JPH06110098A - Optical wavelength conversion device - Google Patents

Optical wavelength conversion device

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JPH06110098A
JPH06110098A JP25793792A JP25793792A JPH06110098A JP H06110098 A JPH06110098 A JP H06110098A JP 25793792 A JP25793792 A JP 25793792A JP 25793792 A JP25793792 A JP 25793792A JP H06110098 A JPH06110098 A JP H06110098A
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JP
Japan
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wavelength conversion
crystals
wave
crystal
wavelength
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JP25793792A
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Inventor
Yoji Okazaki
洋二 岡崎
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Fujifilm Holdings Corp
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide the optical wavelength conversion device which is wide in a permissible temp. range in attaining phase matching of a funcamental wave and a wavelength conversion wave by using plural crystals of nonlinear optical materials and disposing the respective crystals in the state of varying the directions of the crystal axes with the progressing direction of the fundamental wave from each other. CONSTITUTION:A laser beam 11 is made incident on the KNbO3 (KH) crystals 10A, 10B and is wavelength converted to a second harmonic wave. This second harmonic wave resonates between the light incident side end face of the Nd: YAG crystal and the mirror face of a resonance mirror and is partly emitted from the resonance mirror. The two KN crystals 10A, 10B are so cut that the arrangement angles are common but that the directions of the (b) axis with the progression direction of the laser beam 11 vary from each other. The temp. to wavelength conversion output characteristics of the respective crystals 10A, 10B vary in accordance with the directions of the crystal axes with the progressing direction of the fundamental wave and, therefore, the way of shifting the two characteristics is arbitrarily changed by adjusting the directions.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基本波を非線形光学材
料の結晶に通して第2高調波等に波長変換する光波長変
換装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical wavelength conversion device for converting a fundamental wave into a second harmonic wave or the like through a crystal of a nonlinear optical material.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、非線形光学材料を利用して、
レーザー光を第2高調波等に波長変換(短波長化)する
試みが種々なされている。このようにして波長変換を行
なう光波長変換素子として具体的には、バルク結晶型の
ものが多く利用されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, nonlinear optical materials have been used to
Various attempts have been made to convert the wavelength of laser light into a second harmonic wave (shorter wavelength). As a light wavelength conversion element that performs wavelength conversion in this way, a bulk crystal type is often used.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで上述のような
非線形光学材料には、基本波と波長変換波との位相整合
を実現する上での許容温度範囲が非常に狭いものも存在
する。例えばKNbO3(以下、KNと称する)は、厚
さ0.5 mmで使用したときの許容温度範囲が8℃であ
る。
By the way, some of the above-mentioned nonlinear optical materials have an extremely narrow allowable temperature range for realizing phase matching between the fundamental wave and the wavelength-converted wave. For example, KNbO 3 (hereinafter referred to as KN) has an allowable temperature range of 8 ° C. when used with a thickness of 0.5 mm.

【0004】このように許容温度範囲が狭い光波長変換
素子を使用する場合は、基本波を発生させるために使用
するレーザーの発振波長が厳しく制限されるという問題
が生じる。以下その点について、一例を挙げて説明す
る。
When the optical wavelength conversion element having a narrow allowable temperature range is used, there arises a problem that the oscillation wavelength of the laser used to generate the fundamental wave is severely limited. Hereinafter, that point will be described with an example.

【0005】上述した許容温度範囲が8℃のKN結晶を
LD(レーザーダイオード)ポンピングYAGレーザー
において、YAGレーザービームを第2高調波に変換す
るために用いるものとする。ここで、KN結晶温度が25
℃のときに基本波と第2高調波とが最も良好に位相整合
するように該結晶をカットしたとすると、このKN結晶
を25℃±4℃に温調する必要がある。一方ポンピング用
のLDは、YAGの最大吸収帯である808.5 nmに発振
波長を合わせる必要があり、この発振波長はLD温度に
対して0.3 nm/℃の変化率で変化する。そこで、LD
とKNを同時温調する場合は、 λ=808.5 +{0.3 ×(±4)} =(808.5 ±1.2 )nm の発振波長のLDを用意する必要がある。
The above-mentioned KN crystal having an allowable temperature range of 8 ° C. is used for converting a YAG laser beam into a second harmonic in an LD (laser diode) pumping YAG laser. Here, the KN crystal temperature is 25
Assuming that the crystal is cut so that the fundamental wave and the second harmonic wave have the best phase matching at 0 ° C., it is necessary to control the temperature of this KN crystal to 25 ° C. ± 4 ° C. On the other hand, the LD for pumping needs to match the oscillation wavelength to 808.5 nm, which is the maximum absorption band of YAG, and this oscillation wavelength changes at a change rate of 0.3 nm / ° C. with respect to the LD temperature. So LD
When simultaneously controlling the temperature of KN and KN, it is necessary to prepare an LD having an oscillation wavelength of λ = 808.5 + {0.3 × (± 4)} = (808.5 ± 1.2) nm.

【0006】一般にMOCVD法により作成されるLD
の発振波長は、各ロット内で±3nm程度のバラツキが
ある。したがって、上記のように発振波長の誤差が±1.
2 nm以内のLDを用意しようとすると、各ロット内で
LDをかなり厳しく選別する必要があり、その結果、L
Dの歩留り低下やコストアップの事態を招く。
LDs generally produced by MOCVD
The lasing wavelength has a variation of about ± 3 nm within each lot. Therefore, the error of the oscillation wavelength is ± 1.
In order to prepare LDs within 2 nm, it is necessary to select LDs within each lot quite strictly, and as a result, L
This leads to a decrease in yield of D and an increase in cost.

【0007】このような事態を回避するために、LDの
選別を緩やかにすると、その場合はYAGの吸収帯に合
わないLDが使われることも多くなり、YAGレーザー
の出力もしくは発光効率の低下を招く。
In order to avoid such a situation, if the selection of LDs is loosened, in that case, LDs that do not match the absorption band of YAG are often used, and the output or emission efficiency of the YAG laser is lowered. Invite.

【0008】以上、ポンピング源として使用されるLD
の問題について説明したが、LDから発せられたレーザ
ービームを基本波として直接光波長変換素子に入射させ
る場合も、光波長変換素子の許容温度範囲が狭ければ、
この基本波光源としてのLDの発振波長が厳しく制限さ
れるから、上記と同様の問題が生じる。
As mentioned above, the LD used as the pumping source
However, even when the laser beam emitted from the LD is directly incident on the optical wavelength conversion element as a fundamental wave, if the allowable temperature range of the optical wavelength conversion element is narrow,
Since the oscillation wavelength of the LD as the fundamental wave light source is severely limited, the same problem as described above occurs.

【0009】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、基本波と波長変換波との位相整合を実現
する上での許容温度範囲が広い光波長変換装置を提供す
ることを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide an optical wavelength conversion device having a wide allowable temperature range for realizing phase matching between a fundamental wave and a wavelength conversion wave. It is intended.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明による光波長変換
装置は、基本波を非線形光学材料の結晶に入射させて第
2高調波等に波長変換する光波長変換装置において、上
記非線形光学材料の結晶を複数用い、そしてそれらの結
晶を、基本波の進行方向に対する結晶軸の向きが互いに
異なる状態に配置したことを特徴とするものである。
An optical wavelength conversion device according to the present invention is an optical wavelength conversion device for converting a wavelength of a fundamental wave into a crystal of a nonlinear optical material and converting the wavelength into a second harmonic or the like. The present invention is characterized in that a plurality of crystals are used and the crystals are arranged such that the directions of the crystal axes with respect to the traveling direction of the fundamental wave are different from each other.

【0011】[0011]

【作用および発明の効果】複数の非線形光学材料の結晶
を上記のように配置すると、基本波と波長変換波とが位
相整合する温度範囲が各結晶毎に異なるようになる。図
3は、このことの一例を示している。図中a、bの曲線
はそれぞれ、2つ設けられたKN結晶の各々について温
度対波長変換波(第2高調波)出力Pの特性例を示して
いる。この場合、位相整合範囲は最大出力Pmax の1/
2以上の出力の第2高調波が得られる範囲とし、この位
相整合を実現する温度幅(許容温度範囲)は各結晶とも
8℃であるとする。このように、2つの結晶について位
相整合する温度範囲が互いにずれていれば、光波長変換
装置全体としての許容温度範囲は8℃よりも広くなる。
なお図3中の曲線cは、合成された第2高調波の出力で
ある。
When the crystals of a plurality of nonlinear optical materials are arranged as described above, the temperature range in which the fundamental wave and the wavelength-converted wave are phase-matched is different for each crystal. FIG. 3 shows an example of this. Curves a and b in the figure show characteristic examples of the temperature-wavelength converted wave (second harmonic) output P for each of the two KN crystals provided. In this case, the phase matching range is 1 / of the maximum output Pmax.
It is assumed that the second harmonic having an output of 2 or more is obtained, and the temperature width (allowable temperature range) for achieving this phase matching is 8 ° C. for each crystal. As described above, if the temperature ranges in which the two crystals are phase-matched are deviated from each other, the allowable temperature range of the entire optical wavelength conversion device becomes wider than 8 ° C.
The curve c in FIG. 3 is the output of the synthesized second harmonic.

【0012】以上のようにして拡大される許容温度範囲
は、2つの結晶についての各特性がこの図3のようにず
れているときに最大(つまり1つの結晶の許容温度範囲
の2倍であり、上記例では16℃)となる。各結晶の温度
対波長変換波出力特性は、基本波進行方向に対する結晶
軸の向きに応じて変化するので、この向きを調整するこ
とにより、2つの特性のずらし方を任意に変えることが
できる。したがって、許容温度範囲をさほど拡大する必
要がなく、その一方、より高出力の第2高調波を得たい
という要求がある場合は、2つの特性を例えば図4に示
すようにずらせばよい。
The allowable temperature range expanded as described above is maximum (that is, twice the allowable temperature range of one crystal when the respective characteristics of the two crystals are deviated as shown in FIG. 3). , 16 ° C in the above example). The temperature-wavelength converted wave output characteristic of each crystal changes according to the direction of the crystal axis with respect to the fundamental wave traveling direction. Therefore, by adjusting the direction, it is possible to arbitrarily change the shift between the two characteristics. Therefore, if it is not necessary to expand the allowable temperature range so much, and on the other hand, there is a demand to obtain a higher output second harmonic, the two characteristics may be shifted as shown in FIG. 4, for example.

【0013】以上、非線形光学材料の結晶を2個使用す
る場合について説明したが、本発明においては非線形光
学材料の結晶を3個以上設けて、基本波と波長変換波と
の位相整合を実現する上での許容温度範囲をさらに大き
く拡大することも可能である。
Although the case where two crystals of the nonlinear optical material are used has been described above, in the present invention, three or more crystals of the nonlinear optical material are provided to realize the phase matching between the fundamental wave and the wavelength conversion wave. It is possible to further expand the above allowable temperature range.

【0014】以上詳細に説明した通り本発明の光波長変
換装置においては、基本波の進行方向に対する結晶軸の
向きが互いに異なる状態に複数の結晶を配設したことに
より、基本波と波長変換波との位相整合を実現する上で
の許容温度範囲を広く取ることができる。したがって本
装置によれば、基本波を発生させるために使用するレー
ザー(前述のように固体レーザーのポンピング源として
用いられるものも、また基本波光源そのものとして用い
られるものも含む)の発振波長の制限が緩和され、レー
ザーの歩留り向上、コストダウンが実現される。
As described in detail above, in the optical wavelength conversion device of the present invention, the fundamental wave and the wavelength-converted wave are arranged by arranging a plurality of crystals in a state in which the directions of crystal axes with respect to the traveling direction of the fundamental wave are different from each other. It is possible to set a wide allowable temperature range for achieving the phase matching with. Therefore, according to this device, the oscillation wavelength of the laser used to generate the fundamental wave (including the one used as the pumping source of the solid-state laser as described above and the fundamental wave light source itself) is limited. Is alleviated, laser yield is improved and cost is reduced.

【0015】また、上記のように基本波と波長変換波と
の位相整合を実現する上での許容温度範囲が広くなって
いれば、基本波を発生させるためのLDが劣化して発振
波長が変動した際には、温調の設定温度を変えて発振波
長を所望値に戻すことも可能となる。
If the allowable temperature range for achieving the phase matching between the fundamental wave and the wavelength-converted wave is wide as described above, the LD for generating the fundamental wave is deteriorated and the oscillation wavelength is increased. When it fluctuates, it is possible to return the oscillation wavelength to a desired value by changing the set temperature for temperature control.

【0016】さらに本発明の光波長変換装置において
は、基本波の進行方向に対する結晶軸の向きが互いに異
なる状態に複数の結晶を配設したことにより、基本波と
波長変換波との位相整合を実現する上での基本波波長の
許容範囲もより広くなる。
Further, in the optical wavelength conversion device of the present invention, a plurality of crystals are arranged such that the directions of the crystal axes with respect to the traveling direction of the fundamental wave are different from each other, so that the phase matching between the fundamental wave and the wavelength converted wave is achieved. The permissible range of the fundamental wave wavelength for the realization becomes wider.

【0017】[0017]

【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例による光波
長変換装置を備えたレーザーダイオードポンピング固体
レーザーを示すものである。このレーザーダイオードポ
ンピング固体レーザーは、ポンピング光としてのレーザ
ービーム13を発する半導体レーザー14と、発散光である
上記レーザービーム13を集束させるセルフォックレンズ
等の集光レンズ15と、ネオジウム(Nd)がドーピング
された固体レーザー媒質であるYAG結晶(以下、N
d:YAG結晶と称する)16と、このNd:YAG結晶
16の前方側(図中右方側)に配設された2つのKN結晶
10A、10Bと、それらのさらに前方側に配された共振器
ミラー17とからなる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below based on the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 shows a laser diode pumped solid-state laser having an optical wavelength converter according to an embodiment of the present invention. This laser diode pumped solid-state laser includes a semiconductor laser 14 that emits a laser beam 13 as pumping light, a condenser lens 15 such as a SELFOC lens that focuses the laser beam 13 that is divergent light, and neodymium (Nd) -doped. YAG crystal (hereinafter referred to as NAG) which is a solid-state laser medium
16) and this Nd: YAG crystal.
Two KN crystals arranged on the front side of 16 (right side in the figure)
It is composed of 10A and 10B and a resonator mirror 17 arranged further to the front side thereof.

【0018】以上述べた各要素は、共通のマウント18に
固定されて一体化され、ペルチェ素子19と図示しない温
調回路により、所定温度に温調される。なお図中の20は
ヒートシンクである。
The above-mentioned elements are fixed to a common mount 18 so as to be integrated, and the temperature is adjusted to a predetermined temperature by a Peltier element 19 and a temperature adjusting circuit (not shown). 20 in the figure is a heat sink.

【0019】半導体レーザー14としては、基本波長λ1
=808 nmのレーザービーム13を発するものが用いられ
ている。Nd:YAG結晶16は、このレーザービーム13
によってネオジウム原子が励起されることにより、波長
λ2 =946 nmのレーザービーム11を発する。
The semiconductor laser 14 has a fundamental wavelength λ 1
A laser beam that emits a laser beam 13 of 808 nm is used. The Nd: YAG crystal 16 uses this laser beam 13
When the neodymium atom is excited by the laser beam, a laser beam 11 having a wavelength λ 2 = 946 nm is emitted.

【0020】Nd:YAG結晶16の光入射側端面16aに
は、波長946 nmのレーザービーム11および後述する波
長λ3 =473 nmの第2高調波12は良好に反射させ、波
長808 nmのポンピング用レーザービーム13は良好に透
過させるコーティングが施されている。一方、共振器ミ
ラー17のミラー面17a には、上記レーザービーム11、13
を良好に反射させる一方、第2高調波12を一部透過させ
るコーティングが施されている。したがって波長946 n
mのレーザービーム11は、上記の面16a、17a間に閉じ
込められて、レーザー発振を引き起こす。このレーザー
ビーム11はKN結晶10A、10Bに入射して、波長が1/
2、すなわち473 nmの第2高調波12に波長変換され
る。この第2高調波12も上記の面16a、17a間で共振
し、その一部が共振器ミラー17から出射する。
The light incident side end face 16a of the Nd: YAG crystal 16 favorably reflects the laser beam 11 having a wavelength of 946 nm and the second harmonic 12 having a wavelength λ 3 = 473 nm which will be described later, and pumps the light having a wavelength of 808 nm. The laser beam 13 for use is provided with a coating that allows it to pass through well. On the other hand, on the mirror surface 17a of the resonator mirror 17, the laser beams 11, 13
Is reflected, while a coating that partially transmits the second harmonic 12 is applied. Therefore wavelength 946 n
The m laser beam 11 is confined between the surfaces 16a and 17a to cause laser oscillation. This laser beam 11 is incident on the KN crystals 10A and 10B and has a wavelength of 1 /
The wavelength is converted into the second harmonic wave 12 of 2, that is, 473 nm. The second harmonic 12 also resonates between the surfaces 16a and 17a, and a part of the second harmonic 12 is emitted from the resonator mirror 17.

【0021】ここで上記2つのKN結晶10A、10Bは、
図2に詳しく示す通り、配置角は共通であるが、レーザ
ービーム11の進行方向に対するb軸の向きが互いに異な
るようにカットされている。この場合、KN結晶10A、
10Bのb軸がレーザービーム11の進行方向に対してなす
角度は、それぞれθ1 =28.6°、θ2 =29.7°とされて
いる。またKN結晶10A、10Bの厚さは双方とも0.5 m
mである。
Here, the above two KN crystals 10A and 10B are
As shown in detail in FIG. 2, the arrangement angles are common, but the laser beams 11 are cut so that the directions of the b-axis with respect to the traveling direction are different from each other. In this case, KN crystal 10A,
The angles formed by the b-axis of 10B with respect to the traveling direction of the laser beam 11 are θ 1 = 28.6 ° and θ 2 = 29.7 °, respectively. The thickness of both KN crystals 10A and 10B is 0.5 m.
m.

【0022】このように形成されたKN結晶10A、10B
の温度対第2高調波出力Pの特性は、図3にそれぞれ曲
線a、bで示すものとなる。すなわち、一方のKN結晶
10Aについては、レーザービーム11と第2高調波12とが
最も良好に位相整合する温度つまり位相整合温度が10
℃、この位相整合を実現する上での許容温度範囲が8℃
(6℃〜14℃の間)であり、他方のKN結晶10Bについ
ては位相整合温度が18℃、許容温度範囲が8℃(14℃〜
22℃の間)となっている。
KN crystals 10A and 10B thus formed
The characteristics of the temperature vs. the second harmonic output P are shown by curves a and b in FIG. 3, respectively. That is, one KN crystal
For 10 A, the temperature at which the laser beam 11 and the second harmonic 12 have the best phase matching, that is, the phase matching temperature is 10
℃, the allowable temperature range to achieve this phase matching is 8 ℃
(Between 6 ° C and 14 ° C), the other KN crystal 10B has a phase matching temperature of 18 ° C and an allowable temperature range of 8 ° C (14 ° C to 14 ° C).
22 ℃).

【0023】したがって、光波長変換装置全体で考えれ
ば、位相整合する上での許容温度範囲は16℃(6℃〜22
℃の間)となる。そこでこの場合は、前述したようにY
AGの最大吸収帯が808.5 nm、半導体レーザー14の温
度による発振波長変化率が0.3 nm/℃であるとする
と、半導体レーザー14の発振波長λ1 は、 λ1 =808.5 ±(0.3 ×16/2) =(808.5 ±2.4 )nm と比較的広い範囲内に収まっていればよいことになる。
Therefore, considering the entire optical wavelength conversion device, the allowable temperature range for phase matching is 16 ° C. (6 ° C. to 22 ° C.).
Between ℃). Therefore, in this case, as described above, Y
Assuming that the maximum absorption band of AG is 808.5 nm and the change rate of the oscillation wavelength of the semiconductor laser 14 is 0.3 nm / ° C, the oscillation wavelength λ 1 of the semiconductor laser 14 is λ 1 = 808.5 ± (0.3 × 16/2 ) = (808.5 ± 2.4) nm within a relatively wide range.

【0024】そうであれば、先に述べたように各ロット
内で発振波長のバラツキが±3nm程度ある半導体レー
ザーから、ポンピング用半導体レーザー14を選別使用す
る際の歩留りは80%以上まで向上し、それが半導体レー
ザー14のコストダウンにつながる。
In that case, as described above, the yield when selecting and using the semiconductor laser 14 for pumping from the semiconductor laser having the variation of the oscillation wavelength within each lot of about ± 3 nm is improved to 80% or more. , That leads to cost reduction of the semiconductor laser 14.

【0025】なお、上記実施例におけるように2つのK
N結晶10A、10Bのカット角を互いに変える他、図5に
示すように2つのKN結晶10A、10Cのb軸に対するカ
ット角θは共通とし、配置角を互いに変える構成として
も、上記と同様の作用、効果を得ることができる。
As in the above embodiment, two K's are used.
In addition to changing the cut angles of the N crystals 10A and 10B from each other, the two KN crystals 10A and 10C have the same cut angle θ with respect to the b axis as shown in FIG. The action and effect can be obtained.

【0026】また、2つのKN結晶10A、10Dを互いの
カット角θを変えて配置する場合において、図6に示す
ように、結晶軸の向きをウォーク角を補正する関係にな
るように配置し、それらから出射される波長変換ビーム
の断面を円形に近付けることも可能である。
When the two KN crystals 10A and 10D are arranged with their cut angles θ changed, as shown in FIG. 6, the crystal axes are arranged so as to have a relationship of correcting the walk angle. It is also possible to make the cross section of the wavelength conversion beam emitted from them close to a circle.

【0027】以上、非線形光学材料としてKN結晶を用
いる実施例について説明したが、本発明は、その他の非
線形光学材料を使用する場合にも同様に適用可能であ
る。
Although the embodiments using the KN crystal as the nonlinear optical material have been described above, the present invention can be similarly applied to the case of using other nonlinear optical materials.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例による光波長変換装置を備え
たLDポンピング固体レーザーの平面図
FIG. 1 is a plan view of an LD pumping solid-state laser including an optical wavelength conversion device according to an embodiment of the present invention.

【図2】上記光波長変換装置の要部を示す平面図FIG. 2 is a plan view showing a main part of the optical wavelength conversion device.

【図3】上記光波長変換装置の2つの光波長変換素子の
温度対波長変換波出力特性を示すグラフ
FIG. 3 is a graph showing temperature-wavelength converted wave output characteristics of two light wavelength conversion elements of the light wavelength conversion device.

【図4】2つの光波長変換素子の温度対波長変換波出力
特性の別の例を示すグラフ
FIG. 4 is a graph showing another example of temperature-wavelength converted wave output characteristics of two optical wavelength conversion elements.

【図5】本発明の別の実施例の要部を示す平面図FIG. 5 is a plan view showing an essential part of another embodiment of the present invention.

【図6】本発明のさらに異なる実施例の要部を示す平面
FIG. 6 is a plan view showing a main part of a further different embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10A、10B、10C、10D KN結晶 11 レーザービーム(基本波) 12 第2高調波 13 レーザービーム(ポンピング光) 14 半導体レーザー 16 Nd:YAG結晶 17 共振器ミラー 10A, 10B, 10C, 10D KN crystal 11 Laser beam (fundamental wave) 12 Second harmonic wave 13 Laser beam (pumping light) 14 Semiconductor laser 16 Nd: YAG crystal 17 Resonator mirror

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 非線形光学材料の結晶からなり、入射し
た基本波を波長変換する光波長変換素子が複数、基本波
の進行方向に対する結晶軸の向きが互いに異なる状態に
配設されてなる光波長変換装置。
1. An optical wavelength comprising a plurality of optical wavelength conversion elements made of a crystal of a non-linear optical material for wavelength-converting an incident fundamental wave, the crystal axes of which are different from each other with respect to the traveling direction of the fundamental wave. Converter.
【請求項2】 前記複数の光波長変換素子として、結晶
軸に対するカット角が互いに異なるものが用いられてい
ることを特徴とする請求項1記載の光波長変換装置。
2. The light wavelength conversion device according to claim 1, wherein as the plurality of light wavelength conversion elements, those having different cut angles with respect to a crystal axis are used.
【請求項3】 前記複数の光波長変換素子として、結晶
軸に対するカット角が共通のものが用いられ、これらの
光波長変換素子の配置角が互いに変えられていることを
特徴とする請求項1記載の光波長変換装置。
3. The plurality of light wavelength conversion elements having a common cut angle with respect to a crystal axis are used, and the arrangement angles of these light wavelength conversion elements are different from each other. The optical wavelength conversion device described.
JP25793792A 1992-09-28 1992-09-28 Optical wavelength conversion device Withdrawn JPH06110098A (en)

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JP25793792A JPH06110098A (en) 1992-09-28 1992-09-28 Optical wavelength conversion device

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2001007964A1 (en) * 1999-07-27 2001-02-01 Ushio Research Institute Of Technology Inc. Laser for laser machining
US7286282B2 (en) 2003-05-26 2007-10-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wavelength conversion method, wavelength conversion laser, and laser beam machining apparatus

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