JPH0593768A - 核磁気共鳴プローブ複同調回路 - Google Patents

核磁気共鳴プローブ複同調回路

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JPH0593768A
JPH0593768A JP3255466A JP25546691A JPH0593768A JP H0593768 A JPH0593768 A JP H0593768A JP 3255466 A JP3255466 A JP 3255466A JP 25546691 A JP25546691 A JP 25546691A JP H0593768 A JPH0593768 A JP H0593768A
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tuning
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coil
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JP3255466A
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Teruaki Fujito
藤戸輝昭
Hiroyuki Yokoyama
横山博之
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Jeol Ltd
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Jeol Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 核磁気共鳴プローブ複同調回路において、照
射周波数近傍に観測側の偽同調ピークが生じるのを防止
する。 【構成】 このプローブ複同調回路は、サンプルコイル
s と、サンプルコイルLs の一端Aに接続された照射
用波長の4分の1の同軸共振器CRと、サンプルコイル
s の他端Bに接続された照射用波長の4分の1のトラ
ップ回路LT +CB と、サンプルコイルLs の他端と観
測入射端T0 の間に設けられた観察側マッチング用バリ
コンVC2 と、サンプルコイルLs の他端Bとアースの
間に設けられた観測側同調用バリコンVC1 とを備えて
いる。観測側同調用バリコンVC1 のサンプルコイルL
s 側にダミーコイルLD を直列に設けて、ゴーストピー
クを照射周波数よりも低い方へ下げるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、核磁気共鳴装置に用い
られるプローブ同調回路に関し、特に、1つのサンプル
コイルに対して照射側の周波数と観測側の周波数が異な
るように設定(複同調)したプローブ同調回路におい
て、照射周波数近傍において観測側に偽同調ピークが発
生するのを防止するようにした核磁気共鳴プローブ複同
調回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図3に従来のプローブ複同調回路の1例
を示す。このプローブ回路は観測と照射を1つのコイル
で行う複同調回路であり、サンプルコイルLs には、 1
H照射(デカップリング)用高周波f1 (図の実施例の
場合、500MHz)が入力端子T1 、コンデンサC1
〜C3 を介して一端Aから供給されると共に、観測側高
周波f0 (図の実施例の場合、125.8MHz)が入
力端子T0 、観察側マッチング用バリコンVC2 を介し
て他端Bに供給される。VC3 はf1 に対して同調をと
るための 1H照射側同調用バリコン、VC4 1H照射
側のマッチング用バリコン、VC1 はf0 に対して同調
をとるための観測側同調用バリコン、STは観測核に応
じて交換される容量C又はインダクタンスLを有する同
調用スティックである。さらに、サンプルコイルLs
一端Aには、 1H照射用高周波f1 の波長λの4分の1
の長さを有する同軸共振器CRが接続され、他端Bには
合計の電気長がλ/4となるようなコイルLT と同軸共
振器CB が接続されている。なお、同軸共振器CRの先
端は終端されており、同軸共振器CB の先端は開放され
ている。このため、f1 に対して同軸共振器CRは無限
大のインピーダンスとして作用し、 1Hトラップ回路を
構成するコイルLT と同軸共振器CB はサンプルコイル
s の他端Bをアース点にする作用をする。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような回路の特性
13C時)は、図4に示すようになる。この図におい
て、<IRR>は照射側の同調周波数を、<OBS>は
観測側の同調周波数を表し、それらの間に表示された曲
線は、照射側入力端子T1 から周波数を変えながら高周
波を入力したときに観測側入力端子T0 から見た通過特
性を表す。図4の<OBS>に示すように、観測側の同
調周波数には、f0 (125.8MHz)以外に、照射
周波数f1 (500MHz)の近傍に、観測側同調用バ
リコンVC1 及び観察側マッチング用バリコンVC2
よる偽同調ピーク(ゴーストピークと呼ばれる。図の4
50MHzのピークはVC1 によるもの、483MHz
はVC2 によるもの。)が出てくる。これは、バリコン
VC1 、VC2 は長さを持つため、容量以外にインダク
タンスを有することにより発生するものであり、このよ
うなゴーストピークが照射周波数f1 近傍にあると、照
射入力効率が低下してしまう。
【0004】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、核磁気共鳴プローブ複同調回
路において、照射周波数近傍に観測側の偽同調ピークが
生じるのを防止するようにすることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の核磁気共鳴プローブ複同調回路は、サンプルコイル
と、サンプルコイルの一端に接続された照射用波長の4
分の1の同軸共振器と、サンプルコイルの他端に接続さ
れた照射用波長の4分の1のトラップ回路と、サンプル
コイルの他端と観測入射端の間に設けられた観察側マッ
チング用可変容量コンデンサと、サンプルコイルの他端
とアースの間に設けられた観測側同調用可変容量コンデ
ンサとを備えた核磁気共鳴プローブ複同調回路におい
て、観測側同調用可変容量コンデンサ、観察側マッチン
グ用可変容量コンデンサの少なくとも何れか一方のサン
プルコイル側にダミーコイルを直列に設けたことを特徴
とするものである。
【0006】この場合、前記トラップ回路を観察側マッ
チング用可変容量コンデンサの観測入射端側に接続する
ようにすると、照射側の同調周波数の上限を広げること
ができる。
【0007】
【作用】本発明においては、観測側同調用可変容量コン
デンサ、観察側マッチング用可変容量コンデンサの少な
くとも何れか一方のサンプルコイル側にダミーコイルを
直列に設けているので、これらの可変容量コンデンサに
よるゴーストピークを照射周波数よりも低い方へ下げる
ことができ、ゴーストピークによる照射入力効率の低下
を防止することができる。また、観測周波数の上限を下
げることはなく、シグナル信号の減衰も避けることがで
きる。
【0008】
【実施例】以下、図面を参照にして本発明のプローブ複
同調回路の実施例について説明する。図1は本発明の1
実施例のプローブ複同調回路の回路図であり、図3の従
来例と異なる点は、観測側同調用バリコンVC1 の高圧
側にダミーコイルLD を取り付けた点のみである。すな
わち、図3の従来例と同様、図1の実施例においては、
サンプルコイルLs には、1H照射(デカップリング)
用高周波f1 (図の実施例の場合、500MHz)が入
力端子T1 、コンデンサC1 〜C3 を介して一端Aから
供給されると共に、観測側高周波f0 (図の実施例の場
合、125.8MHz)が入力端子T0 、観察側マッチ
ング用バリコンVC2 を介して他端Bに供給される。V
3 はf1 に対して同調をとるための 1H照射側同調用
バリコン、VC4 1H照射側のマッチング用バリコ
ン、VC1 はf0 に対して同調をとるための観測側同調
用バリコン、STは観測核に応じて交換される容量C又
はインダクタンスLを有する同調用スティックである。
さらに、サンプルコイルLs の一端Aには、 1H照射用
高周波f1 の波長λの4分の1の長さを有する同軸共振
器CRが接続され、他端Bには合計の電気長がλ/4と
なるようなコイルLT と同軸共振器CB が接続されてい
る。また、同軸共振器CRの先端は終端されており、同
軸共振器CB の先端は開放されている。このため、f1
に対して同軸共振器CRは無限大のインピーダンスとし
て作用し、 1Hトラップ回路を構成するコイルLT と同
軸共振器CB はサンプルコイルLs の他端Bをアース点
にする作用をする。
【0009】このような複同調回路において、バリコン
VC1 及びVC2 は容量を可変にする役目を持つが、同
時に有限長のため、インダクタンス成分も持っている。
そのため、前記したように固有の自己共振周波数を持
ち、共振周波数が容量変化と共に変化し、照射周波数f
1 近傍にゴーストピークが移動することが起こる。ゴー
ストピークが照射周波数f1 に近接すると、照射入力効
率が低下してしまうので、これを避けなければならな
い。その方法としては、照射周波数f1 よりも高いか又
は低い側のどちらかに上記自己共振周波数を追いやれば
よい。最も簡単には、これらバリコンVC1 、VC2
並列に固定コンデンサを配置すればよいが、こうする
と、観測周波数f0 そのものの上限が下がってしまう。
【0010】そこで、図1の実施例においては、上記し
たように観測側同調用バリコンVC1 の高圧側にダミー
コイルLD を取り付けて、これに基づく自己共振周波数
(図4の<OBS>の450MHzのピーク)を照射周
波数よりも低い方へ下げるようにしている。なお、観察
側マッチング用バリコンVC2 によるゴーストピークが
より大きく、そのゴーストピークが照射周波数f1 に近
接して問題になる場合は、観察側マッチング用バリコン
VC2 のサンプルコイルLs 側にダミーコイルLD を取
り付けて、そのゴーストピーク(図4の<OBS>の4
83MHzのピーク)を照射周波数よりも低い方へ下げ
るようにする。
【0011】なお、図1の場合は、 1Hトラップ回路
(コイルLT +同軸共振器CB )は、サンプルコイルL
s の観測側に直接取り付けられているが、このようにす
ると、観測側のバリコンVC1 及びVC2 を大幅に変え
ても照射側の同調周波数が変化しないというメリットは
あるが、 1Hトラップ回路自身が持つ浮遊容量のため、
観測側の同調周波数の上限が下がる。これに対し、図2
に示すように、 1Hトラップ回路を観測側マッチング用
バリコンVC2 の50Ω入力側に取り付け、バリコンV
2 によりCカットすると、観測側の同調周波数の上限
を広げることが、でき、高周波観測に適するようにな
る。
【0012】以上、本発明の核磁気共鳴プローブ複同調
回路の実施例について説明したきたが、本発明はこれら
実施例に限定されず種々の変形が可能である。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の核磁気共
鳴プローブ複同調回路によると、観測側同調用可変容量
コンデンサ、観察側マッチング用可変容量コンデンサの
少なくとも何れか一方のサンプルコイル側にダミーコイ
ルを直列に設けているので、これらの可変容量コンデン
サによるゴーストピークを照射周波数よりも低い方へ下
げることができ、ゴーストピークによる照射入力効率の
低下を防止することができる。また、観測周波数の上限
を下げることはなく、シグナル信号の減衰も避けること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例の核磁気共鳴プローブ複同調
回路の回路図である。
【図2】別の実施例の回路図である。
【図3】従来のプローブ複同調回路の回路図である。
【図4】図3の回路の特性を示すための図である。
【符号の説明】
s …サンプルコイル T1 …照射入力端子 T0 …観測入力端子 C1 〜C4 …コンデンサ VC1 …観測側同調用バリコン VC2 …観察側マッチング用バリコン VC3 …照射側同調用バリコン VC4 …照射側マッチング用バリコン ST…同調用スティック CR…同軸共振器 LT …コイル CB …同軸共振器 LD …ダミーコイル

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 サンプルコイルと、サンプルコイルの一
    端に接続された照射用波長の4分の1の同軸共振器と、
    サンプルコイルの他端に接続された照射用波長の4分の
    1のトラップ回路と、サンプルコイルの他端と観測入射
    端の間に設けられた観察側マッチング用可変容量コンデ
    ンサと、サンプルコイルの他端とアースの間に設けられ
    た観測側同調用可変容量コンデンサとを備えた核磁気共
    鳴プローブ複同調回路において、観測側同調用可変容量
    コンデンサ、観察側マッチング用可変容量コンデンサの
    少なくとも何れか一方のサンプルコイル側にダミーコイ
    ルを直列に設けたことを特徴とする核磁気共鳴プローブ
    複同調回路。
  2. 【請求項2】 前記トラップ回路を観察側マッチング用
    可変容量コンデンサの観測入射端側に接続したことを特
    徴とする請求項1記載の核磁気共鳴プローブ複同調回
    路。
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