JPH056122B2 - - Google Patents

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JPH056122B2
JPH056122B2 JP16353587A JP16353587A JPH056122B2 JP H056122 B2 JPH056122 B2 JP H056122B2 JP 16353587 A JP16353587 A JP 16353587A JP 16353587 A JP16353587 A JP 16353587A JP H056122 B2 JPH056122 B2 JP H056122B2
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JP
Japan
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sampling
electrode
deflection
observation device
electron beam
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JP16353587A
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Japanese (ja)
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JPS649323A (en
Inventor
Ju Koishi
Yutaka Tsucha
Katsuyuki Kinoshita
Yoshinori Inagaki
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Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
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Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP16353587A priority Critical patent/JPS649323A/en
Publication of JPS649323A publication Critical patent/JPS649323A/en
Publication of JPH056122B2 publication Critical patent/JPH056122B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J11/00Measuring the characteristics of individual optical pulses or of optical pulse trains

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、一定の繰返し周波数をもつ光パルス
の波形を観測する光波形観測装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical waveform observation device for observing the waveform of an optical pulse having a constant repetition frequency.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、一定の繰返し周波数をもつ光パルスの波
形を観測するために、ストリーク管を利用して光
パルスの時間的変化を螢光面上で輝度分布すなわ
ちストリーク像に変換しさらにサンプリングを行
なう型式の光波形観測装置が知られている。
Conventionally, in order to observe the waveform of a light pulse with a constant repetition frequency, a method has been used that uses a streak tube to convert the temporal changes in the light pulse into a brightness distribution, that is, a streak image, on a fluorescent surface, and then performs sampling. Optical waveform observation devices are known.

第10図は米国特許第4645918号に開示されて
いるような従来の光波形観測装置の構成図であ
る。色素レーザ発振器101から繰返し出力され
るパルス光ビームによつてヘマトポルフイリン誘
導体104を繰返し励起し、繰返して励起された
ヘマトポルフイリン誘導体104からの螢光発光
の波形をストリーク管130によつて観測するよ
うになつている。第10図においてストリーク管
130は、螢光の入射する光電面131と、光電
面から放出される電子ビームを加速する加速電極
135と、加速電極135によつて加速された電
子ビームを集束する集束電極136と、有孔電極
137と、集束電極136および有孔電極137
によつて集束され通過した電子ビームを掃引する
ための偏向電極133と、偏向電極133によつ
て掃引された電子ビームを増倍するマイクロチヤ
ンネルプレート132と、マイクロチヤンネルプ
レート132からの電子ビームが入射する螢光面
134とを備えている。
FIG. 10 is a block diagram of a conventional optical waveform observation device as disclosed in US Pat. No. 4,645,918. The hematoporphyrin derivative 104 is repeatedly excited by a pulsed light beam repeatedly output from the dye laser oscillator 101, and the waveform of fluorescence emission from the repeatedly excited hematoporphyrin derivative 104 is observed using the streak tube 130. I'm starting to do that. In FIG. 10, a streak tube 130 includes a photocathode 131 on which fluorescent light is incident, an accelerating electrode 135 that accelerates an electron beam emitted from the photocathode, and a focusing tube that focuses the electron beam accelerated by the accelerating electrode 135. electrode 136, perforated electrode 137, focusing electrode 136 and perforated electrode 137
a deflection electrode 133 for sweeping the electron beam focused and passed by the deflection electrode 133; a microchannel plate 132 for multiplying the electron beam swept by the deflection electrode 133; and the electron beam from the microchannel plate 132 is incident. A fluorescent surface 134 is provided.

色素レーザ発振器101から繰返し出力される
パルス光ビームは、ビームスプリツタ102によ
り分岐され、一方のパルス光ビームはヘマトポル
フイリン誘導体104を繰返し励起し、ヘマトポ
ルフイリン誘導体104からの螢光発光を一定の
繰返し周波数で光学系116を介してストリーク
管130の光電面131に入射させるようになつ
ている。またビームスプリツタ102により分岐
された他方の光ビームは、ストリーク管130の
偏向電極133に印加する所定の偏向電圧用の電
気信号TRを作るために、フオトダイオード10
5に加わるようになつている。フオトダイオード
105では、パルス光ビームを光電変換してこれ
を電気トリガ信号TRとする。フオトダイオード
105からの電気トリガ信号TRは、制御回路1
10からの制御の下で時間掃引回路107により
遅延され偏向トリガ信号となつて、偏向回路10
8に加わるようになつている。偏向回路108で
は、偏向トリガ信号に同期した偏向電圧を発生す
る。
A pulsed light beam repeatedly output from the dye laser oscillator 101 is split by a beam splitter 102, and one of the pulsed light beams repeatedly excites the hematoporphyrin derivative 104 to keep the fluorescence emission from the hematoporphyrin derivative 104 constant. The light is made incident on the photocathode 131 of the streak tube 130 via the optical system 116 at a repetition frequency of . The other light beam split by the beam splitter 102 is sent to a photodiode 10 in order to generate an electric signal TR for a predetermined deflection voltage to be applied to the deflection electrode 133 of the streak tube 130.
It is starting to join the number 5. The photodiode 105 photoelectrically converts the pulsed light beam into an electric trigger signal TR. The electric trigger signal TR from the photodiode 105 is transmitted to the control circuit 1.
The deflection trigger signal is delayed by the time sweep circuit 107 under control from the deflection circuit 10.
It is starting to join the number 8. The deflection circuit 108 generates a deflection voltage synchronized with the deflection trigger signal.

またストリーク管130は、光電面131から
放出された電子ビームを偏向電極133に加わる
偏向電圧で掃引することで光電面131に入射し
た螢光発光の時間的変化を螢光面134上で空間
的の輝度分布に変換しストリーク像として観測し
うるようになつている。第10図の光波形観測装
置では螢光面134上の輝度分布すなわちストリ
ーク像により発光された光をさらにレンズ118
を介してサンプリング板111に入射させ、サン
プリング板111のスリツト109によりサンプ
リングを行ないサンプリング波形として抽出し、
光電子増倍管112によつてサンプリング波形を
光電変換して増倍しさらに増倍器113を介して
表示装置114に出力するようになつている。
In addition, the streak tube 130 sweeps the electron beam emitted from the photocathode 131 with a deflection voltage applied to the deflection electrode 133, thereby measuring temporal changes in the fluorescence emitted incident on the photocathode 131 spatially on the fluorescent surface 134. It is now possible to convert this into a brightness distribution and observe it as a streak image. In the optical waveform observation device shown in FIG.
is input to the sampling plate 111 through the slit 109 of the sampling plate 111 and extracted as a sampling waveform.
The sampling waveform is photoelectrically converted and multiplied by a photomultiplier tube 112, and then outputted to a display device 114 via a multiplier 113.

このような構成の光波形観測装置の動作を第1
1図a乃至eのタイムチヤートを用いて説明す
る。
The operation of the optical waveform observation device with such a configuration is described in the first section.
This will be explained using the time charts shown in Figures 1a to 1e.

色素レーザ発振器101から繰返し出力される
パルス光ビームによつてヘマトポルフイリン誘導
体104からは、第11図aに示すような繰返し
周期の螢光発光すなわち入射光INが出力され、
ストリーク管130の光電面131に入射する。
一方、フオトダイオード105からは、色素レー
ザ発振器101からのパルス光ビームによつて第
11図bに示すような電気トリガ信号TRが出力
される。第11図a,bからわかるように、電気
トリガ信号TRは入射光INと完全に同期したもの
となつている。電気トリガ信号TRはさらに、時
間掃引回路107によつて第11図cに示すよう
な徐々に遅延した偏向トリガ信号になる。第11
図cでは、n回目のサンプリングタイミングにお
ける偏向トリガ信号TR1は電気トリガ信号TR
に対して時間n・tだけ遅延し、(n+1)回目、
(n+2)回目のサンプリングタイミングにおけ
る偏向トリガ信号TR2、TR3は電気トリガ信
号TRに対して時間(n+1)・t、(n+2)・
tだけそれぞれ遅延している。なお、tは偏向ト
リガ信号の単位遅延時間である。これらの偏向ト
リガ信号が偏向回路108に加わると、偏向回路
108は第11図dに示すような偏向電圧Vを発
生する。第11図dからわかるように偏向電圧V
は、光電面131から放出される電子ビームを掃
引しないときには、電位Vnに保持され、偏向ト
リガ信号が加わつたときに電位Vnから電位−Vn
までほぼ一定の傾きで降下し、電子ビームを掃引
するように作られる。このような偏向電圧Vの降
下によつて電子ビームは上方から下方に掃引され
螢光面134上で第11図eに示すように各サン
プリングタイミングでストリーク像FG1,FG
2,FG3として観測される。すなわち入射光IN
の強度の時間的変化を輝度分布として観測するこ
とができる。第11図aと第11図eとを比較す
れば明らかなように、各ストリーク像FG1,FG
2,FG3は、入射光INの波形を反映している
が、各ストリーク像FG1,FG2,FG3は偏向
変圧Vの位相が各サンプリングタイミングごとに
ずれることによつて、互いに位相のずれたものと
なつている。電子ビームを掃引中、偏向電圧Vが
“0”Vの近くでは、電子ビームは偏向されずに
螢光面134の中央部に達し、このとき螢光面1
34の中央部から発光した光ビームがサンプリン
グ電極111のスリツト109を主に通過し、光
電子増倍管112においてサンプリング信号とし
て検出される。すなわち第11図eに示すよう
に、n回目、(n+1)回目、(n+2)回目のサ
ンプリングタイミングではそれぞれサンプリング
信号P1,P2,P3がサンプリング板111の
スリツト109によつて抽出されて光電子増倍管
112で検出される。
Due to the pulsed light beam repeatedly output from the dye laser oscillator 101, the hematoporphyrin derivative 104 outputs fluorescent light emission with a repetitive period as shown in FIG. 11a, that is, incident light IN.
The light is incident on the photocathode 131 of the streak tube 130.
On the other hand, the photodiode 105 outputs an electric trigger signal TR as shown in FIG. 11b by the pulsed light beam from the dye laser oscillator 101. As can be seen from FIGS. 11a and 11b, the electric trigger signal TR is completely synchronized with the incident light IN. The electrical trigger signal TR is further converted into a gradually delayed deflection trigger signal as shown in FIG. 11c by a time sweep circuit 107. 11th
In Figure c, the deflection trigger signal TR1 at the n-th sampling timing is the electrical trigger signal TR
delayed by time n·t, the (n+1)th time,
The deflection trigger signals TR2 and TR3 at the (n+2)th sampling timing are (n+1)·t and (n+2)·t with respect to the electric trigger signal TR.
Each is delayed by t. Note that t is a unit delay time of the deflection trigger signal. When these deflection trigger signals are applied to deflection circuit 108, deflection circuit 108 generates a deflection voltage V as shown in FIG. 11d. As can be seen from FIG. 11d, the deflection voltage V
is held at the potential V n when the electron beam emitted from the photocathode 131 is not swept, and changes from the potential V n to the potential −V n when the deflection trigger signal is applied.
It is designed to descend at a nearly constant inclination up to the point where it sweeps the electron beam. Due to such a drop in the deflection voltage V, the electron beam is swept from above to below, and streak images FG1 and FG are formed on the fluorescent surface 134 at each sampling timing as shown in FIG. 11e.
2, observed as FG3. That is, the incident light IN
The temporal change in intensity can be observed as a luminance distribution. As is clear from the comparison between Figures 11a and 11e, each streak image FG1, FG
2. FG3 reflects the waveform of the incident light IN, but the streak images FG1, FG2, and FG3 are out of phase with each other because the phase of the deflection transformer V shifts at each sampling timing. It's summery. While sweeping the electron beam, when the deflection voltage V is near "0" V, the electron beam is not deflected and reaches the center of the fluorescent surface 134;
A light beam emitted from the center of the sampling electrode 111 mainly passes through the slit 109 of the sampling electrode 111, and is detected by the photomultiplier tube 112 as a sampling signal. That is, as shown in FIG. 11e, at the n-th, (n+1)-th, and (n+2)-th sampling timings, the sampling signals P1, P2, and P3 are extracted by the slit 109 of the sampling plate 111 and photoelectron multiplied. Detected in tube 112.

このように時系列的にサンプリング信号P1,
P2,P3を順次に検出し、これらのサンプリン
グ信号を組合わせることで、繰返し周波数をもつ
入射光INの1つのパルス波形を所定の時間分解
能で観測することができる。
In this way, the sampling signals P1,
By sequentially detecting P2 and P3 and combining these sampling signals, one pulse waveform of the incident light IN having a repetition frequency can be observed with a predetermined time resolution.

なお、第10図には、ストリーク管130の外
部にスリツト109を備えたサンプリング電極1
11を設けたが、第12図に示すストリーク管1
50のように、サンプリング電極151をこのス
トリーク管150の内部にすなわちマイクロチヤ
ンネルプレート132と螢光面134との間に設
けるようにしても良い。第12図では、サンプリ
ング電極151は螢光面134と同じ電位に保持
されている。このようにサンプリング電極を内部
に備えたストリーク管を一般にサンプリングスト
リーク管と称する。サンプリングストリーク管1
50を用いる場合には、電子ビームが螢光面13
4に達する前に、サンプリング波形を抽出するこ
とができるので、掃引中、電子ビームを常に螢光
面134に入射させる第10図の光波形観測装置
の場合に比べて、螢光面134の中央部にだけ必
要な電子ビームを入射させ、極く一部の輝度分布
だけを光電子増倍管112に送ることができて、
螢光面からのバツクグランドノイズの少ないサン
プリング波形を検出することができる。
Note that FIG. 10 shows a sampling electrode 1 having a slit 109 on the outside of the streak tube 130.
11, but the streak tube 1 shown in FIG.
50, a sampling electrode 151 may be provided inside this streak tube 150, that is, between the microchannel plate 132 and the fluorescent surface 134. In FIG. 12, sampling electrode 151 is held at the same potential as fluorescent surface 134. In FIG. A streak tube having a sampling electrode therein is generally referred to as a sampling streak tube. Sampling streak tube 1
50, the electron beam is directed to the fluorescent surface 13.
4, the sampling waveform can be extracted before reaching the center of the fluorescent surface 134, compared to the case of the optical waveform observation device shown in FIG. It is possible to input the necessary electron beam only to a portion of the photoelectron beam, and send only a portion of the luminance distribution to the photomultiplier tube 112.
A sampling waveform with less background noise from the fluorescent surface can be detected.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところで第10図に示すストリーク管130あ
るいは第12図に示すサンプリングストリーク管
150では、加速電極135の円形のメツシユ状
のものを用いているために、加速電極135を通
過する電子ビームにはバツクグランドノイズが含
まれる。すなわち、加速電極135のメツシユの
開口率は通常60%であり、第13図aに示すよう
に光電面131で光電変換されずに突き抜けた入
射光のうち約40%の光は加速電極135のメツシ
ユの非開口部分で散乱され散乱光DFとなつて再
び光電面131に背後から入射して光電子BGを
放出しバツクグランドノイズとなる。第13図b
はストリーク管150においてサンプリング電極
151に到達した電子密度分布ρを示すものであ
る。第13図bからわかるように、メツシユ状の
加速電極135を用いる場合には、電子密度分布
ρには、信号電子による密度分布ρOの他に、散乱
光の光電子による密度分布Peが存在し、この密
度分布ρeがバツクグランドノイズとなつてサンプ
リング波形の観測精度を低下させることになる。
密度分布Peからわかるように、散乱光による光
電子BGは入射光位置をピークとして周辺にゆく
に従つて徐々に減少するが、入射光に近い部分で
はかなりの量となり測定精度を悪化させる。この
結果、例えば系の時間分解能より十分短かい光パ
ルスを測定する場合、測定された光パルスの前後
に散乱光DFによるバツクグランドノイズが発生
し、光パルス波形を正確に測定することができな
い。
By the way, in the streak tube 130 shown in FIG. 10 or the sampling streak tube 150 shown in FIG. Contains noise. That is, the aperture ratio of the mesh of the accelerating electrode 135 is normally 60%, and as shown in FIG. The light is scattered by the non-opening portion of the mesh and becomes scattered light DF, which enters the photocathode 131 from behind again and emits photoelectrons BG, becoming background noise. Figure 13b
represents the electron density distribution ρ that has reached the sampling electrode 151 in the streak tube 150. As can be seen from FIG. 13b, when the mesh-shaped accelerating electrode 135 is used, the electron density distribution ρ includes a density distribution P e due to photoelectrons of scattered light, in addition to a density distribution ρ O due to signal electrons. However, this density distribution ρ e becomes background noise and reduces the observation accuracy of the sampling waveform.
As can be seen from the density distribution P e , the photoelectron BG due to scattered light peaks at the position of the incident light and gradually decreases toward the periphery, but the amount becomes considerable in areas close to the incident light, deteriorating measurement accuracy. As a result, for example, when measuring an optical pulse that is sufficiently shorter than the time resolution of the system, background noise due to scattered light DF occurs before and after the measured optical pulse, making it impossible to accurately measure the optical pulse waveform.

またこのようなバツクグランドノイズすなわち
密度分布ρeは大きな広がりがもつているので、電
子ビームを掃引しない期間すなわち待機時間にお
いて光電面131に入射光が入射したような場合
にもサンプリングされる確率が多くサンプリング
波形の観測精度を低下させるので取除かれるのが
望ましい。このために従来の光波形観測装置で
は、偏向回路108から出力される偏向電圧Vを
大振幅かつ高いスルーレート(電圧/時間)のも
のに設定していた。すなわち、偏向電圧Vを大振
幅かつ高いスルーレートのものに設定することに
より、電子ビームを掃引中、散乱光による光電子
がサンプリングされる確率を低下させることがで
きる。また偏向電極Vを大振幅にすることで電子
ビームを掃引しない時間の偏向電圧Vの電圧Vn
は大きなものとなり、たとえばこの期間に光電面
131に入射光が入射したとしても、この入射光
による信号電子は偏向電極133により大きく偏
向されて、第10図に示すストリーク管130の
螢光面134の中央部からかなり離れた位置に入
射し、これに伴ない散乱光の光電子もその大部分
は螢光面134の中央部から離れた位置に入射す
るので、散乱光による光電子の密度分布ρeが大き
くなつ広がりをもつていても螢光面134の中央
部に入射する確率は少なくなり、サンプリング波
形への影響を防止することができる。また第12
図に示すサンプリングストリーク管150におい
ても、偏向電位Vnを大きくすることで、掃引し
ない期間中の電子ビームはサンプリング電極15
1にそのスリツトからかなり離れた位置に入射す
るので、同様にして、散乱光の光電子によるサン
プリング波形への影響を防止することができる。
偏向電圧Vの電位Vn,−Vnは、具体的には、+
1KV、−1KV程度である。
Furthermore, since such background noise, that is, the density distribution ρ e , has a large spread, the probability of being sampled is low even when incident light is incident on the photocathode 131 during the period when the electron beam is not swept, that is, during the standby time. It is desirable to remove this because it reduces the observation accuracy of the sampled waveform. For this reason, in the conventional optical waveform observation device, the deflection voltage V output from the deflection circuit 108 is set to have a large amplitude and a high slew rate (voltage/time). That is, by setting the deflection voltage V to have a large amplitude and a high slew rate, it is possible to reduce the probability that photoelectrons due to scattered light will be sampled during sweeping of the electron beam. In addition, by increasing the amplitude of the deflection electrode V, the voltage V n of the deflection voltage V during the time when the electron beam is not swept is
For example, even if incident light is incident on the photocathode 131 during this period, the signal electrons due to this incident light will be largely deflected by the deflection electrode 133 and will be reflected on the fluorescent surface 134 of the streak tube 130 shown in FIG. Since most of the photoelectrons of the scattered light are also incident at a position far from the center of the fluorescent surface 134, the density distribution of photoelectrons due to the scattered light ρ e Even if the light becomes large and spread out, the probability of the light entering the center of the fluorescent surface 134 decreases, and it is possible to prevent the influence on the sampling waveform. Also the 12th
Also in the sampling streak tube 150 shown in the figure, by increasing the deflection potential V n , the electron beam during the non-sweeping period is
1, since the light is incident at a position quite far away from the slit, it is possible to similarly prevent the influence of scattered light photoelectrons on the sampling waveform.
Specifically, the potentials V n and −V n of the deflection voltage V are +
It is about 1KV, -1KV.

一方、サンプリングにより入射光の波形を観測
しようとする光波形観測装置では、入射光によつ
て光電面131から放出される電子ビームが偏向
によつてサンプリング電極151のスリツトを横
切る速度すなわち掃引速度vtと電子ビームの太さ
uおよびサンプリング電極151のスリツト幅w
がアパーチヤ時間すなわちサンプリング波形の抽
出される時間Δtを決定し、このアパーチヤ時間
Δtが時間分解能に相当する。アパーチヤ時間Δt
は、 Δt=√(22)/vt ……(1) として表わされ、また掃引速度vtは、サンプリン
グストリーク管150の偏向感度をS(cm/V)、
偏向電圧のスルーレートをT(V/秒)とすれば、 vt=S×T ……(2) として表わされる。
On the other hand, in an optical waveform observation device that attempts to observe the waveform of incident light by sampling, the electron beam emitted from the photocathode 131 by the incident light crosses the slit of the sampling electrode 151 due to deflection at a speed v t , the thickness of the electron beam u, and the slit width of the sampling electrode 151 w
determines the aperture time, that is, the time Δt at which the sampling waveform is extracted, and this aperture time Δt corresponds to the time resolution. Aperture time Δt
is expressed as Δt=√( 2 + 2 )/ vt ...(1), and the sweep speed vt is the deflection sensitivity of the sampling streak tube 150 as S (cm/V),
If the slew rate of the deflection voltage is T (V/sec), it is expressed as v t =S×T (2).

従つて(1)式と(2)式とからアパーチヤ時間Δtは、
偏向感度Sおよび偏向電圧のスルーレートTを大
きくすれば短かくなり、時間分解能を向上させる
ことのできることがわかる。
Therefore, from equations (1) and (2), the aperture time Δt is
It can be seen that by increasing the deflection sensitivity S and the slew rate T of the deflection voltage, the time can be shortened and the time resolution can be improved.

しかしながら、従来の光波形観測装置では対を
なす偏向電極133の間隔を小さくして偏向感度
Sを向上させようとすると、偏向電圧Vを大振幅
のものにしたことによつて掃引を行なわない期間
の大きく偏向した電子ビームが偏向電極133に
衝突し反射されて螢光面134の中央部に入射す
るという事態が生ずる。従つて従来の光波形観測
装置では、偏向電極133の間隔を差程小さくす
ることができず、偏向感度Sを著しく向上させる
には限度があり、例えば数ピコ秒程度の時間分解
能を得ることができず、さらには偏向の繰返し周
波数を上げることができないという問題があつ
た。
However, in the conventional optical waveform observation device, when trying to improve the deflection sensitivity S by reducing the distance between the pair of deflection electrodes 133, the deflection voltage V is made to have a large amplitude, resulting in a period during which no sweeping is performed. A situation occurs in which the largely deflected electron beam collides with the deflection electrode 133, is reflected, and enters the center of the fluorescent surface 134. Therefore, in the conventional optical waveform observation device, it is not possible to make the interval between the deflection electrodes 133 significantly smaller, and there is a limit to the ability to significantly improve the deflection sensitivity S. For example, it is not possible to obtain a time resolution of several picoseconds. Furthermore, there was a problem in that it was not possible to increase the repetition frequency of deflection.

本発明は、バツクグランドノイズのサンプリン
グ波形への影響を阻止することができるとともに
偏向感度を著しく向上させかつ高速繰返し偏向を
実現させることの可能な光波形観測装置を提供す
ることを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an optical waveform observation device that can prevent the influence of background noise on a sampling waveform, significantly improve deflection sensitivity, and realize high-speed repetitive deflection.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、一定の繰返し周波数をもつ入射光の
波形をサンプリングストリーク管により観測する
型式の光波形観測装置を改良するものである。
The present invention improves a type of optical waveform observation device that uses a sampling streak tube to observe the waveform of incident light having a constant repetition frequency.

第1の発明は、サンプリングストリーク管が、
入射光の入射する光電面と、光電面から放出され
た電子ビームを加速する加速電極と、加速電極を
通過した電子ビームを所定方向に掃引する偏向電
極と、偏向電極によつて偏向された電子ビームに
対しサンプリングを行なうサンプリング手段と、
サンプリング手段によつてサンプリングされた電
子ビームを検出する電子検出手段とを備え、前記
加速電極は開口を備えた板状のものであることを
特徴とするものである。
The first invention is that the sampling streak tube is
A photocathode on which incident light enters, an accelerating electrode that accelerates the electron beam emitted from the photocathode, a deflection electrode that sweeps the electron beam that has passed through the accelerating electrode in a predetermined direction, and electrons deflected by the deflection electrode. a sampling means for sampling the beam;
and electron detection means for detecting the electron beam sampled by the sampling means, and the accelerating electrode is plate-shaped with an opening.

第2の発明はさらに、偏向電極の掃引方向と垂
直方向に偏向電極を通過した電子ビームを偏向さ
せるブランキング偏向電極を設けたことを特許と
するものである。
The second invention is further patented in that a blanking deflection electrode is provided for deflecting the electron beam passing through the deflection electrode in a direction perpendicular to the sweeping direction of the deflection electrode.

〔作用〕 本発明では、一定の繰返し周波数をもつ入射光
をサンプリングストリーク管の光電面に入射させ
て電子ビームを放出させ、光電面からの電子ビー
ムを加速電極により加速し、さらに偏向電極で所
定方向に掃引し、掃引された電子ビームをサンプ
リング手段でサンプリングして電子検出手段で検
出することにより、入射光の波形を観測する。と
ころで、加速電極にメツシユ状電極を用いる場合
には、加速電極からの散乱光による光電子が所定
の広がりをもつバツクグランドノイズとなつて信
号電子に混入する。このために従来では、偏向電
極に加わる偏向電圧を大振幅のものにして掃引を
行なわない期間中に入射する入射光によるバツク
グランドノイズがサンプリング手段によつてサン
プリングされないようにしていた。しかしながら
偏向電圧を大振幅にすることにより、偏向電極間
の間隔を狭めることはできず偏向感度を向上させ
るには限界がありまた偏向の繰返し周波数を高く
することができなかつた。これに対して本発明で
は、加速電極を開口を備えた板状のものにしてい
るので、加速電極からの散乱光による光電子は加
速電極の非開口部分で遮蔽され、バツクグランド
ノイズとなつて信号電子に混入する確率は著しく
減少する。これにより偏向電極に加わる偏向電圧
を小振幅のものにしても掃引を行なわない期間中
に入射する入射光によるバツクグランドノイズは
極めて少ないのでサンプリング手段によつてバツ
クグランドノイズをサンプリングする確率は低減
する。従つて偏向電極に加わる偏向電圧を小振幅
のものにすることができて、これに付随して偏向
電極の間隔を小さくできて偏向感度を向上させる
と同時に偏向の繰返し周波数を高くすることがで
きる。
[Operation] In the present invention, incident light with a constant repetition frequency is made incident on the photocathode of the sampling streak tube to emit an electron beam, the electron beam from the photocathode is accelerated by an accelerating electrode, and then the electron beam is accelerated at a predetermined rate by a deflection electrode. The waveform of the incident light is observed by sweeping the electron beam in the direction, sampling the swept electron beam with a sampling means, and detecting it with an electron detection means. By the way, when a mesh-like electrode is used as the accelerating electrode, photoelectrons due to scattered light from the accelerating electrode become background noise with a predetermined spread and mix with the signal electrons. For this reason, conventionally, the deflection voltage applied to the deflection electrode has a large amplitude to prevent the sampling means from sampling background noise caused by incident light during a period when no sweeping is performed. However, by increasing the amplitude of the deflection voltage, the distance between the deflection electrodes cannot be narrowed, and there is a limit to improving the deflection sensitivity, and the repetition frequency of deflection cannot be increased. On the other hand, in the present invention, since the accelerating electrode is formed into a plate shape with an opening, the photoelectrons due to scattered light from the accelerating electrode are blocked by the non-opening part of the accelerating electrode, and become background noise and signal. The probability of contamination with electrons is significantly reduced. As a result, even if the deflection voltage applied to the deflection electrode is made to have a small amplitude, the background noise due to the incident light that enters during the period when no sweeping is performed is extremely small, so the probability of sampling background noise by the sampling means is reduced. . Therefore, the deflection voltage applied to the deflection electrodes can be made to have a small amplitude, and accordingly, the spacing between the deflection electrodes can be made small, thereby improving the deflection sensitivity and at the same time increasing the repetition frequency of deflection. .

さらに本発明では、偏向電極の後段に設けられ
たブランキング偏向電極により偏向電極の掃引方
向と垂直方向に偏向電極を通過した電子ビームを
偏向させるようにしている。例えばブランキング
偏向電極に偏向電極に加わる偏向電圧と同期した
ブランキング偏向電圧を偏向電極の帰線期間中加
えるようにする。これにより偏向電極による電子
ビームの掃引期間中は、電子ビームはサンプリン
グ手段によつてサンプリングされるが帰線期間中
は、電子ビームはブランキング偏向電圧によつて
偏向電極の掃引方向とは垂直方向に偏向されるの
でサンプリング手段によりサンプリングされない
ようにすることができる。
Further, in the present invention, the blanking deflection electrode provided after the deflection electrode deflects the electron beam that has passed through the deflection electrode in a direction perpendicular to the sweep direction of the deflection electrode. For example, a blanking deflection voltage synchronized with the deflection voltage applied to the deflection electrode is applied to the blanking deflection electrode during the retrace period of the deflection electrode. As a result, during the sweep period of the electron beam by the deflection electrode, the electron beam is sampled by the sampling means, but during the retrace period, the electron beam is moved in a direction perpendicular to the sweep direction of the deflection electrode by the blanking deflection voltage. Since it is deflected to the side, it can be prevented from being sampled by the sampling means.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.

第1図は本発明に係る光波形観測装置の第1の
実施例の構成図である。第1図において第10図
と同様の箇所には同じ符号を付して説明を省略す
る。第1の実施例の光波形観測装置では、従来の
ストリーク管130あるいはサンプリングストリ
ーク管150と異なり、加速電極2がメツシユ状
のものではなく、ほぼ中央に所定の大きさの開口
3を備えた板状のものとなつているサンプリング
ストリーク管1が用いられている。加速電極2の
開口3は、30μm×3mm程度の大きさのものであ
る。なお開口3にメツシユを設けるようにしても
良いし、メツシユを設けずとも良い。またサンプ
リング電極4は、第12図に示す従来のサンプリ
ングストリーク管150のサンプリング電極15
1と同様にスリツト5を有しているが、サンプリ
ング電極4は螢光面134と必ずしも同電位にな
るようには接続されていない。すなわちサンプリ
ング電極4と螢光面134との間に、所望により
高電圧を加えスリツト5を通過した電子を後段加
速して螢光面134に入射させることもできるよ
うになつている。
FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of an optical waveform observation device according to the present invention. In FIG. 1, parts similar to those in FIG. 10 are designated by the same reference numerals, and explanations thereof will be omitted. In the optical waveform observation device of the first embodiment, unlike the conventional streak tube 130 or sampling streak tube 150, the accelerating electrode 2 is not mesh-shaped but is a plate with an opening 3 of a predetermined size approximately in the center. A sampling streak tube 1 having a shape of a shape is used. The opening 3 of the accelerating electrode 2 has a size of about 30 μm×3 mm. Note that the opening 3 may be provided with a mesh, or may not be provided with a mesh. Further, the sampling electrode 4 is a sampling electrode 15 of a conventional sampling streak tube 150 shown in FIG.
Although it has a slit 5 like 1, the sampling electrode 4 is not necessarily connected to the fluorescent surface 134 so as to have the same potential. That is, if desired, a high voltage is applied between the sampling electrode 4 and the fluorescent surface 134 so that the electrons passing through the slit 5 can be accelerated at a later stage and made to enter the fluorescent surface 134.

このようなサンプリングストリーク管1の光電
面131への入射光は、波形の観測されるべき繰
返し周波数の光パルスであつて、パルス光源10
によつて出力され、ビームスプリツタ102、光
学遅延手段11、入力光学系12を介して入射す
るようになつている。
The light incident on the photocathode 131 of the sampling streak tube 1 is a light pulse having a repetition frequency whose waveform is to be observed.
The beam is outputted by a beam splitter 102, an optical delay means 11, and an input optical system 12.

ビームスプリツタ102は前述したと同様にし
て、パルス光源10から出力される入射光の一部
を分岐し、フオトダイオード105に入射させる
ようになつている。入射光の一部はフオトダイオ
ード105で光電変換され電気トリガ信号TRと
なりこの電気トリガ信号TRは、前述のように、
時間掃引回路107で徐々に遅延され偏向トリガ
信号に変換され偏向回路13に加わるようになつ
ている。
The beam splitter 102 splits a part of the incident light output from the pulsed light source 10 and makes it enter the photodiode 105 in the same manner as described above. A part of the incident light is photoelectrically converted by the photodiode 105 and becomes an electric trigger signal TR.As mentioned above, this electric trigger signal TR is
The signal is gradually delayed by the time sweep circuit 107, converted into a deflection trigger signal, and applied to the deflection circuit 13.

なお、電気トリガ信号TRをフオトダイオード
105で光電変換して作成するかわりに、スイツ
チ14を切換えてパルス光源10の駆動信号を電
気トリガ信号TRとして用いても良い。
Note that instead of generating the electric trigger signal TR by photoelectric conversion using the photodiode 105, the switch 14 may be switched to use the drive signal of the pulsed light source 10 as the electric trigger signal TR.

このような構成の光波形観測装置は、従来の光
波形観測装置と同様に第11図a乃至eのタイム
チヤートに従つて動作する。しかしながら、第1
の実施例の光波形観測装置では、サンプリングス
トリーク管の加速電極2を板状のものとし、その
ほぼ中央だけに開口3を有するようにしているの
で、第2図aに示すように、散乱光DFによる光
電子BGは、加速電極2の非開口部で阻止され、
偏向電極133、サンプリング電極4に向かわな
いようにすることができる。これにより、サンプ
リング電極4に到達した電子ビームの電子密度
ρ′は第2図bのようになる。第2図bを第13図
bと比較すれば明らかなように、電子密度ρ′の散
乱光の光電子による密度分布ρe′は非常に僅かで
広がりも小さなものとなり、加速電極2に板状の
ものを用いることにより加速電極2での散乱光に
よる光電子の影響を有効に阻止し、バツクグラン
ドノイズを低減させることができる。
The optical waveform observation device having such a configuration operates in accordance with the time charts shown in FIGS. 11a to 11e, like the conventional optical waveform observation device. However, the first
In the optical waveform observation device of the embodiment, the accelerating electrode 2 of the sampling streak tube is plate-shaped and has an aperture 3 only at approximately the center thereof, so that the scattered light is The photoelectron BG due to DF is blocked by the non-opening part of the accelerating electrode 2,
The deflection electrode 133 and the sampling electrode 4 can be prevented from being directed to each other. As a result, the electron density ρ' of the electron beam reaching the sampling electrode 4 becomes as shown in FIG. 2b. As is clear from comparing FIG. 2b with FIG. By using this, it is possible to effectively block the influence of photoelectrons due to scattered light on the accelerating electrode 2 and reduce background noise.

従つて、サンプリングストリーク管1では、板
状の加速電極2を用いていることから偏向電極1
33に加わる偏向電圧の振幅を差程大きくする必
要がなく、第11図dのタイムチヤートにおいて
偏向電圧Vの電位Vn1−Vnを、従来の光波形観
測装置に比べてかなり小さくすることができて、
例えばそれぞれ+32.5V、−32.5V程度にすること
ができる。すなわち偏向電圧Vをこのように小さ
くして掃引を行なわない期間中の電子ビームが従
来の装置に比べてサンプリング電極4のスリツト
5から差程離れていない位置に入射するよう設定
したとしても、散乱光による光電子はサンプリン
グ電極14にほとんど到達せず、また到達したと
しても散乱光の光電子の密度分布ρe′の広がりは
小さいので(加速電極をメツシユ状にしたときに
は散乱光の光電子の到達率は正規の信号電子の到
達率に対して10-3程度であるのに対して、本実施
例の加速電極2では散乱光の光電子の到達率は正
規の信号電子の到達率に対して10-6程度とほとん
ど到達しなくなる)、スリツト5から散乱光の光
電子が通過する確率は信号電子が通過する確率に
比べて10-3程度から10-6程度と103のオーダで低
減し、サンプリング波形をバツクグランドノイズ
に影響されずに精度良く観測することができる。
また偏向電圧Vの振幅を小さくすることができ
る。また電子ビームを掃引中の偏向電圧波形の傾
きのリニアリテイが確保されなくなつても、サン
プリング電極4のスリツト5に電子ビームを通過
させる際のすなわちサンプリングする際の偏向電
圧波形が各繰返し周期ごとに同じであれば、抽出
されるサンプリング波形の観測精度には何らの影
響をも与えない。
Therefore, since the sampling streak tube 1 uses the plate-shaped acceleration electrode 2, the deflection electrode 1
There is no need to increase the amplitude of the deflection voltage applied to the optical waveform observation device 33, and the potential V n 1−V n of the deflection voltage V in the time chart of FIG. is completed,
For example, they can be set to about +32.5V and -32.5V, respectively. In other words, even if the deflection voltage V is reduced in this way and the electron beam is set to be incident at a position not far from the slit 5 of the sampling electrode 4 during the period when no sweeping is performed, compared to the conventional device, the scattering will occur. Almost no photoelectrons due to light reach the sampling electrode 14, and even if they do, the spread of the density distribution ρ e ' of photoelectrons of scattered light is small (when the accelerating electrode is shaped like a mesh, the arrival rate of photoelectrons of scattered light is While the arrival rate of regular signal electrons is about 10 -3 , in the accelerating electrode 2 of this embodiment, the arrival rate of photoelectrons of scattered light is about 10 -6 compared to the arrival rate of regular signal electrons. The probability that the photoelectrons of the scattered light pass through the slit 5 is reduced by the order of 10 -3 from about 10 -3 to about 10 -6 , compared to the probability that the signal electrons pass, and the sampling waveform Accurate observation is possible without being affected by background noise.
Furthermore, the amplitude of the deflection voltage V can be made small. Furthermore, even if the linearity of the slope of the deflection voltage waveform during sweeping of the electron beam is no longer ensured, the deflection voltage waveform when passing the electron beam through the slit 5 of the sampling electrode 4, that is, when sampling, will change at each repetition period. If they are the same, the observation accuracy of the sampled waveform to be extracted will not be affected in any way.

このようにして第1の実施例の光波形観測装置
では、サンプリングストリーク管1の偏向電極1
33に加わる偏向電圧の振幅を小さくすることが
できるので、対をなす偏向電極133の間隔をか
なり小さくしても掃引しない期間中偏向された電
子ビームが偏向電極133に衝突するような事態
を生せず、偏向感度を従来のものに比べて2倍程
度向上させることができる。これにより、時間分
解能を向上させることができて、電位Vnが65V
程度の振幅で数ピコ秒程度の時間分解能を得るこ
とができる。なお従来の装置ではこの程度の時間
分解能を得るのに数100V乃至数1000V以上の電
圧を必要としていた。また偏向電圧の振幅を小さ
くすることができることにより、偏向回路13に
おいて4MHZ程度の高速繰返し周波数の偏向電圧
を発生することができる。すなわち従来の光波形
観測装置の偏向回路108では、大振幅の偏向電
圧を発生させねばならなかつたので、アバランシ
エトランジスタや三極管などの素子を用いてい
た。しかしながらこのような素子を用いた偏向回
路108では、最大でも1KHZ程度の繰返し周波
数の遅い偏向電圧しか発生することができなかつ
たので、モード同期色素レーザや半導体レーザの
発生する例えば100MHZ程度の高速繰返し光現象
を効率良く捕えることができない。このような繰
返し周波数が遅いという欠点を補うため、偏向回
路108においてLC共振回路により100MHZ
度の高速高圧の正強波偏向電圧を作るようにする
と、確かに高速繰返し光現象に同期した高速繰返
し偏向による効率の良い測定が可能となるが、
LC共振回路を用いるために光現象の繰返し周波
数が固定されてしまい測定が限定される。また、
観測する光現象の繰返し周波数、位相が測定中に
変動すると測定精度が著しく悪化するという欠点
があつた。このように従来の光波形観測装置で
は、偏向電圧を大振幅のものにしなければならな
かつたので、高い繰返し周波数の偏向電圧を都合
良く発生させることができなかつたが、このよう
な高い繰返し周波数の偏向電圧はサンプリング方
式であるための信号の利用効率の低下を補ない高
速サンプリングを行なう上で、特に必要なものと
なる。
In this way, in the optical waveform observation device of the first embodiment, the deflection electrode 1 of the sampling streak tube 1
Since the amplitude of the deflection voltage applied to the deflection electrodes 133 can be made small, even if the distance between the pair of deflection electrodes 133 is considerably reduced, a situation in which the deflected electron beam collides with the deflection electrodes 133 during the non-sweep period can be prevented. However, the deflection sensitivity can be improved by about twice that of the conventional one. This improves the time resolution and reduces the potential V n to 65V.
It is possible to obtain a time resolution of several picoseconds with a certain amplitude. Note that conventional devices require a voltage of several 100V to several 1000V or more to obtain this level of time resolution. Furthermore, since the amplitude of the deflection voltage can be made small, the deflection circuit 13 can generate a deflection voltage with a high repetition frequency of about 4MHz . That is, in the deflection circuit 108 of the conventional optical waveform observation device, an element such as an avalanche transistor or a triode was used because it was necessary to generate a large amplitude deflection voltage. However, the deflection circuit 108 using such an element was only able to generate a deflection voltage with a slow repetition frequency of about 1 KH Z at most, so it was difficult to generate a deflection voltage of about 100 MHz , which is generated by a mode-locked dye laser or a semiconductor laser. It is not possible to efficiently capture high-speed repetitive optical phenomena. In order to compensate for this drawback of slow repetition frequency, if a high-speed, high-voltage, positive and strong wave deflection voltage of about 100 MHZ is generated by an LC resonant circuit in the deflection circuit 108, it is possible to achieve high-speed repetition synchronized with the high-speed repetition optical phenomenon. Deflection enables efficient measurement, but
Since the LC resonant circuit is used, the repetition frequency of the optical phenomenon is fixed, which limits measurement. Also,
A drawback is that measurement accuracy deteriorates significantly if the repetition frequency or phase of the optical phenomenon to be observed changes during measurement. In this way, with conventional optical waveform observation devices, the deflection voltage had to have a large amplitude, so it was not possible to conveniently generate a deflection voltage with a high repetition frequency. This deflection voltage is especially necessary to perform high-speed sampling to compensate for the reduction in signal utilization efficiency due to the sampling method.

第1の実施例では、偏向電圧の振幅が小さいも
のでもよいので、偏向回路13のスイツチング素
子あるいは駆動素子は耐電圧が比較的低いもので
良く、このため偏向回路13を高周波用トランジ
スタやステツプリカバリーダイオードなどで構成
することにより、例えば4MHZ程度の高速繰返し
偏向を容易に実現することができる。なお4MHZ
という繰返し周波数はLC共振回路によつて達成
される100MHZ程度の繰返し周波数と比較すれば
低いが測定する周波数が固定されないという点で
汎用の測定器としての利点が多いにある。
In the first embodiment, since the amplitude of the deflection voltage may be small, the switching element or driving element of the deflection circuit 13 may have a relatively low withstand voltage. By configuring it with a diode or the like, high-speed repetitive deflection of, for example, about 4MH Z can be easily achieved. Furthermore, 4MH Z
Although this repetition frequency is lower than the repetition frequency of about 100MHz achieved by an LC resonant circuit, it has many advantages as a general-purpose measuring instrument in that the frequency to be measured is not fixed.

具体例を示すと、サンプリング電極4のスリツ
ト5のスリツト幅wを60μm、電子ビームの太さ
uを80μmとすると、10ピコ秒のアパーチヤ時間
Δtを与えるために掃引速度vtは(1)式に従つて、10
mm/ナノ秒程度でなければならない。またサンプ
リングストリーク管1の偏向感度Sを0.1mm/V
となるようにすると、10ピコ秒のアパーチヤ時間
Δtを得るのに必要な偏向電圧のスルーレートT
は(2)式に従つて100V/ナノ秒となり、このよう
なスルーレートTは、高周波用トランジスタやス
テツプリカバリーダイオードなどで構成された偏
向回路で十分達成できる値である。
To give a specific example, if the slit width w of the slit 5 of the sampling electrode 4 is 60 μm, and the thickness u of the electron beam is 80 μm, the sweep speed v t is calculated by equation (1) in order to give an aperture time Δt of 10 picoseconds. According to 10
It must be on the order of mm/nanosecond. In addition, the deflection sensitivity S of sampling streak tube 1 was set to 0.1 mm/V.
Then, the deflection voltage slew rate T required to obtain an aperture time Δt of 10 picoseconds is
is 100 V/nanosecond according to equation (2), and such a slew rate T is a value that can be sufficiently achieved by a deflection circuit composed of high-frequency transistors, step recovery diodes, and the like.

このようにして第1の実施例によれば、加速電
極2を開口3を備えた板状のものにすることによ
り、偏向電圧の振幅を小さなものにすることがで
きるので、偏向電極133の間隔を狭めて偏向感
度Sを2倍程度向上させることができると同時
に、4MHZ程度の高速繰返し偏向を実現するこが
できる。
In this manner, according to the first embodiment, by making the accelerating electrode 2 plate-shaped with the opening 3, the amplitude of the deflection voltage can be made small. By narrowing the angle, the deflection sensitivity S can be improved by about twice as much, and at the same time, high-speed repetitive deflection of about 4MH Z can be realized.

また第1の実施例では、偏向回路13において
掃引中の偏向電圧波形の傾きを変えることによ
り、種々のアパーチヤ時間Δtを得ることができ
る。本実施例のようなサンプリング方式では、ア
パーチヤ時間Δtを短かくすると高時間分解能が
得られるが、サンプリング波形を抽出する時間は
それだけ短くなり、サンプリング波形の取得効率
が低下する。従つて遅い光現象を測定する場合に
は差程高い時間分解能を必要としないので、掃引
中の偏向電圧波形の傾きを緩くし、これによりア
パーチヤ時間Δtを長くしてサンプリング波形の
取得効率を上げ、より微弱な光現象を良好なS/
N比で観測することができる。このような偏向電
圧波形の傾きを変える手段は、ミラー積分回路で
実現することができる。
Further, in the first embodiment, various aperture times Δt can be obtained by changing the slope of the deflection voltage waveform being swept in the deflection circuit 13. In the sampling method of this embodiment, high temporal resolution can be obtained by shortening the aperture time Δt, but the time for extracting the sampling waveform becomes correspondingly shorter, and the efficiency of acquiring the sampling waveform decreases. Therefore, when measuring slow light phenomena, a significantly higher time resolution is not required, so the slope of the deflection voltage waveform during sweeping is made gentler, thereby increasing the aperture time Δt and increasing the sampling waveform acquisition efficiency. , with good S/
It can be observed by N ratio. Such means for changing the slope of the deflection voltage waveform can be realized by a Miller integration circuit.

第3図は本発明に係る光波形観測装置の第2の
実施例の部分構成図である。
FIG. 3 is a partial configuration diagram of a second embodiment of the optical waveform observation device according to the present invention.

第3図の光波形観測装置のサンプリングストリ
ーク管20には、第1図に示すサンプリングスト
リーク管1と同様に開口3を備えた板状の加速電
極2が用いられているが、さらに偏向電極133
とサンプリング電極4との間にブランキング電極
21が設けられている。このブランキング電極2
1は、第4図に詳細に示すように、偏向電極13
3による掃引期間中電子ビームをサンプリング電
極4上でR1からR2まで掃引した後、偏向電極
133による帰線期間中電子ビームがサンプリン
グ電極4のスリツト5を通過しないよう、電子ビ
ームを偏向電極133の掃引方向と垂直な方向に
偏向させるためのものである。すなわちブランキ
ング偏向電極21に加わるブランキング偏向電圧
によつて偏向電極133による帰線期間中、電子
ビームはサンプリング電極4上でR3からR4ま
での軌跡をたどりスリツト5を通過しないように
することができる。
The sampling streak tube 20 of the optical waveform observation device shown in FIG.
A blanking electrode 21 is provided between the sampling electrode 4 and the sampling electrode 4 . This blanking electrode 2
1 is a deflection electrode 13 as shown in detail in FIG.
After the electron beam is swept from R1 to R2 on the sampling electrode 4 during the sweep period according to 3, the electron beam is swept over the deflection electrode 133 so that the electron beam does not pass through the slit 5 of the sampling electrode 4 during the retrace period of the deflection electrode 133. This is for deflecting in a direction perpendicular to the sweep direction. That is, by the blanking deflection voltage applied to the blanking deflection electrode 21, the electron beam can be prevented from passing through the slit 5 by following the trajectory from R3 to R4 on the sampling electrode 4 during the retrace period by the deflection electrode 133. can.

ブランキング偏向電極21に加わるブランキン
グ偏向電圧は、ブランキング偏向回路22で発生
する。ブランキング偏向回路22には、偏向回路
13に加わるのと同じ偏向トリガ信号が時間掃引
回路107から加わるようになつている。
A blanking deflection voltage applied to the blanking deflection electrode 21 is generated by a blanking deflection circuit 22 . The same deflection trigger signal applied to the deflection circuit 13 is applied to the blanking deflection circuit 22 from the time sweep circuit 107.

第5図a,bはそれぞれ偏向回路13で発生す
る偏向電圧、ブランキング偏向回路22で発生す
るブランキング偏向電圧のタイムチヤートであ
る。第5図a,bを参照すると、偏向電圧Vが
Vnから−Vnまで降下する掃引期間ts中は、ブラ
ンキング偏向電圧Vbは“0”Vに保持され、偏
向電極133によつて掃引される電子ビームはブ
ランキング偏向を受けないので、第4図に示すよ
うにサンプリング電極4上でR1からR2の軌跡
となりスリツト5を通過し、サンプリングされ
る。偏向電圧Vが−Vnになつているときには電
子ビームはサンプリング電極4上でR2となる
が、このときにブランキング偏向電圧Vbが“0”
から+Vkに上昇すると、電子ビームはサンプリ
ング電極4上でR2からR3に移動する。ブラン
キング偏向電圧Vbは、偏向電圧Vが−VnからVn
になる帰線期間trの間、+Vkに保持される。これ
により、帰線期間tr中、電子ビームはサンプリン
グ電極4上でR3からR4の軌跡をとり、サンプ
リング電極4のスリツト5を通過せず、サンプリ
ングのなされることはない。帰線期間tr終了後、
電子ビームはサンプリング電極4上でR4となる
が、ブランキング偏向電圧Vbが再び“0”にな
ることでR1に戻る。
5a and 5b are time charts of the deflection voltage generated in the deflection circuit 13 and the blanking deflection voltage generated in the blanking deflection circuit 22, respectively. Referring to FIGS. 5a and 5b, it can be seen that the deflection voltage V is
During the sweep period ts during which the voltage drops from V n to -V n , the blanking deflection voltage V b is maintained at "0" V, and the electron beam swept by the deflection electrode 133 is not subjected to blanking deflection. , as shown in FIG. 4, it forms a trajectory from R1 to R2 on the sampling electrode 4, passes through the slit 5, and is sampled. When the deflection voltage V is -V n , the electron beam becomes R2 on the sampling electrode 4, but at this time the blanking deflection voltage V b becomes "0".
When increasing from to +V k , the electron beam moves from R2 to R3 on the sampling electrode 4. The blanking deflection voltage V b is defined as the deflection voltage V from −V n to V n
It is held at +V k during the retrace period t r . As a result, during the retrace period tr , the electron beam takes a trajectory from R3 to R4 on the sampling electrode 4, does not pass through the slit 5 of the sampling electrode 4, and is not sampled. After the retrace period t r ends,
The electron beam becomes R4 on the sampling electrode 4, but returns to R1 when the blanking deflection voltage V b becomes "0" again.

このようにしてブランキング偏向電極21にブ
ランキング偏向電圧Vbを与えることにより、帰
線期間tr中の入射光によるノイズを低減し、さら
にS/N比良く波形観測を行なうことができる。
By applying the blanking deflection voltage V b to the blanking deflection electrode 21 in this manner, it is possible to reduce noise due to incident light during the retrace period t r and to perform waveform observation with a good S/N ratio.

なおこの実施例では、ブランキング偏向電圧
Vbの波形は偏向電圧Vに同期した台形のものを
用い、サンプリング電極4上で電子ビームを矩形
に掃引するようにしたが、ブランキング偏向電圧
Vbの波形は上述したものに限らず、帰線期間tr
電子ビームがサンプリング電極4のスリツト5を
迂回すれば、どのように掃引しても良く、例えば
楕円形に掃引しても良い。
Note that in this embodiment, the blanking deflection voltage
A trapezoidal waveform synchronized with the deflection voltage V was used as the waveform of V b so that the electron beam was swept rectangularly on the sampling electrode 4, but the blanking deflection voltage
The waveform of V b is not limited to the above-mentioned waveform, and may be swept in any manner as long as the electron beam bypasses the slit 5 of the sampling electrode 4 during the retrace period tr , for example, it may be swept in an elliptical shape. .

また上述したように第1および第2の実施例の
サンプリングストリーク管1,20では、サンプ
リング電極4と螢光面134との間に+5KV程
度の高電圧を印加することができるので、螢光面
134の発光効率を第12図のサンプリングスト
リーク管150に比べて3倍程度改善することが
可能となる。
Furthermore, as described above, in the sampling streak tubes 1 and 20 of the first and second embodiments, a high voltage of about +5 KV can be applied between the sampling electrode 4 and the fluorescent surface 134, so that the fluorescent surface It is possible to improve the luminous efficiency of the sampling streak tube 134 by about three times compared to the sampling streak tube 150 shown in FIG.

さらに上述の第1および第2の実施例のサンプ
リングストリーク管1,20のサンプリング電極
4の後段に第6図a,bに示すようにマイクロチ
ヤンネルプレート28,29を設けるようにして
も良いしあるいはサンプリング電極を第7図に示
すような構造にすることができる。
Furthermore, as shown in FIGS. 6a and 6b, microchannel plates 28 and 29 may be provided downstream of the sampling electrode 4 of the sampling streak tubes 1 and 20 of the above-mentioned first and second embodiments, or The sampling electrode can have a structure as shown in FIG.

第7図のサンプリング電極30は、マイクロチ
ヤンネルプレート31をその中央部33を除いて
電子ビームが入射しないよう遮蔽した構造となつ
ている。これによりスリツト5を電子ビームが単
に通過する第1図および第3図に示すものに比べ
てマイクロチヤンネルプレート31の中央部33
を電子ビームをさらに増倍させて通過させること
ができる。
The sampling electrode 30 shown in FIG. 7 has a structure in which a microchannel plate 31 is shielded from the electron beam except for its central portion 33. 1 and 3, in which the electron beam simply passes through the slit 5, the center portion 33 of the microchannel plate 31
can be further multiplied and passed through the electron beam.

さらに、上述の実施例では、螢光面134を電
子検出器としたが、検出面134のかわりに、電
子増倍器、チヤンネルトロンなど(図示せず)を
設け、サンプリング電極によつてサンプリングさ
れた電子を直接電子増倍しても良い。また螢光面
134のかわりにシリコンセルなどの電子打込み
型半導体素子(図示せず)を設け、電子増倍作用
を利用してサンプリングされた電子を増倍して検
出するようにしても良い。以上の場合には光電子
増倍管112は不要となる。また螢光面134の
かわりにシンチレータ(図示せず)を使用し、サ
ンプリングされた電子の衝突によるシンチレーシ
ヨン発光を光電子増倍管112で検出しても良
い。
Further, in the above embodiment, the fluorescent surface 134 is used as an electron detector, but instead of the detection surface 134, an electron multiplier, a channeltron, etc. (not shown) are provided, and the sample is sampled by the sampling electrode. The obtained electrons may be directly multiplied. Further, an electron-implanted semiconductor element (not shown) such as a silicon cell may be provided in place of the fluorescent surface 134, and the sampled electrons may be multiplied and detected using an electron multiplication effect. In the above case, the photomultiplier tube 112 becomes unnecessary. Alternatively, a scintillator (not shown) may be used in place of the fluorescent surface 134, and scintillation light emission caused by collisions of sampled electrons may be detected by the photomultiplier tube 112.

さらに上述の実施例では、1つのサンプリング
ストリーク管だけを用いているが、上述のような
サンプリングストリーク管を複数個並置し、同一
または独立の偏向回路同時に偏向し、多チヤンネ
ルの光波形を同時に観測することも可能である。
Furthermore, in the above embodiment, only one sampling streak tube is used, but by arranging multiple sampling streak tubes as described above and simultaneously deflecting them using the same or independent deflection circuits, multi-channel optical waveforms can be observed simultaneously. It is also possible to do so.

また第8図に示すように、加速電極41に複数
のスリツト42,43を設け、サンプリング電極
44に同数のスリツト45,46を設け、スリツ
ト45,46の後段のそれぞれのスリツト45,
46を通過した電子を増倍する同数の電子増倍部
47,48を設けた多チヤンネルサンプリングス
トリーク管40を多チヤンネルの入射光の波形の
同時観測を用いても良い。すなわち第8図の多チ
ヤンネル型の光波形観測装置では、多チヤンネル
の入射光CHA,CHBが多チヤンネルサンプリン
グストリーク管40の光電面131に同時に入射
すると、光電面131からはそれぞれの入射光に
対応した電子ビームが放出される。入射光CHA,
CHBに対応したそれぞれの電子ビームは、加速
電極41のスリツト42,43を通過して、それ
ぞれの共通の有孔電極137、偏向電極133、
ブランキング偏向電極21を経てサンプリング電
極44のそれぞれのスリツト45,46を通過
し、電子増倍部47,48で各々増倍されて出力
され多チヤンネル信号処理回路50で信号処理さ
れる。
Further, as shown in FIG. 8, the accelerating electrode 41 is provided with a plurality of slits 42 and 43, the sampling electrode 44 is provided with the same number of slits 45 and 46, and each slit 45 and
A multi-channel sampling streak tube 40 provided with the same number of electron multipliers 47 and 48 for multiplying the electrons passing through 46 may be used to simultaneously observe the waveforms of multi-channel incident light. In other words, in the multi-channel optical waveform observation device shown in FIG. An electron beam is emitted. Incident light CHA,
Each electron beam corresponding to CHB passes through the slits 42 and 43 of the accelerating electrode 41, and then passes through the common perforated electrode 137, the deflection electrode 133, and
The signals pass through the blanking deflection electrode 21 and through the respective slits 45 and 46 of the sampling electrode 44, are multiplied by the electron multipliers 47 and 48, and are output, and are subjected to signal processing by the multi-channel signal processing circuit 50.

また第9図のように、サンプリング電極を偏向
電極133の掃引方向と直角方向に長いスリツト
状に複数のチヤンネルを並べたマイクロチヤンネ
ルプレート61とし、マイクロチヤンネルプレー
ト61の直ぐ後段に螢光面134を配し、螢光面
134の発光をフアイバプレート62でリニアイ
メージセンサ63へ導くようにしても良い。リニ
アイメージセンサ63は、偏向電極133の掃引
方向と直角方向に分布した光電面131上の空間
的な入射光の情報を走査して読取ることができ
る。
Further, as shown in FIG. 9, the sampling electrode is a microchannel plate 61 in which a plurality of channels are arranged in a long slit shape in a direction perpendicular to the direction in which the deflection electrode 133 sweeps, and a fluorescent surface 134 is provided immediately after the microchannel plate 61. The light emitted from the fluorescent surface 134 may be guided to the linear image sensor 63 by the fiber plate 62. The linear image sensor 63 can scan and read information on spatially incident light on the photocathode 131 distributed in a direction perpendicular to the sweeping direction of the deflection electrode 133.

このような構成は、例えば分光器64で分光し
たマルチスペクトルなどの一次元光情報を光電面
131に入射させ、これらの一次元光情報を精度
良く観測するのに適している。
Such a configuration is suitable for, for example, making one-dimensional optical information such as a multispectrum separated by the spectroscope 64 incident on the photocathode 131 and observing this one-dimensional optical information with high accuracy.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上に説明したように、本考案によれば、サン
プリングストリーク管の加速電極を開口を備えた
板状のものにしているので、偏向電極に加わる偏
向電圧を小振幅のものにすることが可能となり、
偏向電極の間隔を狭めることにより偏向感度を向
上させると同時に、偏向の繰返し周波数を高める
ことができて、高速繰返し周期の光現象の波形を
高時間分解能で精度良く観測することができる。
As explained above, according to the present invention, since the accelerating electrode of the sampling streak tube is made into a plate-shaped one with an opening, it is possible to reduce the amplitude of the deflection voltage applied to the deflection electrode. ,
By narrowing the spacing between the deflection electrodes, it is possible to improve the deflection sensitivity and at the same time increase the deflection repetition frequency, making it possible to accurately observe the waveform of an optical phenomenon with a high-speed repetition period with high temporal resolution.

さらに本発明では、ブランキング偏向電極を設
けることにより偏向電極の帰線期間における素子
ビームがサンプリングされることを防止し、観測
精度をさらに向上させることができる。
Furthermore, in the present invention, by providing a blanking deflection electrode, it is possible to prevent the element beam from being sampled during the retrace period of the deflection electrode, thereby further improving observation accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係る光波形観測装置の第1の
実施例の構成図、第2図aは加速電極を開口を備
えた板状のものとしたときの散乱光による光電子
の遮蔽を説明するための図、第2図bは加速電極
を開口を備えた板状のものにしたときのサンプリ
ング電極上での電子密度分布を示す図、第3図は
本発明に係る光波形観測装置の第2の実施例の構
成図、第4図はブランキング偏向された電子ビー
ムのサンプリング電極上での軌跡を示す図、第5
図a,bはそれぞれ偏向電圧、ブランキング偏向
電圧のタイムチヤート、第6図a,bはそれぞれ
サンプリング電極の後段にマイクロチヤンネルプ
レートを取付けたサンプリング手段を示す図、第
7図はマイクロチヤンネルプレートに遮蔽膜を設
けたサンプリング手段を示す図、第8図は多チヤ
ンネル型の光波形観測装置の構成図、第9図はリ
ニアイメージセンサを用いた光波形観測装置の構
成図、第10図は従来の光波形観測装置の構成
図、第11図a乃至eはそれぞれ入射光IN、電
気トリガ信号TR、偏向トリガ信号、偏向電圧
V、サンプリング波形のタイムチヤート、第12
図は従来のサンプリングストリーク管の構成図、
第13図aは加速電極がメツシユ状のものである
ときの散乱光による光電子の遮蔽を説明するため
の図、第13図bは加速電極がメツシユ状のもの
であるときのサンプリング電極上での電子密度分
布を示す図である。 1,20……サンプリングストリーク管、2…
…加速電極、3……開口、4……サンプリング電
極、5……スリツト、21……ブランキング偏向
電極、131……光電面、133……偏向電極、
134……螢光面。
Fig. 1 is a block diagram of a first embodiment of the optical waveform observation device according to the present invention, and Fig. 2a illustrates the shielding of photoelectrons by scattered light when the accelerating electrode is plate-shaped with an aperture. Figure 2b is a diagram showing the electron density distribution on the sampling electrode when the accelerating electrode is a plate-shaped one with an aperture, and Figure 3 is a diagram showing the optical waveform observation device according to the present invention. A configuration diagram of the second embodiment, FIG. 4 is a diagram showing the trajectory of the blanking-deflected electron beam on the sampling electrode, and FIG.
Figures a and b are time charts of the deflection voltage and blanking deflection voltage, respectively. Figures 6 a and b are diagrams showing a sampling means in which a microchannel plate is attached to the rear stage of the sampling electrode, respectively. A diagram showing a sampling means provided with a shielding film, FIG. 8 is a configuration diagram of a multi-channel optical waveform observation device, FIG. 9 is a configuration diagram of an optical waveform observation device using a linear image sensor, and FIG. 10 is a configuration diagram of a conventional optical waveform observation device. Figures 11a to 11e are diagrams of the configuration of the optical waveform observation device shown in Figures 11a to 11e, respectively.
The figure shows the configuration of a conventional sampling streak tube.
Figure 13a is a diagram for explaining the shielding of photoelectrons by scattered light when the accelerating electrode is mesh-shaped, and Figure 13b is a diagram for explaining the shielding of photoelectrons by scattered light when the accelerating electrode is mesh-shaped. It is a figure showing electron density distribution. 1,20...sampling streak tube, 2...
...Accelerating electrode, 3...Aperture, 4...Sampling electrode, 5...Slit, 21...Blanking deflection electrode, 131...Photocathode, 133...Deflection electrode,
134...Fluorescent surface.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 一定の繰返し周波数をもつ入射光の波形をサ
ンプリングストリーク管により観測する型式の光
波形観測装置において、前記サンプリングストリ
ーク管は、入射光の入射する光電面と、光電面か
ら放出された電子ビームを加速する加速電極と、
加速電極を通過した電子ビームを所定方向に掃引
する偏向電極と、偏向電極によつて偏向された電
子ビームに対しサンプリングを行なうサンプリン
グ手段と、サンプリング手段によつてサンプリン
グされた電子ビームを検出する電子検出手段とを
備え、前記加速電極は開口を備えた板状のもので
あることを特徴とする光波形観測装置。 2 加速電極の前記開口は、30μm×3mm程度の
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載の光波形観測装置。 3 前記サンプリング手段は、開口を備えたサン
プリング電極であることを特徴とする特許請求の
範囲第1項に記載の光波形観測装置。 4 前記サンプリング手段は、開口を備えたサン
プリング電極と、該サンプリング電極の後段に設
けられたマイクロチヤンネルプレートとからなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
光波形観測装置。 5 前記サンプリング手段は、所定の部分だけが
電子ビームを通過するように構成されているマイ
クロチヤンネルプレートとからなることを特徴と
する特許請求の範囲第1項に記載の光波形観測装
置。 6 前記電子検出手段は、螢光面であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載の光波形観
測装置。 7 前記電子検出手段は、サンプリングされた電
子ビームを電子増倍する電子増倍器であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の光波形
観測装置。 8 前記電子検出手段は、チヤンネルトロンであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の光波形観測装置。 9 前記電子検出手段は、電子打込み型半導体素
子であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載の光波形観測装置。 10 前記電子検出手段は、シンチレータである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
光波形観測装置。 11 前記加速電極は複数の開口を備え、前記サ
ンプリング手段は、前記加速電極の複数の開口と
同数のサンプリング部を備え、前記電子検出手段
は、前記サンプリング手段のそれぞれのサンプリ
ング部を通過した電子ビームを増倍する独立した
同数の電子増倍部を備え、前記光電面に入射する
多チヤンネルの入射光を同時に観測するようにな
つていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載の光波形観測装置。 12 前記サンプリング手段は、前記偏向電極の
掃引方向と直角方向に長いスリツト状に複数のチ
ヤンネルを並べたマイクロチヤンネルプレートで
あり、前記電子検出手段は前記マイクロチヤンネ
ルプレートの直ぐ後段に設けられた螢光面であ
り、該螢光面の発行はフアイバプレートでリニア
イメージセンサに導かれるようになつていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の光波
形観測装置。 13 一定の繰返し周波数をもつ入射光の波形を
サンプリングストリーク管により観測する型式の
光波形観測装置において、前記サンプリングスト
リーク管は、入射光の入射する光電面と、光電面
から放出された電子ビームを加速する加速電極
と、加速電極を通過した電子ビームに所定方向に
掃引する偏向電極と、偏向電極の掃引方向と垂直
方向に偏向電極を通過した電子ビームを偏向させ
るブランキング偏向電極と、偏向電極およびブラ
ンキング偏向電極を通過した電子ビームに対しサ
ンプリングを行なうサンプリング手段と、サンプ
リング手段によつてサンプリングされた電子ビー
ムを検出する電子検出手段とを備え、前記加速電
極は開口を備えた板状のものであることを特徴と
する光波形観測装置。 14 前記ブランキング偏向電極には、前記偏向
電極に加わる偏向電圧と同期したブランキング偏
向電圧が偏向電極の帰線期間中加わるようになつ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第13項
に記載の光波形観測装置。
[Scope of Claims] 1. In an optical waveform observation device of the type that observes the waveform of incident light having a constant repetition frequency using a sampling streak tube, the sampling streak tube includes a photocathode on which the incident light enters, and a an accelerating electrode that accelerates the emitted electron beam;
A deflection electrode that sweeps the electron beam that has passed through the accelerating electrode in a predetermined direction, a sampling means that samples the electron beam deflected by the deflection electrode, and an electron that detects the electron beam sampled by the sampling means. 1. An optical waveform observation device comprising: a detection means, wherein the accelerating electrode is plate-shaped with an aperture. 2. Claim 1, wherein the opening of the accelerating electrode is approximately 30 μm x 3 mm.
The optical waveform observation device described in . 3. The optical waveform observation device according to claim 1, wherein the sampling means is a sampling electrode provided with an aperture. 4. The optical waveform observation device according to claim 1, wherein the sampling means comprises a sampling electrode provided with an aperture and a microchannel plate provided after the sampling electrode. 5. The optical waveform observation device according to claim 1, wherein the sampling means comprises a microchannel plate configured so that only a predetermined portion thereof passes the electron beam. 6. The optical waveform observation device according to claim 1, wherein the electron detection means is a fluorescent surface. 7. The optical waveform observation device according to claim 1, wherein the electron detection means is an electron multiplier that multiplies the electrons in the sampled electron beam. 8. The optical waveform observation device according to claim 1, wherein the electron detection means is a channel tron. 9. The optical waveform observation device according to claim 1, wherein the electron detection means is an electron implanted semiconductor element. 10. The optical waveform observation device according to claim 1, wherein the electron detection means is a scintillator. 11 The accelerating electrode includes a plurality of apertures, the sampling means includes the same number of sampling parts as the plurality of apertures of the accelerating electrode, and the electron detection means detects the electron beam that has passed through each sampling part of the sampling means. Claim 1 is characterized in that it is equipped with the same number of independent electron multipliers that multiply the number of electrons, and is adapted to simultaneously observe multi-channel incident light incident on the photocathode. Optical waveform observation device. 12 The sampling means is a microchannel plate in which a plurality of channels are arranged in the form of long slits in a direction perpendicular to the direction in which the deflection electrodes are swept, and the electron detection means is a fluorescent plate provided immediately after the microchannel plate. 2. The optical waveform observation device according to claim 1, wherein the fluorescent surface is emitted by a fiber plate and guided to a linear image sensor. 13 In an optical waveform observation device that uses a sampling streak tube to observe the waveform of incident light having a constant repetition frequency, the sampling streak tube has a photocathode on which the incident light enters and an electron beam emitted from the photocathode. An accelerating electrode that accelerates, a deflection electrode that sweeps the electron beam that has passed through the acceleration electrode in a predetermined direction, a blanking deflection electrode that deflects the electron beam that has passed through the deflection electrode in a direction perpendicular to the sweeping direction of the deflection electrode, and a deflection electrode. and a sampling means for sampling the electron beam that has passed through the blanking deflection electrode, and an electron detection means for detecting the electron beam sampled by the sampling means, and the accelerating electrode is a plate-shaped plate having an aperture. An optical waveform observation device characterized by: 14. Claim 13, characterized in that a blanking deflection voltage synchronized with a deflection voltage applied to the deflection electrode is applied to the blanking deflection electrode during the retrace period of the deflection electrode. The optical waveform observation device described.
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