JPH0563402A - バイアス供給素子 - Google Patents
バイアス供給素子Info
- Publication number
- JPH0563402A JPH0563402A JP3217699A JP21769991A JPH0563402A JP H0563402 A JPH0563402 A JP H0563402A JP 3217699 A JP3217699 A JP 3217699A JP 21769991 A JP21769991 A JP 21769991A JP H0563402 A JPH0563402 A JP H0563402A
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- Japan
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- high frequency
- bias supply
- cylindrical
- coaxial
- lambda
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- Pending
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
波の低域周波数においても接地特性を向上し、かつ熱放
散を損うことなく実装形状の小型化をはかる。 【構成】高周波トランジスタ等の能動素子を使用するマ
イクロストリップラインで構成された高周波回路の信号
線路の直下に同軸λ/4線路1を接続して、その先に円
筒型λ/4開放スブタ3を接続し、さらに高周波吸収体
5、高周波接地コンデンサ6を備え、外周部2にねじ形
状のケース2を有する。
Description
し、特にマイクロ波能動素子のバイアス回路に使用する
バイアス供給素子に関する。
に外部から電源を供給し、マイクロ波増幅等の動作を行
っているマイクロ波集積回路は、高周波特性に影響を与
えないように電源を供給する必要がある。このような電
源供給回路すなわち、バイアス供給素子は図3に示すよ
うに、バイアス電圧供給側となるバイアス供給端子7、
ケース11にバイアス供給端子7を支持するとともに高
周波接地用の接地コンデンサ6、高周波吸収体5、マイ
クロ波阻止用の円板型λ/4開放パタン8、トランジス
タ接続側の同軸λ/4線路1、固定用の誘電体9,10
から構成される。なおλはマイクロ波の管内波長を示
す。このようなマイクロ波集積回路に用いられる高周波
高出力トランジスタ等の能動素子は、内部に設けられた
信号線とバイアス供給線とを共有する端子を備えてい
る。したがって信号とバイアス供給機能を分離するため
に、信号線路に対して高周波特性が影響しないように外
部に1/4λ伝送線路の特性を利用した高周波に対して
等価的にショートとなるバイアス供給回路がある。マイ
クロ波集積回路の小型化、集積化が進み同一平面上にバ
イアス供給回路を構成する場合や、立体的にマイクロス
トリップラインの主信号線路の直下に同軸λg/4線路
1を接続し、その線路の両端の一方には、主線路と、も
う一方には円板型1/4λg開放パタン8を接続し、そ
の先に高周波吸収体5などの能動素子の寄生発振を止め
る構造を有している。
給素子はマイクロ波動作周波数が低域になるにつれて、
円板型λ/4開放パターンの大きさが波長λに依存する
ために円板の径が大きくなってしまう。したがって実装
形状が大きくなり、特に、マイクロ波高出力トランジス
タの入出信号線路の直下に実装する場合には、面積を大
きく占有されるため、小型化、集積化が困難になる欠点
がある。又、底部より放熱する構造をもつ高出力トラン
ジスタ等は、放熱ケースの面積が小さくなり放熱が悪く
なる欠点がある。
子は高周波用トランジスタ等に接続される同軸型の中心
導体を形成するλ/4(λは1波長)の長さを有する同
軸λ/4線路と、前記同軸λ/4線路の端部からRなる
長さの半径の円板部の端部にλ/4−Rなる長さの円筒
部を形成する円筒型λ/4開放スタブと、前記円筒型λ
/4開放スタブ内部に充てんされた高周波吸収体と、前
記同軸λ/4線路に接続されたバイアス供給端子と、こ
のバイアス供給端子を支持しケースとの間に高周波用接
地となる接地コンデンサとを有する。
る。図1は本発明の一実施例の内部破断面を含む斜視
図、図2は図1の縦断面図である。図1,2の実施例は
信号主線路に接続する同軸λ/4線路1と、他方に円板
のRと円筒側面部の長さをプラスしてλ/4となる円筒
型λ/4開放スタブ3と、その開放スタブの内部に高周
波吸収体5を備えて実装効率を上げている。また、高周
波に対する接地コンデンサ6と、バイアス供給端子7が
備えられている。高周波リークをしゃ断するための外周
部にねじ山を設けたケース2により外部きょう体にねじ
込まれるようになっている。
をもつバイアス供給回路において、特に円筒型λ/4開
放スタブにすることにより、高周波周波数の低域側に関
して半径方向の大きさを変えずに、等価的なショート面
を確保できる。また、高周波回路の信号主線路の直下に
実装する場合に、実装効率及び放熱効率の点で極めて有
利となる効果がある。
である。
Claims (3)
- 【請求項1】 高周波用トランジスタ等に接続される同
軸型の中心導体を形成するλ/4(λは1波長)の長さ
を有する同軸λ/4線路と、前記同軸λ/4線路の端部
からRなる長さの半径の円板部の端部にλ/4−Rなる
長さの円筒部を形成する円筒型λ/4開放スタブと、前
記円筒型λ/4開放スタブ内部に充てんされた高周波吸
収体と、前記同軸λ/4線路に接続されたバイアス供給
端子と、このバイアス供給端子を支持しケースとの間に
高周波用接地となる接地コンデンサとを有することを特
徴とするバイアス供給素子。 - 【請求項2】 前記同軸λ/4線路の外導体の外側がね
じ状となりケースにねじ込まれる形状であることを特徴
とする請求項1記載のバイアス供給素子。 - 【請求項3】 前記円筒型λ/4開放スタブの円筒部の
λ/4−Rの長さの部分が同軸外導体と容量性の間隔を
保持するように狭く形成されており、Rなる半径の円板
部が高周波用トランジスタの真下に配置されていること
を特徴とする請求項1記載のバイアス供給素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3217699A JPH0563402A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | バイアス供給素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3217699A JPH0563402A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | バイアス供給素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0563402A true JPH0563402A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16708343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3217699A Pending JPH0563402A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | バイアス供給素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0563402A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001094301A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | New Japan Radio Co Ltd | マイクロ波集積回路 |
JP2011142394A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | ローパスフィルタ |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3217699A patent/JPH0563402A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001094301A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | New Japan Radio Co Ltd | マイクロ波集積回路 |
JP2011142394A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | ローパスフィルタ |
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