JPH06183165A - Metal mask and production thereof - Google Patents

Metal mask and production thereof

Info

Publication number
JPH06183165A
JPH06183165A JP33905892A JP33905892A JPH06183165A JP H06183165 A JPH06183165 A JP H06183165A JP 33905892 A JP33905892 A JP 33905892A JP 33905892 A JP33905892 A JP 33905892A JP H06183165 A JPH06183165 A JP H06183165A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal mask
conductive film
wiring board
film
printed wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP33905892A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuo Moriya
康雄 森谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP33905892A priority Critical patent/JPH06183165A/en
Publication of JPH06183165A publication Critical patent/JPH06183165A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To enhance abrasion resistance, sliding properties and washing properties, to prevent the generation of static electricity and to enhance the passing properties of solder paste through fine opening parts in a metal mask used when solder paste for bonding the wirings and the external leads of elements formed on a printed wiring board is selectively applied to the printed wiring board. CONSTITUTION:In the metal mask 11 superposed on a printed wiring board 16 and selectively applying a proper amt. of solder pastes 17a, 17b to the printed wiring board 16, a plate-shaped conductive substrate 12, the opening parts 15a, 15b formed to the substrate 12 and filled with the solder pastes 17a, 17b and permitting the pastes to pass and a conductive film 14 containing particles of a resin having water repellency in a dispersed state and applied to at least the surface contact with the printed wiring board 16 of the mask are included.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はメタルマスク及びその製
造方法に関し、より詳しくは、プリント配線基板に形成
されている配線と素子の外部リード等とを接着するため
の半田ペーストをプリント基板上に選択塗布する等の際
用いられるメタルマスク及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metal mask and a method of manufacturing the same, and more specifically, a solder paste for bonding wiring formed on a printed wiring board and external leads of an element to the printed wiring board. The present invention relates to a metal mask used for selective coating and the like and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】プリント配線基板に半導体装置を搭載す
る際、プリント配線基板に形成された配線と半導体装置
の外部リードとがボンディングによる圧着や半田による
接着等により接続される。特に、半田による接着を行う
場合には、従来、多数箇所に一定量の半田ペーストを一
度に塗布することができるメタルマスクが用いられてい
る。
2. Description of the Related Art When a semiconductor device is mounted on a printed wiring board, the wiring formed on the printed wiring board and the external leads of the semiconductor device are connected to each other by pressure bonding by bonding or adhesion by soldering. In particular, when bonding with solder, a metal mask that can apply a fixed amount of solder paste to a large number of places at once has been used.

【0003】近年、半導体装置の小型化に伴い、微細箇
所に選択的に半田ペーストを塗布する必要がある。従っ
て、半田ペーストが収まるメタルマスクの開口部も微細
化されてきており、半田ペーストの抜け性が問題とな
る。また、半田ペースト塗布後に、メタルマスクを再使
用するため、半田ペーストが付着したメタルマスクの洗
浄を行っているが、容易に半田ペーストが除去される必
要がある。
With the recent miniaturization of semiconductor devices, it is necessary to selectively apply a solder paste to a fine portion. Therefore, the opening of the metal mask in which the solder paste is accommodated has been miniaturized, and the detachability of the solder paste becomes a problem. Further, since the metal mask is reused after the application of the solder paste, the metal mask to which the solder paste is attached is cleaned, but the solder paste needs to be easily removed.

【0004】図11(a)は、第1の従来例のメタルマ
スクの断面図で、図中符号1はステンレス又はニッケル
からなるメタルマスクで、プリント配線基板3の所定の
位置に塗布すべき半田ペースト4a,4bが通過する開
口部2a,2bが形成されている。
FIG. 11A is a sectional view of a metal mask of the first conventional example, in which reference numeral 1 is a metal mask made of stainless steel or nickel, which is a solder to be applied to a predetermined position of the printed wiring board 3. Openings 2a and 2b through which the pastes 4a and 4b pass are formed.

【0005】プリント配線基板3に半田ペーストを塗布
する場合、メタルマスク1をプリント配線基板3に重ね
た状態で、半田ペーストをメタルマスク1の片面に載
せ、不図示のスキージによりメタルマスク1面を強く押
さえて半田ペーストを巻き込みながら移動することによ
り、半田ペーストを開口部2a,2bに埋め込む。続い
て、メタルマスク1を取り除くと、半田ペースト4a,
4bが開口部2a,2bを通過し、プリント配線基板3
上の所定の箇所に一定量の半田ペースト4a,4bが形
成される。
When the solder paste is applied to the printed wiring board 3, the solder paste is placed on one surface of the metal mask 1 with the metal mask 1 superposed on the printed wiring board 3, and the surface of the metal mask 1 is covered by a squeegee (not shown). The solder paste is embedded in the openings 2a and 2b by strongly pressing and moving while winding the solder paste. Subsequently, when the metal mask 1 is removed, the solder paste 4a,
4b passes through the openings 2a and 2b, and the printed wiring board 3
A certain amount of solder paste 4a, 4b is formed at a predetermined position above.

【0006】その後、メタルマスク1を再使用するた
め、半田ペーストの塗布後にフロン系の洗浄剤により、
半田ペーストが付着したメタルマスク1の洗浄を行う。
また、第2の従来例として、半田ペースト塗布の用途と
は異なるが、図11(b)に示すように、印刷箇所の微
細化に対処すべく、開口部8a,8bを通過し、印刷基
板9上に達したインク10a,10bの滲みを少なくするた
め、撥水性を有する樹脂膜7、例えばポリテトラフロロ
エチレン(PTFE)やシリコン等の樹脂膜7をマスク
基体6の当接面に形成したメタルマスク5が知られてい
る(特開昭56−67985号公報を参照)。
After that, in order to reuse the metal mask 1, a fluorocarbon-based cleaning agent is used after applying the solder paste.
The metal mask 1 to which the solder paste is attached is washed.
In addition, as a second conventional example, although different from the application of solder paste application, as shown in FIG. 11B, in order to cope with the miniaturization of the printed portion, the printed board is passed through the openings 8a and 8b. In order to reduce the bleeding of the ink 10a, 10b that has reached the upper surface 9, a resin film 7 having water repellency, for example, a resin film 7 of polytetrafluoroethylene (PTFE) or silicon is formed on the contact surface of the mask substrate 6. A metal mask 5 is known (see JP-A-56-67985).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、第1
の従来例のメタルマスク1を洗浄する際、環境破壊を防
止するため、フロン系の洗浄剤を用いずに、イソプロピ
ルアルコールや水等フロン系の洗浄剤以外の洗浄剤を用
いるようになってきている。しかし、メタルマスク1に
よれば、フロン系の洗浄剤以外の洗浄剤ではメタルマス
ク1に付着した半田ペーストが除去しにくく、洗浄に長
時間を要するという問題がある。
By the way, in recent years, the first
In order to prevent environmental damage when cleaning the metal mask 1 of the related art, cleaning agents other than freon-based cleaning agents such as isopropyl alcohol and water have come to be used instead of freon-based cleaning agents. There is. However, according to the metal mask 1, it is difficult to remove the solder paste adhering to the metal mask 1 with a cleaning agent other than a CFC-based cleaning agent, and there is a problem that cleaning takes a long time.

【0008】しかし、また、第2の従来例と同じ構成の
メタルマスク5を用いた場合は、洗浄時に半田ペースト
は除去しやすくなるが、非導電性を有する樹脂膜7の存
在により、当接した状態での摺動により静電気が生じ、
塵等が付着する場合がある。このため、開口部8a又は
8bが塞がれ、半田ペーストがプリント配線基板上に正
常に形成されないという問題がある。また、上記の樹脂
膜7は表面硬度が十分でなく、プリント配線基板と当接
した状態での摺動により、樹脂膜7が磨耗するという問
題もある。
However, when the metal mask 5 having the same structure as the second conventional example is used, the solder paste is easily removed during cleaning, but the presence of the non-conductive resin film 7 causes the contact. Static electricity is generated by sliding in the
Dust may adhere. Therefore, there is a problem that the opening 8a or 8b is closed and the solder paste is not normally formed on the printed wiring board. Further, the surface hardness of the resin film 7 is not sufficient, and there is a problem that the resin film 7 is worn due to sliding in contact with the printed wiring board.

【0009】更に、上記両方のメタルマスク1,5とも
に、開口部2a,2b/8a,8bが微細化された場合
に、半田ペーストを開口部2a,2b/8a,8bに埋
め込んだ後、メタルマスク1,5を取り除く際、メタル
マスク1,5と開口部2a,2b/8a,8b内に埋め
込まれた半田ペーストとの剥離が難しくなる、即ち半田
ペーストの抜け性が悪化するという問題もある。
Further, in both of the above metal masks 1 and 5, when the openings 2a, 2b / 8a and 8b are miniaturized, after the solder paste is embedded in the openings 2a, 2b / 8a and 8b, the metal is removed. When removing the masks 1 and 5, it is difficult to separate the metal masks 1 and 5 from the solder paste embedded in the openings 2a, 2b / 8a and 8b, that is, there is a problem that the detachability of the solder paste is deteriorated. .

【0010】本発明は、係る従来例の問題点に鑑みて創
作されたものであり、耐磨耗性,摺動性及び洗浄性を向
上させるとともに、静電気の発生を防止し、また微細化
された開口部からの半田ペーストの抜け性の向上を図る
ことが可能なメタルマスクの提供を目的とするものであ
る。
The present invention was created in view of the problems of the conventional example, and improves abrasion resistance, slidability, and cleanability, prevents generation of static electricity, and is miniaturized. Another object of the present invention is to provide a metal mask capable of improving the detachability of the solder paste from the opening.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題は、第1に、プ
リント配線基板に重ね、該プリント配線基板上に適量の
半田ペーストを選択的に塗布形成するメタルマスクにお
いて、板状の導電性の基体と、該基体に形成され、前記
半田ペーストを埋め込み、通過させる開口部と、撥水性
を有する樹脂からなる粒子が分散して含有され、少なく
とも前記プリント配線基板と当接する面に被覆された導
電性膜とを有するメタルマスクによって達成され、第2
に、前記導電性膜は、前記プリント配線基板と当接する
面及び前記開口部内の側壁に被覆されていることを特徴
とする第1の発明に記載のメタルマスクによって達成さ
れ、第3に、前記導電性膜は、前記プリント配線基板と
当接する面,前記開口部内の側壁及び前記プリント配線
基板と当接しない面に被覆されていることを特徴とする
第1の発明に記載のメタルマスクによって達成され、第
4に、前記基体はステンレス板又はニッケル板であるこ
とを特徴とする第1乃至第3の発明のいずれかに記載の
メタルマスクによって達成され、第5に、前記導電性膜
はニッケルを主成分とする導電性膜であることを特徴と
する第1乃至第4の発明のいずれかに記載のメタルマス
クによって達成され、第6に、前記導電性膜は前記撥水
性を有する樹脂からなる粒子のほかにリンが含有され
た、ニッケルを主成分とする導電性膜であることを特徴
とする第5の発明に記載のメタルマスクによって達成さ
れ、第7に、前記撥水性を有する樹脂はシリコン樹脂又
はフッ素樹脂であることを特徴とする第1乃至第6の発
明のいずれかに記載のメタルマスクによって達成され、
第8に、前記撥水性を有する樹脂からなる粒子の前記導
電性膜中の含有率は30vol(ボリュウム) %以下で
あることを特徴とする第1乃至第7の発明のいずれかに
記載のメタルマスクによって達成され、第9に、前記基
体と前記導電性膜との間に密着強化膜が介在することを
特徴とする第1乃至第8の発明のいずれかに記載のメタ
ルマスクによって達成され、第10に、前記密着強化膜
はニッケルを主成分とすることを特徴とする第9の発明
に記載のメタルマスクによって達成され、第11に、第
1乃至第10の発明のいずれかに記載の導電性膜を、前
記撥水性を有する樹脂からなる粒子及び導電性物質を少
なくとも含有するメッキ液を用いた無電解メッキにより
形成することを特徴とするメタルマスクの製造方法によ
って達成され、第12に、前記導電性膜を、前記撥水性
を有する樹脂からなる粒子,導電性物質及び前記導電性
膜の硬化促進作用を有する添加物を含有するメッキ液を
用いた無電解メッキにより形成することを特徴とする第
11の発明に記載のメタルマスクの製造方法によって達
成され、第13に、第1乃至第10の発明のいずれかに
記載の導電性膜を、前記撥水性を有する樹脂からなる粒
子及び導電性物質を少なくとも含有するペーストを塗布
することにより形成することを特徴とするメタルマスク
の製造方法によって達成され、第14に、前記導電性膜
を、前記撥水性を有する樹脂からなる粒子,導電性物質
及び前記導電性膜の硬化促進作用を有する添加物を含有
するペーストを塗布することにより形成することを特徴
とする第13の発明に記載のメタルマスクの製造方法に
よって達成される。
The above-mentioned problems are as follows. First, in a metal mask which is superposed on a printed wiring board and selectively formed with an appropriate amount of solder paste on the printed wiring board, a plate-shaped conductive mask is used. A base material, an opening formed in the base material for embedding and passing the solder paste, and particles of a resin having water repellency dispersed therein, and at least a surface contacting the printed wiring board is coated with a conductive material. A metal mask having a conductive film and a second
In the third aspect, the conductive film is achieved by the metal mask according to the first aspect of the invention, wherein the surface that contacts the printed wiring board and the side wall inside the opening are covered. The conductive film is coated on the surface that contacts the printed wiring board, the sidewall in the opening, and the surface that does not contact the printed wiring board, by the metal mask according to the first invention. Fourthly, it is achieved by the metal mask according to any one of the first to third inventions, wherein the base is a stainless steel plate or a nickel plate, and fifthly, the conductive film is nickel. And a metal mask according to any one of the first to fourth aspects of the present invention. Sixth, the conductive film is a resin having water repellency. And a water-repellent resin, which is achieved by the metal mask according to the fifth aspect of the invention, which is a conductive film containing nickel as a main component and containing phosphorus in addition to Is achieved by the metal mask according to any one of the first to sixth inventions, which is silicon resin or fluororesin,
Eighth, the content of the particles made of the water-repellent resin in the conductive film is 30 vol% or less, and the metal according to any one of the first to seventh inventions. A ninth aspect of the present invention is achieved by a mask, and a ninth aspect is achieved by the metal mask according to any one of the first to eighth inventions, wherein an adhesion enhancing film is interposed between the base and the conductive film. Tenth, the adhesion enhancing film is achieved by the metal mask according to the ninth invention, characterized in that nickel is the main component, and eleventh, according to any one of the first to tenth inventions. A conductive film is formed by electroless plating using a plating liquid containing at least particles of a resin having water repellency and a conductive substance, and a method of manufacturing a metal mask, comprising: 2. Forming the conductive film by electroless plating using a plating solution containing particles made of the resin having water repellency, a conductive substance, and an additive having a function of promoting hardening of the conductive film. And a conductive film according to any one of the first to tenth inventions, which is made of the resin having water repellency. The present invention is achieved by a method for producing a metal mask, which is characterized in that it is formed by applying a paste containing at least particles and a conductive substance. Fourteenth, the conductive film is formed of the resin having water repellency. The metal mask according to the thirteenth invention, which is formed by applying a paste containing a conductive substance and an additive having a curing-accelerating action on the conductive film. This is achieved by the manufacturing method of the disc.

【0012】[0012]

【作用】本発明のメタルマスクによれば、メタルマスク
の当接面を被覆する導電性膜中に撥水性を有する樹脂、
例えばシリコン樹脂又はフッ素樹脂の粒子が分散されて
含有されているので、当接面には常に樹脂粒子が表出
し、かつ摺動による当接面が磨耗した場合でも常に新し
い樹脂粒子が表出する。このため、樹脂粒子の作用によ
るメタルマスクの当接面の滑りやすい性質を維持するこ
とができるので、良好な摺動性を保持することができ
る。
According to the metal mask of the present invention, a resin having water repellency in the conductive film covering the contact surface of the metal mask,
For example, since particles of silicon resin or fluororesin are dispersed and contained, resin particles always appear on the contact surface, and new resin particles always appear even when the contact surface is worn due to sliding. . Therefore, it is possible to maintain the slippery nature of the contact surface of the metal mask due to the action of the resin particles, and it is possible to maintain good slidability.

【0013】また、開口部内の側壁に撥水性を有する樹
脂粒子を含む導電性膜が被覆されることにより、開口部
内で半田ペーストと該導電性膜とが直接接触する。この
ため、該導電性膜表面に露出した撥水性を有する樹脂粒
子の作用により、半田ペーストはメタルマスクから剥離
し易くなる。従って、微細化された開口部からの半田ペ
ーストの抜け性の向上を図ることができる。
Further, the side wall in the opening is covered with the conductive film containing the resin particles having water repellency, so that the solder paste and the conductive film are in direct contact with each other in the opening. Therefore, the solder paste is easily separated from the metal mask due to the action of the water-repellent resin particles exposed on the surface of the conductive film. Therefore, the detachability of the solder paste from the miniaturized opening can be improved.

【0014】更に、メタルマスクの当接面,開口部内の
側壁及び当接しない面に被覆された導電性膜の表面には
撥水性を有する樹脂の粒子が分散されて表出しているの
で、導電性膜の表面は撥水性を有し、メタルマスクに付
着した半田ペーストを容易に除去することができる。
Furthermore, since the resin particles having water repellency are dispersed and exposed on the surface of the conductive film with which the contact surface of the metal mask, the side wall in the opening and the surface which does not contact the metal mask are dispersed and exposed. The surface of the conductive film has water repellency, and the solder paste attached to the metal mask can be easily removed.

【0015】また、導電性膜は導電性を有するので、メ
タルマスクの表面に静電気が発生するのを防止すること
ができる。これにより、メタルマスクへの塵等の付着を
防止することができるので、半田ペーストを開口部内に
正常に埋め込み、かつ通過させてプリント配線基板上に
塗布形成することができる。
Further, since the conductive film has conductivity, it is possible to prevent static electricity from being generated on the surface of the metal mask. As a result, it is possible to prevent dust and the like from adhering to the metal mask, so that the solder paste can be normally embedded in the opening and allowed to pass therethrough to be applied and formed on the printed wiring board.

【0016】更に、導電性膜の主成分として硬度の高い
ニッケルを用いることにより、従来の樹脂膜の場合と比
較して表面硬度を向上するとともに、導電性膜中に添加
物、例えばリンが含有されることにより、導電性膜を加
熱処理することで、リンの硬化促進作用により、導電性
膜の表面硬度が増す。これにより、メタルマスクを摺動
させた場合に磨耗が減少する。
Further, by using nickel having a high hardness as the main component of the conductive film, the surface hardness is improved as compared with the case of the conventional resin film, and an additive such as phosphorus is contained in the conductive film. By performing the heat treatment on the conductive film, the surface hardness of the conductive film increases due to the hardening promoting action of phosphorus. This reduces wear when the metal mask is slid.

【0017】また、導電性膜を加熱処理することによ
り、樹脂粒子が一層よく分散し、樹脂粒子の分布の均一
性が増す。これにより、摺動性や半田ペーストの抜け性
の向上を図ることができる。
By heat-treating the conductive film, the resin particles are better dispersed and the uniformity of the resin particle distribution is increased. As a result, it is possible to improve slidability and solder paste removal.

【0018】更に、本発明のメタルマスクの製造方法に
よれば、無電解メッキを用いて導電性膜を形成すること
により、導電性膜の膜厚の均一性が向上し、プリント配
線基板上に塗布形成される半田ペースト量の面内均一性
を確保することができる。
Further, according to the method for manufacturing a metal mask of the present invention, the electroconductive plating is used to form the electroconductive film, so that the uniformity of the film thickness of the electroconductive film is improved and the film is formed on the printed wiring board. In-plane uniformity of the amount of solder paste applied and formed can be secured.

【0019】[0019]

【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。 (1)第1の実施例 (a)本発明の第1の実施例に係るメタルマスクの製造
方法 図2は本発明の第1の実施例に係るメタルマスクの製造
方法について説明する工程図、図3(a)〜(d),図
4(a)〜(c)は、本発明の第1の実施例に係るメタ
ルマスクの製造方法について説明する断面図である。な
お、このようなメタルマスクの製法はエッチング法とい
われる。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. (1) First Embodiment (a) Manufacturing Method of Metal Mask According to First Embodiment of the Present Invention FIG. 2 is a process diagram illustrating a manufacturing method of a metal mask according to the first embodiment of the present invention, 3A to 3D and FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views for explaining the method of manufacturing the metal mask according to the first embodiment of the present invention. The method of manufacturing such a metal mask is called an etching method.

【0020】まず、図3(a)に示す厚さ100〜30
0μmのステンレス板からなる基体12の片面にレジス
ト膜18を塗布する(図3(b))。なお、プリント配
線基板16上に選択塗布される半田ペースト17a,17b
の量は開口部15a,15bの高さにより決まるので、後に
形成される導電性膜14の膜厚を考慮して上記の範囲で
予め基体12の厚さを設定することが必要である。
First, the thickness 100 to 30 shown in FIG.
A resist film 18 is applied to one surface of a substrate 12 made of a 0 μm stainless plate (FIG. 3B). The solder pastes 17a, 17b selectively applied on the printed wiring board 16
Is determined by the height of the openings 15a and 15b, it is necessary to set the thickness of the substrate 12 in advance within the above range in consideration of the film thickness of the conductive film 14 formed later.

【0021】次いで、レジスト膜18を選択的に露光し
た後、現像液に曝す。これにより、メタルマスク11の
開口部15c,15dを形成すべき領域であって、直径約1
70μmの円形状の領域のレジスト膜18が選択的に除
去され、他の領域にエッチングマスクとしてのレジスト
マスク18aが残存する(図3(c))。
Next, the resist film 18 is selectively exposed and then exposed to a developing solution. This is a region where the openings 15c and 15d of the metal mask 11 are to be formed and has a diameter of about 1
The resist film 18 in the 70 μm circular region is selectively removed, and the resist mask 18a as an etching mask remains in the other regions (FIG. 3C).

【0022】次に、レジストマスク18aに基づいて塩化
第二鉄の水溶液により、基体12を選択的にエッチング
し、除去する。これにより、基体12の開口部15c,15
dが形成される(図3(d))。
Next, the substrate 12 is selectively etched and removed with an aqueous solution of ferric chloride based on the resist mask 18a. As a result, the openings 15c, 15 of the base 12 are
d is formed (FIG. 3D).

【0023】次いで、レジスト剥離液によりレジストマ
スク18aを除去した(図4(a))後、基体12の両表
面及び開口部15c,15d内の側壁にストライクメッキを
施すため、基体12を洗浄する。即ち、基体12をアル
カリ溶液に浸漬し、基体12の表面を脱脂した後、酸に
浸漬し、基体12の表面を活性化する。
Next, after removing the resist mask 18a with a resist stripping solution (FIG. 4A), the substrate 12 is washed in order to perform strike plating on both surfaces of the substrate 12 and the side walls inside the openings 15c and 15d. . That is, the substrate 12 is immersed in an alkaline solution to degrease the surface of the substrate 12 and then immersed in an acid to activate the surface of the substrate 12.

【0024】次に、ストライクメッキにより、基体12
の両表面及び開口部15c,15d内の側壁に膜厚1μm程
度のニッケル膜(密着強化膜)13を形成する(図4
(b))。なお、このストライクメッキによるニッケル
膜13はメタルマスクの基体12と後に形成される導電
性膜14との密着性を向上するために形成される。
Next, the base 12 is formed by strike plating.
A nickel film (adhesion-strengthening film) 13 having a film thickness of about 1 μm is formed on both surfaces of and the side walls inside the openings 15c and 15d (FIG. 4).
(B)). The nickel film 13 formed by the strike plating is formed in order to improve the adhesion between the base 12 of the metal mask and the conductive film 14 formed later.

【0025】次いで、約30vol%ののPTFE(撥
水性を有する樹脂)からなる粒子及びリン(導電体膜の
硬化促進作用を有する添加物)を含有する無電解ニッケ
ルメッキ液を攪拌しながら加熱し、温度90℃に保持す
る。続いて、開口部15c,15dの形成された基体12を
ニッケルメッキ液の中に浸漬し、メッキ液を攪拌しなが
ら約60分間保持すると、基体12の両表面及び開口部
15c,15d内の側壁に、約25vol%程度のPTFE
からなる粒子が適度に分散して含有され、かつリンが含
有された、ニッケルを主成分とする膜厚約10μmの導
電性膜14が形成される。なお、PTFEからなる粒子
の含有率は30vol%以下、特に20vol%台であ
ることが好ましい。これは、PTFEからなる粒子の含
有率が30vol%以上になると、導電性が低下した
り、摺動性や耐磨耗性が悪化したりするためであり、少
なすぎると、PTFEの作用・効果が小さくなるためで
ある。また、導電性膜14の主成分として硬度の高いニ
ッケルを用いているので、従来の樹脂膜のみの場合と比
較してメタルマスク11の表面硬度を向上することがで
きる。更に、無電解メッキを用いて導電性膜14を形成
することにより、導電性膜14の膜厚の均一性が向上す
るため、プリント配線基板16上に塗布形成される半田
ペースト17a,17b量の面内均一性を確保することがで
きる。
Then, an electroless nickel plating solution containing about 30 vol% particles of PTFE (resin having water repellency) and phosphorus (additive having an action of promoting hardening of the conductor film) is heated with stirring. The temperature is maintained at 90 ° C. Subsequently, the substrate 12 having the openings 15c and 15d formed therein is immersed in a nickel plating solution, and the plating solution is held for about 60 minutes while being stirred.
About 25 vol% PTFE on the side walls inside 15c and 15d
A conductive film 14 containing nickel as a main component and having a film thickness of about 10 μm is formed, which contains particles of (1) and (4) in an appropriate dispersion and contains phosphorus. The content of PTFE particles is preferably 30 vol% or less, and more preferably in the range of 20 vol%. This is because when the content of the particles made of PTFE is 30 vol% or more, the conductivity is lowered, and the slidability and abrasion resistance are deteriorated. When the content is too small, the action and effect of PTFE Is smaller. Moreover, since nickel having a high hardness is used as the main component of the conductive film 14, the surface hardness of the metal mask 11 can be improved as compared with the case where only the conventional resin film is used. Further, by forming the conductive film 14 using electroless plating, the uniformity of the film thickness of the conductive film 14 is improved, so that the amount of the solder pastes 17a and 17b applied and formed on the printed wiring board 16 can be reduced. In-plane uniformity can be secured.

【0026】その後、温度300℃で約1時間の加熱処
理を行うと、直径約150μmの円形状の開口部15a,
15bを有するメタルマスク11が完成する(図4
(c))。このとき、この加熱処理により、導電性膜1
4中の添加物のリンの作用により硬化が促進され、加熱
処理の前にはHv300程度の導電性膜14の表面硬度
がHv600程度に向上する。これにより、メタルマス
ク11を摺動させた場合に磨耗が減少する。また、この
加熱処理により、PTFEからなる粒子が一層よく分散
し、PTFEからなる粒子の分布の均一性が増す。これ
により、摺動性や半田ペーストの抜け性の向上を図るこ
とができる。
After that, when heat treatment is performed at a temperature of 300 ° C. for about 1 hour, a circular opening 15a having a diameter of about 150 μm,
The metal mask 11 having 15b is completed (FIG. 4).
(C)). At this time, due to this heat treatment, the conductive film 1
Curing is promoted by the action of the additive phosphorus in 4, and the surface hardness of the conductive film 14 of about Hv300 is improved to about Hv600 before the heat treatment. This reduces wear when the metal mask 11 is slid. Further, by this heat treatment, the particles made of PTFE are better dispersed, and the uniformity of distribution of the particles made of PTFE is increased. As a result, it is possible to improve slidability and solder paste removal.

【0027】(b)第1の実施例のメタルマスクを用い
てプリント配線基板上に半田ペーストを選択的に形成す
る方法 次に、このメタルマスクを用いてプリント配線基板上に
半田ペーストを選択的に形成する方法について図1を参
照しながら説明する。
(B) Method of selectively forming solder paste on a printed wiring board using the metal mask of the first embodiment Next, the solder paste is selectively formed on the printed wiring board using this metal mask. A method for forming the above will be described with reference to FIG.

【0028】まず、プリント配線基板16とメタルマス
ク11とをある程度の位置合わせをして重ねた後、プリ
ント配線基板16上、メタルマスク11を摺動させて、
精密な位置合わせを行う。このとき、メタルマスク11
を被覆する導電性膜中にはPTFEの粒子が分散して含
有されているので、当接面には必ずPTFEの粒子が表
出し、また摺動により当接面が磨耗しても常に新しいP
TFEの粒子が当接面に表出する。これにより、PTF
Eの粒子の作用による滑りやすさを維持し、良好な摺動
性を保持することができる。
First, the printed wiring board 16 and the metal mask 11 are aligned with each other to some extent and overlapped with each other, and then the metal mask 11 is slid on the printed wiring board 16.
Perform precise alignment. At this time, the metal mask 11
Since the particles of PTFE are dispersed and contained in the conductive film that coats, the particles of PTFE are always exposed on the contact surface, and even if the contact surface is worn by sliding, new P particles are always present.
Particles of TFE appear on the contact surface. As a result, PTF
The slipperiness due to the action of the particles of E can be maintained and good slidability can be maintained.

【0029】次いで、メタルマスク11の片面に半田ペ
ーストを載せた後、不図示のスキージによりメタルマス
ク11を強く押さえ、かつ前記半田ペーストを巻き込み
ながら、メタルマスク11上を移動させる。これによ
り、メタルマスク11の開口部15a,15b内に半田ペー
スト17a,17bが埋め込まれ、開口部15a,15bの位置
に対応する、プリント配線基板16上の所定の位置に一
定量の半田ペースト17a,17bが形成される。
Next, after the solder paste is placed on one surface of the metal mask 11, the metal mask 11 is strongly pressed by a squeegee (not shown), and the solder paste is rolled up and moved on the metal mask 11. As a result, the solder pastes 17a and 17b are embedded in the openings 15a and 15b of the metal mask 11, and a certain amount of the solder paste 17a is provided at a predetermined position on the printed wiring board 16 corresponding to the positions of the openings 15a and 15b. , 17b are formed.

【0030】次に、プリント配線基板16に重ねられた
メタルマスク11をプリント配線基板16表面から取り
除くと、直径約150μmの円柱状の半田ペースト17
a,17bがプリント配線基板16上の所定の位置に選択
的に塗布形成される。このとき、開口部15a,15b内の
側壁が撥水性を有するPTFEの粒子を含む導電性膜1
4により被覆されていることにより、開口部15a,15b
内で埋め込まれた半田ペースト17a,17bと該導電性膜
14とが直接接触する。このため、該導電性膜14表面
に露出した撥水性を有するPTFEの粒子の作用によ
り、半田ペースト17a,17bはメタルマスク11から剥
離し易くなり、半田ペースト17a,17bとメタルマスク
11とを容易に剥離することができる。
Next, when the metal mask 11 overlaid on the printed wiring board 16 is removed from the surface of the printed wiring board 16, a cylindrical solder paste 17 having a diameter of about 150 μm is formed.
A and 17b are selectively applied and formed at predetermined positions on the printed wiring board 16. At this time, the conductive film 1 in which the side walls inside the openings 15a and 15b contain PTFE particles having water repellency.
By being covered with 4, the openings 15a, 15b
The solder pastes 17a and 17b embedded therein and the conductive film 14 are in direct contact with each other. Therefore, the solder pastes 17a and 17b are easily separated from the metal mask 11 by the action of the water-repellent PTFE particles exposed on the surface of the conductive film 14, and the solder pastes 17a and 17b and the metal mask 11 are easily separated from each other. Can be peeled off.

【0031】その後、再使用のため、イソプロピルアル
コール又は水によりメタルマスク11を洗浄し、メタル
マスク11に付着した半田ペーストを除去する。このと
き、メタルマスク11の当接面,開口部15a,15b内の
側壁及び当接しない面に被覆された導電性膜14の表面
にはPTFEの粒子が分散されて表出しているので、導
電性膜14の表面は撥水性を有し、メタルマスクに付着
した半田ペーストを容易に除去することができる。
After that, for reuse, the metal mask 11 is washed with isopropyl alcohol or water to remove the solder paste attached to the metal mask 11. At this time, since the PTFE particles are dispersed and exposed on the surface of the conductive film 14 that covers the contact surface of the metal mask 11, the side walls in the openings 15a and 15b, and the surface that does not contact, the conductivity is increased. The surface of the conductive film 14 has water repellency, and the solder paste attached to the metal mask can be easily removed.

【0032】なお、半田ペースト17a,17bの形成され
たプリント配線基板16については、半田ペースト17
a,17b上に、対応する半導体装置の外部リードを載せ
た後、温度約215℃で30秒〜60秒間の加熱処理を
行う。これにより、半田ペースト17a,17bを溶融させ
て、プリント配線基板16上の配線と半導体装置の外部
リードとが接着され、電気的に接続される。
Regarding the printed wiring board 16 on which the solder pastes 17a and 17b are formed, the solder paste 17
After mounting the external leads of the corresponding semiconductor device on a and 17b, heat treatment is performed at a temperature of about 215 ° C. for 30 seconds to 60 seconds. As a result, the solder pastes 17a and 17b are melted, and the wiring on the printed wiring board 16 and the external leads of the semiconductor device are bonded and electrically connected.

【0033】以上のように、本発明の第1の実施例のメ
タルマスクによれば、メタルマスク11の当接面を被覆
する導電性膜14中に撥水性を有するフッ素樹脂の一種
であるPTFEの粒子が分散して含有されているので、
当接面には常にPTFE粒子が表出し、かつ摺動により
当接面が磨耗した場合でも常に新しいPTFE粒子が表
出する。このため、PTFE粒子の作用によるメタルマ
スクの当接面の滑りやすい性質を維持することができる
ので、良好な摺動性を保持することができる。
As described above, according to the metal mask of the first embodiment of the present invention, the conductive film 14 that covers the contact surface of the metal mask 11 has a water repellent PTFE which is a kind of fluororesin. Since the particles of are dispersed and contained,
PTFE particles are always exposed on the contact surface, and new PTFE particles are always exposed even when the contact surface is worn by sliding. Therefore, since the slippery property of the contact surface of the metal mask due to the action of the PTFE particles can be maintained, good slidability can be maintained.

【0034】また、開口部15a,15b内の側壁が撥水性
を有するPTFE粒子を含む導電性膜14が被覆される
ことにより、開口部15a,15b内で埋め込まれた半田ペ
ースト17a,17bと該導電性膜14とが直接接触し、こ
のため、該導電性膜14表面に露出した撥水性を有する
PTFE粒子の作用により、半田ペースト17a,17bは
メタルマスク11から剥離し易くなる。従って、微細化
された開口部15a,15bからの半田ペースト17a,17b
の抜け性の向上を図ることができる。
Further, the side walls inside the openings 15a and 15b are covered with the conductive film 14 containing the PTFE particles having water repellency, so that the solder pastes 17a and 17b embedded in the openings 15a and 15b and the solder pastes 17a and 17b. The conductive paste 14 is in direct contact with the conductive paste 14, and the solder pastes 17a and 17b are easily separated from the metal mask 11 by the action of the water-repellent PTFE particles exposed on the surface of the conductive paste. Therefore, the solder pastes 17a, 17b from the miniaturized openings 15a, 15b
It is possible to improve the detachability of the sheet.

【0035】更に、メタルマスク11の当接面,開口部
15a,15b内の側壁及び当接しない面に被覆された導電
性膜14の表面には撥水性を有するPTFEの粒子が分
散されて表出しているので、導電性膜14の表面は撥水
性を有し、メタルマスク11に付着した半田ペーストを
容易に除去することができる。これにより、メタルマス
ク11の洗浄性が向上する。
Further, the contact surface of the metal mask 11 and the opening
Since the PTFE particles having water repellency are dispersed and exposed on the surface of the conductive film 14 coated on the side walls and the surfaces not in contact with each other in 15a and 15b, the surface of the conductive film 14 has water repellency. It is possible to easily remove the solder paste attached to the metal mask 11. This improves the cleanability of the metal mask 11.

【0036】また、導電性膜14は導電性を有するの
で、メタルマスク11の表面に静電気が発生するのを防
止することができる。これにより、メタルマスク11へ
の塵等の付着を防止することができるので、半田ペース
ト17a,17bを開口部15a,15b内を正常に通過させて
プリント配線基板16上に塗布形成することができる。
Further, since the conductive film 14 has conductivity, it is possible to prevent static electricity from being generated on the surface of the metal mask 11. As a result, it is possible to prevent dust and the like from adhering to the metal mask 11, so that the solder pastes 17a and 17b can be normally formed in the openings 15a and 15b and formed on the printed wiring board 16 by coating. .

【0037】更に、導電性膜14の主成分として硬度の
高いニッケルを用いることにより、従来の樹脂膜の場合
と比較して表面硬度を向上するとともに、加熱による硬
化促進作用を有するリンが導電性膜14中に含有される
ことにより、導電性膜14を加熱処理することで、導電
性膜14の硬度が増す。これにより、メタルマスク11
を摺動させた場合に磨耗が減少する。
Furthermore, by using nickel having a high hardness as the main component of the conductive film 14, the surface hardness is improved as compared with the case of the conventional resin film, and phosphorus, which has the action of accelerating the curing by heating, is conductive. By being contained in the film 14, the hardness of the conductive film 14 is increased by heat-treating the conductive film 14. Thereby, the metal mask 11
Wear is reduced when sliding.

【0038】また、導電性膜14を加熱処理することに
より、PTFE粒子が一層よく分散し、PTFE粒子の
分布の均一性が増す。これにより、摺動性や半田ペース
ト17a,17bの抜け性の向上を図ることができる。
By heat-treating the conductive film 14, the PTFE particles are better dispersed, and the uniformity of the distribution of the PTFE particles is increased. As a result, it is possible to improve slidability and detachability of the solder pastes 17a and 17b.

【0039】更に、無電解メッキを用いて導電性膜14
を形成することにより、導電性膜14の膜厚の均一性が
向上し、プリント配線基板16上に塗布形成される半田
ペースト17a,17b量の面内均一性を確保することがで
きる。
Further, the electroconductive film 14 is formed by electroless plating.
By forming the film, the uniformity of the film thickness of the conductive film 14 is improved, and the in-plane uniformity of the amounts of the solder pastes 17a and 17b applied and formed on the printed wiring board 16 can be secured.

【0040】なお、上記第1の実施例によれば、樹脂と
してフッ素樹脂の一種であるPTFEを用いているが、
他のフッ素樹脂を用いることもでき、或いはシリコン樹
脂を用いることもできる。
According to the first embodiment, PTFE which is a kind of fluororesin is used as the resin.
Other fluororesins can be used, or silicone resins can be used.

【0041】また、導電性膜14はニッケルを主成分と
しているが、他の導電性物質を用いてもよい。更に、導
電性膜14の硬化促進作用を有する添加物としてリンを
用いているが、硬化促進作用を有する他の添加物を用い
てもよいし、場合により、添加しなくてもよい。
Although the conductive film 14 is mainly composed of nickel, other conductive substances may be used. Furthermore, although phosphorus is used as an additive having a hardening promoting effect on the conductive film 14, other additives having a hardening promoting effect may be used, or may not be added in some cases.

【0042】(2)第2の実施例 (a)本発明の第2の実施例に係るメタルマスクの製造
方法 図5は本発明の第2の実施例に係るメタルマスクの製造
方法について説明する工程図、図6(a)〜(d),図
7(a)〜(c)は、本発明の第2の実施例に係るメタ
ルマスクの製造方法について説明する断面図である。な
お、このようなメタルマスクの製法はアディティブ法と
称される。
(2) Second Embodiment (a) Method of Manufacturing Metal Mask According to Second Embodiment of the Present Invention FIG. 5 illustrates a method of manufacturing metal mask according to the second embodiment of the present invention. 6A to 6D and 7A to 7C are sectional views for explaining the method for manufacturing the metal mask according to the second embodiment of the present invention. Note that such a metal mask manufacturing method is referred to as an additive method.

【0043】まず、図6(a)に示す厚さ数mmのステ
ンレス板からなるベース基体20の片面にレジスト膜2
1を塗布する(図6(b))。次いで、レジスト膜21
を選択的に露光した後、現像液に曝す。これにより、メ
タルマスクとして残すべき部分に対応するレジスト膜2
1が選択的に除去され、基体12aの開口部15g,15hを
形成すべき領域に直径約150μmの円柱状のレジスト
パターン膜21a,21bが残存する(図6(c))。
First, the resist film 2 is formed on one surface of a base substrate 20 made of a stainless steel plate having a thickness of several mm as shown in FIG.
1 is applied (FIG. 6B). Then, the resist film 21
Is selectively exposed to light and then exposed to a developing solution. As a result, the resist film 2 corresponding to the portion to be left as the metal mask is formed.
1 is selectively removed, and cylindrical resist pattern films 21a and 21b having a diameter of about 150 μm remain in the regions of the substrate 12a where the openings 15g and 15h are to be formed (FIG. 6C).

【0044】次に、電解メッキにより、レジストパター
ン膜21a,21bの残存するベース基体の表面にレジスト
パターン膜21a,21bの形成領域を除いて膜厚100〜
300μmのメタルマスクの基体12aとなるニッケル膜
12aを形成する(図6(d))。なお、プリント配線基
板16上に選択塗布される半田ペースト17a,17bの量
は開口部15e,15fの高さにより決まるので、後に形成
される導電性膜14aの膜厚を考慮して上記の範囲で予め
ニッケル膜12aの膜厚を設定することが必要である。
Next, by electroplating, a film thickness of 100 to 100 is formed on the surface of the base substrate on which the resist pattern films 21a and 21b remain, except for the regions where the resist pattern films 21a and 21b are formed.
Nickel film to be the base 12a of the metal mask of 300 μm
12a is formed (FIG. 6D). Since the amount of the solder pastes 17a and 17b selectively applied on the printed wiring board 16 is determined by the height of the openings 15e and 15f, the above range is taken into consideration in consideration of the film thickness of the conductive film 14a formed later. Therefore, it is necessary to set the thickness of the nickel film 12a in advance.

【0045】次いで、レジスト剥離液によりレジストパ
ターン膜21a,21bを除去して、ニッケル膜12aをベー
ス基体20から取り外す。これにより、開口部15g,15
hを有するメタルマスクの基体12aの作成が完了する
(図7(a))。
Next, the resist pattern films 21a and 21b are removed by a resist stripping solution, and the nickel film 12a is removed from the base substrate 20. As a result, the openings 15g, 15
The production of the metal mask substrate 12a having h is completed (FIG. 7A).

【0046】次に、基体12aの両表面及び開口部15g,
15h内の側壁にストライクメッキを施すため、基体12a
を洗浄する。即ち、基体12aをアルカリ溶液に浸漬し、
基体12aの表面を脱脂した後、酸に浸漬し、基体12aの
表面を活性化する。
Next, both surfaces of the base 12a and the openings 15g,
Strike plating is applied to the side wall within 15h, so the base 12a
To wash. That is, by immersing the substrate 12a in an alkaline solution,
After degreasing the surface of the substrate 12a, it is immersed in an acid to activate the surface of the substrate 12a.

【0047】次に、ストライクメッキにより、基体12a
の両表面及び開口部15g,15h内の側壁に膜厚1μm程
度のニッケル膜(密着強化膜)13aを形成する(図7
(b))。
Next, the base 12a is formed by strike plating.
A nickel film (adhesion strengthening film) 13a having a film thickness of about 1 μm is formed on both surfaces of and the side walls inside the openings 15g and 15h (FIG. 7).
(B)).

【0048】次いで、約30vol%のPTFEからな
る微細粒子及びリンを含有する無電解ニッケルメッキ液
を攪拌しながら加熱し、温度90℃に保持する。続い
て、開口部15g,15hの形成された基体12aをニッケル
メッキ液の中に浸漬し、メッキ液を攪拌しながら約60
分間保持すると、基体12aの両表面及び開口部15g,15
h内の側壁に、約25vol%程度のPTFEからなる
粒子が分散して含有され、かつリンが含有された、ニッ
ケルを主成分とする膜厚約10μmの導電性膜14aが形
成される。また、導電性膜14aの主成分として硬度の高
いニッケルを用いているので、従来の樹脂膜のみの場合
と比較してメタルマスク11aの表面硬度を向上すること
ができる。
Next, the electroless nickel plating solution containing fine particles of about 30 vol% PTFE and phosphorus is heated with stirring and maintained at a temperature of 90 ° C. Subsequently, the substrate 12a having the openings 15g and 15h formed therein is dipped in a nickel plating solution, and the plating solution is stirred for about 60 minutes.
When held for a minute, both surfaces of the base 12a and the openings 15g, 15
On the side wall inside h, a conductive film 14a containing about 25 vol% of particles of PTFE dispersed therein and containing phosphorus and having nickel as a main component and a thickness of about 10 μm is formed. Further, since nickel having a high hardness is used as the main component of the conductive film 14a, the surface hardness of the metal mask 11a can be improved as compared with the case where only the conventional resin film is used.

【0049】その後、温度300℃で約1時間の加熱処
理を行うと、メタルマスク11aが完成する(図6
(c))。このとき、この加熱処理による、含有物のリ
ンの硬化促進作用により、加熱処理の前にはHv300
程度の導電性膜14aの表面硬度がHv600程度に向上
する。また、この加熱処理により、PTFEからなる粒
子が一層よく分散し、粒子の分布の均一性が一層増す。
Thereafter, a heat treatment is performed at a temperature of 300 ° C. for about 1 hour to complete the metal mask 11a (FIG. 6).
(C)). At this time, due to the hardening promoting action of phosphorus contained in the heat treatment, Hv300 before the heat treatment.
The surface hardness of the conductive film 14a is improved to about Hv600. Further, by this heat treatment, the particles made of PTFE are better dispersed, and the uniformity of particle distribution is further increased.

【0050】(b)第2の実施例のメタルマスクを用い
てプリント配線基板上に半田ペーストを選択的に形成す
る方法 次に、第2の実施例のメタルマスク11aを用いてプリン
ト配線基板上に半田ペーストを選択的に形成する方法に
ついて説明する。即ち、第1の実施例と同様な工程を行
うことにより、図1に示すように、直径約150μmの
円柱状の半田ペースト17a,17bがプリント配線基板1
6上の所定の位置に選択的に塗布形成される。この場合
にも、第1の実施例に説明したのと同様なメタルマスク
11の作用・効果を奏する。
(B) Method of selectively forming solder paste on a printed wiring board using the metal mask of the second embodiment Next, on the printed wiring board using the metal mask 11a of the second embodiment. A method for selectively forming the solder paste will be described. That is, by performing the same steps as in the first embodiment, as shown in FIG. 1, the cylindrical solder pastes 17a and 17b having a diameter of about 150 μm are formed into the printed wiring board 1.
6 is selectively applied and formed at a predetermined position on 6. Also in this case, the same operation and effect of the metal mask 11 as those described in the first embodiment can be obtained.

【0051】以上のように、本発明の第2の実施例のメ
タルマスクによれば、メタルマスク11aの表面に撥水性
を有するPTFE粒子が分散して含有され、かつリンが
含有された、ニッケルを主成分とする導電性膜14aが形
成されているので、メタルマスク11aの耐磨耗性,摺動
性及び洗浄性を向上させるとともに、メタルマスク11a
への静電気の発生を防止し、また微細化された開口部15
e,15fからの半田ペースト17a,17bの抜け性の向上
を図ることができる。
As described above, according to the metal mask of the second embodiment of the present invention, the nickel particles containing PTFE particles having water repellency dispersedly contained on the surface of the metal mask 11a and containing phosphorus. Since the conductive film 14a containing as a main component is formed, the abrasion resistance, the slidability and the cleaning property of the metal mask 11a are improved and the metal mask 11a is improved.
To prevent the generation of static electricity on the
It is possible to improve the detachability of the solder pastes 17a and 17b from e and 15f.

【0052】(3)第3及び第5の実施例 (a)本発明の第3の実施例に係るメタルマスクの製造
方法 図8(a)は本発明の第3の実施例に係るメタルマスク
の製造方法について説明する工程図、図10(a)は、
上記の製造方法により作成された本発明の第3の実施例
に係るメタルマスクについて説明する断面図である。こ
の場合、メタルマスクの開口部の寸法が比較的大きい場
合に適している。
(3) Third and Fifth Embodiments (a) Method for Manufacturing Metal Mask According to Third Embodiment of the Present Invention FIG. 8 (a) shows a metal mask according to a third embodiment of the present invention. 10A is a process diagram for explaining the manufacturing method of FIG.
It is sectional drawing explaining the metal mask which concerns on the 3rd Example of this invention produced by the said manufacturing method. In this case, it is suitable when the size of the opening of the metal mask is relatively large.

【0053】第1及び第2の実施例のメタルマスクと異
なるところは、撥水性を有するPTFE粒子が分散して
含有され、かつリンが含有された、ニッケルを主成分と
する導電性膜14bがメタルマスク11bの当接面にのみ形
成されていることである。
The difference from the metal masks of the first and second embodiments is that the conductive film 14b containing nickel as a main component, which contains dispersed PTFE particles having water repellency and contains phosphorus. That is, it is formed only on the contact surface of the metal mask 11b.

【0054】また、第2の実施例のメタルマスクの製造
方法と異なるところは、ベース基体上に形成されたメタ
ルマスクの基体をベース基体から取り外す前に、ストラ
イクメッキによりニッケル膜(密着強化膜)13bを形成
し、更に、無電解メッキにより、該ニッケル膜13b上
に、撥水性を有するPTFE粒子が分散して含有され、
かつリンが含有された、ニッケルを主成分とする導電性
膜14bを形成することである。
The difference from the method of manufacturing the metal mask of the second embodiment is that the nickel film (adhesion strengthening film) is formed by strike plating before the base of the metal mask formed on the base base is removed from the base base. 13b is formed, and further, by electroless plating, water-repellent PTFE particles are dispersed and contained on the nickel film 13b,
In addition, the conductive film 14b containing phosphorus and containing nickel as a main component is formed.

【0055】まず、図6(a)〜図6(d)に示す工程
と同様な工程により、直径約300μmの円筒状のレジ
ストパターン膜21a,21bの残存するベース基体20の
表面にレジストパターン膜21a,21bの形成領域を除い
てメタルマスクの基体12bとなる膜厚100〜300μ
mのニッケル膜を形成する(図6(d))。
First, the resist pattern film is formed on the surface of the base substrate 20 on which the cylindrical resist pattern films 21a and 21b having a diameter of about 300 μm remain by the same steps as shown in FIGS. 6 (a) to 6 (d). Except for the regions where 21a and 21b are formed, the film thickness is 100 to 300 .mu.
m nickel film is formed (FIG. 6D).

【0056】次に、ストライクメッキにより、メタルマ
スクの基体12bとなるニッケル膜の露出する片表面であ
って、当接面となる片表面に膜厚1μm程度のニッケル
膜13bを形成する。
Next, a nickel film 13b having a film thickness of about 1 μm is formed on one surface of the exposed nickel film which will be the base 12b of the metal mask by striking plating and which will be the contact surface.

【0057】次いで、約30vol%のPTFEからな
る粒子及びリンを含有する無電解ニッケルメッキ液を攪
拌しながら加熱し、温度90℃に保持する。続いて、ベ
ース基体20に保持されている状態でメタルマスクの基
体12bとなるニッケル膜を前記ニッケルメッキ液の中に
浸漬し、メッキ液を攪拌しながら約60分間保持する
と、基体12bの片表面に、約25vol%程度のPTF
Eからなる粒子が分散して含有され、かつリンが含有さ
れた、ニッケルを主成分とする膜厚約10μmの導電性
膜14bが形成される。
Next, the electroless nickel plating solution containing particles of about 30 vol% PTFE and phosphorus is heated with stirring and maintained at a temperature of 90 ° C. Subsequently, while the nickel film serving as the metal mask substrate 12b being held by the base substrate 20 is immersed in the nickel plating solution and the plating solution is held for about 60 minutes while stirring, one surface of the substrate 12b And about 25 vol% PTF
A conductive film 14b containing particles of E dispersedly contained and containing phosphorus and having nickel as a main component and a thickness of about 10 μm is formed.

【0058】次に、レジスト剥離液によりレジストパタ
ーン膜21a,21bを除去して、ニッケル膜をベース基体
20から取り外す。これにより、開口部15i,15jが形
成され、導電性膜14bが形成された基体12bが作成され
る。
Next, the resist pattern films 21a and 21b are removed by a resist stripping solution, and the nickel film is removed from the base substrate 20. As a result, the openings 15i and 15j are formed and the base 12b on which the conductive film 14b is formed is formed.

【0059】その後、温度300℃で約1時間の加熱処
理を行うと、直径約300μmの円形状の開口部15i,
15jを有するメタルマスク11bが完成する(図10
(a))。このとき、この加熱処理による、含有物のリ
ンの硬化促進作用により、加熱処理の前にはHv300
程度の導電性膜14bの表面硬度がHv600程度に向上
する。また、この加熱処理により、PTFEからなる粒
子が一層よく分散し、微細粒子の分布の均一性が一層増
す。
Thereafter, when heat treatment is performed at a temperature of 300 ° C. for about 1 hour, a circular opening 15i having a diameter of about 300 μm,
The metal mask 11b having 15j is completed (FIG. 10).
(A)). At this time, due to the hardening promoting action of phosphorus contained in the heat treatment, Hv300 before the heat treatment.
The surface hardness of the conductive film 14b is improved to about Hv600. Further, by this heat treatment, the particles made of PTFE are better dispersed, and the uniformity of distribution of fine particles is further increased.

【0060】なお、導電性膜14bの形成を無電解メッキ
により行っているが、図9に示す第5の実施例に係るメ
タルマスクの製造工程図に従い、ベース基体上にメタル
マスクの基体となるニッケル膜を形成し、更に、ストラ
イクメッキによりニッケル膜の形成を行った後に、撥水
性を有するPTFE粒子及びリンを含有し、ニッケルを
主成分とするペーストの塗布によっても行うことができ
る。
Although the conductive film 14b is formed by electroless plating, a metal mask base is formed on the base base according to the metal mask manufacturing process diagram of the fifth embodiment shown in FIG. It is also possible to form a nickel film, and after forming the nickel film by strike plating, apply a paste containing PTFE particles and phosphorus having water repellency and containing nickel as a main component.

【0061】(b)第3の実施例のメタルマスクを用い
てプリント配線基板上に半田ペーストを選択的に形成す
る方法 次に、第3の実施例のメタルマスクを用いてプリント配
線基板上に半田ペーストを選択的に形成する方法につい
て図10(a)を参照しながら説明する。この場合に
も、上記の第1,第2の実施例の場合と同様にして、プ
リント配線基板16b上に選択的に一定量の半田ペースト
17c,17dを形成することができる。
(B) Method of selectively forming solder paste on a printed wiring board using the metal mask of the third embodiment. Next, using the metal mask of the third embodiment, a solder paste is formed on the printed wiring board. A method for selectively forming the solder paste will be described with reference to FIG. Also in this case, as in the case of the first and second embodiments, a fixed amount of solder paste is selectively applied on the printed wiring board 16b.
17c and 17d can be formed.

【0062】第3の実施例のメタルマスク11bによれ
ば、メタルマスク11bの当接面にのみ、撥水性を有する
PTFE粒子が分散して含有され、かつリンが含有され
た、ニッケルを主成分とする導電性膜14bが形成されて
いるので、メタルマスク11bの耐磨耗性及び摺動性を向
上させるとともに、従来の樹脂膜の場合と比較してメタ
ルマスク11bへの静電気の発生を防止することができ
る。
According to the metal mask 11b of the third embodiment, the main component of nickel is water-repellent PTFE particles dispersed and contained only in the contact surface of the metal mask 11b. Since the conductive film 14b is formed, the abrasion resistance and the slidability of the metal mask 11b are improved, and the generation of static electricity on the metal mask 11b is prevented as compared with the conventional resin film. can do.

【0063】なお、メタルマスク11bの当接面にのみ形
成され、開口部15i,15j内の側壁には導電性膜が形成
されていないので、第1及び第2の実施例と比較して半
田ペースト17c,17dの抜け性は若干劣るが、開口部15
i,15jの寸法が大きいので、半田ペースト17c,17d
の抜け性は余り問題とならない。
Since it is formed only on the contact surface of the metal mask 11b and no conductive film is formed on the side walls inside the openings 15i and 15j, the solder is different from the first and second embodiments. The pastes 17c and 17d have a slightly poor release property, but the openings 15
Since the dimensions of i and 15j are large, solder pastes 17c and 17d
Poorness is not a problem.

【0064】(4)第4の実施例 (a)本発明の第4の実施例に係るメタルマスクの製造
方法 図8(b)は本発明の第4の実施例に係るメタルマスク
の製造方法について説明する工程図、図10(b)は、
上記の製造方法により作成された本発明の第3の実施例
に係るメタルマスクについて説明する断面図である。
(4) Fourth Embodiment (a) Manufacturing Method of Metal Mask According to Fourth Embodiment of the Present Invention FIG. 8B shows a manufacturing method of metal mask according to the fourth embodiment of the present invention. 10 (b) is a process diagram illustrating
It is sectional drawing explaining the metal mask which concerns on the 3rd Example of this invention produced by the said manufacturing method.

【0065】第1及び第2の実施例のメタルマスクと異
なるところは、撥水性を有するPTFE粒子が分散して
含有され、かつリンが含有された、ニッケルを主成分と
する導電性膜14cがメタルマスク11cの当接面及び開口
部15k,15l内の側壁にのみ形成されていることであ
る。
The difference from the metal masks of the first and second embodiments is that the conductive film 14c containing nickel as a main component, which contains dispersed PTFE particles having water repellency and contains phosphorus. It is formed only on the contact surface of the metal mask 11c and the side walls inside the openings 15k and 15l.

【0066】また、第2の実施例のメタルマスクの製造
方法と異なるところは、ストライクメッキの形成後に、
当接しない面にレジスト膜を形成し、更に、その状態で
無電解メッキにより、前記ニッケル膜13c上に、撥水性
を有するPTFE粒子が分散して含有され、かつリンが
含有された、ニッケルを主成分とする導電性膜14cを形
成することである。
The difference from the method for manufacturing the metal mask of the second embodiment is that after the strike plating is formed,
A resist film is formed on the surface that does not come into contact, and further, electroless plating is performed in this state to form nickel containing phosphorus particles containing PTFE particles having water repellency dispersed on the nickel film 13c. This is to form the conductive film 14c containing the main component.

【0067】まず、図6(a)〜図6(d),図7
(a),(b)に示す工程と同様な工程により、メタル
マスクの基体12cとなる膜厚100〜300μmのニッ
ケル膜の露出する片表面であって、当接面となる片表面
に膜厚1μm程度のニッケル膜(密着強化膜)13cを形
成する。
First, FIGS. 6A to 6D and FIG.
By the steps similar to the steps shown in (a) and (b), a film thickness is formed on the exposed one surface of the nickel film having a film thickness of 100 to 300 μm to be the base 12c of the metal mask and the contact surface. A nickel film (adhesion enhancing film) 13c having a thickness of about 1 μm is formed.

【0068】次いで、当接しない面をレジスト膜により
被覆した後、約30vol%のPTFEの粒子及びリン
を含有する無電解ニッケルメッキ液を攪拌しながら加熱
し、温度90℃に保持する。続いて、基体12cとなるニ
ッケル膜を前記ニッケルメッキ液の中に浸漬し、メッキ
液を攪拌しながら約60分間保持すると、基体12cの当
接面及び開口部内の側壁に、約25vol%程度のPT
FEの粒子が分散して含有され、かつリンを含有する、
ニッケルを主成分とする膜厚約10μmの導電性膜14c
が形成される。
Next, after the surface not contacting is covered with a resist film, an electroless nickel plating solution containing about 30 vol% PTFE particles and phosphorus is heated with stirring and kept at a temperature of 90 ° C. Then, the nickel film to be the substrate 12c is dipped in the nickel plating solution, and the plating solution is kept for about 60 minutes while being stirred, so that the contact surface of the substrate 12c and the side wall inside the opening are about 25 vol%. PT
Particles of FE are dispersedly contained, and phosphorus is contained,
Conductive film 14c mainly composed of nickel and having a thickness of about 10 μm
Is formed.

【0069】その後、温度300℃で約1時間の加熱処
理を行うと、直径約150μmの円形状の開口部15k,
15lを有するメタルマスクが完成する(図10
(b))。このとき、この加熱処理による、含有物のリ
ンの硬化促進作用により、加熱処理の前にはHv300
程度の導電性膜14の表面硬度がHv600程度に向上
する。また、この加熱処理により、PTFEの粒子が一
層よく分散し、微細粒子の分布の均一性が一層増す。
After that, when heat treatment is performed at a temperature of 300 ° C. for about 1 hour, a circular opening 15k having a diameter of about 150 μm,
A metal mask with 15 l is completed (Fig. 10
(B)). At this time, due to the hardening promoting action of phosphorus contained in the heat treatment, Hv300 before the heat treatment.
The surface hardness of the conductive film 14 is improved to about Hv600. Further, by this heat treatment, PTFE particles are better dispersed, and the uniformity of distribution of fine particles is further increased.

【0070】(b)第4の実施例のメタルマスクを用い
てプリント配線基板上に半田ペーストを選択的に形成す
る方法 次に、第4の実施例のメタルマスクを用いてプリント配
線基板上に半田ペーストを選択的に形成する方法につい
て図10(b)を参照しながら説明する。この場合に
も、上記の第1,第2の実施例の場合と同様にして、プ
リント配線基板16c上に選択的に一定量の半田ペースト
17e,17fを形成することができる。
(B) Method of selectively forming solder paste on a printed wiring board using the metal mask of the fourth embodiment. Next, using the metal mask of the fourth embodiment, a solder paste is formed on the printed wiring board. A method for selectively forming the solder paste will be described with reference to FIG. Also in this case, as in the case of the first and second embodiments, a fixed amount of solder paste is selectively applied on the printed wiring board 16c.
17e and 17f can be formed.

【0071】第4の実施例のメタルマスク11cによれ
ば、メタルマスク11cの当接面及び開口部15k,15l内
の側壁にのみ、メタルマスク11cの表面に撥水性を有す
るPTFE粒子が分散して含有され、かつリンが含有さ
れた、ニッケルを主成分とする導電性膜14cが形成され
ているので、メタルマスク11cの耐磨耗性及び摺動性を
向上させるとともに、従来の樹脂膜の場合と比較してメ
タルマスク11cへの静電気の発生を防止し、半田ペース
ト17e,17fの抜け性を向上することができる。
According to the metal mask 11c of the fourth embodiment, the water-repellent PTFE particles are dispersed on the surface of the metal mask 11c only on the contact surface of the metal mask 11c and the side walls inside the openings 15k and 15l. Since the conductive film 14c containing nickel as a main component and containing phosphorus as a main component is formed, the abrasion resistance and the slidability of the metal mask 11c are improved and the conventional resin film Compared with the case, it is possible to prevent the generation of static electricity on the metal mask 11c and improve the detachability of the solder pastes 17e and 17f.

【0072】なお、メタルマスク11cの当接面及び開口
部15k,15l内の側壁にのみ形成され、当接しない面に
は導電性膜14cが形成されていないので、第1及び第2
の実施例と比較して若干洗浄性は劣ると考えられる。
Since the conductive film 14c is not formed on the contact surface of the metal mask 11c and the sidewalls of the openings 15k and 15l and the contact surface is not formed, the first and second surfaces are not formed.
It is considered that the detergency is slightly inferior to that of the example.

【0073】[0073]

【発明の効果】以上のように、本発明のメタルマスクに
よれば、メタルマスクの当接面を被覆する導電性膜中に
撥水性を有する樹脂、例えばシリコン樹脂又はフッ素樹
脂の粒子が分散されて含有されているので、良好な摺動
性を保持することができる。
As described above, according to the metal mask of the present invention, particles of a water-repellent resin such as a silicone resin or a fluororesin are dispersed in the conductive film covering the contact surface of the metal mask. Since it is contained as a material, good slidability can be maintained.

【0074】また、開口部内の側壁が撥水性を有する樹
脂粒子を含む導電性膜が被覆されることにより、微細化
された開口部からの半田ペーストの抜け性の向上を図る
ことができる。
Further, since the side wall in the opening is covered with the conductive film containing the resin particles having water repellency, it is possible to improve the detachability of the solder paste from the miniaturized opening.

【0075】更に、メタルマスクの当接面,開口部内の
側壁及び当接しない面に被覆された導電性膜の表面には
撥水性を有する樹脂粒子が分散されて表出しているの
で、メタルマスクに付着した半田ペーストを容易に除去
することができ、洗浄性の向上を計ることができる。
Furthermore, since resin particles having water repellency are dispersed and exposed on the surface of the conductive film with which the contact surface of the metal mask, the side wall in the opening and the surface not contacting the metal mask are dispersed, the metal mask is exposed. The solder paste attached to the can be easily removed, and the cleaning property can be improved.

【0076】また、導電性膜は導電性を有するので、静
電気によるメタルマスクへの塵等の付着を防止し、これ
により、半田ペーストを開口部内に正常に埋め込み、か
つ通過させてプリント配線基板上に塗布形成することが
できる。
Further, since the conductive film has conductivity, dust and the like are prevented from adhering to the metal mask due to static electricity, whereby the solder paste is normally embedded in the opening and allowed to pass therethrough, so that the solder paste can be formed on the printed wiring board. Can be formed by coating.

【0077】更に、導電性膜の主成分として硬度の高い
ニッケルを用いることにより、従来の樹脂膜の場合と比
較して表面硬度を向上するとともに、導電性膜中に添加
物、例えばリンの、加熱による硬化促進作用により、導
電性膜の表面硬度が一層増し、メタルマスクの耐磨耗性
の向上を図ることができる。また、導電性膜を加熱処理
することにより、樹脂粒子が一層よく分散し、樹脂粒子
の分布の均一性が増し、摺動性及び半田ペーストの抜け
性の向上を図ることができる。
Further, by using nickel having a high hardness as the main component of the conductive film, the surface hardness is improved as compared with the case of the conventional resin film, and an additive such as phosphorus, Due to the hardening promoting effect by heating, the surface hardness of the conductive film is further increased, and the abrasion resistance of the metal mask can be improved. In addition, by heat-treating the conductive film, the resin particles are better dispersed, the uniformity of the distribution of the resin particles is increased, and the slidability and the solder paste removal property can be improved.

【0078】また、本発明のメタルマスクの製造方法に
より、無電解メッキを用いて導電性膜を形成することに
より、導電性膜の膜厚の均一性が向上し、プリント配線
基板上に塗布形成される半田ペースト量の面内均一性を
確保することができる。
By forming the conductive film by electroless plating according to the method for manufacturing a metal mask of the present invention, the uniformity of the film thickness of the conductive film is improved, and the conductive film is formed by coating on the printed wiring board. It is possible to secure the in-plane uniformity of the amount of solder paste to be formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例に係るメタルマスクにつ
いて説明する断面図である。
FIG. 1 is a sectional view illustrating a metal mask according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例に係るメタルマスクの製
造方法について説明する工程図である。
FIG. 2 is a process drawing for explaining the manufacturing method of the metal mask according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施例に係るメタルマスクの製
造方法について説明する断面図(その1)である。
FIG. 3 is a sectional view (No. 1) for explaining the manufacturing method of the metal mask according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施例に係るメタルマスクの製
造方法について説明する断面図(その2)である。
FIG. 4 is a sectional view (No. 2) for explaining the method for manufacturing the metal mask according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2の実施例に係るメタルマスクの製
造方法について説明する工程図である。
FIG. 5 is a process chart for explaining the manufacturing method of the metal mask according to the second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第2の実施例に係るメタルマスクの製
造方法について説明する断面図(その1)である。
FIG. 6 is a sectional view (No. 1) for explaining the method for manufacturing the metal mask according to the second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2の実施例に係るメタルマスクの製
造方法について説明する断面図(その2)である。
FIG. 7 is a cross-sectional view (No. 2) explaining the method of manufacturing the metal mask according to the second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第3及び第4の実施例に係るメタルマ
スクの製造方法について説明する工程図である。
FIG. 8 is a process chart illustrating a method of manufacturing a metal mask according to third and fourth embodiments of the present invention.

【図9】本発明の第5の実施例に係るメタルマスクの製
造方法について説明する工程図である。
FIG. 9 is a process drawing for explaining a manufacturing method of a metal mask according to a fifth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第3〜第5の実施例に係るメタルマ
スクについて説明する断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating metal masks according to third to fifth embodiments of the present invention.

【図11】第1及び第2の従来例に係るメタルマスクに
ついて説明する断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating metal masks according to first and second conventional examples.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,11a〜11c メタルマスク、 12,12a〜12c 基体、 13,13a〜13c 密着強化膜(ニッケル膜)、 14,14a〜14c 導電性膜、 15a〜15l,19a,19b 開口部、 16,16b,16c プリント配線基板、 17a〜17f 半田ペースト、 18,21 レジスト膜、 18a レジストマスク、 21a,21b レジストパターン膜。 11, 11a to 11c Metal mask, 12, 12a to 12c Substrate, 13, 13a to 13c Adhesion strengthening film (nickel film), 14, 14a to 14c Conductive film, 15a to 151, 19a, 19b Opening part, 16, 16b , 16c Printed wiring board, 17a to 17f Solder paste, 18, 21 Resist film, 18a Resist mask, 21a, 21b Resist pattern film.

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プリント配線基板に重ね、該プリント配
線基板上に適量の半田ペーストを選択的に塗布形成する
メタルマスクにおいて、 板状の導電性の基体と、該基体に形成され、前記半田ペ
ーストを埋め込み、通過させる開口部と、撥水性を有す
る樹脂からなる粒子が分散して含有され、少なくとも前
記プリント配線基板と当接する面に被覆された導電性膜
とを有するメタルマスク。
1. A metal mask for stacking on a printed wiring board and selectively applying and forming an appropriate amount of solder paste on the printed wiring board, comprising: a plate-shaped conductive base and the solder paste formed on the base. A metal mask having an opening for embedding and passing through, and a conductive film that contains dispersed particles of a resin having water repellency and is coated on at least a surface that contacts the printed wiring board.
【請求項2】 前記導電性膜は、前記プリント配線基板
と当接する面及び前記開口部内の側壁に被覆されている
ことを特徴とする請求項1記載のメタルマスク。
2. The metal mask according to claim 1, wherein the conductive film is coated on a surface contacting the printed wiring board and a side wall inside the opening.
【請求項3】 前記導電性膜は、前記プリント配線基板
と当接する面,前記開口部内の側壁及び前記プリント配
線基板と当接しない面に被覆されていることを特徴とす
る請求項1記載のメタルマスク。
3. The conductive film is coated on a surface that comes into contact with the printed wiring board, a sidewall inside the opening, and a surface that does not come into contact with the printed wiring board. Metal mask.
【請求項4】 前記基体はステンレス板又はニッケル板
であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれ
かに記載のメタルマスク。
4. The metal mask according to claim 1, wherein the base is a stainless plate or a nickel plate.
【請求項5】 前記導電性膜はニッケルを主成分とする
導電性膜であることを特徴とする請求項1乃至請求項4
のいずれかに記載のメタルマスク。
5. The conductive film containing nickel as a main component, according to claim 1, wherein the conductive film is a conductive film.
The metal mask according to any one of 1.
【請求項6】 前記導電性膜は前記撥水性を有する樹脂
からなる粒子のほかにリンが含有された、ニッケルを主
成分とする導電性膜であることを特徴とする請求項5記
載のメタルマスク。
6. The metal according to claim 5, wherein the conductive film is a conductive film containing nickel as a main component and containing phosphorus in addition to the particles made of the resin having water repellency. mask.
【請求項7】 前記撥水性を有する樹脂はシリコン樹脂
又はフッ素樹脂であることを特徴とする請求項1乃至請
求項6のいずれかに記載のメタルマスク。
7. The metal mask according to claim 1, wherein the water-repellent resin is a silicone resin or a fluororesin.
【請求項8】 前記撥水性を有する樹脂からなる粒子の
前記導電性膜中の含有率は30vol%以下であること
を特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の
メタルマスク。
8. The metal mask according to claim 1, wherein the content of the particles of the water-repellent resin in the conductive film is 30 vol% or less.
【請求項9】 前記基体と前記導電性膜との間に密着強
化膜が介在することを特徴とする請求項1乃至請求項8
のいずれかに記載のメタルマスク。
9. The adhesion enhancing film is interposed between the substrate and the conductive film.
The metal mask according to any one of 1.
【請求項10】 前記密着強化膜はニッケルを主成分と
することを特徴とする請求項9記載のメタルマスク。
10. The metal mask according to claim 9, wherein the adhesion enhancing film contains nickel as a main component.
【請求項11】 請求項1乃至請求項10のいずれかに
記載の導電性膜を、前記撥水性を有する樹脂からなる粒
子及び導電性物質を少なくとも含有するメッキ液を用い
た無電解メッキにより形成することを特徴とするメタル
マスクの製造方法。
11. The electroconductive film according to any one of claims 1 to 10 is formed by electroless plating using a plating solution containing at least particles of the water-repellent resin and an electroconductive substance. A method of manufacturing a metal mask, comprising:
【請求項12】 前記導電性膜を、前記撥水性を有する
樹脂からなる粒子,導電性物質及び前記導電性膜の硬化
促進作用を有する添加物を含有するメッキ液を用いた無
電解メッキにより形成することを特徴とする請求項11
記載のメタルマスクの製造方法。
12. The electroconductive film is formed by electroless plating using a plating solution containing particles made of the resin having water repellency, an electroconductive substance, and an additive having a hardening promoting action on the electroconductive film. 11. The method according to claim 11, wherein
A method for manufacturing the described metal mask.
【請求項13】 請求項1乃至請求項10のいずれかに
記載の導電性膜を、前記撥水性を有する樹脂からなる粒
子及び導電性物質を少なくとも含有するペーストを塗布
することにより形成することを特徴とするメタルマスク
の製造方法。
13. The conductive film according to claim 1, wherein the conductive film is formed by applying a paste containing at least particles of the water-repellent resin and a conductive substance. A characteristic metal mask manufacturing method.
【請求項14】 前記導電性膜を、前記撥水性を有する
樹脂からなる粒子,導電性物質及び前記導電性膜の硬化
促進作用を有する添加物を含有するペーストを塗布する
ことにより形成することを特徴とする請求項13記載の
メタルマスクの製造方法。
14. The conductive film is formed by applying a paste containing particles made of the resin having water repellency, a conductive substance, and an additive having a function of promoting hardening of the conductive film. 14. The method of manufacturing a metal mask according to claim 13, wherein the metal mask is manufactured.
JP33905892A 1992-12-18 1992-12-18 Metal mask and production thereof Withdrawn JPH06183165A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33905892A JPH06183165A (en) 1992-12-18 1992-12-18 Metal mask and production thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33905892A JPH06183165A (en) 1992-12-18 1992-12-18 Metal mask and production thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06183165A true JPH06183165A (en) 1994-07-05

Family

ID=18323863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33905892A Withdrawn JPH06183165A (en) 1992-12-18 1992-12-18 Metal mask and production thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06183165A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09309037A (en) * 1996-05-24 1997-12-02 Hitachi Denshi Ltd Adsorbing fixing device for thin plate work
JP2005212476A (en) * 2004-02-02 2005-08-11 ▲ぎょく▼徳科技股▲ふん▼有限公司 Manufacturing method of metal mask
JP2006175700A (en) * 2004-12-22 2006-07-06 Process Lab Micron:Kk Mask for stencil printing and its manufacturing method
JP2008512019A (en) * 2004-08-31 2008-04-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Method for manufacturing an RFID antenna
US7452797B2 (en) 2003-04-15 2008-11-18 Harima Chemicals, Inc. Solder deposition method and solder bump forming method
JP2011126097A (en) * 2009-12-16 2011-06-30 Sonocom Co Ltd Multilayer structured metal mask
JP2011206983A (en) * 2010-03-29 2011-10-20 Tdk Corp Pattern printing method of electronic component and method of manufacturing the electronic component
CN102615932A (en) * 2012-04-06 2012-08-01 深圳光韵达光电科技股份有限公司 Metal printing template, manufacturing method of metal printing template and coating solution used in metal printing template
JP2016078393A (en) * 2014-10-21 2016-05-16 ミタニマイクロニクス株式会社 Screen mask, and method for manufacturing screen mask

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09309037A (en) * 1996-05-24 1997-12-02 Hitachi Denshi Ltd Adsorbing fixing device for thin plate work
US7452797B2 (en) 2003-04-15 2008-11-18 Harima Chemicals, Inc. Solder deposition method and solder bump forming method
JP2005212476A (en) * 2004-02-02 2005-08-11 ▲ぎょく▼徳科技股▲ふん▼有限公司 Manufacturing method of metal mask
JP2008512019A (en) * 2004-08-31 2008-04-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Method for manufacturing an RFID antenna
JP2006175700A (en) * 2004-12-22 2006-07-06 Process Lab Micron:Kk Mask for stencil printing and its manufacturing method
JP2011126097A (en) * 2009-12-16 2011-06-30 Sonocom Co Ltd Multilayer structured metal mask
JP2011206983A (en) * 2010-03-29 2011-10-20 Tdk Corp Pattern printing method of electronic component and method of manufacturing the electronic component
CN102615932A (en) * 2012-04-06 2012-08-01 深圳光韵达光电科技股份有限公司 Metal printing template, manufacturing method of metal printing template and coating solution used in metal printing template
JP2016078393A (en) * 2014-10-21 2016-05-16 ミタニマイクロニクス株式会社 Screen mask, and method for manufacturing screen mask

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4024631A (en) Printed circuit board plating process
US4152477A (en) Printed circuit board and method for making the same
US4091125A (en) Circuit board and method for producing same
US20090183901A1 (en) Wiring Boards and Processes for Manufacturing the Same
US4313995A (en) Circuit board and method for producing same
JP4485508B2 (en) Method for producing conductive particles and anisotropic conductive film using the same
JPS6142993A (en) Method of forming conductor layer to resin
JPH06183165A (en) Metal mask and production thereof
JP2005197649A (en) Method for forming bump pad of flip chip and structure thereof
JPH0955451A (en) Preparation of semiconductor package substrate using electrically conductive ink
KR100797708B1 (en) Fabricating method of printed circuit board
JP2000286531A (en) Manufacture of printed wiring board
JP4057748B2 (en) Flexible printed circuit board and manufacturing method thereof
US3390992A (en) Non-etching circuit fabrication
JP2842631B2 (en) Manufacturing method of printed wiring board
JPH11220256A (en) Manufacturing method of ceramic wiring board
JP2006196792A (en) Three-dimensional wiring body and manufacturing method thereof
JPH07326848A (en) Washing method for gold-plated molded substrate
JPS6031116B2 (en) Electric wiring circuit board and its manufacturing method
JPH10298771A (en) Electroless nickel plating method
JP3189741B2 (en) Plating method for independent conductor circuit
JP2005281762A (en) Electroless plating method
JP2002299784A (en) Connection structure of substrate, and manufacturing method thereof
JP2016012634A (en) Multilayer printed wiring board and manufacturing method thereof
JP2581432B2 (en) Manufacturing method of printed wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20000307