JPH06194266A - Lens meter - Google Patents

Lens meter

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JPH06194266A
JPH06194266A JP27341193A JP27341193A JPH06194266A JP H06194266 A JPH06194266 A JP H06194266A JP 27341193 A JP27341193 A JP 27341193A JP 27341193 A JP27341193 A JP 27341193A JP H06194266 A JPH06194266 A JP H06194266A
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lens
pattern
projected
light
mask
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JP27341193A
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Akihiro Arai
昭浩 荒井
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Topcon Corp
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Abstract

PURPOSE:To permit a measuring operator to discriminate a measuring indicator projected on a photodetector means by providing a discrimination means for discriminating the measuring indicator. CONSTITUTION:A luminous flux emitted from a light source 1 is converted to a parallel luminous flux by a collimator lens 2 so that the parallel luminous flux is projected to a lens to be inspected L located on a lens supporting stand 3. The luminous flux is refracted in accordance with the refraction characteristic of the lens L to pass therethrough to be projected on a mask plate 4 via an opening 3a of the lens supporting stand 3. A part of the projected luminous flux is selectively transmitted through the mask plate 4 corresponding to a shape of a mask pattern, i.e., measuring indicator, of the mask plate 4 to be projected on a photodetector 5 consisting of an area CCD. Image information of projection pattern which is obtained from the photodetector 5 by being scanned by means of a control operating circuit 6 is stored in a RAM 9. If necessary, the image of the projection pattern is indicated on an indication device 8, i.e., discrimination means, via the circuit 6 so that a measuring operator can realize the projection condition of the projection pattern on the photodetector 5 from the shape and the position of the indicated image.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、眼鏡レンズ等の光学特
性、すなわち球面度数、円柱軸角度等を測定するために
用いるレンズメーターに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lens meter used for measuring optical characteristics of spectacle lenses, such as spherical power, cylindrical axis angle and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】オートレンズメーターの従来例の1つと
して、本願出願人が先に出願した特開昭57−29923号公
報に開示された装置がある。この従来例は、光源からの
光をコリメータレンズで平行投射光束として被検レンズ
に向けて投影し、被検レンズで屈折透過された光束を所
定形状を有するマスクパターンで選択透過させ、二次元
エリアCCDから成る光検手段上に投影し、この投影パタ
ーンと前記マスクパターンの形状あるいは位置変化から
被検レンズの屈折特性を測定するものである。マスクパ
ターンとしては円環型、交差二直線型、三直線三交差型
などが使われている。
2. Description of the Related Art As one conventional example of an automatic lens meter, there is an apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-29923 filed by the applicant of the present application. In this conventional example, a light from a light source is projected by a collimator lens as a parallel projection light beam toward a lens to be inspected, and a light beam refracted and transmitted by the lens to be inspected is selectively transmitted by a mask pattern having a predetermined shape, and a two-dimensional area is formed. The image is projected onto an optical inspection means composed of a CCD, and the refraction characteristics of the lens to be inspected are measured from the shape or position change of the projection pattern and the mask pattern. As the mask pattern, an annular type, a crossed two straight line type, a three straight line and three crossed type are used.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来の装置では被検レ
ンズに投射される平行光束径とマスクパターンが大きい
ため、多重焦点レンズの小玉や、累進多進点レンズの近
用指定部あるいはソフトコンタクトレンズまたは累進コ
ンタクトレンズなど、屈折特性値が均一な被測定領域が
狭い被検レンズは測定が困難であった。
In the conventional apparatus, since the diameter of the parallel light beam projected on the lens to be inspected and the mask pattern are large, a small lens of a multifocal lens, a near designation portion or a soft contact of a progressive multipoint lens. It was difficult to measure an inspected lens such as a lens or a progressive contact lens having a narrow region to be measured with a uniform refraction characteristic value.

【0004】この問題を解決するために、複数種類の測
定視標を光検出手段上に選択的に投影するための視標投
影手段を有するレンズメーターであって、被検レンズの
被測定領域の大きさに応じて前記複数の測定視標の内の
いずれか一つの測定視標を選択する指標選択手段が設け
られたレンズメーターが考えられている。
In order to solve this problem, there is provided a lens meter having a target projecting means for selectively projecting a plurality of types of measuring targets onto the light detecting means, the measuring area of a lens under test being measured. A lens meter provided with index selecting means for selecting one of the plurality of measurement targets according to the size is considered.

【0005】この様なレンズメーターにおいては、光検
出手段上に投影されている測定視標の種類が「多重焦点
レンズの小玉や、累進多進点レンズの近用指定部あるい
はソフトコンタクトレンズまたは累進コンタクトレンズ
等の視標であるか、或は普通の被検レンズの測定視標で
あるか等」を分かるようにしておくことにより、測定作
業をより容易に進めることができる。従って、光検出手
段上に投影されている測定視標の種類が測定者に分かる
ようにしておくのが望ましい。
In such a lens meter, the type of the measurement target projected on the light detecting means is "a small lens of a multifocal lens, a near designation portion of a progressive multi-point lens, a soft contact lens or a progressive lens. It is possible to more easily carry out the measurement work by knowing whether the target is a visual target such as a contact lens or a standard visual target for a subject lens. Therefore, it is desirable for the measurer to know the type of measurement target projected on the light detection means.

【0006】そこで、この発明は係る要望に沿うもの
で、光検出手段上に投影されている測定視標が測定者に
識別できるようにしたレンズメーターを提供することを
目的とするものである。
Therefore, the present invention meets such a demand, and an object of the present invention is to provide a lens meter which enables a measuring person to identify a measurement target projected on a light detecting means.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明は、測定視標を光検出手段上に投影するた
めの視標投影手段を有するレンズメーターにおいて、前
記光検出手段上に投影されている測定視標を識別させる
識別手段を設けたレンズメーターとしたことを特徴とす
る。
In order to achieve this object, the present invention is a lens meter having a target projection means for projecting a measurement target onto the light detection means. The lens meter is provided with an identifying means for identifying the measured visual target.

【0008】[0008]

【実施例】以下、この発明を図面に基づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.

【0009】[第1実施例]図1乃至図5は本発明の第1
実施例を示すもので、1は発光ダイオードからなる光源
で、この光源1から射出された光束はコリメータレンズ
2で平行光束とされてレンズ受台3に載置された被検レ
ンズLに投射される。
[First Embodiment] FIGS. 1 to 5 show a first embodiment of the present invention.
In the embodiment, reference numeral 1 is a light source composed of a light emitting diode. A light beam emitted from the light source 1 is collimated by a collimator lens 2 and projected onto a lens L to be inspected mounted on a lens holder 3. It

【0010】この投射された平行光束は被検レンズLの
屈折特性に応じて屈折透過され、この透過した光束はレ
ンズ受台3の開口3aを介してマスク板4に投射される。
そして、この投射された光束は、マスク板4のマスクパ
ターン(測定視標)の形状に応じて一部が選択透過さ
れ、 エリア CCDからなる検出素子5に投影される。エ
リアCCD5は被検レンズLの焦点Fより内側(レンズ受台
3側)に配置されている。尚、この光源1,コリメータ
レンズ2及びマスク板4は、測定視標を検出素子5に投
影する視標投影手段Aを構成している。
The projected parallel light beam is refracted and transmitted according to the refraction characteristics of the lens L to be inspected, and the transmitted light beam is projected onto the mask plate 4 through the opening 3a of the lens holder 3.
Then, a part of the projected luminous flux is selectively transmitted according to the shape of the mask pattern (measurement target) of the mask plate 4, and is projected onto the detection element 5 composed of an area CCD. The area CCD 5 is arranged inside the focus F of the lens L to be inspected (on the side of the lens holder 3). The light source 1, the collimator lens 2, and the mask plate 4 constitute a target projection unit A that projects the measurement target onto the detection element 5.

【0011】マイクロプロセッサを主体として構成され
た製御演算回路6はエリアCCDを走査し、投影パターン
の形状の変化を検出し、それに基づいて被検レンズLの
屈折特性を求め表示器8で表示する。また制御演算回路
6には例えばRAMから構成される記憶装置9が接続され
ており、制御演算回路6により走査された光検出器5か
らの投影パターンの画像情報が記憶装置9に記億され
る。
The control arithmetic circuit 6 mainly composed of a microprocessor scans the area CCD, detects the change in the shape of the projection pattern, and based on this, obtains the refraction characteristics of the lens L to be inspected and displays it on the display unit 8. To do. Further, a storage device 9 composed of, for example, a RAM is connected to the control arithmetic circuit 6, and image information of a projection pattern from the photodetector 5 scanned by the control arithmetic circuit 6 is stored in the storage device 9. .

【0012】そして必要に応じ制御演算回路6を介して
表示器8(識別手段)に投影パターンの画像を画像表示
させることにより、測定者は、この表示画像の形状や位
置により光検出器7上への投影パターンの投影状態を知
ることができ測定の信頼性の向上や被検レンズLのアラ
イメンが容易になる。特に被検レンズLがソフトコンタ
クトレンズの場合は測定中にその形状が変形しやすい
が、上述のように投影パターンの表示画像を知ることに
より、事前に変形の有無を知ることができる。
By displaying the image of the projection pattern on the display 8 (identifying means) via the control arithmetic circuit 6 as needed, the measurer can display on the photodetector 7 according to the shape and position of this display image. Since the projection state of the projected pattern on the lens can be known, the reliability of measurement can be improved and the alignment of the lens L to be tested can be facilitated. In particular, when the lens L to be inspected is a soft contact lens, its shape is likely to be deformed during measurement, but by knowing the display image of the projection pattern as described above, the presence or absence of deformation can be known in advance.

【0013】なお、本実施例では光検出器7はマスクパ
タ−ンからの透過光を非結像状態で検出しているため、
その投影パタ−ンは光検出器7上ではぼけた像となる。
しかし後述するようにパタ−ンの中心線を制御演算回路
6で計算し求めそのデ−タを記憶装置9に記億させるこ
とにより、表示器8の投影パタ−ンの表示画像は、その
中心線に基づく画像が得られる。
In this embodiment, the photodetector 7 detects the transmitted light from the mask pattern in a non-imaging state.
The projection pattern becomes a blurred image on the photodetector 7.
However, as will be described later, the center line of the pattern is calculated by the control arithmetic circuit 6 and the data is stored in the storage device 9, so that the display image of the projected pattern on the display 8 is the center of the pattern. A line-based image is obtained.

【0014】図2(A)は上述したマスク板4の構成を
示すものでマスク板4は液晶素子で構成されている。マ
スク板42は、長さXの太い直線部Aと長さXの細い直線B
が交点Cで角度θで交わるように構成されたパターン電
極41、及び、このパターン電極41よりその大きさは小さ
いが相似形を有するパターン電極42を前面に有してい
る。パターン電極41は切換手段であるスイッチ71のa側
接点に電気接続されており、他方パターン電極42はスイ
ッチ71のb側接点に電気接続されている。液晶素子から
成るマスク板4の裏面には共通電極43が設けられ、共通
電極43は駆動回路7の直流電源72の(+)側に接続されて
いる。電源72の(−)側はスイッチ71の可動接片dに接続
されている。スチッチ71の切換は制御演算回路6からの
制御信号sでおこなわれる。さらに、マスク板4の裏面
には図中斜線で示すようにパターン電極41,42の部分以
外は光を遮光するようにパターン電極41,42と同一形状
の開口を有する遮光板44が密着されている。このように
パターン電極41,42がマスクパターンP1またはP2(測
定視標)を駆動し被検レンズLからの光を選択透過す
る。
FIG. 2A shows the structure of the mask plate 4 described above. The mask plate 4 is composed of liquid crystal elements. The mask plate 42 has a thick straight line portion A of length X and a thin straight line B of length X.
Has a pattern electrode 41 configured to intersect at an angle θ at an intersection point C, and a pattern electrode 42 having a similar shape but smaller in size than the pattern electrode 41 on the front surface. The pattern electrode 41 is electrically connected to the a-side contact of the switch 71 which is the switching means, while the pattern electrode 42 is electrically connected to the b-side contact of the switch 71. A common electrode 43 is provided on the back surface of the mask plate 4 made of a liquid crystal element, and the common electrode 43 is connected to the (+) side of the DC power source 72 of the drive circuit 7. The (−) side of the power source 72 is connected to the movable contact piece d of the switch 71. The switching of the switch 71 is performed by the control signal s from the control arithmetic circuit 6. Further, on the back surface of the mask plate 4, a light-shielding plate 44 having an opening of the same shape as the pattern electrodes 41, 42 is provided so as to shield light except for the portions of the pattern electrodes 41, 42 as shown by the shaded areas in the figure. There is. In this way, the pattern electrodes 41 and 42 drive the mask pattern P 1 or P 2 (measurement target) to selectively transmit the light from the lens L to be inspected.

【0015】今、図2(A)に示すようにチイッチ71のa
側点が閉成されているとマスクパターンP1のみが被検
レンズLからの光束を透過しエリアCCD5にその透過光
束を投影する。エリアCCD5は図2(B)に示すように投影
パターンP´1を検出し、制御演算回路は投影パターンP
´1の直線A´、B´の長さX ´、X ´及びθ´から被検
レンズLの屈折特性を計算し、これを求める。この計算
方法については、前述の特開昭57−29923号に詳述した
ので参照されたい。
Now, as shown in FIG. 2 (A), a
When the side points are closed, only the mask pattern P 1 transmits the light flux from the lens L to be tested and projects the transmitted light flux onto the area CCD 5. The area CCD 5 detects the projection pattern P ′ 1 as shown in FIG.
The refraction characteristics of the lens L to be measured are calculated from the lengths X ′, X ′ and θ ′ of the straight lines A ′, B ′ of ‘ 1 ’ and found. The calculation method is described in detail in the above-mentioned JP-A-57-29923, so please refer to it.

【0016】スイッチ71をb側接点に切換えればマスク
パターンP2からのみ被検レンズ通過光を選択透過でき、
狭い被測定領域の屈折特性がマスタパターンP1のとき同
様に測定できる。
If the switch 71 is switched to the b-side contact, the light passing through the lens under test can be selectively transmitted only from the mask pattern P2.
The same measurement can be performed when the refraction characteristics of the narrow measured region are the master pattern P 1 .

【0017】図3はマスク板4に形成されるマスクパタ
ーン(測定視標)の他の例を示すもので、マスクパター
ンP1(測定視標)は一本線の直線部101、二本線の直線
部102、及び三本線の直線部103とが三つの交点104,105,
106をもつように構成されている。マスクパターン P
2(測定視標)はマスクパターンP1と同一構成で相似形
をなし、その大きさが小さくされている点は図2(A)の
場合と同じである。この図3の構成によればその投影パ
ターンP1´をエリアCCD5を走査することにより1つの
直線投影パターンにつき少なくとも2点が検出できれ
ば、即ち、直線部101については点101a,101b、直線部10
2については点102a,102b、直線部103については点103a,
103bが検出できれば、各直線101,102,103の投影パター
ンの直線方程式が決定でき、この三つの直線方程式から
投影パターンP1´の交点位置が決定できるため、直線10
1と102の投影パターンのそれぞれの長さ及び交差角を知
ることができる。
FIG. 3 shows another example of the mask pattern (measurement target) formed on the mask plate 4. The mask pattern P 1 (measurement target) is a straight line portion 101 of one line and a straight line of two lines. The part 102 and the straight line part 103 of the three main lines have three intersections 104, 105,
Configured to have 106. Mask pattern P
2 (measurement target) has the same structure as the mask pattern P 1 and has a similar shape, and the size thereof is reduced as in the case of FIG. 2 (A). According to the configuration of FIG. 3, if at least two points can be detected for one straight line projection pattern by scanning the area CCD 5 with the projection pattern P 1 ′, that is, for the straight line portion 101, the points 101a and 101b and the straight line portion 10 can be detected.
2, points 102a and 102b, and straight line portion 103, points 103a and 102b.
If 103b can be detected, the straight line equation of the projection pattern of each straight line 101, 102, 103 can be determined, and the intersection point position of the projection pattern P 1 ′ can be determined from these three straight line equations.
The length and crossing angle of each of the projected patterns 1 and 102 can be known.

【0018】図4は、マスク板4のマスクパターンP1
P2(測定視標)の他の例を示すものでマスクパターンP1
は4本の直線201,202,203及び204が4つの仮想交点Q,
U,V及びWをもつように構成されている。マスタパタ
ーンP2はP1と同一構成で相似形をなし、その大きさが小
さい。この例では、図3の例と同様に投影パターンの各
投影直線上の少なくとも2点の座標を知ることにより、
各投影直線の直線方程式を知り、投影パターンの交点U
´,V´,W´,Q´の座標を知ることができる。
FIG. 4 shows the mask pattern P 1 of the mask plate 4,
Another example of P 2 (measurement target) is a mask pattern P 1
Is four straight lines 201, 202, 203 and 204 which are four virtual intersections Q,
It is configured to have U, V and W. The master pattern P 2 has the same structure as P 1 and has a similar shape, and its size is small. In this example, as in the example of FIG. 3, by knowing the coordinates of at least two points on each projection line of the projection pattern,
Knowing the linear equation of each projected line, the intersection U of the projected patterns
The coordinates of ', V', W ', and Q'can be known.

【0019】マスクパターンの仮想交点Q,U,V,W
から投影パターンの仮想交差Q´,U´,V´,W´へ
の変化から被検レンズの屈折特性をもとめる。この屈折
特性の求め方は、本出願人が先に出願した特開昭57−19
9933号公報に詳述されているのでそれを参照されたい。
Virtual intersection points Q, U, V, W of the mask pattern
From the virtual crossing Q ', U', V ', W'of the projection pattern to obtain the refraction characteristics of the lens to be inspected. The method for obtaining the refractive property is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-19
Please refer to it because it is described in detail in the 9933 publication.

【0020】図5はマスク板4のマスクパターン(測定
視標)のさらに他の構成を示すものでマスクパターンP1
(測定視標)は大きい円環状をなしマスクパターンP
2(測定視標)はP1と同心の小さい円環状を成してい
る。この円環状パターンP1またはP2で選択透過された被
検レンズからの光は、エリアCCD5上に被検レンズLが乱
視であれば楕円として投影される。この楕円投影パター
ン上の少なくとも5点の座標を検出すれば被検レンズL
の屈折特性をもとめることができる。この求め方は前述
の特開昭57−29923号公報に開示したのでそれを参照さ
れたい。
FIG. 5 shows still another structure of the mask pattern (measurement target) of the mask plate 4, which is a mask pattern P 1
(Measurement target) has a large annular shape and mask pattern P
2 (Measurement target) is a small circular ring concentric with P 1 . The light from the lens to be inspected that is selectively transmitted by the annular pattern P 1 or P 2 is projected as an ellipse on the area CCD 5 if the lens to be inspected L is astigmatic. If the coordinates of at least five points on this elliptical projection pattern are detected, the lens L
It is possible to obtain the refraction characteristics of. The method for obtaining this is disclosed in the above-mentioned JP-A-57-29923, so please refer to it.

【0021】以上、説明したように、マスク板4を液晶
素子で構成しそのパターン電極の形状でマスクパターン
を特定することによりパターン電極への通電選択でマス
クパターンの選択ができる。なお、本実施例ではマスク
パターンは大小2つとしたが、これに限らず、3つある
いは4つと必要に応じてその数を増減してもよい。
As described above, by configuring the mask plate 4 with a liquid crystal element and specifying the mask pattern by the shape of the pattern electrode, the mask pattern can be selected by electrifying the pattern electrode. In this embodiment, the number of mask patterns is two, but the number is not limited to this, and the number may be increased or decreased to three or four as needed.

【0022】[第2実施例]図6(A)及び図6(B)は本発明
の第2実施例を示すもので、マスク板4をマスクパター
ン板301と液晶シャッター板302とから構成した例であ
る。 マスクパターン板301は、上述した光透過マスク
パターンP1及びP2(測定視標)をガラス基板303の一面
上にアルミ真空蒸着により形成したものである。液晶シ
ャッター板302はガラス基板303の他面側に設けられてい
て、この液晶シャッター302の両面にはマスクパターンP
1に対応したシャッター電極 311とマスクパターンP2
対応したシャッター電極 312が形成されている。シャッ
ター電極311はスイッチ71のa側接点に、シャッター電極
312はスイッチ71のb側接点に各々電気接続されてい
る。
[Second Embodiment] FIGS. 6A and 6B show a second embodiment of the present invention. The mask plate 4 is composed of a mask pattern plate 301 and a liquid crystal shutter plate 302. Here is an example. The mask pattern plate 301 is formed by forming the above-described light-transmitting mask patterns P 1 and P 2 (measurement targets) on one surface of the glass substrate 303 by vacuum aluminum vapor deposition. The liquid crystal shutter plate 302 is provided on the other surface side of the glass substrate 303, and the mask pattern P is provided on both surfaces of the liquid crystal shutter 302.
A shutter electrode 311 corresponding to 1 and a shutter electrode 312 corresponding to the mask pattern P 2 are formed. The shutter electrode 311 is connected to the a-side contact of the switch 71, and the shutter electrode
312 are electrically connected to the b-side contacts of the switch 71, respectively.

【0023】この構成によりスイッチ71を切換えること
によりマスクパターンP1,P2を択一的に選び被検レンズ
通過光をエリアCCD5とに選択投影する。
With this configuration, by switching the switch 71, the mask patterns P 1 and P 2 are selectively selected and the light passing through the lens to be tested is selectively projected onto the area CCD 5.

【0024】本実施例はマスクパターンが例えば図3の
ように複雑な場合、マスクパターンをパターン電極で形
成するのが難しい場合有用である。
This embodiment is useful when the mask pattern is complicated as shown in FIG. 3 and it is difficult to form the mask pattern with the pattern electrodes.

【0025】[第3実施例]図7、図8(A)及び図8(B)は
本発明の第3実施例を示すものである。
[Third Embodiment] FIGS. 7, 8A and 8B show a third embodiment of the present invention.

【0026】レンズ受台3には、選択遮光板241を有す
る補助レンズ受台240が脱着可能に嵌着される。この補
助レンズ受台240はマスク板4のマスクパターン(測定
視標)に応じて複数個用意される。1つの補助レンズ受
台の遮光板241aは、図8(A)に斜線で示すように、ガラ
ス基板上に外側にアルミ真空蒸着で環状に形成した遮光
部242を有する。この遮光部242は大きいマスクパターン
P1(測定視標)へ向う被検レンズ通過光束PXaを遮光し
得るように形成されている。
An auxiliary lens pedestal 240 having a selective light shielding plate 241 is detachably fitted to the lens pedestal 3. A plurality of auxiliary lens pedestals 240 are prepared according to the mask pattern (measurement target) of the mask plate 4. A light-shielding plate 241a of one auxiliary lens pedestal has a light-shielding portion 242 formed on the outside of a glass substrate in an annular shape by aluminum vacuum deposition, as shown by the hatched lines in FIG. 8 (A). This light shield 242 has a large mask pattern
It is formed so as to block the light flux PXa passing through the lens to be examined toward P 1 (measurement target).

【0027】他方の補助レンズ受台(図示せず)の遮光板
241bは、図8(B)に斜線で示すように、ガラス基板の内
面上にアルミ真空蒸着により形成した円形状の遮光部24
3を有する。この遮光部243は小さいマスクパターンP
2(測定視標)へ向う被検レンズ通過光PXbを遮光し得る
様に形成されている。
Light-shielding plate for the other auxiliary lens pedestal (not shown)
241b is a circular light-shielding portion 24 formed by vacuum aluminum vapor deposition on the inner surface of the glass substrate, as indicated by the diagonal lines in FIG. 8 (B).
Having 3. This light shielding portion 243 has a small mask pattern P
2 It is formed so as to block the light PXb passing through the lens to be measured, which goes to 2 (measurement target).

【0028】この構成により複数の補助レンズ受台40を
択一にレンズ受台3に挿着することにより、マスク板4
の複数のマスクパターンのいずれか1つのマスクパター
ンのみに被検レンズLから通過光を導びくことができ
る。
With this structure, a plurality of auxiliary lens pedestals 40 are selectively inserted into the lens pedestal 3 to provide the mask plate 4
The passing light can be guided from the lens L to be tested to only one of the plurality of mask patterns.

【0029】[第4実施例]図9(A)及び図9(B)は本発明
の第4実施例を示すもので、図9(A)に示すように光源
を互いに異なる発光波長を有する2つの光源1a,及び1b
で構成し、コリメーターレンズ2の前方に光源1aからの
光を反射し、光源1bからの光を透過する波長選択特性を
もつハーフミラー400が配置されている。この光源1a,1
b、ハーフミラー400、コリメータレンズ2等は、測定視
標を検出素子5に投影する視標投影手段Aを構成してい
る。
[Fourth Embodiment] FIGS. 9 (A) and 9 (B) show a fourth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 9 (A), the light sources have different emission wavelengths. Two light sources 1a and 1b
A half mirror 400 having a wavelength selection characteristic that reflects the light from the light source 1a and transmits the light from the light source 1b is arranged in front of the collimator lens 2. This light source 1a, 1
The b, the half mirror 400, the collimator lens 2 and the like constitute a target projection unit A that projects the measurement target onto the detection element 5.

【0030】一方、マスク板4は、図9(B)に示すよう
にそのマスクパターンP1,P2(測定視標)を波長選択透
過型のフィルターで構成し大きいマスクパターンP1は光
源1bかにの光のみを透過でき、小さいマスクパターンP2
は光源1aからの光のみを透過できるように構成されてい
る。なお、斜線をほどこしていない401部分は当然に光
源1a,1bの両方の光を遮光する。
On the other hand, in the mask plate 4, as shown in FIG. 9B, the mask patterns P 1 and P 2 (measurement targets) are constituted by wavelength selective transmission type filters, and the large mask pattern P 1 is the light source 1b. A small mask pattern P 2 that can only transmit light from the crab
Is configured so that only light from the light source 1a can be transmitted. It should be noted that the 401 portion, which is not shaded, naturally blocks both light from the light sources 1a and 1b.

【0031】しかも、スイッチ71を切換えることにより
光源1a,1bが選択的に発光されマスクパターン P1, P2
のいずれかを被検レンズLからの光が通過し、エリアCC
D5に投影されることとなる。
Moreover, by switching the switch 71, the light sources 1a and 1b are selectively emitted, and the mask patterns P 1 and P 2 are emitted.
Light from the lens to be inspected L passes through either of the
It will be projected on D5.

【0032】[第5実施例]図10に示す本発明の図5実施
例はレンズ受台3とマスク板4(測定視標)の間にリレ
ーレンズ500を配置したもので、本実施例によればマス
ク板4及びエリアCCD5がリレーレンズ500によりその光
学的共役位置4´,5´に位置するように作用する。
[Fifth Embodiment] A fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 10 is one in which a relay lens 500 is arranged between the lens holder 3 and the mask plate 4 (measurement target). According to this, the mask plate 4 and the area CCD 5 are actuated by the relay lens 500 so as to be located at their optical conjugate positions 4'and 5 '.

【0033】[0033]

【効果】この発明は、以上説明したように、測定視標を
光検出手段上に投影するための視標投影手段を有するレ
ンズメーターにおいて、前記光検出手段上に投影されて
いる測定視標を識別させる識別手段を設けた構成とした
ので、光検出手段上に投影されている測定視標の種類又
は形状等が「多重焦点レンズの小玉や、累進多進点レン
ズの近用指定部あるいはソフトコンタクトレンズまたは
累進コンタクトレンズ等の視標であるか、或は普通の被
検レンズの測定視標であるか等」を知ることができ、測
定作業をより容易に進めることができる。
As described above, according to the present invention, in the lens meter having the target projecting means for projecting the measuring target onto the light detecting means, the measuring target projected onto the light detecting means is measured. Since the identification means for distinguishing is provided, the type or shape of the measurement target projected on the light detection means can be changed to “a small lens of a multifocal lens or a near-use designation part or software of a progressive multi-point lens. It is possible to know whether the target is a visual target such as a contact lens or a progressive contact lens, or a standard visual target for a lens to be inspected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のオートレンズメーターの第1の実施例
を示す光学配置図である。
FIG. 1 is an optical layout diagram showing a first embodiment of an auto lens meter of the present invention.

【図2】(A)は第1実施例のマスク板4の構成を示す平
面図、(B)は検出手段上の投影パターンの一例を示す図
である。
2A is a plan view showing a configuration of a mask plate 4 of the first embodiment, and FIG. 2B is a view showing an example of a projection pattern on a detecting means.

【図3】マスクパターンの他の例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing another example of a mask pattern.

【図4】マスクパターンのさらに他の例を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing still another example of a mask pattern.

【図5】マスクパターンのさらに他の例を示す図であ
る。
FIG. 5 is a diagram showing still another example of a mask pattern.

【図6】(A)は本発明の第2の実施例であるマスク板の
構成を示す平面図、(B)はその縦正中断面図である。
FIG. 6A is a plan view showing the structure of a mask plate according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a vertical mid-sectional view thereof.

【図7】本発明の第3実施例を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a third embodiment of the present invention.

【図8】(A)及び(B)は第3実施例の遮光板の構成を示す
平面図である。
FIG. 8A and FIG. 8B are plan views showing the configuration of the light shielding plate of the third embodiment.

【図9】(A)は本発明の第4実施例を示す光学配置図、
(B)は第4実施例のマスク板の構成を示す図である。
FIG. 9A is an optical layout diagram showing a fourth embodiment of the present invention,
(B) is a diagram showing a configuration of a mask plate of the fourth embodiment.

【図10】本発明の第5実施例を示す光学配置図であ
る。
FIG. 10 is an optical layout diagram showing a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a,1b…光源 2…コリメーターレンズ 3…レンズ受台 4…マスク板(測定視標) 5…検出器(光検出手段) 41,42…パターン電極 40…補助レンズ受台 71…スイッチ 242,243…遮光部 302…液晶シャッター L…被検レンズ P1,P2…マスクパターン(測定視標)1, 1a, 1b ... Light source 2 ... Collimator lens 3 ... Lens pedestal 4 ... Mask plate (measurement target) 5 ... Detector (light detection means) 41, 42 ... Pattern electrode 40 ... Auxiliary lens pedestal 71 ... Switch 242, 243 ... light shield portion 302 ... liquid crystal shutter L ... test lens P 1, P 2 ... mask pattern (measured optotypes)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 測定視標を光検出手段上に投影するため
の視標投影手段を有するレンズメーターにおいて、 前記光検出手段上に投影されている測定視標を識別させ
る識別手段を設けたことを特徴とするレンズメーター。
1. A lens meter having an optotype projecting means for projecting a measurement optotype onto a light detection means, wherein an identification means for identifying the measurement optotype projected onto the photodetection means is provided. Lens meter characterized by.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5872625A (en) * 1997-05-09 1999-02-16 Nidek Co., Ltd. Apparatus for measuring an optical characteristic of an examined lens
US5896194A (en) * 1996-12-20 1999-04-20 Kabushiki Kaisha Topcon Lens meter
US5910836A (en) * 1996-09-30 1999-06-08 Kabushiki Kaisha Topcon Lens meter
JP2002181664A (en) * 2000-12-15 2002-06-26 Tomey Corp Automatic lens meter
CN1325894C (en) * 2001-10-01 2007-07-11 株式会社拓普康 Lens tester

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5894831A (en) * 1981-11-23 1983-06-06 エシロ−ル・アンテルナシオナル(コンパニイ・ジエネラル・ドプテイク) Method and apparatus for automatically measuring refractive index of degree of human abnormal sight eye

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5894831A (en) * 1981-11-23 1983-06-06 エシロ−ル・アンテルナシオナル(コンパニイ・ジエネラル・ドプテイク) Method and apparatus for automatically measuring refractive index of degree of human abnormal sight eye

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5910836A (en) * 1996-09-30 1999-06-08 Kabushiki Kaisha Topcon Lens meter
US6236453B1 (en) * 1996-09-30 2001-05-22 Kabushiki Kaisha Topcon Lens meter
US5896194A (en) * 1996-12-20 1999-04-20 Kabushiki Kaisha Topcon Lens meter
US5872625A (en) * 1997-05-09 1999-02-16 Nidek Co., Ltd. Apparatus for measuring an optical characteristic of an examined lens
JP2002181664A (en) * 2000-12-15 2002-06-26 Tomey Corp Automatic lens meter
JP4503169B2 (en) * 2000-12-15 2010-07-14 株式会社トーメーコーポレーション Auto lens meter
CN1325894C (en) * 2001-10-01 2007-07-11 株式会社拓普康 Lens tester

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