JPH06216468A - Semiconductor laser device - Google Patents
Semiconductor laser deviceInfo
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- JPH06216468A JPH06216468A JP701193A JP701193A JPH06216468A JP H06216468 A JPH06216468 A JP H06216468A JP 701193 A JP701193 A JP 701193A JP 701193 A JP701193 A JP 701193A JP H06216468 A JPH06216468 A JP H06216468A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク，レーザプ
リンタ等の光情報機器に用いられる半導体レーザ装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device used in optical information equipment such as optical disks and laser printers.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光ディスク装置等の光源として利用され
る半導体レーザは、２方向にレーザ光を出射するので、
一方のレーザ光を出力光として利用し、他方のレーザ光
をこの出力光のモニタ光として利用し、このモニタ光に
応じて出力光のレベルを制御するＡＰＣ（Automatic Po
wer Control)制御が行われている。2. Description of the Related Art A semiconductor laser used as a light source for an optical disk device or the like emits laser light in two directions.
One laser light is used as output light, the other laser light is used as monitor light of this output light, and the level of the output light is controlled according to this monitor light.
wer Control) Control is being performed.
【０００３】図７，８は、このようなＡＰＣ制御を行う
ようにした従来の半導体レーザ装置（実公平４−２９５
８２号公報）の構成を示しており、図７はその斜視図、
図８はその上面図をそれぞれ示している。図において、
31は複数（本例では４個）の半導体レーザ素子32を並設
させてなるマルチビームレーザチップであり、マルチビ
ームレーザチップ31は熱放散用のヒートシンク33上に装
着されている。なお、図７の○は各半導体レーザ素子32
における出力光側の発光点を示す。ヒートシンク33上に
は、その内部に半導体レーザ素子32と同数（４個）の光
導波溝34が設けられた光ガイド35が載置されている。各
光導波溝34の一方の開口部は各半導体レーザ素子32のモ
ニタ光側の発光点に対向している。また、各光導波溝34
の他方の開口部に対向させた態様の４個のフォトダイオ
ード36を有するフォトダイオードアレイ37が配設されて
いる。7 and 8 show a conventional semiconductor laser device (actual fair 4-295) which performs such APC control.
No. 82), and FIG. 7 is a perspective view thereof.
FIG. 8 shows the respective top views. In the figure,
Reference numeral 31 is a multi-beam laser chip formed by arranging a plurality of (four in this example) semiconductor laser elements 32 in parallel. The multi-beam laser chip 31 is mounted on a heat sink 33 for heat dissipation. The circles in FIG. 7 indicate the semiconductor laser elements 32.
The light emitting point on the output light side in FIG. An optical guide 35 having the same number (4) of optical waveguide grooves 34 as the semiconductor laser elements 32 therein is mounted on the heat sink 33. One opening of each optical waveguide groove 34 faces the light emitting point of each semiconductor laser element 32 on the monitor light side. In addition, each optical waveguide groove 34
A photodiode array 37 having four photodiodes 36 facing each other is provided.
【０００４】このような構成の半導体レーザ装置にあっ
ては、マルチビームレーザチップ31の各半導体レーザ素
子32に形成された電極（図示せず）を介して電流を注入
させてレーザ光を発振させ、主力光を前方に出射する。
また、同時に各半導体レーザ素子32からモニタ光を出射
させて、光ガイド35内の対応する各光導波溝34に導入
し、フォトダイオードアレイ37の対応するフォトダイオ
ード36にてそのモニタ光を受光させる。そして、このモ
ニタ光の強度に基づいて、注入電流を調整して、出力光
のレベルを制御する。In the semiconductor laser device having such a structure, a current is injected through electrodes (not shown) formed in each semiconductor laser element 32 of the multi-beam laser chip 31 to oscillate laser light. , The main light is emitted forward.
At the same time, monitor light is emitted from each semiconductor laser element 32 and introduced into each corresponding optical waveguide groove 34 in the light guide 35, and the corresponding photodiode 36 of the photodiode array 37 receives the monitor light. . Then, the injection current is adjusted based on the intensity of the monitor light to control the level of the output light.
【０００５】ところで、半導体レーザ装置の簡素化を図
る目的にて、レーザ素子を装着する半導体基板に不純物
を拡散させてフォトダイオードを形成し、この形成した
フォトダイオードにてモニタ光を受光するように構成し
た半導体レーザ装置が提案されている（実開昭６１−６
１８６４号公報）。図９はこのような半導体レーザ装置
の構成を示す断面図である。図９において41はＮ+ 型半
導体基板であり、半導体基板41の表面部にはＮ- 型拡散
層42が選択的に形成され、また、Ｎ- 型拡散層42の表面
部にはＰ+ 型拡散層43が選択的に形成されている。この
拡散層43, 42と半導体基板41とによりＰＩＮ型のフォト
ダイオード部が構成される。また、半導体基板41の表面
には半導体レーザ素子44が装着されている。そして、半
導体レーザ素子44からのモニタ光を確実にフォトダイオ
ード部に入射させるために、また、塵, 低温環境での結
露等の影響によるモニタ光の出力低下を防止するため
に、モニタ光出射側の端部とフォトダイオード部の上部
とを樹脂45にて封止している。For the purpose of simplifying the semiconductor laser device, impurities are diffused into a semiconductor substrate on which a laser element is mounted to form a photodiode, and the photodiode thus formed receives the monitor light. A structured semiconductor laser device has been proposed (Shokaisho 61-6).
1864). FIG. 9 is a sectional view showing the structure of such a semiconductor laser device. In FIG. 9, reference numeral 41 denotes an N + type semiconductor substrate, an N − type diffusion layer 42 is selectively formed on the surface of the semiconductor substrate 41, and a P + type diffusion layer 42 is formed on the surface of the N − type diffusion layer 42. The diffusion layer 43 is selectively formed. The diffusion layers 43, 42 and the semiconductor substrate 41 constitute a PIN type photodiode section. A semiconductor laser element 44 is mounted on the surface of the semiconductor substrate 41. In order to ensure that the monitor light from the semiconductor laser element 44 is incident on the photodiode section and to prevent the monitor light output from decreasing due to the influence of dust, dew condensation in a low temperature environment, etc. And the upper portion of the photodiode portion are sealed with resin 45.
【０００６】このような構成の半導体レーザ装置でも、
電流注入によりレーザ光を発振させて、主力光を前方に
出射すると共に、半導体レーザ素子44からモニタ光を出
射させて、そのモニタ光を樹脂45にて反射させてフォト
ダイオード部に入射させ、そのモニタ光の強度に基づい
て、注入電流を調整して、出力光のレベルを制御する。Even in the semiconductor laser device having such a structure,
Laser light is oscillated by current injection, main power light is emitted forward, monitor light is emitted from the semiconductor laser element 44, the monitor light is reflected by the resin 45, and is incident on the photodiode section. The injection current is adjusted based on the intensity of the monitor light to control the output light level.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】図７，８に示される構
成の半導体レーザ装置では、各半導体レーザ素子からの
レーザ光のクロストークを防止して各半導体レーザ素子
を独立的にモニタできるように、各レーザ光を独立的に
導波する導波溝が必要である。従って、この各導波溝と
各半導体レーザ素子の発光点及びフォトダイオードとの
位置合わせが困難である。また、半導体レーザ素子の個
数を多くすると辺縁部に位置するフォトダイオードでは
モニタ光の入射率が悪く、これに対応する半導体レーザ
素子の出力光制御を正確に行えない、または、モニタ光
の入射角度による補正を出力光制御に加えなければなら
ないという問題点がある。In the semiconductor laser device having the structure shown in FIGS. 7 and 8, it is possible to prevent crosstalk of laser light from each semiconductor laser element and independently monitor each semiconductor laser element. , A waveguide groove that guides each laser beam independently is required. Therefore, it is difficult to align the waveguide grooves with the light emitting points of the semiconductor laser elements and the photodiodes. Further, when the number of semiconductor laser elements is increased, the incident rate of the monitor light is poor in the photodiodes located at the peripheral portion, and the output light control of the semiconductor laser element corresponding to this cannot be performed accurately, or the monitor light is incident. There is a problem in that correction by the angle must be added to the output light control.
【０００８】図９に示される構成の半導体レーザ装置で
は、樹脂にて封止することが必要であり、手間がかかる
という難点がある。The semiconductor laser device having the structure shown in FIG. 9 needs to be sealed with resin, which is troublesome.
【０００９】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、組み立てが容易であり、各半導体レーザ素子の
出力光を独立的に制御できる半導体レーザ装置を提供す
ることを目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor laser device which is easy to assemble and which can independently control the output light of each semiconductor laser element.
【００１０】また、結露等の影響によるモニタ光の出力
低下がなく、組み立てが容易である半導体レーザ装置を
提供することを他の目的とする。Another object of the present invention is to provide a semiconductor laser device which is easy to assemble without causing a decrease in monitor light output due to the influence of dew condensation or the like.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本願に係る第１発明の半
導体レーザ装置は、複数の半導体レーザ素子を並設させ
てなるマルチビームレーザチップをヒートシンクに装着
させた半導体レーザ装置において、前記マルチビームレ
ーザチップの各半導体レーザ素子はその光導波路上の一
部の電極が除去されており、前記ヒートシンクには各半
導体レーザ素子に対応させて、各半導体レーザ素子から
のレーザ光が入射するように、複数のフォトダイオード
が設けられていることを特徴とする。A semiconductor laser device according to a first invention of the present application is a semiconductor laser device in which a multi-beam laser chip formed by arranging a plurality of semiconductor laser elements in parallel is mounted on a heat sink. Each semiconductor laser element of the laser chip has a part of the electrode on its optical waveguide removed, and the heat sink is made to correspond to each semiconductor laser element so that the laser light from each semiconductor laser element enters. It is characterized in that a plurality of photodiodes are provided.
【００１２】本願に係る第２発明の半導体レーザ装置
は、１または複数の半導体レーザ素子をヒートシンクに
装着させた半導体レーザ装置において、前記１または複
数の各半導体レーザ素子の一方の共振器端面部の一部が
エッチングにより作製され、このエッチング部に不活性
ガスが封入され、前記ヒートシンクには前記１または複
数の各半導体レーザ素子に対応させて、前記１または複
数の各半導体レーザ素子からのレーザ光が入射するよう
に、１または複数のフォトダイオードが設けられている
ことを特徴とする。A semiconductor laser device according to a second aspect of the present invention is a semiconductor laser device in which one or a plurality of semiconductor laser elements are mounted on a heat sink, and one of the one or a plurality of semiconductor laser elements has a cavity end face portion. A part of the semiconductor laser device is produced by etching, an inert gas is filled in the etched portion, and the heat sink is provided with laser light from the one or more semiconductor laser devices corresponding to the one or more semiconductor laser devices. One or a plurality of photodiodes are provided so that light enters.
【００１３】[0013]
【作用】第１発明の半導体レーザ装置では、各半導体レ
ーザ素子から出射された各モニタ光が、電極が形成され
ていない部分からヒートシンク内の対応する各フォトダ
イオードに入射され、モニタ光の強度に応じて各半導体
レーザ素子の出力光が独立的に制御される。In the semiconductor laser device of the first invention, each monitor light emitted from each semiconductor laser element is incident on the corresponding photodiode in the heat sink from the portion where the electrode is not formed, and the intensity of the monitor light is increased. Accordingly, the output light of each semiconductor laser device is independently controlled.
【００１４】第２発明の半導体レーザ装置では、１また
は複数の各半導体レーザ素子から出射された各モニタ光
が、エッチング部にて反射されてヒートシンク内のフォ
トダイオードに入射され、モニタ光の強度に応じて１ま
たは複数の各半導体レーザ素子の出力光が制御される。In the semiconductor laser device of the second invention, the monitor light emitted from each of the one or more semiconductor laser elements is reflected by the etching portion and is incident on the photodiode in the heat sink, so that the intensity of the monitor light is increased. Accordingly, the output light from each of the one or more semiconductor laser devices is controlled.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the drawings showing the embodiments.
【００１６】実施例１．図１は実施例１（第１発明）の
半導体レーザ装置の構成を示す斜視図であり、図１
（ａ）は装着前のマルチビームレーザチップ及びヒート
シンクを示し、図１（ｂ）は両者の装着後の構成を示
す。図１（ａ）において、１は複数（本例では４個）の
半導体レーザ素子２を等ピッチ(100μｍ程度）にて並設
させてなるマルチビームレーザチップである。マルチビ
ームレーザチップ１の一面には、各半導体レーザ素子２
毎に独立的に電極（ハッチングを付した部分）３が形成
されている。電極３の形成パターンは何れの半導体レー
ザ素子２においても同様であり、その辺縁部にのみ形成
されていて、その中央部には形成されていない。なお、
図中○は各半導体レーザ素子２における出力光側の発光
点を示す。また、４は熱放散用のヒートシンクであり、
ヒートシンク４には、半導体レーザ素子２と同数（４
個）のフォトダイオード５が半導体レーザ素子２と等ピ
ッチにて形成されている。なお、ヒートシンク４上の電
極は図示省略している。Example 1. 1 is a perspective view showing a configuration of a semiconductor laser device of Example 1 (first invention).
1A shows the multi-beam laser chip and the heat sink before mounting, and FIG. 1B shows the configuration after mounting both. In FIG. 1A, reference numeral 1 is a multi-beam laser chip in which a plurality (four in this example) of semiconductor laser elements 2 are arranged in parallel at an equal pitch (about 100 μm). Each semiconductor laser element 2 is provided on one surface of the multi-beam laser chip 1.
Electrodes (hatched portions) 3 are formed independently for each. The formation pattern of the electrode 3 is the same in any of the semiconductor laser elements 2, and is formed only in the peripheral portion of the semiconductor laser element 2 and not in the central portion thereof. In addition,
In the figure, a circle indicates a light emitting point on the output light side in each semiconductor laser element 2. Further, 4 is a heat sink for heat dissipation,
The same number of semiconductor laser elements 2 (4
The photodiodes 5 are formed at the same pitch as the semiconductor laser elements 2. The electrodes on the heat sink 4 are not shown.
【００１７】このような構成のマルチビームレーザチッ
プ１を、各半導体レーザ素子２における電極欠損部が各
フォトダイオード５に対向するように、ヒートシンク４
に装着させて、実施例１の半導体レーザ装置を組み立て
る（図１（ｂ）参照）。なお、図１（ｂ）における６
（ハッチングを付した部分）は、マルチビームレーザチ
ップ１の他面全域に形成された電極である。In the multi-beam laser chip 1 having such a structure, the heat sink 4 is arranged so that the electrode defect portion of each semiconductor laser element 2 faces each photodiode 5.
Then, the semiconductor laser device according to the first embodiment is assembled (see FIG. 1B). In addition, 6 in FIG.
(Hatched portion) is an electrode formed on the entire other surface of the multi-beam laser chip 1.
【００１８】この半導体レーザ装置では、電極３，６を
介して電流を注入すると、各半導体レーザ素子２にてレ
ーザ光が発振されて、発光点（○部分）から出力光が出
射される。レーザ光の一部はモニタ光として、電極３の
欠損部からヒートシンク４内の対応する各フォトダイオ
ード５に入射され、各フォトダイオード５にて光電変換
されてモニタ光の強度が測定される。そして、測定され
たモニタ光の強度に基づいて、注入電流が調整され、出
力光が各半導体レーザ素子毎に独立的に制御される。In this semiconductor laser device, when a current is injected through the electrodes 3 and 6, laser light is oscillated in each semiconductor laser element 2 and output light is emitted from the light emitting point (circle). A part of the laser light is incident on the corresponding photodiode 5 in the heat sink 4 from the defective portion of the electrode 3 as the monitor light, and is photoelectrically converted by each photodiode 5 to measure the intensity of the monitor light. Then, the injection current is adjusted based on the measured intensity of the monitor light, and the output light is independently controlled for each semiconductor laser element.
【００１９】実施例１の構造では、従来例のように光導
波溝を設けた光ガイドが不要であり、しかも組み立て作
業はマルチビームレーザチップ１のヒートシンク４への
チップボンディングだけであり、極めて容易である。ま
た、隣合うレーザ光同士のクロストークもなく、確実に
各半導体レーザ素子２の出力光制御を行なえる。更に、
各半導体レーザ素子２の辺縁部にのみ電極３が形成され
ているので、本発明と同一出願人により出願されている
特願平３−１６８３７１号にも示してあるように、共振
器端面側で電極３を介して熱がヒートシンク４に放散さ
れ、共振器端面近傍が高温とならず、熱特性に優れた半
導体レーザ装置となる。The structure of the first embodiment does not require an optical guide having an optical waveguide groove as in the conventional example, and the assembly work is only chip bonding to the heat sink 4 of the multi-beam laser chip 1, which is extremely easy. Is. Further, the output light of each semiconductor laser element 2 can be reliably controlled without crosstalk between adjacent laser lights. Furthermore,
Since the electrode 3 is formed only on the peripheral portion of each semiconductor laser device 2, as shown in Japanese Patent Application No. 3-168371 filed by the same applicant as the present invention, the cavity end face side is provided. Thus, the heat is dissipated to the heat sink 4 via the electrode 3 and the temperature in the vicinity of the end face of the resonator does not become high, and a semiconductor laser device having excellent thermal characteristics is obtained.
【００２０】実施例２．図２は実施例２（第２発明）の
半導体レーザ装置の構成を示す断面図、図３は実施例２
における半導体レーザ素子11の斜視図である。図３に示
す半導体レーザ素子11の一面側には、入射角を傾斜させ
たイオンビームエッチングにより形成した断面が三角形
状をなす凹部（エッチング部）12が形成されている。そ
して、エッチング部12の内面13には、高反射率側の共振
器端面14と同一のコーティングが施されている。また、
ヒートシンク15にはフォトダイオード16が予め形成され
ている。Example 2. FIG. 2 is a sectional view showing the structure of a semiconductor laser device according to a second embodiment (second invention), and FIG.
3 is a perspective view of the semiconductor laser device 11 in FIG. On one surface side of the semiconductor laser device 11 shown in FIG. 3, a concave portion (etching portion) 12 having a triangular cross section formed by ion beam etching with an inclined incident angle is formed. The inner surface 13 of the etched portion 12 is coated with the same coating as the resonator end surface 14 on the high reflectance side. Also,
A photodiode 16 is formed in advance on the heat sink 15.
【００２１】このような半導体レーザ素子11を、エッチ
ング部12がフォトダイオード16に対向するように、不活
性ガス雰囲気にて、ヒートシンク15に装着させて、実施
例２の半導体レーザ装置を組み立てる（図２参照）。こ
の結果、エッチング部12には不活性ガスのみが封入され
る。The semiconductor laser device 11 of the second embodiment is assembled by mounting such a semiconductor laser device 11 on the heat sink 15 in an inert gas atmosphere so that the etching portion 12 faces the photodiode 16. 2). As a result, only the inert gas is sealed in the etching section 12.
【００２２】この半導体レーザ装置では、電極（図示せ
ず）を介して電流を半導体レーザ素子11に注入すると、
レーザ光が２方向に発振されて、一方の発光点から出力
光が出射される。他方の発光点から出射されたモニタ光
は、エッチング部12の内面13にて反射され、ヒートシン
ク15内のフォトダイオード16に入射され、フォトダイオ
ード16にて光電変換されてモニタ光の強度が測定され
る。そして、測定されたモニタ光の強度に基づいて、注
入電流が調整され、半導体レーザ素子11の出力光が制御
される。In this semiconductor laser device, when a current is injected into the semiconductor laser element 11 via an electrode (not shown),
Laser light is oscillated in two directions, and output light is emitted from one light emitting point. The monitor light emitted from the other light emitting point is reflected by the inner surface 13 of the etching portion 12, enters the photodiode 16 in the heat sink 15, is photoelectrically converted by the photodiode 16, and the intensity of the monitor light is measured. It Then, the injection current is adjusted based on the measured intensity of the monitor light, and the output light of the semiconductor laser device 11 is controlled.
【００２３】実施例２の構造では、従来例のように樹脂
の塗布作業が不要であり、半導体レーザ素子11のヒート
シンク15へのボンディングのみにて組み立てが完了する
ので、その作業は極めて容易である。また、半導体レー
ザ素子11の高反射率側の共振器端面14からフォトダイオ
ード16までの光路となるエッチング部12には不活性ガス
が封入されているので、水蒸気を含んだ大気等が浸入す
ることがなく、結露等によるモニタ出力の低下はなく、
正確に半導体レーザ素子11の出力光制御を行なうことが
できる。In the structure of the second embodiment, there is no need to apply resin as in the prior art, and the assembly is completed only by bonding the semiconductor laser element 11 to the heat sink 15. Therefore, the operation is extremely easy. . In addition, since the inert gas is filled in the etching portion 12 which is the optical path from the resonator end surface 14 on the high reflectance side of the semiconductor laser element 11 to the photodiode 16, the invasion of the atmosphere containing water vapor, etc. There is no decrease in monitor output due to dew condensation,
The output light of the semiconductor laser device 11 can be accurately controlled.
【００２４】実施例３．図４は実施例３の半導体レーザ
装置の装着前の構成を示す斜視図、図５は実施例３の装
着後の構成を示す斜視図である。この実施例３は、前述
した実施例２を実施例１（マルチビームレーザチップ）
に適用した例である。Example 3. FIG. 4 is a perspective view showing a configuration before mounting the semiconductor laser device of the third embodiment, and FIG. 5 is a perspective view showing a configuration after mounting the semiconductor laser device of the third embodiment. In this third embodiment, the above-described second embodiment is replaced by the first embodiment (multi-beam laser chip).
It is an example applied to.
【００２５】図４において、21は複数（本例では３個）
の半導体レーザ素子22を並設させてなるマルチビームレ
ーザチップである。各半導体レーザ素子22の各一面側に
は、実施例２と同様のエッチング部23が形成されてい
る。また、ヒートシンク24には、３個のフォトダイオー
ド25が半導体レーザ素子22と等ピッチにて形成されてい
る。なお、このフォトダイオード25は、例えば前述した
実開昭６１−６１８６４号公報と同様の手法にて形成可
能である。In FIG. 4, 21 is a plurality (three in this example).
Is a multi-beam laser chip obtained by arranging the semiconductor laser elements 22 of FIG. An etching portion 23 similar to that of the second embodiment is formed on each one surface side of each semiconductor laser element 22. Further, on the heat sink 24, three photodiodes 25 are formed at the same pitch as the semiconductor laser elements 22. The photodiode 25 can be formed, for example, by the same method as the above-mentioned Japanese Utility Model Laid-Open No. 61-61864.
【００２６】このようなマルチビームレーザチップ21
を、各半導体レーザ素子22のエッチング部23が対応する
各フォトダイオード25に対向するように、不活性ガス雰
囲気にて、ヒートシンク24に装着させて、実施例３の半
導体レーザ装置を組み立てる（図５参照）。この結果、
エッチング部23には不活性ガスのみが封入される。Such a multi-beam laser chip 21
Is attached to the heat sink 24 in an inert gas atmosphere so that the etched portion 23 of each semiconductor laser element 22 faces the corresponding photodiode 25, and the semiconductor laser device of Example 3 is assembled (FIG. 5). reference). As a result,
The etching section 23 is filled with only an inert gas.
【００２７】この半導体レーザ装置では、電極（図示せ
ず）を介して電流を各半導体レーザ素子22に注入する
と、マルチビームの出力光が出射される。一方、各半導
体レーザ素子22から出射された各モニタ光は、実施例２
と同様に、ヒートシンク24内の対応する各フォトダイオ
ード25に入射され、各フォトダイオード25にて光電変換
されてモニタ光の強度が測定される。そして、測定され
たモニタ光の強度に基づいて、注入電流が調整され、出
力光が各半導体レーザ素子毎に独立的に制御される。In this semiconductor laser device, when a current is injected into each semiconductor laser element 22 through an electrode (not shown), multi-beam output light is emitted. On the other hand, each monitor light emitted from each semiconductor laser element 22 is
Similarly, the light enters the corresponding photodiode 25 in the heat sink 24, is photoelectrically converted by each photodiode 25, and the intensity of the monitor light is measured. Then, the injection current is adjusted based on the measured intensity of the monitor light, and the output light is independently controlled for each semiconductor laser element.
【００２８】この実施例３は、前述した実施例１及び２
の効果を併せ持つことになり、その効果は同様であるの
で、説明を省略する。The third embodiment is the same as the above-mentioned first and second embodiments.
The effect is also given, and since the effect is the same, the explanation is omitted.
【００２９】なお、実施例２，３では、エッチング部12
(23)の内面13に、高反射率側の共振器端面14と同一のコ
ーティングが施されていることとしたが、この内面13に
金等からなる高反射率膜をコーティングするようにして
もよい。In the second and third embodiments, the etching portion 12
The inner surface 13 of (23) is provided with the same coating as the resonator end surface 14 on the high reflectance side, but the inner surface 13 may be coated with a high reflectance film made of gold or the like. Good.
【００３０】また、実施例２，３では、エッチング部12
の断面形状を三角形状（図２参照）としたが、図６に示
すように断面形状を四角形状としてもよいことは言うま
でもない。なお、図６において図２と同一部分には同一
番号を付してそれらの説明は省略する。In the second and third embodiments, the etching portion 12
Although the cross-sectional shape of (1) is triangular (see FIG. 2), it goes without saying that the cross-sectional shape may be square as shown in FIG. In FIG. 6, the same parts as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【００３１】[0031]
【発明の効果】第１発明の半導体レーザ装置では、各半
導体レーザ素子からのモニタ光が電極欠損部を通ってヒ
ートシンクに形成されたフォトダイオード内に入射する
ように構成したので、組み立て作業が容易であり、ま
た、各半導体レーザ素子の独立した出力光制御を確実に
行なうことができる。In the semiconductor laser device of the first invention, the monitor light from each semiconductor laser element is configured to enter the photodiode formed on the heat sink through the electrode defect portion, so that the assembling work is easy. In addition, independent output light control of each semiconductor laser device can be surely performed.
【００３２】第２発明の半導体レーザ装置では、不活性
ガスが封入されたエッチング部内を経て半導体レーザ素
子からのモニタ光がヒートシンクに形成されたフォトダ
イオード内に入射するように構成したので、組み立て作
業が容易であり、また、モニタ出力低下の虞がない。In the semiconductor laser device of the second invention, the monitor light from the semiconductor laser element is made to enter the photodiode formed on the heat sink through the inside of the etching portion in which the inert gas is sealed, so that the assembling work is performed. Is easy, and there is no risk of monitor output reduction.
【図１】本発明の半導体レーザ装置の構成を示す斜視図
である。FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a semiconductor laser device of the present invention.
【図２】本発明の他の半導体レーザ装置の構成を示す断
面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of another semiconductor laser device of the present invention.
【図３】図２の半導体レーザ装置における半導体レーザ
素子の斜視図である。3 is a perspective view of a semiconductor laser element in the semiconductor laser device of FIG.
【図４】本発明の更に他の半導体レーザ装置の装着前の
構成を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of yet another semiconductor laser device of the present invention before being mounted.
【図５】本発明の更に他の半導体レーザ装置の装着後の
構成を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of another semiconductor laser device of the present invention after being mounted.
【図６】本発明の更に他の半導体レーザ装置の構成を示
す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of still another semiconductor laser device of the present invention.
【図７】従来の半導体レーザ装置の構成を示す斜視図で
ある。FIG. 7 is a perspective view showing a configuration of a conventional semiconductor laser device.
【図８】図７の半導体レーザ装置の上面図である。FIG. 8 is a top view of the semiconductor laser device of FIG.
【図９】従来の他の半導体レーザ装置の構成を示す断面
図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing the configuration of another conventional semiconductor laser device.
１, 21 マルチビームレーザチップ ２，11, 22 半導体レーザ素子 ３，６ 電極 ４, 15, 24 ヒートシンク ５, 16, 25 フォトダイオード 12, 23 エッチング部 1, 21 Multi-beam laser chip 2, 11, 22 Semiconductor laser device 3, 6 electrode 4, 15, 24 Heat sink 5, 16, 25 Photo diode 12, 23 Etching part
Claims (2)
るマルチビームレーザチップをヒートシンクに装着させ
た半導体レーザ装置において、前記マルチビームレーザ
チップの各半導体レーザ素子はその光導波路上の一部の
電極が除去されており、前記ヒートシンクには各半導体
レーザ素子に対応させて、各半導体レーザ素子からのレ
ーザ光が入射するように、複数のフォトダイオードが設
けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。1. A semiconductor laser device in which a multi-beam laser chip having a plurality of semiconductor laser devices arranged side by side is mounted on a heat sink, wherein each semiconductor laser device of the multi-beam laser chip has a part of its optical waveguide. A semiconductor laser having electrodes removed and a plurality of photodiodes provided on the heat sink so as to correspond to the respective semiconductor laser elements so that the laser light from the respective semiconductor laser elements is incident. apparatus.
トシンクに装着させた半導体レーザ装置において、前記
１または複数の各半導体レーザ素子の一方の共振器端面
部の一部がエッチングにより作製され、このエッチング
部に不活性ガスが封入され、前記ヒートシンクには前記
１または複数の各半導体レーザ素子に対応させて、前記
１または複数の各半導体レーザ素子からのレーザ光が入
射するように、１または複数のフォトダイオードが設け
られていることを特徴とする半導体レーザ装置。2. In a semiconductor laser device in which one or a plurality of semiconductor laser elements are mounted on a heat sink, a part of one cavity end face portion of each of the one or a plurality of semiconductor laser elements is produced by etching, and this etching is performed. An inert gas is filled in the portion, and the heat sink is provided with one or a plurality of semiconductor laser elements corresponding to the one or a plurality of semiconductor laser elements so that the laser light from the one or a plurality of semiconductor laser elements enters. A semiconductor laser device comprising a photodiode.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP701193A JP3143248B2 (en) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP701193A JP3143248B2 (en) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | Semiconductor laser device |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216468A true JPH06216468A (en) | 1994-08-05 |
| JP3143248B2 JP3143248B2 (en) | 2001-03-07 |
Family
ID=11654114
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP701193A Expired - Fee Related JP3143248B2 (en) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3143248B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014558A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Nichia Corp | Semiconductor laser device |
| US8750343B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-06-10 | Future Light, Llc | Nitride-based semiconductor light-emitting device, nitride-based semiconductor laser device, nitride-based semiconductor light-emitting diode, method of manufacturing the same, and method of forming nitride-based semiconductor layer |
-
1993
- 1993-01-19 JP JP701193A patent/JP3143248B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| US8750343B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-06-10 | Future Light, Llc | Nitride-based semiconductor light-emitting device, nitride-based semiconductor laser device, nitride-based semiconductor light-emitting diode, method of manufacturing the same, and method of forming nitride-based semiconductor layer |
| JP2011014558A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Nichia Corp | Semiconductor laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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