JPH06103816B2 - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPH06103816B2
JPH06103816B2 JP2047438A JP4743890A JPH06103816B2 JP H06103816 B2 JPH06103816 B2 JP H06103816B2 JP 2047438 A JP2047438 A JP 2047438A JP 4743890 A JP4743890 A JP 4743890A JP H06103816 B2 JPH06103816 B2 JP H06103816B2
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宜昭 今泉
克巳 今井
信行 大高
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばVTR等の音声回路に適用して好適な半
導体集積回路装置に関する。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device suitable for application to a voice circuit such as a VTR.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

本発明は、例えばVTR等の音声回路に適用して好適な半
導体集積回路装置に関し、入力端子よりの入力信号が供
給される増幅回路と、この増幅回路の出力レベルと第1
の基準レベルとを比較して、その比較結果に基いた制御
信号を出力する検出回路と、この検出回路からのこの制
御信号のレベルと第2の基準レベルとを比較して、その
比較結果に基いた制御電流信号をこの増幅回路に供給し
て、この増幅回路の利得を制御する制御電流発生回路と
を設けたことにより、モノラル及びステレオ方式のいず
れの方式の音声回路にも共通して使用できると共に、ス
テレオ方式の音声回路に使用したときに、良好なステレ
オ音声を得ることができるようにしたものである。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device suitable for application to a voice circuit such as a VTR, for example, an amplifier circuit to which an input signal is supplied from an input terminal, an output level of the amplifier circuit and a first amplifier circuit.
Of the control signal based on the comparison result, and the level of the control signal from the detection circuit and the second reference level are compared with each other to obtain the comparison result. Used in common with both monaural and stereo audio circuits by providing a control current signal based on this control circuit to control the gain of this amplifier circuit In addition, it is possible to obtain excellent stereo sound when used in a stereo type sound circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、例えばVTRの音声信号の記録装置においては、第
5図に示すような、半導体集積回路装置(1)が使用され
ている。
Conventionally, for example, in a VTR audio signal recording apparatus, a semiconductor integrated circuit device (1) as shown in FIG. 5 is used.

第5図において、(6)は音声信号の入力される入力端子
を示し、この入力端子(6)からの音声信号は、電圧制御
増幅回路(8)を通じて出力端子(7)及び検出回路(2)に夫
々供給される。
In FIG. 5, (6) indicates an input terminal to which an audio signal is input, and the audio signal from this input terminal (6) is output to the output terminal (7) and the detection circuit (2) through the voltage control amplifier circuit (8). ) Respectively.

検出回路(2)は、音声信号のレベルと基準電圧Vrefのレ
ベルを比較して、その結果に基いた制御電圧を電圧制御
増幅回路(8)に供給する。これによって、電圧制御増幅
回路(8)の利得は、検出回路(2)に供給される音声信号の
レベルが基準電圧Vref(=Vrer′)のレベル以下のとき
は最大利得であり、この音声信号のレベルが基準電圧V
refを越えたときは第7図Aに示すように、入力信号に
対して、出力信号が略一定と成るような利得と成る如く
成されている。
The detection circuit (2) compares the level of the audio signal with the level of the reference voltage V ref , and supplies a control voltage based on the result to the voltage control amplifier circuit (8). Thereby, the gain of the voltage control amplifier circuit (8) is the maximum gain when the level of the audio signal supplied to the detection circuit (2) is equal to or lower than the level of the reference voltage V ref (= V rer ′). Audio signal level is reference voltage V
When the value exceeds ref, as shown in FIG. 7A, the gain is such that the output signal becomes substantially constant with respect to the input signal.

上述の半導体集積回路装置(1)はモノラル信号の記録装
置では1つ使用するが、このAGC回路を構成する半導体
集積回路装置(1)をステレオ方式の音声信号の記録装置
に使用する場合は2つ必要となる。ところがその場合
は、両半導体集積回路装置の利得制御が別々に行なわれ
るので、例えば一方の音声信号のレベルが基準電圧Vref
以上となり、他方の音声信号のレベルが基準電圧Vref
下のときには一方の電圧制御増幅回路(8)の利得が小さ
くなる様に制御され、他方の電圧制御増幅回路(8)の利
得は最大利得となるので一方の音声信号と他方の音声信
号のレベル差が小さくなり、ステレオ感が得られなくな
る不都合があった。斯る不都合を解消するために第6図
に示す如く、2つの半導体集積回路装置の制御電圧をコ
ンデンサCによって平均する方法が提案されている。
Although one semiconductor integrated circuit device (1) described above is used in a monaural signal recording device, when the semiconductor integrated circuit device (1) that constitutes this AGC circuit is used in a stereo type audio signal recording device, two semiconductor integrated circuit devices are used. Will be needed. However, in that case, since the gain control of both semiconductor integrated circuit devices is performed separately, for example, the level of one audio signal is set to the reference voltage V ref.
When the level of the other audio signal is equal to or lower than the reference voltage V ref , the gain of one voltage control amplifier circuit (8) is controlled to be small, and the gain of the other voltage control amplifier circuit (8) is the maximum gain. As a result, the level difference between the one audio signal and the other audio signal becomes small, and there is the inconvenience that a stereo feeling cannot be obtained. In order to eliminate such an inconvenience, as shown in FIG. 6, a method of averaging the control voltages of two semiconductor integrated circuit devices with a capacitor C has been proposed.

この第6図において、Lチャンネル音声信号入力端子(6
L)に供給されるLチャンネル音声信号は、電圧制御増幅
回路(8L)を通じて出力端子(7L)に供給されると共に、検
出回路(2L)にも供給される。
In FIG. 6, the L channel audio signal input terminal (6
The L channel audio signal supplied to L) is supplied to the output terminal (7L) through the voltage control amplifier circuit (8L) and also to the detection circuit (2L).

一方、Rチャンネル音声信号入力端子(6R)に供給される
Rチャンネル音声信号は、電圧制御増幅回路(8R)を通じ
て出力端子(7R)に供給されると共に、検出回路(2L),(2
R)は互いに接続され、その接続中点に接続された1つの
コンデンサCによって、互いの制御電圧が平均化される
ようになされている。
On the other hand, the R-channel audio signal supplied to the R-channel audio signal input terminal (6R) is supplied to the output terminal (7R) through the voltage control amplifier circuit (8R) and the detection circuits (2L) and (2L).
R) are connected to each other, and the control voltage of each of them is averaged by one capacitor C connected to the midpoint of the connection.

この場合は、入力される一方の音声信号がかなり大きな
レベルで他方の音声信号が小さいレベルであっても、制
御電圧の平均値が基準電圧Vref以上となったときは一方
及び他方の電圧制御増幅回路(8L)及び(8R)は共に利得が
下げられるので出力される音声信号がレベルを下げられ
る方向に制御されると共に、他方の音声信号も又、レベ
ルを下げられる方向に制御されこの出力される一方及び
他方の音声信号のレベル差は保持され、良好なステレオ
音声が得られることとなる。
In this case, even if one of the input audio signals has a fairly high level and the other audio signal has a low level, when the average value of the control voltage becomes equal to or higher than the reference voltage V ref , the voltage control of the one and the other is performed. Since the gains of the amplifier circuits (8L) and (8R) are both lowered, the output audio signal is controlled so that the level is lowered, and the other audio signal is also controlled so that the level is lowered. The level difference between the one and the other audio signals is maintained, and good stereo audio can be obtained.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

ところで、上述の場合は、いわゆる半導体集積回路装置
のばらつきによって、半導体集積回路装置(1L)及び(1R)
の各基準電圧Vrefは互に等しい値とはならない場合があ
る。この場合各々の検出回路(2L)及び(2R)から電圧制御
増幅回路(8L)及び(8R)に夫々供給される制御電圧に対応
する利得も異なることとなる。
By the way, in the above case, the semiconductor integrated circuit device (1L) and (1R) due to variations in so-called semiconductor integrated circuit device
The respective reference voltages V ref of may not be equal to each other. In this case, the gains corresponding to the control voltages supplied from the respective detection circuits (2L) and (2R) to the voltage controlled amplifier circuits (8L) and (8R) are also different.

例えば、半導体集積回路装置(1L)の検出回路(2L)及び電
圧制御増幅回路(8L)の基準電圧Vref及びVref′の各電圧
値を夫々V1及びV1′とする。又、これら各電圧値V1,及
びV1′は同じ半導体集積回路装置(1L)内で形成されるの
で等しくてきる。
For example, assume that the reference voltage V ref and V ref ′ of the detection circuit (2L) and the voltage control amplifier circuit (8L) of the semiconductor integrated circuit device (1L) are V 1 and V 1 ′, respectively. Further, these voltage values V 1 and V 1 ′ are equal because they are formed in the same semiconductor integrated circuit device (1L).

又、半導体集積回路装置(1R)の検出回路(2R)及び電圧制
御増幅回路(8R)の基準電圧Vref及びVref′の各電圧値を
夫々V2及びV2′とする。又、これら各電圧値V2及びV2
は同じ半導体集積回路装置(1R)内で形成されるので等し
くできる。
Further, the respective voltage values of the reference voltages V ref and V ref ′ of the detection circuit (2R) and the voltage control amplifier circuit (8R) of the semiconductor integrated circuit device (1R) are V 2 and V 2 ′, respectively. Also, these respective voltage values V 2 and V 2
Can be made equal because they are formed in the same semiconductor integrated circuit device (1R).

このとき、半導体集積回路装置(1L)の基準電圧Vrefの電
圧値V1が半導体集積回路装置(1R)の基準電圧Vrefの電圧
値V2より小さかったとする。
At this time, it is assumed that the voltage value V 1 of the reference voltage V ref of the semiconductor integrated circuit device (1L) is smaller than the voltage value V 2 of the reference voltage V ref of the semiconductor integrated circuit device (1R).

この場合は、各半導体集積回路装置(1L)及び(1R)の検出
回路(2L)及び(2R)は、夫々供給される入力音声信号のレ
ベルが各々の基準電圧Vrefを越えなければ、電圧制御増
幅回路(8L)及び(8R)に夫々 の制御電圧を供給することから、これら、半導体集積回
路装置(1L)の基準電圧Vrefの電圧値V1、半導体集積回路
装置(1R)の基準電圧Vrefの電圧値V2、制御電圧 の関係は次のようになる。
In this case, the detection circuit (2L) and (2R) of each semiconductor integrated circuit device (1L) and (1R), if the level of the input audio signal respectively supplied does not exceed the respective reference voltage V ref Control amplifier circuits (8L) and (8R) respectively Since supplying a control voltage, these semiconductor integrated circuit device voltage value V 1 of the reference voltage V ref of (1L), the semiconductor integrated circuit device voltage value V 2 of the reference voltage V ref of the (1R), a control voltage The relationship is as follows.

従って、半導体集積回路装置(1L)の基準電圧Vref及びV
ref′の電圧値V1及びV1′は等しいとし、半導体集積回
路装置(1R)の基準電圧Vref及びVref′の電圧値V2及び
V2′が等しいとすれば次のようになる。
Therefore, the reference voltages V ref and V of the semiconductor integrated circuit device (1L) are
It is assumed that the voltage values V 1 and V 1 ′ of ref ′ are equal and the reference voltage V ref of the semiconductor integrated circuit device (1R) and the voltage values V 2 and V ref of V ref ′ are
If V 2 ′ are equal, then

先ず、半導体集積回路装置(1L)の電圧制御増幅回路(8L)
には、その基準電圧Vref′の電圧値V1′より大きな制御
電圧 が供給されるので、この電圧制御増幅回路(8L)はその時
点で利得を下げる。
First, the voltage control amplifier circuit (8L) of the semiconductor integrated circuit device (1L)
Is a control voltage larger than the voltage value V 1 ′ of the reference voltage V ref ′. Is supplied, the voltage control amplifier circuit (8L) lowers the gain at that time.

一方、半導体集積回路装置(1R)の電圧制御増幅回路(8R)
には、その基準電圧Vref′の電圧値V2′より小さな制御
電圧 が供給されるので、この電圧制御増幅回路(8R)は利得を
最大にする。
On the other hand, the voltage control amplifier circuit (8R) of the semiconductor integrated circuit device (1R)
Is a control voltage smaller than the voltage value V 2 ′ of the reference voltage V ref ′. , The voltage controlled amplifier circuit (8R) maximizes the gain.

従って、この場合は、第7図Bに示すように、入力レベ
ルに対する出力レベルの特性が半導体集積回路装置(1L)
では一点鎖線で示す特性となり、半導体集積回路装置(1
R)では破線で示す特性と成る。又、このような場合は、
半導体集積回路装置ゆえに、その補正は不可能である。
Therefore, in this case, as shown in FIG. 7B, the characteristic of the output level with respect to the input level is the semiconductor integrated circuit device (1L).
Shows the characteristics indicated by the one-dot chain line, and the semiconductor integrated circuit device (1
In R), the characteristic is shown by the broken line. In such a case,
The correction is impossible because of the semiconductor integrated circuit device.

そして、このような場合は、Lチャンネル及びRチャン
ネルの音声信号の入力時の相対レベル差が出力時には変
わってしまう。従って、これを磁気テープに記録した後
に、その磁気テープを再生系によって再生し、アンプ等
を介して、Lチャンネル及びRチャンネル用のスピーカ
に夫々供給して聴いたときの定位を悪化させる。又、モ
ノラル用の半導体集積回路装置以外にステレオ用の半導
体集積回路装置を製造するコストが高くなる不都合があ
る。
In such a case, the relative level difference at the time of input of the L channel and R channel audio signals changes at the time of output. Therefore, after recording this on a magnetic tape, the magnetic tape is reproduced by a reproducing system and supplied to speakers for the L channel and the R channel via an amplifier or the like to deteriorate localization. In addition to the monaural semiconductor integrated circuit device, the cost of manufacturing a stereo semiconductor integrated circuit device is high.

本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、モノラル及
びステレオ方式のいずれの方式の音声回路にも共通して
使用することができると共に、ステレオ方式の音声回路
に使用したときに良好なステレオ音声を得ることのでき
る半導体集積回路装置を提案しようとするものである。
The present invention has been made in view of the above points, and can be commonly used for audio circuits of both monaural and stereo systems, and also provides good stereo audio when used for stereo system audio circuits. The present invention intends to propose a semiconductor integrated circuit device that can obtain the above-mentioned characteristics.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

本発明半導体集積回路装置は、例えば第1図〜第4図に
示す如く、入力端子(6)よりの入力信号が供給される増
幅回路(5)と、増幅回路(5)の出力レベルと第1の基準レ
ベルVrefとを比較して、その比較結果に基いた制御信号
を出力する検出回路(2)と、検出回路(2)からの制御信号
のレベルと第2の基準レベルVref′とを比較して、その
比較結果に基いた制御電流信号を増幅回路(5)に供給し
て、増幅回路(5)の利得を制御する制御電流発生回路(4)
とを設けたものである。
The semiconductor integrated circuit device according to the present invention is, for example, as shown in FIGS. 1 to 4, an amplifier circuit (5) to which an input signal from an input terminal (6) is supplied, an output level of the amplifier circuit (5) and The detection circuit (2) which compares the reference level V ref of 1 and outputs a control signal based on the comparison result, the level of the control signal from the detection circuit (2) and the second reference level V ref ′. And a control current signal based on the comparison result is supplied to the amplifier circuit (5) to control the gain of the amplifier circuit (5).
And are provided.

〔作用〕[Action]

上述せる本発明によれば、制御電流発生回路(4)によっ
て、検出回路(2)からの制御信号のレベルと第1の基準
レベルVrefとを比較して、その比較結果に基いた制御電
流信号を増幅回路(5)に供給して、増幅回路(5)の利得を
制御するようにしたことにより、例えば第4図Aに示す
如く、制御電流発生回路(4)の非直線特性によってこの
基準電圧Vrefのばらつきを吸収することができるので、
モノラル及びステレオ方式のいずれの方式の音声回路に
も共通して使用できると共に、ステレオ方式の音声回路
に使用しても良好なステレオ音声を得ることができる。
According to the present invention described above, the control current generation circuit (4) compares the level of the control signal from the detection circuit (2) with the first reference level V ref, and the control current based on the comparison result. By supplying a signal to the amplifier circuit (5) so as to control the gain of the amplifier circuit (5), for example, as shown in FIG. 4A, the non-linear characteristic of the control current generation circuit (4) causes Since it is possible to absorb variations in the reference voltage V ref ,
It can be commonly used for both monaural and stereo audio circuits, and good stereo sound can be obtained even when used for a stereo audio circuit.

〔実施例〕〔Example〕

以下に、第1図を参照して、本発明半導体集積回路装置
の一実施例について詳細に説明する。
An embodiment of the semiconductor integrated circuit device of the present invention will be described in detail below with reference to FIG.

第1図においては、音声信号入力端子(6)に供給される
モノラル音声信号は電流制御増幅回路(5)を通じて出力
端子(7)に供給される。又、この電流制御増幅回路(5)か
らの音声信号は検出回路(2)に入力されて、基準電圧V
refと比較される。この比較によって出力される制御電
圧は、増幅回路(3)を通じて制御電流発生回路(4)に供給
され、基準電圧Vref′(=Vref)と比較される。そし
て、この制御電流発生回路(4)よりその結果に基いた制
御電流信号が電流制御増幅回路(5)に供給される。
In FIG. 1, the monaural audio signal supplied to the audio signal input terminal (6) is supplied to the output terminal (7) through the current control amplifier circuit (5). The audio signal from the current control amplifier circuit (5) is input to the detection circuit (2) and the reference voltage V
compared with ref . The control voltage output by this comparison is supplied to the control current generation circuit (4) through the amplifier circuit (3) and compared with the reference voltage V ref ′ (= V ref ). Then, a control current signal based on the result is supplied from the control current generating circuit (4) to the current control amplifier circuit (5).

この制御電流発生回路(4)は第2図に示すような回路構
成となっている。
The control current generating circuit (4) has a circuit configuration as shown in FIG.

第2図において、T1は増幅回路(3)からの制御電圧が供
給される入力端子で、この入力端子T1に供給される制御
電圧は、PNP型のトランジスタQ1のベースに供給され
る。
In FIG. 2, T 1 is an input terminal supplied with the control voltage from the amplifier circuit (3), and the control voltage supplied to this input terminal T 1 is supplied to the base of the PNP transistor Q 1. .

このトランジスタQ1のコレクタは接地され、エミッタは
トランジスタQ2のエミッタと互に接続されて、定電流源
(3a)を通じて、正電源+Bが供給される電源端子(9)に
接続されている。
The collector of this transistor Q 1 is grounded and the emitter of the transistor Q 2 is connected to the emitter of the constant current source.
Through (3a), it is connected to the power supply terminal (9) to which the positive power supply + B is supplied.

トランジスタQ2のベースには、基準電圧Vref′が印加さ
れ、そのコレクタは、ダイオード接続のNPN型トランジ
スタQ3のコレクタに接続されている。
A reference voltage V ref ′ is applied to the base of the transistor Q 2 , and its collector is connected to the collector of a diode-connected NPN transistor Q 3 .

ダイオード接続のトランジスタQ3のエミッタは抵抗器R1
を介して接地され、そのベースは、このトランジスタQ3
と共にカレントミラー回路(9)を構成するNPN型のトラン
ジスタQ4のベースと接続されている。
The emitter of the diode-connected transistor Q 3 is a resistor R 1
Grounded through the base of this transistor Q 3
Together with this, it is connected to the base of an NPN type transistor Q 4 which constitutes a current mirror circuit (9).

トランジスタQ4のエミッタは抵抗器R2を介して接地さ
れ、そのコレクタは電流制御増幅回路(5)の利得制御端
子に接続される制御電流信号出力端子T2に接続されてい
る。
The emitter of the transistor Q 4 is grounded via the resistor R 2 , and its collector is connected to the control current signal output terminal T 2 connected to the gain control terminal of the current control amplifier circuit (5).

従って、トランジスタQ1のベースに検出回路(2)からの
制御電圧が増幅回路(バッファ)(3)を介して供給さ
れ、その制御電圧の電圧が、トランジスタQ2のベースに
印加されている基準電圧Vref′と同じときは、トランジ
スタQ1及びQ2の差動バランスが保たれるので、トランジ
スタQ4のコレクタに流れる制御電流信号は定電流源(3a)
の電流I0としたときは、 と成る。そして、制御電圧が基準電圧Vref′の電圧を越
えるとトランジスタQ1及びQ2の差動バランスがくずれる
ので制御電流信号は第4図に示す如き特性を以て変化す
る。
Therefore, the control voltage from the detection circuit (2) is supplied to the base of the transistor Q 1 through the amplification circuit (buffer) (3), and the voltage of the control voltage is applied to the base of the transistor Q 2 as a reference voltage. When the voltage is the same as V ref ′, the differential balance between the transistors Q 1 and Q 2 is maintained, so that the control current signal flowing through the collector of the transistor Q 4 is constant current source (3a).
When the current I 0 is Becomes When the control voltage exceeds the reference voltage V ref ′, the differential balance between the transistors Q 1 and Q 2 is disturbed, so that the control current signal changes according to the characteristics shown in FIG.

また、例えば、トランジスタQ2のベースに印加されてい
る基準電圧Vref′を、検出回路(2)から増幅回路(3)を介
して供給される定常状態での制御電圧(=Vref)より稍
高い電圧に設定し、制御電圧(=Vref)を供給するよう
にしても良い。この場合〔制御信号(=Vref)〕は、ト
ランジスタQ4のコレクタには非常に小さな電流が流れ
る。
Further, for example, the reference voltage V ref ′ applied to the base of the transistor Q 2 is calculated from the control voltage (= V ref ) in the steady state supplied from the detection circuit (2) through the amplification circuit (3). A slightly higher voltage may be set to supply the control voltage (= V ref ). In this case [control signal (= V ref )], a very small current flows through the collector of the transistor Q 4 .

上述のAGC回路を構成する半導体集積回路装置はモノラ
ル音声信号の記録装置の場合は1つであるが、ステレオ
方式の音声信号の記録装置に使用する場合は、第3図に
示す如く、Lチャンネル用及びRチャンネル用と2つ使
用することになる。
The semiconductor integrated circuit device that constitutes the above-mentioned AGC circuit is one in the case of a monaural audio signal recording device, but when it is used in a stereo type audio signal recording device, as shown in FIG. And R channel will be used.

この第3図において、Lチャンネル音声信号入力端子(6
L)に供給されるLチャンネル音声信号は、電流制御増幅
回路(5L)を通じて出力端子(7L)に供給されると共に、検
出回路(2L)にも供給されて、基準電圧Vrefと比較され
る。この検出回路(2L)からの比較結果に基いた制御電圧
は増幅回路(3L)を通じて制御電流発生回路(4L)に供給さ
れる。この制御電流発生回路(4L)は、基準電圧Vref′の
近傍の電圧には、ほとんどその出流電力値が変わらない
特性を有する制御電流信号を電流制御増幅回路(5L)に供
給する。
In FIG. 3, the L channel audio signal input terminal (6
The L channel audio signal supplied to L) is supplied to the output terminal (7L) through the current control amplifier circuit (5L) and also to the detection circuit (2L) and compared with the reference voltage V ref. . The control voltage based on the comparison result from the detection circuit (2L) is supplied to the control current generation circuit (4L) through the amplification circuit (3L). The control current generation circuit (4L) supplies a control current signal having a characteristic that the output power value thereof is almost unchanged to a voltage near the reference voltage V ref ′ to the current control amplification circuit (5L).

一方、Rチャンネル音声信号入力端子(6R)に供給される
Rチャンネル音声信号は電流制御増幅回路(5R)を通じて
出力端子(7R)に供給されると共に、検出回路(2R)にも供
給される。この検出回路(2R)からの比較結果に基いた制
御電圧は増幅回路(3R)を通じて制御電流発生回路(4R)に
供給される。この制御電流発生回路(4R)は、基準電圧V
ref′の近傍の電圧にはほとんどその出力電流値が変わ
らない特性を有する制御電流信号を電流制御増幅回路(5
R)に供給する。
On the other hand, the R channel audio signal supplied to the R channel audio signal input terminal (6R) is supplied to the output terminal (7R) through the current control amplifier circuit (5R) and also to the detection circuit (2R). The control voltage based on the comparison result from the detection circuit (2R) is supplied to the control current generation circuit (4R) through the amplification circuit (3R). This control current generation circuit (4R)
A control current signal having a characteristic that the output current value hardly changes in the voltage near ref ′ is supplied to the current control amplifier circuit (5
R).

又、各々の検出回路(2L),(2R)は互に接続され、その接
続中点に接続された1つのコンデンサCによって、夫々
の制御電圧が平均化されるようになされている。
Further, the respective detection circuits (2L) and (2R) are connected to each other, and the respective control voltages are averaged by one capacitor C connected to the midpoint of the connection.

上述の場合は、いわゆる半導体集積回路装置のばらつき
によって、半導体集積回路装置(1L)及び(1R)の各基準電
圧Vrefは互に等しい値とはならないので、各々の検出回
路(2L)並びに(2R)から増幅回路(3L)並びに(3R)を通じて
制御電流発生回路(4L)並びに(4R)に夫々供給される制御
電圧と比較する基準電圧Vref′も互に異なる。しかし、
検出回路(2L),(2R)からの制御電圧を夫々第2図につい
て説明した制御電流発生回路(4L)及び(4R)に夫々供給
し、これら制御電流発生回路(4L)及び(4R)に夫々供給
し、これら制御電流発生回路(4L)及び(4R)では、夫々第
4図に示す如き特性を有する制御電流信号を夫々出力す
るので、これら制御電流信号の特性によって、基準電圧
Vrefのばらつき分を吸収し、半導体集積回路装置(1L)及
び(1R)の基準電圧Vrefが夫々多少ばらついても入力レベ
ルに対する利得は略均一となるので、ステレオ音声信号
の記録装置に使用したときに、左右の定位が入力時の定
位と変えられて記録されることがない。
In the above-mentioned case, due to so-called variations in the semiconductor integrated circuit device, the reference voltages V ref of the semiconductor integrated circuit devices (1L) and (1R) do not become equal to each other, so that the respective detection circuits (2L) and ( The reference voltage V ref 'compared with the control voltage supplied from the 2R) to the control current generation circuits (4L) and (4R) through the amplifier circuits (3L) and (3R), respectively, is also different from each other. But,
The control voltages from the detection circuits (2L) and (2R) are supplied to the control current generation circuits (4L) and (4R) described in FIG. 2, respectively, and these control current generation circuits (4L) and (4R) are supplied to the control current generation circuits (4L) and (4R). These control current generating circuits (4L) and (4R) respectively output control current signals having the characteristics shown in FIG. 4, so that the reference voltage is changed depending on the characteristics of these control current signals.
It is used for stereo audio signal recording device because it absorbs the variation of V ref and the gain for input level is almost uniform even if the reference voltages V ref of semiconductor integrated circuit devices (1L) and (1R) vary slightly. When you do, the left and right localization is not recorded as it is different from the localization at the time of input.

上述から明らかなように、1種類の1Cをモノラル音声信
号の記録装置にもステレオ音声信号の記録装置にも使え
るようにしたので、大幅なコストの削減が図られる。
As is apparent from the above, since one type of 1C can be used for both a monaural audio signal recording device and a stereo audio signal recording device, a significant cost reduction can be achieved.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

上述せる本発明によれば、制御電流発生回路によって、
検出回路からの制御信号のレベルと第1の基準レベルV
refとを比較して、その比較結果に基いた制御電流信号
を増幅回路に供給して、増幅回路の利得を制御するよう
にしたことにより、例えば第4図Aに示す如く、制御電
流発生回路の非直線特性によってこの基準電圧Vrefのば
らつきを吸収することができるので、モノラル及びステ
レオ方式のいずれの方式の音声回路にも共通して使用で
きると共に、ステレオ方式の音声回路に使用したとき
に、良好なステレオ音声が得られる。
According to the present invention described above, by the control current generating circuit,
The level of the control signal from the detection circuit and the first reference level V
By comparing with ref and supplying the control current signal based on the comparison result to the amplifier circuit to control the gain of the amplifier circuit, for example, as shown in FIG. Since the non-linear characteristic of can absorb this variation in the reference voltage V ref , it can be used in common with both monaural and stereo audio circuits, and when used in a stereo audio circuit. , Good stereo sound is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す線図、第2図は比較回
路を示す回路図、第3図は本発明による半導体集積回路
装置をステレオ方式に対応させた例を示す図、第4図は
グラフ、第5図は従来例を示す図、第6図は従来の半導
体集積回路装置をステレオ方式に対応させた例を示す
図、第7図はグラフである。 (1)は半導体集積回路装置(AGC回路)、(2)は検出回
路、(4)は制御電流発生回路、(5)は増幅回路、(6)は入
力端子である。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a comparison circuit, and FIG. 3 is a diagram showing an example in which a semiconductor integrated circuit device according to the present invention is adapted to a stereo system. FIG. 4 is a graph, FIG. 5 is a view showing a conventional example, FIG. 6 is a view showing an example in which a conventional semiconductor integrated circuit device is adapted to a stereo system, and FIG. 7 is a graph. (1) is a semiconductor integrated circuit device (AGC circuit), (2) is a detection circuit, (4) is a control current generation circuit, (5) is an amplification circuit, and (6) is an input terminal.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今井 克巳 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 大高 信行 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三洋 電機株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Katsumi Imai 2-18 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Nobuyuki Otaka 2-18th Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】入力端子よりの入力信号が供給される増幅
回路と、 上記増幅回路の出力レベルと第1の基準レベルとを比較
して、その比較結果に基いた制御信号を出力する検出回
路と、 上記検出回路からの上記制御信号のレベルと第2の基準
レベルとを比較して、その比較結果に基いた制御電流信
号を上記増幅回路に供給して、上記増幅回路の利得を制
御する制御電流発生回路とを設けたことを特徴とする半
導体集積回路装置。
1. An amplifier circuit supplied with an input signal from an input terminal and a detection circuit for comparing an output level of the amplifier circuit with a first reference level and outputting a control signal based on the comparison result. And a level of the control signal from the detection circuit is compared with a second reference level, and a control current signal based on the comparison result is supplied to the amplification circuit to control the gain of the amplification circuit. A semiconductor integrated circuit device comprising a control current generating circuit.
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