JPH06163356A - 縮小投影露光装置及びその方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハ表面の膜厚が不均一であっても寸法が
均一なパターンを形成することができ、かつ所望の領域
のパターンの寸法を独立に変更することができるように
する。 【構成】 照明光学系手段１０より発生した露光光１０
０を分割手段３により例えば２つに分割し、合成パター
ンを複数の領域に分割したパターンをそれぞれ描画した
第１レチクル４、第２レチクル５に、分割された各分割
光１０１、１０２を照射する。その後、これを通過した
各分割光１０１、１０２の光強度を第１調整手段８、第
２調整手段９で独立に調整し、さらに各分割光１０１、
１０２を合成光学系手段で合成して合成パターンを形成
する。そして合成パターンの露光光１０３を投影光学系
手段に通して縮小し、ウエハ２５上に前記各パターンが
それぞれ所定寸法に形成された合成パターンを投影す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造プロセ
スのホトリソグラフィー工程で使用する縮小投影露光装
置及びその方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体製造プロセスのホトリソグ
ラフィー工程においては、半導体素子の微細化に伴って
ウエハ上に微細なパターン形成を高精度に形成できる縮
小投影露光装置が盛んに用いられている。従来の縮小投
影露光装置の一例を図５に示す。図中２０は露光光を発
生する照明光学系手段であり、照明光学系手段２０は光
源２１と、光源２１からの露光光を集光するコンデンサ
ーレンズ系２２とから構成されている。この照明光学系
手段２０の下方でかつ露光光の焦点面には、パターンが
描画されたレチクル２３が配置されており、レチクル２
３の下方には入射した光を縮小投影する投影光学系手段
２４が設けられている。

【０００３】このような装置においては、照明光学系手
段２０より発生した露光光はレチクル２３に入り、さら
にレチクル２３を通って投影光学系手段２４に入射す
る。投影光学系手段２４に入射した露光光はそこで縮小
され、これによって投影光学系手段２４の下方に配置さ
れたウエハ２５上に、レチクル２３に描画されたパター
ンが縮小投影される。

【０００４】ところで上記装置では、レチクル２３に描
画されたパターンを露光光により一括して露光する。従
って、レチクル２３に描画されたパターンが例えば図６
に示した如く中心パターンＡと周辺パターンＢとで構成
されているものにおいても、ウエハ２５上に投影される
パターンＡ、Ｂの寸法ａ、ｂは露光ドーズ量、つまり露
光光の光強度に等しく依存して変化する。

【０００５】一方、図７に示すようにウエハ２５が、例
えば基板２５ａと基板２５ａ表面に形成されたレジスト
２５ｂとから構成されている場合、基板２５ａ表面が平
坦でない場合でも、スピンコーティングによりレジスト
２５ｂは基板２５ａ表面に良好なステップカバレッジで
かつ表面が平坦に形成される。その結果、レジスト２５
ｂの膜厚に差が生じる。

【０００６】図８はこのようなウエハ２５に上記した装
置を用いてコンタクトホールのパターンを縮小投影した
場合の露光状態と、ウエハ２５上、つまりレジスト２５
ｂ表面に達する光強度分布を示したものである。なお、
図中２３ａはレチクル２３のブランクス、２３ｂはコン
タクトホールのパターン３０ａ、３０ｂ、３０ｃが形成
されたレチクル２３のクロム部を示している。上記した
ように従来装置では、レチクル２３に描画されたパター
ンの寸法は露光光の光強度に等しく依存する。従って図
８に示したように、レチクル２３に描画された各コンタ
クトホールのパターン３０ａ、３０ｂ、３０ｃの寸法が
等しい場合、各コンタクトホールのパターン３０ａ、３
０ｂ、３０ｃに対応する位置のレジスト２５ｂ表面に達
する露光光の光強度分布は等しくなる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
２５表面のレジスト２５ｂには膜厚差があるため、レチ
クル２３に描画された各コンタクトホールのパターン３
０ａ、３０ｂ、３０ｃの寸法が等しく、各コンタクトホ
ールのパターン３０ａ、３０ｂ、３０ｃに対応する位置
のレジスト２５ｂ表面に達する露光光の光強度分布が等
しいと、レジスト２５ｂに形成されたコンタクトホール
の径寸法が変動するという問題が生じていた。すなわち
図８に示した如く、レジスト２５ｂの膜厚が厚い部分に
形成された深部コンタクトホール３１は径寸法が小さく
なり、これより膜厚が薄い部分に形成された中部コンタ
クトホール３２、浅部コンタクトホール３３は径寸法が
大きくなってしまうという現象が生じていた。

【０００８】また上記したように従来装置では、レチク
ル２３に描画されたパターンの寸法は露光光の光強度に
等しく依存するため、例えば図６のレチクル２３の中心
パターンＡの寸法ａと周辺パターンＢの寸法ｂとを独立
して変更したい場合、各パターンＡ、Ｂの寸法ａ、ｂを
変更したレチクル２３を新たに作成しなければならない
という問題があった。本発明は上記課題に鑑みてなされ
たものであり、ウエハ表面のレジスト膜厚が不均一であ
っても寸法が均一なパターンを形成することができ、か
つ所望の領域のパターンの寸法を独立に変更することが
できる縮小投影露光装置及びその方法を提供することを
目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、露光光を発生する照明光学系手段と、前記
露光光の焦点面に配置されかつパターンが描画されたレ
チクルと、該レチクルからの露光光を縮小する投影光学
系手段とを備え、前記レチクル及び前記投影光学系手段
に前記露光光を通過させて前記パターンをウエハ上に縮
小投影する縮小投影露光装置において、前記露光光の光
路上に配置され、かつ前記露光光を複数に分割する分割
手段と、該分割手段で分割された各分割光の焦点面に配
置されたレチクルと、該各レチクルを通過した各分割光
の光路上に配置され、かつ各分割光の光強度を調整する
調整手段と、該各調整手段を通過した各分割光の交差位
置に配置され、かつ前記各分割光を合成して合成パター
ンを形成する合成光学系手段とを備えるようにしたもの
である。

【００１０】また本発明は上記装置において、前記各レ
チクルには、前記合成パターンを複数の領域に分割して
形成したパターンがそれぞれ描画されているようにした
ものである。さらに本発明は上記装置において、一つの
前記レチクルに描画されたパターンとその他の前記レチ
クルに描画されたパターンとが組み合わされて前記合成
パターンが形成されるものであって、前記各レチクルに
描画されたパターンは、前記合成パターン中の所定部分
のパターンが有る場合と無い場合とを組み合わせて形成
するようにしたものである。

【００１１】また本発明は、照明光学系手段より発生し
た露光光を分割手段により複数に分割し、分割された各
分割光を所定パターンが描画されたレチクルに照射した
後、各分割光を、各分割光の光強度を調整する各調整手
段と前記各分割光を合成する合成光学系手段と合成され
た露光光を縮小する投影光学系手段に順次通して、ウエ
ハ上に前記所定パターンの合成パターンを縮小投影する
露光方法であって、予め、前記合成パターンを複数の領
域に分割してこのパターンをそれぞれ前記各レチクルに
描画しておき、その後前記各レチクルに前記各分割光を
照射し、これを通過した前記各分割光の光強度を前記調
整手段で独立に調整することにより、前記ウエハ上に前
記各パターンがそれぞれ所定寸法に形成された合成パタ
ーンを投影するようにしたものである。

【００１２】さらに本発明は照明光学系手段より発生し
た露光光を分割手段により複数に分割し、分割された各
分割光を所定パターンが描画されたレチクルに照射した
後、各分割光を、各分割光の光強度を調整する各調整手
段と前記各分割光を合成する合成光学系手段と合成され
た露光光を縮小する投影光学系手段に順次通して、ウエ
ハ上に前記所定パターンの合成パターンを縮小投影する
露光方法であって、予め前記各パターンに対し適正なレ
ジストパターンを得るのに必要とされる露光ドーズ量を
調べ、この結果に基づき前記合成パターン中の所定部分
のパターンの有無を組み合わせて形成したパターンを前
記各レチクルに描画し、その後該各レチクルに前記各分
割光を照射してこれを通過した前記各分割光を前記合成
光学系手段により合成することにより、前記ウエハ上に
達する光強度を前記所定部分のパターン毎に制御するよ
うにしたものである。

【００１３】

【作用】本発明の縮小投影露光装置によれば、照明光学
系手段より露光光を発生させると該露光光は分割手段に
より複数に分割され、分割された各分割光は各分割光の
焦点面に配置されたレチクルにそれぞれ照射される。続
いて各レチクルを通過した各分割光は調整手段に入り、
そこで各分割光の光強度が独立して調整される。この後
各分割光は合成光学系手段に入射し、この合成光学系手
段によって合成されて合成パターンが形成される。さら
に合成パターンの露光光は投影光学系手段に入射して縮
小され、各レチクルに描画されたパターンがそれぞれ所
定寸法に形成された合成パターンがウエハ上に縮小投影
される。

【００１４】また前記各レチクルに描画されたパターン
として、前記合成パターンを複数の領域に分割して形成
したパターンを用いると、このパターン毎に寸法が設定
された合成パターンが前記ウエハ上に縮小投影される。
さらに前記各レチクルに描画されたパターンが、前記合
成パターン中の所定部分のパターンが有る場合と無い場
合との組み合わせにより形成されていると、前記合成光
学系手段で合成された合成パターン中の所定部分のパタ
ーンのうち、複数の分割光が重畳したパターン部分とそ
うでないパターン部分とが生じる。その結果、複数の分
割光が重畳したパターン部分の露光光の光強度は強くな
り、そうでないパターン部分の露光光の光強度は弱くな
る。

【００１５】また本発明の縮小投影露光方法によれば、
各レチクルを通過した各分割光の光強度を調整手段で独
立に調整して、前記ウエハ上に前記各パターンがそれぞ
れ所定寸法に形成された合成パターンを投影するので、
前記各パターンの寸法を変更したレチクルを新たに作成
しなくても前記各パターンの寸法を独立に変更すること
が可能となる。さらに本発明の縮小投影露光方法によれ
ば、予め前記各パターンに対し適正なレジストパターン
を得るのに必要とされる露光ドーズ量を調べ、この結果
に基づき前記合成パターン中の所定部分のパターンの有
無を組み合わせて形成したパターンを前記各レチクルに
描画し、該各レチクルを通過した分割光を前記合成光学
系手段により合成して、前記ウエハ上に達する光強度を
前記所定部分のパターン毎に制御するので、前記ウエハ
表面の膜厚が不均一でも、寸法が均一なパターンが前記
ウエハ表面に形成される。

【００１６】

【実施例】以下、本発明に係る縮小投影露光装置及びそ
の方法の実施例を図面に基づいて説明する。図１は本発
明の縮小投影露光装置の一構成例の概略図である。図中
１０は露光光１００を発生する照明光学系手段であり、
照明光学系手段１０は光源１と、光源１からの露光光
（図示せず）を集光するコンデンサーレンズ系２とから
構成されている。このコンデンサーレンズ系２から照射
される露光光１００の光路上には、例えばビームスプリ
ッターからなる分割手段３が配置されており、分割手段
３によって露光光１００は複数に分割される。本実施例
では、この分割手段３により露光光１００は例えば２分
割され、一方の分割光１０１は露光光１００の入射方向
に対して略９０°の方向に反射し、他方の分割光１０２
は露光光１００の入射方向と略同一方向に進む。

【００１７】上記分割手段３で分割された分割光１０１
の焦点面には、後述する如く所定のパターンが描画され
た第１レチクル４が配置されており、第１レチクル４を
通過した分割光１０１の光路上には、分割光１０１をそ
の入射方向に対して略９０°の方向に反射する第１ミラ
ー６が配置されている。そして第１ミラー６で反射され
た分割光１０１の光路上には、分割光１０１の光強度を
調整する例えば光強度補正板からなる第１調整手段８が
配置されている。一方、分割手段３で分割された分割光
１０２の焦点面には、後述する如く所定のパターンが描
画された第２レチクル５が配置されており、第２レチク
ル５を通過した分割光１０２の光路上には、分割光１０
２をその入射方向に対して略９０°の方向に反射する第
２ミラー７が配置されている。そして第２ミラー７で反
射された分割光１０２の光路上には、分割光１０２の光
強度を調整する例えば光強度補正板からなる第２調整手
段９が配置されている。

【００１８】上記第１調整手段８、第２調整手段９をそ
れぞれ通過した分割光１０１、１０２の交差位置には、
分割光１０１、１０２を合成して合成パターンを形成す
る合成光学系手段１１が配置されており、例えば合成光
学系手段１１はビームスプリッタで構成されている。さ
らに合成光学系手段１１で合成された合成パターンの露
光光１０３の光路上には、露光光１０３を縮小する投影
光学系手段１２が配置されており、投影光学系手段１２
を通過した露光光１０３の光路上にはウエハ２５を載置
するステージ１３が設けられている。

【００１９】次に、このような縮小投影露光装置を用い
てステージ１３に載置されたウエハ２５上に合成パター
ンを縮小投影する露光方法の一例を説明する。まず、第
１レチクル４、第２レチクル５に、合成パターンを複数
の領域に分割して形成したパターンをそれぞれ描画す
る。第１レチクル４、第２レチクル５の一例を図２、図
３にそれぞれ示す。例えば図６に示したパターンを合成
パターンとしてウエハ２５上に縮小投影する場合、図６
の合成パターンは図例の如く中心パターンＡと周辺パタ
ーンＢの２つの領域に分割される。そして、第１レチク
ル４においては周辺パターンＢに対応する領域にクロム
部４０を形成することによって中心パターンＡが描画さ
れ、また第２レチクル５においては中心パターンＡに対
応する領域にクロム部５０を形成することによって周辺
パターンＢが描画される。

【００２０】次にこうして形成された第１レチクル４、
第２レチクル５を、分割手段３により分割された各分割
光１０１、１０２の焦点面にそれぞれ配置し、照明光学
系手段１０より露光光１００を発生させる。すると、露
光光１００は分割手段３により２つに分割され、各分割
光１０１、１０２は第１レチクル４、第２レチクル５に
それぞれ照射される。続いて第１レチクル４、第２レチ
クル５を通過した各分割光１０１、１０２は、第１ミラ
ー６、第２ミラー７によりそれぞれ反射されて第１調整
手段８、第２調整手段９に入る。第１調整手段８、第２
調整手段９では、後述する如く合成パターン中の中心パ
ターンＡ、周辺パターンＢが所定の寸法に形成されるよ
う、各分割光１０１、１０２の光強度を独立して調整
し、調整された各分割光１０１、１０２は合成光学系手
段１１に入射する。そしてそこで各分割光１０１、１０
２は合成されて合成パターンが形成され、この後合成パ
ターンの露光光１０３は投影光学系手段１２で縮小され
る。これによってウエハ２５上に、中心パターンＡの寸
法ａ、周辺パターンＢの寸法ｂがそれぞれ所定寸法に形
成された合成パターンが縮小投影される。

【００２１】以上のように上記実施例の縮小投影露光装
置及び露光方法では、第１レチクル４、第２レチクル５
に描画されるパターンを、合成パターンを複数の領域に
分割したパターンで形成し、また第１レチクル４、第２
レチクル５をそれぞれ通過した分割光１０１、１０２の
光強度を、第１調整手段８、第２調整手段９によって独
立してコントロールするので、ウエハ２５上に縮小投影
される合成パターンの寸法を領域毎に独立して変更する
ことができる。従ってパターン寸法を変更したレチクル
を新たに作成する必要がなく、ウエハ２５上に所望の領
域のパターン寸法が所望の値に形成された合成パターン
を縮小投影することができる。

【００２２】次に、図１に示した縮小投影露光装置を用
いてステージ１３に載置されたウエハ２５上に合成パタ
ーンを縮小投影する露光方法の他の例を説明する。この
実施例においては、各パターン毎にウエハ２５ａの表面
に段差を生じているため、レジスト２５ｂの膜厚が各パ
ターン毎に変動している場合を想定している。この場合
各パターンに対し適正なレジストパターンを得るのに必
要とされる露光ドーズ量を予め調べる。そしてレジスト
２５ｂの膜厚に応じて後述する如くレジスト２５ｂに到
達する露光光の光強度分布が変化するよう、上記膜厚を
調査結果に基づいて第１レチクル４、第２レチクル５の
それぞれに、合成パターン中の所定部分のパターンが有
る場合と無い場合とを組み合わせて形成したパターンを
描画する。第１レチクル４、第２レチクル５に描画され
たパターンの例と、この第１レチクル４、第２レチクル
５によってウエハ２５表面のレジスト２５ｂに縮小投影
された合成パターンの露光状態を図４に示す。なお、第
１レチクル４はブランクス４１とクロム部４２、また第
２レチクル５はブランクス５１クロム部５２とから構成
されている。

【００２３】例えば図８に示したコンタクトホールのパ
ターン３０ａ、３０ｂ、３０ｃが描画されたパターン
を、合成パターンとしてウエハ２５表面のレジスト２５
ｂに縮小投影する場合、レジスト２５ｂの膜厚を調べる
と、膜厚はコンタクトホールのパターン３０ａの投影位
置からコンタクトホールのパターン３０ｃの投影位置へ
向けて順に薄くなっている。従って第１レチクル４に
は、コンタクトホールのパターン３０ａ、３０ｂを形成
したクロム部４２によりコンタクトホールのパターン３
０ａ、３０ｂを描画し、また第２レチクル５には、コン
タクトホールのパターン３０ａ、３０ｃを形成したクロ
ム部５２によりコンタクトホールのパターン３０ａ、３
０ｃを描画する。つまりレジスト２５ｂの膜厚が最も厚
い部分に投影されるコンタクトホールのパターン３０ａ
は、第１レチクル４と第２レチクル５の両者に描画さ
れ、コンタクトホールのパターン３０ｂ、３０ｃはそれ
ぞれ第１レチクル４、第２レチクル５にのみ描画され
る。

【００２４】続いて、こうして形成された第１レチクル
４、第２レチクル５を、分割手段３により分割された各
分割光１０１、１０２の焦点面にそれぞれ配置し、照明
光学系手段１０より露光光１００を発生させる。する
と、露光光１００は分割手段３により２つに分割され、
各分割光１０１、１０２は第１レチクル４、第２レチク
ル５にそれぞれ照射される。続いて第１レチクル４、第
２レチクル５を通過した各分割光１０１、１０２は、第
１ミラー６、第２ミラー７によりそれぞれ反射されて第
１調整手段８、第２調整手段９に入り、そこで各分割光
１０１、１０２の光強度が独立して調整される。この実
施例では、第１調整手段８による分割光１０１の減衰量
を小さくし、また第２調整手段９による分割光１０２の
減衰量を大きくして各分割光１０１、１０２の光強度を
調整する。このことによって第１レチクル４、第１調整
手段８を通過した分割光１０１のレジスト２５ｂに達す
る光強度分布は図４の（イ）に示したようになり、第２
レチクル５、第２調整手段９を通過した分割光１０１
は、全体の光強度が（イ）より弱い（ロ）に示した光強
度分布になる。

【００２５】このように調整された各分割光１０１、１
０２は合成光学系手段１１に入射し、そこで合成されて
図８に示したようなコンタクトホールのパターン３０
ａ、３０ｂ、３０ｃを有する合成パターンが形成され
る。このとき、合成パターンの露光光１０３のレジスト
２５ｂに達する光強度分布は、図４（ハ）に示したよう
に第１レチクル４と第２レチクル５の両者に形成された
コンタクトホールのパターン３０ａに対応する露光光１
０３が、各分割光１０１、１０２が重畳されるために一
番強くなる。次いで第１調整手段８及び第２調整手段９
による光強度の調整により露光光１０３の光強度分布
は、第１レチクル４に形成されたコンタクトホールのパ
ターン３０ｂに対応する露光光１０３、第２レチクル５
に形成されたコンタクトホールのパターン３０ｃ部分に
対応する露光光１０３の順に弱くなる。

【００２６】最後に、上記のように各コンタクトホール
のパターン３０ａ、３０ｂ、３０ｃの順に３段階に光強
度分布が調整された露光光１０３は投影光学系手段１２
で縮小され、ウエハ２５表面のレジスト２５ｂに縮小投
影される。つまり、レジスト２５ｂの膜厚の一番厚い部
分には、一番強い光強度分布を有するコンタクトホール
のパターン３０ａの露光光１０３が、またそれより膜厚
が薄い部分には次に強い光強度分布を有するコンタクト
ホールのパターン３０ｂの露光光１０３が、さらに膜厚
が最も薄い部分には弱い光強度分布を有するコンタクト
ホールのパターン３０ｃの露光光１０３が投影される。
この結果、レジスト２５ｂに膜厚差があってもレジスト
２５ｂには径寸法が略均一な深部コンタクトホール３
１、中部コンタクトホール３２、浅部コンタクトホール
３３がそれぞれ形成される。

【００２７】以上の如く上記実施例の縮小投影露光装置
及び露光方法では、ウエハ２５表面のレジスト２５ｂの
膜厚に基づいて第１レチクル４、第２レチクル５のそれ
ぞれに、合成パターン中の所定部分のパターンが有る場
合と無い場合とを組み合わせて形成したパターンを描画
すると共に、第１レチクル４、第２レチクル５を通過し
た分割光１０１、１０２の光強度を第１調整手段８、第
２調整手段９によって独立してコントロールし、合成光
学系手段１１により合成する。従って、レジスト２５ｂ
に達する露光光１０３の光強度を所定部分のパターン毎
に制御することができ、レジスト２５ｂの膜厚が不均一
であっても均一な寸法のパターンを形成することができ
る。また他に、各パターンによってウエハ２５の膜構成
が異なりパターン毎に反射率が異なり、レジストパター
ン寸法が変動する場合にも応用できる。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように本発明の縮小投影露
光装置によれば、各レチクルに描画されるパターンを、
合成パターンを複数の領域に分割したパターンで形成
し、また各レチクルを通過した分割光の光強度を、各調
整手段によって独立してコントロールするので、ウエハ
上に縮小投影される合成パターンの寸法を領域毎に独立
して変更することができる。従って、ウエハ上に所望の
領域のパターン寸法が所望の値に形成された合成パター
ンを縮小投影することができる。また前記各レチクルに
描画されたパターンが、前記合成パターン中の所定部分
のパターンが有る場合と無い場合との組み合わせにより
形成されている場合には、ウエハ上に達する露光光の光
強度を前記所定部分のパターン毎に制御することができ
る。

【００２９】さらに本発明の縮小投影露光方法によれ
ば、各レチクルを通過した各分割光の光強度を調整手段
で独立に調整して、前記ウエハ上に前記各パターンがそ
れぞれ所定寸法に形成された合成パターンを投影するの
で、前記各パターンの寸法を変更したレチクルを新たに
作成しなくても前記各パターンの寸法を独立に、かつ容
易に変更することができ、作業性を向上させることがで
きる。また本発明の縮小投影露光方法によれば、予め前
記ウエハ表面の膜厚を調べ、この結果に基づき前記合成
パターン中の所定部分のパターンの有無を組み合わせて
形成したパターンを前記各レチクルに描画し、該各レチ
クルを通過した分割光を前記合成光学系手段により合成
して、前記ウエハ上に達する光強度を前記所定部分のパ
ターン毎に制御するので、前記ウエハ表面の膜厚が不均
一でも、寸法が均一なパターンを前記ウエハ表面に形成
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の縮小投影露光装置の一構成例の概略図
である。

【図２】第１レチクルの一例の説明図である。

【図３】第２レチクルの一例の説明図である。

【図４】本発明による露光状態を示した説明図である。

【図５】従来の縮小投影露光装置の一構成例の概略図で
ある。

【図６】パターンと寸法の相関を示す説明図である。

【図７】ウエハの一例の概略断面図である。

【図８】従来技術による露光状態を示した説明図であ
る。

【符号の説明】

３ 分割手段 ４ 第１レチクル ５ 第２レチクル ８ 第１調整手段 ９ 第２調整手段 １０ 照明光学系手段 １１ 合成光学系手段 １２ 投影光学系手段 ２５ ウエハ １００、１０３ 露光光 １０１、１０２ 分割光

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 露光光を発生する照明光学系手段と、前
   記露光光の焦点面に配置されかつパターンが描画された
   レチクルと、該レチクルからの露光光を縮小する投影光
   学系手段とを備え、前記レチクル及び前記投影光学系手
   段に前記露光光を通過させて前記パターンをウエハ上に
   縮小投影する縮小投影露光装置において、 前記露光光の光路上に配置され、かつ前記露光光を複数
   に分割する分割手段と、 該分割手段で分割された各分割光の焦点面に配置された
   レチクルと、 該各レチクルを通過した各分割光の光路上に配置され、
   かつ各分割光の光強度を調整する調整手段と、 該各調整手段を通過した各分割光の交差位置に配置さ
   れ、かつ前記各分割光を合成して合成パターンを形成す
   る合成光学系手段とを備えたことを特徴とする縮小投影
   露光装置。
2. 【請求項２】 前記各レチクルには、前記合成パターン
   を複数の領域に分割して形成したパターンがそれぞれ描
   画されていることを特徴とする請求項１記載の縮小投影
   露光装置。
3. 【請求項３】 一つの前記レチクルに描画されたパター
   ンとその他の前記レチクルに描画されたパターンとが組
   み合わされて前記合成パターンが形成されるものであっ
   て、 前記各レチクルに描画されたパターンは、前記合成パタ
   ーン中の所定部分のパターンが有る場合と無い場合とを
   組み合わせて形成したことを特徴とする請求項１記載の
   縮小投影露光装置。
4. 【請求項４】 照明光学系手段より発生した露光光を分
   割手段により複数に分割し、分割された各分割光を所定
   パターンが描画されたレチクルに照射した後、各分割光
   を、各分割光の光強度を調整する各調整手段と前記各分
   割光を合成する合成光学系手段と合成された露光光を縮
   小する投影光学系手段に順次通して、ウエハ上に前記所
   定パターンの合成パターンを縮小投影する露光方法であ
   って、 予め、前記合成パターンを複数の領域に分割してこのパ
   ターンをそれぞれ前記各レチクルに描画しておき、その
   後前記各レチクルに前記各分割光を照射し、これを通過
   した前記各分割光の光強度を前記調整手段で独立に調整
   することにより、前記ウエハ上に前記各パターンがそれ
   ぞれ所定寸法に形成された合成パターンを縮小投影する
   ことを特徴とする縮小投影露光方法。
5. 【請求項５】 照明光学系手段より発生した露光光を分
   割手段により複数に分割し、分割された各分割光を所定
   パターンが描画されたレチクルに照射した後、各分割光
   を、各分割光の光強度を調整する各調整手段と前記各分
   割光を合成する合成光学系手段と合成された露光光を縮
   小する投影光学系手段に順次通して、ウエハ上に前記所
   定パターンの合成パターンを縮小投影する露光方法であ
   って、 予め前記各パターンに対し適正なレジストパターンを得
   るのに必要とされる露光ドーズ量を調べ、この結果に基
   づいて前記合成パターン中の所定部分のパターンが有る
   場合、無い場合を組み合わせて形成したパターンを前記
   各レチクルに描画し、その後該各レチクルに前記各分割
   光を照射してこれを通過した前記各分割光を前記合成光
   学系手段により合成することにより、前記ウエハ上に達
   する光強度を前記所定部分のパターン毎に制御すること
   を特徴とする縮小投影露光方法。