JPH06152207A - マイクロ波電力吸収装置 - Google Patents
マイクロ波電力吸収装置Info
- Publication number
- JPH06152207A JPH06152207A JP29843692A JP29843692A JPH06152207A JP H06152207 A JPH06152207 A JP H06152207A JP 29843692 A JP29843692 A JP 29843692A JP 29843692 A JP29843692 A JP 29843692A JP H06152207 A JPH06152207 A JP H06152207A
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- Japan
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- diverter
- microwave
- incident
- reflection
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、マイクロ波を高効率で吸収して、
マイクロ波入射側への反射が殆どないマイクロ波電力吸
収装置を提供することを目的とする。 【構成】この発明のマイクロ波電力吸収装置は、入射さ
れるマイクロ波の進行方向に中心軸上に沿って配設され
入力側から見て次第に径大となる円錐状のダイバ−タ３
２と、このダイバ−タの上流側に接続された円形導波管
２３と、この導波管に連設されダイバ−タの外側に所定
間隔をおいて同軸的に配設されたマイクロ波吸収体とを
具備し、更にダイバ−タがマイクロ波吸収体で構成さ
れ、且つこのダイバ−タの裏側に冷媒が設けられてな
り、上記の目的を達成することが出来る。
マイクロ波入射側への反射が殆どないマイクロ波電力吸
収装置を提供することを目的とする。 【構成】この発明のマイクロ波電力吸収装置は、入射さ
れるマイクロ波の進行方向に中心軸上に沿って配設され
入力側から見て次第に径大となる円錐状のダイバ−タ３
２と、このダイバ−タの上流側に接続された円形導波管
２３と、この導波管に連設されダイバ−タの外側に所定
間隔をおいて同軸的に配設されたマイクロ波吸収体とを
具備し、更にダイバ−タがマイクロ波吸収体で構成さ
れ、且つこのダイバ−タの裏側に冷媒が設けられてな
り、上記の目的を達成することが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばジャイロトロ
ンの負荷に使用して好適なマイクロ波電力吸収装置の改
良に関する。
ンの負荷に使用して好適なマイクロ波電力吸収装置の改
良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にマイクロ波電力吸収装置を備えた
装置として、例えばジャイロトロン装置がある。ジャイ
ロトロン装置は、周知のようにサイクロトロンメ―ザ作
用を動作原理とする電子管で、ミリ波からサブミリ波帯
における高周波大電力源として利用されつつあるが、最
近、ブラソフ変換器によって電子ビ−ム路と高周波の行
路とを分離することが可能なブラソフ変換器内蔵型ジャ
イロトロン装置が提案されている。この種のジャイロト
ロン装置は、図３に示すように構成され、同図の符号１
は中空電子ビ―ムを発生する電子銃部である。この電子
銃部１の電子ビ―ム下流には、次第に径小となるテ―パ
状電子ビ―ム導入部２が配置され、この電子ビ―ム導入
部２の下流には、共振空胴部３が連続的に設けられてい
る。この共振空胴部３の下流には、ブラソフ変換器４が
設けられ、このブラソフ変換器４の下流に複数のミラ−
５、６、７が設けられ、最後のミラ−７に対応して透過
窓８を有する円形出力導波管９が管軸に直交する方向に
突設され、ミラ−７のビ−ム下流にはコレクタ部１０が
設けられている。又、電子銃部１からブラソフ変換器４
へかけての外側には、外部磁石１１、１２が配置され、
各部に所定の磁界を与えている。
装置として、例えばジャイロトロン装置がある。ジャイ
ロトロン装置は、周知のようにサイクロトロンメ―ザ作
用を動作原理とする電子管で、ミリ波からサブミリ波帯
における高周波大電力源として利用されつつあるが、最
近、ブラソフ変換器によって電子ビ−ム路と高周波の行
路とを分離することが可能なブラソフ変換器内蔵型ジャ
イロトロン装置が提案されている。この種のジャイロト
ロン装置は、図３に示すように構成され、同図の符号１
は中空電子ビ―ムを発生する電子銃部である。この電子
銃部１の電子ビ―ム下流には、次第に径小となるテ―パ
状電子ビ―ム導入部２が配置され、この電子ビ―ム導入
部２の下流には、共振空胴部３が連続的に設けられてい
る。この共振空胴部３の下流には、ブラソフ変換器４が
設けられ、このブラソフ変換器４の下流に複数のミラ−
５、６、７が設けられ、最後のミラ−７に対応して透過
窓８を有する円形出力導波管９が管軸に直交する方向に
突設され、ミラ−７のビ−ム下流にはコレクタ部１０が
設けられている。又、電子銃部１からブラソフ変換器４
へかけての外側には、外部磁石１１、１２が配置され、
各部に所定の磁界を与えている。
【０００３】さて動作時には、電子銃部１から出射した
電子ビ−ムは、外部磁石１１、１２により発生した磁界
及び電子銃部１のアノ−ド・カソ−ド間に印加された電
界により、サイクロトロン周波数を持つ旋回運動を行な
うようになる。そして、電子銃部１から共振空胴部３に
向かって緩やかに増大する磁界により、旋回速度を増加
させながら共振空胴部３へ入射する。共振空胴部３にお
いて、励起された高周波電磁界と相互作用を行ない、電
子の運動エネルギは高周波エネルギに変換される。共振
空胴部３で発生した高周波は、ブラソフ変換器４によっ
てガウシアンビ−ムに変換される。そして、ミラ−５、
６、７により高周波の進行方向を変えて、出力導波管９
を通って外部回路へ導かれる。
電子ビ−ムは、外部磁石１１、１２により発生した磁界
及び電子銃部１のアノ−ド・カソ−ド間に印加された電
界により、サイクロトロン周波数を持つ旋回運動を行な
うようになる。そして、電子銃部１から共振空胴部３に
向かって緩やかに増大する磁界により、旋回速度を増加
させながら共振空胴部３へ入射する。共振空胴部３にお
いて、励起された高周波電磁界と相互作用を行ない、電
子の運動エネルギは高周波エネルギに変換される。共振
空胴部３で発生した高周波は、ブラソフ変換器４によっ
てガウシアンビ−ムに変換される。そして、ミラ−５、
６、７により高周波の進行方向を変えて、出力導波管９
を通って外部回路へ導かれる。
【０００４】例えば、このジャイロトロンの動作試験や
調整の際には、出力導波管９にダミ−ロ−ド即ちマイク
ロ波電力吸収装置１３を接続する。尚、その間に方向性
結合器１４を介して周波数計１５、可変抵抗減衰器１
６、検波器１７等を接続して計測する。
調整の際には、出力導波管９にダミ−ロ−ド即ちマイク
ロ波電力吸収装置１３を接続する。尚、その間に方向性
結合器１４を介して周波数計１５、可変抵抗減衰器１
６、検波器１７等を接続して計測する。
【０００５】このようなジャイロトロン装置におけるマ
イクロ波電力吸収装置１３は、従来、図４に示すように
構成され、図中の符号２１は導電体製のダイバ−タ、２
２，２４はミラ−部、２３は導波管、２５は内側円筒
部、２６は外側円筒部、２７は導入口、２８は排出口、
２９は水である。そして、ミラ−部２２，２４で反射す
ることにより電力密度を低くしたマイクロ波を、内側円
筒部２５で吸収させている。この内側円筒部２５は外側
を流れる水２９により冷却され、この水２９の流量と温
度上昇からマイクロ波の電力が算出出来る。
イクロ波電力吸収装置１３は、従来、図４に示すように
構成され、図中の符号２１は導電体製のダイバ−タ、２
２，２４はミラ−部、２３は導波管、２５は内側円筒
部、２６は外側円筒部、２７は導入口、２８は排出口、
２９は水である。そして、ミラ−部２２，２４で反射す
ることにより電力密度を低くしたマイクロ波を、内側円
筒部２５で吸収させている。この内側円筒部２５は外側
を流れる水２９により冷却され、この水２９の流量と温
度上昇からマイクロ波の電力が算出出来る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のマイ
クロ波電力吸収装置では、内側円筒部２５の１回反射に
おける吸収率が１００％（完全吸収）でないため、ダイ
バ−タ２１と内側円筒部２５間の反射を繰返す間に、吸
収されなかったマイクロ波はジャイロトロン側へ反射す
る。このことにより、ジャイロトロンの出力電力を正確
に測定することが出来ないだけでなく、ジャイロトロン
の発振動作に悪影響を及ぼすという不都合がある。
クロ波電力吸収装置では、内側円筒部２５の１回反射に
おける吸収率が１００％（完全吸収）でないため、ダイ
バ−タ２１と内側円筒部２５間の反射を繰返す間に、吸
収されなかったマイクロ波はジャイロトロン側へ反射す
る。このことにより、ジャイロトロンの出力電力を正確
に測定することが出来ないだけでなく、ジャイロトロン
の発振動作に悪影響を及ぼすという不都合がある。
【０００７】この発明は、以上のような不都合を解消
し、マイクロ波を高効率で吸収して、マイクロ波入射側
への反射が殆どないマイクロ波電力吸収装置を提供する
ことを目的とする。
し、マイクロ波を高効率で吸収して、マイクロ波入射側
への反射が殆どないマイクロ波電力吸収装置を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、入射される
マイクロ波の進行方向に中心軸上に沿って配設され入力
側から見て次第に径大となる円錐状のダイバ−タと、こ
のダイバ−タの上流側に接続された円形導波管と、この
導波管に連設されダイバ−タの外側に所定間隔をおいて
同軸的に配設されたマイクロ波吸収体とを具備し、更に
ダイバ−タがマイクロ波吸収体で構成され、且つこのダ
イバ−タの裏側に冷媒が設けられてなるマイクロ波電力
吸収装置である。
マイクロ波の進行方向に中心軸上に沿って配設され入力
側から見て次第に径大となる円錐状のダイバ−タと、こ
のダイバ−タの上流側に接続された円形導波管と、この
導波管に連設されダイバ−タの外側に所定間隔をおいて
同軸的に配設されたマイクロ波吸収体とを具備し、更に
ダイバ−タがマイクロ波吸収体で構成され、且つこのダ
イバ−タの裏側に冷媒が設けられてなるマイクロ波電力
吸収装置である。
【０００９】
【作用】この発明によれば、マイクロ波入射側への反射
が皆無となる。又、マイクロ波の入射エネルギを、より
正確に測定することが出来る。
が皆無となる。又、マイクロ波の入射エネルギを、より
正確に測定することが出来る。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の一実施例
を詳細に説明する。
を詳細に説明する。
【００１１】この発明によるマイクロ波電力吸収装置は
図１に示すように構成され、従来例と同一箇所は同一符
号を付すことにする。即ち、入射マイクロ波の進行方向
に中心軸上に沿って例えばＳｉＣのようなマイクロ波吸
収体からなるダイバ−タ３２が配設されており、入力側
から見て次第に径大となる円錐状に形成されている。そ
して、このダイバ−タ３２の径小部である上流端外面に
は、鏡面仕上げの金属からなるテ−パ状ミラ−部３３が
形成されている。尚、このミラ−部３３の傾斜角度は、
図から明らかなように、円錐状ダイバ−タ３２自体の傾
斜角度より大きい。このようなダイバ−タ３２の外側に
は、上流側に所定間隔をおいて円形導波管２３が設けら
れ、この円形導波管２３の内壁には、ダイバ−タ３２の
ミラ−部３３に対向してテ−パ状ミラ−部２４が形成さ
れている。このミラ−部２４は金属からなっている。
尚、ダイバ−タ３２の上流側にあるミラ−部３３の最大
部直径寸法は、円形導波管２３の内径寸法と同等又はそ
れより僅か大きい寸法になっている。このような円形導
波管２３の内壁ミラ−部２４の先には、ＳｉＣのような
マイクロ波吸収体からなる内側円筒部３４がダイバ−タ
３２に沿って連設され、この内側円筒部３４はダイバ−
タ３２の外側に下流に行くほど間隔が狭くなるように位
置されている。この内側円筒部３４の外側には所定間隔
をおいて金属製の外側円筒部２６が同軸的に配設され、
内側円筒部３４との間に冷媒用の流路が形成されてい
る。尚、この外側円筒部２６は必要に応じ内側円筒部３
４と同様なマイクロ波吸収体で構成しても良い。この外
側円筒部２６には上流側に導入口２７が突設され、動作
時にはこの導入口２７からマイクロ波吸収性の良い冷媒
例えば水２９が内部に矢印の如く導入され、内側円筒部
２５と外側円筒部２６との間を流れて排出口（後述）か
ら排出される。更に、ダイバ−タ３２の内側には所定間
隔をおいて円錐状の冷媒流路用筒部３５ およびこの冷
媒流路用筒部３５に続く冷媒流路用円筒３６が配設さ
れ、冷媒流路用筒部３５とダイバ−タ３２とにより、上
記の冷媒用の流路に連通する流路が形成されている。そ
して、冷媒流路用円筒３６の先端が排出口２８となり、
導入口２７から導入された水２９が流れて排出口２８か
ら排出される。従って、ダイバ−タ３２の裏側には、冷
媒が設けられていることになる。
図１に示すように構成され、従来例と同一箇所は同一符
号を付すことにする。即ち、入射マイクロ波の進行方向
に中心軸上に沿って例えばＳｉＣのようなマイクロ波吸
収体からなるダイバ−タ３２が配設されており、入力側
から見て次第に径大となる円錐状に形成されている。そ
して、このダイバ−タ３２の径小部である上流端外面に
は、鏡面仕上げの金属からなるテ−パ状ミラ−部３３が
形成されている。尚、このミラ−部３３の傾斜角度は、
図から明らかなように、円錐状ダイバ−タ３２自体の傾
斜角度より大きい。このようなダイバ−タ３２の外側に
は、上流側に所定間隔をおいて円形導波管２３が設けら
れ、この円形導波管２３の内壁には、ダイバ−タ３２の
ミラ−部３３に対向してテ−パ状ミラ−部２４が形成さ
れている。このミラ−部２４は金属からなっている。
尚、ダイバ−タ３２の上流側にあるミラ−部３３の最大
部直径寸法は、円形導波管２３の内径寸法と同等又はそ
れより僅か大きい寸法になっている。このような円形導
波管２３の内壁ミラ−部２４の先には、ＳｉＣのような
マイクロ波吸収体からなる内側円筒部３４がダイバ−タ
３２に沿って連設され、この内側円筒部３４はダイバ−
タ３２の外側に下流に行くほど間隔が狭くなるように位
置されている。この内側円筒部３４の外側には所定間隔
をおいて金属製の外側円筒部２６が同軸的に配設され、
内側円筒部３４との間に冷媒用の流路が形成されてい
る。尚、この外側円筒部２６は必要に応じ内側円筒部３
４と同様なマイクロ波吸収体で構成しても良い。この外
側円筒部２６には上流側に導入口２７が突設され、動作
時にはこの導入口２７からマイクロ波吸収性の良い冷媒
例えば水２９が内部に矢印の如く導入され、内側円筒部
２５と外側円筒部２６との間を流れて排出口（後述）か
ら排出される。更に、ダイバ−タ３２の内側には所定間
隔をおいて円錐状の冷媒流路用筒部３５ およびこの冷
媒流路用筒部３５に続く冷媒流路用円筒３６が配設さ
れ、冷媒流路用筒部３５とダイバ−タ３２とにより、上
記の冷媒用の流路に連通する流路が形成されている。そ
して、冷媒流路用円筒３６の先端が排出口２８となり、
導入口２７から導入された水２９が流れて排出口２８か
ら排出される。従って、ダイバ−タ３２の裏側には、冷
媒が設けられていることになる。
【００１２】動作時には、図に示すガウス分布の入力パ
ワ−密度分布のマイクロ波が入射されるが、実線矢印の
ようにミラ−部３３と導波管２３の内壁ミラ−部２４に
より反射され、電力密度を下げた後、この反射波３０、
３１は内側円筒部３４に入射され吸収される。この場
合、内側円筒部３４の反射率ＲがＲ＝０でない限り、入
射マイクロ波の一部は反射する。反射波３０、３１はダ
イバ−タ３２と内側円筒部３４との間で反射を繰返し、
減衰・吸収される。ダイバ−タ３２の底部付近まで伝播
した波が進行方向を入力側に変えても、同様にダイバ−
タ３２，内側円筒部３４の間で反射を繰返し、減衰・吸
収される。
ワ−密度分布のマイクロ波が入射されるが、実線矢印の
ようにミラ−部３３と導波管２３の内壁ミラ−部２４に
より反射され、電力密度を下げた後、この反射波３０、
３１は内側円筒部３４に入射され吸収される。この場
合、内側円筒部３４の反射率ＲがＲ＝０でない限り、入
射マイクロ波の一部は反射する。反射波３０、３１はダ
イバ−タ３２と内側円筒部３４との間で反射を繰返し、
減衰・吸収される。ダイバ−タ３２の底部付近まで伝播
した波が進行方向を入力側に変えても、同様にダイバ−
タ３２，内側円筒部３４の間で反射を繰返し、減衰・吸
収される。
【００１３】さて、従来のようにダイバ−タ２１が金属
の場合、吸収に関与する反射は、内側円筒部２５による
反射のみであるが、この実施例のようにマイクロ波吸収
体製のダイバ−タ３２を用いることにより、吸収に関与
する反射は約２倍になり、入力パワ−を殆ど吸収するこ
とが出来る。つまり、吸収体の反射率をＲ、内側円筒
部、ダイバ−タの反射回数をそれぞれＮ回とすると、マ
イクロ波電力吸収装置のマイクロ波電力吸収率Ａは、従
来例では Ａ＝１−ＲN に対し、この発明では Ａ＝１−Ｒ2N
の場合、吸収に関与する反射は、内側円筒部２５による
反射のみであるが、この実施例のようにマイクロ波吸収
体製のダイバ−タ３２を用いることにより、吸収に関与
する反射は約２倍になり、入力パワ−を殆ど吸収するこ
とが出来る。つまり、吸収体の反射率をＲ、内側円筒
部、ダイバ−タの反射回数をそれぞれＮ回とすると、マ
イクロ波電力吸収装置のマイクロ波電力吸収率Ａは、従
来例では Ａ＝１−ＲN に対し、この発明では Ａ＝１−Ｒ2N
【００１４】と改善される。例えば、Ｒ＝０．６、Ｎ＝
６の場合、従来例ではＡ＝０．９５であるが、この発明
ではＡ〜１と改善される。そして、冷媒の流入端および
排出端における温度差により、マイクロ波電力を測定す
ることが出来る。
６の場合、従来例ではＡ＝０．９５であるが、この発明
ではＡ〜１と改善される。そして、冷媒の流入端および
排出端における温度差により、マイクロ波電力を測定す
ることが出来る。
【００１５】図２に示す実施例は、ダイバ−タ３２の上
流端の円錐部３２ａもＳｉＣのようなマイクロ波吸収体
により構成し、一定の角度にしたものである。これは、
同図のように周辺部および中心軸付近の入力パワ−密度
が低く、それらの間の領域が最も高密になっている用途
に適する。
流端の円錐部３２ａもＳｉＣのようなマイクロ波吸収体
により構成し、一定の角度にしたものである。これは、
同図のように周辺部および中心軸付近の入力パワ−密度
が低く、それらの間の領域が最も高密になっている用途
に適する。
【００１６】尚、この実施例ではマイクロ波を、直接、
マイクロ波吸収体で吸収するため、内側円筒部３４はマ
イクロ波吸収体からなっていたが、内側円筒部３４を従
来のように石英やアルミナなどのマイクロ波低損失誘電
体を利用して、マイクロ波の吸収率の良い冷媒例えば水
などによるマイクロ波電力を吸収させ、あるいはそれに
よってマイクロ波電力を測定することが出来る。又、こ
の発明のマイクロ波電力吸収装置は、ブラゾフ変換器内
蔵型ジャイロトロン装置に限らず、マイクロ波機器一般
に適用可能である。
マイクロ波吸収体で吸収するため、内側円筒部３４はマ
イクロ波吸収体からなっていたが、内側円筒部３４を従
来のように石英やアルミナなどのマイクロ波低損失誘電
体を利用して、マイクロ波の吸収率の良い冷媒例えば水
などによるマイクロ波電力を吸収させ、あるいはそれに
よってマイクロ波電力を測定することが出来る。又、こ
の発明のマイクロ波電力吸収装置は、ブラゾフ変換器内
蔵型ジャイロトロン装置に限らず、マイクロ波機器一般
に適用可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
入射されるマイクロ波の進行方向に中心軸上に沿って配
設され入力側から見て次第に径大となる円錐状のダイバ
−タがマイクロ波吸収体で構成され、且つダイバ−タの
裏側に冷媒が設けられているので、ダイバ−タと内側円
筒部とにより入射されるマイクロ波は効率的に吸収され
る。従って、マイクロ波入射側への反射が皆無となる。
又、マイクロ波の入射エネルギを、より正確に測定する
ことが出来る。
入射されるマイクロ波の進行方向に中心軸上に沿って配
設され入力側から見て次第に径大となる円錐状のダイバ
−タがマイクロ波吸収体で構成され、且つダイバ−タの
裏側に冷媒が設けられているので、ダイバ−タと内側円
筒部とにより入射されるマイクロ波は効率的に吸収され
る。従って、マイクロ波入射側への反射が皆無となる。
又、マイクロ波の入射エネルギを、より正確に測定する
ことが出来る。
【図１】この発明の一実施例に係るマイクロ波電力吸収
装置を示す縦断面図。
装置を示す縦断面図。
【図２】この発明の他の実施例に係るマイクロ波電力吸
収装置を示す縦断面図。
収装置を示す縦断面図。
【図３】一般的なブラソフ変換器内蔵型ジャイロトロン
装置を示す概略縦断面図。
装置を示す概略縦断面図。
【図４】従来のマイクロ波電力吸収装置を示す概略縦断
面図。
面図。
２３…導波管、２４，３３…ミラ−部、２６…外側円筒
部、２９…水、３２…ダイバ−タ、３４…内側円筒部。
部、２９…水、３２…ダイバ−タ、３４…内側円筒部。
Claims (1)
- 【請求項１】 入射されるマイクロ波の進行方向に中心
軸上に沿って配設され入力側から見て次第に径大となる
円錐状のダイバ−タと、このダイバ−タの上流側に接続
された円形導波管と、この導波管に連設され上記ダイバ
−タの外側に所定間隔をおいて同軸的に配設されたマイ
クロ波吸収体とを具備してなるマイクロ波電力吸収装置
において、 上記ダイバ−タがマイクロ波吸収体で構成され、且つ上
記ダイバ−タの裏側に冷媒が設けられてなることを特徴
とするマイクロ波電力吸収装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29843692A JPH06152207A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | マイクロ波電力吸収装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29843692A JPH06152207A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | マイクロ波電力吸収装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06152207A true JPH06152207A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17859689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29843692A Pending JPH06152207A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | マイクロ波電力吸収装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06152207A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101581022B1 (ko) * | 2014-08-05 | 2015-12-30 | 한국기초과학지원연구원 | 마이크로파 전력측정 장치 |
| CN113300066A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-08-24 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 一种高功率毫米波匹配负载 |
-
1992
- 1992-11-09 JP JP29843692A patent/JPH06152207A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101581022B1 (ko) * | 2014-08-05 | 2015-12-30 | 한국기초과학지원연구원 | 마이크로파 전력측정 장치 |
| CN113300066A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-08-24 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 一种高功率毫米波匹配负载 |
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