JPH0580524A - フオトレジストパターン直接描画装置 - Google Patents

フオトレジストパターン直接描画装置

Info

Publication number
JPH0580524A
JPH0580524A JP3246147A JP24614791A JPH0580524A JP H0580524 A JPH0580524 A JP H0580524A JP 3246147 A JP3246147 A JP 3246147A JP 24614791 A JP24614791 A JP 24614791A JP H0580524 A JPH0580524 A JP H0580524A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
resist
light source
photoresist pattern
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3246147A
Other languages
English (en)
Inventor
寛 ▲はま▼村
Hiroshi Hamamura
Kunihiko Yoshino
邦彦 吉野
Sanpei Esaki
賛平 江▲さき▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP3246147A priority Critical patent/JPH0580524A/ja
Publication of JPH0580524A publication Critical patent/JPH0580524A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】小型で、安価なフォトレジストパターン直接描
画装置を提供する。 【構成】フォトレジスト付きの基板を載せるための基板
載せ台と、前記フォトレジストを露光するための、アレ
イ状に配置した端面発光型EL素子を有する露光光源
と、前記基板と前記露光光源とを相対的に移動させるた
めの駆動部とを有することを特徴とするフォトレジスト
パターン直接描画装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一個あるいは、複数の
電子部品を、一枚のプリント基板上に集積実装するプリ
ント基板の配線回路パターンや、転写露光に用いるフォ
トマスクパターンを供給する装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、電子部品を集積実装するプリン
ト基板は、電気絶縁性の良好なポリマー等の基板上に、
厚さ数μmから数百μmのCu、Al、Au、Ag等の
導電層をメッキ、蒸着等で形成し、この導電層をリソグ
ラフィー、フォトエッチングを用いて回路パターンに加
工することによって作製される。あるいは、ポリマー等
の絶縁体上に薄い導電性のメッキベースを形成し、その
上にフォトリソグラフィーで形成した絶縁性のレジスト
パターンをマスクにして、導電性の回路パターンをメッ
キ成長させることによって作製される。
【0003】従来、フォトエッチングは、ネガフィルム
やクロムマスク等の形成すべきパターンを写し取ったフ
ォトマスクを用いて、正確に感光性のレジスト上に重
ね、レジストを露光することにより、形成すべきパター
ンの形状にレジストを露光する一括転写法が用いられて
いる。一括転写の露光方法には、例えば、密着露光法、
投影露光法、近接露光法などがある。
【0004】また、フォトマスクを介さない露光方法と
しては、パターンジェネレータの機能を有するレーザー
ビーム直接描画法や、電子線直接描画法が開発されてお
り、プリント基板の製造のほか、フォトマスクの製作プ
ロセスでも使用されている。これら直接描画法において
は、レジストが感光する波長のレーザービームや電子線
を、パターンの形状に走査する方法と、パターンをオン
オフ信号に変換し、レーザービームや電子線を一方向に
走査しながらオンオフする方法とが用いられる。レーザ
ービームや電子線の走査は、ポリゴンミラーや音響光学
素子等を用いて行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のような、フォト
マスクを用いてレジストにパターンを転写する露光方法
では、パターンごとにフォトマスクを用意しなければな
らず、少量多品種の生産や開発段階では、高価なフォト
マスクの作製にコストがかかり過ぎ、経済的ではなかっ
た。また、実装基板の動作試験等検査時に必要な、基板
ごとに異なるバーコード等の認識マークを、基板ごとに
同時に形成することはできない。
【0006】また、レーザービーム直接描画法は、レジ
ストが感光する波長領域の半導体レーザ光源がないため
に、高価で大型なガスレーザを用いなければならない。
電子線直接描画法においては、電子線の発生装置が高価
で大型である。さらに、レーザ光や電子線を走査するた
めの駆動部が必要である上、解像、精度の面からビーム
の偏向領域が制限され、大型基板の大面積露光時には、
基板を逐次移動させるステージ制御系を必要とするな
ど、装置の大型、複雑化が避けられない。従って、これ
らの直接描画装置は、大型で、数千万から数億円の高額
であり、また、量産性に乏しいため、汎用されるに至っ
ていない。
【0007】さらに、安価で小型な発光ダイオードを用
いた直接描画用のアレイ状光源は、レジストが感光する
波長領域の発光ダイオードの輝度むらが±30%程度と
大きいために、実現に至っていない。
【0008】本発明は、小型で、安価なフォトレジスト
パターン直接描画装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、フォトレジスト付きの基板を載せ
るための基板載せ台と、前記フォトレジストを露光する
ための、アレイ状に配置した端面発光型EL素子を有す
る露光光源と、前記基板と前記露光光源とを相対的に移
動させるための駆動部とを有することを特徴とするフォ
トレジストパターン直接描画装置が提供される。
【0010】
【作用】本発明により提供されるフォトレジストパター
ン直接描画装置は、露光光源に端面発光型ELアレイ素
子を用いた。端面発光型EL素子アレイは、レジストが
感光する波長の光を高輝度、かつ、低い輝度むら(±5
%以内)で発光する。また、EL素子アレイは、薄膜か
ら形成され、幅の広いアレイ状の素子を、非常に小型
で、安価に作製することができる。さらに、露光光源に
形成すべきパターンをオンオフ信号に変換し、この信号
によりアレイ状の露光光源を、オンオフすることによ
り、光を走査するための走査駆動部が必要なく、1ライ
ンの露光を同時に行なうことができる。
【0011】本発明において、駆動部は、基板と露光光
源をアレイの長さ方向と垂直な方向に相対的に移動させ
ることにより、基板全体を露光する。本発明のフォトレ
ジストパターン直接描画装置は、フォトマスクを用い
ず、希望の配線パターンを自由に露光することができる
ので、少量多品種の生産や試作、開発に適している。ま
た基板ごとに異ったバーコード等の認識マークを同時に
書き込むように対応することもできる。
【0012】
【実施例】
(実施例1)本発明の第1の実施例を図1、図4を用い
て説明する。図1、図4に示すように、本発明のフォト
レジストパターン直接描画装置は、基板載せ台7上に固
定されたレジスト付き基板1を、ELアレイ素子30を
内部に配置した露光光源5によって露光する。EL素子
アレイ5の両端部を支持する支持部材3、4は、基板載
せ台7上を移動するための駆動部(図示せず)を有して
いる。レジスト付き基板1は、基板載せ台7の表面に配
置された真空チャック(図示せず)により、基板載せ台
7上に固定されている。露光光源5は、支持部材5が矢
印の方向に移動するのに伴い、レジスト付き基板2の端
部2xから反対側の端部2yまで移動して、レジスト付
き基板1全面を露光する。
【0013】露光光源5の内部のELアレイ素子30
は、レジスト付き基板1の表面と垂直方向に、アレイ状
のEL素子が並ぶ構成をとっている。従って、ELアレ
イ素子30が発光した光は、レジスト付き基板1の表面
に垂直に入射する。EL素子の下部の電極37は共有さ
れており、交流電源40が接続されている。上部の電極
38は、個別に配置されており、スイッチング回路39
が接続されている。スイッチング回路39は、レジスト
付き基板1に露光すべきパターンデータをオン、オフ信
号に変換した信号を受信し、各EL素子の発光をオンオ
フ制御する。
【0014】EL素子アレイ30の露光可能な1ライン
の長さは、レジスト付き基板1の幅よりも長く、基板の
幅を一度に露光する。1ラインの露光が終了すると、露
光光源5は、1ラインと垂直方向に移動して順次露光を
行い、レジスト付き基板1全体に露光すべきパターンを
露光する。
【0015】端面発光型のEL素子は、一般に知られて
いる膜構成のものを用いることができる。本実施例で
は、図5に示すように、基板31として、厚さ数mmの
無アルカリガラスを使用し、この上に下部電極37(厚
さ0.2μmのAl膜)、第1誘電体層(厚さ1μmの
TiO2とSiO2の混合膜)33、発光体層(厚さ1μ
mの0.5wt%のMnを含むZnSペレット)34、第
2誘電体層(厚さ1μmのTiO2とSiO2の混合膜)
35、上部電極38(厚さ0.2μmのAl膜)を順に
形成したものを用いた。この素子をイオンビームエッチ
ング法で、基板31と第1電極37を除いた各層を、部
分的にエッチングすることによりアレイ構造とした。さ
らに上部電極38にスイッチング回路39を、下部電極
に交流電源40を取付け、ELアレイ素子30を完成さ
せた。ELアレイ素子30の光スポットのピッチは、レ
ジスト付き基板1の間に集光光学系を用いて、約12.
7μmであった。
【0016】また、本実施例では、交流駆動ELアレイ
素子30を用いたが、一般に知られている直流駆動の端
面発光型ELアレイ素子を用いることもできる。直流駆
動型ELアレイ素子の膜構成としては、例えば、図6に
示すように、基板51として、厚さ数mmの無アルカリ
ガラスを使用し、この上に下部電極(厚さ0.2μmの
Al膜)52、抵抗体層(Ni−SiO2サーメット
層)53、発光体層(厚さ1μmの0.5wt%のMnを
含むZnSペレット)54、上部電極(厚さ0.2μm
のAl膜)55を順に形成したものを用いることができ
る。交流駆動型ELアレイ素子と同様に、エッチングす
ることにより、アレイ構造にする。直流駆動型EL素子
を用いる場合は、電極に直流電源を接続する。
【0017】上述のように、本発明のフォトレジストパ
ターン直接描画装置は、主走査方向に走査することな
く、1ラインを1度に露光することが可能である。ま
た、上述のEL素子アレイ30は、厚さ数mmのガラス
基板に、数μmから数十μmの薄膜を形成したものであ
り、これを封止、実装してもその厚さは数十mmに抑え
ることができる。レジスト付き基板1の表面と、露光光
源との間隔は、間に集光光学系を介したとしても、数m
m程度に収めることができる。さらに、上述の端面発光
型ELアレイ素子30は、レジストの感度がある波長約
400から500nmに発光するものを、電子線光学系
やレーザービーム光学系に比べて、非常に安価に製造す
ることができる。また、端面発光型ELアレイ素子30
は、輝度が高く、また、輝度むらは、±5%以内に抑え
ることができる。
【0018】従って、本発明を用いることにより、光ビ
ームを走査するための駆動部を必要とせず、小型で安価
な直接描画装置を提供することができる。
【0019】(実施例2)本発明の第2の実施例を図2
を用いて説明する。レジスト付きフレキシブル基板の未
露光部分8は、送りローラー9、10、11、41によ
り、露光部ローラー13まで送られ、このローラーに密
着しながら、露光光源12により露光される。露光され
たレジスト付きフレキシブル基板15は、回収ローラー
42、14、16、17をよって、送られ、回収、ある
いは次工程に送られる。露光光源12は、発光した光が
露光部ローラー13に密着したレジスト付きフレキシブ
ル基板8に垂直に照射する位置に配置されている。露光
光源12は、実施例1と同様のものを用いることができ
るの説明を省略する。
【0020】本実施例のフォトレジストパターン直接描
画装置は、フレキシブルなレジスト付き基板8を、たる
ませることなく、露光光源12に送ることができる。ま
た、ユーザは、フレキシブルなレジスト付き基板8を、
送りローラー9、10の間に滑り込ませるだけでよく、
セットと回収を容易に行うことができる。
【0021】さらに、本実施例のフォトレジストパター
ン直接描画装置の前後に、基板前処理工程、レジストコ
ーティング工程、熱乾燥工程、現像工程、リンス工程、
エッチング工程、レジスト除去工程を行う装置等を設け
ることにより、プリント基板等の配線回路パターンを製
作するためのシステムを容易に構成することができる。
【0022】(実施例3)本発明の第3の実施例を図3
を用いて説明する。未露光基板ロール19に巻き取られ
たレジスト付きフレキシブル基板の未露光部分18は、
送りローラー20、21、22により、露光部ローラー
24まで送られ、このローラーに密着しながら、露光光
源23により露光される。露光されたレジスト付きフレ
キシブル基板26は、回収ローラー25によって送られ
て巻取りロール27に巻き取られる。露光光源23は、
露光部ローラー24に密着したレジスト付きフレキシブ
ル基板18に、発光光を垂直に照射する位置に配置され
ている。露光光源23は、実施例1と同様のものを用い
ることができるの説明を省略する。
【0023】本実施例のフォトレジストパターン直接描
画装置は、実施例2と同様に、フレキシブルなレジスト
付き基板18を、たるませることなく、露光光源12に
送ることができる。また、長いフレキシブルなレジスト
付き基板8を、基板ロール19と巻き取りロール27
に、巻き取ることにより連続的に露光することができ、
量産システムに適している。ユーザは、フレキシブルな
レジスト付き基板19を基板ロール19に巻いて、セッ
トするだけで良く、セットと回収を容易に行うことがで
きる。
【0024】上述の実施例1、2、3で説明したよう
に、本発明を用いることにより、光ビームを走査するた
めの駆動部を必要とせず、小型で安価で、使い勝手の良
い直接描画装置を提供することができる。これらの装置
はパターンジェネレータの機能を備えた直接描画装置で
あるので、フォトマスクをあらかじめ製作して用意した
り、作業後保管したりする煩わしさは全くなく、配線図
等のパターンデータをソフトウエアに記憶させておくだ
けで、パターンの保存、引出し等は端末を介して任意に
できる。また、CADで作成した配線図等を直接基板に
転写でき、また基板ごとに異った認識マークを書き込む
こともできる。
【0025】
【発明の効果】上述のように、本発明のフォトレジスト
パターン直接描画装置は、ELアレイ素子の光源を用い
ており、光を走査するための駆動部が必要なく、前述の
ように、ガラス等の基板に数ミクロンの薄膜を形成され
るため、非常に小型で、安価な直接描画装置を供給でき
る。
【0026】また、この装置はパターンジェネレータの
機能を備えた直接描画装置であるので、フォトマスクを
あらかじめ製作して用意したり、作業後保管したりする
煩わしさは全くなく、配線図等のパターンデータをソフ
トウエアに記憶させておくだけで、パターンの保存、引
出し等は端末を介して任意にできるという便利さがあ
る。そして、CADで作成した配線図等を直接基板に転
写でき、また基板ごとに異った認識マークを書き込むこ
ともできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の構造を示す斜視図。
【図2】本発明の第2の実施例の構成を示す説明図。
【図3】本発明の第3の実施例の構成を示す説明図。
【図4】本実施例のEL素子アレイの構成例を示す斜視
図。
【図5】本実施例の交流駆動型EL素子の膜構成の一例
を示す断面図。
【図6】本実施例の直流駆動型EL素子の膜構成の一例
を示す断面図。
【符号の説明】
1…レジスト付き基板、2…レジスト付き基板の端部、
3…支持部材、4…支持部材、5…露光光源、7…基板
載せ台、8…レジスト付きフレキシブル基板の未露光部
分、9…送りローラー、10…送りローラー、11…送
りローラー、12…露光光源、13…露光部ローラー、
14…回収ローラー、15…レジスト付きフレキシブル
基板の露光済み部分、16…回収ローラー、17…回収
ローラー、18…レジスト付きフレキシブル基板の未露
光部分、19…未露光基板ロール、20…送りローラ
ー、21…送りローラー、22…送りローラー、23…
露光光源、24…露光部ローラー、25…回収ローラ
ー、26…レジスト付きフレキシブル基板の露光済み部
分、27…巻き取りロール、30…ELアレイ素子、3
1…基板、33…第1の誘電体層、34…発光体層、3
5…第2の誘電体層、37…下部電極、38…上部電
極、39…スイッチング回路、40…交流電源回路、4
1…送りローラー、42…送りローラー、51…基板、
52…下部電極、53…抵抗体層、54…発光体層、5
5…上部電極。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】フォトレジスト付きの基板を載せるための
    基板載せ台と、前記フォトレジストを露光するための、
    アレイ状に配置した端面発光型EL素子を有する露光光
    源と、前記基板と前記露光光源とを相対的に移動させる
    ための駆動部とを有することを特徴とするフォトレジス
    トパターン直接描画装置。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記端面発光型EL素
    子は、電界によって発光する発光体層と、前記発光体層
    に隣接する誘電体層と、前記発光体層に電圧を印加する
    ための一対の電極層を有する交流駆動型のEL素子であ
    ることを特徴とするフォトレジストパターン直接描画装
    置。
  3. 【請求項3】請求項1において、前記端面発光型EL素
    子は、電界によって発光する発光層と、前記発光層に隣
    接する抵抗体層と、前記発光体層に電圧を印加するため
    の一対の電極層を有する直流駆動型のEL素子であるこ
    とを特徴とするフォトレジストパターン直接描画装置。
  4. 【請求項4】請求項1、2または3において、前記基板
    載せ台は、ローラー形状であることを特徴とするフォト
    レジストパターン直接描画装置。
JP3246147A 1991-09-25 1991-09-25 フオトレジストパターン直接描画装置 Pending JPH0580524A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3246147A JPH0580524A (ja) 1991-09-25 1991-09-25 フオトレジストパターン直接描画装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3246147A JPH0580524A (ja) 1991-09-25 1991-09-25 フオトレジストパターン直接描画装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0580524A true JPH0580524A (ja) 1993-04-02

Family

ID=17144188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3246147A Pending JPH0580524A (ja) 1991-09-25 1991-09-25 フオトレジストパターン直接描画装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0580524A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009109550A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Adtec Engineeng Co Ltd 直描露光装置
JP2011095605A (ja) * 2009-10-30 2011-05-12 Canon Inc 発光装置
WO2013140499A1 (ja) * 2012-03-19 2013-09-26 株式会社ブイ・テクノロジー 露光ヘッド及び露光装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009109550A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Adtec Engineeng Co Ltd 直描露光装置
JP2011095605A (ja) * 2009-10-30 2011-05-12 Canon Inc 発光装置
WO2013140499A1 (ja) * 2012-03-19 2013-09-26 株式会社ブイ・テクノロジー 露光ヘッド及び露光装置
US9513563B2 (en) 2012-03-19 2016-12-06 V Technology Co., Ltd. Exposure head and exposure device
TWI588617B (zh) * 2012-03-19 2017-06-21 V科技股份有限公司 曝光頭及曝光裝置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5840451A (en) Individually controllable radiation sources for providing an image pattern in a photolithographic system
TWI273354B (en) Composite printing
US8029327B2 (en) Semiconductor device and display device using a one-dimensional substrate and device fabricating method thereof
WO1994026495A1 (en) Apparatus and process for the production of fine line metal traces
US5588359A (en) Method for forming a screen for screen printing a pattern of small closely spaced features onto a substrate
JP2002504240A (ja) その表面に対し垂直な一方向の導電性をもつ基板を含む装置、及び該装置を製造する方法
US4954717A (en) Photoelectron mask and photo cathode image projection method using the same
JPH0580524A (ja) フオトレジストパターン直接描画装置
CN114631060A (zh) 智慧光罩及其曝光设备、曝光方法和曝光图案形成方法
US6632115B1 (en) Method for forming transparent conductive film using chemically amplified resist
US20200150530A1 (en) Mask and method of manufacturing the same, evaporation apparatus and display device
WO2000073855A1 (fr) Dispositif et procede de fabrication pour circuits imprimes, circuit imprime lui-meme
JP2001210540A (ja) 電磁コイルの製造方法、それを用いた荷電粒子線露光装置並びに半導体デバイスの製造方法
JP3258312B2 (ja) 厚膜薄膜混成多層配線基板の製造システム
Gordon et al. Pathways in device lithography
US6937320B2 (en) Reflective liquid crystal display lithography system
US7547620B2 (en) Film pattern producing method, and producing method for electronic device, electron-emitting device and electron source substrate utilizing the same
CN1021874C (zh) 印刷线路板的图形抗蚀法
KR100235304B1 (ko) Fed용 스페이서의 제조방법
US6667571B2 (en) Fluorescent luminous tube and method of manufacturing the same
TW200900871A (en) Exposing method, exposure apparatus, device fabricating method, and substrate for immersion exposure
JP2000205946A (ja) 光強度測定素子、撮像素子、空間像測定装置並びに露光装置
JPS61203555A (ja) 螢光光源管
JP3223956B2 (ja) 電子放出装置、電子線露光装置、および電子放出装置の製造方法
JPS58143676A (ja) 撮像装置用メモリ