JPH06198561A - Polishing apparatus - Google Patents

Polishing apparatus

Info

Publication number
JPH06198561A
JPH06198561A JP25652293A JP25652293A JPH06198561A JP H06198561 A JPH06198561 A JP H06198561A JP 25652293 A JP25652293 A JP 25652293A JP 25652293 A JP25652293 A JP 25652293A JP H06198561 A JPH06198561 A JP H06198561A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
top ring
polishing
ring body
drive shaft
polishing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25652293A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayoshi Hirose
政義 広瀬
Manabu Tsujimura
学 辻村
Seiji Ishikawa
誠二 石川
Norio Kimura
憲雄 木村
Yu Ishii
遊 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP25652293A priority Critical patent/JPH06198561A/en
Publication of JPH06198561A publication Critical patent/JPH06198561A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a polishing apparatus in which a top ring main body can follow up the movement (tilting) of the top surface of a turn table smoothly and quickly and the rotational torque of a top ring driving shaft can be surely transmitted to the top ring main body. CONSTITUTION:A polishing apparatus comprises a turn table 20 and a top ring main body 3 which are respectively rotated with independent rotational frequencies and have top surface where abrasive cloth is stretched, wherein a material 6 to be polished is interposed between the turn table 20 and the top ring main body 3. The polishing apparatus is provided with a top ring driving shaft 1 connected to a driving device 13 connected to a pressing device 12 for pressing the top ring main body 3 for driving in rotation the top ring main body 3. A ball bearing 2 is interposed between the top ring driving shaft 1 and the top ring main body 3, whereby the lower surface of the top ring main body 3 can follow up the movement of the top surface of the turn table 20 smoothly.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はポリッシング装置に係
り、特に半導体ウエハ等のポリッシング対象物を平坦か
つ鏡面状に研磨するポリッシング装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus, and more particularly to a polishing apparatus for polishing a polishing object such as a semiconductor wafer into a flat and mirror surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に0.5μm以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面の平
坦度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦
化することが必要となるが、この平坦化法の1手段とし
てポリッシング装置により研磨することが行われてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, as the degree of integration of semiconductor devices has increased, circuit wiring has become finer and the distance between wirings has become smaller. In particular, in the case of optical lithography of 0.5 μm or less, the depth of focus becomes shallow, so that the flatness of the image plane of the stepper is required. Therefore, it is necessary to flatten the surface of the semiconductor wafer. As one means of this flattening method, polishing is performed by a polishing device.

【0003】従来、この種のポリッシング装置は、各々
独立した回転数で回転するターンテーブルとトップリン
グとを有し、トップリングが一定の圧力をターンテーブ
ルに与え、ターンテーブルとトップリングとの間にポリ
ッシング対象物を介在させて該ポリッシング対象物の表
面を平坦且つ鏡面に研磨している。
Conventionally, this type of polishing apparatus has a turntable and a top ring that rotate independently of each other, and the top ring applies a constant pressure to the turntable so that the space between the turntable and the top ring is increased. The surface of the object to be polished is flattened and mirror-finished with the object to be polished interposed therebetween.

【0004】上述したタイプのポリッシング装置とし
て、例えば、特開平2−278822号、特開平4−1
9065号に記載される装置がある。特開平2−278
822号に記載される装置は、図17(a)に示される
ように駆動軸81の先端に球面82を一体に形成し、こ
の球面82を収容する球面座83をトップリング本体8
4に形成し、トップリング本体84をターンテーブル面
の動き(傾き)に滑らかに追従させるようにしている。
As the above-mentioned type of polishing apparatus, for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 2-278822 and 4-1.
There is a device described in No. 9065. JP-A-2-278
In the device described in No. 822, a spherical surface 82 is integrally formed at the tip of the drive shaft 81 as shown in FIG.
4, the top ring main body 84 smoothly follows the movement (tilt) of the turntable surface.

【0005】また、特開平4−19065号に記載され
る装置は、図18(a)に示されるように駆動軸91の
先端に球面92aを有した部材92を一体に固定し、こ
の球面92aを収容する球面座93をトップリング本体
94に固定し、トップリング本体94をターンテーブル
面の動き(傾き)に滑らかに追従させるようにしてい
る。
In the apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-19065, a member 92 having a spherical surface 92a is integrally fixed to the tip of a drive shaft 91 as shown in FIG. The spherical seat 93 that accommodates the top ring body 94 is fixed to the top ring body 94 so that the top ring body 94 can smoothly follow the movement (tilt) of the turntable surface.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図17(a)及び図1
8(a)に示す従来の装置においては、図17(b)及
び図18(b)の模式図に示すようにトップリング本体
84,94は、球面の回わりに矢印Aで示すように傾動
可能であるとともにトップリング本体84,94の軸線
回わりに矢印Bで示すように回転可能である。即ち、ト
ップリング本体はターンテーブル面に追随して矢印A及
びBでそれぞれ示される単独運動及びこれらの複合運動
が可能である。
[Problems to be Solved by the Invention] FIG. 17 (a) and FIG.
In the conventional device shown in FIG. 8 (a), the top ring main bodies 84, 94 are tiltable as shown by arrow A around the spherical surface as shown in the schematic views of FIGS. 17 (b) and 18 (b). In addition, the top ring bodies 84 and 94 are rotatable about the axes thereof as indicated by arrow B. That is, the top ring body is capable of following the turntable surface and performing a single movement indicated by arrows A and B and a combined movement thereof.

【0007】しかして、上述の構成のポリッシング部に
おけるトップリング本体84,94を図19に示すよう
に押し付け力Fでα°傾斜したターンテーブル面95に
押し付けた場合には、トップリング本体は球面に対して
円弧長L分だけ移動しなければならない。ターンテーブ
ル面の傾きが小さい場合には、トップリング本体が円弧
長L分だけ移動に要する時間は少ないが、局所的にター
ンテーブル面の傾きが大きくなった場合にトップリング
本体が移動する円弧長Lが長くなり、トップリング本体
の移動に要する時間が長くなり、これがトップリング本
体の追従性を悪くしているという問題点があった。
However, when the top ring bodies 84 and 94 in the polishing portion having the above-mentioned structure are pressed against the turntable surface 95 inclined by α ° by the pressing force F as shown in FIG. 19, the top ring body is spherical. It is necessary to move by the arc length L with respect to. When the inclination of the turntable surface is small, the time required for the top ring body to move by the arc length L is small, but when the inclination of the turntable surface is locally large, the arc length that the top ring body moves There is a problem that L becomes long and the time required to move the top ring body becomes long, which deteriorates the followability of the top ring body.

【0008】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、トップリング本体がターンテーブル上面の動き(傾
動)に滑らかに且つ迅速に追従でき、且つトップリング
駆動軸の回転トルクが確実にトップリング本体に伝達さ
れるポリッシング装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and the top ring body can smoothly and quickly follow the movement (tilt) of the upper surface of the turntable, and the rotation torque of the top ring drive shaft can be reliably ensured. It is an object to provide a polishing device that is transmitted to a main body.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明のポリッシング装置は、各々独立した回転
数で回転する上面に研磨布を張ったターンテーブルとト
ップリング本体とを有し、前記ターンテーブルとトップ
リング本体との間にポリッシング対象物を介在させて所
定の力で押圧することによって該ポリッシング対象物の
表面を研磨し平坦且つ鏡面化するポリッシング装置にお
いて、前記トップリング本体を押圧するための押圧装置
に連結されるとともに該トップリング本体を回転駆動す
るための駆動装置に連結されたトップリング駆動軸を設
け、該トップリング駆動軸と前記トップリング本体との
間に球ベアリングを介装し、前記トップリング本体下面
が滑らかに前記ターンテーブル面の動きに追従できるよ
うにしたことを特徴とするものである。
In order to achieve the above-mentioned object, a polishing apparatus of the present invention has a turntable and a top ring body each having an upper surface which is rotated at an independent number of revolutions, and a polishing table is covered with a polishing cloth. In a polishing device that polishes the surface of the polishing target object to be flat and mirror-finished by pressing the polishing target object with a predetermined force between the turntable and the top ring main body, pressing the top ring main body. A top ring drive shaft connected to a pressing device for rotating and driving the top ring body, and a ball bearing is provided between the top ring drive shaft and the top ring body. It has a special feature that the lower surface of the top ring body can smoothly follow the movement of the turntable surface. It is an.

【0010】前記トップリング本体には、トップリング
本体下面に開口しかつ真空源に連通する複数の吸引孔が
設置されていることを特徴とする。
The top ring body is provided with a plurality of suction holes that are open to the lower surface of the top ring body and communicate with a vacuum source.

【0011】前記トップリング駆動軸からトップリング
本体へ駆動を伝達する機構は、トップリング駆動軸に設
けたトルク伝達ピンとトップリング本体に設けたトルク
伝達ピンからなり、これら伝達ピンの点接触によりトッ
プリング駆動軸の回転力をトップリング本体に伝達する
構成であることを特徴とする。
The mechanism for transmitting the drive from the top ring drive shaft to the top ring body is composed of a torque transmission pin provided on the top ring drive shaft and a torque transmission pin provided on the top ring body. It is characterized in that the rotational force of the ring drive shaft is transmitted to the top ring body.

【0012】また、トップリング駆動軸に設けたトルク
伝達ピンに振動を吸収する弾性体からなる緩衝材を設
け、両駆動ピンが該緩衝材を介して接触するようにした
ことを特徴とする。
Further, the torque transmission pin provided on the top ring drive shaft is provided with a shock absorbing material made of an elastic body for absorbing vibration, and both drive pins are brought into contact with each other via the shock absorbing material.

【0013】また、前記トップリング駆動軸を回転自在
に支持するラジアル軸受は、振動を吸収する緩衝手段
(Oリング又は緩衝機構)を介して固定側に固定されて
いることを特徴とする。
Further, the radial bearing for rotatably supporting the top ring drive shaft is fixed to the fixed side via a shock absorbing means (O ring or shock absorbing mechanism) for absorbing vibration.

【0014】また、前記トップリング本体の下面の面圧
分布を調整する面圧調整手段(例えば、図10において
は、直径dに対する直径D、d/Dを変えることにより
行う)を設けたことを特徴とする。
Further, the provision of surface pressure adjusting means for adjusting the surface pressure distribution on the lower surface of the top ring body (for example, in FIG. 10, this is performed by changing the diameters D and d / D with respect to the diameter d). Characterize.

【0015】さらにポリッシング装置は前記トップリン
グへ又は該トップリングからポリッシング対象物を受け
渡しするポリッシング対象物受け渡し機構を備え、該ポ
リッシング対象物受渡し機構は、上部にポリッシング対
象物を載置して上下動でき該ポリッシング対象物を前記
トップリング本体下面の真空吸着部に渡し又は該真空吸
着部から該ポリッシング対象物を受け取るポリッシング
対象物載置部を具備し、該載置部は前記ポリッシング対
象物を受け渡しする際、該ポリッシング対象物に衝撃力
を与えないように緩衝機構に支持されていることを特徴
とする。
Further, the polishing apparatus is provided with a polishing object delivery mechanism for delivering the polishing object to or from the top ring, and the polishing object delivery mechanism places the polishing object on the top and moves it up and down. It is possible to provide the polishing target object to the vacuum suction part on the lower surface of the top ring body or to provide the polishing target object to receive the polishing target object from the vacuum suction part, and the mounting part transfers the polishing target object. When the polishing is performed, it is supported by a cushioning mechanism so as not to give an impact force to the polishing object.

【0016】[0016]

【作用】前述した構成からなる本発明によれば、トップ
リングがトップリング駆動軸と球ベアリングとトップリ
ング本体に3分割されているため、トップリング本体の
自由度が増加し、トップリング本体はターンテーブル面
の傾きに対して速やかに傾動してターンテーブル面に追
従することができ、半導体ウエハ等のポリッシング対象
物の表面の精度の良い平坦且つ鏡面加工が可能となると
ともに、トップリングがトップリング駆動軸の回転に同
期して回転するから、平坦且つ鏡面加工のグレードが安
定する。
According to the present invention having the above-described structure, since the top ring is divided into three parts, the top ring drive shaft, the ball bearing, and the top ring body, the degree of freedom of the top ring body is increased, and the top ring body is The turntable surface can be swung quickly to follow the turntable surface, and the surface of an object to be polished such as a semiconductor wafer can be precisely flattened and mirror-polished. Since it rotates in synchronization with the rotation of the ring drive shaft, the grade of flat and mirror-finished is stable.

【0017】また、トップリング本体とトップリング駆
動軸が同期して回転することから、真空を引くために真
空孔をトップリングの中心部に導き、トップリング駆動
軸の軸中心部に設けた真空孔と一致させることがないか
ら、トップリングの真空ラインを自在に設計することが
可能となる。
Further, since the top ring main body and the top ring drive shaft rotate in synchronization, a vacuum hole is introduced to the center of the top ring to draw a vacuum, and a vacuum provided in the center of the top ring drive shaft. Since the holes do not coincide with the holes, the vacuum line of the top ring can be freely designed.

【0018】また、トルク伝達ピンに振動を吸収する弾
性体からなる緩衝材を設けトルク伝達ピンとトルク伝達
ピンが該緩衝材を介して接触するようにすることによ
り、トップリング駆動軸の振動はこの緩衝材で吸収され
るから、該振動はトップリング本体に伝達されることは
ない。
Further, by providing the torque transmission pin with a shock absorbing material made of an elastic body for absorbing the vibration so that the torque transmission pin and the torque transmission pin come into contact with each other through the shock absorbing material, the vibration of the top ring drive shaft is Since it is absorbed by the cushioning material, the vibration is not transmitted to the top ring body.

【0019】また、トップリング駆動軸を支持するラジ
アル軸受は、振動を吸収する緩衝手段を介して固定側に
固定されているので、トップリング駆動軸の振動はこの
緩衝手段で吸収され、トップリング本体に伝達されるこ
とはない。
Further, since the radial bearing for supporting the top ring drive shaft is fixed to the fixed side via the shock absorbing means for absorbing the vibration, the vibration of the top ring drive shaft is absorbed by the shock absorbing means, and the top ring is absorbed. It is not transmitted to the body.

【0020】また、トップリング本体の下面の面圧分布
をコントロールする面圧コントロール手段を設けること
により、トップリング本体の下面の面圧分布を均一にす
ることができ、むらのない均一なポリッシングが可能と
なる。
Further, by providing the surface pressure control means for controlling the surface pressure distribution on the lower surface of the top ring body, the surface pressure distribution on the lower surface of the top ring body can be made uniform and uniform polishing can be achieved. It will be possible.

【0021】さらに、ポリッシング対象物受渡し機構
は、トップリング本体へ又はトップリング本体からポリ
ッシング対象物を受け渡しする際、ポリッシング対象物
に衝撃力を与えないよう緩衝機構を具備するため、トッ
プリング本体を上下動させるシリンダに大径のものを用
いても微妙な圧力調整が不要となり、且つポリッシング
対象物にダメージを与えることがなく、又、ポリッシン
グ対象物の受け渡し位置の微妙なセンサ調整を行う必要
がない。
Further, the polishing object delivery mechanism is provided with a cushioning mechanism so as not to give an impact force to the polishing object when the polishing object is delivered to or from the top ring body. Even if a cylinder with a large diameter is used to move up and down, fine pressure adjustment is not necessary, damage to the polishing object is not caused, and it is necessary to perform delicate sensor adjustment of the delivery position of the polishing object. Absent.

【0022】[0022]

【実施例】以下、本発明に係るポリッシング装置の一実
施例を図1乃至図4に基づいて説明する。図1及び図2
は本発明の半導体ウエハのポリッシング装置のポリッシ
ング部を示す図で、図1は縦断面図、図2は平面図であ
る。ポリッシング装置のトップリング部は、トップリン
グ駆動軸1と、トップリング本体3と、これらトップリ
ング駆動軸1とトップリング本体3との間に介装された
球ベアリング2とから構成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of the polishing apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2
FIG. 1 is a view showing a polishing portion of a semiconductor wafer polishing apparatus of the present invention, FIG. 1 is a vertical sectional view, and FIG. 2 is a plan view. The top ring portion of the polishing apparatus is composed of a top ring drive shaft 1, a top ring body 3, and a ball bearing 2 interposed between the top ring drive shaft 1 and the top ring body 3.

【0023】前記トップリング駆動軸1の下端面中央部
には球ベアリング2が摺接する凹状球面1aが形成され
ている。トップリング本体3はトップリング本体上部3
−1とトップリング本体下部3−2とで構成されてい
る。トップリング本体上部3−1の上面中心部には球ベ
アリング2が摺接する凹状球面3−1aが形成され、ト
ップリング本体下部3−2の外周部にはウエハ外止リン
グ5が取付けられている。
At the center of the lower end surface of the top ring drive shaft 1, a concave spherical surface 1a with which a ball bearing 2 is in sliding contact is formed. Top ring body 3 is top ring body top 3
-1 and the top ring body lower part 3-2. A concave spherical surface 3-1a with which the ball bearing 2 is in sliding contact is formed in the center of the upper surface of the top ring body upper portion 3-1, and a wafer locking ring 5 is attached to the outer periphery of the top ring body lower portion 3-2. .

【0024】トップリング本体下部3−2には下面に開
口する多数の真空吸引孔3−2aが形成されている。ト
ップリング本体上部3−1には該真空吸引孔3−2aに
連通する真空溝3−1bが形成されており、真空溝3−
1bはトップリング本体上部3−1に形成された4本の
真空孔3−1cに連通している。この真空孔3−1cは
真空ライン用チューブ10とチューブ継手9及びチュー
ブ継手11でトップリング駆動軸1の中心部に設けられ
た真空孔1bに連通されている。
A large number of vacuum suction holes 3-2a are formed in the lower surface of the top ring body 3-2 and open to the lower surface. A vacuum groove 3-1b communicating with the vacuum suction hole 3-2a is formed in the top ring body upper portion 3-1.
1b communicates with four vacuum holes 3-1c formed in the top ring body upper portion 3-1. The vacuum hole 3-1c is communicated with the vacuum line tube 10, the tube joint 9 and the tube joint 11 to the vacuum hole 1b provided at the center of the top ring drive shaft 1.

【0025】前記トップリング駆動軸1にはフランジ部
1cが一体に設けられており、フランジ部1cの外周に
は4本のトルク伝達ピン7が設けられている。また、ト
ップリング本体3のトップリング本体上部3−1の上面
にはトルク伝達ピン7に対応して、4本のトルク伝達ピ
ン8が設けられている。トップリング本体下部3−2の
下面とウエハ外止リング5の内周とターンテーブル(図
示せず)上面とに囲まれた空間に半導体ウエハ6を収容
し、ターンテーブルを回転させるとともに、トップリン
グ駆動軸1を回転させ、その回転トルクをトルク伝達ピ
ン7とトルク伝達ピン8の係合によりトップリング本体
3に伝達させてトップリング本体3を回転させ、且つト
ップリング本体3を摺動させながら半導体ウエハ6の表
面を平坦且つ鏡面に研磨する。
The top ring drive shaft 1 is integrally provided with a flange portion 1c, and four torque transmission pins 7 are provided on the outer periphery of the flange portion 1c. Further, four torque transmission pins 8 are provided on the upper surface of the top ring body upper portion 3-1 of the top ring body 3 in correspondence with the torque transmission pins 7. The semiconductor wafer 6 is housed in a space surrounded by the lower surface of the lower portion 3-2 of the top ring main body, the inner periphery of the wafer outer ring 5 and the upper surface of the turntable (not shown), and the turntable is rotated and the top ring is rotated. While rotating the drive shaft 1 and transmitting the rotational torque to the top ring body 3 by the engagement of the torque transmission pin 7 and the torque transmission pin 8, the top ring body 3 is rotated and the top ring body 3 is slid. The surface of the semiconductor wafer 6 is polished to be flat and mirror-finished.

【0026】トップリング駆動軸1のフランジ部1cの
上部にはトップリングホルダー4が設けられており、こ
のトップリングホルダー4はボルト41によりトップリ
ング本体3と連結されている。またボルト41とトップ
リングホルダー4との間にはスプリング42が介装され
ている。トップリング駆動軸1を上昇させるとトップリ
ングホルダー4はトップリング本体3とともに上昇す
る。この上昇させた状態時にスプリング42は柔らかく
トップリング本体3を水平に保つ機能を奏する。このト
ップリング本体3を柔らかく水平に保つ機能は半導体ウ
エハ6を受け渡しするときに有効に機能する。
A top ring holder 4 is provided above the flange portion 1c of the top ring drive shaft 1, and the top ring holder 4 is connected to the top ring body 3 by bolts 41. A spring 42 is interposed between the bolt 41 and the top ring holder 4. When the top ring drive shaft 1 is raised, the top ring holder 4 rises together with the top ring body 3. In this raised state, the spring 42 is soft and has the function of keeping the top ring body 3 horizontal. The function of keeping the top ring body 3 soft and horizontal effectively works when the semiconductor wafer 6 is transferred.

【0027】図3は図1及び図2に示すポリッシング部
を用いたポリッシング装置の全体構成を示す図である。
図3において、符号20はターンテーブルであり、ター
ンテーブル20は軸21を中心に回転できるようになっ
ている。ターンテーブル20の外周部には研磨砥液等の
飛散を防ぐためのターンテーブルリング22が設けられ
ている。また、ターンテーブル20の上面には研磨布2
3が張られている。
FIG. 3 is a diagram showing the overall construction of a polishing apparatus using the polishing section shown in FIGS. 1 and 2.
In FIG. 3, reference numeral 20 is a turntable, and the turntable 20 can rotate about a shaft 21. A turntable ring 22 is provided on the outer peripheral portion of the turntable 20 to prevent the polishing abrasive liquid and the like from scattering. Further, the polishing cloth 2 is provided on the upper surface of the turntable 20.
3 is stretched.

【0028】ターンテーブル20の上部には前述のよう
に構成されたトップリング部が配置されている。トップ
リング駆動軸1の上部にはトップリングシリンダ12が
設けられており、トップリング本体3はトップリングシ
リンダ12により、ターンテーブル20に対して一定の
圧力で押圧されている。符号13はトップリング駆動モ
ータで、歯車14、歯車15、歯車16を介してトップ
リング駆動軸1に回転トルクを与えている。またターン
テーブル20の上方には研磨砥液ノズル17が設置され
ており、研磨砥液ノズル17によってターンテーブル2
0の研磨布23上に研磨砥液Qが噴射できるようになっ
ている。
On the upper portion of the turntable 20, the top ring portion constructed as described above is arranged. A top ring cylinder 12 is provided above the top ring drive shaft 1, and the top ring body 12 is pressed by the top ring cylinder 12 against the turntable 20 with a constant pressure. Reference numeral 13 is a top ring drive motor, which applies rotational torque to the top ring drive shaft 1 via the gear 14, the gear 15, and the gear 16. Further, a polishing / polishing liquid nozzle 17 is installed above the turntable 20.
The polishing abrasive liquid Q can be jetted onto the polishing cloth 23 of 0.

【0029】上記構成のポリッシング装置において、ト
ップリング本体下部3−2の下面に半導体ウエハ6を真
空吸着で取付け、ターンテーブル20上面の研磨布23
上にトップリングシリンダ12により圧力を加えて加圧
する。この時ターンテーブル20は回転を始める。次に
研磨砥液ノズル17から研磨布23上に研磨砥液Qを流
すことにより、研磨布23に研磨砥液Qが保持され、半
導体ウエハ6の研磨される面(下面)に研磨砥液Qが浸
入しポリッシングを始める。
In the polishing apparatus having the above structure, the semiconductor wafer 6 is attached to the lower surface of the lower portion 3-2 of the top ring body by vacuum suction, and the polishing cloth 23 on the upper surface of the turntable 20.
The top ring cylinder 12 applies pressure to the top to apply pressure. At this time, the turntable 20 starts rotating. Next, by flowing the polishing abrasive liquid Q from the polishing abrasive liquid nozzle 17 onto the polishing cloth 23, the polishing abrasive liquid Q is held on the polishing cloth 23 and the polishing abrasive liquid Q is applied to the surface (lower surface) of the semiconductor wafer 6 to be polished. Enters and begins polishing.

【0030】この時、ターンテーブル20の上面に僅か
な傾きがあったとしてもトップリング本体3は球ベアリ
ング2により、トップリング駆動軸1に対してトップリ
ング本体3が速やかに傾動する。トップリング本体3が
傾いても、トップリング駆動軸1側のトルク伝達ピン7
とトップリング本体3側のトルク伝達ピン8は点接触の
ためにそれぞれの場合で接触点をずらしてトップリング
駆動軸1の回転トルクを確実にトップリング本体3に伝
達する。
At this time, even if the top surface of the turntable 20 has a slight inclination, the top ring body 3 is swung quickly with respect to the top ring drive shaft 1 by the ball bearing 2. Even if the top ring body 3 is tilted, the torque transmission pin 7 on the top ring drive shaft 1 side
Since the torque transmission pin 8 on the top ring body 3 side is in point contact, the contact point is shifted in each case to reliably transmit the rotational torque of the top ring drive shaft 1 to the top ring body 3.

【0031】図4は、上記ポリッシング装置におけるポ
リッシング部の動作を説明する説明図である。ポリッシ
ング部は図4(a)に示されるようにトップリング駆動
軸1と球ベアリング2とトップリング本体3とが3分割
構造となっている。球ベアリング2はセラミックス、ト
ップリング駆動軸1及びトップリング本体3の球ベアリ
ング2との摺接部はステンレススチールで構成されてい
る。したがって、図4(b)の模式図に示すように、ト
ップリング本体3は、球ベアリング2の回わりに矢印A
で示すように傾動可能であるとともにトップリング本体
3の軸線回わりに矢印Bで示すように回転可能である。
そして、球ベアリング2は矢印Cで示すように球ベアリ
ング2の中心の回わりに自転可能である。即ち、トップ
リング本体3とトップリング駆動軸1との間には自由運
動が可能な球ベアリング2が介在するため、自由度が従
来例に比べて増加したことになり、トップリング本体3
はターンテーブル面に追随して矢印A,B及びCでそれ
ぞれ示される単独運動及びこれらの複合運動が可能であ
る。
FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining the operation of the polishing section in the polishing apparatus. As shown in FIG. 4A, the polishing portion has a top ring drive shaft 1, a ball bearing 2, and a top ring body 3 which are divided into three parts. The ball bearing 2 is made of ceramics, and the sliding contact portion of the top ring drive shaft 1 and the ball bearing 2 of the top ring body 3 is made of stainless steel. Therefore, as shown in the schematic view of FIG. 4 (b), the top ring body 3 has an arrow A in the rotation of the ball bearing 2.
In addition, the top ring main body 3 can be tilted as shown by, and can be rotated as shown by arrow B around the axis of the top ring body 3.
The ball bearing 2 can rotate around the center of the ball bearing 2 as shown by arrow C. That is, since the ball bearing 2 capable of freely moving is interposed between the top ring body 3 and the top ring drive shaft 1, the degree of freedom is increased as compared with the conventional example, and the top ring body 3
Is capable of following the turntable surface and performing a single movement indicated by arrows A, B and C and a combined movement thereof.

【0032】しかして、上述の構成のポリッシング部に
おけるトップリング本体3を図4(c)に示すように押
し付け力Fでα°傾斜したターンテーブル面20に押し
付けた場合には、トップリング本体3は球ベアリング2
の球面との間で見掛け上円弧長L分だけ移動しなければ
ならない。ところが、球ベアリング2の球面自体も自由
度をもっているため、球ベアリング2がトップリング駆
動軸1に対し円弧長L/2、トップリング本体3が球ベ
アリング2に対して円弧長L/2移動したら、トップリ
ング本体3がα°傾斜したことと同等になる。
However, when the top ring body 3 in the polishing portion having the above-mentioned structure is pressed against the turntable surface 20 inclined by α ° by the pressing force F as shown in FIG. 4C, the top ring body 3 is pressed. Is a ball bearing 2
It is necessary to apparently move by an arc length L with respect to the spherical surface. However, since the spherical surface of the ball bearing 2 also has a degree of freedom, if the ball bearing 2 moves the arc length L / 2 with respect to the top ring drive shaft 1 and the top ring body 3 moves the arc length L / 2 with respect to the ball bearing 2. , Which is equivalent to the top ring body 3 being inclined by α °.

【0033】本発明においては、トップリング本体3と
トップリング駆動軸1とは同等の材質を用いており、球
ベアリング2に対する摩擦係数は同じであるため、トッ
プリング本体3が円弧長L移動している時は、球ベアリ
ング2がトップリング駆動軸1に対し円弧長L/2、ト
ップリング本体3が球ベアリング2に対しL/2移動す
る。この時、L/2移動する時間は、L移動する時間に
対し1/2の時間で移動できるので、図17及び図18
に示す従来例と比較して本発明のトップリング本体は1
/2の時間で迅速に追従できるメリットがある。
In the present invention, the top ring body 3 and the top ring drive shaft 1 are made of the same material and have the same coefficient of friction with respect to the ball bearing 2. Therefore, the top ring body 3 moves by the arc length L. While the ball bearing 2 is moving, the ball bearing 2 moves in the arc length L / 2 with respect to the top ring drive shaft 1, and the top ring body 3 moves L / 2 with respect to the ball bearing 2. At this time, the time required for L / 2 movement can be 1/2 the time required for L movement, so that FIG. 17 and FIG.
Compared with the conventional example shown in FIG.
There is a merit that you can quickly follow in 1/2 time.

【0034】また、トップリング本体3が半導体ウエハ
6を介して、研磨布23に押し付けられる時、ウエハ6
と研磨布23の間の摩擦係数によって振動が発生する。
特に、回転する当初は、摩擦係数が静摩擦係数から動摩
擦係数に移行するため、スティクスリップ現象がおき、
回転ムラが生じ、振動が起こりやすい。図17及び図1
8に示す従来例と、本発明のポリッシング部を比較した
ときに、特に回転方向に対する振動は、従来例において
は、トップリング本体から直接トップリング駆動軸に伝
わる。
When the top ring body 3 is pressed against the polishing cloth 23 via the semiconductor wafer 6, the wafer 6
Vibration is generated by the coefficient of friction between the polishing cloth and the polishing cloth.
In particular, at the beginning of rotation, the coefficient of friction shifts from the coefficient of static friction to the coefficient of dynamic friction, causing a stick-slip phenomenon.
Rotational unevenness easily occurs and vibration is likely to occur. 17 and 1
When the conventional example shown in FIG. 8 is compared with the polishing portion of the present invention, vibration particularly in the rotational direction is transmitted from the top ring body directly to the top ring drive shaft in the conventional example.

【0035】本発明の場合は、トップリング本体3から
一旦球ベアリング2に伝わり、その後トップリング駆動
軸1に伝達される。この場合、本発明のポリッシング部
は、分割構造のため、球ベアリング2に回転方向の自由
度を持たせているので、回転方向の振動がトップリング
駆動軸1に伝わりにくくなっている。
In the case of the present invention, it is transmitted from the top ring body 3 to the ball bearing 2 and then to the top ring drive shaft 1. In this case, since the polishing portion of the present invention has the divided structure, the ball bearing 2 has a degree of freedom in the rotation direction, and thus vibration in the rotation direction is less likely to be transmitted to the top ring drive shaft 1.

【0036】図5は本発明のポリッシング装置のポリッ
シング部の他の構成を示す縦断面図である。本ポリッシ
ング部は図示するように、トップリング本体3にはその
下面に開口する真空吸引孔が設けられておらず、又、こ
れに連通する真空孔がトップリング駆動軸1に設けられ
ていない。即ち、本トップリング本体3はその下面に半
導体ウエハ6を吸着する機能を有していない。その他の
構成は図1及び図2に示すポリッシング部と全く同一で
ある。このようにトップリング本体3が真空吸着機能を
有していない場合でも、半導体ウエハ6の表面を平坦且
つ鏡面に研磨するには何等支障にならない。
FIG. 5 is a vertical sectional view showing another structure of the polishing portion of the polishing apparatus of the present invention. As shown in the figure, in the polishing portion, the top ring main body 3 is not provided with a vacuum suction hole opening on the lower surface thereof, and the top ring drive shaft 1 is not provided with a vacuum hole communicating therewith. That is, the top ring body 3 does not have a function of adsorbing the semiconductor wafer 6 on its lower surface. Other configurations are the same as those of the polishing section shown in FIGS. 1 and 2. Thus, even if the top ring body 3 does not have a vacuum suction function, there is no problem in polishing the surface of the semiconductor wafer 6 to be flat and mirror-finished.

【0037】なお、本発明のポリッシング装置で半導体
ウエハ表面の平坦且つ鏡面化研磨を行った場合、半導体
ウエハの縁部が過度に研磨されるという所謂縁だれの現
象が極めて少ない。この理由は、上記のようにトップリ
ング本体3を球ベアリング2を介してトップリング駆動
軸1の下端に支持することにより、トップリング本体3
に発生する応力は図6に示すように、球ベアリング2の
中心Oに向かって発生し、その大きさは中心Oより離れ
る程弱くなり、トップリング本体3の剛性を適当に設定
すれば、トップリング本体3の中央から離れた部分が一
点鎖線で示すように上方に変形し、この部分の半導体ウ
エハ6に加わる圧力が弱くなるため、半導体ウエハ6の
縁部が過度に研磨されるということが無くなるものと推
察できる。
When the surface of the semiconductor wafer is flat and mirror-polished with the polishing apparatus of the present invention, the so-called edge phenomenon in which the edge of the semiconductor wafer is excessively polished is extremely small. The reason for this is that by supporting the top ring body 3 on the lower end of the top ring drive shaft 1 via the ball bearing 2 as described above,
6, the stress is generated toward the center O of the ball bearing 2, and the magnitude becomes weaker as it goes away from the center O. If the rigidity of the top ring body 3 is set appropriately, The part of the ring body 3 away from the center is deformed upward as shown by the chain line, and the pressure applied to the semiconductor wafer 6 at this part is weakened, so that the edge of the semiconductor wafer 6 is excessively polished. It can be inferred that it will disappear.

【0038】次に、本発明のポリッシング装置の他の実
施例を図7及び図8に示す。図1及び図2に示す実施例
においては、トップリング駆動軸1側のトルク伝達ピン
7とトップリング本体3側のトルク伝達ピン8を直接接
触させているので、トップリング駆動軸1の振動が直接
トップリング本体3に伝達され、均一な研磨、即ちポリ
ッシングに悪影響を与える場合がある。そこで図7及び
図8に示すように、トルク伝達ピン7の外周をゴム材等
の弾性体からなる緩衝材31で覆い、トルク伝達ピン7
とトルク伝達ピン8はこの緩衝材31を介して接触する
ようにする。これによりトップリング駆動軸1の振動は
この緩衝材31により吸収され、トップリング本体3に
伝達されない。なお、この緩衝材31はトルク伝達ピン
8の外周に設けても良く、又、トルク伝達ピン7とトル
ク伝達ピン8の双方に設けて良いことも当然である。
Next, another embodiment of the polishing apparatus of the present invention is shown in FIGS. In the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, since the torque transmission pin 7 on the top ring drive shaft 1 side and the torque transmission pin 8 on the top ring main body 3 side are in direct contact with each other, the vibration of the top ring drive shaft 1 is It may be directly transmitted to the top ring body 3 and may adversely affect uniform polishing, that is, polishing. Therefore, as shown in FIGS. 7 and 8, the outer periphery of the torque transmission pin 7 is covered with a cushioning material 31 made of an elastic material such as a rubber material,
The torque transmission pin 8 and the torque transmission pin 8 are in contact with each other via the cushioning material 31. As a result, the vibration of the top ring drive shaft 1 is absorbed by the cushioning material 31 and is not transmitted to the top ring body 3. The cushioning material 31 may be provided on the outer circumference of the torque transmission pin 8 or may be provided on both the torque transmission pin 7 and the torque transmission pin 8.

【0039】トップリング駆動軸1の振動の吸収を更に
完全にするために、図7に示すように、トップリング駆
動軸1を支持するラジアル軸受33と固定側35の間に
Oリング32からなる緩衝手段を設けている。これによ
り、トップリング駆動軸1の振動はこの緩衝手段に吸収
され、その振動は抑制される。また、この緩衝手段とし
ては、図9に示すように、ラジアル軸受33と固定側3
5の間に所定の間隔を置いて2個のOリング32−1,
32−2を設け、Oリング32−1と32−2の間に油
溜36から油Rを供給して、緩衝機構34を構成し、こ
の緩衝機構34により、トップリング駆動軸1の振動を
吸収するようにしても良い。また、Oリング32及び緩
衝機構34の緩衝手段は必ずしもラジアル軸受33と固
定側35の間に設ける必要はなく、トップリング駆動軸
1とラジアル軸受33の間に設けてもよい。
In order to more completely absorb the vibration of the top ring drive shaft 1, as shown in FIG. 7, an O-ring 32 is provided between the radial bearing 33 supporting the top ring drive shaft 1 and the fixed side 35. A buffer means is provided. As a result, the vibration of the top ring drive shaft 1 is absorbed by this cushioning means, and the vibration is suppressed. Further, as this buffering means, as shown in FIG. 9, the radial bearing 33 and the fixed side 3 are provided.
Two O-rings 32-1 with a predetermined space between them,
32-2 is provided, and oil R is supplied from the oil sump 36 between the O-rings 32-1 and 32-2 to configure a buffer mechanism 34. The buffer mechanism 34 prevents vibration of the top ring drive shaft 1. You may make it absorb. Further, the cushioning means of the O-ring 32 and the cushioning mechanism 34 do not necessarily have to be provided between the radial bearing 33 and the fixed side 35, but may be provided between the top ring drive shaft 1 and the radial bearing 33.

【0040】ポリッシングを均一に行うためには、トッ
プリング本体3の下面のターンテーブル20に対する面
圧分布を均一とする必要がある。図10はこのトップリ
ング本体3の下面の面圧分布を均一にする面圧調整手段
の一例を示す図である。本面圧調整手段は、トップリン
グ本体3の上面と球ベアリング2の間に設けられた面圧
調整部材37からなっている。面圧調整部材37は円板
状で上面中央部には円形の凸部37aを設け、下面外周
部にはリング状の凸部37bを設けている。凸部37a
の中心部には球ベアリング2が挿入される凹部が形成さ
れ、リング状の凸部37bの下端面がトップリング本体
3の上面に当接する。ここで、凸部37bがトップリン
グ本体3と接触する面の面積を適宜変えることにより、
トップリング本体3の下面の面圧分布を調整することが
できる。即ち、図10において、凸部37bの内径d,
外径Dの比d/Dを変えることによりトップリング本体
3の下面の面圧分布を調整できる。なお、図10におい
て、d=0とし、Dを適宜変更してもトップリング本体
3の下面の面圧分布を調整することができる。
In order to perform polishing uniformly, it is necessary to make the surface pressure distribution on the lower surface of the top ring body 3 against the turntable 20 uniform. FIG. 10 is a view showing an example of a surface pressure adjusting means for making the surface pressure distribution on the lower surface of the top ring body 3 uniform. The present surface pressure adjusting means comprises a surface pressure adjusting member 37 provided between the upper surface of the top ring body 3 and the ball bearing 2. The surface pressure adjusting member 37 is disk-shaped and has a circular convex portion 37a at the center of the upper surface and a ring-shaped convex portion 37b at the outer peripheral portion of the lower surface. Convex portion 37a
A concave portion into which the ball bearing 2 is inserted is formed in the central portion of, and the lower end surface of the ring-shaped convex portion 37b contacts the upper surface of the top ring body 3. Here, by appropriately changing the area of the surface where the convex portion 37b contacts the top ring body 3,
The surface pressure distribution on the lower surface of the top ring body 3 can be adjusted. That is, in FIG. 10, the inner diameter d of the convex portion 37b,
By changing the ratio d / D of the outer diameter D, the surface pressure distribution on the lower surface of the top ring body 3 can be adjusted. Note that in FIG. 10, the surface pressure distribution on the lower surface of the top ring body 3 can be adjusted by setting d = 0 and appropriately changing D.

【0041】なお、面圧調整手段としては図10に示す
例に限定されるものではなく、例えば面圧調整部材37
の下面とトップリング本体3の上面の間にエアーバック
的な等分布荷重を与えるような手段を設けてもよいこと
は当然である。
The surface pressure adjusting means is not limited to the example shown in FIG. 10, and for example, the surface pressure adjusting member 37.
It goes without saying that a means for applying an evenly distributed load, such as an air bag, may be provided between the lower surface of the above and the upper surface of the top ring body 3.

【0042】図1及び図2に示す実施例、図7及び図8
に示す実施例においては、半導体ウエハ6をトップリン
グ本体3に吸着するためにトップリング本体3に真空孔
を形成している。図11乃至図13はいずれもトップリ
ング本体3に形成する真空孔の種々の構成を示す図であ
る。図11においては、一体的に形成されたトップリン
グ本体3に真空吸引孔3cが形成されている。該真空孔
3cは先端が細く(0.5〜1.0mm)、トップリング
本体3の下面に開口している。また、図12において
は、トップリング本体下部3−2の下面に細い先端が開
口する真空吸引孔3−2aが形成され、トップリング本
体上部3−1には該真空吸引孔3−2aに連通する真空
溝3−1bが形成されており、該真空溝3−1bは同じ
くトップリング本体上部3−1に形成された4本の真空
孔3−1cに連通している。さらに、図13において
は、トップリング本体3はリング状のトップリング本体
下部3−2′の内部に多数の孔を有するポーラスセラミ
ック材からなるトップリング板3−2′aが嵌合した構
造であり、トップリング本体上部3−1にはトップリン
グ板3−2′aの多数の孔に連通する真空溝3−1bが
形成されており、真空溝3−1bはトップリング本体上
部3−1に形成された4本の真空孔3−1cに連通して
いる。
The embodiment shown in FIGS. 1 and 2, FIGS. 7 and 8
In the embodiment shown in (1), a vacuum hole is formed in the top ring body 3 in order to attract the semiconductor wafer 6 to the top ring body 3. 11 to 13 are views showing various configurations of the vacuum holes formed in the top ring body 3. In FIG. 11, a vacuum suction hole 3c is formed in the integrally formed top ring body 3. The vacuum hole 3c has a thin tip (0.5 to 1.0 mm) and is opened on the lower surface of the top ring body 3. Further, in FIG. 12, a vacuum suction hole 3-2a with a thin tip opening is formed on the lower surface of the top ring body lower portion 3-2, and the top ring body upper portion 3-1 communicates with the vacuum suction hole 3-2a. Vacuum groove 3-1b is formed, and the vacuum groove 3-1b communicates with four vacuum holes 3-1c also formed in the top ring body upper portion 3-1. Further, in FIG. 13, the top ring body 3 has a structure in which a top ring plate 3-2'a made of a porous ceramic material having a large number of holes is fitted inside a ring-shaped lower portion of the top ring body 3-2 '. The top ring body upper part 3-1 is formed with a vacuum groove 3-1b communicating with a large number of holes of the top ring plate 3-2'a. The vacuum groove 3-1b is formed on the top ring body upper part 3-1. To the four vacuum holes 3-1c formed in the above.

【0043】次に、ポリッシング装置に設置され、ポリ
ッシング装置のトップリングに又はトップリングから半
導体ウエハを受け渡しするポリッシング対象物受渡し機
構を図14乃至図16を参照して説明する。図14は本
発明のポリッシング対象物受渡し機構66の構造を示す
図である。図14において、51は円板状のベースであ
り、ベース51の周端上部には複数の吸着コマ52が取
付けられ、さらに吸着コマ52の上部には吸着パッド5
3が取付けられている。そして、吸着コマ52と吸着パ
ッド53のそれぞれの中央部には互いに連通する真空孔
52a及び53aが形成されており、真空孔52a及び
53aは真空継手54を介して真空ラインチューブ55
に連通されている。
Next, a polishing object delivery mechanism for delivering a semiconductor wafer to or from the top ring of the polishing apparatus, which is installed in the polishing apparatus, will be described with reference to FIGS. 14 to 16. FIG. 14 is a view showing the structure of the polishing object delivery mechanism 66 of the present invention. In FIG. 14, reference numeral 51 denotes a disk-shaped base, a plurality of suction pieces 52 are attached to the upper part of the peripheral end of the base 51, and the suction pad 5 is further provided on the suction piece 52.
3 is attached. Further, vacuum holes 52a and 53a communicating with each other are formed in the respective central portions of the suction piece 52 and the suction pad 53, and the vacuum holes 52a and 53a are connected to a vacuum line tube 55 via a vacuum joint 54.
Is in communication with.

【0044】前記ベース51は軸56の上端に固定され
ており、軸56は軸受58にフランジ付き軸受スリーブ
57を介し上下に摺動自在に支持されている。符号60
はスプリングであり、スプリング60は軸56に形成さ
れた段部とスプリング押え部59の間に挟まれ、軸56
を上方に押し上げる弾発力を与える。なお、スプリング
押え部59はその外周に雄ネジが形成されており、軸受
58の中央部に形成された雌ネジに螺合されている。符
号62は軸56の先端部に螺合されたナットであり、こ
のナット62がストッパー61に当接することにより、
スプリング60による軸56の押し上げをこの位置で止
めている。
The base 51 is fixed to the upper end of a shaft 56, and the shaft 56 is supported by a bearing 58 through a bearing sleeve 57 with a flange so as to be vertically slidable. Reference numeral 60
Is a spring, and the spring 60 is sandwiched between the step portion formed on the shaft 56 and the spring pressing portion 59,
Gives an elastic force that pushes up. A male screw is formed on the outer circumference of the spring retainer 59, and the spring retainer 59 is screwed into a female screw formed at the center of the bearing 58. Reference numeral 62 is a nut screwed to the tip of the shaft 56, and when the nut 62 abuts the stopper 61,
The pushing up of the shaft 56 by the spring 60 is stopped at this position.

【0045】前記軸受58はアーム63の先端に固定さ
れており、アーム63はエレベータにより矢印Zに示す
ように上下動できるようになっている。上記構成のポリ
ッシング対象物受渡し機構66において、吸着パッド5
3の上部に半導体ウエハ6が載置されるようになってお
り、真空ラインチューブ55を真空源に接続すると半導
体ウエハ6は吸着パッド53上に真空吸着される。ま
た、吸着パッド53及び吸着コマ52を介してベース5
1に衝撃等の圧力が加わると軸56はスプリング60の
弾発力に抗して下降する。即ち、軸受スリーブ57、軸
受58、スプリング押え部59及びスプリング60はベ
ースに加わる衝撃等の圧力を緩衝する緩衝機構を構成し
ている。なお、符号51aは吸着コマ52とベース51
との間の真空気密を保つためのOリングである。
The bearing 58 is fixed to the tip of an arm 63, and the arm 63 can be moved up and down by an elevator as shown by an arrow Z. In the polishing object delivery mechanism 66 having the above-mentioned configuration, the suction pad 5
The semiconductor wafer 6 is mounted on the upper part of the semiconductor wafer 3. When the vacuum line tube 55 is connected to a vacuum source, the semiconductor wafer 6 is vacuum-sucked on the suction pad 53. In addition, the base 5 is attached via the suction pad 53 and the suction piece 52.
When a pressure such as an impact is applied to 1, the shaft 56 descends against the elastic force of the spring 60. That is, the bearing sleeve 57, the bearing 58, the spring pressing portion 59, and the spring 60 constitute a buffer mechanism that buffers pressure such as impact applied to the base. Incidentally, reference numeral 51a is a suction piece 52 and a base 51.
It is an O-ring for keeping the vacuum tightness between and.

【0046】図15は上記構成のポリッシング対象物受
渡し機構66を用いて、ポリッシング装置のトップリン
グへ又はトップリングからポリッシング対象物を受け渡
しする状態を示す図である。ポリッシング部は図1及び
図2に示す実施例と同様の構成を有しているため説明は
省略する。
FIG. 15 is a view showing a state in which the polishing object delivery mechanism 66 having the above structure is used to deliver the polishing object to or from the top ring of the polishing apparatus. Since the polishing section has the same structure as that of the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the description thereof will be omitted.

【0047】トップリング駆動軸1を上昇させるとトッ
プリングホルダー4はトップリング本体3とともに上昇
する。この上昇させた状態時にスプリング41は柔らか
くトップリング本体3を水平に保つ機能を奏する。そし
てこの機能は特に半導体ウエハ6を受け渡す際に有効に
機能する。
When the top ring drive shaft 1 is raised, the top ring holder 4 rises together with the top ring body 3. In this raised state, the spring 41 is soft and has a function of keeping the top ring body 3 horizontal. And this function works effectively especially when the semiconductor wafer 6 is delivered.

【0048】ポリッシング部のトップリング本体3の下
面に半導体ウエハ6を吸着させる際、トップリング駆動
軸1の中心部に設けられた真空孔1bを真空源に接続す
ることにより、トップリング本体下部3−2の真空吸引
孔3−2aから空気が吸引されている。この状態でポリ
ッシング対象物受渡し機構66の吸着コマ52の吸着パ
ッド53上に半導体ウエハ6を載置し、半導体ウエハ6
をトップリング本体3の下面に向けてエレベータ64に
よりアーム63及びベース51を介して押し上げる。ト
ップリング本体3に到達すると半導体ウエハ6はトップ
リング本体3の下面に真空吸着される。
When the semiconductor wafer 6 is attracted to the lower surface of the top ring body 3 of the polishing portion, the vacuum hole 1b provided at the central portion of the top ring drive shaft 1 is connected to a vacuum source, so that the top ring body lower portion 3 -2 is sucked through the vacuum suction hole 3-2a. In this state, the semiconductor wafer 6 is placed on the suction pad 53 of the suction piece 52 of the polishing object transfer mechanism 66, and the semiconductor wafer 6
Is pushed up toward the lower surface of the top ring body 3 by the elevator 64 via the arm 63 and the base 51. When reaching the top ring body 3, the semiconductor wafer 6 is vacuum-adsorbed on the lower surface of the top ring body 3.

【0049】この時、ベース51は下方の押圧力を受け
るが、この押圧力は軸56がスプリング60の弾発力に
抗して下降することにより吸収されるため、この押圧力
は半導体ウエハ6に対して衝撃とはならない。また、ト
ップリング本体3から半導体ウエハ6を受け取る場合
は、ポリッシング対象物受渡し機構66の吸着コマ52
の吸着パッド53を半導体ウエハ6の下面に当接させ、
真空孔1bを真空源から外し、真空ラインチューブ55
を真空源に接続することにより、半導体ウエハ6は吸着
パッド53上に吸着される。この時、吸着パッド53を
半導体ウエハ6の下面に当接させると、ベース51は下
方の押圧力を受けるが、この押圧力は軸56がスプリン
グ60の弾発力に抗して下降することにより吸収され、
半導体ウエハ6に対して衝撃とはならない。
At this time, the base 51 receives a downward pressing force, but this pressing force is absorbed by the shaft 56 descending against the elastic force of the spring 60, so this pressing force is applied. Is not a shock to. When the semiconductor wafer 6 is received from the top ring body 3, the suction piece 52 of the polishing object transfer mechanism 66.
A suction pad 53 of
The vacuum hole 1b is removed from the vacuum source, and the vacuum line tube 55
Is connected to a vacuum source, the semiconductor wafer 6 is sucked onto the suction pad 53. At this time, when the suction pad 53 is brought into contact with the lower surface of the semiconductor wafer 6, the base 51 receives a downward pressing force, which is caused by the shaft 56 descending against the elastic force of the spring 60. Absorbed,
It does not give an impact to the semiconductor wafer 6.

【0050】また、このようにポリッシング対象物受渡
し機構66にスプリング60等よりなる緩衝機構を設け
ることにより、エレベータ64の駆動モータにステッピ
ングモータを使用してもステッピングモータは脱調現象
を起こさない。なお、上記実施例ではスプリング60の
弾発力を利用した緩衝機構としているが、緩衝機構はこ
れに限定されるものではなく、半導体ウエハを受け渡し
する際、半導体ウエハに加わる衝撃等の圧力を吸収し、
半導体ウエハにダメージを与えないようなものであれば
どのような構成であってもよい。
Further, by providing the polishing object delivery mechanism 66 with the buffer mechanism composed of the spring 60 and the like in this way, even when a stepping motor is used as the drive motor of the elevator 64, the stepping motor does not cause a step-out phenomenon. In the above embodiment, the cushioning mechanism using the elastic force of the spring 60 is used. However, the cushioning mechanism is not limited to this, and absorbs pressure such as impact applied to the semiconductor wafer when the semiconductor wafer is transferred. Then
Any structure may be used as long as it does not damage the semiconductor wafer.

【0051】図16は半導体ウエハを研磨洗浄する装置
の全体構成を示す模式図である。半導体ウエハのロード
側には上記ポリッシング対象物受渡し機構66が配置さ
れ、アンロード側にはポリッシング対象物受渡し機構6
6及び洗浄部70が配置され、その中間にターンテーブ
ル20が配置されている。エレベータ64の上昇により
ポリッシング対象物受渡し機構66上に載置された半導
体ウエハ6はトップリング本体3の下面に吸着される。
ターンテーブル20はモータ68の回転により、回転力
伝達機構69を介して回転しており、トップリングシリ
ンダ12によりトップリング本体3の下面に吸着されて
いる半導体ウエハ6をターンテーブル20の上面に一定
の圧力で当接させて、半導体ウエハ6を研磨する。この
時、トップリング本体3は回転すると同時に摺動してい
る。
FIG. 16 is a schematic diagram showing the overall structure of an apparatus for polishing and cleaning a semiconductor wafer. The polishing object delivery mechanism 66 is arranged on the load side of the semiconductor wafer, and the polishing object delivery mechanism 6 is placed on the unload side.
6 and the cleaning unit 70 are arranged, and the turntable 20 is arranged in the middle thereof. As the elevator 64 rises, the semiconductor wafer 6 placed on the polishing object transfer mechanism 66 is attracted to the lower surface of the top ring body 3.
The turntable 20 is rotated by the rotation of the motor 68 via the torque transmission mechanism 69, and the semiconductor wafer 6 attracted to the lower surface of the top ring body 3 by the top ring cylinder 12 is fixed on the upper surface of the turntable 20. The semiconductor wafer 6 is polished by bringing the semiconductor wafer 6 into contact with each other under pressure. At this time, the top ring body 3 rotates and slides at the same time.

【0052】研磨の終了した半導体ウエハ6はアンロー
ド側のポリッシング対象物受渡し機構66によって受け
取られる。ポリッシング対象物受渡し機構66上の半導
体ウエハ6はエレベータの下降により、洗浄部70に渡
される。洗浄部70には純水等の洗浄液Wが収容された
液槽71が配置され、液槽71内には搬送用ローラーや
洗浄用ローラー72が配置され、研磨された半導体ウエ
ハ6はこの搬送用ローラーや洗浄用ローラー72により
洗浄液Qの中を搬送されながら、その表面が洗浄され
る。
The semiconductor wafer 6 that has been polished is received by the polishing object transfer mechanism 66 on the unload side. The semiconductor wafer 6 on the polishing object delivery mechanism 66 is delivered to the cleaning unit 70 by the descending elevator. A liquid tank 71 containing a cleaning liquid W such as pure water is arranged in the cleaning unit 70, and a transfer roller and a cleaning roller 72 are arranged in the liquid tank 71, and the polished semiconductor wafer 6 is used for this transfer. The surface of the cleaning liquid Q is cleaned while being conveyed in the cleaning liquid Q by the roller and the cleaning roller 72.

【0053】なお、上記各実施例では半導体ウエハを平
坦且つ鏡面に研磨するポリッシング装置を例に説明した
が、本発明のポリッシング装置で研磨されるポリッシン
グ対象物は半導体ウエハに限定されるものではない。
In each of the above embodiments, the polishing apparatus for polishing the semiconductor wafer to be flat and mirror-finished has been described as an example, but the object to be polished by the polishing apparatus of the present invention is not limited to the semiconductor wafer. .

【0054】[0054]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、下
記に列挙する優れた効果が得られる。 (1)トップリング本体の下面がターンテーブル面の傾
動に迅速に追従しながらトップリング駆動軸とトップリ
ング本体が同期して回転することになり、半導体ウエハ
等のポリッシング対象物の表面の平坦・鏡面研磨が高精
度にでき、研磨グレードが安定する。
As described above, according to the present invention, the excellent effects listed below can be obtained. (1) The top ring drive shaft and the top ring body rotate synchronously while the bottom surface of the top ring body quickly follows the tilting of the turntable surface, and the surface of the polishing target such as a semiconductor wafer is flattened. Highly accurate mirror polishing and stable polishing grade.

【0055】(2)また、トップリング駆動軸とトップ
リング本体が同期して回転することにより、トップリン
グ本体からの真空ラインやターンテーブルに対するトッ
プリング本体の加圧のためのラインが自在に設計できる
ようになる。
(2) Further, the top ring drive shaft and the top ring body rotate in synchronism with each other, so that a vacuum line from the top ring body and a line for pressurizing the top ring body against the turntable are freely designed. become able to.

【0056】(3)また、トップリング駆動軸に設けた
駆動ピン及びトップリング本体に設けた駆動ピンのいず
れか一方又は双方に緩衝手段を設け、またトップリング
駆動軸を支持するラジアル軸受を固定側又はトップリン
グ駆動軸に緩衝手段を介して固定することにより、トッ
プリング駆動軸の振動のトップリング本体への伝達及び
振動そのものを抑制できるので精度のよいポリッシング
が可能となる。
(3) Further, either one or both of the drive pin provided on the top ring drive shaft and the drive pin provided on the top ring main body is provided with buffer means, and the radial bearing supporting the top ring drive shaft is fixed. By fixing the side ring or the top ring drive shaft via the buffering means, it is possible to suppress the transmission of the vibration of the top ring drive shaft to the top ring main body and the vibration itself, so that accurate polishing can be performed.

【0057】(4)また、トップリング下面の面圧分布
を調整する面圧調整手段を設けることにより、ポリッシ
ング対象物の面圧を均一にすることができるから、精度
の良いポリッシングが可能となる。
(4) Further, by providing the surface pressure adjusting means for adjusting the surface pressure distribution on the lower surface of the top ring, the surface pressure of the object to be polished can be made uniform, so that accurate polishing can be performed. .

【0058】(5)さらに、ポリッシング対象物受渡し
機構は、トップリング本体へ又はトップリング本体から
ポリッシング対象物を受け渡しする際、ポリッシング対
象物に衝撃力を与えないよう緩衝機構を具備するため、
トップリング本体を上下動させるシリンダに大径のもの
を用いても微妙な圧力調整が不要となり、且つポリッシ
ング対象物にダメージを与えることがなく、又、ポリッ
シング対象物の受け渡し位置の微妙なセンサ調整を行う
必要がない。
(5) Further, the polishing object delivery mechanism is provided with a buffer mechanism so as not to give an impact force to the polishing object when delivering the polishing object to or from the top ring body.
Even if a large diameter cylinder is used to move the top ring body up and down, delicate pressure adjustment is not necessary, damage to the polishing object is not done, and delicate sensor adjustment of the polishing object delivery position is possible. You don't have to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のポリッシング装置のポリッシング部の
一実施例を示す縦断面図である。
FIG. 1 is a vertical sectional view showing an embodiment of a polishing section of a polishing apparatus of the present invention.

【図2】本発明のポリッシング装置のポリッシング部の
一実施例を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of a polishing section of the polishing apparatus of the present invention.

【図3】本発明のポリッシング装置の構成を示す縦断面
図である。
FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing the configuration of the polishing apparatus of the present invention.

【図4】本発明のポリッシング装置におけるポリッシン
グ部の作用を説明する説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view illustrating the operation of the polishing section in the polishing apparatus of the present invention.

【図5】本発明のポリッシング装置のポリッシング部の
他の構成例を示す縦断面図である。
FIG. 5 is a vertical cross-sectional view showing another configuration example of the polishing section of the polishing apparatus of the present invention.

【図6】本発明のポリッシング装置のポリッシング部に
おける球ベアリングの作用を説明する説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view explaining the action of the ball bearing in the polishing portion of the polishing device of the present invention.

【図7】本発明のポリッシング装置のポリッシング部の
他の実施例を示す縦断面図である。
FIG. 7 is a vertical sectional view showing another embodiment of the polishing portion of the polishing apparatus of the present invention.

【図8】本発明のポリッシング装置のポリッシング部の
他の実施例を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing another embodiment of the polishing section of the polishing apparatus of the present invention.

【図9】本発明のポリッシング装置のトップリング駆動
軸の軸受部を示す図である。
FIG. 9 is a view showing a bearing portion of a top ring drive shaft of the polishing device of the present invention.

【図10】本発明のポリッシング装置のトップリング本
体の下面の面圧調整手段の一例を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing an example of surface pressure adjusting means on the lower surface of the top ring body of the polishing apparatus of the present invention.

【図11】本発明のポリッシング装置のトップリング本
体に形成する真空孔の構成例を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a configuration example of vacuum holes formed in the top ring body of the polishing apparatus of the present invention.

【図12】本発明のポリッシング装置のトップリング本
体に形成する真空孔の構成例を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing a configuration example of vacuum holes formed in the top ring body of the polishing apparatus of the present invention.

【図13】本発明のポリッシング装置のトップリング本
体に形成する真空孔の構成例を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a configuration example of vacuum holes formed in the top ring body of the polishing apparatus of the present invention.

【図14】本発明のポリッシング装置に設置されるポリ
ッシング対象物受渡し機構の構造を示す図である。
FIG. 14 is a view showing the structure of a polishing object delivery mechanism installed in the polishing apparatus of the present invention.

【図15】本発明のポリッシング対象物受渡し機構を用
いてトップリングへ又は該トップリングからポリッシン
グ対象物を受け渡しする状態を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing a state in which a polishing object is delivered to or from the top ring using the polishing object delivery mechanism of the present invention.

【図16】ポリッシング対象物を研磨洗浄する装置の全
体構成を示す模式図である。
FIG. 16 is a schematic diagram showing an overall configuration of an apparatus for polishing and cleaning an object to be polished.

【図17】従来のポリッシング装置のポリッシング部を
説明する説明図である。
FIG. 17 is an explanatory diagram illustrating a polishing section of a conventional polishing apparatus.

【図18】従来のポリッシング装置のポリッシング部を
説明する説明図である。
FIG. 18 is an explanatory diagram illustrating a polishing section of a conventional polishing apparatus.

【図19】図17及び図18に示す従来のポリッシング
装置のポリッシング部の作用を説明する説明図である。
FIG. 19 is an explanatory view illustrating the operation of the polishing section of the conventional polishing apparatus shown in FIGS. 17 and 18.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 トップリング駆動軸 2 球ベアリング 3 トップリング本体 4 トップリングホルダー 5 ウエハ外止リング 6 半導体ウエハ 7,8 トルク伝達ピン 10 真空ライン用チューブ 12 トップリングシリンダ 13 トップリング駆動モータ 20 ターンテーブル 23 研磨布 31 緩衝材 32 Oリング 33 ラジアル軸受 34 緩衝機構 35 固定側 36 油溜 37 面圧調整部材 51 ベース 52 吸着コマ 53 吸着パッド 55 真空ラインチューブ 57 軸受スリーブ 58 軸受 60 スプリング 63 アーム 64 エレベータ 1 Top Ring Drive Shaft 2 Ball Bearing 3 Top Ring Main Body 4 Top Ring Holder 5 Wafer Stop Ring 6 Semiconductor Wafer 7, 8 Torque Transmission Pin 10 Vacuum Line Tube 12 Top Ring Cylinder 13 Top Ring Drive Motor 20 Turntable 23 Polishing Cloth 31 cushioning material 32 O-ring 33 radial bearing 34 cushioning mechanism 35 fixed side 36 oil sump 37 surface pressure adjusting member 51 base 52 suction piece 53 suction pad 55 vacuum line tube 57 bearing sleeve 58 bearing 60 spring 63 arm 64 elevator

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 憲雄 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 石井 遊 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会社 荏原製作所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Norio Kimura 11-1 Haneda Asahi-cho, Ota-ku, Tokyo Ebara Corporation (72) Inventor Yu Ishii 11-11 Haneda-asahi-cho, Ota-ku, Tokyo Inside the EBARA CORPORATION

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 各々独立した回転数で回転する上面に研
磨布を張ったターンテーブルとトップリング本体とを有
し、前記ターンテーブルとトップリング本体との間にポ
リッシング対象物を介在させて所定の力で押圧すること
によって該ポリッシング対象物の表面を研磨し平坦且つ
鏡面化するポリッシング装置において、前記トップリン
グ本体を押圧するための押圧装置に連結されるとともに
該トップリング本体を回転駆動するための駆動装置に連
結されたトップリング駆動軸を設け、該トップリング駆
動軸と前記トップリング本体との間に球ベアリングを介
装し、前記トップリング本体下面が滑らかに前記ターン
テーブル面の動きに追従できるようにしたことを特徴と
するポリッシング装置。
1. A turntable having a polishing cloth stretched on an upper surface that rotates at an independent number of revolutions, and a top ring body, wherein a polishing object is interposed between the turntable and the top ring body. In the polishing device for polishing the surface of the polishing object by pressing with the force of, to make the surface flat and mirror-finished, the polishing device is connected to a pressing device for pressing the top ring body and rotationally drives the top ring body. A top ring drive shaft connected to the drive device, and a ball bearing is interposed between the top ring drive shaft and the top ring body, and the bottom surface of the top ring body smoothly moves along the turntable surface. A polishing device characterized by being able to follow.
【請求項2】 前記トップリング本体に、その先端が該
トップリング本体下面に開口し且つ真空源に連通する複
数の吸引孔を設け、ポリッシング対象物を該トップリン
グ本体下面に真空吸着することができるように構成した
請求項1記載のポリッシング装置。
2. The top ring body is provided with a plurality of suction holes, the tip of which is open to the lower surface of the top ring body and communicates with a vacuum source, and a polishing object can be vacuum-sucked to the lower surface of the top ring body. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing apparatus is configured to be capable.
【請求項3】 前記トップリング駆動軸に設けた駆動ピ
ンと前記トップリング本体に設けた駆動ピンの点接触に
よりトップリング駆動軸の回転力をトップリング本体に
伝達する構成であることを特徴とする請求項1記載のポ
リッシング装置。
3. The rotation force of the top ring drive shaft is transmitted to the top ring body by point contact between the drive pin provided on the top ring drive shaft and the drive pin provided on the top ring body. The polishing apparatus according to claim 1.
【請求項4】 前記トップリング駆動軸に設けた駆動ピ
ン及び前記トップリング本体に設けた駆動ピンのいずれ
か一方又は双方に振動を吸収する弾性体からなる緩衝手
段を設け、両駆動ピンが該緩衝手段を介して接触するよ
うにしたことを特徴とする請求項3記載のポリッシング
装置。
4. One or both of a drive pin provided on the top ring drive shaft and a drive pin provided on the top ring main body is provided with a cushioning means made of an elastic body that absorbs vibration, and both drive pins are 4. The polishing device according to claim 3, wherein the polishing device is contacted via a cushioning means.
【請求項5】 前記トップリング駆動軸を支持するラジ
アル軸受は振動を吸収する緩衝機構を介して固定側又は
トップリング駆動軸に固定されていることを特徴とする
請求項1乃至4のいずれか1項に記載のポリッシング装
置。
5. The radial bearing supporting the top ring drive shaft is fixed to the fixed side or the top ring drive shaft via a shock absorbing mechanism that absorbs vibrations. The polishing apparatus according to item 1.
【請求項6】 前記トップリング本体下面の面圧分布を
調整する面圧調整手段を設けたことを特徴とする請求項
1乃至5のいずれか1項に記載のポリッシング装置。
6. The polishing apparatus according to claim 1, further comprising surface pressure adjusting means for adjusting a surface pressure distribution on the lower surface of the top ring body.
【請求項7】 ポリッシング装置の前記トップリング本
体へ又は該トップリング本体からポリッシング対象物を
受け渡しするポリッシング対象物受け渡し機構を備え、
該ポリッシング対象物受渡し機構は、上部にポリッシン
グ対象物を載置して上下動でき該ポリッシング対象物を
前記トップリング本体下面の真空吸着部に渡し又は該真
空吸着部から該ポリッシング対象物を受け取るポリッシ
ング対象物載置部を具備し、該載置部は前記ポリッシン
グ対象物を受け渡しする際、該ポリッシング対象物に衝
撃力を与えないように緩衝機構に支持されていることを
特徴とする請求項1記載のポリッシング装置。
7. A polishing object delivery mechanism for delivering a polishing object to or from the top ring body of the polishing apparatus,
The polishing object delivery mechanism can place a polishing object on the upper part and move it up and down, passing the polishing object to a vacuum suction section on the lower surface of the top ring body or receiving the polishing object from the vacuum suction section. The object mounting portion is provided, and the mounting portion is supported by a cushioning mechanism so as not to give an impact force to the polishing object when the polishing object is delivered. The polishing apparatus described.
【請求項8】 前記ポリッシング対象物載置部にはポリ
ッシング対象物を真空吸着する吸着部が設けられている
ことを特徴とする請求項7記載のポリッシング装置。
8. The polishing apparatus according to claim 7, wherein the polishing object placing section is provided with a suction section for vacuum-sucking the polishing object.
【請求項9】 前記緩衝機構はスプリングの弾発力を利
用した機構であることを特徴とする請求項7又は8記載
のポリッシング装置。
9. The polishing apparatus according to claim 7, wherein the cushioning mechanism is a mechanism utilizing elastic force of a spring.
JP25652293A 1992-09-24 1993-09-20 Polishing apparatus Pending JPH06198561A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25652293A JPH06198561A (en) 1992-09-24 1993-09-20 Polishing apparatus

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27934492 1992-09-24
JP4-279344 1992-09-24
JP4-285366 1992-09-30
JP28536792 1992-09-30
JP28536692 1992-09-30
JP4-285367 1992-09-30
JP25652293A JPH06198561A (en) 1992-09-24 1993-09-20 Polishing apparatus

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000327847A Division JP2001150340A (en) 1992-09-24 2000-09-20 Polishing device and method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06198561A true JPH06198561A (en) 1994-07-19

Family

ID=27478403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25652293A Pending JPH06198561A (en) 1992-09-24 1993-09-20 Polishing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06198561A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002355757A (en) * 2001-03-26 2002-12-10 Seiko Instruments Inc Simultaneous double surface polishing device
US7497767B2 (en) 2000-09-08 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Vibration damping during chemical mechanical polishing
US9017146B2 (en) 2012-12-04 2015-04-28 Fujikoshi Machinery Corp. Wafer polishing apparatus
DE102017223821A1 (en) 2017-01-10 2018-07-12 Fujikoshi Machinery Corp. WORK POLISHING HEAD

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7497767B2 (en) 2000-09-08 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Vibration damping during chemical mechanical polishing
JP2002355757A (en) * 2001-03-26 2002-12-10 Seiko Instruments Inc Simultaneous double surface polishing device
US9017146B2 (en) 2012-12-04 2015-04-28 Fujikoshi Machinery Corp. Wafer polishing apparatus
DE102017223821A1 (en) 2017-01-10 2018-07-12 Fujikoshi Machinery Corp. WORK POLISHING HEAD
KR20180082311A (en) 2017-01-10 2018-07-18 후지코시 기카이 고교 가부시키가이샤 Work polishing head
US10668593B2 (en) 2017-01-10 2020-06-02 Fujikoshi Machinery Corp. Work polishing head

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100271902B1 (en) Polishing apparatus
US6019868A (en) Polishing apparatus
JP3753577B2 (en) Substrate holding device and polishing apparatus provided with the substrate holding device
JP3370112B2 (en) Wafer polishing equipment
US5733182A (en) Ultra flat polishing
JPH08300253A (en) Polishing device
US5879225A (en) Polishing machine
JPH11262857A (en) Polishing device for semiconductor wafer
JPH11179651A (en) Substrate holder and polishing device provided with this substrate holder
JPH06198561A (en) Polishing apparatus
JP2001150340A (en) Polishing device and method
JP3183388B2 (en) Semiconductor wafer polishing equipment
JP2004154936A (en) Polishing device and method
US6089960A (en) Semiconductor wafer polishing mechanism
JP3781576B2 (en) Polishing device
JP4307674B2 (en) Wafer polishing equipment
JPH08257902A (en) Polishing device
JP3875528B2 (en) Polishing equipment
JPH10156711A (en) Device and method for polishing
JP2002096261A (en) Substrate holding device and polishing device provided with the same
JPH07299740A (en) Wafer polishing device and head of it
JP3152763B2 (en) Polishing equipment
JP2610623B2 (en) High precision flat polishing machine
JPH1044029A (en) Wafer polishing device
JP2004148457A (en) Wafer grinding method and wafer grinding device