような円柱状の水平共振器、図８Ｃに示すような六角柱
状の水平共振器、さらには図８Ｄに示すような不規則な
断面形状を有する柱状の水平共振器を用いることができ
る。The surface emitting laser shown in FIG. 1 or FIG. 4 uses a square columnar horizontal resonator, but the horizontal resonator may have any shape as long as it has a columnar shape with the surface emission direction as an axis. Can be used. For example, a triangular column-shaped horizontal resonator as shown in FIG. 8A, a column-shaped horizontal resonator as shown in FIG. 8B, a hexagonal column-shaped horizontal resonator as shown in FIG. A columnar horizontal resonator having a regular cross-sectional shape can be used.
【００４８】さらに、散乱体として用いられる溝の断面
形状も、図９Ａに示すような円、図９Ｂに示すような三
角形、図９Ｃに示すような十字形、図９Ｄに示すような
四角形、図９Ｅに示すような星形、図９Ｆに示すような
不規則な形など、任意の形状でよい。Further, the cross-sectional shape of the groove used as the scatterer is also a circle as shown in FIG. 9A, a triangle as shown in FIG. 9B, a cross as shown in FIG. 9C, a quadrangle as shown in FIG. It may have any shape, such as a star shape as shown in 9E or an irregular shape as shown in FIG. 9F.
【００４９】また、光場の光に対する散乱体としては、
例えば、溝７中にｐ型クラッド層５を形成する材料より
も屈折率の大きい材料を埋め込んだものを用いてもよ
い。より詳細には、ｎ1 ＜ｎs ≦ｎ2 を満足する屈折率
ｎs を有する材料を溝７中に埋め込むことにより散乱体
を構成してもよい。例えば、活性層４がＧａＡｓ層であ
り、ｎ型クラッド層３およびｐ型クラッド層５がそれぞ
れｎ型ＡｌＧａＡｓ層およびｐ型ＡｌＧａＡｓ層である
場合、溝７中に埋め込む材料としては、ｎ型クラッド層
３およびｐ型クラッド層５をそれぞれ形成するｎ型Ａｌ
ＧａＡｓ層およびｐ型ＡｌＧａＡｓ層よりもＡｌ組成比
が小さいＡｌＧａＡｓ層を用いることができる。Further, as the scatterer for the light of the optical field,
For example, a material in which a material having a larger refractive index than the material forming the p-type cladding layer 5 is embedded in the groove 7 may be used. More specifically, the scatterer may be configured by embedding a material having a refractive index n s satisfying n 1 <n s ≦ n 2 in the groove 7. For example, when the active layer 4 is a GaAs layer and the n-type clad layer 3 and the p-type clad layer 5 are an n-type AlGaAs layer and a p-type AlGaAs layer, respectively, the material to be embedded in the groove 7 is an n-type clad layer. 3 and n-type Al forming the p-type cladding layer 5 respectively
An AlGaAs layer having a smaller Al composition ratio than the GaAs layer and the p-type AlGaAs layer can be used.
【００５０】さらに、上述の実施例においては、溝７を
エッチングにより形成しているが、エッチングを用いず
にこの溝７を形成するようにしてもよい。一例として、
選択成長を利用して溝７を形成する方法を図１０に示
す。Further, although the groove 7 is formed by etching in the above-mentioned embodiment, the groove 7 may be formed without using etching. As an example,
FIG. 10 shows a method of forming the groove 7 by utilizing the selective growth.
【００５１】この方法によれば、まず、図１０Ａに示す
ように、ｎ型半導体基板１上にＤＢＲ半導体多層膜２、
ｎ型クラッド層３、活性層４およびｐ型クラッド層５を
順次エピタキシャル成長させる。この時点におけるｐ型
クラッド層５の厚さは、最終的に必要な厚さの途中の厚
さにする。According to this method, first, as shown in FIG. 10A, the DBR semiconductor multilayer film 2 is formed on the n-type semiconductor substrate 1.
The n-type cladding layer 3, the active layer 4, and the p-type cladding layer 5 are sequentially epitaxially grown. The thickness of the p-type clad layer 5 at this time is set to a midway point of the finally required thickness.
【００５２】次に、図１０Ｂに示すように、ｐ型クラッ
ド層５上の散乱体としての溝の形成予定領域上に、例え
ばＳｉＯ2 膜のような誘電体膜から成る所定形状のマス
ク１３を形成する。このマスク１３を形成する誘電体膜
の厚さをλ／（４ｎ´）に設定することにより、このマ
スク１３を図１に示す反射防止膜８としても使用するこ
とができる。Next, as shown in FIG. 10B, a mask 13 having a predetermined shape made of a dielectric film such as a SiO 2 film is formed on the p-type cladding layer 5 in the region where the groove as the scatterer is to be formed. Form. By setting the thickness of the dielectric film forming the mask 13 to λ / (4n ′), the mask 13 can be used as the antireflection film 8 shown in FIG.
【００５３】次に、図１０Ｃに示すように、マスク１３
を成長マスクとして用いて、このマスク１３で覆われて
いない部分の表面に、残りの厚さのｐ型クラッド層５お
よびｐ型キャップ層６を選択的にエピタキシャル成長さ
せる。これによって、散乱体としての溝７を活性層４直
上の設計位置に再現性良く形成することができる。Next, as shown in FIG. 10C, the mask 13
Is used as a growth mask, and the p-type cladding layer 5 and the p-type cap layer 6 having the remaining thickness are selectively epitaxially grown on the surface of the portion not covered with the mask 13. As a result, the groove 7 as a scatterer can be formed with good reproducibility at the design position directly above the active layer 4.
【００５４】次に、図１０Ｄに示すように、水平共振器
の反射端面となる側面を例えばＲＩＥ法によるエッチン
グや劈開などにより形成した後、この側面に反射鏡とし
て誘電体多層膜（図示せず）を形成する。Next, as shown in FIG. 10D, a side surface to be a reflection end surface of the horizontal resonator is formed by etching or cleavage by the RIE method, for example, and a dielectric multilayer film (not shown) is formed on this side surface as a reflection mirror. ) Is formed.
【００５５】上述の実施例による面発光レーザーにおけ
るｎ型クラッド層３、活性層４およびｐ型クラッド層５
から成るＤＨ構造の水平共振器は、ＡｌＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓヘテロ接合のほか、例えばＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩ
ｎＰヘテロ接合やＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓＰヘテロ接合な
どの各種のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体による半導体ヘテ
ロ接合、さらにはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体による半導
体ヘテロ接合により形成するようにしてもよい。なお、
ＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓＰヘテロ接合により水平共振器を
形成する場合、ｎ型半導体基板１としては通常はｎ型Ｉ
ｎＰ基板が用いられる。The n-type cladding layer 3, the active layer 4 and the p-type cladding layer 5 in the surface emitting laser according to the above-mentioned embodiment.
A horizontal resonator of DH structure composed of AlGaAs / Ga
In addition to As heterojunction, for example, AlGaInP / GaI
A semiconductor heterojunction made of various III-V group compound semiconductors such as an nP heterojunction or an InP / GaInAsP heterojunction, or a semiconductor heterojunction made of a II-VI group compound semiconductor may be formed. In addition,
When forming a horizontal resonator by an InP / GaInAsP heterojunction, the n-type semiconductor substrate 1 is usually an n-type I substrate.
An nP substrate is used.
【００５６】[0056]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、光場の中に散乱体が設けられていることにより、製
造プロセスが簡単であり、集積化する場合に有利であ
り、しかも任意のコヒーレンス性やビーム形状を有する
レーザー光が得られる面発光レーザーを実現することが
できる。また、水平共振器構造とすることにより、高出
力かつ高信頼性の面発光レーザーを実現することができ
る。As described above, according to the present invention, since the scatterer is provided in the optical field, the manufacturing process is simple, and it is advantageous in the case of integration, and it is optional. It is possible to realize a surface emitting laser capable of obtaining laser light having the coherence property and the beam shape. Further, the horizontal cavity structure makes it possible to realize a surface emitting laser with high output and high reliability.
【図１】この発明の一実施例による面発光レーザーを示
す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a surface emitting laser according to an embodiment of the present invention.
【図２】この発明の一実施例による面発光レーザーにお
ける面発光の方向の光強度分布の一例を示すグラフであ
る。FIG. 2 is a graph showing an example of a light intensity distribution in a surface emitting direction in a surface emitting laser according to an embodiment of the present invention.
【図３】この発明の一実施例による面発光レーザーにお
ける面発光の原理を説明するための略線図である。FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the principle of surface emission in a surface emitting laser according to an embodiment of the present invention.
【図４】この発明の一実施例において光出力−電流特性
の測定を行った面発光レーザーを示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a surface emitting laser whose optical output-current characteristics are measured in one embodiment of the present invention.
【図５】図４に示す面発光レーザーについて測定された
光出力−電流特性の一例を示すグラフである。5 is a graph showing an example of optical output-current characteristics measured for the surface emitting laser shown in FIG.
【図６】図４に示す面発光レーザーについて測定された
遠視野像の一例を示すグラフである。6 is a graph showing an example of far-field images measured for the surface-emitting laser shown in FIG.
【図７】図６に示すグラフの横軸の角度の定義を示す略
線図である。7 is a schematic diagram showing the definition of an angle of the horizontal axis of the graph shown in FIG.
【図８】この発明による面発光レーザーにおいて用いら
れる水平共振器の他の例を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing another example of a horizontal resonator used in the surface emitting laser according to the present invention.
【図９】この発明による面発光レーザーにおいて散乱体
として用いられる溝の断面形状の他の例を示す平面図で
ある。FIG. 9 is a plan view showing another example of the cross-sectional shape of a groove used as a scatterer in the surface emitting laser according to the present invention.
【図１０】この発明による面発光レーザーにおいて散乱
体として用いられる溝の形成方法の他の例を説明するた
めの断面図である。FIG. 10 is a sectional view for explaining another example of the method of forming the groove used as the scatterer in the surface emitting laser according to the present invention.
１ ｎ型半導体基板 ２ ＤＢＲ半導体多層膜 ３ ｎ型クラッド層 ４ 活性層 ５ ｐ型クラッド層 ６ ｐ型キャップ層 ７ 溝 ８ 反射防止膜 ９ 誘電体多層膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 n-type semiconductor substrate 2 DBR semiconductor multilayer film 3 n-type cladding layer 4 active layer 5 p-type cladding layer 6 p-type cap layer 7 groove 8 antireflection film 9 dielectric multilayer film
Claims (6)
を特徴とする半導体レーザー。1. A semiconductor laser comprising a scatterer in an optical field.
る請求項１記載の半導体レーザー。2. The semiconductor laser according to claim 1, having a horizontal cavity structure.
請求項１または２記載の半導体レーザー。3. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the scatterer is a groove.
とを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ
ー。4. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the scatterer is made of a material having a high refractive index.
るための第１の反射鏡が設けられていることを特徴とす
る請求項１、２、３または４記載の半導体レーザー。5. The semiconductor laser according to claim 1, further comprising a first reflecting mirror for reflecting the light of the light field to the side opposite to the substrate.
鏡が設けられていることを特徴とする請求項２、３、４
または５記載の半導体レーザー。6. A second reflecting mirror is provided on a reflecting end surface of the horizontal resonator, wherein the second reflecting mirror is provided.
Alternatively, the semiconductor laser as described in 5 above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04327993A JP3239516B2 (en) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | Surface emitting semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04327993A JP3239516B2 (en) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | Surface emitting semiconductor laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06237043A true JPH06237043A (en) | 1994-08-23 |
| JP3239516B2 JP3239516B2 (en) | 2001-12-17 |
Family
ID=12659373
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|---|---|---|---|
| JP04327993A Expired - Fee Related JP3239516B2 (en) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | Surface emitting semiconductor laser |
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|---|---|
| JP (1) | JP3239516B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424418B2 (en) | 1998-05-29 | 2002-07-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface plasmon resonance sensor apparatus using surface emitting laser |
| US6569671B1 (en) | 1999-01-14 | 2003-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern exposure method, exposure device, formation of nucleic acid array, and formation of peptide array |
| JP2016119397A (en) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | スタンレー電気株式会社 | Semiconductor light emitting device |
-
1993
- 1993-02-08 JP JP04327993A patent/JP3239516B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2016119397A (en) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | スタンレー電気株式会社 | Semiconductor light emitting device |
Also Published As
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| JP3239516B2 (en) | 2001-12-17 |
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