JPH0574340A - Manufacture of shadow mask for cathode ray tube - Google Patents
Manufacture of shadow mask for cathode ray tubeInfo
- Publication number
- JPH0574340A JPH0574340A JP3233099A JP23309991A JPH0574340A JP H0574340 A JPH0574340 A JP H0574340A JP 3233099 A JP3233099 A JP 3233099A JP 23309991 A JP23309991 A JP 23309991A JP H0574340 A JPH0574340 A JP H0574340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- shadow mask
- ray tube
- cathode ray
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電子線反射膜を有する
陰極線管用シャドウマスクの製法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a shadow mask for a cathode ray tube having an electron beam reflecting film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】カラー陰極線管は、パネル面の内側に微
細な３色の螢光体ドットが形成された螢光面と、該螢光
面の手前に設けられたシャドウマスクと、前記螢光面に
３本の電子ビームを照射する電子銃を有している。前記
シャドウマスクは厚さ約１５０μｍの薄い金属板（鋼
板）からなり、前記螢光面の手前約１０ｍｍのところに
取付けられており、幅（または直径）０.２〜０.２５ｍ
ｍのスリット状（またはドット状）の多数の電子ビーム
通過孔が０.５６〜０.７５ｍｍのピッチで規則正しく形
成されている（日本放送協会編ＮＨＫカラーテレビ教科
書、上、２４３〜２４４頁）。2. Description of the Related Art A color cathode ray tube is a fluorescent surface having fine three-color fluorescent dots formed inside a panel surface, a shadow mask provided in front of the fluorescent surface, and the fluorescent surface. It has an electron gun for irradiating three electron beams on its surface. The shadow mask is made of a thin metal plate (steel plate) having a thickness of about 150 μm, is attached about 10 mm in front of the fluorescent surface, and has a width (or diameter) of 0.2 to 0.25 m.
A large number of slit-shaped (or dot-shaped) electron beam passage holes of m are regularly formed at a pitch of 0.56 to 0.75 mm (NHK color television textbook edited by Japan Broadcasting Corporation, pp. 243 to 244).
【０００３】シャドウマスクは一般に色選別電極として
の役割を有し、１枚のマスクに２０〜３０万個の孔（す
だれの場合５００〜７００本）が設けられており、１つ
の孔は赤、緑、青の３個の螢光体ドットの１組と対応し
ている。前記電子銃から発射された電子ビームは、シャ
ドウマスクの電子ビーム通過孔を通過して前記螢光体に
照射されるように構成されている。The shadow mask generally serves as a color selection electrode, and one mask is provided with 200,000 to 300,000 holes (500 to 700 in the case of blind), one hole being red, It corresponds to one set of three green and blue phosphor dots. The electron beam emitted from the electron gun is configured to pass through the electron beam passage hole of the shadow mask and illuminate the phosphor.
【０００４】当然のことではあるが、シャドウマスクに
も電子ビームは当たり、電子ビームのエネルギーによっ
てシャドウマスクの温度が上昇しシャドウマスク自体が
熱膨張する。しかし、シャドウマスクはそのスカート部
でマスクフレームに固着されているためドーム状に熱変
形する。この現象はドーミングと呼ばれている。As a matter of course, the electron beam also hits the shadow mask, and the energy of the electron beam causes the temperature of the shadow mask to rise and the shadow mask itself to thermally expand. However, since the shadow mask is fixed to the mask frame at its skirt, it is thermally deformed into a dome shape. This phenomenon is called doming.
【０００５】上記ドーミングによってシャドウマスクに
設けられた孔が僅かではあるがずれて、前記螢光体ドッ
トと正確に対応しなくなり、結果的に電子ビームがずれ
たことになって隣接する他の螢光体を発光し、いわゆる
色ずれ現象を生ずる。こうした現象を一般にドーミング
現象と云うが、これを解決する方法として以下の対策が
講じられている。Due to the above-mentioned doming, the holes provided in the shadow mask are slightly displaced so that they do not correspond exactly to the phosphor dots, and as a result, the electron beam is displaced, and the other adjacent fluoresce. The light is emitted from the light source, and a so-called color shift phenomenon occurs. Although such a phenomenon is generally called a doming phenomenon, the following measures are taken as a method for solving this phenomenon.
【０００６】（１） シャドウマスクの放熱率を高めて
昇温を防ぐ。(1) The heat dissipation rate of the shadow mask is increased to prevent the temperature rise.
【０００７】（２） シャドウマスクを低熱膨張材料で
形成する。(2) The shadow mask is made of a low thermal expansion material.
【０００８】（３） シャドウマスクの曲面形状をドー
ミングが起りにくい構造とする。(3) The curved shape of the shadow mask has a structure in which doming does not easily occur.
【０００９】前記（１）の具体的方法としてはシャドウ
マスクの表面に黒錆を形成する方法、シャドウマスク表
面に電子線反射膜を形成して電子線の反射効率を高める
方法、あるいは電子線の反射率が大きく、かつ、熱伝導
率の小さい熱電素子膜を用いる方法などがある。また、
前記（２）についてはシャドウマスクにアンバーなどの
低熱膨張材を用いる方法がある。As a specific method of the above (1), a method of forming black rust on the surface of the shadow mask, a method of forming an electron beam reflection film on the surface of the shadow mask to improve the electron beam reflection efficiency, or There is a method of using a thermoelectric element film having high reflectance and low thermal conductivity. Also,
Regarding (2), there is a method of using a low thermal expansion material such as amber for the shadow mask.
【００１０】現在、主流として行われているものは、シ
ャドウマスク表面に電子線反射膜を形成する方法であ
る。電子線反射膜としては種々のものが考えられている
が、最も実用的なものは酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）の被
膜である。こうした電子線反射膜は、吹き付け法（特開
昭６２−１０８４２３公報）、真空蒸着法、ＣＶＤ法、
化学反応法、スプレー法など一般的な膜形成法により、
電子ビーム通過孔形成後に該反射膜を形成する方法が知
られている。At present, what is mainly used is a method of forming an electron beam reflecting film on the surface of a shadow mask. Various types of electron beam reflecting films have been considered, but the most practical one is a film of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ). Such an electron beam reflecting film is formed by a spraying method (Japanese Patent Laid-Open No. 62-108423), a vacuum deposition method, a CVD method,
By general film formation methods such as chemical reaction method and spray method,
A method of forming the reflection film after forming the electron beam passage hole is known.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】前記電子線反射膜の形
成方法においては、該膜成分の粒子、分子あるいは原子
が電子ビーム通過孔の内壁に廻り込んで内壁にも反射膜
が形成される。内壁に反射膜が形成されると該内壁の反
射膜によって電子線が乱反射され、それが螢光体側に洩
れて、所定の螢光体以外にも照射され色ずれを起し、表
示画像の精細度の低下を招くという問題がある。In the method of forming an electron beam reflecting film, particles, molecules or atoms of the film component wrap around the inner wall of the electron beam passage hole to form a reflecting film also on the inner wall. When a reflective film is formed on the inner wall, the electron beam is diffusely reflected by the reflective film on the inner wall, and the electron beam leaks to the fluorescent body side and is irradiated to other than the predetermined fluorescent body to cause color shift, resulting in a fine display image. There is a problem that it causes a decrease in degree.
【００１２】上記の電子ビーム通過孔内壁への反射膜の
形成を防ぐ方法として、ホトラッカーにより電子ビーム
通過孔部を被覆してシャドウマスク表面に反射膜を形成
後、該ホトラッカーを除去する方法、あるいは反射膜形
成面の反対側から空気を吸引しながら、粒子径１μｍ以
下に制御した反射膜材の水様懸濁液粒子を吹き付ける方
法が提案されている（特開昭５７−５０７４５号公
報）。As a method of preventing the formation of the reflection film on the inner wall of the electron beam passage hole, a method of covering the electron beam passage hole portion with a phototracker to form a reflection film on the surface of the shadow mask and then removing the phototracker. Alternatively, a method has been proposed in which water-like suspension particles of a reflective film material having a particle size controlled to 1 μm or less are sprayed while sucking air from the side opposite to the surface on which the reflective film is formed (JP-A-57-50745). ).
【００１３】しかし、上記前者の方法では精細な電子ビ
ーム通過孔部のみホトラッカーで被覆することは容易で
ない。また、上記後者の方法では内壁への反射膜材の付
着を完全に防止することは困難である。However, according to the former method, it is not easy to coat only a fine electron beam passage hole with a photolacquer. Further, it is difficult to completely prevent the reflection film material from adhering to the inner wall by the latter method.
【００１４】本発明の目的は、電子ビーム通過孔内壁に
電子線反射膜材の付着のない陰極線管用シャドウマスク
の製法を提供することにある。An object of the present invention is to provide a method for producing a shadow mask for a cathode ray tube in which the electron beam reflecting film material is not attached to the inner wall of the electron beam passage hole.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】電子線反射膜をシャドウ
マスク表面のみ高精度に被覆することができればよい。
該目的を達成する本発明の要旨は下記のとおりである。It suffices if the electron beam reflecting film can be coated with high precision only on the surface of the shadow mask.
The gist of the present invention that achieves the object is as follows.
【００１６】（１） 陰極線管用シャドウマスクの少な
くとも電子銃側の表面に電子線反射膜を形成する方法に
おいて、無機物薄膜からなる電子線反射膜をシャドウマ
スクとなる金属板の表面に形成した後、露光，現像，エ
ッチング手段により電子ビーム通過孔部の電子線反射膜
を除去し、電子ビーム通過孔部を形成することを特徴と
する陰極線管用シャドウマスクの製法。(1) In a method of forming an electron beam reflecting film on at least the surface of an electron gun side of a shadow mask for a cathode ray tube, after forming an electron beam reflecting film made of an inorganic thin film on the surface of a metal plate serving as a shadow mask, A method for producing a shadow mask for a cathode ray tube, characterized in that the electron beam reflection film in the electron beam passage hole portion is removed by exposure, development and etching means to form the electron beam passage hole portion.
【００１７】（２） エッチングレジストと電子線反射
材との混合物被覆を金属板表面に形成する工程、前記混
合物被覆の所定箇所に露光する工程、電子ビーム通過孔
形成部上の前記混合物被覆を現像により除去する工程、
前記混合物被覆の除去による露出箇所の金属板をエッチ
ングして電子ビーム通過孔を形成する工程、前記金属板
上に残された混合物被覆を焼成することにより金属板に
密着させる工程を含む方法により形成する陰極線管用シ
ャドウマスクの製法。(2) A step of forming a mixture coating of an etching resist and an electron beam reflecting material on the surface of the metal plate, a step of exposing the mixture coating to a predetermined portion, and a development of the mixture coating on the electron beam passage hole forming portion. The step of removing by
Formed by a method including a step of etching the metal plate at the exposed portion by removing the mixture coating to form an electron beam passage hole, and a step of firing the mixture coating left on the metal plate to adhere it to the metal plate. Manufacturing method of shadow mask for cathode ray tube.
【００１８】（３） 電子線反射材の被覆を金属板表面
に形成する工程、前記電子線反射膜の上にエッチングレ
ジストの被覆を形成する工程、前記エッチングレジスト
被覆の所定箇所に露光する工程、電子ビーム通過孔形成
部上の前記エッチングレジスト被覆を現像により除去す
る工程、前記エッチングレジスト被覆の除去による露出
箇所の電子線反射膜をエッチング除去し金属板を露出さ
せる工程、前記金属板の露出箇所をエッチングして電子
ビーム通過孔を形成する工程、前記金属板上に残された
電子線反射膜を焼成することにより金属板に密着させる
工程を含む方法により形成する陰極線管用シャドウマス
クの製法。(3) A step of forming a coating of an electron beam reflecting material on the surface of the metal plate, a step of forming a coating of an etching resist on the electron beam reflecting film, and a step of exposing a predetermined portion of the etching resist coating. A step of removing the etching resist coating on the electron beam passage hole forming portion by development, a step of etching away the electron beam reflection film at the exposed portion due to the removal of the etching resist coating to expose a metal plate, an exposed portion of the metal plate A method for producing a shadow mask for a cathode ray tube, the method comprising the steps of: etching an electron beam to form an electron beam passage hole; and baking the electron beam reflection film left on the metal plate to bring it into close contact with the metal plate.
【００１９】[0019]
【作用】本発明の方法により作成されたシャドウマスク
は、電子ビーム通過孔の内壁に電子線反射材の付着等が
全くないので、電子ビームが電子ビーム通過孔内壁で反
射されないため、該シャドウマスクを用いた陰極線管は
表示画像の色ずれ等による精細度の低下を防止できる。In the shadow mask produced by the method of the present invention, since the electron beam reflector is not attached to the inner wall of the electron beam passage hole, the electron beam is not reflected by the inner wall of the electron beam passage hole. In the cathode ray tube using, it is possible to prevent the deterioration of the definition due to the color shift of the display image.
【００２０】[0020]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面により説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２１】図１は本発明に係るシャドウマスクの断面
構造を示す模式断面図である。シャドウマスク１０の一
方の表面にのみ電子線反射膜１１が被覆されており、電
子ビーム通過孔１２の内壁１３には電子線反射膜は付着
していない。照射された電子ビームのうち電子ビーム通
過孔内壁１３に当たる電子ビーム１４はシャドウマスク
に吸収され螢光体１５の塗布面側に乱反射しない。ま
た、該シャドウマスク表面には電子線反射膜１１が完全
に形成されているので前記ドーミング現象も起りにく
い。FIG. 1 is a schematic sectional view showing the sectional structure of a shadow mask according to the present invention. The electron beam reflection film 11 is coated only on one surface of the shadow mask 10, and the electron beam reflection film is not attached to the inner wall 13 of the electron beam passage hole 12. Of the irradiated electron beam, the electron beam 14 that strikes the inner wall 13 of the electron beam passage hole is absorbed by the shadow mask and does not diffusely reflect to the coating surface side of the fluorescent body 15. Further, since the electron beam reflection film 11 is completely formed on the surface of the shadow mask, the doming phenomenon is unlikely to occur.
【００２２】図１に示す構造のシャドウマスクは図２の
工程を経て形成される。The shadow mask having the structure shown in FIG. 1 is formed through the steps shown in FIG.
【００２３】まず、工程２１では、エッチングレジスト
と電子線反射材との混合物を鋼板２１０に塗布，乾燥し
て被膜２１１を形成する。なお、裏面にはエッチングレ
ジスト膜２１２を形成する。次の工程２２では、マスク
２２０を介して前記被膜２１１および２１２の所定の箇
所に感光線２２１を露光する。次の工程２３では現像に
より前記露光部が除去される。工程２４では鋼板の露出
箇所をエッチング液２４１をもってウエットエッチング
法により電子ビーム通過孔を形成し、水洗後仮焼して電
子線反射材の仮焼膜２４０，２４２を鋼板に密着させ
る。次に工程２５で、エッチングレジスト洗浄液２５０
中で前記仮焼膜２４０中のエッチングレジストおよびレ
ジスト膜２４２を除去（該仮焼膜２４２は残しておいて
もよい）する。工程２６で電子線反射材を本焼成するこ
とにより本発明の電子線反射膜２６０を備えたシャドウ
マスクが完成する。First, in step 21, a mixture of an etching resist and an electron beam reflecting material is applied to the steel plate 210 and dried to form a film 211. An etching resist film 212 is formed on the back surface. In the next step 22, the photosensitive line 221 is exposed through the mask 220 to predetermined portions of the coating films 211 and 212. In the next step 23, the exposed portion is removed by development. In step 24, an exposed portion of the steel sheet is formed with an etching solution 241 by a wet etching method to form an electron beam passage hole, washed with water, and then calcined to bring the calcined films 240 and 242 of the electron beam reflector into close contact with the steel sheet. Next, in step 25, the etching resist cleaning liquid 250
The etching resist and the resist film 242 in the calcined film 240 are removed therein (the calcined film 242 may be left). In step 26, the electron beam reflecting material is baked to complete the shadow mask provided with the electron beam reflecting film 260 of the present invention.
【００２４】前記エッチングレジストとしてはポジタイ
プとネガタイプの何れでも用いることができる。前記実
施例においてはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
系、ポリメチルイソプロペニルケトン（ＰＭＩＰＫ）系
のポジタイプを用いた。As the etching resist, either a positive type or a negative type can be used. In the above embodiment, polymethylmethacrylate (PMMA)
A positive type of polymethyl isopropenyl ketone (PMIPK) type was used.
【００２５】塗布方法は一般的な厚膜塗布法、例えば、
浸漬法、吹付け法、電着法等目的に応じて選択すること
ができるが、特に電着法が均一で緻密なエッチングレジ
スト＋電子線反射材の混合膜を形成することができる。
該混合物の電着液の組成の好ましい範囲を表１に示す。The coating method is a general thick film coating method, for example,
The dipping method, the spraying method, the electrodeposition method and the like can be selected according to the purpose, and in particular, the electrodeposition method can form a uniform and dense mixed film of an etching resist and an electron beam reflector.
Table 1 shows the preferable range of the composition of the electrodeposition liquid of the mixture.
【００２６】[0026]
【表１】 [Table 1]
【００２７】前記工程２２において、感光線としてはキ
セノン水銀ランプの遠紫外光を用いることができる。ま
た、現像は通常の有機溶剤（例えばメチルエチルケトン
とイソプロピルアルコールの混合物）を用いて行うこと
ができる。In step 22, far-ultraviolet light of a xenon mercury lamp can be used as the photosensitive line. Further, the development can be performed using a usual organic solvent (for example, a mixture of methyl ethyl ketone and isopropyl alcohol).
【００２８】前記工程２４において、鋼板のエッチング
液としては、濃塩酸：４２ｍｌ，ＦｅＣｌ3：３０ｇ，
エタノール：５００ｍｌおよび水：５００ｍｌからなる
混合液が用いられる。エッチングはこうしたシャドウマ
スクの電子ビーム通過孔形成において一般に行われてい
る２段エッチング法が電子ビーム通過孔特有の鼓型断面
形状の孔を形成する上でも好都合である。In the step 24, the etching solution for the steel sheet is concentrated hydrochloric acid: 42 ml, FeCl 3 : 30 g,
A mixture of 500 ml of ethanol and 500 ml of water is used. The etching is also convenient in forming a hole having a drum-shaped cross-sectional shape peculiar to the electron beam passage hole by a two-step etching method which is generally performed in forming the electron beam passage hole of such a shadow mask.
【００２９】前記電子ビーム通過孔形成に先立ちレジス
ト膜の仮焼条件は１７０℃，数分程度である。また、電
子線反射膜の本焼成条件は４００〜６００℃，１〜５分
である。Prior to the formation of the electron beam passage hole, the resist film is calcined at 170 ° C. for several minutes. The main firing conditions for the electron beam reflective film are 400 to 600 ° C. and 1 to 5 minutes.
【００３０】次に、図３はシャドウマスク＋電子線反射
材の被覆法の一実施例を示す説明図である。Next, FIG. 3 is an explanatory view showing an embodiment of a method of coating a shadow mask + electron beam reflecting material.
【００３１】裏面（陰極線管の螢光面側）にあらかじめ
エッチングレジスト膜２１２を形成したシャドウマスク
用鋼板２１０を正電極、ステンレス板３３を負電極に接
続し、表１に示す電着液３２中に浸漬して両電極間に直
流電源３１を接続し、シャドウマスク用鋼板２１０の表
面（片面あるいは両面）にエッチングレジストと電子線
反射材の混合物の被膜を形成する。A shadow mask steel plate 210 having an etching resist film 212 formed in advance on the back surface (fluorescent surface side of the cathode ray tube) was connected to the positive electrode, and a stainless steel plate 33 was connected to the negative electrode. Then, a DC power source 31 is connected between both electrodes to form a coating film of a mixture of an etching resist and an electron beam reflecting material on the surface (one surface or both surfaces) of the shadow mask steel plate 210.
【００３２】シャドウマスク１枚（３９インチ）の所定
の厚さの被覆を行うための電着条件は１００〜２００
Ｖ、通電時間数秒である。また、本方法では複数のシャ
ドウマスクに同時に被膜を形成することが可能である。
さらにまた、連続的に成膜することも可能である。The electrodeposition condition for coating one shadow mask (39 inches) to a predetermined thickness is 100 to 200.
V, energization time is several seconds. Further, according to this method, it is possible to simultaneously form a film on a plurality of shadow masks.
Furthermore, it is also possible to continuously form a film.
【００３３】電子線反射材としては前記Ｂｉ2Ｏ3の他
に、純重金属であるタングステンやモリブデン等を用い
るとより薄い膜厚で、同等以上の反射効果を得ることが
できる。この場合もＢｉ2Ｏ3を用いた場合と同様のプロ
セスにより電子線反射膜を形成することが可能である。
特に、品質のよい製品を得るために、次に述べる方法に
より電子線反射材を被覆することが望ましい。As the electron beam reflecting material, if pure heavy metal such as tungsten or molybdenum is used in addition to Bi 2 O 3 described above, it is possible to obtain the same or more reflecting effect with a thinner film thickness. In this case as well, the electron beam reflecting film can be formed by the same process as in the case of using Bi 2 O 3 .
In particular, in order to obtain a high quality product, it is desirable to coat the electron beam reflector with the method described below.
【００３４】まず、シャドウマスク用鋼板の片面に、Ｐ
ＶＤ（物理蒸着）、ＣＶＤ（化学蒸着）、スパッタ等の
方法を用いて、タングステンなどの純重金属薄膜を、厚
さ１μｍ以上被覆し、その上にエッチングレジストを塗
布する。該レジスト面に電子ビーム通過孔を形成するた
めのマスクパターンを介して露光し、現像した後、ＣＦ
4ガス，ＳＦ6ガス等を用いて、電子ビーム通過孔形成部
の上の純重金属膜をドライエッチングする。その後、所
望の電子ビーム通過孔をウェットエッチングにより形成
して本発明のシャドウマスクを得ることができる。First, on one surface of the shadow mask steel plate, P
Using a method such as VD (physical vapor deposition), CVD (chemical vapor deposition), and sputtering, a pure heavy metal thin film such as tungsten is coated to a thickness of 1 μm or more, and an etching resist is applied thereon. After exposing through a mask pattern for forming electron beam passage holes on the resist surface and developing, CF
The pure heavy metal film on the electron beam passage hole forming portion is dry-etched using 4 gas, SF 6 gas or the like. Then, a desired electron beam passage hole is formed by wet etching to obtain the shadow mask of the present invention.
【００３５】なお、前記純重金属薄膜のエッチングは、
ＣＦ4ガスを用いる場合、酸素を４〜１０％含むＣＦ4ガ
スの０.１〜１Ｔｏｒｒ雰囲気中において、膜厚で０.２
〜０.５μｍ／分の速度でエッチングすることができ
る。The etching of the pure heavy metal thin film is
When CF 4 gas is used, the film thickness is 0.2 in a CF 4 gas 0.1 to 1 Torr atmosphere containing 4 to 10% oxygen.
It can be etched at a rate of ~ 0.5 μm / min.
【００３６】図４および図５は本発明により形成したシ
ャドウマスクを用いた陰極線管の色ずれを輝度比で示
し、従来例のものと比較した図である。FIG. 4 and FIG. 5 show the color shift of the cathode ray tube using the shadow mask formed according to the present invention in terms of the luminance ratio and are compared with those of the conventional example.
【００３７】色ずれは図４（ａ）に示す色入力信号があ
った位置およびその近傍での表示面輝度Ｂ，Ｂ’を示
す。但し、ｌはにじみ距離である。図５は前記表示面輝
度Ｂ，Ｂ’の輝度比（Ｐ＝Ｂ’／Ｂ）を示すもので、本
発明によれば該輝度比Ｐはゼロであり、色ずれがないこ
とを示している。これに対して従来例によるものにおい
ては、輝度比Ｐは電子ビーム通過孔内壁への反射材付着
量に比例して大きくなる。The color shift indicates the display surface brightness B, B'at the position where the color input signal shown in FIG. However, 1 is a bleeding distance. FIG. 5 shows a luminance ratio (P = B '/ B) of the display surface luminances B and B', and according to the present invention, the luminance ratio P is zero, indicating that there is no color shift. .. On the other hand, in the conventional example, the brightness ratio P increases in proportion to the amount of the reflecting material attached to the inner wall of the electron beam passage hole.
【００３８】[0038]
【発明の効果】本発明のシャドウマスクは、電子線反射
膜が電子ビーム通過孔の内壁に全く被覆（付着）されて
いないので、シャドウマスクに入射した電子ビームが通
過孔内で乱反射しないでシャドウマスクに吸収されるた
め画像の色ずれ等が発生せず、高精細度の陰極線管画像
が得られる。In the shadow mask of the present invention, since the electron beam reflecting film is not coated (attached) to the inner wall of the electron beam passage hole at all, the electron beam incident on the shadow mask is not diffused and reflected in the passage hole. Since the image is absorbed by the mask, a color shift of the image does not occur and a high-definition cathode ray tube image can be obtained.
【図１】シャドウマスクの断面構造を示す模式断面図で
ある。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a sectional structure of a shadow mask.
【図２】本発明のシャドウマスクの作製工程を示す工程
図である。FIG. 2 is a process drawing showing a process for producing a shadow mask of the present invention.
【図３】エッチングレジスト＋電子線反射膜の被覆法の
説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a coating method of an etching resist and an electron beam reflective film.
【図４】陰極線管の色入力信号と表示面輝度との色ずれ
程度を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing a color shift degree between a color input signal of a cathode ray tube and a display surface luminance.
【図５】輝度比Ｐと電子ビーム通過孔内壁への反射材付
着量との関係を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing the relationship between the brightness ratio P and the amount of reflective material attached to the inner wall of the electron beam passage hole.
１０…シャドウマスク、１１，…電子線反射膜、１２…
電子ビーム通過孔、１３…電子ビーム通過孔内壁、１４
…電子ビーム、１５…螢光体塗布面、２１０…鋼板、２
１１…エッチングレジスト＋電子線反射材の膜、２１２
…エッチングレジスト膜、２２０…マスク、２２１…感
光線、２４０，２４２…仮焼膜、２４１…現像液、２５
０…エッチングレジスト洗浄液、２６０…電子線反射
膜、３１…直流電源、３２…電着液、３３…ステンレス
板。10 ... Shadow mask 11, ... Electron beam reflecting film, 12 ...
Electron beam passage hole, 13 ... Electron beam passage hole inner wall, 14
… Electron beam, 15… Fluorescent material coated surface, 210… Steel plate, 2
11 ... Etching resist + electron beam reflecting material film, 212
... Etching resist film, 220 ... Mask, 221 ... Photosensitive line, 240, 242 ... Calcined film, 241 ... Developer, 25
0 ... Etching resist cleaning liquid, 260 ... Electron beam reflecting film, 31 ... DC power supply, 32 ... Electroplating liquid, 33 ... Stainless steel plate.
Claims (5)
子銃側の表面に電子線反射膜を形成する方法において、 無機物薄膜からなる電子線反射膜をシャドウマスクとな
る金属板の表面に形成した後、露光、現像、エッチング
手段により電子ビーム通過孔部の電子線反射膜を除去
し、電子ビーム通過孔部をエッチングにより形成するこ
とを特徴とする陰極線管用シャドウマスクの製法。1. A method of forming an electron beam reflection film on at least an electron gun side surface of a shadow mask for a cathode ray tube, comprising forming an electron beam reflection film made of an inorganic thin film on a surface of a metal plate serving as a shadow mask, and then exposing. A method for producing a shadow mask for a cathode ray tube, characterized in that the electron beam reflection film in the electron beam passage hole portion is removed by means of development and etching, and the electron beam passage hole portion is formed by etching.
子銃側の表面に電子線反射膜を形成する方法において、 エッチングレジストと電子線反射材との混合物被覆を金
属板表面に形成する工程、 前記混合物被覆の所定箇所に露光する工程、 電子ビーム通過孔形成部上の前記混合物被覆を現像によ
り除去する工程、 前記混合物被覆の除去による露出箇所の金属板をエッチ
ングして電子ビーム通過孔を形成する工程、 前記金属板上に残された混合物被覆を焼成することによ
り金属板に密着させる工程、を含む方法により形成する
ことを特徴とする陰極線管用シャドウマスクの製法。2. A method for forming an electron beam reflecting film on at least an electron gun side surface of a shadow mask for a cathode ray tube, comprising the step of forming a mixture coating of an etching resist and an electron beam reflecting material on the surface of a metal plate, said mixture coating. A step of exposing to a predetermined portion of, a step of removing the mixture coating on the electron beam passage hole forming portion by development, a step of etching the metal plate at the exposed portion due to the removal of the mixture coating to form an electron beam passage hole, A method for producing a shadow mask for a cathode ray tube, comprising the step of firing the mixture coating remaining on the metal plate to bring it into close contact with the metal plate.
子銃側の表面に電子線反射膜を形成する方法において、 電子線反射膜を金属板表面に形成する工程、 前記電子線反射膜の上にエッチングレジストの被覆を形
成する工程、 前記エッチングレジスト被覆の所定箇所に露光する工
程、 電子ビーム通過孔形成部表面の前記エッチングレジスト
被覆を現像により除去する工程、 前記エッチングレジスト被覆の除去による露出箇所の電
子線反射膜をエッチング除去し金属板を露出させる工
程、 前記金属板の露出箇所をエッチングして電子ビーム通過
孔を形成する工程、 前記金属板上に残された電子線反射膜を焼成することに
より金属板に密着させる工程、を含む方法により形成す
ることを特徴とする陰極線管用シャドウマスクの製法。3. A method of forming an electron beam reflecting film on at least an electron gun side surface of a shadow mask for a cathode ray tube, the step of forming an electron beam reflecting film on a surface of a metal plate, wherein an etching resist is formed on the electron beam reflecting film. A step of forming a coating, a step of exposing a predetermined portion of the etching resist coating, a step of removing the etching resist coating on the surface of the electron beam passage hole forming portion by development, an electron beam at an exposed portion by removing the etching resist coating A step of etching away the reflection film to expose the metal plate; a step of etching the exposed portion of the metal plate to form an electron beam passage hole; a metal by baking the electron beam reflection film left on the metal plate. A method for producing a shadow mask for a cathode ray tube, which is characterized in that it is formed by a method including a step of closely contacting with a plate.
機物からなることを特徴とする請求項１，２または３に
記載の陰極線管用シャドウマスクの製法。4. The method for producing a shadow mask for a cathode ray tube according to claim 1, wherein the electron beam reflecting film is made of a heavy metal or an inorganic substance containing the heavy metal.
またはＢｉ2Ｏ3からなることを特徴とする請求項１，２
または３に記載の陰極線管用シャドウマスクの製法。5. The electron beam reflecting film is made of tungsten, molybdenum or Bi 2 O 3.
Alternatively, the method for producing the shadow mask for a cathode ray tube as described in 3 above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3233099A JPH0574340A (en) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Manufacture of shadow mask for cathode ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3233099A JPH0574340A (en) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Manufacture of shadow mask for cathode ray tube |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574340A true JPH0574340A (en) | 1993-03-26 |
Family
ID=16949768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3233099A Pending JPH0574340A (en) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Manufacture of shadow mask for cathode ray tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574340A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100337859B1 (en) * | 1994-12-07 | 2002-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Shadow mask and fabricating method thereof |
| KR20180006461A (en) | 2015-11-04 | 2018-01-17 | 코아사 쇼지 가부시키가이샤 | How to make roasted steaming |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP3233099A patent/JPH0574340A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100337859B1 (en) * | 1994-12-07 | 2002-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Shadow mask and fabricating method thereof |
| KR20180006461A (en) | 2015-11-04 | 2018-01-17 | 코아사 쇼지 가부시키가이샤 | How to make roasted steaming |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6027388A (en) | Lithographic structure and method for making field emitters | |
| US4485158A (en) | Method for preparing a mosaic luminescent screen using a mosaic precoating | |
| CN1023524C (en) | Method for manufacturing cover screen of colour display tube | |
| JPH0574340A (en) | Manufacture of shadow mask for cathode ray tube | |
| US5039551A (en) | Method of manufacturing a phosphor screen of a cathode ray tube | |
| US4572880A (en) | Method of manufacturing fluorescent screens | |
| US3778266A (en) | Method of forming a black patterned portion on a phosphor screen of a cathode-ray tube for color television sets | |
| KR100786858B1 (en) | Flat panel display device having reflective layer and manufacturing method of the reflective layer | |
| JPH10199441A (en) | Cathode-ray tube | |
| US4245019A (en) | Method for reducing pattern stripes in slotted mask screens for cathode ray tubes | |
| US6954028B2 (en) | Screen for cathode ray tube and method for manufacturing the same | |
| JP2517007B2 (en) | Color screen phosphor screen | |
| JPH08298073A (en) | Manufacture of color cathode ray tube phosphor screen | |
| JP2000076994A (en) | Manufacture of cathode-ray tube | |
| JPH04274132A (en) | Manufacture of shadow mask | |
| JPS6222358A (en) | Color picture tube | |
| JPS5868835A (en) | Formation of fluorescent screen for cathode-ray tube | |
| JPH05347125A (en) | Method for making fluorescent screen for cathode-ray tube and manufacture of index tube | |
| JPH06103888A (en) | Manufacture of shadow mask for color cathode-ray tube | |
| JPH11191365A (en) | Manufacture of color cathode-ray tube | |
| JPS6042576B2 (en) | Color cathode ray tube fluorescent surface manufacturing method | |
| JPH11204030A (en) | Brightness correcting filter for forming phosphor screen of color cathode-ray tube and exposure device equipped with same | |
| JPH06349404A (en) | Forming method of fluorescent screen in cathode-ray tube | |
| JPS6357903B2 (en) | ||
| JPH01187740A (en) | Shadow mask for color cathode-ray tube and manufacture thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050531 |