JPH0576558B2 - - Google Patents
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- JPH0576558B2 JPH0576558B2 JP10557287A JP10557287A JPH0576558B2 JP H0576558 B2 JPH0576558 B2 JP H0576558B2 JP 10557287 A JP10557287 A JP 10557287A JP 10557287 A JP10557287 A JP 10557287A JP H0576558 B2 JPH0576558 B2 JP H0576558B2
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Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 111
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 8
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical group [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、棒状の部材を高速メツキするのに
好適なメツキ方法に関し、キヤリアのクランプ孔
に被メツキ物の一端部側を挿入し、この被メツキ
物を筒状の電極が設置されたメツキ室内に上方か
ら挿入し、このメツキ室内に下部からメツキ液を
注入してオーバーフローさせながら被メツキ物に
メツキを施し、メツキ終了後被メツキ物の一端を
突いて被メツキ物を取り外すことにより、人手を
用いずに自動的に棒状部材をその一端部までメツ
キできるようにしたものである。Detailed Description of the Invention "Industrial Application Field" The present invention relates to a plating method suitable for high-speed plating of rod-shaped members, in which one end of the object to be plated is inserted into a clamp hole of a carrier, The object to be plated is inserted from above into a plating chamber in which a cylindrical electrode is installed, and the plating liquid is injected into the plating chamber from the bottom and the object to be plated is plated while overflowing. After the plating is completed, the object to be plated is By pricking one end and removing the object to be plated, it is possible to automatically plate a rod-shaped member up to one end without using human hands.
「従来技術とその問題点」
メツキ液と被メツキ物との間に相対運動を与え
て、被メツキ物の表面のイオン拡散層を破壊し、
低電圧で大電流を流すことにより、メツキを高速
に行う高速メツキ方法が提案されている。"Prior art and its problems" By applying relative motion between the plating liquid and the object to be plated, the ion diffusion layer on the surface of the object to be plated is destroyed.
A high-speed plating method has been proposed in which plating is performed at high speed by flowing a large current at a low voltage.
第17図は、従来の高速メツキ方法を実施する
装置を示すもので、図中符号1は被メツキ物、符
号2,3は被メツキ物1を保持するホルダーであ
る。ホルダー2,3は同軸的に設けられており、
一方のホルダー3には同軸的にピストンロツド4
が連設されている。通常の待機状態にあつては、
ホルダー2,3はメツキユニツト5の外側(図中
左側)に移動されて、被メツキ物1を搬送するラ
インをはさんで離間した状態で対向している。こ
の待機状態では、ピストンロツド4がメツキ室6
を貫通している。 FIG. 17 shows an apparatus for carrying out a conventional high-speed plating method, in which reference numeral 1 denotes an object to be plated, and numerals 2 and 3 denote holders for holding the object 1 to be plated. Holders 2 and 3 are coaxially provided,
One holder 3 has a piston rod 4 coaxially attached to it.
are installed in succession. In normal standby mode,
The holders 2 and 3 have been moved to the outside of the plating unit 5 (to the left in the figure) and are facing each other with a line for conveying the object 1 to be plated in between. In this standby state, the piston rod 4 is in the plating chamber 6.
penetrates through.
前工程から被メツキ物1が搬送されて来ると、
待機状態にあるホルダー2,3が接近して、被メ
ツキ物1の両端部は挿入凹部2a,3a内に嵌ま
り込む。その後、被メツキ物1は、ホルダー2,
3によつて軸方向に移動され、メツキ室6内に収
容される。メツキ室6内にはメツキ液が図中矢印
A…で示すように流されており、メツキ室6の周
壁の一部を構成する電極7と被メツキ物1を保持
する一方のホルダー2に貫通して、被メツキ物1
にメツキを行う。 When the object to be plated 1 is transported from the previous process,
The holders 2 and 3 in the standby state approach each other, and both ends of the object to be plated 1 are fitted into the insertion recesses 2a and 3a. Thereafter, the object to be plated 1 is placed in the holder 2,
3 in the axial direction and accommodated in the plating chamber 6. The plating liquid is flowing into the plating chamber 6 as shown by arrow A in the figure, and penetrates through the electrode 7 that forms part of the peripheral wall of the plating chamber 6 and one of the holders 2 that holds the object 1 to be plated. Then, the object to be plated 1
Perform the metsuki.
このような装置により実施される従来のメツキ
方法では、ホルダー2,3で被メツキ物1の両端
を固定するので、被メツキ物1の両端を全くメツ
キできない不満があつた。 In the conventional plating method carried out by such an apparatus, both ends of the object 1 to be plated are fixed by the holders 2 and 3, so there has been a complaint that both ends of the object 1 to be plated cannot be plated at all.
「問題点を解決するための手段」
そこで、この発明のメツキ方法では、貫通した
クランプ孔を有するキヤリアのクランプ孔に被メ
ツキ物の一端部側を挿入し、このクランプ孔に保
持された被メツキ物の一端に一方の電極を接触さ
せると共に、この被メツキ物を筒状の他方の電極
が設置されたメツキ室内に上方から挿入し、この
メツキ室内に下部からメツキ液を注入してオーバ
ーフローさせながら被メツキ物にメツキを施し、
メツキ終了後メツキ室から被メツキ物を引き抜い
た後、被メツキ物の一端を突いて被メツキ物を取
り外すようにして、上記問題点の解決を図つた。"Means for Solving the Problem" Therefore, in the plating method of the present invention, one end side of the object to be plated is inserted into a clamp hole of a carrier having a penetrating clamp hole, and the object to be plated held in the clamp hole is One electrode is brought into contact with one end of the object, and the object to be plated is inserted from above into the plating chamber where the other cylindrical electrode is installed, and the plating liquid is injected into the plating chamber from the bottom and overflows. Apply plating to the object to be plated,
After the object to be plated is removed from the plating chamber after plating, one end of the object to be plated is poked to remove the object, thereby solving the above problem.
「作用」
このメツキ方法によれば、被メツキ物の一端を
キヤリアで保持して、この被メツキ物をメツキ液
がオーバーフローするように流動せしめられてい
るメツキ室に上方から挿入するので、被メツキ物
の他端をメツキ液と接触させることができ、被メ
ツキ物の周面と他端部を同時に高速メツキするこ
とができる。"Operation" According to this plating method, one end of the object to be plated is held by a carrier and the object to be plated is inserted from above into the plating chamber in which the plating liquid is allowed to flow so as to overflow. The other end of the object can be brought into contact with the plating liquid, and the peripheral surface and the other end of the object to be plated can be simultaneously plated at high speed.
「実施例」
以下、図面を参照してこの発明のメツキ方法を
詳しく説明する。"Example" Hereinafter, the plating method of the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.
実施例 1
第1図はこの発明のメツキ方法の一実施例を実
施する装置の概略構成を示すもので、図中符号1
0はメツキ液貯槽である。このメツキ液貯槽10
に貯留されているメツキ液は、ポンプ11により
メツキユニツト12との間で循環されると共に、
ろ過機13との間で循環されている。Embodiment 1 FIG. 1 shows a schematic configuration of an apparatus for carrying out an embodiment of the plating method of the present invention, and the reference numeral 1 in the figure shows
0 is a liquid storage tank. This plating liquid storage tank 10
The plating liquid stored in the plating unit 12 is circulated by the pump 11, and
It is circulated between the filter 13 and the filter 13.
この発明のメツキ方法の対象とする被メツキ物
14は、ほぼ棒状の外形を有するもので、例えば
第2図に示すようなほぼ円柱状のピン等を挙げる
ことができる。 The object to be plated 14, which is the object of the plating method of the present invention, has a substantially rod-like outer shape, and may include, for example, a substantially cylindrical pin as shown in FIG.
このメツキ方法では、メツキユニツト12への
被メツキ物14の搬送を、第3図に示すようなキ
ヤリア20を用いて行う。 In this plating method, the object to be plated 14 is transported to the plating unit 12 using a carrier 20 as shown in FIG.
キヤリア20は、貫通したクランプ孔21…
と、該クランプ孔21…に露出する電極22を備
えたもので、順次積層された本体板20aと、導
体板20bと、押さえ板20cとで形成されてい
る。本体板20aは、被メツキ物14を保持する
部分でアクリル板等の絶縁材料によつて形成され
ている。クランプ孔21の部分は、盲穴23に内
接されたリング状のゴム製パツキン24,24お
よびスペーサ25の中空部分と盲穴23の底に穿
設された孔26によつて形成されている。ゴム製
パツキン24,24は被メツキ物14をしつかり
と保持し得る内径に形成されている。 The carrier 20 has a penetrating clamp hole 21...
and electrodes 22 exposed in the clamp holes 21..., and is formed of a main body plate 20a, a conductor plate 20b, and a pressing plate 20c which are laminated in sequence. The main body plate 20a is a portion that holds the object to be plated 14 and is made of an insulating material such as an acrylic plate. The clamp hole 21 is formed by ring-shaped rubber gaskets 24, 24 inscribed in the blind hole 23, a hollow portion of the spacer 25, and a hole 26 bored at the bottom of the blind hole 23. . The rubber gaskets 24, 24 are formed to have an inner diameter that can securely hold the object 14 to be plated.
導体板20bは、被メツキ物14に電気を供給
するもので、燐青銅板等の導電性材料によつて形
成されている。導体板20bの電極22の部分
は、第4図および第5図に示すように、王字状の
スリツト27により形成された4枚のリーフ状電
極22a…により構成されている。スリツト27
の王字の中央の横棒と縦棒との交点の部分はクラ
ンプ孔21の中央に位置されており、この部分は
後述する押し出し棒が容易に通過し得る大きさの
丸穴27aに形成されている。この導体板20b
は、押さえ板20cによつて本体板20aに密着
固定されている。 The conductor plate 20b supplies electricity to the object to be plated 14, and is made of a conductive material such as a phosphor bronze plate. As shown in FIGS. 4 and 5, the electrode 22 portion of the conductor plate 20b is composed of four leaf-shaped electrodes 22a formed by square-shaped slits 27. slit 27
The intersection of the horizontal bar and the vertical bar at the center of the square is located at the center of the clamp hole 21, and this part is formed into a round hole 27a of a size through which a push-out rod, which will be described later, can easily pass through. ing. This conductor plate 20b
is closely fixed to the main body plate 20a by a holding plate 20c.
このキヤリア20のクランプ孔21に被メツキ
物14を一端側から挿入すると、露出する電極2
2に被メツキ物14の一端が当接し、導体板20
bと電気的に接続する。この時、スリツト27に
よつて形成された4枚のリーフ状電極22a…が
適当な弾性を示すので、被メツキ物14と導体板
20bは電気的に良好に接続する。そして導体板
20bには、第18図に示すように、シリンダー
50によつて上下動可能に保持された陰極ブロツ
ク51が下降して当接することにより通電される
ようになつている。 When the object to be plated 14 is inserted into the clamp hole 21 of the carrier 20 from one end, the electrode 2 is exposed.
One end of the object to be plated 14 is in contact with the conductor plate 20
electrically connect to b. At this time, since the four leaf-shaped electrodes 22a formed by the slits 27 exhibit appropriate elasticity, the object to be plated 14 and the conductive plate 20b are electrically connected well. As shown in FIG. 18, the conductor plate 20b is energized when a cathode block 51, which is vertically movably held by a cylinder 50, descends and comes into contact with the conductor plate 20b.
クランプ孔21に挿入された被メツキ物14
は、ゴム製のパツキン24,24によりしつかり
とホールドされて脱落することがない。そのう
え、挿入された被メツキ物14の一端部側はパツ
キンによつてメツキ液から確実に遮断されるの
で、完全にマスキングされる。 Object 14 to be plated inserted into clamp hole 21
is firmly held by the rubber gaskets 24, 24 and will not fall off. Moreover, one end of the inserted object 14 to be plated is reliably shielded from the plating liquid by the gasket, so that it is completely masked.
キヤリア20のクランプ孔21…に保持された
被メツキ物14…は、第6図ないし第8図に示す
ように、メツキユニツト12に設けられたメツキ
室30…内に上方から挿入される。 The object to be plated 14 held in the clamp holes 21 of the carrier 20 is inserted from above into a plating chamber 30 provided in the plating unit 12, as shown in FIGS. 6 to 8.
メツキユニツト12は、受液槽33と、この槽
33の上部を閉じる蓋板34と、槽33の中段に
設けられた本体部35によつて構成されている。
そして、メツキ室30…は本体部35に垂直に穿
設された孔によつて形成されている。メツキ室3
0の上部には筒状の電極31が嵌め込まれてお
り、本体部35の上部に積層された導体板36と
電気的に接続されている。電極31は、チタン製
の本体からなるものでその外面にはメツキ液によ
る腐食を防止するために白金メツキが施されてい
る。この電極31の内径は、その中央に挿入され
た被メツキ物14との間に生じるスキマが、5.0
mm以下になるように設定されている。このスキマ
が5.0mmを越えると、流速が小さくなりメツキ速
度が低下する不都合がある。このメツキ室30に
は、メツキ液貯槽10から送られてきたメツキ液
が図中矢印で示すように、下部から注入され上部
開口からオーバーフローされている。そして、オ
ーバーフローしたメツキ液は樹液槽33に流下
し、集められてメツキ液貯槽10に返送される。
メツキ室30に注入されるメツキ液は、メツキ液
貯槽10で所定温度(70℃以上)に加温されてい
る。この状態でキヤリア20の導体板20bとメ
ツキユニツト12の導体板36を介して、被メツ
キ物14と電極31に一定時間通電すると、被メ
ツキ物14にメツキが施される。 The plating unit 12 includes a liquid receiving tank 33, a lid plate 34 that closes the upper part of the tank 33, and a main body 35 provided in the middle of the tank 33.
The plating chambers 30 are formed by holes perpendicular to the main body 35. Metsuki room 3
A cylindrical electrode 31 is fitted into the upper part of 0, and is electrically connected to a conductor plate 36 laminated on the upper part of the main body part 35. The electrode 31 has a main body made of titanium, and its outer surface is plated with platinum to prevent corrosion by the plating solution. The inner diameter of this electrode 31 has a gap of 5.0
It is set to be less than mm. If this gap exceeds 5.0 mm, there is an inconvenience that the flow velocity becomes small and the plating speed decreases. The plating liquid sent from the plating liquid storage tank 10 is injected into the plating chamber 30 from the lower part and overflows from the upper opening, as shown by the arrow in the figure. The overflow plating liquid flows down into the sap tank 33, is collected, and is returned to the plating liquid storage tank 10.
The plating liquid injected into the plating chamber 30 is heated to a predetermined temperature (70° C. or higher) in the plating liquid storage tank 10. In this state, when the object 14 to be plated and the electrode 31 are energized for a certain period of time via the conductor plate 20b of the carrier 20 and the conductor plate 36 of the plating unit 12, the object 14 to be plated is plated.
このようにしてメツキされた被メツキ物14…
は、キヤリア20に保持された状態でメツキ室3
0…から引き抜かれ所定の位置に搬送された後、
キヤリア20から外される。被メツキ物14をキ
ヤリア20から取り外すには、キヤリア20の上
板20c側からクランプ孔21に押し出し棒を挿
入して被メツキ物14の端部を突く。 The object to be plated 14 that has been plated in this way...
is held in the carrier 20 in the plating chamber 3.
After being pulled out from 0 and transported to a predetermined position,
Removed from Carrier 20. To remove the object to be plated 14 from the carrier 20, a push rod is inserted into the clamp hole 21 from the upper plate 20c side of the carrier 20 and the end of the object to be plated 14 is poked.
このメツキ方法によつて高速メツキを行う場
合、メツキ速度は第9図に示すように電流密度に
比例する。電流密度を250〜1000A/dm2程度に
すると1〜4μm/秒以上という高速のメツキ速
度を実現できる。メツキ速度を高速化するには、
電流密度が大きくなるメツキ条件を設定する必要
がある。電流密度Iは、次に示す基本式(1)で与え
られる。 When high-speed plating is performed using this plating method, the plating speed is proportional to the current density as shown in FIG. When the current density is set to about 250 to 1000 A/dm 2 , a high plating speed of 1 to 4 μm/sec or more can be achieved. To increase the plating speed,
It is necessary to set plating conditions that increase the current density. The current density I is given by the following basic formula (1).
I=DnFC/δ(1−α) ……(1)
(1)式中Dは、メツキ液に添加された他の拡散係
数で、大きいほどメツキ速度が大となる。この拡
散係数Dを大きくするには、メツキ液の温度を上
げる。メツキ液の温度と電流密度Iの間には、第
10図に示すように、液温が上昇するほど電流密
度が大になる関係がある。このグラフから判るよ
うに、液温が70℃以上になると電流密度の増大が
特に顕著であるので、高速メツキを行う場合は、
液温を70℃以上に設定することが望ましい。 I=DnFC/δ(1-α) (1) In the formula (1), D is another diffusion coefficient added to the plating solution, and the larger the diffusion coefficient, the higher the plating speed. In order to increase this diffusion coefficient D, the temperature of the plating solution is increased. As shown in FIG. 10, there is a relationship between the temperature of the plating liquid and the current density I, in which the current density increases as the liquid temperature rises. As can be seen from this graph, the increase in current density is particularly noticeable when the liquid temperature exceeds 70°C, so when performing high-speed plating,
It is desirable to set the liquid temperature to 70℃ or higher.
このように高速メツキを行う為にメツキ液の温
度を高くすると、光沢剤が分解してメツキの光沢
が失われる場合があるので、メツキ液の温度を70
℃以上に設定して光沢メツキを行う場合は、分解
の恐れのないエバラユージライト社製の#6シリ
ーズを用いることが望ましい。 If the temperature of the plating solution is raised to perform high-speed plating like this, the brightener may decompose and the plating may lose its luster, so the temperature of the plating solution should be raised to 70
When performing gloss plating at a temperature higher than 0.degree. C., it is preferable to use #6 series manufactured by Eva Yugilite Co., Ltd., which has no fear of decomposition.
(1)式中Cはメツキ液に添加された塩の濃度で、
塩濃度が大になると電流密度Iは増大する。塩が
硫酸ニツケルである場合、高濃度領域では塩濃度
と最大電流密度との間に第11図に示すような関
係がある。このグラフから、塩が硫酸ニツケルで
ある場合、塩濃度を350g/以上にすると最大
電流密度を最も高い値にまで向上できることが判
る。ただし塩濃度が500g/を越えるとメツキ
液が高粘度になるため最大電流密度が低下する傾
向にある。 (1) In the formula, C is the concentration of salt added to the plating solution,
As the salt concentration increases, the current density I increases. When the salt is nickel sulfate, there is a relationship as shown in FIG. 11 between the salt concentration and the maximum current density in the high concentration region. From this graph, it can be seen that when the salt is nickel sulfate, the maximum current density can be increased to the highest value by increasing the salt concentration to 350 g/or more. However, if the salt concentration exceeds 500 g/l, the plating solution becomes highly viscous and the maximum current density tends to decrease.
(1)式中δは、拡散層の厚さである。この拡散層
は薄いほど、電流密度Iを大きくしてメツキ速度
を速くできる。拡散層は、メツキ部分におけるメ
ツキ液の流速を速めることにより薄くできる。第
12図はメツキ液の流速と最大電流密度の関係を
示すもので、このグラフからメツキ液の流速が大
であるほど最大電流密度が大になり、特に1.5
m/sまではその傾向が大きいことが判る。この
ことからメツキ液の流速は1.5m/s以上に設定
することが望ましいことが判る。ただし、流速が
大になるとメツキ液を循環するポンプ11の駆動
に要するエネルギーが急増するので、経済的には
1.5m/s程度の流速でメツキを行うことが望ま
しい。 In formula (1), δ is the thickness of the diffusion layer. The thinner the diffusion layer, the higher the current density I and the faster the plating speed. The diffusion layer can be made thinner by increasing the flow rate of the plating liquid in the plating portion. Figure 12 shows the relationship between the flow rate of the plating liquid and the maximum current density.From this graph, the higher the flow rate of the plating liquid, the higher the maximum current density.
It can be seen that this tendency is large up to m/s. From this, it can be seen that it is desirable to set the flow rate of the plating liquid to 1.5 m/s or more. However, as the flow rate increases, the energy required to drive the pump 11 that circulates the plating liquid increases rapidly, so it is not economically viable.
It is desirable to perform plating at a flow rate of about 1.5 m/s.
(1)式中αはメツキされる金属のイオン輸率であ
る。この輸率は大きいほど電流密度Iは大きくな
りメツキ速度を速めることができる。この輸率を
大きくするには、拡散係数Dの場合と同じくメツ
キ液の温度を高くする。 (1) In the formula, α is the ion transfer number of the metal to be plated. The larger the transference number is, the larger the current density I becomes, and the plating speed can be increased. In order to increase this transference number, as in the case of the diffusion coefficient D, the temperature of the plating solution is increased.
(1)式中、残るnとFは、それぞれ放電電子数
と、フアラデー定数で、いずれも固定印紙であ
る。 In formula (1), the remaining n and F are the number of discharge electrons and Faraday's constant, respectively, and both are fixed stamps.
実施例 2
第19図は被メツキ物に通電する機構の別の例
を示すものである。Embodiment 2 FIG. 19 shows another example of a mechanism for energizing the object to be plated.
この実施例で用いられた装置のキヤリア20は
本体板20aの部分のみで形成されており、電極
22はシリンダー50側に取り付けられている。 The carrier 20 of the device used in this embodiment is formed only from the main body plate 20a, and the electrode 22 is attached to the cylinder 50 side.
そしてキヤリア20のクランプ孔21に保持さ
れた被メツキ物14が所定の位置に運ばれると、
シリンダー50により電極22が下降されて被メ
ツキ物14の一端に接触させられる。 When the object to be plated 14 held in the clamp hole 21 of the carrier 20 is transported to a predetermined position,
The electrode 22 is lowered by the cylinder 50 and brought into contact with one end of the object 14 to be plated.
被メツキ物14へのメツキが終了すると被メツ
キ物14はメツキ室30から引き抜かれ、ついで
その一端が突かれてキヤリア20から取り外され
る。 When the plating on the object to be plated 14 is completed, the object to be plated 14 is pulled out from the plating chamber 30, and then one end thereof is poked and removed from the carrier 20.
この例のメツキ方法においても、実施例1の方
法と同様の作用効果を得ることができる。 The plating method of this example also provides the same effects as the method of Example 1.
なお、上記実施例にあつては、対象とする被メ
ツキ物14に第2図に示したほぼ円柱状のピンの
みを示したが、この発明の対象とするほぼ棒状の
被メツキ物としては、その他にも第13図に示す
ようなクツシヨンロツド、第14図に示すような
ピストン、第15に示すようなチユーニングピ
ン、第16に示すようなプリンターロール等を挙
げることができる。 In the above embodiment, only the approximately cylindrical pin shown in FIG. 2 was shown as the object to be plated 14, but the approximately rod-shaped object to be plated according to the present invention includes: Other examples include a cushion rod as shown in Fig. 13, a piston as shown in Fig. 14, a tuning pin as shown in Fig. 15, and a printer roll as shown in Fig. 16.
「発明の効果」
以上説明したように、この発明のメツキ方法
は、キヤリアのクランプ孔に被メツキ物の一端部
側を挿入し、この被メツキ物を筒状の電極が設置
されたメツキ室内に上方から挿入し、メツキ室内
の下部からメツキ液を注入してオーバーフローさ
せながら被メツキ物にメツキを施し、メツキ終了
後被メツキ物の一端を突いて被メツキ物を取り外
方法なので、全く人手を用いずに自動的に棒状部
材をメツキすることができる。"Effects of the Invention" As explained above, in the plating method of the present invention, one end of the object to be plated is inserted into the clamp hole of the carrier, and the object to be plated is placed inside the plating chamber in which a cylindrical electrode is installed. It is inserted from above, the plating liquid is injected from the bottom of the plating chamber, and the object to be plated is plated while it overflows. After the plating is completed, the object to be plated is removed by poking one end of the object, so no manual effort is required. It is possible to automatically plate a rod-shaped member without using it.
しかもこの発明のメツキ方法では、被メツキ物
の一端をキヤリアで保持して、この被メツキ物を
メツキ液がオーバーフローするように流動せしめ
られているメツキ室に上方から挿入するので、被
メツキ物の他端をも流動するメツキ液と接触させ
ることができる。従つて、この発明のメツキ方法
によれば、棒状の被メツキ物の周面と他端部を同
時に高速メツキすることができる。 Moreover, in the plating method of the present invention, one end of the object to be plated is held by a carrier, and the object to be plated is inserted from above into the plating chamber in which the plating liquid is allowed to flow so as to overflow. The other end can also be brought into contact with the flowing plating liquid. Therefore, according to the plating method of the present invention, the circumferential surface and the other end of the rod-shaped object to be plated can be simultaneously plated at high speed.
第1図はこの発明のメツキ方法の一実施例を実
施するのに好適に用いられるメツキ装置を示す概
略図、第2図は被メツキ物の一例を示す平面図、
第3図はメツキ装置のキヤリアの構造を示す断面
図、第4図はキヤリアを構成する導体板を示す斜
視図、第5図はスリツトの形状を示す平面図、第
6図および第7図はメツキ装置のメツキ室部分を
示す断面図、第8図はメツキユニツトを示す一部
断面図、第9図は電流密度とメツキ速度の関係を
示すグラフ、第10図はメツキ液温度と電流密度
との関係を示すグラフ、第11図はメツキ液の塩
濃度と最大電流密度の関係を示すグラフ、第12
図はメツキ液の流速と最大電流密度の関係を示す
グラフ、第13図ないし第16図は被メツキ物の
他の例を示す斜視図、第17図は従来のメツキ方
法を実施する装置を示す断面図、第18図は実施
例1で用いた装置の電気供給回路の構成を示す概
略図、第19図は実施例2で用いた装置の電気供
給回路の構成を示す概略図である。
14……被メツキ物、20……キヤリア、21
……クランプ孔、22……電極、30……メツキ
室、31……電極。
FIG. 1 is a schematic view showing a plating device suitably used to carry out an embodiment of the plating method of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing an example of an object to be plated.
Fig. 3 is a sectional view showing the structure of the carrier of the plating device, Fig. 4 is a perspective view showing the conductor plate constituting the carrier, Fig. 5 is a plan view showing the shape of the slit, and Figs. 6 and 7 are 8 is a partial sectional view showing the plating unit, FIG. 9 is a graph showing the relationship between current density and plating speed, and FIG. 10 is a graph showing the relationship between plating liquid temperature and current density. A graph showing the relationship, Figure 11 is a graph showing the relationship between the salt concentration of the plating solution and the maximum current density, Figure 12
The figure is a graph showing the relationship between the flow rate of the plating liquid and the maximum current density, Figures 13 to 16 are perspective views showing other examples of objects to be plated, and Figure 17 shows an apparatus for carrying out the conventional plating method. A cross-sectional view, FIG. 18 is a schematic diagram showing the configuration of the electricity supply circuit of the device used in Example 1, and FIG. 19 is a schematic diagram showing the configuration of the electricity supply circuit of the device used in Example 2. 14...Thing to be plated, 20...Carrier, 21
... Clamp hole, 22 ... Electrode, 30 ... Plating chamber, 31 ... Electrode.
Claims (1)
て、貫通したクランプ孔を有するキヤリアのクラ
ンプ孔に被メツキ物の一端部側を挿入し、 このクランプ孔に保持された被メツキ物の一端
に一方の電極を接触させると共に、 この被メツキ物を筒状の他方の電極が設置され
たメツキ室内に上方から挿入し、 このメツキ室内に下部からメツキ液を注入して
オーバーフローさせながら被メツキ物にメツキを
施し、 メツキ終了後メツキ室から被メツキ物を引き抜
いた後、被メツキ物の一端を突いて被メツキ物を
取り外すメツキ方法。[Scope of Claims] 1. When plating a substantially rod-shaped object to be plated, one end of the object to be plated is inserted into a clamp hole of a carrier having a through clamp hole, and the object to be plated is held in this clamp hole. One end of the object is brought into contact with one electrode, and the object to be plated is inserted from above into the plating chamber where the other cylindrical electrode is installed, and the plating liquid is injected from the bottom into the plating chamber and is covered while overflowing. A plating method in which the object to be plated is plated, the object to be plated is pulled out from the plating chamber after plating, and one end of the object to be plated is poked to remove the object.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10557287A JPS63270493A (en) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | Plating method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10557287A JPS63270493A (en) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | Plating method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63270493A JPS63270493A (en) | 1988-11-08 |
JPH0576558B2 true JPH0576558B2 (en) | 1993-10-22 |
Family
ID=14411237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10557287A Granted JPS63270493A (en) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | Plating method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63270493A (en) |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP10557287A patent/JPS63270493A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63270493A (en) | 1988-11-08 |
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