JPH061556B2 - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

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JPH061556B2
JPH061556B2 JP61158248A JP15824886A JPH061556B2 JP H061556 B2 JPH061556 B2 JP H061556B2 JP 61158248 A JP61158248 A JP 61158248A JP 15824886 A JP15824886 A JP 15824886A JP H061556 B2 JPH061556 B2 JP H061556B2
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JP
Japan
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layer
substrate
tellurium
recording
recording medium
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雅樹 伊藤
活二 中川
昭男 森本
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。
The present invention relates to an optical recording medium capable of recording and reproducing information with a laser beam.

[従来の技術] レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
ディスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル(Te)等のカルコゲン元素又はこれら
の化合物が使用されている(特公昭47-26897号公報)。
とくにテルル−セレン系合金はよく使用されている(特
公昭54-41902号公報、特公昭57-7919号公報、特公昭57-
56058号公報)。
[Prior Art] An optical disk memory that records and reproduces information on a medium with a laser beam has an excellent feature as a large-capacity recording device because of its high recording density. A chalcogen element such as tellurium (Te) or a compound thereof is used as the material for the optical recording medium (Japanese Patent Publication No. 47-26897).
In particular, tellurium-selenium alloys are often used (Japanese Patent Publication No. 54-41902, Japanese Patent Publication No. 57-7919, Japanese Patent Publication No. 57-).
56058 publication).

近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が8000Å前後であるが、テルル−セレン系合金は
この波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と適度
な吸収率が得られる{フィジカ・ステイタス・ソリダ
イ,7,189,1964(phys.stat.sol.7,189,1964)}。
In recent years, a semiconductor laser has been used as a laser light source in order to miniaturize a recording device. A semiconductor laser has an oscillation wavelength of around 8000 Å, but a tellurium-selenium alloy is relatively well suited to this wavelength band, and can obtain an appropriate reflectance and an appropriate absorptivity {Physical Status Solidide, 7 ,, 189,1964 (phys.stat.sol. 7 , 189,1964)}.

このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第2図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板1に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層21が設けられている。記録用レーザ光は基板1を通し
て記録層21に集光照射され、ピット22が形成される。基
板1としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
が使用され、基板1にはピットが同心円状あるいはスパ
イラル状に一定間隔で精度よく記録されるように通常案
内溝が設けられている。
An optical recording medium using this tellurium-selenium alloy as an optical recording layer has a structure as shown in FIG. That is, a recording layer 21 made of tellurium-selenium alloy is provided adjacent to the substrate 1. The recording laser light is focused onto the recording layer 21 through the substrate 1 to form pits 22. As the substrate 1, synthetic resin such as polycarbonate, polyolefin, polymethylpentene, acryl, epoxy resin is used, and the substrate 1 is usually provided with guide grooves so that pits can be accurately recorded at concentric circles or spirals at regular intervals. It is provided.

レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常0.3〜1.3μmであり、溝の深さは使用
するレーザ波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集
光に関しても同様のサーボ系が構成されている。情報の
読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレーザ光を
ピット上を通過するように照射することにより、ピット
の有無に起因する反射率の変化を検出して行なう。
When light is incident on a groove with a width of about the laser beam diameter, the light is diffracted and the spatial distribution of the diffracted light intensity changes as the beam center shifts from the groove, so this is detected and the laser beam is incident on the center of the groove. The servo system is configured as follows. The width of the groove is usually 0.3 to 1.3 μm, and the depth of the groove is set in the range of 1/12 to 1/4 of the laser wavelength used. A similar servo system is configured for focusing. Information is read by irradiating a laser beam having a weaker power than that at the time of recording so as to pass over the pit, and detecting a change in reflectance due to the presence or absence of the pit.

[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、テルル−セレン系合金層のみを記録層と
して用いた光記録媒体では信号品質が充分に良好ではな
かった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the signal quality was not sufficiently good in the optical recording medium using only the tellurium-selenium alloy layer as the recording layer.

一方、本発明者らは記録層をテルルとセレンと窒素を主
成分とすることにより、信号品質が良好となることを見
出し、すでに提案している。本発明はこれをさらに改善
したものであり、耐候性がよくかつ高感度で信号品質の
良好な光記録媒体を提供することを目的とする。
On the other hand, the inventors of the present invention have found that the recording layer containing tellurium, selenium, and nitrogen as main components improves the signal quality, and have already proposed. The present invention is a further improvement of the above, and an object thereof is to provide an optical recording medium having good weather resistance, high sensitivity, and good signal quality.

[問題点を解決するための手段] 上記目的を達成するために、本発明は、基板と、レーザ
光によって一部が選択的に除去されて情報を記録する前
記基板上に形成された記録層とからなる光記録媒体にお
いて、前記記録層が硫化亜鉛を主成分とする前記基板側
に形成された層と、この層に隣接して前記基板の外方に
形成されたテルル、セレンおよび窒素を主成分とする層
とを少なくとも有するようにしたものである。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate and a recording layer formed on the substrate on which information is partially removed by laser light to record information. In the optical recording medium consisting of, the recording layer includes a layer formed on the side of the substrate containing zinc sulfide as a main component, and tellurium, selenium and nitrogen formed outside the substrate adjacent to the layer. It has at least a layer as a main component.

本発明においては例えば第1図に示すように、基板1上
に硫化物を主成分とする層(以下硫化物層と略す)2、
テルル、セレンおよび窒素を主成分とする層(以下テル
ル−セレン−窒素層と略す)3が順次積層されて記録層
を形成する。基板1とテルル−セレン−窒素層3との間
に硫化物層2を設けることにより、記録により形成され
るピットが大きく拡がらないようになる。したがって、
ピットをつめて記録できるので高密度記録が可能とな
る。又、記録パワー変動に対する余裕度も大きくなるの
で実用的な光記録媒体となる。さらに又、大きなピット
が形成されないためトラッキングやフォーカスサーボが
不安定にならないので実用的な光記録媒体となる。
In the present invention, for example, as shown in FIG. 1, a layer containing sulfide as a main component (hereinafter abbreviated as sulfide layer) 2 on a substrate 1,
A layer containing tellurium, selenium and nitrogen as main components (hereinafter abbreviated as tellurium-selenium-nitrogen layer) 3 is sequentially laminated to form a recording layer. Providing the sulfide layer 2 between the substrate 1 and the tellurium-selenium-nitrogen layer 3 prevents the pits formed by recording from greatly expanding. Therefore,
High-density recording is possible because pits can be filled and recorded. In addition, since the margin for recording power fluctuation becomes large, it becomes a practical optical recording medium. Furthermore, since a large pit is not formed, tracking and focus servo do not become unstable, so that the optical recording medium becomes a practical one.

硫化物層としては種々の硫化物を使用することができる
が、その中では硫化亜鉛がとくに望ましい。吸収のない
硫化物の場合の膜厚は5Åから1800Åの範囲が望まし
い。吸収のある硫化物の場合の膜厚は2Åから900Åの
範囲が望ましい。吸収のある硫化物を用いた場合の記録
ピットはテルル−セレン−窒素層の孔と硫化物層の変形
(孔、凹部等)とにより形成される。
Various sulfides can be used as the sulfide layer, of which zinc sulfide is particularly desirable. In the case of non-absorbing sulfide, the film thickness is preferably in the range of 5Å to 1800Å. In the case of absorbing sulfide, the film thickness is preferably in the range of 2Å to 900Å. The recording pits when the absorbing sulfide is used are formed by the holes of the tellurium-selenium-nitrogen layer and the deformation (holes, recesses, etc.) of the sulfide layer.

テルル−セレン−窒素層の厚さは100Åから1000Åの範
囲が記録再生特性の観点から望ましい。またテルル−セ
レン−窒素層における窒素の含有量は原子数パーセント
で2パーセント以上20パーセント未満が記録再生特性、
耐候性の観点から望ましく、セレンの含有量は原子数パ
ーセントで2パーセントから50パーセントの範囲が耐候
性の観点から望ましい。
The thickness of the tellurium-selenium-nitrogen layer is preferably in the range of 100Å to 1000Å from the viewpoint of recording / reproducing characteristics. Further, the content of nitrogen in the tellurium-selenium-nitrogen layer is 2% or more and less than 20% in terms of the number of atoms, and the recording / reproducing characteristics,
It is desirable from the viewpoint of weather resistance, and the content of selenium is preferably in the range of 2% to 50% in terms of atomic number from the viewpoint of weather resistance.

テルル−セレン−窒素層には鉛、ヒ素、スズ、ゲルマニ
ウム、カドミウム、タリウム、アンチモン、イオウ、リ
ン、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニ
ウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウ
ム、コバルトの群から選ばれた少なくとも1種の元素が
添加されていてもよい。この場合、ピットの形状を良好
に整える場合がある。ただし添加量は原子数パーセント
で20パーセント未満が望ましい。
The tellurium-selenium-nitrogen layer contains lead, arsenic, tin, germanium, cadmium, thallium, antimony, sulfur, phosphorus, indium, gallium, zinc, bismuth, aluminum, copper, silver, magnesium, tantalum, gold, palladium, and cobalt. At least one element selected from the group may be added. In this case, the shape of the pit may be properly adjusted. However, it is desirable that the added amount is less than 20% in terms of the number of atoms.

成膜方法は、スパッタリング法の他に、蒸着法、反応性
蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビームデポジ
ション法等でもよい。
The film forming method may be a vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, an ion beam deposition method, or the like, in addition to the sputtering method.

基板としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスなど通常使用されているものが用いられる。
As the substrate, a commonly used one such as glass, synthetic resin such as polycarbonate, polyolefin, polymethylpentene, acryl, epoxy resin or the like is used.

[作用] 基板とテルル−セレン−窒素層の間に硫化物層を介在さ
せることによってピットが大きく拡がらなくなり、優れ
た光記録媒体を得ることができる。これはテルル−セレ
ン−窒素層の有無による表面エネルギーの差が硫化物層
の形成により変化するためであると考えられる。
[Operation] By interposing the sulfide layer between the substrate and the tellurium-selenium-nitrogen layer, the pits do not greatly expand, and an excellent optical recording medium can be obtained. It is considered that this is because the difference in surface energy due to the presence or absence of the tellurium-selenium-nitrogen layer changes due to the formation of the sulfide layer.

[実施例] 以下本発明の実施例について説明する。[Examples] Examples of the present invention will be described below.

実施例 100℃で2時間アニール処理した内径15mm、外径130mm、
厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂ディスク基板に硫化
亜鉛を約100Å厚形成し、ひきつづきこの上に、テルル
−セレン合金ターゲットをアルゴンと窒素の混合ガスで
マグネトロンスパッタして、テルルとセレンと窒素の比
が原子数パーセントで90対4対6のテルル−セレン−窒
素層を約240Å厚形成した。
Example Inner diameter 15 mm, outer diameter 130 mm, annealed at 100 ° C. for 2 hours,
Approximately 100 Å of zinc sulfide is formed on a 1.2 mm thick polycarbonate resin disk substrate, and then a tellurium-selenium alloy target is magnetron sputtered with a mixed gas of argon and nitrogen to give a tellurium-selenium-nitrogen ratio. A 90: 4: 6 tellurium-selenium-nitrogen layer was formed in a thickness of about 240 Å with a number of atomic percent.

この光ディスクを95℃の窒素雰囲気中で1時間アニール
したのち、波長8300Åにおける基板入射反射率を測定し
たところ32%であった。波長8300Åの半導体レーザ光を
基板を通して入射して記録層上で1.6μmφ程度に絞り、
媒体線速度5.6m/sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス
幅70nsec、記録パワー6.5mWの条件で記録し、0.7mWで再
生した。バンド幅30kHzのキャリアーとノイズとの比(C
/N)は50dbと良好であった。この光ディスクを60℃、80
%の高温高湿度の環境に60時間保存した後、上記特性を
調べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体である
ことが確認された。
After annealing this optical disk for 1 hour in a nitrogen atmosphere at 95 ° C., the substrate incident reflectance at a wavelength of 8300Å was measured and found to be 32%. A semiconductor laser beam with a wavelength of 8300Å enters through the substrate and is focused on the recording layer to about 1.6 μmφ.
Recording was performed at a medium linear velocity of 5.6 m / sec, a recording frequency of 3.77 MHz, a recording pulse width of 70 nsec, and a recording power of 6.5 mW, and the recording was performed at 0.7 mW. Bandwidth 30kHz carrier to noise ratio (C
/ N) was as good as 50db. This optical disc at 60 ℃, 80
After storing in an environment of high temperature and high humidity of 60% for 60 hours, the above characteristics were examined, but it was confirmed that the optical recording medium had no change and was excellent in weather resistance.

比較のための硫化亜鉛層を設けない光ディスクに比べ
て、45dB以上のC/Nが得られる記録パワー範囲はおよそ
2倍大きくなり、記録パワー変動に対する余裕度の大き
いことが確認された。又、トラッキングやフォーカスの
サーボも不安定になることはなかった。
It was confirmed that the recording power range in which a C / N of 45 dB or more was obtained was about twice as large as that of an optical disk having no zinc sulfide layer for comparison, and that there was a large margin for recording power fluctuations. Moreover, the tracking and focus servos were not unstable.

[発明の効果] 以上説明したように本発明の光記録媒体は耐候性がよく
かつ高感度で信号品質の良好なものである。
[Advantages of the Invention] As described above, the optical recording medium of the present invention has good weather resistance, high sensitivity, and good signal quality.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の光記録媒体の1実施例を示す部分断面
図、第2図は従来の光記録媒体を示す部分断面図であ
る。 1…基板 2…硫化物層 3…テルル−セレン−窒素層 21…記録層 22…ピット
FIG. 1 is a partial sectional view showing an embodiment of an optical recording medium of the present invention, and FIG. 2 is a partial sectional view showing a conventional optical recording medium. 1 ... Substrate 2 ... Sulfide layer 3 ... Tellurium-selenium-nitrogen layer 21 ... Recording layer 22 ... Pit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板と、レーザ光によって一部が選択的に
除去されて情報を記録する前記基板上に形成された記録
層とからなる光記録媒体において、前記記録層が硫化亜
鉛を主成分とする前記基板側に形成された層と、この層
に隣接して前記基板の外方に形成されたテルル、セレン
および窒素を主成分とする層とを少なくとも有している
ことを特徴とする光記録媒体。
1. An optical recording medium comprising a substrate and a recording layer formed on the substrate for recording information by selectively removing a part by laser light, wherein the recording layer contains zinc sulfide as a main component. And a layer mainly composed of tellurium, selenium, and nitrogen, which is formed adjacent to the substrate and outside the substrate. Optical recording medium.
JP61158248A 1986-04-30 1986-07-04 Optical recording medium Expired - Fee Related JPH061556B2 (en)

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