JPH06224293A - Method and apparatus for detecting cutting line position of semiconductor wafer - Google Patents

Method and apparatus for detecting cutting line position of semiconductor wafer

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JPH06224293A
JPH06224293A JP5011843A JP1184393A JPH06224293A JP H06224293 A JPH06224293 A JP H06224293A JP 5011843 A JP5011843 A JP 5011843A JP 1184393 A JP1184393 A JP 1184393A JP H06224293 A JPH06224293 A JP H06224293A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
information
line
cutting line
scribe line
Prior art date
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Application number
JP5011843A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsunori Nishiguchi
勝規 西口
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To automatically detect a position of a cutting line, and to input detected position information directly to a controller of a dicing unit by imaging a semiconductor wafer, fetching its image information and processing the information thereby to detect the position of the line. CONSTITUTION:A method for detecting a position of a cutting line to detect the position of the line when a semiconductor wafer 11 is diced comprises the steps of imaging the wafer 11, fetching its image information, and processing the information to detect the position of the line. For example, a wafer fixing table 13 is moved to a position directly under a CCD camera 3, a surface of the wafer 11 disposed directly under the camera 3 is imaged by the camera 3, its image information is digitized by an A/D converter 5, and input to a computer 2. The computer 2 processes the information according to a suitable algorithm to detect the position of the line.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハのダイシ
ングに関し、特に、半導体ウェーハ上の切断ラインの位
置を検出するための方法及び装置に関するものである。
FIELD OF THE INVENTION This invention relates to semiconductor wafer dicing, and more particularly to a method and apparatus for detecting the position of a cutting line on a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウェーハ上には多数のデバイス、
例えば集積回路等の電子デバイス、レーザダイオードや
フォトダイオード等の光デバイス、或いは、電子デバイ
スと光デバイスを複合化した光電子集積回路(OEI
C)等が形成され、この半導体ウェーハを個々のデバイ
ス毎に分割する場合には、ダイシング装置が通常用いら
れる。
2. Description of the Related Art Many devices are mounted on a semiconductor wafer.
For example, electronic devices such as integrated circuits, optical devices such as laser diodes and photodiodes, or optoelectronic integrated circuits (OEI) in which electronic devices and optical devices are combined.
When C) etc. are formed and this semiconductor wafer is divided into individual devices, a dicing apparatus is usually used.

【0003】一般的なダイシング装置は、水平方向に可
動なウェーハ固定テーブルと、このウェーハ固定テーブ
ルに固定された半導体ウェーハに対して鉛直方向に進退
される高速回転可能なダイシングブレードとを備えてお
り、コントローラによる制御下、デバイス間に形成され
るスクライブラインの中心線上をダイシングブレードに
より切断することで半導体ウェーハを分割するよう構成
されている。
A general dicing apparatus is provided with a horizontally movable wafer fixing table and a high-speed rotatable dicing blade which is vertically moved with respect to a semiconductor wafer fixed on the wafer fixing table. Under the control of the controller, the dicing blade cuts the center line of the scribe line formed between the devices to divide the semiconductor wafer.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ダイシング装置では、切断ライン、即ちスクライブライ
ンの中心線の位置情報をオペレータがコントローラに手
入力することとなっているため、入力ミスを生ずること
が少なからずあった。かかる場合には、半導体ウェーハ
を所望の切断ラインで切断することができず、分割不良
が発生する虞れがある。半導体ウェーハのダイシング工
程はウェーハプロセスの最終工程であり、分割不良によ
るコスト上の被害は非常に大きい。特に、近年の半導体
製造が、Si−DRAMを筆頭とした少品種大量生産か
ら、特定用途むけ集積回路(ASIC)を中心とした多
品種少量生産に移行しつつあるため、この問題点を解決
することは重要な課題となっている。即ち、同一の半導
体ウェーハ上に多品種のデバイスが形成されている場
合、各デバイスの寸法が異なるためにスクライブライン
間隔が一定とならず、その結果として、入力ミスが生じ
やすい。
However, in the conventional dicing apparatus, since the operator manually inputs the position information of the cutting line, that is, the center line of the scribe line to the controller, an input error may occur. There was a little. In such a case, the semiconductor wafer cannot be cut along a desired cutting line, and there is a risk of defective division. The dicing process of the semiconductor wafer is the final process of the wafer process, and the cost damage due to the division failure is very large. In particular, in recent years, semiconductor manufacturing is shifting from small-quantity mass-production with Si-DRAM at the forefront to multi-product small-quantity production centered on integrated circuits (ASICs) for specific applications, which solves this problem. That is an important issue. That is, when various types of devices are formed on the same semiconductor wafer, the scribe line intervals are not constant because the dimensions of the devices are different, and as a result, input errors are likely to occur.

【0005】また、切断ラインの位置検出は、ダイシン
グ装置に設けられている顕微鏡装置等を用いて行うこと
も可能であるが、その手間は多大なものとなるので、切
断ラインの位置検出の自動化が望まれる。
Further, the position of the cutting line can be detected by using a microscope device or the like provided in the dicing device, but since the labor is great, the detection of the position of the cutting line is automated. Is desired.

【0006】従って、実際に切断対象となる半導体ウェ
ーハの切断ラインの位置を自動的に検出し、その検出し
た位置情報を直接ダイシング装置のコントローラに入力
し得る切断ライン位置検出方法及び装置が従来から求め
られている。本発明の目的はかかる方法及び装置を提供
することにある。
Therefore, a cutting line position detecting method and device capable of automatically detecting the position of the cutting line of the semiconductor wafer to be actually cut and directly inputting the detected position information to the controller of the dicing device have been provided. It has been demanded. It is an object of the present invention to provide such a method and device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の発明は、半導体ウェーハをダイシ
ングする際における切断ラインの位置を検出する半導体
ウェーハの切断ライン位置検出方法において、半導体ウ
ェーハを撮像してその画像情報を取り込み、この画像情
報を画像処理することにより切断ラインの位置を検出す
ることを特徴としている。
In order to achieve the above object, the present invention according to claim 1 provides a semiconductor wafer cutting line position detecting method for detecting the position of a cutting line when dicing a semiconductor wafer. It is characterized in that the position of the cutting line is detected by picking up an image of the semiconductor wafer, capturing the image information thereof, and subjecting this image information to image processing.

【0008】切断ラインが、半導体ウェーハ上のデバイ
ス間に形成されるスクライブラインの中心線である場
合、半導体ウェーハの画像情報からスクライブラインの
情報を抽出し、そのスクライブライン情報からスクライ
ブラインの中心線の位置を検出するのが好適である。
When the cutting line is the center line of the scribe line formed between the devices on the semiconductor wafer, the scribe line information is extracted from the image information of the semiconductor wafer, and the scribe line center line is extracted from the scribe line information. Is preferably detected.

【0009】また、スクライブラインの幅の既知情報か
ら予めテンプレートを形成しておき、そのテンプレート
と半導体ウェーハの画像情報との相関を採ることによ
り、即ちパターンマッチングを行うことで、スクライブ
ライン情報を抽出することができる。
Further, the scribe line information is extracted by forming a template in advance from the known information of the width of the scribe line and taking the correlation between the template and the image information of the semiconductor wafer, that is, by performing the pattern matching. can do.

【0010】更に、スクライブライン情報を抽出する場
合、半導体ウェーハの画像情報から抽出した略同一な特
徴点を有する領域が、所定の方向において、設定量以上
存在する場合に、その領域をスクライブラインと認識す
ることが有効である。
Further, in the case of extracting the scribe line information, when a region having substantially the same characteristic points extracted from the image information of the semiconductor wafer exists in a predetermined direction by a set amount or more, the region is referred to as a scribe line. It is effective to recognize.

【0011】一方、デバイスのボンディングパッド列
と、それに隣接するデバイスのボンディングパッド列と
の間にスクライブラインが存在しているので、半導体ウ
ェーハの画像情報から半導体ウェーハ上のデバイスのボ
ンディングパッドの情報を抽出し、そのボンディングパ
ッド情報からスクライブラインの中心線の位置を検出す
ることも可能である。
On the other hand, since the scribe line exists between the bonding pad row of the device and the bonding pad row of the device adjacent thereto, the information of the bonding pad of the device on the semiconductor wafer can be obtained from the image information of the semiconductor wafer. It is also possible to extract and detect the position of the center line of the scribe line from the bonding pad information.

【0012】また、ボンディングパッドの寸法の既知情
報からテンプレートを形成し、そのテンプレートと画像
情報との相関を採ることによりボンディングパッド情報
を抽出することができる。
Further, it is possible to extract the bonding pad information by forming a template from the known information of the dimensions of the bonding pad and taking the correlation between the template and the image information.

【0013】このような切断ライン位置検出方法を実施
するための切断ライン位置検出装置は、請求項8に記載
した通り、半導体ウェーハを撮像してその画像情報を取
り込む撮像手段と、前記撮像手段から入力された画像情
報を画像処理して切断ラインの位置を検出する画像処理
手段とを備えることを特徴とする。
A cutting line position detecting device for carrying out such a cutting line position detecting method is, as described in claim 8, an image pickup means for picking up an image of a semiconductor wafer and taking in image information thereof, and the image pickup means. Image processing means for performing image processing on the input image information to detect the position of the cutting line.

【0014】[0014]

【作用】本発明による切断ライン位置検出方法及び装置
では、ダイシングの対象となる半導体ウェーハの画像情
報を取り込み、画像処理するので、実際に切断されるべ
き切断ラインの位置が正確に検出される。
In the cutting line position detecting method and apparatus according to the present invention, since the image information of the semiconductor wafer to be diced is fetched and image processed, the position of the cutting line to be actually cut is accurately detected.

【0015】切断ラインがスクライブラインの中心線で
ある場合には、上述したように、スクライブライン自体
の情報やボンディングパッドの情報を画像情報から抽出
することで、位置検出が容易化される。かかる場合に、
テンプレートを用いたパターンマッチング法を適用する
ことで、更に検出精度は向上する。
When the cutting line is the center line of the scribe line, as described above, the position detection is facilitated by extracting the information of the scribe line itself and the information of the bonding pad from the image information. In such cases,
The detection accuracy is further improved by applying the pattern matching method using the template.

【0016】また、スクライブライン上にテストパター
ン(TEG)等が形成されている場合には、スクライブ
ラインを認識することは困難である。しかし、スクライ
ブライン上でTEG等が占める割合は一般に既知である
ので、画像情報から抽出した略同一な特徴点を有する領
域が設定量を越えて存在することが判れば、その領域を
スクライブラインと認識することができる。
When a test pattern (TEG) or the like is formed on the scribe line, it is difficult to recognize the scribe line. However, since the ratio of TEG or the like on the scribe line is generally known, if it is found that a region having substantially the same feature points extracted from the image information exceeds the set amount, that region is called the scribe line. Can be recognized.

【0017】[0017]

【実施例】以下、図面と共に本発明の好適な実施例につ
いて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0018】図1は本発明による切断ライン位置検出装
置1を備えたダイシング装置10を概略的に示してい
る。図示するように、ダイシング装置10は、半導体ウ
ェーハ11を切断する切断手段としてダイシングブレー
ド12を有し、また、半導体ウェーハ11を固定するた
めのウェーハ固定テーブル13を有している。
FIG. 1 schematically shows a dicing apparatus 10 having a cutting line position detecting device 1 according to the present invention. As shown in the figure, the dicing device 10 has a dicing blade 12 as a cutting means for cutting the semiconductor wafer 11, and also has a wafer fixing table 13 for fixing the semiconductor wafer 11.

【0019】ダイシングブレード12は、支持コラム1
4に支持された主軸ヘッド15の主軸16に取り付けら
れている。支持コラム14は、固定構造体であるベッド
17に鉛直向きとなるように固定されており、主軸ヘッ
ド15は支持コラム14に沿って鉛直方向に上下動され
る。また、主軸16は水平方向に延び、高速回転され
る。
The dicing blade 12 is a support column 1
It is attached to a spindle 16 of a spindle head 15 which is supported by 4. The support column 14 is fixed to a bed 17 which is a fixed structure so as to be oriented vertically, and the spindle head 15 is vertically moved along the support column 14. The main shaft 16 extends in the horizontal direction and is rotated at high speed.

【0020】一方、ウェーハ固定テーブル13はベッド
17の上面に取り付けられており、互いに直交する水平
方向の2軸に沿って直進運動可能となっている。また、
ウェーハ固定テーブル13の上面は水平なウェーハ固定
面18となっており、この面18は鉛直方向の軸線を中
心として正逆両方向に回転可能となっている。ウェーハ
固定面18上には、半導体ウェーハ11が、好ましくは
ダイシングテープ19に貼り付けられた状態で真空吸着
により固定される。
On the other hand, the wafer fixing table 13 is attached to the upper surface of the bed 17 and can move linearly along two horizontal axes which are orthogonal to each other. Also,
The upper surface of the wafer fixing table 13 is a horizontal wafer fixing surface 18, and this surface 18 is rotatable in both forward and backward directions about a vertical axis. The semiconductor wafer 11 is fixed on the wafer fixing surface 18 by vacuum suction, preferably in a state of being attached to the dicing tape 19.

【0021】このような構成において、ダイシングブレ
ード12を回転させつつ、主軸ヘッド15を初期位置か
ら所定量だけ下降させた後、ウェーハ固定テーブル13
を駆動して半導体ウェーハ11をダイシングブレード1
2の回転面の方向に沿って移動させると、1列分の切削
が行われる。この後、次列の切削に移るため、主軸ヘッ
ド15を初期位置に上昇させ、半導体ウェーハ11を切
削方向に対して直角の方向に所定距離だけ移動させる。
これを繰り返すことにより半導体ウェーハ11は短冊状
に切断される。次いで、短冊状に切断された半導体ウェ
ーハ11を90度回動させ、以下、上記工程を繰り返す
ことにより1枚の半導体ウェーハ11から多数のチップ
が形成される。このような動作の制御はコントローラ2
0により行われる。
In such a structure, while the dicing blade 12 is rotated, the spindle head 15 is lowered from the initial position by a predetermined amount, and then the wafer fixing table 13 is moved.
Drive the semiconductor wafer 11 to the dicing blade 1
When moving along the direction of the surface of rotation 2, the cutting for one row is performed. Thereafter, in order to move to the next row of cutting, the spindle head 15 is raised to the initial position, and the semiconductor wafer 11 is moved by a predetermined distance in a direction perpendicular to the cutting direction.
By repeating this, the semiconductor wafer 11 is cut into strips. Next, the semiconductor wafer 11 cut into strips is rotated by 90 degrees, and the above steps are repeated to form a large number of chips from one semiconductor wafer 11. The controller 2 controls such operations.
It is performed by 0.

【0022】半導体ウェーハ11の切断ラインの位置情
報は予めコントローラ20に入力されており、コントロ
ーラ20による制御下、入力された位置で半導体ウェー
ハ11が切断されるようになっている。本実施例におい
ては、コントローラ20への切断位置情報の入力は本発
明の切断ライン位置検出装置1から自動的に行われる。
The position information of the cutting line of the semiconductor wafer 11 is input to the controller 20 in advance, and under the control of the controller 20, the semiconductor wafer 11 is cut at the input position. In the present embodiment, the cutting position information is input to the controller 20 automatically from the cutting line position detecting device 1 of the present invention.

【0023】本発明による切断ライン位置検出装置1は
画像処理技術を利用したものであり、基本的には、画像
処理手段であるコンピュータ2と、半導体ウェーハ11
の表面を撮像してその画像情報をコンピュータ2に入力
する撮像手段たるCCDカメラ3とから構成されてい
る。CCDカメラ3は、ダイシングブレード12から水
平方向に一定の間隔をおいた位置にて、ベッド17にア
ーム4を介して固定されており、ウェーハ固定テーブル
13はこのCCDカメラ3の直下位置に移動可能となっ
ている。
The cutting line position detecting device 1 according to the present invention uses an image processing technique. Basically, a computer 2 as an image processing means and a semiconductor wafer 11 are used.
And a CCD camera 3 which is an image pickup means for inputting the image information to the computer 2 on the surface of the. The CCD camera 3 is fixed to the bed 17 via the arm 4 at a position horizontally spaced from the dicing blade 12, and the wafer fixing table 13 can be moved to a position directly below the CCD camera 3. Has become.

【0024】本発明の切断ライン位置検出方法によれ
ば、CCDカメラ3は、その直下に配置された半導体ウ
ェーハ11の表面を撮像し、その画像情報をA/D変換
器5によりデジタル化してコンピュータ2に入力する。
コンピュータ2では、入力された画像情報を適当なアル
ゴリズムに従って画像処理し、切断ラインの位置を検出
する。
According to the cutting line position detecting method of the present invention, the CCD camera 3 captures an image of the surface of the semiconductor wafer 11 arranged immediately below it, digitizes the image information by the A / D converter 5, and computer. Enter 2.
The computer 2 performs image processing on the input image information according to an appropriate algorithm and detects the position of the cutting line.

【0025】ここで、図2は切断すべき半導体ウェーハ
11の表面を概略的に示す平面図であり、半導体ウェー
ハ11に格子状に描かれている実線はスクライブライン
Sである。通常、切断ラインはスクライブラインSの中
心線であるのが一般的であり、以下、上記構成において
スクライブラインSの中心線の位置を検出する場合の本
発明による位置検出方法について、コンピュータ2の処
理アルゴリズムを示す図3に沿って更に詳細に説明す
る。尚、以下の説明において、図2に示す横方向のスク
ライブラインSと平行な方向をX軸方向、縦方向のスク
ライブラインSと平行な方向をY軸方向と称することと
する。
Here, FIG. 2 is a plan view schematically showing the surface of the semiconductor wafer 11 to be cut, and solid lines drawn in a lattice pattern on the semiconductor wafer 11 are scribe lines S. Normally, the cutting line is generally the center line of the scribe line S. Hereinafter, the computer 2 processes the position detecting method according to the present invention when detecting the position of the center line of the scribe line S in the above configuration. The algorithm will be described in more detail with reference to FIG. In the following description, the direction parallel to the horizontal scribe line S shown in FIG. 2 will be referred to as the X-axis direction, and the direction parallel to the vertical scribe line S will be referred to as the Y-axis direction.

【0026】まず、ウェーハ固定テーブル13の動作を
制御して、ウェーハ固定テーブル13をCCDカメラ3
の下方に移動すると共にその位置の調整を行い、ウェー
ハ固定テーブル13に固定された半導体ウェーハ11上
の撮像すべき領域をCCDカメラ3の直下に配置する
(ステップ100)。次いで、その撮像領域を撮像し、
得られた画像情報をA/D変換器5を介して取り込み、
コンピュータ2のメモリに記憶する(ステップ10
1)。図2の点線は、半導体ウェーハ11の撮像領域の
一例を示しているが、撮像領域はこの図のように9区画
に分ける必要はなく、CCDカメラ3の解像度等により
種々変更される。
First, the operation of the wafer fixing table 13 is controlled so that the wafer fixing table 13 is moved to the CCD camera 3.
The position of the semiconductor wafer 11 fixed to the wafer fixing table 13 to be imaged is arranged immediately below the CCD camera 3 (step 100). Then, image the imaging area,
The obtained image information is taken in through the A / D converter 5,
Store in memory of computer 2 (step 10)
1). The dotted line in FIG. 2 shows an example of the image pickup area of the semiconductor wafer 11, but the image pickup area does not have to be divided into nine sections as in this figure, and can be variously changed depending on the resolution of the CCD camera 3.

【0027】次に、ステップ102において、入力され
た画像情報が図2のX軸方向及びY軸方向と一致するよ
うに補正を行った後、ステップ103で各画素の濃淡レ
ベルから濃淡ヒストグラムを作成する。作成された濃淡
ヒストグラムは、ステップ104において、その適否が
判断される。例えば図4の(a)に示すように、濃淡ヒ
ストグラムの山部と谷部とが明瞭に現れていない場合に
は、以降の処理に適していないため、ステップ105に
移行してダイナミックレンジを調整し、再度、ステップ
101〜104を繰り返すことになる。
Next, in step 102, the input image information is corrected so as to match the X-axis direction and the Y-axis direction in FIG. 2, and then in step 103, a density histogram is created from the density level of each pixel. To do. In step 104, the suitability of the created grayscale histogram is judged. For example, as shown in (a) of FIG. 4, when the peaks and valleys of the grayscale histogram do not appear clearly, it is not suitable for the subsequent processing, so the process proceeds to step 105 and the dynamic range is adjusted. Then, steps 101 to 104 are repeated again.

【0028】一方、図4の(b)のように分離性の良い
濃淡ヒストグラムが作成されたならば、ステップ106
に移行し、スクライブラインSの領域に相当すると考え
られる濃淡レベルを選定する。
On the other hand, if a grayscale histogram with good separability is created as shown in FIG.
Then, the gray level considered to correspond to the area of the scribe line S is selected.

【0029】この後、ステップ106で選定された濃淡
レベルを基準にし、メモリに記憶された画像情報の各画
素の濃淡レベルから、種々の条件を加味してスクライブ
ラインSの情報を抽出する(ステップ107)。スクラ
イブライン情報を抽出するための条件としては、選定さ
れた濃淡レベルを有する画素がX軸方向又はY軸方向に
連続していることや、その連続した画素群が直交する領
域を有していること、等が考えられる。
Thereafter, with reference to the gray level selected in step 106, the information of the scribe line S is extracted from the gray level of each pixel of the image information stored in the memory by taking various conditions into consideration (step). 107). As a condition for extracting the scribe line information, pixels having the selected gray level are continuous in the X-axis direction or the Y-axis direction, and the continuous pixel group has a region orthogonal to each other. And so on.

【0030】また、スクライブライン情報の抽出精度を
向上させるために、パターンマッチング法を適用するこ
ともできる。即ち、半導体ウェーハ11は設計データに
基づいて製造されるが、この設計データの中のスクライ
ブラインSの幅情報からテンプレートを予め形成してお
き、このテンプレートと入力画像情報との相関を採るこ
とで、スクライブライン情報の抽出を容易化することが
できる。尚、この場合、入力画像情報を2値化処理し、
抽出対象をしぼり込んでおくことが有効である。
Further, in order to improve the extraction accuracy of the scribe line information, the pattern matching method can be applied. That is, although the semiconductor wafer 11 is manufactured based on the design data, a template is formed in advance from the width information of the scribe line S in the design data, and the correlation between the template and the input image information is taken. , It is possible to facilitate the extraction of the scribe line information. In this case, the input image information is binarized,
It is effective to narrow down the extraction target.

【0031】次に、ステップ108において、ステップ
107での抽出結果の適否を判断し、否の場合には、ス
テップ106で選定された濃淡レベルに誤りがあるもの
として、別の濃淡レベルを選定する(ステップ10
9)。そして、再度、ステップ107を実行する。
Next, in step 108, the suitability of the extraction result in step 107 is judged, and if the result is negative, it is determined that the gray level selected in step 106 is incorrect, and another gray level is selected. (Step 10
9). Then, step 107 is executed again.

【0032】スクライブライン情報の抽出結果が妥当な
ものである場合、細線化処理等の手法を用いてスクライ
ブラインSの中心線を抽出する(ステップ110)。次
いで、ステップ111において、メモリに記憶された画
像情報に基づいてパターン計測を行って、スクライブラ
インSの中心線の位置を求め、その情報をメモリに記憶
する。
If the extraction result of the scribe line information is valid, the center line of the scribe line S is extracted using a technique such as a thinning process (step 110). Next, in step 111, pattern measurement is performed based on the image information stored in the memory to obtain the position of the center line of the scribe line S, and the information is stored in the memory.

【0033】以上で一つの撮像領域の処理が終了する
が、処理すべき領域が残っている場合には、撮像領域を
変更し(ステップ112,113)、ステップ100〜
111を繰り返す。そして、全ての撮像領域の処理が終
了したならば、採取したスクライブラインSの中心線の
位置情報をコントローラ20に出力する(ステップ11
4)。
The processing of one imaging area is completed as described above, but if there is an area to be processed, the imaging area is changed (steps 112 and 113), and steps 100 to 100 are executed.
Repeat 111. Then, when the processing of all the imaging regions is completed, the positional information of the center line of the collected scribe line S is output to the controller 20 (step 11).
4).

【0034】上述したように、コントローラ20は、入
力された位置情報に基づきダイシングブレード12の回
転、主軸ヘッド15の上下動及びウェーハ固定テーブル
13の水平方向の動作を制御して半導体ウェーハ11の
切断を行う。従って、コンピュータ2からコントローラ
20にスクライブラインSの中心線の位置情報が入力さ
れると、半導体ウェーハ11はスクライブラインSの中
心線に沿って正確に切断され、複数のチップ21に分割
されるこことなる(図2参照)。
As described above, the controller 20 controls the rotation of the dicing blade 12, the vertical movement of the spindle head 15, and the horizontal movement of the wafer fixing table 13 based on the input position information to cut the semiconductor wafer 11. I do. Therefore, when the position information of the center line of the scribe line S is input from the computer 2 to the controller 20, the semiconductor wafer 11 is accurately cut along the center line of the scribe line S and divided into a plurality of chips 21. (See FIG. 2).

【0035】上記実施例では、スクライブラインS自体
の情報を抽出し、その中心線の位置を検出することとし
ているが、他の特徴点からスクライブラインSの中心線
を検出することも可能である。例えば、半導体ウェーハ
11の拡大図である図5に示すように、電子デバイス等
のデバイス22のボンディングパッド23がスクライブ
ラインSから所定の距離離れた位置に列状に形成される
ことを利用して、スクライブラインSの中心線を検出す
ることも可能である。即ち、ボンディングパッド23の
パッド列を検出すると共に、比較的狭い間隔で向かい合
っているパッド列を検出したならば、そのパッド列間の
中央位置がスクライブラインSの中心線上の位置という
ことになる。特に、ボンディングパッド23は金属から
形成されるため、画像情報の濃度レベルは高く、非常に
単純な2値化処理でもボンディングパッド23の情報を
容易に抽出することができるので、この方法は有効であ
る。
In the above embodiment, the information of the scribe line S itself is extracted and the position of the center line thereof is detected, but the center line of the scribe line S can be detected from other characteristic points. . For example, as shown in FIG. 5, which is an enlarged view of the semiconductor wafer 11, the fact that the bonding pads 23 of the device 22 such as an electronic device are formed in rows at positions separated from the scribe line S by a predetermined distance is used. It is also possible to detect the center line of the scribe line S. That is, when the pad row of the bonding pads 23 is detected and the pad rows facing each other at a relatively narrow interval are detected, the central position between the pad rows is the position on the center line of the scribe line S. In particular, since the bonding pad 23 is made of metal, the density level of image information is high, and the information of the bonding pad 23 can be easily extracted even by a very simple binarization process, and this method is effective. is there.

【0036】また、図6に示すように、スクライブライ
ンS上にTEG等のパターン24が形成されている場合
は、選定した濃淡レベルを有する画素がX軸方向又はY
軸方向に連続しているという方法でスクライブラインS
を検出することは困難となる。この場合、デバイス22
のボンディングパッド23の情報を利用する上記方法に
より検出することも可能であるが、次の方法によっても
スクライブラインSを検出することができる。
Further, as shown in FIG. 6, when the pattern 24 such as TEG is formed on the scribe line S, the pixel having the selected gray level is in the X axis direction or Y direction.
Scribe line S by the method of being continuous in the axial direction
Is difficult to detect. In this case, device 22
Although it is possible to detect the scribe line S by the above method using the information of the bonding pad 23, the scribe line S can also be detected by the following method.

【0037】まず、不連続ではあるがX軸方向又はY軸
方向に延びる略同一な特徴点が画像情報から抽出された
場合、その特徴点の延びる方向にサーチを続ける。そし
て、途中にTEG等のパターン24があっても、その特
徴点が設定量を越えて存在する場合には、その特徴点の
延びる領域すべてを、スクライブラインSと認識するの
である。尚、TEG等のパターン24がスクライブライ
ンSの領域に占める割合は設計データから知ることがで
きるので、前記設定量は容易に算出することができる。
First, when substantially identical feature points which are discontinuous but extend in the X-axis direction or the Y-axis direction are extracted from the image information, the search is continued in the direction in which the feature points extend. Then, even if there is a pattern 24 such as TEG in the middle, if the feature points exist beyond the set amount, the entire region where the feature points extend is recognized as the scribe line S. Since the ratio of the pattern 24 such as TEG to the area of the scribe line S can be known from the design data, the set amount can be easily calculated.

【0038】上記実施例においては、入力された画像情
報の全画素の濃淡レベルから1つの濃淡ヒストグラムを
形成しているが、X軸方向に連続する画素列毎、及び、
Y軸方向に連続する画素列毎に濃淡ヒストグラムを形成
し、それらの濃淡ヒストグラムからスクライブラインS
の情報を抽出することもできる。
In the above embodiment, one gray scale histogram is formed from the gray level of all the pixels of the input image information, but for each pixel row continuous in the X-axis direction, and
A grayscale histogram is formed for each pixel row that is continuous in the Y-axis direction, and a scribe line S is created from the grayscale histogram.
Information can be extracted.

【0039】例えば、スクライブラインSは平坦かつ一
様な面であるため、或るスクライブラインSについての
画素列の濃淡ヒストグラムは、図7の(a)に示すよう
に、一定の濃淡レベルで幅の狭い単峰的な波形を描く。
また、スクライブラインS以外では、図7の(b)に示
すように、複数の山部を有する濃淡ヒストグラムとな
る。従って、濃淡ヒストグラムにおける最濃点と最淡点
とのレベル差をダイナミックレンジと定義した場合に、
設定値よりも小さなダイナミックレンジを有する濃淡ヒ
ストグラムがあれば、そのヒストグラムを形成する画素
列がスクライブラインSに関連していることになる。
For example, since the scribe line S is a flat and uniform surface, the gray scale histogram of the pixel row for a certain scribe line S has a constant gray level width as shown in FIG. 7A. Draw a narrow unimodal waveform.
In addition to the scribe line S, as shown in FIG. 7B, a grayscale histogram having a plurality of peaks is obtained. Therefore, when the level difference between the darkest point and the darkest point in the grayscale histogram is defined as the dynamic range,
If there is a grayscale histogram having a dynamic range smaller than the set value, the pixel row forming the histogram is related to the scribe line S.

【0040】このように、各画素列の濃淡ヒストグラム
のダイナミックレンジを個々に判断していくことで、ス
クライブラインSの情報を抽出することができる。
In this way, the information of the scribe line S can be extracted by individually judging the dynamic range of the grayscale histogram of each pixel column.

【0041】更にまた、X軸方向又はY軸方向の画素列
毎に、横軸に各画素の位置、縦軸に当該位置における画
素の濃度レベルを表すヒストグラムを形成し、そのヒス
トグラムからスクライブラインSの情報を検出すること
も可能である。例えば、スクライブラインSについての
画素列のヒストグラムは、各画素の濃淡レベルはほぼ一
定であるので、図8の(a)の如くなる。また、スクラ
イブラインS以外の部分では、半導体デバイスやボンデ
ングパッド等についての濃淡レベルも含まれることにな
るので、ヒストグラムは図8の(b)のようになる。こ
れらの分布を一次元波形とみなしてフーリエ変換を行う
と、図8の(a)についての周波数成分は極めて低いも
ののみが得られる。従って、各画素列のヒストグラムに
ついてフーリエ変換し、設定値よりも低い周波数成分を
探索することで、スクライブライン情報を抽出すること
ができるのである。
Furthermore, for each pixel row in the X-axis direction or the Y-axis direction, a histogram representing the position of each pixel on the horizontal axis and the density level of the pixel at that position is formed on the vertical axis, and the scribe line S is formed from the histogram. It is also possible to detect the information of. For example, the histogram of the pixel row for the scribe line S is as shown in FIG. 8A because the gray level of each pixel is almost constant. Further, since the gray level of the semiconductor device, the bonding pad, etc. is also included in the portion other than the scribe line S, the histogram is as shown in FIG. 8B. When Fourier distribution is performed by regarding these distributions as one-dimensional waveforms, only the extremely low frequency components in FIG. 8A are obtained. Therefore, the scribe line information can be extracted by performing a Fourier transform on the histogram of each pixel row and searching for a frequency component lower than the set value.

【0042】以上、好適な実施例について本発明を説明
したが、本発明は上記実施例に限らず種々の変形例があ
る。
The present invention has been described above with reference to the preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and there are various modifications.

【0043】例えば、図1に示す構成では、コンピュー
タ2はコントローラ20に接続され、検出結果は自動的
にコントローラ20に入力されるようになっているが、
コンピュータ2から検出結果をプリンタやCRT等の表
示装置に出力し、検出結果をオペレータが手入力しても
良い。手入力の場合は入力ミスが発生する可能性がある
が、所望の切断ラインの位置を選択的に入力できるとい
う利点がある。
For example, in the configuration shown in FIG. 1, the computer 2 is connected to the controller 20 and the detection result is automatically input to the controller 20.
The detection result may be output from the computer 2 to a display device such as a printer or CRT, and the detection result may be manually input by the operator. In case of manual input, an input error may occur, but there is an advantage that a desired cutting line position can be selectively input.

【0044】また、切断ラインもスクライブラインSの
中心線である必要はなく、その他のラインであっても良
い。かかる場合には、そのラインの特徴点を画像処理で
抽出するため、上記とは異なる画像処理アルゴリズムが
適用されることになる。
The cutting line does not have to be the center line of the scribe line S, and may be another line. In such a case, since the characteristic points of the line are extracted by image processing, an image processing algorithm different from the above will be applied.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ダ
イシングの対象となる半導体ウェーハを直接撮像して画
像処理するので、所望の切断ラインの位置を正確に検出
することができる。従って、半導体ウェーハを正確に分
割することが可能となるので、分割不良の発生率が激減
する。
As described above, according to the present invention, since the semiconductor wafer to be diced is directly imaged and image-processed, the position of the desired cutting line can be accurately detected. Therefore, since the semiconductor wafer can be accurately divided, the incidence of division defects is drastically reduced.

【0046】また、画像処理はコンピュータ等により自
動的に行われるので、切断ラインの位置の検出に要する
手間は殆どかからない。
Further, since the image processing is automatically performed by a computer or the like, there is almost no labor required for detecting the position of the cutting line.

【0047】更に、画像処理手段からの検出結果をダイ
シング装置のコントローラに直接入力することも可能で
あるので、手入力による入力ミスの発生を防止すること
ができる。これは、ASICのように種々の寸法のデバ
イスが含まれている半導体ウェーハの場合に有効とな
る。
Further, since it is possible to directly input the detection result from the image processing means to the controller of the dicing device, it is possible to prevent an input error due to manual input. This is effective in the case of a semiconductor wafer including various sized devices such as an ASIC.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による切断ライン位置検出装置が設けら
れたダイシング装置を示す概略説明図である。
FIG. 1 is a schematic explanatory view showing a dicing device provided with a cutting line position detecting device according to the present invention.

【図2】半導体ウェーハのスクライブライン及び撮像領
域を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a scribe line and an imaging region of a semiconductor wafer.

【図3】本発明による切断ライン位置検出方法の一実施
例を示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing an embodiment of a cutting line position detecting method according to the present invention.

【図4】図3の切断ライン位置検出方法における画像処
理で得られる濃淡ヒストグラムを示し、(a)はダイナ
ミックレンジの調整前、(b)はダイナミックレンジの
調整後を示している図である。
4A and 4B are gray scale histograms obtained by image processing in the cutting line position detection method of FIG. 3, in which FIG. 4A is a diagram before dynamic range adjustment and FIG. 4B is a diagram after dynamic range adjustment.

【図5】半導体ウェーハの拡大平面図である。FIG. 5 is an enlarged plan view of a semiconductor wafer.

【図6】スクライブライン上にTEG等のパターンが形
成された半導体ウェーハの拡大平面図である。
FIG. 6 is an enlarged plan view of a semiconductor wafer having a pattern such as TEG formed on a scribe line.

【図7】(a)はスクライブライン上の画素列の濃淡ヒ
ストグラム、(b)はスクライブライン以外の部分での
画素列の濃淡ヒストグラムである。
7A is a grayscale histogram of a pixel row on a scribe line, and FIG. 7B is a grayscale histogram of a pixel row in a portion other than the scribe line.

【図8】横軸に各画素の位置、縦軸に当該位置における
画素の濃度レベルを表す各画素列についてのヒストグラ
ムであり、(a)はスクライブライン上、(b)はスク
ライブライン以外の部分についてのヒストグラムであ
る。
8A and 8B are histograms of a position of each pixel on the horizontal axis and a pixel row indicating the density level of the pixel at the position on the vertical axis, where FIG. 8A is on a scribe line and FIG. 8B is a portion other than the scribe line. Is a histogram of.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…切断ライン位置検出装置、2…コンピュータ(画像
処理手段)、3…CCDカメラ(撮像手段)、5…A/
D変換器、10…ダイシング装置、11…半導体ウェー
ハ、12…ダイシングブレード、13…ウェーハ固定テ
ーブル、15…主軸ヘッド、20…コントローラ、21
…チップ、22…デバイス、23…ボンデングパッド、
24…TEG等のパターン。
1 ... Cutting line position detection device, 2 ... Computer (image processing means), 3 ... CCD camera (imaging means), 5 ... A /
D converter, 10 ... Dicing device, 11 ... Semiconductor wafer, 12 ... Dicing blade, 13 ... Wafer fixing table, 15 ... Spindle head, 20 ... Controller, 21
… Chips, 22… Devices, 23… Bonding pads,
24 ... Patterns such as TEG.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェーハをダイシングする際にお
ける切断ラインの位置を検出する切断ライン位置検出方
法において、半導体ウェーハを撮像してその画像情報を
取り込み、該画像情報を画像処理することにより切断ラ
インの位置を検出することを特徴とする半導体ウェーハ
の切断ライン位置検出方法。
1. A cutting line position detecting method for detecting a position of a cutting line when dicing a semiconductor wafer, wherein a semiconductor wafer is imaged, image information of the semiconductor wafer is captured, and the image information is subjected to image processing to detect the cutting line. A method for detecting the position of a cutting line of a semiconductor wafer, characterized by detecting the position.
【請求項2】 前記切断ラインは、半導体ウェーハ上の
デバイス間に形成されるスクライブラインであることを
特徴とする請求項1記載の半導体ウェーハの切断ライン
位置検出方法。
2. The method of detecting a cutting line position of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the cutting line is a scribe line formed between devices on the semiconductor wafer.
【請求項3】 前記画像情報からスクライブラインの情
報を抽出し、該スクライブライン情報からスクライブラ
インの中心線の位置を検出することを特徴とする請求項
2記載の半導体ウェーハの切断ライン位置検出方法。
3. The method for detecting a cutting line position of a semiconductor wafer according to claim 2, wherein information on a scribe line is extracted from the image information, and a position of a center line of the scribe line is detected from the scribe line information. .
【請求項4】 スクライブラインの幅の既知情報からテ
ンプレートを形成し、該テンプレートと前記画像情報と
の相関を採ることにより前記スクライブライン情報を抽
出することを特徴する請求項3記載の半導体ウェーハの
切断ライン位置検出方法。
4. The semiconductor wafer according to claim 3, wherein the scribe line information is extracted by forming a template from known information about the width of the scribe line and taking a correlation between the template and the image information. Cutting line position detection method.
【請求項5】 前記画像情報から抽出した略同一な特徴
点を有する領域が、所定の方向において、設定量を越え
て存在する場合に、該領域をスクライブラインと認識す
ることを特徴とする請求項3又は4記載の半導体ウェー
ハの切断ライン位置検出方法。
5. The area is recognized as a scribe line when an area having substantially the same characteristic points extracted from the image information exists in a predetermined direction exceeding a set amount. Item 5. A method of detecting a cutting line position of a semiconductor wafer according to item 3 or 4.
【請求項6】 前記画像情報から半導体ウェーハ上のデ
バイスのボンディングパッドの情報を抽出し、該ボンデ
ィングパッド情報からスクライブラインの中心線の位置
を検出することを特徴とする請求項2記載の半導体ウェ
ーハの切断ライン位置検出方法。
6. The semiconductor wafer according to claim 2, wherein information on a bonding pad of a device on the semiconductor wafer is extracted from the image information, and the position of the center line of the scribe line is detected from the bonding pad information. Cutting line position detection method.
【請求項7】 ボンディングパッドの寸法の既知情報か
らテンプレートを形成し、該テンプレートと前記画像情
報との相関を採ることにより前記ボンディングパッド情
報を抽出することを特徴とする請求項6記載の半導体ウ
ェーハの切断ライン位置検出方法。
7. The semiconductor wafer according to claim 6, wherein a template is formed from known information of the dimensions of the bonding pad, and the bonding pad information is extracted by taking a correlation between the template and the image information. Cutting line position detection method.
【請求項8】 半導体ウェーハをダイシングする際にお
ける切断ラインの位置を検出するための切断ライン位置
検出装置において、半導体ウェーハを撮像してその画像
情報を取り込む撮像手段と、前記撮像手段から入力され
た画像情報を画像処理して切断ラインの位置を検出する
画像処理手段とを備えることを特徴とする半導体ウェー
ハの切断ライン位置検出装置。
8. A cutting line position detecting device for detecting the position of a cutting line when dicing a semiconductor wafer, and an image pickup means for picking up an image of the semiconductor wafer and taking in image information of the semiconductor wafer; An image processing means for image-processing image information to detect the position of a cutting line.
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