JPH06163351A - Projection exposure device - Google Patents
Projection exposure deviceInfo
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- JPH06163351A JPH06163351A JP4311557A JP31155792A JPH06163351A JP H06163351 A JPH06163351 A JP H06163351A JP 4311557 A JP4311557 A JP 4311557A JP 31155792 A JP31155792 A JP 31155792A JP H06163351 A JPH06163351 A JP H06163351A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Diaphragms For Cameras (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は投影露光装置のアパー
チャに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an aperture of a projection exposure apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１２は投影露光装置の模式図である。
光源ランプ１は楕円ミラー２の凹面上に設けられてい
る。光源ランプ１から出た光線３は、直接または楕円ミ
ラー２で反射されてミラー６ａに向かう。光線３はミラ
ー６ａで反射されてフライアイレンズ４へ向かう。フラ
イアイレンズ４で光線３を均一にする。フライアイレン
ズ４を通過した光線３の一部はアパーチャ５の透光部を
通過しミラー６ｂへ向かう。光線３の残りはアパーチャ
５の遮光部でミラー６ｂへ向かうのを妨げられる。図１
３は従来のアパーチャの平面図である。アパーチャ５は
光を通す透光部１２と光の通過を妨げる遮光部１３とを
備えている。透光部１２は円形状をしている。2. Description of the Related Art FIG. 12 is a schematic view of a projection exposure apparatus.
The light source lamp 1 is provided on the concave surface of the elliptical mirror 2. The light beam 3 emitted from the light source lamp 1 is directed to the mirror 6a directly or by being reflected by the elliptical mirror 2. The light ray 3 is reflected by the mirror 6a and travels to the fly-eye lens 4. The fly-eye lens 4 makes the light beam 3 uniform. A part of the light ray 3 that has passed through the fly-eye lens 4 passes through the light transmitting portion of the aperture 5 and heads for the mirror 6b. The rest of the light beam 3 is blocked by the light shield of the aperture 5 from going to the mirror 6b. Figure 1
3 is a plan view of a conventional aperture. The aperture 5 includes a light transmitting portion 12 that allows light to pass therethrough and a light shielding portion 13 that prevents light from passing therethrough. The light transmitting portion 12 has a circular shape.
【０００３】ミラー６ｂで反射された光線３はコンデン
サレンズ７へ向かう。コンデンサレンズ７を通過した光
線３はレチクル８へ向かう。レチクル８の全域が照明さ
れるようにコンデンサレンズ７で光線３の調整を行な
う。レチクル８にはパターンが形成されている。すなわ
ちレチクル８はマスクのことである。レチクル８を通過
した光線３は投影レンズ９へ向かう。投影レンズ９を通
過した光線３により、基板１１上に塗布されたレジスト
１３が露光される。これによりレジスト１０にレチクル
８のパターンが露光される。The light ray 3 reflected by the mirror 6b goes to the condenser lens 7. The light ray 3 that has passed through the condenser lens 7 travels to the reticle 8. The condenser lens 7 adjusts the light beam 3 so that the entire area of the reticle 8 is illuminated. A pattern is formed on the reticle 8. That is, the reticle 8 is a mask. The light ray 3 that has passed through the reticle 8 is directed to the projection lens 9. The light beam 3 that has passed through the projection lens 9 exposes the resist 13 applied on the substrate 11. As a result, the pattern of the reticle 8 is exposed on the resist 10.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】図１４はレジストを露
光した後の基板の拡大断面図である。基板１１の上には
第１層間絶縁膜１５が形成されている。第１層間絶縁膜
１５上には第１配線１６が形成されている。第１配線１
６を覆うように、第１層間絶縁膜１５の上に第２層間絶
縁膜１７が形成されている。第２層間絶縁膜１７上に導
電膜１８が形成されている。導電膜１８上にレジスト１
０が塗布されている。レジスト１０の一部が露光されて
いる。その部分を露光パターン２１ａ、２１ｂと呼ぶ。FIG. 14 is an enlarged sectional view of the substrate after exposing the resist. A first interlayer insulating film 15 is formed on the substrate 11. A first wiring 16 is formed on the first interlayer insulating film 15. First wiring 1
A second interlayer insulating film 17 is formed on the first interlayer insulating film 15 so as to cover 6. A conductive film 18 is formed on the second interlayer insulating film 17. Resist 1 on the conductive film 18
0 is applied. A part of the resist 10 is exposed. The portions are called exposure patterns 21a and 21b.
【０００５】レジスト１０には第１配線１６が原因で段
差２０が生じている。レジスト１０に段差２０が生じて
いると露光パターンが所望の形状にならない場合があ
る。図１５はレジスト１０の平面図である。A step 20 is formed in the resist 10 due to the first wiring 16. If the step 20 is formed on the resist 10, the exposure pattern may not have a desired shape. FIG. 15 is a plan view of the resist 10.
【０００６】露光パターン２１ａの箇所はフォーカスが
合っているので、所望のパターンとなっている。これに
対し露光パターン２１ｂではフォーカスがずれているの
で、周囲が丸みを帯び所望のパターンとなっていない。
これは図１４に示すようにレジスト１０に段差２０が生
じているからである。Since the location of the exposure pattern 21a is in focus, it is a desired pattern. On the other hand, since the exposure pattern 21b is out of focus, the periphery is rounded and is not a desired pattern.
This is because the step 20 is formed in the resist 10 as shown in FIG.
【０００７】図１６は従来の露光方法におけるフォーカ
スの合った面からフーリエ変換面までの光束の形を模式
的に示した図である。２９はレジスト上のフォーカスの
合った面を示している。３１は光束である。ここでの光
束３１の大きさは数百ｎｍ〜数μｍ程度である。面３０
は面２９とフーリエ変換面との面の面である。２８はフ
ーリエ変換面を示している。フーリエ変換面２８では光
束３１の大きさは数ｃｍ程度である。フォーカスの合っ
た面２９からフーリエ変換面２８に向かうにしたがって
光束３１の形は徐々にアパーチャ５の透光部１２の形状
（円形）に近づく。FIG. 16 is a diagram schematically showing the shape of a light beam from the in-focus surface to the Fourier transform surface in the conventional exposure method. Reference numeral 29 indicates a face on the resist which is in focus. 31 is a luminous flux. The size of the light flux 31 here is about several hundred nm to several μm. Face 30
Is the surface of the surface 29 and the Fourier transform surface. 28 indicates a Fourier transform plane. On the Fourier transform surface 28, the size of the light beam 31 is about several cm. The shape of the light beam 31 gradually approaches the shape (circular shape) of the transparent portion 12 of the aperture 5 as it goes from the in-focus surface 29 to the Fourier transform surface 28.
【０００８】レジストに段差が生じているとフォーカス
が合うところとずれるところが生じる。フォーカスがず
れた箇所では所望の形状に露光されず、したがってこれ
をマスクとして形成した被エッチング層の形状も所望の
形状にならない。If a step is formed on the resist, there will be a place where the focus is achieved and a place where the focus is displaced. A desired shape is not exposed at a position where the focus is deviated, and thus the shape of the etching target layer formed using this as a mask is not the desired shape.
【０００９】この発明は係る従来の問題点を解決するた
めになされたものである。請求項１および２に記載の発
明の目的は、フォーカスのずれた面でも露光パターンが
所望の形状となる投影露光装置を提供することである。The present invention has been made to solve the above conventional problems. An object of the invention described in claims 1 and 2 is to provide a projection exposure apparatus in which an exposure pattern has a desired shape even on a defocused surface.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体基板の上に塗布されたレジストに所望のパタ
ーンを露光する投影露光装置において、アパーチャの透
光部の形状を露光パターンと略相似形にしたことを特徴
としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a projection exposure apparatus which exposes a desired pattern on a resist coated on a semiconductor substrate. It is characterized by having a substantially similar shape.
【００１１】請求項２に記載の発明は、半導体基板の上
に塗布されたレジストに所望のパターンを露光する投影
露光装置において、アパーチャに複数の透光部を設け、
その透光部を露光パターンと略相似形になるように配置
したことを特徴としている。According to a second aspect of the present invention, in a projection exposure apparatus for exposing a resist coated on a semiconductor substrate with a desired pattern, the aperture is provided with a plurality of light transmitting portions,
It is characterized in that the light transmitting portion is arranged so as to have a shape substantially similar to the exposure pattern.
【００１２】[0012]
【作用】この発明はフォーカス面からずれるにしたがっ
て光束の形がアパーチャの透光部の形に近づくことを利
用している。The present invention utilizes that the shape of the light beam approaches the shape of the light transmitting portion of the aperture as it deviates from the focus surface.
【００１３】請求項１に記載の発明は、アパーチャの透
光部の形状を露光パターンと略相似形にしている。この
ためレジストのうちフォーカスがずれた部分でも所望の
露光パターンを形成できる。According to the first aspect of the present invention, the shape of the light transmitting portion of the aperture is substantially similar to the exposure pattern. For this reason, a desired exposure pattern can be formed even in the out-of-focus portion of the resist.
【００１４】請求項２に記載の発明は、アパーチャに複
数の透光部を設け、その透光部を露光パターンと略相似
形になるように配置している。このため請求項１に記載
の発明と同じように、レジストのうちフォーカスがずれ
た部分でも所望の露光パターンを形成できる。なお、請
求項１および２に記載の発明において略相似形には相似
形が含まれる。According to a second aspect of the present invention, the aperture is provided with a plurality of light transmitting portions, and the light transmitting portions are arranged so as to have a shape substantially similar to the exposure pattern. Therefore, as in the first aspect of the invention, a desired exposure pattern can be formed even in the out-of-focus portion of the resist. In the inventions according to claims 1 and 2, the substantially similar shape includes a similar shape.
【００１５】[0015]
（第１実施例）図１はこの発明に従った投影露光装置の
第１実施例に備えられるアパーチャの平面図である。第
１実施例は図１２に示す投影露光装置のアパーチャ５の
代わりに図１に示すアパーチャ２５を用いるものであ
る。図１に示すようにアパーチャ２５は、光を通す透光
部２６と光を通さない遮光部２７とを備えている。透光
部２６の形状は四角形をしている。透光部２６の形状は
露光パターンの形状と相似形をしている。(First Embodiment) FIG. 1 is a plan view of an aperture provided in a first embodiment of a projection exposure apparatus according to the present invention. The first embodiment uses the aperture 25 shown in FIG. 1 instead of the aperture 5 of the projection exposure apparatus shown in FIG. As shown in FIG. 1, the aperture 25 includes a light transmitting portion 26 that transmits light and a light shielding portion 27 that does not transmit light. The transparent portion 26 has a quadrangular shape. The shape of the transparent portion 26 is similar to the shape of the exposure pattern.
【００１６】図２は図１に示すアパーチャを用いた場合
におけるフォーカスの合った面からフーリエ変換面まで
の光束の形を模式的に示した図である。レジストの表面
である面３９にフォーカスが合っている。四角形状の孤
立的な露光パターンを露光している。したがって光束４
１の形は四角形状をしている。３８はフォーカスの合っ
た面のフーリエ変換面である。４０は面３９とフーリエ
変換面３８との間にある面である。光束４１の形状は、
フォーカスの合った面である面３９からフーリエ変換面
３８に近づくにつれ、フーリエ変換面３８における光束
４１の形状に変化する。フーリエ変換面３８における光
束４１の形状はアパーチャ２５の透光部２６の形状とな
る。アパーチャ２５の透光部２６の形状は露光パターン
の形状と相似形にされているので、フォーカスがずれた
面でも露光パターンの形状を所望の形状にすることがで
きる。FIG. 2 is a diagram schematically showing the shape of a light beam from the focused surface to the Fourier transform surface when the aperture shown in FIG. 1 is used. The surface 39, which is the surface of the resist, is in focus. A rectangular isolated exposure pattern is exposed. Therefore, the luminous flux 4
The shape of 1 is square. Reference numeral 38 denotes a Fourier transform surface which is a focused surface. 40 is a surface between the surface 39 and the Fourier transform surface 38. The shape of the light flux 41 is
The shape of the light flux 41 on the Fourier transform surface 38 changes as it approaches the Fourier transform surface 38 from the surface 39 that is in focus. The shape of the light flux 41 on the Fourier transform surface 38 is the shape of the light transmitting portion 26 of the aperture 25. Since the shape of the light-transmitting portion 26 of the aperture 25 is similar to the shape of the exposure pattern, the shape of the exposure pattern can be made into a desired shape even on a surface out of focus.
【００１７】図３はこの発明に従った投影露光装置の第
１実施例を用いて露光したポジ型のレジスト３３の平面
図である。３５ａ、３５ｂが露光パターンである。露光
パターン３５ｂのところでは、レジスト３３の段差が原
因でフォーカスがずれている。しかしアパーチャ２５の
透光部２６の形状を露光パターンの形状と相似形にして
いるので、フォーカスがずれても露光パターンの形状を
所望の形状にすることができる。FIG. 3 is a plan view of the positive resist 33 exposed by using the first embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention. 35a and 35b are exposure patterns. At the exposure pattern 35b, the focus is deviated due to the step of the resist 33. However, since the shape of the light transmitting portion 26 of the aperture 25 is similar to the shape of the exposure pattern, the shape of the exposure pattern can be made a desired shape even if the focus is deviated.
【００１８】なおアパーチャ２５の透光部２６の形状
は、露光パターンの形状によって異ならせる必要がある
ので、露光パターンの形状によってアパーチャ２５の透
光部２６の形状を変える必要がある。Since the shape of the light transmitting portion 26 of the aperture 25 needs to be different depending on the shape of the exposure pattern, it is necessary to change the shape of the light transmitting portion 26 of the aperture 25 depending on the shape of the exposure pattern.
【００１９】ところで第１実施例では透光部２６の形状
が正方形のアパーチャ２５を用いて正方形の露光パター
ン３５ａ、３５ｂを露光していたが、図４に示すように
正方形の透光部２６のアパーチャ２５を用いて長方形の
露光パターン３５を形成してもよい。円形の透光部のア
パーチャを用いた場合に比べれば所望の露光パターンに
近づく。By the way, in the first embodiment, the square exposure patterns 35a and 35b are exposed by using the aperture 25 having the square shape of the transparent portion 26, but as shown in FIG. A rectangular exposure pattern 35 may be formed using the aperture 25. The desired exposure pattern is approached as compared with the case where the aperture of the circular light transmitting portion is used.
【００２０】また図４では露光パターン３５が孤立的な
場合を説明したが、図５に示すように露光パターン３５
が連続的であっても孤立的と見なせる部分３２がある場
合はこの発明を適用すると有効である。 （第２実施例）図６はこの発明に従った投影露光装置の
第２実施例に備えられるアパーチャの平面図である。ア
パーチャ２５は光の通過を妨げる遮光部２７と光を通過
させる透光部２６ａ、２６ｂを備えている。透光部２６
ａ、２６ｂは円形状をしている。透光部２６ａの周囲に
透光部２６ｂを配置することにより、露光パターンと透
光部とが略相似形になるようにしている。Although the case where the exposure pattern 35 is isolated has been described with reference to FIG. 4, as shown in FIG.
It is effective to apply the present invention when there is a portion 32 which can be regarded as isolated even if is continuous. (Second Embodiment) FIG. 6 is a plan view of an aperture provided in a second embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention. The aperture 25 includes a light-shielding portion 27 that blocks passage of light and transparent portions 26a and 26b that transmit light. Translucent part 26
a and 26b have a circular shape. By disposing the translucent portion 26b around the translucent portion 26a, the exposure pattern and the translucent portion are made to have substantially similar shapes.
【００２１】なお１つの光源を用いて透光部２６ａ、２
６ｂに光をあててもよいが、透光部毎に光源を異ならせ
てもよい。 （第３実施例）図７はこの発明に従った投影露光装置の
第３実施例に備えられるアパーチャの平面図である。ア
パーチャ２５は光の通過を妨げる遮光部２７と光を通過
させる透光部２６とを備えている。この第３実施例では
アパーチャ２６の形状を露光パターンの形状の略相似形
にしている。 （第４実施例）図８はこの発明に従った投影露光装置の
第４実施例に備えられるアパーチャの平面図である。ア
パーチャ２５は光の通過を妨げる遮光部２７と光を通過
させる透光部２６とを備えている。露光パターンの形状
が長方形なので透光部２６の形状も長方形にしている。
図９は図８に示すアパーチャを用いて露光した場合のレ
ジストの平面図である。 （第５実施例）図１０はこの発明に従った投影露光装置
の第５実施例に備えられるアパーチャの平面図である。
アパーチャ２５は光の通過を妨げる遮光部２７と光を通
過させる透光部２６とを備えている。透光部２６の形状
は六角形をしている。露光パターンの形状が六角形の場
合このようなアパーチャを用いて露光を行なう。図１１
は図１０に示すアパーチャを用いて露光した場合のレジ
ストの平面図である。It should be noted that the light transmitting parts 26a, 2
Although light may be applied to 6b, the light source may be different for each light transmitting portion. (Third Embodiment) FIG. 7 is a plan view of an aperture provided in a third embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention. The aperture 25 includes a light blocking portion 27 that blocks the passage of light and a light transmitting portion 26 that transmits the light. In the third embodiment, the shape of the aperture 26 is substantially similar to the shape of the exposure pattern. (Fourth Embodiment) FIG. 8 is a plan view of an aperture provided in a fourth embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention. The aperture 25 includes a light blocking portion 27 that blocks the passage of light and a light transmitting portion 26 that transmits the light. Since the shape of the exposure pattern is rectangular, the shape of the transparent portion 26 is also rectangular.
FIG. 9 is a plan view of the resist when exposed using the aperture shown in FIG. (Fifth Embodiment) FIG. 10 is a plan view of an aperture provided in a fifth embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention.
The aperture 25 includes a light blocking portion 27 that blocks the passage of light and a light transmitting portion 26 that transmits the light. The transparent portion 26 has a hexagonal shape. When the exposure pattern has a hexagonal shape, exposure is performed using such an aperture. Figure 11
FIG. 11 is a plan view of a resist when exposed using the aperture shown in FIG.
【００２２】なお以上の実施例ではポジ型レジストを用
いた場合を説明したが、ネガ型レジストを用いてもよ
い。この場合アパーチャの透光部の形状と露光現像後残
ったレジストの形状とが同じになる。Although a positive resist is used in the above embodiments, a negative resist may be used. In this case, the shape of the transparent portion of the aperture and the shape of the resist remaining after exposure and development are the same.
【００２３】[0023]
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、フォー
カスの合った面のフーリエ変換面であるアパーチャに備
えられた透光部の形状を露光パターンと略相似形にして
いるので、フォーカスがずれた箇所においても所望の露
光パターンを形成することができる。According to the first aspect of the present invention, the shape of the light transmitting portion provided in the aperture, which is the Fourier transform surface of the in-focus surface, is substantially similar to the exposure pattern. A desired exposure pattern can be formed even in a position where the misalignment occurs.
【００２４】請求項２に記載の発明によれば、フォーカ
スの合った面のフーリエ変換面であるアパーチャに複数
の透光部を設け、その透光部を露光パターンと略相似形
になるように配置したので、フォーカスがずれた箇所に
おいても所望の露光パターンを形成することができる。According to the second aspect of the present invention, a plurality of light transmitting portions are provided in the aperture, which is the Fourier transform surface of the in-focus surface, and the light transmitting portions have a shape substantially similar to the exposure pattern. Since they are arranged, a desired exposure pattern can be formed even in a position where the focus is deviated.
【００２５】請求項１および２に記載の発明によれば、
形成する露光パターンによってアパーチャの透光部の形
状を変えれば、１台の投影露光装置で上記効果を得るこ
とができる。According to the inventions of claims 1 and 2,
If the shape of the light-transmitting portion of the aperture is changed according to the exposure pattern to be formed, the above effect can be obtained with one projection exposure apparatus.
【図１】この発明に従った投影露光装置の第１実施例に
備えられるアパーチャの平面図である。FIG. 1 is a plan view of an aperture provided in a first embodiment of a projection exposure apparatus according to the present invention.
【図２】第１実施例を用いて露光した場合におけるフォ
ーカスの合った面からフーリエ変換面までの光束の形を
示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing the shape of a light beam from a focused surface to a Fourier transform surface when exposure is performed using the first embodiment.
【図３】第１実施例を用いて露光したレジストの一例の
平面図である。FIG. 3 is a plan view of an example of a resist exposed using the first embodiment.
【図４】第１実施例を用いて露光したレジストの他の例
の平面図である。FIG. 4 is a plan view of another example of the resist exposed by using the first embodiment.
【図５】第１実施例を用いて露光したレジストのさらに
他の例の平面図である。FIG. 5 is a plan view of still another example of the resist exposed by using the first embodiment.
【図６】この発明に従った投影露光装置の第２実施例に
備えられるアパーチャの平面図である。FIG. 6 is a plan view of an aperture provided in the second embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention.
【図７】この発明に従った投影露光装置の第３実施例に
備えられるアパーチャの平面図である。FIG. 7 is a plan view of an aperture provided in a third embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention.
【図８】この発明に従った投影露光装置の第４実施例に
備えられるアパーチャの平面図である。FIG. 8 is a plan view of an aperture included in a fourth embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention.
【図９】第４実施例を用いて露光したレジストの平面図
である。FIG. 9 is a plan view of a resist exposed by using a fourth example.
【図１０】この発明に従った投影露光装置の第５実施例
に備えられるアパーチャの平面図である。FIG. 10 is a plan view of an aperture included in a fifth embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention.
【図１１】第５実施例を用いて露光したレジストの平面
図である。FIG. 11 is a plan view of a resist exposed by using a fifth example.
【図１２】投影露光装置の模式図である。FIG. 12 is a schematic view of a projection exposure apparatus.
【図１３】従来の投影露光装置に備えられるアパーチャ
の平面図である。FIG. 13 is a plan view of an aperture provided in a conventional projection exposure apparatus.
【図１４】従来の投影露光装置を用いて露光したレジス
トの断面図である。FIG. 14 is a sectional view of a resist exposed by using a conventional projection exposure apparatus.
【図１５】従来の投影露光装置を用いて露光したレジス
トの平面図である。FIG. 15 is a plan view of a resist exposed by using a conventional projection exposure apparatus.
【図１６】従来の投影露光装置を用いて露光した場合に
おけるフォーカスの合った面からフーリエ変換面までの
光束の形を示す模式図である。FIG. 16 is a schematic diagram showing the shape of a light beam from a focused surface to a Fourier transform surface when exposure is performed using a conventional projection exposure apparatus.
２５ アパーチャ ２６ 透光部 ２７ 遮光部 25 Aperture 26 Light-transmitting part 27 Light-shielding part
Claims (2)
所望の露光パターンを露光する投影露光装置において、 フォーカスの合った面のフーリエ変換面にあるアパーチ
ャの透光部の形状を前記露光パターンと略相似形にした
ことを特徴とする投影露光装置。1. A projection exposure apparatus for exposing a resist applied on a semiconductor substrate with a desired exposure pattern, wherein a shape of a light-transmitting portion of an aperture on a Fourier transform surface of a focused surface is defined as the exposure pattern. A projection exposure apparatus having a substantially similar shape.
所望の露光パターンを露光する投影露光装置において、 フォーカスの合った面のフーリエ変換面にあるアパーチ
ャに複数の透光部を設け、その透光部を前記露光パター
ンと略相似形になるように配置したことを特徴とする投
影露光装置。2. A projection exposure apparatus for exposing a resist applied on a semiconductor substrate with a desired exposure pattern, wherein a plurality of light transmitting portions are provided in an aperture on a Fourier transform surface of a focused surface, and the light transmitting portion is provided. A projection exposure apparatus, wherein a light section is arranged so as to have a shape substantially similar to the exposure pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311557A JPH06163351A (en) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | Projection exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311557A JPH06163351A (en) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | Projection exposure device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163351A true JPH06163351A (en) | 1994-06-10 |
Family
ID=18018669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4311557A Withdrawn JPH06163351A (en) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | Projection exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163351A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100385804B1 (en) * | 2000-07-14 | 2003-06-02 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Mask data correction apparatus, fourier transformation apparatus, up sampling apparatus, down sampling apparatus, method of manufacturing transfer mask, and method of manufacturing device having pattern structure |
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1992
- 1992-11-20 JP JP4311557A patent/JPH06163351A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100385804B1 (en) * | 2000-07-14 | 2003-06-02 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Mask data correction apparatus, fourier transformation apparatus, up sampling apparatus, down sampling apparatus, method of manufacturing transfer mask, and method of manufacturing device having pattern structure |
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Legal Events
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