JPH06152069A - Semiconductor laser array module - Google Patents
Semiconductor laser array moduleInfo
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- JPH06152069A JPH06152069A JP4302104A JP30210492A JPH06152069A JP H06152069 A JPH06152069 A JP H06152069A JP 4302104 A JP4302104 A JP 4302104A JP 30210492 A JP30210492 A JP 30210492A JP H06152069 A JPH06152069 A JP H06152069A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザアレイモ
ジュールに関し、特に光周波数分割多重通信用光源に用
いられる半導体レーザアレイモジュールに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser array module, and more particularly to a semiconductor laser array module used as a light source for optical frequency division multiplexing communication.
【0002】[0002]
【従来の技術】光周波数分割多重通信は将来の大容量光
通信方式として研究が進められているが、その送信装置
では各チャネル毎に波長の異なった複数の光源が必要と
なる。この場合、複数の半導体レーザを集積した半導体
レーザアレイを使用することは装置の小型化、省電力化
に非常に優位である。2. Description of the Related Art Optical frequency division multiplex communication is being studied as a large capacity optical communication system in the future, but a transmitter thereof requires a plurality of light sources having different wavelengths for each channel. In this case, using a semiconductor laser array in which a plurality of semiconductor lasers are integrated is extremely advantageous for downsizing the device and saving power.
【0003】図3はこの半導体レーザアレイを含む従来
の半導体レーザアレイモジュールの構成を示す上面図で
ある。この半導体レーザアレイモジュールは、等間隔に
配置された6個の半導体レーザ1A〜1Fからなる半導
体レーザアレイ1と、半導体レーザアレイ1と等間隔に
アレイ状に並んだ6本の単一モード先球加工の光ファイ
バ2A〜2Fからなる光ファイバアレイ2と、半導体レ
ーザアレイ1と等間隔に配置された6個の出射光検出用
の受光素子からなる受光素子アレイ3とを備えた構成と
なっている。FIG. 3 is a top view showing the structure of a conventional semiconductor laser array module including this semiconductor laser array. This semiconductor laser array module includes a semiconductor laser array 1 composed of six semiconductor lasers 1A to 1F arranged at equal intervals, and six single-mode front balls arranged in an array at equal intervals with the semiconductor laser array 1. An optical fiber array 2 including processed optical fibers 2A to 2F, and a light receiving element array 3 including six light receiving elements for detecting emitted light, which are arranged at equal intervals with the semiconductor laser array 1, are provided. There is.
【0004】図3の半導体レーザアレイモジュールで
は、半導体レーザ1A〜1Fの出射するそれぞれの主ビ
ーム4A〜4Aは、単一モード先球加工形の光ファイバ
2A〜2Fに各チャネル毎に結合している。また、半導
体レーザアレイ1から単一モード先球加工の光ファイバ
アレイ2がある側と逆方向に出射された半導体レーザ1
A〜1Fからのそれぞれのモニタビーム5A〜5Fは、
出射光検出用の受光素子3A〜3Fにそれぞれ結合して
いる。In the semiconductor laser array module of FIG. 3, the main beams 4A to 4A emitted from the semiconductor lasers 1A to 1F are coupled to the optical fibers 2A to 2F of the single-mode front sphere processing for each channel. There is. Further, the semiconductor laser 1 emitted from the semiconductor laser array 1 in a direction opposite to the side where the optical fiber array 2 for single mode front sphere processing is located.
The respective monitor beams 5A to 5F from A to 1F are
The light receiving elements 3A to 3F for detecting emitted light are respectively coupled.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】通常、送信装置側の光
ファイバからの光出力を一定にするためには、検出用受
光素子でモニタビームから検出した出力電圧を差動増幅
器によって基準電圧と比較し、その差が絶えず0になる
ように半導体レーザに流れるバイアス電流を変化させる
自動光出力制御(Automatic Power C
ontrol:APC)回路を用いる。しかしながら、
従来技術を使用した上述の半導体レーザアレイモジュー
ルにあっては、各チャネルの検出用受光素子は対向する
半導体レーザの各チャネルからのモニタビームだけでな
く、その隣りの半導体レーザからのモニタビームをも受
光してしまうため、各チャネルにおいて光出力と検出用
受光素子の出力電圧が比例せず、それぞれのチャネルの
光出力をAPC回路によって一定にすることができなく
なる。Usually, in order to make the optical output from the optical fiber on the transmitter side constant, the output voltage detected from the monitor beam by the detection light receiving element is compared with the reference voltage by the differential amplifier. However, the automatic light output control (Automatic Power C) that changes the bias current flowing through the semiconductor laser so that the difference is constantly 0
control (APC) circuit is used. However,
In the above-mentioned semiconductor laser array module using the conventional technique, the detection light receiving element of each channel not only receives the monitor beam from each channel of the opposing semiconductor laser but also the monitor beam from the adjacent semiconductor laser. Since light is received, the optical output of each channel is not proportional to the output voltage of the detection light receiving element, and the optical output of each channel cannot be made constant by the APC circuit.
【0006】従って本発明の目的は、APC回路によっ
て各チャネルとも光出力を一定に制御することが可能に
なるように、受光素子への他のチャネルからの漏れ光を
除去することができる半導体レーザアレイモジュールを
提供することにある。Therefore, it is an object of the present invention to eliminate the leakage light from the other channels to the light receiving element so that the optical output can be controlled to be constant in each channel by the APC circuit. To provide an array module.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザア
レイモジュールは、光軸に対して垂直方向に並んで配置
され前記光軸の一方向に主ビーム光を出射するとともに
前記光軸の逆方向にモニタビーム光を出射する複数の半
導体レーザ素子と、前記複数の半導体レーザ素子からの
それぞれの前記主ビーム光を結合する光ファイバと、前
記複数の半導体レーザ素子からのそれぞれの前記モニタ
ビーム光を結合してこの結合したモニタビーム光のレベ
ル検出を行う受光素子とを含む半導体レーザアレイモジ
ュールにおいて、前記複数の半導体レーザ素子とこれら
半導体レーザ素子からのそれぞれの前記モニタビーム光
を結合する前記受光素子との間にそれぞれ互いに透過周
波数の異なる狭帯域光バンドパスフィルタを配置してい
る。A semiconductor laser array module of the present invention is arranged side by side in a direction perpendicular to an optical axis, emits a main beam light in one direction of the optical axis, and reverses the optical axis. A plurality of semiconductor laser elements that emit monitor beam light, an optical fiber that couples each of the main beam lights from the plurality of semiconductor laser elements, and the monitor beam light from each of the plurality of semiconductor laser elements. In a semiconductor laser array module including a light receiving element that is coupled to detect the level of the coupled monitor beam light, the light receiving element that couples the plurality of semiconductor laser elements and the respective monitor beam light from these semiconductor laser elements. And a narrow band optical band pass filter having different transmission frequencies from each other.
【0008】[0008]
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。The present invention will be described below with reference to the drawings.
【0009】図1は、本発明の一実施例を示す上面図で
ある。FIG. 1 is a top view showing an embodiment of the present invention.
【0010】図1において、半導体レーザアレイ1の各
チャネル出射光(主ビーム4A〜4Fおよびモニタビー
ム5A〜5F)の発振ピーク波長は、半導体レーザ1A
から1Fまで、それぞれ、1.546μm、1.548
μm、1.550μm、1.552μm、1.554μ
m、1.556μmとなっている。また、出射光のピー
クからの−30dB時の全光波長幅は、全チャネルとも
0.5nm以下になっている。次に、半導体レーザ1A
〜1Fから光ファイバアレイ3がある側と逆に出射され
たモニタビーム5A〜5Fの振る舞いについて半導体レ
ーザ1Cを代表として説明する。半導体レーザ1Cから
出射されたモニタビーム5C(発振波長:1.550μ
m)は、光バンドパスフィルタアレイ6に含まれ中心波
長が1.550μm、−10dB時の全光波長幅が2n
m以下の狭帯域光バンドパスフィルタ6Cを通過し、モ
ニタビーム検出用の受光素子3Cに入射する。In FIG. 1, the oscillation peak wavelength of the light emitted from each channel of the semiconductor laser array 1 (main beams 4A to 4F and monitor beams 5A to 5F) is the semiconductor laser 1A.
To 1F, 1.546μm, 1.548, respectively
μm, 1.550 μm, 1.552 μm, 1.554 μ
m and 1.556 μm. Further, the total light wavelength width at −30 dB from the peak of the emitted light is 0.5 nm or less for all channels. Next, the semiconductor laser 1A
The behaviors of the monitor beams 5A to 5F emitted from 1F to 1F in the opposite direction to the side where the optical fiber array 3 is present will be described with the semiconductor laser 1C as a representative. Monitor beam 5C emitted from semiconductor laser 1C (oscillation wavelength: 1.550μ
m) is included in the optical bandpass filter array 6, has a central wavelength of 1.550 μm, and has a total optical wavelength width of 2n at −10 dB.
The light passes through the narrow band optical bandpass filter 6C of m or less and enters the light receiving element 3C for detecting the monitor beam.
【0011】図2は上述の狭帯域光バンドパスフィルタ
6Cの透過特性図である。FIG. 2 is a transmission characteristic diagram of the narrow band optical bandpass filter 6C described above.
【0012】半導体レーザ1Bから出射されたモニタビ
ーム5B(発振波長1.548μm)は、狭帯域光バン
ドパスフィルタ6Cによって受光素子3Cに漏れ込むこ
とを抑制される。半導体レーザ1A、1D〜1Fから出
射されたモニタビーム5A、5D〜5Fも同様に狭帯域
光バンドパスフィルタ6Cによって、受光素子3Cに漏
れ込むことを抑制される。半導体レーザ1A、1B、1
D〜1Fからそれぞれ出射されたモニタビーム5A、5
B、5D〜5Fの振る舞いも同様であり、それぞれの半
導体レーザから出射されたモニタビームは他のチャネル
に漏れ込むことなく各チャネル毎に検出用受光素子に入
射する。The monitor beam 5B (oscillation wavelength 1.548 μm) emitted from the semiconductor laser 1B is suppressed from leaking into the light receiving element 3C by the narrow band optical bandpass filter 6C. The monitor beams 5A, 5D to 5F emitted from the semiconductor lasers 1A, 1D to 1F are similarly suppressed from leaking into the light receiving element 3C by the narrow band optical bandpass filter 6C. Semiconductor lasers 1A, 1B, 1
Monitor beams 5A and 5A respectively emitted from D to 1F
The behaviors of B, 5D to 5F are similar, and the monitor beams emitted from the respective semiconductor lasers are incident on the detection light receiving element for each channel without leaking into other channels.
【0013】なお、図1の実施例では、半導体レーザか
ら出射された主ビームと単一モード光ファイバとの結合
を先球加工した光ファイバを用いて行ったが、結合方法
はこれに限ることはなく、レンズ等を用いてもかまわな
い。In the embodiment of FIG. 1, the main beam emitted from the semiconductor laser and the single-mode optical fiber are coupled by using a spherical optical fiber, but the coupling method is not limited to this. Alternatively, a lens or the like may be used.
【0014】また、素子間隔も図1では等間隔であった
が、これに限るものではない。光バンドパスフィルタア
レイ6を構成する複数の狭帯域光バンドパスフィルタ6
A〜6Fも一例に配置したがこの配置に限るものではな
い。Further, although the element intervals are equal in FIG. 1, they are not limited to this. A plurality of narrow band optical band pass filters 6 constituting the optical band pass filter array 6
A to 6F are also arranged as an example, but the arrangement is not limited to this.
【0015】また、半導体レーザアレイ1および狭帯域
光バンドパスフィルタアレイ6の波長帯を1.55μm
付近とし、各チャネルの波長間隔を2nmとしたがこれ
に限るものではない。さらに、狭帯域光バンドパスフィ
ルタ6A〜6Fそれぞれの透過幅として、−10dB時
において2nm以下のものを用いたがこれに限るもので
なく、隣のチャネルの半導体レーザのモニタビームから
の検出用受光素子への漏れ光が無視できるレベルに制限
できる透過特性をもつものであれば良い。The wavelength band of the semiconductor laser array 1 and the narrow band optical bandpass filter array 6 is 1.55 μm.
However, the wavelength interval of each channel is set to 2 nm, but the present invention is not limited to this. Further, the narrow band optical bandpass filters 6A to 6F each have a transmission width of 2 nm or less at −10 dB, but the transmission width is not limited to this. Any material may be used as long as it has a transmission characteristic capable of limiting the leakage light to the element to a negligible level.
【0016】[0016]
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体レー
ザアレイモジュールは、複数の半導体レーザとこれらに
それぞれ対向する光検出用受光素子との間にそれぞれ互
いに透過周波数の異なる狭帯域光バンドパスフィルタを
配置することにより、それぞれの半導体レーザから出射
された各チャネルのモニタビームを他のチャネルに漏れ
込むことなく各チャネル毎に検出用受光素子に入射させ
ることができる効果がある。従ってこの半導体レーザア
レイモジュールをAPC回路に用いると、各チャネルと
も光出力を一定に制御することが可能となる。As described above, the semiconductor laser array module of the present invention is a narrow band optical bandpass filter having different transmission frequencies between a plurality of semiconductor lasers and a photodetection light receiving element facing each of them. By arranging, there is an effect that the monitor beam of each channel emitted from each semiconductor laser can be made incident on the detection light receiving element for each channel without leaking into the other channels. Therefore, when this semiconductor laser array module is used in an APC circuit, it becomes possible to control the optical output constant for each channel.
【図1】本発明による半導体レーザアレイモジュールの
一実施例を示す上面図である。FIG. 1 is a top view showing an embodiment of a semiconductor laser array module according to the present invention.
【図2】図1の実施例における狭帯域光バンドパスフィ
ルタ6Cの透過特性図である。FIG. 2 is a transmission characteristic diagram of a narrow band optical bandpass filter 6C in the embodiment of FIG.
【図3】従来の半導体レーザアレイモジュールの構成を
示す上面図である。FIG. 3 is a top view showing a configuration of a conventional semiconductor laser array module.
1 半導体レーザアレイ 1A〜1F 半導体レーザ 2 光ファイバアレイ 2A〜2F 光ファイバ 3 受光素子アレイ 3A〜3F 受光素子 4A〜4F 主ビーム 5A〜5F モニタビーム 6 光バンドパスフィルタアレイ 6A〜6F 狭帯域光バンドパスフィルタ 1 semiconductor laser array 1A-1F semiconductor laser 2 optical fiber array 2A-2F optical fiber 3 light receiving element array 3A-3F light receiving element 4A-4F main beam 5A-5F monitor beam 6 optical bandpass filter array 6A-6F narrow band optical band Pass filter
Claims (2)
前記光軸の一方向に主ビーム光を出射するとともに前記
光軸の逆方向にモニタビーム光を出射する複数の半導体
レーザ素子と、前記複数の半導体レーザ素子からのそれ
ぞれの前記主ビーム光を結合する光ファイバと、前記複
数の半導体レーザ素子からのそれぞれの前記モニタビー
ム光を結合してこの結合したモニタビーム光のレベル検
出を行う受光素子とを含む半導体レーザアレイモジュー
ルにおいて、 前記複数の半導体レーザ素子とこれら半導体レーザ素子
からのそれぞれの前記モニタビーム光を結合する前記受
光素子との間にそれぞれ互いに透過周波数の異なる狭帯
域光バンドパスフィルタを配置したことを特徴とする半
導体レーザアレイモジュール。1. A plurality of semiconductor laser devices which are arranged side by side in a direction perpendicular to an optical axis and emit a main beam light in one direction of the optical axis and emit a monitor beam light in a direction opposite to the optical axis. An optical fiber that couples the respective main beam lights from the plurality of semiconductor laser devices and a respective one of the monitor beam lights from the plurality of semiconductor laser devices are coupled to detect the level of the coupled monitor beam lights. In a semiconductor laser array module including a light receiving element for performing narrow band light having mutually different transmission frequencies between the plurality of semiconductor laser elements and the light receiving elements for coupling the respective monitor beam lights from these semiconductor laser elements. A semiconductor laser array module comprising a bandpass filter.
な間隔で並んで配置され、これら複数の半導体素子にそ
れぞれ対向する前記光ファイバおよび前記受光素子も、
前記間隔で配置されていることを特徴とする請求項1記
載の半導体レーザアレイモジュール。2. The plurality of semiconductor laser elements are arranged side by side at regular intervals, and the optical fiber and the light receiving element respectively facing the plurality of semiconductor elements are also:
The semiconductor laser array module according to claim 1, wherein the semiconductor laser array modules are arranged at the intervals.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4302104A JP2924513B2 (en) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | Semiconductor laser array module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4302104A JP2924513B2 (en) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | Semiconductor laser array module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06152069A true JPH06152069A (en) | 1994-05-31 |
JP2924513B2 JP2924513B2 (en) | 1999-07-26 |
Family
ID=17904985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4302104A Expired - Fee Related JP2924513B2 (en) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | Semiconductor laser array module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2924513B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016178218A (en) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 日本オクラロ株式会社 | Optical transmission module |
US9577747B2 (en) | 2012-06-07 | 2017-02-21 | Fujitsu Limited | Photodetection device, photodetection method, and optical transmission device |
-
1992
- 1992-11-12 JP JP4302104A patent/JP2924513B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9577747B2 (en) | 2012-06-07 | 2017-02-21 | Fujitsu Limited | Photodetection device, photodetection method, and optical transmission device |
JP2016178218A (en) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 日本オクラロ株式会社 | Optical transmission module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2924513B2 (en) | 1999-07-26 |
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